TWI671531B - 浮接式電容檢測設備及其檢測方法 - Google Patents

浮接式電容檢測設備及其檢測方法 Download PDF

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Abstract

本發明係有關於一種浮接式電容檢測設備及其檢測方法,其主要包括管理單元、測試控制器、第二量測模組、端子模組及切換模組。測試控制器控制端子模組之第一端子與第二端子同時趨近並電性接觸受測電容;測試控制器根據一預設檢測程式控制切換模組,以切換第一端子及第二端子電性耦接至測試控制器之第一量測模組或第二量測模組,進而檢測受測電容之第一特性參數或第二特性參數;測試控制器控制端子模組之第一端子與第二端子同時遠離受測電容。據此,本發明直接以空氣作為絕緣來進行高電壓測試,且可全面性地檢測受測電容之品質特性。

Description

浮接式電容檢測設備及其檢測方法
本發明係關於一種浮接式電容檢測設備及其檢測方法,尤指一種適用於對電容器施予高電壓測試之浮接式電容檢測設備及其檢測方法。
隨著電子裝置的技術不斷推陳出新,且尺寸不斷地愈趨輕薄短小,其中積層電容器的應用及需求亦不斷地攀升。
然而,目前一般習知檢測設備於進行高壓測試時大多係採轉盤式檢測,其不僅受限於1000伏特以下之工作電壓測試,且經一段時間測試後,受測積層電容器難免會殘留金屬餘屑於轉盤凹槽內,而當累積至一定的量時,有可能形成短路,而極可能影響檢測之準確度,甚至造成受測電容及檢測設備之損毀。此外,一般習知檢測設備無法即時切換檢測電容之各項參數,亦即無法以全面性地檢測積層電容器之各項特性參數。
因此,發明人發展出一種浮接式電容檢測設備及其檢測方法,能夠以浮接懸空的檢測機制來對積層電容器進行檢測,並提供檢測工作條件的切換機制,以有效地檢測積層電容器之各項特性參數。
本發明之主要目的係在提供一種浮接式電容檢測設備,俾能將受測電容予以懸空浮接的方式,即直接以空氣作為絕緣來進行高電壓測試,且提供可切換檢測工作條件之模組架構,以全面性且有效地檢測受測電容之品質特性。
為達成上述目的,本發明揭示一種浮接式電容檢測設備,用以檢測至少一受測電容,其中該設備包括一管理單元、一測試控制器、一第二量測模組、一端子模組及一切換模組,且測試控制器包括一處理單元及一第一量測模組。管理單元係用以儲存一預設檢測程式及至少一檢測參數值。測試控制器係電性連接管理單元並取得預設檢測程式及至少一檢測參數值,第一量測模組係用以量測至少一受測電容之第一特性參數。第二量測模組係電性連接至處理單元,並且用以量測至少一受測電容之第二特性參數。切換模組係電性連接測試控制器及第二量測模組。端子模組係電性連接切換模組,且端子模組包括一驅動部、一第一端子及一第二端子。其中,處理單元控制端子模組之驅動部以驅使第一端子與第二端子同時趨近並電性接觸至少一受測電容;處理單元係根據預設檢測程式控制切換模組,以切換第一端子及第二端子電性耦接至第一量測模組及第二量測模組中至少一者,進而檢測至少一受測電容之第一特性參數或第二特性參數中至少一者;處理單元控制端子模組之驅動部以驅使第一端子與第二端子同時遠離至少一受測電容並脫離電性接觸。
本發明之另一目的係在提供一種浮接式電容檢測方法,俾能將受測電容採懸空浮接的方式,即直接以空氣作為絕緣來進行高電壓測試步驟,且提供可切換檢測工作條件之測試模式,以全面性且有效地檢測受測電容之品質特性。
為達成上述目的,本發明一種浮接式電容檢測方法,其主要適用於一電容檢測設備,設備包括一管理單元、一測試控制器、一第二量測模組、一端子模組及一切換模組,測試控制器包括一第一量測模組,端子模組包括複數端子;方法包括以下步驟:(A)藉由管理單元編寫一預設檢測程式;(B)測試控制器自管理單元取得預設檢測程式;(C)測試控制器控制端子模組之複數端子同時趨近並電性接觸一受測電容;(D)測試控制器根據預設檢測程式控制切換模組,以切換複數端子電性耦接至測試控制器之第一量測模組及第二量測模組中至少一者,進而檢測受測電容之一第一特性參數及一第二特性參數中至少一者;以及(E)測試控制器控制端子模組之複數端子同時遠離受測電容並脫離電性接觸。
100‧‧‧浮接式電容檢測設備
1‧‧‧管理單元
2‧‧‧測試控制器
20‧‧‧處理單元
21‧‧‧第一量測模組
22‧‧‧第二量測模組
3‧‧‧端子模組
30‧‧‧驅動部
31‧‧‧第一端子
32‧‧‧第二端子
33‧‧‧驅動馬達
34‧‧‧傳動軸
251‧‧‧第一斜槽
352‧‧‧第二斜槽
361a‧‧‧第一導引臂
361b‧‧‧第一滑座
362a‧‧‧第二導引臂
362b‧‧‧第二滑座
37‧‧‧負壓吸嘴
38‧‧‧基台
S1a、S1b、S2a、S2b‧‧‧節點
4‧‧‧切換模組
41‧‧‧第一切換單元
42‧‧‧第二切換單元
5‧‧‧分料模組
200‧‧‧方法
(A)-(F)‧‧‧步驟
Ps‧‧‧預設檢測程式
Pt‧‧‧檢測參數值
C‧‧‧受測電容
圖1係繪示本發明一較佳實施例之浮接式電容檢測設備的功能方塊圖。
圖2A與圖2B係分別繪示本發明一較佳實施例之端子模組的上視圖與側視圖。
圖2C係繪示本發明一較佳實施例之端子模組中的驅動轉軸、第一斜槽與第二斜槽的示意圖。
圖3係繪示本發明一較佳實施例之切換模組、端子模組、第一量測模組與第二量測模組的功能示意圖。
圖4係繪示本發明一較佳實施例之浮接式電容檢測方法的步驟流程圖。
本發明浮接式電容檢測設備及其檢測方法在本實施例中被詳細描述之前,要特別注意的是,以下的說明中,類似的元件將以相同的元件符號來表示。再者,本發明之圖式僅作為示意說明,其未必按比例繪製,且所有細節也未必全部呈現於圖式中。
請參照圖1,其繪示本發明一較佳實施例之浮接式電容檢測設備100的功能方塊圖。如圖所示,一種浮接式電容檢測設備100,用以檢測至少一受測電容C(未繪示於圖1中,請詳見圖2A及圖2B),其包括一管理單元1及一測試控制器2。然而,管理單元1可為個人桌上型電腦或筆記型電腦,用以提供使用者預先儲存一可具有檢測操作流程及檢測工作電壓與電流參數值之預設檢測程式Ps,以及亦可預先儲存至少一檢測參數值Pt,例如:可用以篩選分類受測電容C之品質特性優劣的比對參數表。
其次,測試控制器2則是電性連接管理單元1,並且可自管理單元1取得預設檢測程式Ps及檢測參數值Pt。測試控制器2包括一處理單元20及一第一量測 模組21,其中處理單元20可依據預設檢測程式,進而在第一檢測條件下提供對應的第一工作電壓與電流,以量測受測電容C之第一特性參數,其中於本實施例中,第一特性參數係包括漏電流值(IL)與絕緣阻抗(IR),其中漏電流值(IL)的範圍從0.1nA~1mA,絕緣阻抗(IR)的範圍從10KΩ~200TΩ。
請繼續參照圖1,浮接式電容檢測設備100亦包括第二量測模組22。第二量測模組22係電性連接至測試控制器2中之處理單元20,且透過處理單元20根據預設檢測程式從而在第二檢測條件下提供對應的第二工作電壓與電流,以量測受測電容C之第二特性參數,其中於本實施例中,第二特性參數係包括靜電容量值(C值)與介電材質衰減係數(D值)。其中,第一檢測條件與第二檢測條件下所分別提供的第一與第二工作電壓可從10伏特至10000伏特,然本實施例所採用的測試條件皆加載高電壓。
然而,當完成檢測流程後,處理單元20即可將針對受測電容C檢測所獲得之第一特性參數及第二特性參數,予以傳送至管理單元1,接著再對另一個受測電容C進行檢測。此外,處理單元20除了可將檢測數據逐筆傳送至管理單元1之外,處理單元20亦可根據實際檢測需求而採取批量傳送至管理單元1。
同時,測試控制器2中之處理單元20亦可將所檢測出之第一特性參數及第二特性參數等檢測數據,與預先儲存的檢測參數值Pt分析比較,從而可即時對受 測電容C進行特性品質的評比判定,並對應產生一品質參數。如此一來,與測試控制器2電性連接之分料模組5,即可根據品質參數將受測電容C予以進行分類集中。
另外,浮接式電容檢測設備100更包括一端子模組3。端子模組3係電性連接至測試控制器2,且端子模組3包括一驅動部30、一第一端子31及一第二端子32。藉此,測試控制器2中之處理單元20將可依據預設檢測程式Ps,予以控制端子模組3之驅動部30以驅使第一端子31與第二端子32同時趨近或同時遠離受測電容C,以決定其與受測電容C電性接觸或脫離電性接觸。
更具體地,請同步參照圖2A至圖2C,其中圖2A與圖2B係繪示本發明一較佳實施例之端子模組的上視圖與側視圖,而圖2C係繪示本發明一較佳實施例之端子模組中的驅動轉軸、第一斜槽與第二斜槽的示意圖。如圖所述,端子模組3中之驅動部30係包括一驅動馬達33及一傳動軸34,而傳動軸34係連接至驅動馬達33。此外,傳動軸34之兩端係分別設置彼此反向一第一斜槽351與一第二斜槽352,其中第一斜槽351與一第二斜槽352之槽軌延伸方向係分別一特定角度(例如:30度至60度)而與傳動軸34之中心軸線而構成相互傾斜。
再者,本實施例之端子模組包括一基台38、一第一滑座361b及一第二滑座362b、一第一導引臂361a及一第二導引臂362a;第一滑座361b和第二滑座362b係利用導軌與導槽之方式滑設於基台38上,而第一端子 31及第二端子32分別組設於第一滑座361b和第二滑座362b,且彼此相向配置。另外,本實施例之驅動部30亦組設於基台38。
此外,第一導引臂361a及第二導引臂362a之一端分別連接至第一滑座361b和第二滑座362b,另一端則分別滑設於第一斜槽351與第二斜槽352。據此,當驅動馬達33驅動傳動軸34沿一第一轉動方向轉動時,第一斜槽351與第二斜槽352分別藉由第一導引臂361a及第二導引臂362a帶動第一滑座361b和第二滑座362b朝彼此趨近,並同步電性接觸由一負壓吸嘴37所吸附之受測電容C,而得以開啟測試。另一方面,當驅動馬達33驅動傳動軸34沿一第二轉動方向轉動時,第一斜槽351與該第二斜槽352分別藉由第一導引臂361a及第二導引臂362a帶動第一滑座361b和第二滑座362b朝彼此遠離該受測電容C。
請繼續同步參照圖1及圖3,其中圖3係繪示本發明一較佳實施例之切換模組、端子模組、第一量測模組與第二量測模組的功能示意圖。如圖所示,浮接式電容檢測設備100包括一切換模組4,且切換模組4係電性連接測試控制器2、第二量測模組22及端子模組3。藉此,測試控制器2中之處理單元20將可根據預設檢測程式控制切換模組4,以切換第一端子31及第二端子32依序電性耦接至第一量測模組21及第二量測模組22,進而分別於第一測檢條件與第二檢測條件下檢測出受測電容C之第一特性參數或第二特性參數。
更進一步地說,於本實施例中,切換模組4包括第一切換單元41及第二切換單元42。其中,當處理單元20根據預設檢測程式來控制切換模組4切換檢測第一特性參數時,第一切換單元41將切換至節點S1a,且第二切換單元42亦切換至節點S1b,以建立數據傳輸連線通道於第一量測模組21與端子模組3之間,亦即使第一端子31及第二端子32可電性耦接第一量測模組21,並將所獲致之檢測數據(例如:漏電流值(IL)與絕緣阻抗(IR))傳輸至第一量測模組21。
相對地,當處理單元20根據預設檢測程式來控制切換模組4切換檢測第二特性參數時,第一切換單元41將切換至節點S2a,且第二切換單元42亦切換至節點S2b,以建立數據傳輸連線通道於第二量測模組22與端子模組3之間,亦即第一端子31及第二端子32可電性耦接第二量測模組22,並將所獲致之檢測數據(例如:靜電容量值(C值)與介電材質衰減係數(D值))傳輸至第二量測模組22。
請參照圖4,其係繪示本發明一較佳實施例之浮接式電容檢測方法200的步驟流程圖。如圖所示,一種浮接式電容檢測方法200,其主要適用於上述實施例中之浮接式電容檢測設備100及其構成主要元件,包括管理單元1、測試控制器2、第二量測模組22、端子模組3及切換模組4,且測試控制器2包括第一量測模組21,而端子模組3包括第一端子31與第二端子32。
首先,方法200於編寫設定步驟(A)中,係提供使用者藉由管理單元1編寫一預設檢測程式及設定一至少一檢測參數值。接著,方法200於擷取步驟(B)中,致使測試控制器2自管理單元1中擷取預設檢測程式及檢測參數值,以進行檢測前置作業。
再者,方法200於趨近接觸步驟(C)中,使測試控制器2控制端子模組3之第一端子31與第二端子32同時趨近至由負壓吸嘴37所吸附之受測電容C的兩側,進而使第一端子31與第二端子32產生電性接觸。其次,方法200於參數檢測步驟(D)中,首先進行凱文(Kelvin)測試或稱四線(4-wire)測試,亦即透過接觸測試來檢測第一端子31與第二端子32是否與受測電容C的電極端面完整接觸而構成導通,可充分避免因接觸不良所導致之測試失效。
再者,使測試控制器2根據預設檢測程式控制切換模組4,透過調節其第一切換單元41與第二切換單元42之檢測數據傳輸路徑,予以將第一端子31與第二端子32兩者同時依序切換電性耦接至測試控制器2之第一量測模組21及第二量測模組22,進而分別在第一檢測條件與第二檢測條件下,進行檢測受測電容C之一第一特性參數及一第二特性參數。
然而,當完成檢測受測電容C的第一特性參數及第二特性參數之後,方法200則進行脫離步驟(E),亦即使測試控制器2控制端子模組3,以驅使第一端子31與第二端子32同時自受測電容C兩側遠離,且負壓吸嘴27透過解除負壓而釋放受測電容C。
另外,方法200可更包括品質判定步驟(F),其係依據將於前述參數檢測步驟(D)中所檢測出之第一特性參數及第二特性參數與前述編寫設定步驟(A)中所預先設定之檢測參數值,與以分析比較以對應產生一品質參數,進而據以分類集中。此外,方法200於品質判定步驟(F)中,同時亦可驅使測試控制器2將第一特性參數及第二特性參數,傳送至管理單元1。
上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已,本發明所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準,而非僅限於上述實施例。

Claims (10)

  1. 一種浮接式電容檢測設備,用以檢測至少一受測電容,該設備包括:一管理單元,用以儲存一預設檢測程式及至少一檢測參數值;一測試控制器,電性連接該管理單元並取得該預設檢測程式及該至少一檢測參數值,該測試控制器包括一處理單元;及一第一量測模組,用以量測該至少一受測電容之第一特性參數;一第二量測模組,電性連接至該處理單元,用以量測該至少一受測電容之第二特性參數;一切換模組,電性連接該測試控制器及該第二量測模組;及一端子模組,電性連接該切換模組,該端子模組包括一驅動部、一第一端子及一第二端子;其中,該處理單元控制該端子模組之該驅動部以驅使該第一端子與該第二端子同時趨近並電性接觸該至少一受測電容;該處理單元根據該預設檢測程式控制該切換模組,以切換該第一端子及該第二端子電性耦接至該第一量測模組及該第二量測模組中至少一者,進而檢測該至少一受測電容之該第一特性參數或及該第二特性參數中至少一者;該處理單元控制該端子模組之該驅動部以驅使該第一端子與該第二端子同時遠離該至少一受測電容並脫離電性接觸。
  2. 如請求項1之浮接式電容檢測設備,其中,該第一特性參數包括漏電流值與絕緣阻抗,該第二特性參數包括靜電容量值與介電材質衰減係數。
  3. 如請求項1之浮接式電容檢測設備,其中,該處理單元將該第一特性參數及該第二特性參數傳送至該管理單元。
  4. 如請求項1之浮接式電容檢測設備,其中該處理單元藉以將針對該至少一受測電容所檢測出之該第一特性參數及該第二特性參數與該至少一檢測參數值分析比較,以對應產生一品質參數。
  5. 如請求項4之浮接式電容檢測設備,更包括一分料模組,其電性連接該測試控制器,且用以根據該品質參數對該至少一受測電容予以分類。
  6. 如請求項1之浮接式電容檢測設備,其中,該端子模組包括一基台、一第一滑座及一第二滑座;該第一滑座和該第二滑座係滑設於該基台上,該第一端子及該第二端子分別組設於該第一滑座和該第二滑座;該驅動部組設於該基台,且該驅動部驅動該第一滑座和該第二滑座同步朝彼此趨近或遠離。
  7. 如請求項6之浮接式電容檢測設備,其中,該端子模組包括更包括一第一導引臂及一第二導引臂,該驅動部包括一驅動馬達及一傳動軸,該傳動軸連接至該驅動馬達,該傳動軸之兩端分別設置彼此反向之一第一斜槽與一第二斜槽;該第一導引臂及該第二導引臂之一端分別連接至該第一滑座和該第二滑座,另一端分別滑設於該第一斜槽與該第二斜槽;其中,當該驅動馬達驅動該傳動軸沿一第一轉動方向轉動時,該第一斜槽與該第二斜槽分別藉由該第一導引臂及該第二導引臂帶動該第一滑座和該第二滑座朝彼此趨近;當該驅動馬達驅動該傳動軸沿一第二轉動方向轉動時,該第一斜槽與該第二斜槽分別藉由該第一導引臂及該第二導引臂帶動該第一滑座和該第二滑座朝彼此遠離。
  8. 一種浮接式電容檢測方法,其適用於一電容檢測設備,該設備包括一管理單元、一測試控制器、一第二量測模組、一端子模組及一切換模組,該測試控制器包括一第一量測模組,該端子模組包括複數端子;該方法包括以下步驟:(A)藉由該管理單元編寫一預設檢測程式;(B)該測試控制器自該管理單元取得該預設檢測程式;(C)該測試控制器控制該端子模組之該複數端子同時趨近並電性接觸一受測電容;(D)該測試控制器根據該預設檢測程式控制該切換模組,以切換該複數端子電性耦接至該測試控制器之該第一量測模組及該第二量測模組中至少一者,進而檢測該受測電容之一第一特性參數及一第二特性參數中至少一者;以及(E)該測試控制器控制該端子模組之該複數端子同時遠離該受測電容並脫離電性接觸。
  9. 如請求項8之浮接式電容檢測方法,其中,其步驟(A)中更包括:藉由該管理單元設定一至少一檢測參數值;該步驟(E)之後更包括步驟(F):(F)該測試控制器將所檢測出之該第一特性參數及該第二特性參數與該至少一檢測參數值分析比較以對應產生一品質參數,並據以對該受測電容分類。
  10. 如請求項9之浮接式電容檢測方法,其中於步驟(F)中更包括:該測試控制器傳送該第一特性參數及該第二特性參數至該管理單元。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI798803B (zh) * 2021-08-31 2023-04-11 萬潤科技股份有限公司 電子元件測試裝置及測試方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030020486A1 (en) * 2001-07-25 2003-01-30 Masamichi Tsuchiya Method of measuring insulation resistance of capacitor and insulation resistance measuring apparatus of the same
US20080231292A1 (en) * 2005-11-24 2008-09-25 Frederic Ossart Device and Method for Capacitive Measurement by a Floating Bridge
TWM506971U (zh) * 2015-05-08 2015-08-11 Think Technologies Co Ltd 積層電容器之高壓檢測模組及高壓檢測設備
TWI550283B (zh) * 2015-05-08 2016-09-21 High voltage detection module of high voltage detection device and its detection method
CN106655321A (zh) * 2016-10-10 2017-05-10 东南大学 电解电容器漏电流/绝缘电阻测量仪用充放电装置及方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030020486A1 (en) * 2001-07-25 2003-01-30 Masamichi Tsuchiya Method of measuring insulation resistance of capacitor and insulation resistance measuring apparatus of the same
US20080231292A1 (en) * 2005-11-24 2008-09-25 Frederic Ossart Device and Method for Capacitive Measurement by a Floating Bridge
TWM506971U (zh) * 2015-05-08 2015-08-11 Think Technologies Co Ltd 積層電容器之高壓檢測模組及高壓檢測設備
TWI550283B (zh) * 2015-05-08 2016-09-21 High voltage detection module of high voltage detection device and its detection method
CN106655321A (zh) * 2016-10-10 2017-05-10 东南大学 电解电容器漏电流/绝缘电阻测量仪用充放电装置及方法

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