TWI671417B - 在標靶生命期的期間維持低非均勻性的方法及設備 - Google Patents
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Abstract
本文提供在標靶生命期的期間維持低非均勻性的改良方法和設備之實施例。在一些實施例中，一種在物理氣相沉積腔室中處理基板的方法包括以下步驟：配置基板在基板支座頂上，該基板支座具有蓋環，該蓋環圍繞該基板支座，使得該基板之上表面被定位在該蓋環之上表面上方第一距離處；從標靶濺射源材料，該標靶與該基板支座相對，以在該基板頂上沉積薄膜，同時維持該第一距離；及在該標靶之生命期的期間，相對於該蓋環降低該基板支座並從該標靶濺射該源材料，以在後續的基板頂上沉積薄膜。
Description
本揭示之實施例大體而言係關於基板處理系統。
物理氣相沉積(PVD)製程可以使用射頻(RF)能量來對某些應用增強基板處理。例如，射頻能量可被提供到PVD腔室的標靶，以促進從標靶濺射出材料並將濺射出的材料沉積到位在PVD腔室中的基板上。本發明人已觀察到，在某些操作條件下製程非均勻性的問題(例如非均勻的膜沉積)可能會在這種PVD腔室中出現。本發明人相信，這種非均勻的膜沉積可能會由於在標靶生命期的期間基板各處的沉積速率改變而出現。
因此，本發明人提供了在標靶生命期的期間維持低非均勻性的改良方法和設備。
本文提供在標靶生命期的期間維持低非均勻性的改良方法和設備之實施例。在一些實施例中，一種在物理氣相沉積腔室中處理基板的方法包括以下步驟：配置基板在基板支座頂上，該基板支座具有蓋環，該蓋環圍繞該基板支座，使得該基板之上表面被定位在該蓋環之上表
面上方第一距離處；從標靶濺射源材料，該標靶與該基板支座相對，以在該基板頂上沉積薄膜，同時維持該第一距離；及在該標靶之生命期的期間，相對於該蓋環降低該基板支座並從該標靶濺射該源材料，以在後續的基板頂上沉積薄膜。
在一些實施例中，一種物理氣相沉積腔室包括：具有第一空間的腔室主體；包含標靶的腔室蓋，該標靶被配置在該腔室主體頂上；被配置在該第一空間內、與該標靶相對、並具有基板支撐表面的基板支座；被配置在該腔室主體內的屏蔽，該屏蔽包含設以圍繞該第一空間的一個或更多個側壁，其中該屏蔽向下延伸到該基板支座之頂表面下方、徑向向內延伸、然後向上迴轉以形成向上延伸的唇緣；具有第一部分和第二部分的第一環，其中該第一部分包含開口，該開口中配置有陶瓷絕緣體，其中該陶瓷絕緣體靜置在該屏蔽之該向上延伸的唇緣之頂部上，而且其中該第二部分朝向該基板支撐表面延伸遠離該第一部分，而且其中在該標靶生命期的期間，該基板支座設以相對於該第一環升高和降低位於該基板支撐表面上的基板；及被配置在該基板支座之週緣周圍並鄰近該基板支撐表面的第二環。
在一些實施例中，一種在物理氣相沉積腔室中處理複數個基板的方法包括以下步驟：(a)從標靶濺射源材料，該標靶與基板隔開相對，以在該基板頂上沉積薄膜，其中該基板被配置在基板支座頂上，該基板支座具有
蓋環，該蓋環圍繞該基板支座，使得該基板之上表面被定位於距離該蓋環之上表面第一距離處；(b)降低該基板支座；(c)從該標靶濺射該源材料，以在由該降低的基板提供的下一個位置在後續基板頂上沉積薄膜；及(d)重複(b)-(c)直到來自該標靶的該源材料被消耗完。
以下描述本揭示的其他和進一步的實施例。
100‧‧‧腔室
102‧‧‧基板支座
103‧‧‧磁鐵
104‧‧‧基板
106‧‧‧標靶
107‧‧‧磁控管
108‧‧‧腔室壁
109‧‧‧基板處理表面
110‧‧‧控制器
111‧‧‧第二環
112‧‧‧中央處理單元(CPU)
113‧‧‧第一空間
114‧‧‧記憶體
116‧‧‧支援電路
118‧‧‧射頻電源
120‧‧‧直流電源
122‧‧‧電源分配板
124‧‧‧孔
125‧‧‧導電構件
126‧‧‧第一端
128‧‧‧面標靶表面
130‧‧‧第二端
132‧‧‧面電源分配板表面
134‧‧‧空腔
136‧‧‧可旋轉磁控管組件
138‧‧‧絕緣體板
139‧‧‧絕緣縫隙
140‧‧‧接地屏蔽
141‧‧‧陶瓷絕緣體
142‧‧‧導電鋁適配器
144‧‧‧介電質絕緣體
146‧‧‧背板
148‧‧‧第一環
150‧‧‧波紋管
152‧‧‧底部腔室壁
154‧‧‧氣源
156‧‧‧質量流量控制器
158‧‧‧排氣口
160‧‧‧閥
162‧‧‧射頻偏壓電源
164‧‧‧電容調諧器
170‧‧‧旋轉軸
172‧‧‧馬達
174‧‧‧屏蔽
176‧‧‧壁架
180‧‧‧側壁
184‧‧‧u形部分
188‧‧‧向上延伸唇緣
190‧‧‧磁鐵
200‧‧‧方法
300‧‧‧第一距離
302‧‧‧水平距離
304‧‧‧下一個距離
306‧‧‧第一部分
308‧‧‧第二部分
310‧‧‧開口
312‧‧‧週緣
314‧‧‧週緣
可以參照附圖中繪示的本揭示之說明性實施例來瞭解以上簡要概述的和以下更詳細討論的本揭示實施例。然而，附圖僅圖示本揭示之典型實施例，因此不應將該等附圖視為限制範圍，因為本揭示可認可其他同樣有效的實施例。
第1圖繪示依據本揭示之一些實施例具有基板支座的處理腔室之示意性剖視圖。
第2圖繪示依據本揭示之一些實施例用於在物理氣相沉積腔室中處理基板的方法之流程圖。
第3A-3C圖繪示依據本揭示之一些實施例的基板支座和周圍結構之部分示意性剖視圖。
為了便於理解，已在可能處使用相同的元件符號來指稱對於圖式為相同的元件。圖式未依比例繪製，而且為了清楚起見可被簡化。可以將一個實施例的元件和特徵有益地併入其他實施例中而無需進一步詳述。
本文提供在標靶生命期的期間維持低非均勻性的改良方法和設備。當經由物理氣相沉積製程沉積薄膜時，本文所述的發明製程和設備之實施例在標靶生命期的期間有利地維持了低的膜非均勻輪廓。
第1圖繪示適用於執行以下描述的方法200的物理氣相沉積(PVD)腔室(腔室100)之簡化剖視圖。適用於依據本文提供的教示進行修改的PVD腔室之實例包括具有非常高頻(VHF)電源的腔室，ALPS® Plus和SIP ENCORE® PVD處理腔室，二者均購自美國加州聖克拉拉的應用材料公司。其他來自應用材料公司或其他製造商的處理腔室也可受益於依據本文揭示的發明設備之修改並可被用於執行本文揭示的發明方法之實施例。
腔室100包含基板支座102，用於將基板104接收在基板支座上，以及濺射源，例如標靶106。在一些實施例中，基板支座被設置作為靜電夾盤。基板支座102可以位於接地的外殼壁(例如腔室壁108)內，該外殼壁可以是腔室壁(如圖示)或接地屏蔽(將接地屏蔽140圖示為覆蓋在標靶106上方的至少一些腔室100之部分。在一些實施例中，可以使接地屏蔽140延伸到標靶下方以同時包圍基板支座102)。
在一些實施例中，處理腔室包括饋電結構，用於將射頻和直流(DC)能量耦合到標靶106。饋電結構是用於將射頻和直流能量耦合到標靶、或例如到包含標靶的組件的設備，如本文所述。可以將饋電結構的第一端耦
接到射頻電源118和直流電源120，射頻電源118和直流電源120可以被分別用於提供射頻和直流能量到標靶106。例如，可以利用直流電源120來施加負電壓、或偏差到標靶106。在一些實施例中，由射頻電源118供應的射頻能量可以具有範圍從約2MHz至約60MHz的頻率，或是例如可以使用非限制性的頻率，例如2MHz、13.56MHz、27.12MHz、40.68MHz或60MHz。在一些實施例中，可以提供複數個射頻電源(即兩個或更多個)，以提供具有複數個上述頻率的射頻能量。饋電結構可以由適當的導電材料製成，以從射頻電源118和直流電源120傳導射頻和直流能量。在一些實施例中，與提供約1kW的直流功率同時地提供約6kW的40MHz射頻，以產生所需的粒子特性。在一些實施例中，射頻功率被以約13.56MHz至約60MHz的頻率提供約4kW至約8kW，並同時提供約0.5kW至約2kW的直流功率。
在一些實施例中，饋電結構可以具有促進各別的射頻和直流能量大致均勻地分佈於饋電結構周圍的適當長度。例如，在一些實施例中，饋電結構可以具有介於約1英吋至約12英吋之間、或約4英吋的長度。在一些實施例中，主體可以具有至少約1：1的長度對內徑比。提供至少1：1的比例或更長提供了更均勻的、來自饋電結構的射頻輸送(即射頻能量被更均勻地分佈在饋電結構附近，以使射頻耦合接近饋電結構的真正中心點)。饋電結構的內徑可以盡可能地小，例如從約1英吋至約6英吋，
或約4英吋的直徑。提供較小的內徑利於改良長度對ID比而不增加饋電結構的長度。
饋電結構的第二端可以被耦接到電源分配板122。該電源分配板包括被設置成穿過電源分配板122並與饋電結構的中央開口對齊的孔124。電源分配板122可以由適當的導電材料製成，以從該饋電結構傳導射頻和直流能量。
電源分配板122可以經由導電構件125耦接到標靶106。導電構件125可以是具有第一端126的管狀構件，第一端126被耦接到電源分配板122的面標靶表面128並鄰近電源分配板122的週緣。導電構件125進一步包括第二端130，第二端130被耦接到標靶106的面電源分配板表面132(或到標靶106的背板146)並鄰近標靶106的週緣。
空腔134可以由導電構件125的面內部壁、電源分配板122的面標靶表面128、及標靶106的面電源分配板表面132界定。空腔134經由電源分配板122的孔124流體耦接到主體的中央開口。空腔134和主體的中央開口可被用來至少部分容納可旋轉磁控管組件136的一個或更多個部分。在一些實施例中，該空腔可被至少部分填充冷卻流體，例如水(H2O)或類似物。
可以設置接地屏蔽140來覆蓋腔室100的蓋之外側表面。接地屏蔽140可以被耦接到接地，例如經由腔室主體的接地連接。接地屏蔽140具有中央開口，以允
許饋電結構通過接地屏蔽140而被耦接到電源分配板122。接地屏蔽140可以包含任何適當的導電材料，例如鋁、銅、或類似物。絕緣縫隙139被設置在接地屏蔽140與電源分配板122、導電構件125、及標靶106(及/或背板146)的外表面之間，以防止射頻和直流能量被直接指引到接地。該絕緣縫隙可被填充空氣或一些其他適當的介電質材料，例如陶瓷、塑膠、或類似物。
可以將絕緣體板138設置在電源分配板122和接地屏蔽140之間，以防止射頻和直流能量被直接指引到接地。絕緣體板138具有中央開口，以允許饋電結構穿過絕緣體板138並被耦接到電源分配板122。絕緣體板138可以包含適當的介電質材料，例如陶瓷、塑膠、或類似物。或者，可以設置氣隙來取代絕緣體板138。在其中設置氣隙來取代絕緣體板的實施例中，接地屏蔽140可以是結構上足夠健全的，以支撐任何被支撐在接地屏蔽140上的元件。
標靶106可以通過介電質絕緣體144被支撐在接地的導電鋁適配器142上。標靶106包含在濺射過程中將被沉積在基板104上的材料，例如金屬或金屬氧化物。在一些實施例中，背板146可以被耦接到標靶106的面電源分配板表面132。背板146可以包含導電材料，例如銅-鋅、銅-鉻、或與標靶相同的材料，使得射頻和直流功率可以經由背板146被耦接到標靶106。或者，背板146可以是不導電的並且可包括導電元件(未圖示)，例
如電饋送線或類似物，用於將標靶106的面電源分配板表面132耦接到導電構件125的第二端130。背板146可以被包括，例如用以改良標靶106的結構穩定性。
基板支座102具有面向標靶106的主表面的材料接收表面並以在與標靶106的主表面相對的平面位置支撐將被濺射塗佈的基板104。基板支座102可以將基板104支撐在腔室100的第一空間113中。第一空間113被界定為在處理過程中在基板支座102上方的區域(例如在處理位置時介於標靶106和基板支座102之間)。
在一些實施例中，基板支座102可以被垂直移動通過被連接到底部腔室壁152的波紋管150，以允許基板104通過在腔室100的下處理部的負載鎖定閥(未圖示)被傳送到基板支座102上，然後被升高到沉積或處理位置。可以從氣源154通過質量流量控制器156供應一種或更多種處理氣體進入腔室100的下部。可以設置排氣口158並經由閥160將排氣口158耦接到泵(未圖示)，用於排空腔室100的內部並便於維持腔室100內的壓力。
可以將射頻偏壓電源162耦接到基板支座102，以在基板104上誘發負直流偏壓。此外，在一些實施例中，在處理過程中負直流自偏壓可以在基板104上形成。例如，由射頻偏壓電源162供應的射頻功率可以具有範圍從約2MHz至約60MHz的頻率，例如可以使用諸如2MHz、13.56MHz、或60MHz的非限制性頻率。可選地，可以將第二射頻偏壓電源(未圖示)耦接到基板
支座102並提供以上討論的任何頻率以與射頻偏壓電源162一起使用。在其他的應用中，可以讓基板支座102接地或電浮動。例如，對於可能不需要射頻偏壓功率的應用，可以將電容調諧器164耦接到基板支座來調整基板104上的電壓。在一些實施例中，可以使用電容調諧器164來調整基板的浮動電勢，使得到達基板的離子能量可被控制。在一些實施例中，射頻偏壓電源162和電容調諧器164都可被同時應用。
可以將可旋轉磁控管組件136定位於鄰近標靶106的後表面(例如面電源分配板表面132)。可旋轉磁控管組件136包括磁控管107，磁控管107連接到旋轉軸170，旋轉軸170與腔室100和基板104的中心軸重合。可以將馬達172耦接到旋轉軸170的上端，以驅動磁控管組件136旋轉。磁鐵103在腔室100內產生大致平行並接近標靶106表面的磁場，以捕獲電子並增加局部電漿密度，從而提高濺射速率。磁鐵103產生圍繞腔室100頂部的電磁場，並且該磁鐵被轉動以旋轉該電磁場，從而影響製程的電漿密度以更均勻地濺射標靶106。例如，旋轉軸170每分鐘可以旋轉約0至約150轉。
腔室100進一步包括製程套組屏蔽或屏蔽174，以包圍處理或腔室100的第一空間113，並保護其他腔室元件免於處理的損壞及/或污染。在一些實施例中，屏蔽174可以是連接到適配器142的壁架176的接地屏蔽。
屏蔽174向下延伸而且可以包括一個或更多個設以圍繞第一空間113的側壁180。屏蔽174沿著適配器142的壁與腔室壁108向下延伸到低於基板支座102的上表面、徑向向內延伸、然後向上迴轉以形成例如向上延伸的唇緣188，從而到達基板支座102的上表面(例如在底部形成u形部分184)。或者，屏蔽174的最底部部分不需要是u形部分184，而且可以具有任何適當的形狀。當基板支座102在較低的裝載位置時(如第3C圖所示)，第一環148(即蓋環)靜置在屏蔽174的向上延伸唇緣188的頂部上。當基板支座102在較上方的位置時(如第1圖和第3A圖所示)，第一環148靜置在屏蔽174的向上延伸唇緣188的頂部上和基板支座102的外週。
可以使用附加的第二環111(即沉積環)來保護基板支座102免於濺射沉積。例如，第二環111可以被配置在基板支座102的週緣並鄰接基板處理表面109，如第1圖所圖示。在一些實施例中，第二環111可以如圖所示屏蔽基板支座102的暴露表面。
第2圖繪示依據本揭示的一些實施例在物理氣相沉積腔室(例如第1圖描繪的腔室100)中處理基板104的方法200。方法200通常開始於202，其中基板104被放置在基板支座102頂上。第3A-3C圖繪示依據本揭示的一些實施例的一部分基板支座102之示意性側視圖。
如第3A圖所繪示，當基板支座102在較上方的位置時，第一環148圍繞基板支座102，使得基板104
的上表面位於第一環148的上表面上方第一距離300處。在一些實施例中，在標靶生命期開始時，第一距離300為維持被沉積在基板上的薄膜之低非均勻性的任何適當距離，例如在第一環148的上表面上方，或在一些實施例中在第一環148的上表面上方約3mm處。當在第一環148的上表面上方第一距離處時，第一環148不會屏蔽基板104的邊緣免於沉積。
如第3A圖所繪示，第一環148(即蓋環)具有第一部分306和第二部分308，第二部分308朝向基板處理表面109延伸遠離第一部分306。第一部分306包含開口310，開口310具有被配置在開口310內的陶瓷絕緣體141。當基板支座102在較上方的位置時(如第1圖和第3A圖所圖示)，陶瓷絕緣體141將第一環148支撐在屏蔽174的向上延伸唇緣188的頂部上，並且第一環148的第二部分308靜置在第二環111上並在基板支座102的外週。第一環148的第二部分308包含週緣312，週緣312與基板104的週緣314相距水平距離302。在一些實施例中，從第一環148的週緣312到基板104的週緣314的水平距離302為約2.5mm至約5mm，例如約3.2mm。本發明人已觀察到，當第一環148被移動到基板104上方的位置時，在第一環148的週緣312到基板104的週緣314之間維持約2.5mm至約3.5mm的水平距離302有利地改良了第一環148屏蔽基板104的周邊免於沉積的能力，如以下所討論。
接著，在204，從與基板支座102相對的標靶106濺射源材料，以在基板104頂上沉積薄膜。在一些實施例中，該源材料可以是諸如金屬、金屬氧化物、金屬合金的材料。在一些實施例中，該源材料可以是銅。本發明人已觀察到，在標靶生命期開始時，從標靶106濺射出的源材料在鄰近基板104中心處的沉積速率大於在鄰近基板104周緣314處的沉積速率。然而，在標靶106生命期的期間，在基板104週緣314的沉積速率變得大於在基板104中心的沉積速率。雖然不希望受到理論的束縛，但本發明人相信，沉積速率的變化是由於標靶106內隨著時間的推移形成了侵蝕槽。因為在標靶生命期的期間出現沉積速率的變化，所以在標靶生命期的期間源材料將被以不同的圖案非均勻地濺射到基板104的上表面上。
接著，在206，相對於第一環148將基板104從第一距離300降低到下一個距離，例如第二距離(例如藉由將基板支座降低到下一個位置)。該下一個距離在標靶106生命期的期間減小(即小於第一距離300)。例如，在一些實施例中，將後續的基板放在基材支座102頂上並從標靶106濺射源材料以在後續的基板頂上沉積薄膜。可以重複將基板支座下降到下一個位置並在隨後的基板頂上沉積薄膜，直到來自標靶106的源材料被消耗完。可以在每個處理的後續基板之間或為一些後續的基板週期性地降低基板支座(例如在預定數量的基板之後、在處理過的基板上測得的膜非均勻度超過預定值之後、或類似
者)。可以使用下述公式計算基板支座102下降的量(即下一個距離)。在一些實施例中，該下一個距離最終可以減小到零(其中基板104與第一環148彼此齊平)或減小到負數(其中基板104被配置在第一環148下方而不是在該第一環上方)。
本發明人已經觀察到，在標靶106生命期的期間，鄰近中心的沉積速率降低地比鄰近基板104邊緣的沉積速率更快，導致鄰近基板104邊緣的材料量比鄰近基板104中心的材料量更厚。與中心相比，屏蔽基板104周邊免於沉積降低了基板104周邊或邊緣的沉積速率，從而在其中鄰近基板104中心的沉積速率比基板104邊緣的沉積速率更低的應用中有利地平衡了整體的沉積分佈。因此，將基板支座102從第一距離300降低到第二距離(或從任何距離降低到下一個距離)增加了由第一環148屏蔽基板104周邊免於沉積的量。在一些實施例中，如第3B圖所繪示，將基板支座102降低到下一個距離最終會將基板104的頂表面放置在平行於第一環148的頂表面且與第一環148的頂表面大致共面。在一些實施例中，如第3C圖所繪示，將基板支座102降低到下一個距離304最終將基板104的頂表面放置在第一環148的頂表面下方，例如在第一環148下方約3mm至約10mm(例如在一些實施例中的最終距離)。如第3B圖和第3C圖所繪示，隨著基板移動到下一個距離，第一環148最終可以只被陶瓷絕緣體141支撐在屏蔽174的向上延伸唇緣188的頂部上。
該基板支座被降低的距離可以憑經驗或藉由模型化來決定。在一些實施例中，該基板支座被降低的距離可以使用式1.1E-5*X2-0.0167*X+0.2468決定，其中X表示標靶壽期(即該標靶已經運作的時間量，單位為kW/hr)。該式的計算結果產生的數字表示該基板支座相對於初始位置(例如該第一距離)應被降低的毫米數。例如，在使用新的標靶之下，該基板支座最初可以被定位成使得基板104的上表面位於第一環148的上表面上方第一距離300處。完成第一基板或數個基板的處理之後，可以在上式中使用標靶已經運作的千瓦小時數來計算該基板支座可被降低的毫米距離(例如用以提供後續基板的上表面被相對於第一環148的上表面定位在下一個距離)。在完成另外的後續基板或若干後續基板的處理之後，可以再次使用該標靶已運作的千瓦小時數來計算該基板支座應被相對於該基板支座的初始位置定位的距離。可以持續該基板支座的連續或週期性降低，直到該標靶被完全消耗。當安裝新的標靶時，可以重複上述的製程。
在一些實施例中，在標靶106生命期的期間，基板支座102被逐漸降低計算的量。不希望受理論約束，本發明人已觀察到，調整基板104和第一環148之間的距離會影響電漿鞘。例如，當第一環148被定位在基板104下方時，例如在第一距離300時，電漿鞘會向下平移到第一環148並到屏蔽174之外。隨著基板支座102被降低並且基板104移動到更靠近第一環148而且最終在第一環
148下方，電漿鞘會向上平移到第一環148然後到屏蔽174，從而導致到基板104邊緣的沉積被阻擋。本發明人已經觀察到，在標靶106生命期的期間，將基板104從第一距離300移動到小於第一距離300的下一個距離(及從任何距離移動到下一個距離)可以有利地維持小於2%的非均勻度。
回到第1圖，在一些實施例中，磁鐵190可以被配置在腔室100的周圍，用於在基材支座102和標靶106之間選擇性地提供磁場。例如，當在處理位置時，磁鐵190可以被配置在腔室壁108的外側周圍、在基板支座102正上方的區域中。在一些實施例中，磁鐵190可以被另外地或替代地配置在其他的位置，例如鄰近適配器142。磁鐵190可以是電磁鐵，而且可以被耦接到電源(未圖示)用於控制電磁鐵產生的磁場大小。
控制器110可以被設置並耦接到腔室100的各種元件，以控制該等元件之操作。控制器110包括中央處理單元(CPU)112、記憶體114、及支援電路116。控制器110可以直接或經由與特定處理腔室及/或支援系統元件相關聯的電腦(或控制器)控制腔室100。控制器110可以是任何形式的、可以在工業環境中被使用來控制各種腔室和子處理器的通用電腦處理器。控制器110的記憶體(或電腦可讀媒體)114可以是一種或更多種隨手可用的記憶體，例如隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、軟碟、硬碟、光儲存媒體(例如光碟或數
位影音光碟)、快閃驅動器、或任何其他形式的、本地或遠端的數位儲存器。支援電路116被耦接到CPU 112，用於以傳統方式支援處理器。這些電路包括快取記憶體、電源、時鐘電路、輸入/輸出電路和子系統、及類似物。本文所述的發明方法可以被儲存在記憶體114中作為軟體常式，該軟體常式可被執行或調用而以本文所述的方式控制腔室100的操作。該軟體常式也可以被位於CPU 112控制的硬體遠端的第二CPU(未圖示)儲存及/或執行。
雖然前述內容係針對本揭示的實施例，但在不偏離本揭示之基本範圍下仍可設計出本揭示的其他和進一步的實施例。
Claims (15)
- 一種在一物理氣相沉積腔室中處理一基板的方法，包含以下步驟：配置一基板在一基板支座頂上，該基板支座具有一蓋環，該蓋環圍繞該基板支座，使得該基板之上表面被定位在該蓋環之上表面上方一第一距離處；從一標靶濺射一源材料，該標靶與該基板支座相對，以在該基板頂上沉積一薄膜，同時維持該第一距離；及在該標靶之生命期的期間，相對於該蓋環降低該基板支座並從該標靶濺射該源材料，以在後續的基板頂上沉積薄膜。
- 如請求項1所述之方法，其中降低該基板支座之步驟進一步包含以下步驟：相對於該蓋環降低該基板支座同時濺射源材料。
- 如請求項1所述之方法，其中該第一距離為該蓋環上方約3mm。
- 如請求項1所述之方法，其中在該第一距離，鄰近該基板之一中心的源材料之沉積速率大於鄰近該基板之一邊緣的源材料之沉積速率。
- 如請求項4所述之方法，其中鄰近該基板之該邊緣的源材料之沉積速率在該標靶之生命期的期間增加。
- 如請求項1所述之方法，其中降低該基板支座將該基板的上表面放在大致與該蓋環共面。
- 如請求項1所述之方法，其中該蓋環包含一週緣，該週緣與該基板之週緣相距一約2.5mm至約5mm的水平距離。
- 如請求項1所述之方法，其中在該標靶之生命期結束時，該基板之上表面之一最終距離為在該蓋環下方約3mm至約10mm。
- 如請求項1至8中任一項所述之方法，其中該蓋環為電絕緣的。
- 如請求項1至8中任一項所述之方法，其中該源材料為銅。
- 如請求項1至8中任一項所述之方法，其中在該標靶之生命期的期間降低該基板支座之步驟進一步包含以下步驟：從鄰近該基板之中心至鄰近該基板之邊緣，對從該標靶沉積的薄膜維持一沉積分佈，該沉積分佈具有小於2%的非均勻度。
- 一種在一物理氣相沉積腔室中處理複數個基板的方法，包含以下步驟：(a)從一標靶濺射一源材料，該標靶與一基板隔開相對，以在該基板頂上沉積一薄膜，其中該基板被配置在一基板支座頂上，該基板支座具有一蓋環，該蓋環圍繞該基板支座，使得該基板之上表面被定位於距離該蓋環之上表面一第一距離處；(b)降低該基板支座；(c)從該標靶濺射該源材料，以在由該降低的基板支座提供的下一個位置在一後續基板頂上沉積一薄膜；及(d)重複(b)-(c)直到來自該標靶的該源材料被消耗完。
- 如請求項12所述之方法，其中降低該基板支座之步驟進一步包含以下步驟：相對於該蓋環降低該基板支座同時濺射源材料。
- 如請求項12所述之方法，其中降低該基板支座之步驟進一步包含以下步驟：在該基板頂上沉積該薄膜之後相對於該蓋環降低該基板支座。
- 如請求項12至14中任一項所述之方法，其中在該第一距離，鄰近該基板之一中心的源材料之沉積速率大於鄰近該基板之一邊緣的源材料之沉積速率，以及其中鄰近該基板之該邊緣的源材料之沉積速率在該標靶之生命期的期間增加。
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