TWI671877B - 半導體封裝結構 - Google Patents

Abstract

一種半導體封裝結構，其包括第一導體、第一接合層、第一導電片以及第二導電片。第一接合層設置於第一導體。第一導電片包括彼此相連的第一接合部與第一延伸部。第一接合部接合於第一接合層，其中第一導電片具有第一溝槽，且第一溝槽將第一接合部劃分為並列的二個第一接合分支。第二導電片包括彼此相連的第二接合部與第二延伸部。第二接合部接合於第一接合層，其中第二導電片具有第二溝槽，且第二溝槽將第二接合部劃分為並列的二個第二接合分支。第二延伸部並列於第一延伸部，其中第二接合部反向於第一接合部，且第二延伸部位於第一延伸部與第二接合部之間。

Description

半導體封裝結構

本發明是有關於一種半導體封裝結構。

常見的功率模組係由導電載體(例如線路板或導線架)承載功率晶片，而功率晶片可採用導線電性連接其他電子元件或導電載體的電性接點，或者是採用導電扣片電性連接其他電子元件或導電載體的電性接點。就採用導線電性連接功率晶片與其他電子元件或導電載體的電性接點的實施方式而言，若為滿足大電流量的操作需求，則導線的數量需相對應地增加以分攤電流，避免導線過熱而燒斷。進一步來說，此作法較難提高製程效率，且散熱效果也不佳。

就採用導電扣片電性連接功率晶片與其他電子元件或導電載體的電性接點的實施方式而言，導電扣片不僅可用以供大電流量通過，同時具有較佳的散熱效果。然而，導電扣片大多透過焊料層接合於功率晶片，且導電載體、功率晶片、焊料層以及導電扣片之間的熱膨脹係數存在著明顯差異，因此，在功率模組運作的過程中，基於電流的週期性變化或電流量的變化，受到冷熱交替作用的焊料層據此而產生周期性熱應力(cyclic thermal stress)，並相應產生週期性熱應變(cyclic thermal strain)。此熱應力與熱應變的交替變化下，焊料層會產生疲勞(fatigue)，因而產生塑性變形導致脫層。進一步來說，現有的導電扣片的設計較難顯著改善功率模組的可靠度與使用壽命。

本發明提供一種半導體封裝結構，具有良好的可靠度與較長的使用壽命。

本發明一實施例的半導體封裝結構，其包括第一導體、第一接合層、第一導電片以及第二導電片。第一接合層設置於第一導體。第一導電片包括彼此相連的第一接合部與第一延伸部。第一接合部接合於第一接合層，其中第一導電片具有第一溝槽，且第一溝槽將第一接合部劃分為並列的二個第一接合分支。第二導電片包括彼此相連的第二接合部與第二延伸部。第二接合部接合於第一接合層，其中第二導電片具有第二溝槽，且第二溝槽將第二接合部劃分為並列的二個第二接合分支。第二延伸部並列於第一延伸部，其中第二接合部反向於第一接合部，且第二延伸部位於第一延伸部與第二接合部之間。

本發明另一實施例的半導體封裝結構，其包括第一導體、第一接合層以及導電片。第一接合層設置於第一導體。導電片包括彼此相連的第一接合部與延伸部，且第一接合部接合於接合層，其中導電片具有溝槽，且溝槽將第一接合部劃分為並列的二個接合分支。

基於上述，在本發明的半導體封裝結構中，包括至少一導電片，導電片包括彼此相連的第一接合部與延伸部並具有溝槽，第一接合部接合於接合層，且溝槽將第一接合部劃分為並列的二個接合分支。據此，半導體封裝結構能獲致電流分攤的效果，並確保通過二接合分支的電流密度小於一個定值，避免產生過大的電遷移效應。此外，接合部與接合層相接合的位置的分布更為平均，可獲致分散作用於第一接合層的熱應力的效果，並使接合層的熱應變的分布更為均勻，同時降低接合層的熱應變量，有助於改善半導體封裝結構的可靠度與使用壽命。

為讓本發明的上述特徵能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1是本發明第一實施例的半導體封裝結構的示意圖。請參考圖1，在本實施例中，半導體封裝結構100可以是功率模組，能被應用於馬達驅動器、變頻器、轉換器或電源供應器等器件，且涉及再生能源發電、非再生能源發電、溫控設備或電動車等領域，舉例來說，功率模組可以是高功率模組、中功率模組或低功率模組，但本發明對於半導體封裝結構的類型與用途不加以限制。

具體而言，半導體封裝結構100包括第一導體110、第一接合層120、第一導電片130以及第二導電片140，其中第一導體110可包括導電載體111(例如電路板或導線架)的一部分與設置於導電載體111上的晶片112，以功率模組為例，晶片112可以是功率晶片，但本發明對於晶片的類型不加以限制。另一方面，第一接合層120設置於第一導體110上，進一步來說，第一接合層120設置於晶片112上，且第一導電片130與第二導電片140接合於第一接合層120，以透過第一接合層120電性連接晶片112。舉例來說，第一接合層120的材質可採用錫、鉛、銀、鋁、銅、金或上述材料的組合，或者是其他具有良好導電性的金屬或合金。

在本實施例中，第一導電片130罩覆於第二導電片140的上方，且兩者的幾何輪廓相似，不同處在於，第一導電片130用以接合第一接合層120的部位反向於第二導電片140用以接合第一接合層120的部位。進一步來說，第一導電片130包括彼此相連的第一接合部131與第一延伸部132，且第一接合部131接合於第一接合層120。此外，第一導電片130具有第一溝槽133，其中第一溝槽133將第一接合部131劃分為並列的二個第一接合分支131a，且所述二個第一接合分支131a的尺寸相同或相近。相應地，第二導電片140包括彼此相連的第二接合部141與第二延伸部142，且第二接合部141接合於第一接合層120。此外，第二導電片140具有第二溝槽143，其中第二溝槽143將第二接合部141劃分為並列的二個第二接合分支141a，且所述二個第二接合分支141a的尺寸相同或相近。

如圖1所示，第一導電片130的第一延伸部132與第二導電片140的第二延伸部142並列設置，或稱第一導電片130的第一延伸部132罩覆於第二導電片140的第二延伸部142的上方。舉例來說，第一延伸部132與第二延伸部142相抵靠但並未加以固定，或者是彼此分離而於兩者之間保有間隙，以預留熱膨脹變形的裕度，避免第一導電片130與第二導電片140在熱膨脹變形的過程中相互推擠。另一方面，第一導電片130的第一接合部131反向於第二導電片140的第二接合部141，就各部位的相對位置而言，第二延伸部142位於第二接合部141的上方，且第二延伸部142位於第一延伸部132與第二接合部141之間。

進一步來說，第一導電片130還包括第一連接部134，用以連接第一接合部131與第一延伸部132，其中第一接合部131與第一連接部134相連處具有轉折，且第一連接部134與第一延伸部132相連處具有轉折。舉例來說，第一接合部131與第一延伸部132互為平行，而第一連接部134垂直於第一接合部131與第一延伸部132。相應地，第二導電片140還包括第二連接部144，用以連接第二接合部141與第二延伸部142，其中第二接合部141與第二連接部144相連處具有轉折，且第二連接部144與第二延伸部142相連處具有轉折。舉例來說，第二接合部141與第二延伸部142互為平行，而第二連接部144垂直於第二接合部141與第二延伸部142。此外，第一延伸部132平行於第二延伸部142，且兩者概呈平板狀。在其他實施例中，各導電片的延伸部可呈圓弧狀或其他適當的幾何外型。

另一方面，第二導電片140的第二連接部144對應於第一導電片130的第一連接部134，其中第一連接部134與第二連接部144可互為平行，且兩者之間保有間隙。基於第一導電片130的第一接合部131反向於第二導電片140的第二接合部141的配置，第一連接部134與第二連接部144並列設置於第一接合部131與第二接合部141之間。

在本實施例中，第一導電片130還具有側邊135與二個側邊136，其中各側邊136相交於側邊135，且例如是互為垂直。其中，第一溝槽133自側邊135沿著平行於任一個側邊136的方向朝向第一連接部134或第一延伸部132延伸。相應地，第二導電片140還具有側邊145與二個側邊146，其中各側邊146相交於側邊145，且例如是互為垂直。其中，第二溝槽143自側邊145沿著平行於任一個側邊146的方向朝向第二連接部144或第二延伸部142延伸。

進一步來說，第一導電片130的側邊135可以是平行於第二導電片140的側邊145，且晶片112具有垂直於側邊135的中心線112a與平行於側邊135的中心線112b。第一溝槽133與第二溝槽143可以是相對準，且重疊於中心線112a，也就是說，所述二個第一接合分支131a分別位於中心線112a的相對兩側，且所述二個第二接合分支141a分別位於中心線112a的相對兩側。另一方面，互為反向的第一接合部131與第二接合部141分別位於中心線112b的相對兩側。基於上述配置方式，得以讓第一接合部131與第一接合層120相接合的位置以及第二接合部141與第一接合層120相接合的位置的分布更為平均，以獲致分散作用於第一接合層120的熱應力的效果，並使第一接合層120的熱應變的分布更為均勻，同時，降低第一接合層120的熱應變量。

承接上述，首先，因第一導電片130實質上透過所述二個第一接合分支131a電性連接晶片112，且第二導電片140實質上透過所述二個第二接合分支141a電性連接晶片112，如此能獲致電流分攤的效果，並確保通過各接合分支的電流密度小於一個定值，避免產生過大的電遷移效應。其次，在半導體封裝結構100運行的過程中，電流通過第一接合層120與第一接合部131，也通過第一接合層120與第二接合部141，此時伴隨著熱的產生，而各接合分支可將熱分散，避免熱應力與熱應變交替作用並集中於第一接合層120的特定區塊而使第一接合層120產生疲勞，因而產生塑性變形導致脫層。也因此，各導電片與第一接合層120之間的接合強度得以被提高，相應地，半導體封裝結構100可具有良好的可靠度，且延長其使用壽命。

請繼續參考圖1，在本實施例中，第一溝槽133的寬度W1與第一導電片130的側邊135的長度L1的比值介於0.01至0.1之間。相應地，第二溝槽143的寬度W2與第二導電片140的側邊145的長度L2的比值介於0.01至0.1之間。實務上，第一溝槽133的寬度大致上等於第一導電片130的厚度，且第二溝槽143的寬度W2大致上等於第二導電片140的厚度。

另一方面，第一溝槽133進一步延伸通過第一連接部134，並延伸至第一延伸部132。據此，第一連接部134被第一溝槽133劃分為並列的二個第一連接分支134a，而第一延伸部132靠近第一連接部134的區塊被第一溝槽133分隔開來。相應地，第二溝槽143進一步延伸通過第二連接部144，並延伸至第二延伸部142。據此，第二連接部144被第二溝槽143劃分為並列的二個第二連接分支144a，而第二延伸部142靠近第二連接部144的區塊被第二溝槽143分隔開來。隨著各導電片的溝槽的長度的加長，熱應力越分散。

舉例來說，第二溝槽143位於第二延伸部142上的區段的長度可大於第一溝槽133位於第一延伸部132上的區段的長度，但本發明不限於此。在其他實施例中，導電片的溝槽可自接合部朝向連接部延伸，並止於接合部與連接部之間的轉角。又或者是，導電片的溝槽可自接合部延伸至連接部，並止於連接部而未延伸至延伸部。也就是說，導電片的溝槽的延伸長度可視實際需求而調整，本發明對此不多作限制。

在本實施例中，第一導電片130還包括第三接合部137，且第一接合部131與第三接合部137分別位於第一延伸部132的相對兩側。第三接合部137例如是平行於第一延伸部132，且兩者可透過相似於第一連接部134的結構相連接，但此結構未被溝槽一分為二。相應地，第二導電片140還包括第四接合部147，且第二接合部141與第四接合部147分別位於第二延伸部142的相對兩側。第四接合部147例如是平行於第二延伸部142，且兩者可透過相似於第二連接部144的結構相連接，但此結構未被溝槽一分為二。另一方面，第三接合部137反向於第四接合部147，就各部位的相對位置而言，第二延伸部142位於第四接合部147的上方，且第二延伸部142位於第一延伸部132與第四接合部147之間。

半導體封裝結構100還包括相對於第一導體110的第二導體113與設置於第二導體113的第二接合層150。第二導體113可以是導電載體111(例如電路板或導線架)的另一部分，且第三接合部137與第四接合部147接合於第二接合層150，據而讓晶片112透過第一導電片130與第二導電片140電性連接第二導體113。

以下將列舉其他實施例進行說明，特別說明的是，相同或相似的元件沿用相同或相似的元件符號，且相同或相似的結構配置、設計原理或技術效果不再贅述，可參照上述實施例的說明。以下主要就各實施例之間的差異進行說明。

圖2是本發明第二實施例的半導體封裝結構的示意圖。請參考圖2，本實施例的半導體封裝結構100A與第一實施例的半導體封裝結構100的差異在於：導電片的結構型態與配置方式。在本實施例中，第一導電片130a的結構型態與第二導電片140a的結構型態相同，且對稱設置於晶片112的中心線112a的相對兩側。第一導電片130a的第一延伸部132與第二導電片140a的第二延伸部142分別位於中心線112a的相對兩側，且互為平行。第一導電片130a的第一連接部134與第二導電片140a的第二連接部144分別位於中心線112a的相對兩側，且互為平行。第一導電片130a的第一接合部131與第二導電片140a的第二接合部141分別位於中心線112a的相對兩側，且第一導電片130a的第一接合部131反向於第二導電片140a的第二接合部141。

另一方面，第一導電片130a的第一延伸部132與第一連接部134的板面垂直於第一接合部131的板面，而第二導電片140a的第二延伸部142與的第二連接部144的板面垂直於第二接合部141的板面。在本實施例中，各導電片未設有溝槽，但本發明不限於此。在其他實施例中，可視實際需求而在各導電片的接合部開設溝槽，且各溝槽的延伸長度可視實際需求而調整，舉例來說，溝槽可進一步延伸至連接部，或延伸通過連接部而延伸至延伸部。

圖3是本發明第三實施例的半導體封裝結構的示意圖。請參考圖3，本實施例的半導體封裝結構100B與第一實施例的半導體封裝結構100的差異在於：本實施例的導電片的數量為一個，且相當於第一實施例的第一導電片130與第二導電片140製作為一體成型。在本實施例中，導電片130b包括接合部1310、連接部1340以及延伸部1320，其中接合部1310透過連接部1340連接延伸部1320，且接合部1310包括二個接合半部1311。所述二個接合半部1311分別設置於連接部1340的相對兩側，且其中一個接合半部1311位於第一接合層120與延伸部1320之間。也就是說，所述二個接合半部1311互為反向。

溝槽1330沿著晶片112的中心線112a貫通所述二個接合半部1311，並自接合部1310延伸通過連接部1340，最後延伸至延伸部1320。在其他實施例中，導電片的溝槽可自接合部朝向連接部延伸，並止於接合部與連接部之間的轉角。又或者是，溝槽可自接合部延伸至連接部，並止於連接部而未延伸至延伸部。也就是說，導電片的溝槽的延伸長度可視實際需求而調整，本發明對此不多作限制。

在本實施例中，導電片130b透過接合部1370接合於第二導體113上的第二接合層150，其中接合部1310與接合部1370分別位於延伸部1320的相對兩側，且接合部1370可透過相似於連接部1340的結構連接延伸部1320。另一方面，接合部1370的結構型態與接合部1310相同或相似，其包括二個接合半部1371。所述二個接合半部1311的其一朝向連接部1340延伸，而所述二個接合半部1311的另一背向連接部1340延伸，但接合部1370未被溝槽一分為二。

圖4是本發明第四實施例的半導體封裝結構的示意圖。請參考圖4，本實施例的半導體封裝結構100C與第一實施例的半導體封裝結構100的差異在於：本實施例的導電片的數量為一個，其結構型態與第一實施例的第一導電片130的結構型態相似。特別說明的是，在其他實施例中，導電片的溝槽可自接合部朝向連接部延伸，並止於接合部與連接部之間的轉角。又或者是，溝槽可自接合部延伸至連接部，並止於連接部而未延伸至延伸部。也就是說，導電片的溝槽的延伸長度可視實際需求而調整，本發明對此不多作限制。

圖5是本發明第五實施例的半導體封裝結構的示意圖。請參考圖5，本實施例的半導體封裝結構100D與第四實施例的半導體封裝結構100C的差異在於：本實施例的導電片130d的第一延伸部132概呈圓弧狀，且圓弧的凹面朝向第一導體111。另一方面，第一溝槽133自第一接合部131朝向第一連接部134延伸，並止於第一接合部131與第一連接部134之間的轉角。在其他實施例中，導電片的溝槽可自接合部延伸至連接部，並止於連接部而未延伸至延伸部。又或者是，溝槽可進一步延伸通過連接部，並延伸至延伸部。也就是說，導電片的溝槽的延伸長度可視實際需求而調整，本發明對此不多作限制。

圖6是本發明第六實施例的半導體封裝結構的示意圖。請參考圖6，本實施例的半導體封裝結構100E與第四實施例的半導體封裝結構100C的差異在於：導電片130e還具有位於第一接合部131的側溝槽138與內溝槽139，其中側溝槽138可為兩個，且分別位於第一溝槽133的相對兩側。各側溝槽138自對應的側邊136沿著平行於側邊135的方向朝向第一溝槽133延伸，但未與第一溝槽133相連通。在其他實施例中，側溝槽的可設於第一溝槽的單一側，且數量可視實際需求增加或減少。又或者是，維持在第一溝槽的相對兩側設置側溝槽的實施態樣，並增加位於第一溝槽的任一側的側溝槽的數量。其中，分設於第一溝槽的相對兩側的所述多個側溝槽的排列方式可為對稱排列或錯位排列。

在本實施例中，內溝槽139連通第一溝槽133，並自第一溝槽133沿著平行於側邊135的方向朝向側邊136延伸，但未貫通側邊136。進一步來說，內溝槽139的相對兩端分別朝向所述二個側邊136延伸。在其他實施例中，內溝槽的數量可視實際需求而增加，並且內溝槽可僅朝向單一側邊延伸。特別說明的是，本發明對於側溝槽與內溝槽的相對位置不加以限制。

圖7是本發明第七實施例的半導體封裝結構的示意圖。請參考圖7，本實施例的半導體封裝結構100F與第四實施例的半導體封裝結構100C的差異在於：本實施例的導電片130f未設有溝槽，且設置導熱層160於導電片130f的第一接合部131上。進一步來說，導熱層160與第一接合層120分別位於第一接合部131的相對兩側，其中導熱層160可以是鎳鐵合金層，或者是由其他熱膨脹係數低的導熱材質所構成。基於導熱層160的熱膨脹係數較導電片130f與第一接合層120的熱膨脹係數為低的設計，第一接合層120受熱所產生的熱應變量得以被降低。舉例來說，導熱層160實質上佔滿第一接合部131背向於第一接合部131的表面，藉以讓第一接合層120受熱所產生的熱應變量明顯下降。

圖8A是本發明第八實施例的半導體封裝結構的示意圖。圖8B與圖8C分別是圖8A的半導體封裝結構於兩不同視角的側視示意圖。請參考圖8A，本實施例的半導體封裝結構100G與第四實施例的半導體封裝結構100C的差異在於：本實施例的導電片130g的第一溝槽133自第一接合部131朝向第一連接部134延伸，並止於第一接合部131與第一連接部134之間的轉角。在其他實施例中，導電片的溝槽可自接合部延伸至連接部，並止於連接部而未延伸至延伸部。又或者是，溝槽可進一步延伸通過連接部，並延伸至延伸部。也就是說，導電片的溝槽的延伸長度可視實際需求而調整，本發明對此不多作限制。

在本實施例中，第一接合分支131a中遠離第一連接部134的端部131b概呈弧形或半圓形，而此圓弧設計有助於降低第一接合層120的熱應變量，如圖8A所示。請參考圖8B與圖8C，第一接合分支131a的周緣可為倒角斜面131c，其中倒角斜面131c內嵌於第一接合層120，藉以提高第一接合分支131a與第一接合層120的接合強度。在其他實施例中，第一接合分支中遠離第一連接部的端部的幾何形狀可為矩形或其他多邊形，且第一接合分支的周緣可為倒角斜面。

綜上所述，本發明實施例之半導體封裝結構透過導電片電性連接導體，進一步來說，導電片的接合部接合於導體上的接合層，在一實施例中，導電片設有溝槽，其中溝槽至少用以將接合部劃分為兩接合分支，且能依實際需求使溝槽延伸至連接部，或使溝槽延伸通過連接部並延伸至延伸部，此時的連接部被溝槽劃分為兩連接分支。此設計能獲致電流分攤的效果，並確保通過各接合分支或各接合分支與對應的連接分支的電流密度小於一個定值，避免產生過大的電遷移效應。

其次，在半導體封裝結構運行的過程中，電流通過接合層與接合部，此時伴隨著熱的產生，而各接合分支可將熱分散，避免熱應力與熱應變交替作用並集中於接合層的特定區塊而使接合層產生塑性變形導致脫層。進一步來說，導電片的接合分支的設計能夠獲致分散作用於接合層的熱應力的效果，並使接合層的熱應變的分布更為均勻，同時，降低接合層的熱應變量。也因此，導電片與接合層之間的接合強度得以被維持，相應地，半導體封裝結構可具有良好的可靠度，且延長其使用壽命。

在其他實施例中，導電片可選擇不設置溝槽，但採取提高導電片的數量的方式，以獲致相同或相似於上述實施例的技術效果。又或者是，在導電片與接合層相接合的背側設置熱膨脹係數低的導熱層，以獲致相同或相似於上述實施例的技術效果。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100、100A~100G‧‧‧半導體封裝結構

110‧‧‧第一導體

111‧‧‧導電載體

112‧‧‧晶片

113‧‧‧第二導體

112a、112b‧‧‧中心線

120‧‧‧第一接合層

130、130a‧‧‧第一導電片

130b~130g‧‧‧導電片

131‧‧‧第一接合部

1310、1370‧‧‧接合部

1311、1371‧‧‧接合半部

131a‧‧‧第一接合分支

131b‧‧‧端部

131c‧‧‧倒角斜面

132‧‧‧第一延伸部

1320‧‧‧延伸部

133‧‧‧第一溝槽

1330‧‧‧溝槽

134‧‧‧第一連接部

1340‧‧‧連接部

134a‧‧‧第一連接分支

135、136、145、146‧‧‧側邊

137‧‧‧第三接合部

138‧‧‧側溝槽

139‧‧‧內溝槽

140、140a‧‧‧第二導電片

141‧‧‧第二接合部

141a‧‧‧第二接合分支

142‧‧‧第二延伸部

143‧‧‧第二溝槽

144‧‧‧第二連接部

144a‧‧‧第二連接分支

147‧‧‧第四接合部

150‧‧‧第二接合層

160‧‧‧導熱層

L1、L2‧‧‧長度

W1、W2‧‧‧寬度

圖1是本發明第一實施例的半導體封裝結構的示意圖。
圖2是本發明第二實施例的半導體封裝結構的示意圖。
圖3是本發明第三實施例的半導體封裝結構的示意圖。
圖4是本發明第四實施例的半導體封裝結構的示意圖。
圖5是本發明第五實施例的半導體封裝結構的示意圖。
圖6是本發明第六實施例的半導體封裝結構的示意圖。
圖7是本發明第七實施例的半導體封裝結構的示意圖。
圖8A是本發明第八實施例的半導體封裝結構的示意圖。
圖8B與圖8C分別是圖8A的半導體封裝結構於兩不同視角的側視示意圖。

Claims (20)

1. 一種半導體封裝結構，包括：
   第一導體；
   第一接合層，設置於所述第一導體；
   第一導電片，包括彼此相連的第一接合部與第一延伸部，所述第一接合部接合於所述第一接合層，其中所述第一導電片具有第一溝槽，且所述第一溝槽將所述第一接合部劃分為並列的二第一接合分支；以及
   第二導電片，包括彼此相連的第二接合部與第二延伸部，所述第二接合部接合於所述第一接合層，其中所述第二導電片具有第二溝槽，且所述第二溝槽將所述第二接合部劃分為並列的二第二接合分支，所述第二延伸部並列於所述第一延伸部，其中所述第二接合部反向於所述第一接合部，且所述第二延伸部位於所述第一延伸部與所述第二接合部之間。
2. 如申請專利範圍第1項所述的半導體封裝結構，其中所述第一導電片還包括第一連接部，用以連接第一接合部與第一延伸部，且所述第一溝槽自所述第一接合部朝向所述第一連接部延伸，所述第二導電片還包括第二連接部，用以連接第二接合部與第二延伸部，且所述第二溝槽自所述第二接合部部朝向所述第二連接部延伸。
3. 如申請專利範圍第2項所述的半導體封裝結構，其中所述第一連接部與所述第二連接部並列設置於所述第一接合部與所述第二接合部之間。
4. 如申請專利範圍第2項所述的半導體封裝結構，其中所述第一溝槽進一步延伸至所述第一連接部，且所述第一連接部被所述第一溝槽劃分為並列的二第一連接分支。
5. 如申請專利範圍第4項所述的半導體封裝結構，其中所述第一溝槽進一步延伸至所述第一延伸部。
6. 如申請專利範圍第2項所述的半導體封裝結構，其中所述第二溝槽進一步延伸至所述第二連接部，且所述第二連接部被所述第二溝槽劃分為並列的二第二連接分支。
7. 如申請專利範圍第6項所述的半導體封裝結構，其中所述第二溝槽進一步延伸至所述第二延伸部。
8. 如申請專利範圍第1項所述的半導體封裝結構，其中所述第一導電片還包括第三接合部，且所述第一接合部與所述第三接合部分別位於所述第一延伸部的相對兩側，所述第二導電片還包括第四接合部，且所述第二接合部與所述第四接合部分別位於所述第二延伸部的相對兩側，所述第三接合部反向於所述第四接合部，其中所述半導體封裝結構還包括相對於所述第一導體的第二導體與設置於所述第二導體的第二接合層，且所述第三接合部與所述第四接合部接合於所述第二接合層。
9. 如申請專利範圍第1項所述的半導體封裝結構，其中所述第一溝槽對準所述第二溝槽。
10. 如申請專利範圍第1項所述的半導體封裝結構，其中所述第一導電片還具有第一側邊與相交於第一側邊的第二側邊，且所述第一溝槽自所述第一側邊朝向所述第一延伸部延伸，且所述第一溝槽的延伸方向平行於所述第二側邊。
11. 如申請專利範圍第1項所述的半導體封裝結構，其中所述第二導電片還具有第一側邊與相交於第一側邊的第二側邊，且所述第二溝槽自所述第一側邊朝向所述第二延伸部延伸，且所述第二溝槽的延伸方向平行於所述第二側邊。
12. 一種半導體封裝結構，包括：
    第一導體；
    第一接合層，設置於所述第一導體；以及
    導電片，包括彼此相連的第一接合部與延伸部，且所述第一接合部接合於所述第一接合層，其中所述導電片具有溝槽，且所述溝槽將所述第一接合部劃分為並列的二接合分支。
13. 如申請專利範圍第12項所述的半導體封裝結構，所述導電片還包括連接部，用以連接第一接合部與延伸部，且所述溝槽自所述接合部朝向所述連接部延伸。
14. 如申請專利範圍第13項所述的半導體封裝結構，其中所述溝槽進一步延伸至所述連接部，且所述連接部被第一溝槽劃分為並列的二連接分支。
15. 如申請專利範圍第14項所述的半導體封裝結構，其中所述溝槽進一步延伸至所述延伸部。
16. 如申請專利範圍第13項所述的半導體封裝結構，其中所述導電片還包括第二接合部，且所述第一接合部與所述第二接合部分別位於所述延伸部的相對兩側，所述半導體封裝結構還包括相對於所述第一導體的第二導體與設置於所述第二導體的第二接合層，且所述第二接合部接合於所述第二接合層。
17. 如申請專利範圍第13項所述的半導體封裝結構，其中所述第一接合部包括二接合半部，分別設置於所述連接部的相對兩側，且所述二接合半部的其一位於所述第一接合層與延伸部之間。
18. 如申請專利範圍第12項所述的半導體封裝結構，其中所述導電片還具有第一側邊與相交於第一側邊的第二側邊，且所述溝槽自所述側邊朝向所述延伸部延伸，且所述溝槽的延伸方向平行於所述第二側邊。
19. 如申請專利範圍第18項所述的半導體封裝結構，其中所述導電片還具有位於所述第一接合部的側溝槽，自所述第二側邊朝向溝槽延伸，且所述側溝槽的延伸方向平行於所述第一側邊。
20. 如申請專利範圍第18項所述的半導體封裝結構，其中所述導電片還具有位於所述第一接合部的內溝槽，連通所述溝槽，並自所述溝槽朝向所述第二側邊延伸，且所述內溝槽的延伸方向平行於所述第一側邊。