TWI683381B - 半導體製造系統、邊緣檢測裝置以及檢測半導體晶圓之邊緣斜面去除區域的方法 - Google Patents

Abstract

一種半導體製造系統，包含一機械手臂、一發光模組、一影像擷取單元、一處理單元以及一故障分類檢測設備。機械手臂，配置以運送一半導體晶圓。發光模組配置以發出一光束至半導體晶圓。半導體晶圓具有一電鍍區域以及環繞電鍍區域之一邊緣斜面去除區域。影像擷取單元配置以擷取關於半導體晶圓之電鍍區域與邊緣斜面去除區域的一邊緣影像。處理單元配置以根據邊緣影像中由邊緣斜面去除區域之外側至電鍍區域的灰階值變化獲得邊緣斜面去除區域之寬度。故障檢測分類設備是配置以記錄關於半導體晶圓之一資訊。

Description

半導體製造系統、邊緣檢測裝置以及檢測半導體晶圓之邊緣斜面去除區域的方法

本發明實施例係關於一種半導體晶圓之邊緣斜面去除區域的檢測方法，特別係關於一種即時監控以及檢測半導體晶圓之邊緣斜面去除區域的方法。

近年來，半導體積體電路(semiconductor integrated circuits)經歷了指數級的成長。在積體電路材料以及設計上的技術進步下，產生了多個世代的積體電路，其中每一世代較前一世代具有更小更複雜的電路。在積體電路發展的過程中，當幾何尺寸(亦即，製程中所能產出的最小元件或者線)縮小時，功能密度(亦即，每一晶片區域所具有的互連裝置的數目)通常會增加。一般而言，此種尺寸縮小的製程可以提供增加生產效率以及降低製造成本的好處，然而，此種尺寸縮小的製程亦會增加製造與生產積體電路的複雜度。

在半導體元件製造中，在晶圓上形成積體電路的金屬線是製程中的一個重要步驟。舉例來說，可以通過電鍍製程或物理氣相沉積(PVD)製程來形成金屬線。再者，為了增加 晶圓的密度，半導體晶圓上的可用區域是擴大到非常靠近晶圓的邊緣的位置。因此，金屬線也會形成在非常靠近晶圓的邊緣上。然而，當金屬線形成在非常靠近晶圓的邊緣的位置時，可能會在其他製程中造成不良的影響，例如會與靜電吸盤導電而影響晶圓的品質。於是，半導體晶圓製造過程中可進一步利用化學溶液的方式來去除在半導體晶圓的邊緣上不需要的金屬，以使半導體晶圓的良率可以達到所需的要求。

雖然現有的半導體製造機台已經可符合上述一般之目的，但這些半導體製造機台及過濾方法仍不能在各方面令人滿意。

本發明一些實施例提供一種半導體製造系統，包含一機械手臂、一發光模組、一影像擷取單元、一處理單元以及一故障分類檢測設備。機械手臂，配置以由一第一腔室運送一半導體晶圓至一第二腔室。發光模組是配置以發出一光束至半導體晶圓，其中半導體晶圓具有一電鍍區域以及環繞電鍍區域之一邊緣斜面去除區域。影像擷取單元是配置以於機械手臂運送半導體晶圓的過程中擷取關於半導體晶圓之電鍍區域與邊緣斜面去除區域的一邊緣影像。處理單元是配置以根據邊緣影像中由邊緣斜面去除區域之外側至電鍍區域的灰階值變化獲得邊緣斜面去除區域之寬度。故障檢測分類設備是配置以記錄關於半導體晶圓之一資訊，其中資訊包含邊緣斜面去除區域之寬度以及半導體晶圓之辨識資料。

本發明實施例另提供一種邊緣檢測裝置，包含一 發光模組、一影像擷取單元以及一處理單元。發光模組是配置以發出一光束至一半導體晶圓，其中半導體晶圓具有一電鍍區域以及環繞電鍍區域之一邊緣斜面去除區域。影像擷取單元是配置以擷取關於半導體晶圓之電鍍區域與邊緣斜面去除區域的一邊緣影像。處理單元是配置以根據邊緣影像中由邊緣斜面去除區域之外側至電鍍區域的灰階值變化獲得邊緣斜面去除區域之寬度。

本發明實施例提供一種檢測半導體晶圓之邊緣斜面去除區域的方法，包含：藉由一機械手臂運送一半導體晶圓；當承載半導體晶圓且移動至一預定位置時，發出一光束至半導體晶圓，其中半導體晶圓具有一電鍍區域以及環繞電鍍區域之一邊緣斜面去除區域；擷取關於半導體晶圓之電鍍區域與邊緣斜面去除區域的一邊緣影像；以及根據邊緣影像中由邊緣斜面去除區域之外側至電鍍區域的灰階值變化獲得邊緣斜面去除區域之寬度。

100‧‧‧半導體製造系統

140‧‧‧半導體製造設備

140A‧‧‧前段設備

140B‧‧‧中段設備

140C‧‧‧後段設備

142‧‧‧輸入輸出埠

1421‧‧‧第一埠

1422‧‧‧第二埠

144‧‧‧第一機械手臂

1441‧‧‧夾持部

1442‧‧‧連接部

1443‧‧‧驅動部

145‧‧‧傳送腔室

146‧‧‧傳送站

148‧‧‧對位器

150‧‧‧退火腔室

151‧‧‧第二機械手臂

152‧‧‧第一電鍍腔室

153‧‧‧第二電鍍腔室

154‧‧‧第三電鍍腔室

155‧‧‧第一處理腔室

156‧‧‧第二處理腔室

157‧‧‧第三處理腔室

158‧‧‧劑量裝置

160‧‧‧鍍液裝置

162‧‧‧過濾泵浦裝置

164‧‧‧處理單元

180‧‧‧故障檢測分類設備

200‧‧‧邊緣檢測裝置

202‧‧‧第一發光模組

2021‧‧‧半反射鏡

2023‧‧‧發光源

204‧‧‧第二發光模組

206‧‧‧第一影像擷取單元

2061‧‧‧鏡頭

208‧‧‧第二影像擷取單元

210‧‧‧感測單元

212‧‧‧殼體

214‧‧‧第一邊緣區域

216‧‧‧第二邊緣區域

250‧‧‧電腦

300‧‧‧檢測窗口

A1‧‧‧軸向

AL‧‧‧虛線

AS‧‧‧夾角

IL‧‧‧入射光束

L1‧‧‧取樣直線

LB‧‧‧光束

M1‧‧‧移動方向

M2‧‧‧旋轉方向

M3‧‧‧旋轉方向

P1‧‧‧第一邊界點

P2‧‧‧第二邊界點

Td‧‧‧預定距離

W‧‧‧半導體晶圓

W1‧‧‧取樣寬度

W2‧‧‧取樣寬度

WB1‧‧‧外緣

WB2‧‧‧邊界

WE‧‧‧邊緣斜面去除區域

WP‧‧‧電鍍區域

WS‧‧‧表面

900‧‧‧方法

S100、S102、S104、S106、S108、S110、S112、S114、S116‧‧‧操作

本揭露可藉由之後的詳細說明並配合圖示而得到清楚的了解。要強調的是，按照業界的標準做法，各種特徵並沒有按比例繪製，並且僅用於說明之目的。事實上，為了能夠清楚的說明，因此各種特徵的尺寸可能會任意地放大或者縮小。

第1圖為根據本發明一些實施例之半導體製造系統之示意圖。

第2圖至第4圖為根據本發明一些實施例之前段設備中元 件的作動示意圖。

第5圖為根據本發明一實施例之發光模組與影像擷取單元之示意圖。

第6圖為根據本發明一實施例之邊緣檢測裝置、處理單元以及一故障檢測分類設備的示意圖。

第7A圖為根據本發明一實施例之關於第一邊緣區域的邊緣影像之示意圖。

第7B圖為根據本發明一實施例之關於第二邊緣區域的邊緣影像之示意圖。

第8圖為根據第7B圖之實施例中取樣直線的灰階值曲線圖。

第9圖為根據本發明一些實施例之檢測半導體晶圓之邊緣斜面去除區域的方法的流程圖。

以下揭露之實施方式或實施例是用於說明或完成本發明之多種不同技術特徵，所描述之元件及配置方式的特定實施例是用於簡化說明本發明，使揭露得以更透徹且完整，以將本揭露之範圍完整地傳達予同領域熟悉此技術者。當然，本揭露也可以許多不同形式實施，而不局限於以下所述之實施例。

在下文中所使用的空間相關用詞，例如“在...下方”、“下方”、“較低的”、“上方”、“較高的”及類似的用詞，是為了便於描述圖示中一個元件或特徵與另一個(些)元件或特徵之間的關係。除了在圖式中繪示的方位之外，這些空間相關 用詞也意欲包含使用中或操作中的裝置之不同方位。例如，裝置可能被轉向不同方位(旋轉90度或其他方位)，而在此所使用的空間相關用詞也可依此相同解釋。此外，若實施例中敘述了一第一特徵形成於一第二特徵之上或上方，即表示其可能包含上述第一特徵與上述第二特徵是直接接觸的情況，亦可能包含了有附加特徵形成於上述第一特徵與上述第二特徵之間，而使得上述第一特徵與第二特徵未直接接觸的情況。

以下不同實施例中可能重複使用相同的元件標號及/或文字，這些重複是為了簡化與清晰的目的，而非用以限定所討論的不同實施例及/或結構之間有特定的關係。另外，在圖式中，結構的形狀或厚度可能擴大，以簡化或便於標示。必須了解的是，未特別圖示或描述之元件可以本領域技術人士所熟知之各種形式存在。

根據本發明一些實施例，半導體晶圓可由矽、鍺或其他半導體材料所製成。根據本發明一些實施例，半導體基板可由複合半導體所製成，如碳化矽(SiC)、砷化鎵(GaAs)、砷化銦(InAs)或磷化銦(InP)。根據本發明一些實施例，半導體晶圓可由合金半導體所製成，如矽鍺(SiGe)、矽鍺碳(SiGeC)、磷砷化鎵(GaAsP)或磷化銦鎵(GaInP)。根據本發明一些實施例，半導體晶圓可為矽絕緣體(silicon-on-insulator；SOI)或鍺絕緣體(germanium-on-insulator；GOI)基板。

請參考第1圖，第1圖為根據本發明一些實施例之半導體製造系統100之示意圖。如第1圖所示，半導體製造系統 100包含有一半導體製造設備140以及一故障檢測分類設備180。於此實施例中，半導體製造設備140是配置以對一半導體晶圓進行製程處理，例如對一經過微影製程後的半導體晶圓進行電鍍製程或退火製程。另外，故障檢測分類設備180是配置以接收與記錄半導體製造設備140所傳送之資訊，以對進行製程後的半導體晶圓的資料進行判斷與分類。於此實施例中，半導體製造設備140包含有一前段設備140A、一中段設備140B以及一後段設備140C。

如第1圖所示，前段設備140A可包含一輸入輸出埠142，配置以將半導體晶圓輸入至半導體製造設備140內或由半導體製造設備140內輸出並傳送至另一半導體製程設備(未圖示)。於此實施例中，輸入輸出埠142可包含第一埠1421和第二埠1422，配置以放置兩個半導體晶圓，然而輸入輸出埠142與可放置的晶圓數量不限於此實施例。

再者，前段設備140A可更包含一第一機械手臂144、一傳送腔室145、一退火腔室150以及一邊緣檢測裝置200。第一機械手臂144是設置於傳送腔室145、退火腔室150以及輸入輸出埠142之間，配置以於傳送腔室145、退火腔室150以及輸入輸出埠142之間傳送半導體晶圓。如第1圖所示，傳送腔室145是可設置在前段設備140A與中段設備140B的交界，並且傳送腔室145可包含一傳送站146以及一對位器148。第一機械手臂144可將半導體晶圓由輸入輸出埠142傳送到傳送站146，接著再透過另一機械手臂(第二機械手臂151)移送至中段設備140B內的各個處理腔室。於此實施例中，對位器148可 以協助第二機械手臂151以對位於傳送腔室145內的半導體晶圓，以使得第二機械手臂151可將半導體晶圓精確地傳送移送至中段設備140B內的各個處理腔室。另外，對位器148也協助第一機械手臂144對位於傳送腔室145內的半導體晶圓，以使得第一機械手臂144可以將半導體晶圓精確地傳送至退火腔室150。

退火腔室150是配置以將半導體晶圓進行退火。舉例來說，當半導體晶圓經過電鍍製程後，第一機械手臂144會將半導體晶圓從傳送腔室145傳送至退火腔室150。在退火製程結束後之後，第一機械手臂144可接著將退火後的半導體晶圓從退火腔室150傳送至輸入輸出埠142。於此實施例中，當第一機械手臂144將半導體晶圓從傳送腔室145傳送至退火腔室150的過程中，邊緣檢測裝置200可對電鍍後的半導體晶圓進行檢測，其具體的檢測方式與流程將於之後的段落進一步詳細描述。

另外，如第1圖所示，半導體製造設備140的中段設備140B可更包含一第二機械手臂151、一第一電鍍腔室152、一第二電鍍腔室153、一第三電鍍腔室154、一第一處理腔室155、一第二處理腔室156以及一第三處理腔室157。第二機械手臂151是配置以將一半導體晶圓由傳送腔室145傳送至第一電鍍腔室152、第二電鍍腔室153、第三電鍍腔室154、第一處理腔室155、第二處理腔室156或第三處理腔室157中，以進行所需的製程。於此實施例中，第一電鍍腔室152、第二電鍍腔室153、第三電鍍腔室154是配置以將半導體晶圓進行電鍍製程 (例如在半導體晶圓上電鍍一銅層)。舉例來說，第一電鍍腔室152、第二電鍍腔室153與第三電鍍腔室154可分別對三個半導體晶圓進行電鍍處理。接著，在電鍍程序結束之後，第一處理腔室155、第二處理腔室156或第三處理腔室157是配置以對半導體晶圓進行所需的製程，諸如邊緣斜面去除(edge bevel removal，EBR)製程、蝕刻、酸洗、乾燥等製程。

再者，如第1圖所示，半導體製造設備140的後段設備140C中可包含一劑量裝置158、鍍液裝置160、過濾泵浦裝置162以及處理單元164。劑量裝置158是配置以儲存用於電鍍溶液的化學添加劑。鍍液裝置160是配置以儲存用來電鍍的電鍍化學溶液。過濾泵浦裝置162是配置以過濾提供給鍍液裝置160的電鍍溶液以及將過濾後的電鍍溶液輸送至前述中的任一電鍍腔室。處理單元164是配置以控制半導體製造設備140內各元件、機構以及腔室環境的作動。舉例來說，處理單元164可以為一微電腦控制器。

另外，值得注意的是，邊緣檢測裝置200是可設置於第一機械手臂144上方，以檢測與監控由第一機械手臂144所承載的半導體晶圓(如第1圖中所示的半導體晶圓W)的邊緣區域。舉例來說，第1圖中的半導體晶圓W是經過電鍍製程以及邊緣斜面移除後之半導體晶圓，並且第一機械手臂144將半導體晶圓W從傳送腔室145轉移至退火腔室150的過程中(意即第一機械手臂144仍然承載半導體晶圓W時)，邊緣檢測裝置200可監控半導體晶圓W中受到邊緣斜面去除製程處理後的一邊緣斜面去除區域的一部分。另外，於此實施例，邊緣檢測裝 置200是即時地監控半導體晶圓W上的邊緣斜面去除區域，並且不會影響半導體製造設備140的整體流程，例如不需要停止半導體製造設備140來進行監控與檢測。

接著說明半導體晶圓W在半導體製造設備140中的處理流程。首先，一半導體晶圓是由前一製程移送至輸入輸出埠142中的第一埠1421或第二埠1422其中一者，接著第一機械手臂144便將半導體晶圓傳送至傳送腔室145中的傳送站146。於此實施例中，第一機械手臂144是可利用真空吸附的方式來夾持半導體晶圓，但也可透過其他方式達成，例如利用靜電吸附的方式。此外，第一機械手臂144也可將半導體晶圓傳送至對位器148，以使第二機械手臂151對位於半導體晶圓。

接著，第二機械手臂151將半導體晶圓由傳送腔室145傳送至第一電鍍腔室152。另外，第二機械手臂151也可將半導體晶圓傳送至第二電鍍腔室153或第三電鍍腔室154。意即，半導體製造設備140可一起對三片半導體晶圓進行電鍍製程。在第一電鍍腔室152中，可以利用劑量裝置158的化學添加劑與鍍液裝置160中的電鍍溶液來對半導體晶圓進行電鍍，以使半導體晶圓上具有一電鍍後的金屬層(銅層)。

在電鍍處理之後，第二機械手臂151會將電鍍後的半導體晶圓傳送至第一處理腔室155，以進行邊緣斜面去除製程，藉以進一步去除半導體晶圓的邊緣區域上所不需要的銅層。舉例來說，在第一處理腔室155中可利用酸性溶液(蝕刻溶液)蝕刻掉不需要的銅層。另外，第一處理腔室155也可以進行清洗、沖洗及/或乾燥半導體晶圓的處理。相似地，第一 處理腔室155、第二處理腔室156與第三處理腔室157可分別對三片半導體晶圓進行前述處理。

在完成前述處理程序後(如邊緣斜面去除製程)，第二機械手臂151可將處理後的半導體晶圓從第一處理腔室155傳送至傳送腔室145中的對位器148。接著，在對位器148中的半導體晶圓(例如半導體晶圓W)可以通過第一機械手臂144傳送至退火腔室150。退火腔室150可以包括加熱爐，配置以對電鍍後的半導體晶圓進行退火處理。

在退火腔室150中的退火處理完成時，第一機械手臂144便可將退火後的半導體晶圓傳送至第一埠1421和第二埠1422中的其中一者。然後，在輸入輸出埠142中的退火的半導體晶圓會進一步傳送至其他系統，例如傳送到化學拋光製程的一化學機械拋光系統(未圖示)。

當在傳送半導體晶圓W的過程中，邊緣檢測裝置200會擷取關於半導體晶圓W的邊緣區域的一部分的影像，藉以即時地監控半導體晶圓W。如第1圖所示，於此實施例中，當半導體晶圓W位在對位器148中時，第一機械手臂144會伸出至對位器148以夾持半導體晶圓W。在夾持住半導體晶圓W之後，第一機械手臂144拉回中央位置。然後，第一機械手臂144再次伸出以將半導體晶圓W傳送至退火腔室150。如第1圖所示，虛線AL代表第一機械手臂144將半導體晶圓W從對位器148傳送至退火腔室150的傳送路徑。當半導體晶圓W在運送途中且位於邊緣檢測裝置200下方之一預定位置時，邊緣檢測裝置200會擷取半導體晶圓W的邊緣區域的一部分的影像。應該注 意，前述預定位置可以是邊緣檢測裝置200清楚地擷取半導體晶圓W的影像的任意位置。

在擷取半導體晶圓W的影像後，邊緣檢測裝置200可將影像傳送至後段設備140C中的處理單元164。處理單元164是配置以分析關於半導體晶圓W之邊緣的影像。另外，要注意的是，邊緣檢測裝置200可以安裝在第一機械手臂144之上方的任意位置，只要邊緣檢測裝置200可以清楚地擷取到半導體晶圓W的影像。再者，要注意的是，邊緣檢測裝置200未安裝在傳送腔室145中。

請同時參考第2圖至第4圖，第2圖至第4圖為根據本發明一些實施例之前段設備140A中元件的作動示意圖。如第2圖所示，邊緣檢測裝置200可包含兩個發光模組(第一發光模組202與第二發光模組204)、兩個影像擷取單元(第一影像擷取單元206與第二影像擷取單元208)以及一感測單元210。於此實施例中，第一發光模組202與第二發光模組204是配置以分別發出一光束至半導體晶圓W上。第一影像擷取單元206與第二影像擷取單元208是配置分別以於第一機械手臂144運送半導體晶圓W的過程中擷取半導體晶圓W的邊緣區域的一邊緣影像。感測單元210是配置以感測第一機械手臂144是否到達一預定位置。於此實施例中，當第一機械手臂144承載半導體晶圓W至傳送腔室145(第一腔室)與退火腔室150(第二腔室)之間的預定位置時，感測單元210會感測到第一機械手臂144並發送一感測訊號至第1圖中的處理單元164。

如第2圖所示，第一機械手臂144具有一夾持部 1441、一連接部1442以及一驅動部1443，並且夾持部1441向右側移動至傳送腔室145後夾持半導體晶圓W。接著，如第3圖所示，驅動部1443沿著一移動方向M1移動(例如向上抬升)，使得夾持部1441從對位器148(第1圖)上將半導體晶圓W抬起。之後，驅動部1443沿著一旋轉方向M2旋轉，使得夾持部1441與連接部1442到達如第4圖所示之位置後，最後驅動部1443沿著另一旋轉方向M3旋轉，以驅動夾持部1441將半導體晶圓W傳送至退火腔室150的一入口1501。

於此實施例中，當第一機械手臂144移動到如第4圖之位置時，感測單元210可感測第一機械手臂144與感測單元210之間的距離。當感測單元210感測到感測單元210與第一機械手臂144的夾持部1441之間的距離等於一預定距離Td時(如第4圖所示)，感測單元210會發送感測訊號至處理單元164，處理單元164便會根據感測訊號控制第一發光模組202與第二發光模組204發出光束至半導體晶圓W的邊緣區域，並且控制第一影像擷取單元206與第二影像擷取單元208擷取半導體晶圓W上的邊緣區域的邊緣影像。於此實施例中，感測單元210是包含一距離感測器，配置以利用雷射光束以感測感測單元210與第一機械手臂144之間的距離。然而，感測單元210感測距離的方式不限於此實施例。舉例來說，感測單元210也可利用紅外線熱像儀、X光掃描器或超音波等感測方式來測量感測單元210與第一機械手臂144的夾持部1441之間的距離。

另外，於此實施例中，當第一機械手臂144夾持半導體晶圓W從傳送腔室145運送至第4圖中的預定位置時，第一 影像擷取單元206與第二影像擷取單元208是位於半導體晶圓W的上方的位置，並且第一影像擷取單元206與第二影像擷取單元208可於此位置分別地清晰地擷取半導體晶圓W的兩個邊緣區域的邊緣影像。於此實施例中，第一發光模組202與第二發光模組204可以稍微早於第一影像擷取單元206與第二影像擷取單元208啟動，但不限於此。再者，當第一影像擷取單元206與第二影像擷取單元208分別地擷取兩個邊緣區域的邊緣影像後，處理單元164便會關閉第一發光模組202與第二發光模組204，以避免過多的光線影響半導體晶圓W的品質。

值得注意的是，於本發明實施例中，當第一機械手臂144要運送退火後的半導體晶圓W至輸入輸出埠142時，第一機械手臂144也會經過感測單元210的下方。此時，處理單元164可控制第一機械手臂144與感測單元210之間的距離大於預定距離Td。舉例來說，當第一機械手臂144夾持半導體晶圓W並移動至感測單元210下方時，處理單元164可控制驅動部1443的高度(例如沿著相反於移動方向M1的方向向下移動)，使感測單元210與第一機械手臂144的夾持部1441之間的距離大於預定距離Td。因此，感測單元210便不會觸發第一影像擷取單元206與第二影像擷取單元208擷取影像。

值得注意的是，第一機械手臂144將半導體晶圓W從對位器148傳送至退火腔室150的移動路徑(例如第1圖中的虛線AL)是在半導體製造系統100中的一預定路徑，並且預定位置是在此預定路徑上。因此，在半導體晶圓W沿著預定路徑上到達預定位置時，第一影像擷取單元206與第二影像擷取單 元208便會根據感測單元210的觸發(也就是發出感測訊號)來分別地擷取半導體晶圓W上的兩個邊緣區域的邊緣影像。意即，對半導體晶圓W上的兩個邊緣區域的擷取邊緣影像的操作並不會影響前段設備140A中各元件的操作，意即不會影響半導體製造系統100的產量。

請參考第5圖，第5圖為根據本發明一實施例之發光模組與影像擷取單元之示意圖。第5圖僅表示第一發光模組202與第一影像擷取單元206之示意圖，而第二發光模組204與第二影像擷取單元208相似於第一發光模組202與第一影像擷取單元206之結構配置，故在此省略其描述。如第5圖所示，於此實施例中，第一發光模組202與第一影像擷取單元206是整合於一殼體212內。於此實施例中，第一影像擷取單元206可為一相機(例如為採用電荷耦合器件(CCD)或互補式氧化金屬半導體(CMOS)作為感光元件的一相機)，並且具有一鏡頭2061。

再者，如第5圖所示，第一發光模組202包含一半反射鏡2021以及一發光源2023。於此實施例中，發光源2023為一發光二極體，但不限於此實施例。發光源2023是配置以發出一入射光束IL至半反射鏡2021，接著半反射鏡2021再將入射光束IL反射為光束LB至半導體晶圓W之一邊緣區域上。於此實施例中，發光源2023是發出具有紅光波長的光束，但不限於此。再者，值得注意的是，如第5圖所示，光束LB與第一影像擷取單元206之鏡頭2061是位在同一軸向上(也就是在軸向A1上)，並且第一影像擷取單元206與半反射鏡2021是沿著軸向A1之方向排列。藉由這樣的結構配置，第一影像擷取單元206可以擷 取到更清晰的邊緣影像。

然而，第一發光模組202與第一影像擷取單元206的配置不限於上述之結構。第一發光模組202與第一影像擷取單元206也可於其他實施例中是分離設置。舉例來說，第一發光模組202可以任意調整相對於半導體晶圓W的位置與角度，以使第一影像擷取單元206擷取到清晰且符合需求的邊緣影像。

請參考第6圖，第6圖為根據本發明一實施例之邊緣檢測裝置200、處理單元164以及一故障檢測分類設備180的示意圖。如第6圖所示，半導體晶圓W包含有一電鍍區域WP與一邊緣斜面去除區域WE，邊緣斜面去除區域WE是半導體晶圓W的外緣附近的區域。於此實施例中，邊緣斜面去除區域WE是半導體晶圓W的鍍銅層中被移除後的區域，並且邊緣斜面去除區域WE是環繞於電鍍區域WP。再者，第一影像擷取單元206是擷取半導體晶圓W的一邊緣區域(一第一邊緣區域214)的影像，並且第二影像擷取單元208是擷取半導體晶圓W的另一邊緣區域(一第二邊緣區域216)的影像。

於此實施例中，第一邊緣區域214或第二邊緣區域216是包含電鍍區域WP與邊緣斜面去除區域WE的至少一部份。再者，如第6圖所示，第一邊緣區域214和第二邊緣區域216是可包含半導體晶圓W上的兩個不同的區域。於此實施例中，第一邊緣區域214與第二邊緣區域216是對稱地位於半導體晶圓W上。舉例來說，第一邊緣區域214是位於半導體晶圓W的最左邊的區域，且第二邊緣區域216是位於半導體晶圓W的最右 邊的區域。但不限於此實施例。舉例來說，第一邊緣區域214與第二邊緣區域216可以是半導體晶圓W上的其他區域，並且只要是可以包含部分的電鍍區域WP與部分的邊緣斜面去除區域WE的區域皆符合本揭露之範疇。

另外，值得注意的是，第一影像擷取單元206與半導體晶圓W的一表面WS之間具有一夾角AS。也就是說，軸向A1與表面WS之間具有夾角AS。相似地，第二影像擷取單元208與表面WS也可具有夾角AS。於此實施例中，夾角AS約為25~65度，但不限於此實施例。藉由第一影像擷取單元206與半導體晶圓W的表面WS之間形成夾角AS的配置，可使得第一邊緣區域214的邊緣影像中邊緣斜面去除區域WE與電鍍區域WP的灰階值具有明顯的差異。於某些實施例中，夾角AS約為40~50度，但不限於此。

如第6圖所示，半導體製造系統100除了處理單元164外也可包含一電腦250。處理單元164是可控制第一影像擷取單元206、第二影像擷取單元208、第一發光模組202與第二發光模組204的操作。於此實施例中，第一影像擷取單元206與第二影像擷取單元208所擷取到的第一邊緣區域214與第二邊緣區域216的影像可為彩色影像，而處理單元164可將第一影像擷取單元206與第二影像擷取單元208所擷取的邊緣影像灰階化後以產生灰階影像資料，接著再將灰階影像資料傳送給電腦250。值得注意的是，於其他實施例中，電腦250與處理單元164也可整合為一處理設備。

當電腦250接收到處理單元164所提供的灰階影像 資料後，電腦250便可根據灰階影像資料來分別計算第一邊緣區域214中與第二邊緣區域216中的邊緣斜面去除區域WE的寬度(計算的方式將於之後詳細描述)。另外，電腦250也可以包含監視器或螢幕，以即時地顯示關於第一邊緣區域214與第二邊緣區域216的邊緣影像以及邊緣斜面去除區域WE的相關資訊。接著，電腦250將獲得的寬度傳輸至故障檢測分類設備180，以判斷半導體晶圓上的邊緣斜面去除區域WE是否符合預期的寬度或是超出容許寬度。

故障檢測分類設備180可為一種電腦整合製造(CIM)系統，配置以檢測和分類所發現的錯誤。當故障檢測分類設備180發現邊緣斜面去除區域WE的寬度超出容許寬度時，故障檢測分類設備180將此情形分類為一錯誤，並且可發出通知訊息或警告訊息給製造人員。再者，故障檢測分類設備180可以記錄半導體製造設備140所處理的每個半導體晶圓的資訊，例如每一個半導體晶圓W的辨識資料(例如編號)以及其邊緣斜面去除區域WE的寬度。因此，在製程處理過程中或過程後，製造人員可以快速地得知哪些半導體晶圓的邊緣斜面去除區域WE不符合預期的寬度。另外，也可根據每個半導體的資訊來判斷半導體製造設備140是否需要維修。

請參考第7A圖與第7B圖，第7A圖為根據本發明一實施例之關於第一邊緣區域214的邊緣影像之示意圖，並且第7B圖為根據本發明一實施例之關於第二邊緣區域216的邊緣影像之示意圖。第一邊緣區域214的邊緣影像顯示了電鍍區域WP與邊緣斜面去除區域WE的一部份，而第二邊緣區域216的邊緣 影像顯示了電鍍區域WP與邊緣斜面去除區域WE的另一部份。值得注意的是，由於第6圖中第一影像擷取單元206與半導體晶圓W的表面WS之間形成有夾角AS，因此第一發光模組202所發出且經由邊緣斜面去除區域WE反射後的光線大部分不會被第一影像擷取單元206所接收。於是，如第7A圖與第7B圖中所示，相較於電鍍區域WP與邊緣斜面去除區域WE的外側部分(也就是半導體晶圓W的外側)，邊緣斜面去除區域WE的灰階值較小(例如較暗)。

接下來說明處理單元164獲得邊緣斜面去除區域WE寬度的方法。首先，以第二邊緣區域216之邊緣影像為例，在處理單元164獲得此邊緣影像後，處理單元164可於邊緣影像中定義一檢測窗口300，接著再於檢測窗口300中定義至少一條取樣直線，取樣直線是由邊緣斜面去除區域WE的外側開始延伸跨過邊緣斜面去除區域WE到電鍍區域WP的一條直線，並且取樣直線是實質地朝向半導體晶圓W的中心。於此實施例中，檢測窗口300中可定義有20條取樣直線，但不限於此，於其他實施例中，檢測窗口300也可定義有50條取樣直線，取樣直線的數目可根據實際需求而定。

如第7B圖所示，檢測窗口300中具有一取樣直線L1，並且沿著取樣直線L1上可定義有多個取樣點，配置以獲得每一個取樣點所對應的灰階值。於此實施例中，取樣點的數目為50，但可根據實際需求設定。再者，根據取樣直線L1上的多個取樣點可以獲得一灰階值曲線。請同時參考第7B圖與第8圖，第8圖為根據第7B圖之實施例中取樣直線L1的灰階值曲線 圖。如第8圖所示，當取樣直線L1由邊緣斜面去除區域WE的外側(也就是半導體晶圓W的外側，較白的區域)進入邊緣斜面去除區域WE(較黑的區域)時，灰階值曲線會從較大的灰階值(例如200)轉為較小的灰階值(例如50)。因此，根據灰階值曲線中由灰階值200轉為灰階值50的取樣點便可獲得第一邊界點P1。於此實施例中，第一邊界點P1是位於第7B圖中半導體晶圓W的一外緣WB1上。

相似地，當取樣直線L1繼續由邊緣斜面去除區域WE(較黑的區域)進入電鍍區域WP(較白的區域)時，灰階值曲線會從較小的灰階值(例如50)轉為較大的灰階值(例如200，但不限於此實施例，例如電鍍區域WP的灰階值也可為250，即大於邊緣斜面去除區域WE的灰階值，並且與半導體晶圓W的外側區域的灰階值不同)。因此，根據灰階值曲線中由灰階值50轉為灰階值200的取樣點便可獲得第二邊界點P2，並且第二邊界點P2是位於第7B圖中電鍍區域WP與邊緣斜面去除區域WE的一邊界WB2上。於是，由第一邊界點P1與第二邊界點P2之間的距離便可以獲得邊緣斜面去除區域WE的寬度。在某些實施例中，電鍍區域WP的灰階值也可為150，大於邊緣斜面去除區域WE的灰階值(例如50)，但小於半導體晶圓W的外側區域的灰階值(例如200)。

此外，為了獲得更精準的邊緣斜面去除區域WE的寬度，處理單元164可依序於檢測窗口300中的每一條取樣直線進行前述步驟而獲得多個寬度值，最後再將所有取樣直線所獲得的寬度值進行平均以獲得一平均寬度值，以作為邊緣斜面去 除區域WE的寬度。要注意的是，第7B圖的邊緣影像中的半導體晶圓W的尺寸與半導體晶圓W的真實尺寸可能有所不同，例如具有一比例(如1：1.5)。因此，為了獲得邊緣斜面去除區域WE的真實寬度，可將先前獲得的平均寬度值再乘上前述之比例(如乘以1.5)，如此便可獲得邊緣斜面去除區域WE的真實寬度。另外，在某些實施例中，也可透過計算第一邊界點P1與第二邊界點P2之間的像素點數目來獲得邊緣斜面去除區域WE的真實寬度。舉例來說，每一像素是對應於一真實寬度。因此，透過計算第一邊界點P1與第二邊界點P2之間的像素總數目，便可根據像素所對應的真實寬度獲得邊緣斜面去除區域WE的真實寬度。

另外，為了避免有誤判的情形產生，電腦250(亦或者是整合後之處理單元164)可進一步根據第一邊界點P1或第二邊界點P2之後的多個取樣點的灰階值來判斷。舉例來說，如第8圖所示，在第一邊界點P1之後的取樣寬度W1中取樣點的灰階值皆為200以下且大多為50，因此電腦250可以判斷第一邊界點P1為一有效的邊界點。於此實施例中，取樣寬度W1可包含5個取樣點，但不限於此。相似地，如第8圖所示，在第二邊界點P2之後的取樣寬度W2中取樣點的灰階值皆為200，因此電腦250(亦或者是整合後之處理單元164)可以判斷第二邊界點P2為一有效的邊界點。於此實施例中，取樣寬度W2為30個取樣點，但不限於此。反之，若在第二邊界點P2之後的多個取樣點的灰階值再次轉為遠低200，例如50，則電腦250可以判斷第二邊界點P2不是一個有效的邊界點。

再者，在某些實施例中，在第7B圖中沿著取樣直線L1依序取得每一個取樣點的灰階值的步驟中，也可以進一步獲取單一取樣點周圍的多個像素的灰階值，以作為取樣時的參考灰階值。舉例來說，可以根據取樣直線L1的第一個取樣點定義出一個3*3矩陣，並且此矩陣的中心點為第一取樣點。如此一來，便可由此矩陣獲取九個灰階值(包含第一個取樣點的灰階值以及周圍的八個像素的灰階值)，接著再配合前述的判斷條件(例如取樣寬度W1或W2)，由九個灰階值中挑選出最合適的一個灰階值。接著，再依序對取樣直線L1中的第二個至最後一個取樣點進行同樣的步驟，以建構第8圖中的灰階值曲線。藉由上述定義一矩陣以獲得取樣點與鄰近的像素的灰階值的方式，可以進一步避免邊緣影像中的雜訊干擾或光源不均而導致誤判的情形產生。要注意的是，定義的矩陣不限於3*3矩陣，也可以為其他大小的矩陣，例如4*4或5*5的矩陣。

接著，電腦250可將包含獲得的半導體晶圓W的邊緣斜面去除區域WE的寬度以及半導體晶圓W的辨識資料傳送至故障檢測分類設備180。故障檢測分類設備180可記錄每一片半導體晶圓W中的相關資訊，並且當某一半導體晶圓的邊緣斜面去除區域WE的寬度出現異常時，故障檢測分類設備180可發出提醒訊息或警告訊息，以通知製造人員。

請參考第9圖，第9圖為根據本發明一些實施例之檢測半導體晶圓W之邊緣斜面去除區域WE的方法900的流程圖。在操作S100中，藉由一機械手臂運送一半導體晶圓，例如藉由第一機械手臂144將半導體晶圓W由傳送腔室145運送至 退火腔室150。在操作S102中，調整影像擷取單元朝向半導體晶圓之表面之間的角度。舉例來說，如第6圖中所示，可調整沿著軸向A1設置的第一影像擷取單元206與半導體晶圓W的表面WS之間的夾角AS，使得在邊緣影像中的邊緣斜面去除區域WE相較於電鍍區域WP與半導體晶圓W的外側的灰階值相對較低。

在操作S104中，當機械手臂(如第一機械手臂144)承載半導體晶圓W且移動至預定位置時，發光模組(如第一發光模組202)發出一光束至半導體晶圓W，其中半導體晶圓W具有電鍍區域WP以及環繞電鍍區域WP之邊緣斜面去除區域WE。接著，在操作S106中，藉由影像擷取單元(如第一影像擷取單元206)擷取關於半導體晶圓W之電鍍區域WP與邊緣斜面去除區域WE的一邊緣影像。

接著，在操作S108中，於邊緣影像中定義一檢測窗口，例如第7B圖中電腦250可於邊緣影像中定義檢測窗口300。在操作S110中，於檢測窗口中定義至少一條取樣直線，例如第7B圖中於檢測窗口300中定義取樣直線L1。在操作S112中，沿著至少一條取樣直線獲得一灰階值曲線，例如由取樣直線L1獲得第8圖中的灰階值曲線。在操作S114中，根據灰階值曲線獲得電鍍區域WP與邊緣斜面去除區域WE之一邊界以及獲得半導體晶圓W之外緣。舉例來說，根據多條取樣直線獲得的多個第一邊界點獲得邊界WB1，並且根據多個第二邊界點獲得外緣WB2。在操作S116中，根據外緣WB1與邊界WB2獲得邊緣斜面去除區域WE之寬度。要注意的是，前述操作不限於此 實施例，操作的順序可以變化或修正，或加上額外的操作。舉例來說，操作S102可以於操作S100之前執行，或者是操作S102可於方法900中省略。

本發明實施例提供一種半導體製造系統100，具有一半導體製造設備140，配置以對一或多個半導體晶圓進行電鍍、酸蝕與退火等處理。於一實施例中，半導體製造設備140可包含一邊緣檢測裝置200，當一半導體晶圓經過邊緣斜面去除處理後，邊緣檢測裝置200可於機械手臂運送半導體晶圓的過程中檢測邊緣斜面去除區域WE的寬度，並且將寬度的資訊傳送至故障檢測分類設備180。故障檢測分類設備180便可判斷每一片晶圓邊緣斜面去除區域WE的寬度是否符合一預定寬度，並且於不符合預定寬度時發出通知訊息或警告訊息給製造人員。

再者，影像擷取單元與半導體晶圓W的表面WS之間的夾角AS可以被任意調整，使邊緣斜面去除區域WE反射的光線大部分不會被影像擷取單元所接收。因此邊緣影像中相較於半導體晶圓W的外側區域與電鍍區域WP而言，邊緣斜面去除區域WE的灰階值較低，進而可以提高檢測邊緣斜面去除區域WE的寬度的精確度。

另外，由於第一機械手臂144將半導體晶圓從傳送腔室145運送至退火腔室150的移動路徑是半導體製造系統100中的一預定路徑，並且影像擷取單元是在半導體晶圓W沿著預定路徑上到達預定位置時根據感測單元的觸發來擷取半導體晶圓W上的邊緣區域的邊緣影像。因此，邊緣檢測裝置200檢 測半導體晶圓的邊緣斜面去除區域的寬度的操作並不會影響半導體製造設備140中各元件的操作，也不會影響半導體製造系統100的產量。

本發明實施例提供一種半導體製造系統，包含一機械手臂、一發光模組、一影像擷取單元、一處理單元以及一故障分類檢測設備。機械手臂，配置以由一第一腔室運送一半導體晶圓至一第二腔室。發光模組是配置以發出一光束至半導體晶圓，其中半導體晶圓具有一電鍍區域以及環繞電鍍區域之一邊緣斜面去除區域。影像擷取單元是配置以於機械手臂運送半導體晶圓的過程中擷取關於半導體晶圓之電鍍區域與邊緣斜面去除區域的一邊緣影像。處理單元是配置以根據邊緣影像中由邊緣斜面去除區域之外側至電鍍區域的灰階值變化獲得邊緣斜面去除區域之寬度。故障檢測分類設備是配置以記錄關於半導體晶圓之一資訊，其中資訊包含邊緣斜面去除區域之寬度以及半導體晶圓之辨識資料。

根據一些實施例，半導體製造系統更包含一感測單元，配置以當機械手臂承載半導體晶圓至第一腔室與第二腔室之間的一預定位置時，感測單元感測到機械手臂而發送一感測訊號至處理單元，並且處理單元根據感測訊號控制影像擷取單元擷取邊緣影像。

根據一些實施例，感測單元包含一距離感測器，配置以感測機械手臂之高度。

本發明實施例另提供一種邊緣檢測裝置，包含一發光模組、一影像擷取單元以及一處理單元。發光模組是配置 以發出一光束至一半導體晶圓，其中半導體晶圓具有一電鍍區域以及環繞電鍍區域之一邊緣斜面去除區域。影像擷取單元是配置以擷取關於半導體晶圓之電鍍區域與邊緣斜面去除區域的一邊緣影像。處理單元是配置以根據邊緣影像中由邊緣斜面去除區域之外側至電鍍區域的灰階值變化獲得邊緣斜面去除區域之寬度。

根據一些實施例，發光模組包含一半反射鏡以及一發光源。發光源，配置以發出一入射光束至半反射鏡，半反射鏡將入射光束反射為光束，並且光束反射至半導體晶圓之一邊緣區域上，其中邊緣區域包含部分的電鍍區域與部分的邊緣斜面去除區域。

根據一些實施例，光束與影像擷取單元之一鏡頭位在一軸向上，並且影像擷取單元與半反射鏡沿著軸向排列。

根據一些實施例，軸向與半導體晶圓之一表面的夾角約為25~65度。

本發明實施例提供一種檢測半導體晶圓之邊緣斜面去除區域的方法，包含：藉由一機械手臂運送一半導體晶圓；當承載半導體晶圓且移動至一預定位置時，發出一光束至半導體晶圓，其中半導體晶圓具有一電鍍區域以及環繞電鍍區域之一邊緣斜面去除區域；擷取關於半導體晶圓之電鍍區域與邊緣斜面去除區域的一邊緣影像；以及根據邊緣影像中由邊緣斜面去除區域之外側至電鍍區域的灰階值變化獲得邊緣斜面去除區域之寬度。

根據一些實施例，獲得邊緣斜面去除區域之寬度 的步驟更包含：於邊緣影像中定義一檢測窗口；於檢測窗口中定義至少一條取樣直線；沿著至少一條取樣直線獲得一灰階值曲線；根據灰階值曲線獲得電鍍區域與邊緣斜面去除區域之一邊界以及獲得半導體晶圓之外緣；以及根據外緣與邊界獲得邊緣斜面去除區域之寬度。

根據一些實施例，檢測半導體晶圓之邊緣斜面去除區域的方法，更包含：調整一影像擷取單元朝向半導體晶圓之一表面的角度。

以上雖然詳細描述了實施例及它們的優勢，但應該理解，在不背離所附申請專利範圍限定的本揭露的精神和範圍的情況下，對本揭露可作出各種變化、替代和修改。此外，本申請的範圍不旨在限制於說明書中所述的製程、機器、製造、物質組成、工具、方法和步驟的特定實施例。作為本領域的普通技術人員將容易地從本揭露中理解，根據本揭露，可以利用現有的或今後將被開發的、執行與在本揭露所述的對應實施例基本相同的功能或實現基本相同的結果的製程、機器、製造、物質組成、工具、方法或步驟。因此，所附申請專利範圍旨在將這些製程、機器、製造、物質組成、工具、方法或步驟包括它們的範圍內。此外，每一個申請專利範圍構成一個單獨的實施例，且不同申請專利範圍和實施例的組合都在本揭露的範圍內。

100‧‧‧半導體製造系統

140‧‧‧半導體製造設備

140A‧‧‧前段設備

140B‧‧‧中段設備

140C‧‧‧後段設備

142‧‧‧輸入輸出埠

1421‧‧‧第一埠

1422‧‧‧第二埠

144‧‧‧第一機械手臂

145‧‧‧傳送腔室

146‧‧‧傳送站

148‧‧‧對位器

150‧‧‧退火腔室

151‧‧‧第二機械手臂

152‧‧‧第一電鍍腔室

153‧‧‧第二電鍍腔室

154‧‧‧第三電鍍腔室

155‧‧‧第一處理腔室

156‧‧‧第二處理腔室

157‧‧‧第三處理腔室

158‧‧‧劑量裝置

160‧‧‧鍍液裝置

162‧‧‧過濾泵浦裝置

164‧‧‧處理單元

180‧‧‧故障檢測分類設備

200‧‧‧邊緣檢測裝置

AL‧‧‧虛線

W‧‧‧半導體晶圓

Claims (9)

1. 一種半導體製造系統，包含：一機械手臂，配置以由一第一腔室運送一半導體晶圓至一第二腔室；一發光模組，配置以發出一光束至該半導體晶圓，其中該半導體晶圓具有一電鍍區域以及環繞該電鍍區域之一邊緣斜面去除區域；一影像擷取單元，配置以於該機械手臂運送該半導體晶圓的過程中擷取關於該半導體晶圓之該電鍍區域與該邊緣斜面去除區域的一邊緣影像；一處理單元，配置以根據該邊緣影像中由該邊緣斜面去除區域之外側至該電鍍區域的灰階值變化獲得該邊緣斜面去除區域之寬度；以及一故障檢測分類設備，配置以記錄關於該半導體晶圓之一資訊，其中該資訊包含該邊緣斜面去除區域之寬度以及該半導體晶圓之辨識資料；其中該處理單元配置以於該邊緣影像中定義一檢測窗口、於該檢測窗口中定義至少一條取樣直線、沿著該至少一條取樣直線獲得一灰階值曲線、根據該灰階值曲線獲得該電鍍區域與該邊緣斜面去除區域之一邊界以及獲得該半導體晶圓之外緣，並且根據該外緣與該邊界獲得該邊緣斜面去除區域之寬度。
2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體製造系統，其中該半導體製造系統更包含一感測單元，配置以當該機械手臂承載 該半導體晶圓至該第一腔室與該第二腔室之間的一預定位置時，該感測單元感測到該機械手臂而發送一感測訊號至該處理單元，並且該處理單元根據該感測訊號控制該影像擷取單元擷取該邊緣影像。
3. 如申請專利範圍第2項所述之半導體製造系統，其中該感測單元包含一距離感測器，配置以感測該機械手臂與該感測單元之間的距離。
4. 一種邊緣檢測裝置，包含：一發光模組，配置以發出一光束至一半導體晶圓，其中該半導體晶圓具有一電鍍區域以及環繞該電鍍區域之一邊緣斜面去除區域；一影像擷取單元，配置以擷取關於該半導體晶圓之該電鍍區域與該邊緣斜面去除區域的一邊緣影像；以及一處理單元，配置以根據該邊緣影像中由該邊緣斜面去除區域之外側至該電鍍區域的灰階值變化獲得該邊緣斜面去除區域之寬度，其中該處理單元配置以於該邊緣影像中定義一檢測窗口、於該檢測窗口中定義至少一條取樣直線、沿著該至少一條取樣直線獲得一灰階值曲線、根據該灰階值曲線獲得該電鍍區域與該邊緣斜面去除區域之一邊界以及獲得該半導體晶圓之外緣，並且根據該外緣與該邊界獲得該邊緣斜面去除區域之寬度。
5. 如申請專利範圍第4項所述之邊緣檢測裝置，其中該發光模組包含：一半反射鏡；以及 一發光源，配置以發出一入射光束至該半反射鏡，該半反射鏡將該入射光束反射為該光束，並且該光束反射至該半導體晶圓之一邊緣區域上，其中該邊緣區域包含部分的該電鍍區域與部分的該邊緣斜面去除區域。
6. 如申請專利範圍第5項所述之邊緣檢測裝置，其中該光束與該影像擷取單元之一鏡頭位在一軸向上，並且該影像擷取單元與該半反射鏡沿著該軸向排列。
7. 如申請專利範圍第6項所述之邊緣檢測裝置，其中該軸向與半導體晶圓之一表面的夾角約為25~65度。
8. 一種檢測半導體晶圓之邊緣斜面去除區域的方法，包含：藉由一機械手臂運送一半導體晶圓；當承載該半導體晶圓且移動至一預定位置時，發出一光束至該半導體晶圓，其中該半導體晶圓具有一電鍍區域以及環繞該電鍍區域之一邊緣斜面去除區域；擷取關於該半導體晶圓之該電鍍區域與該邊緣斜面去除區域的一邊緣影像；以及根據該邊緣影像中由該邊緣斜面去除區域之外側至該電鍍區域的灰階值變化，獲得該邊緣斜面去除區域之寬度；其中獲得該邊緣斜面去除區域之寬度的步驟更包含：於該邊緣影像中定義一檢測窗口；於該檢測窗口中定義至少一條取樣直線；沿著該至少一條取樣直線獲得一灰階值曲線；根據該灰階值曲線獲得該電鍍區域與該邊緣斜面去除區域之一邊界以及獲得該半導體晶圓之外緣；以及 根據該外緣與該邊界獲得該邊緣斜面去除區域之該寬度。
9. 如申請專利範圍第8項所述之檢測半導體晶圓之邊緣斜面去除區域的方法，更包含：調整一影像擷取單元朝向該半導體晶圓之一表面的角度。

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