CN114981925A - 用于处理基板的方法和设备 - Google Patents

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CN114981925A CN202180009090.9A CN202180009090A CN114981925A CN 114981925 A CN114981925 A CN 114981925A CN 202180009090 A CN202180009090 A CN 202180009090A CN 114981925 A CN114981925 A CN 114981925A
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仲兰兰
唐先敏
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Abstract

本文提供了用于处理基板的方法和设备。举例而言，一种方法包括在工艺腔室的处理空间内以第一压力点燃等离子体；自设置在处理空间内的靶材沉积溅射材料，同时在第一时间范围内将第一压力降低至第二压力，同时维持等离子体；继续自靶材沉积溅射材料，同时在小于第一时间范围的第二时间范围内将第二压力降低至第三压力，同时维持等离子体；和继续自靶材沉积溅射材料，同时维持第三压力达大于或等于第二时间范围的第三时间范围，同时维持等离子体。

Description

用于处理基板的方法和设备
技术领域
本公开内容的实施方式总体涉及用于处理基板的方法和设备，且更特定地，涉及经配置用于基板上的金属沉积的方法和设备。
背景技术
已知经配置用于基板(例如芯片)制造的沉积腔室。在基板制造期间，可在基板上形成一个或多个特征(例如，沟槽、过孔(via)和其他类似结构)。随着形成于基板上的沟槽和过孔结构变得更小，金属沉积互连工艺和/或间隙填充方案变得克服起来越来越有挑战性。为了克服这样的挑战，传统的方法和设备使用相对短的金属沉积时间以减少基板上的金属沉积(例如，在夹断(pinch off)之前)的量。发明者已观察到，在相对短的金属沉积时间开始时，由于将在结构入口处产生悬垂(overhang)的散射，因此不期望中性粒子。为了确保基板上(例如，在沟槽和结构之上)的足够金属沉积覆盖率，需要更多离子或高离子化率，这将有助于更具方向性的沉积，且因此有助于结构内更好的底部覆盖率。
发明内容
本文中提供用于处理基板的方法和设备。在一些实施方式中，一种用于处理基板的方法包括在工艺腔室的处理空间内以第一压力点燃等离子体；自设置在处理空间内的靶材沉积溅射材料，同时在第一时间范围(time frame)内将第一压力降低至第二压力，同时维持等离子体；继续自靶材沉积溅射材料，同时在小于第一时间范围的第二时间范围内将第二压力降低至第三压力，同时维持等离子体；和继续自靶材沉积溅射材料，同时维持第三压力达大于或等于第二时间范围的第三时间范围，同时维持等离子体。
在至少一些实施方式中，一种非暂时性计算机可读储存介质，具有储存在该非暂时性计算机可读储存介质上的指令，当由处理器执行时，引起执行用于处理基板的方法。该方法包括在工艺腔室的处理空间内以第一压力点燃等离子体；自设置在处理空间内的靶材沉积溅射材料，同时在第一时间范围内将第一压力降低至第二压力，同时维持等离子体；继续自靶材沉积溅射材料，同时在小于第一时间范围的第二时间范围内将第二压力降低至第三压力，同时维持等离子体；和继续自靶材沉积溅射材料，同时维持第三压力达大于或等于第二时间范围的第三时间范围，同时维持等离子体。
在至少一些实施方式中，一种用于处理基板的处理腔室包括：气体入口，经配置以接收来自气源的工艺气体；电源，经配置以将功率供应至设置在处理腔室的工艺空间内的靶材；泵，经配置以自工艺空间移除工艺气体；和控制器，经配置以：在工艺腔室的处理空间内以第一压力点燃等离子体；自设置在处理空间内的靶材沉积溅射材料，同时在第一时间范围内将第一压力降低至第二压力，同时维持等离子体；继续自所述靶材沉积溅射材料，同时在小于第一时间范围的第二时间范围内将第二压力降低至第三压力，同时维持等离子体；和继续自所述靶材沉积溅射材料，同时维持第三压力达大于或等于第二时间范围的第三时间范围，同时维持等离子体。
以下描述本公开内容的其他和另外的实施方式。
附图说明
通过参考在附图中描绘的本公开内容的说明性实施方式，可理解以上简要概述且在以下更详细讨论的本公开内容的实施方式。然而，附图仅图示本公开内容的典型实施方式，且因此不视为对范围的限制，因为本公开内容可承认其他同等有效的实施方式。
图1为根据本公开内容的至少一些实施方式的处理腔室的示意性横截面图。
图2为根据本公开内容的至少一些实施方式的用于处理基板的方法的流程图。
为了便于理解，在可能的情况下，已使用相同参考数字来表示诸图共有的相同元件。诸图并未按比例绘制，并且可为了清楚起见而简化。一个实施方式的元件和特征可有益地并入其他实施方式中而无需进一步叙述。
具体实施方式
本文中提供用于处理基板的方法和设备的实施方式。举例而言，本文所述的用于处理(例如，金属沉积)基板的方法包括使用一个或多个泵以将处理腔室内的压力快速降低至低的稳态压力。如此做时，中性粒子和散射显著减少，且离子化率增大，从而造成基板上(例如，沟槽和过孔中)提高的金属沉积覆盖率。
图1为根据本公开内容的至少一些实施方式的处理腔室100的示意性横截面图。处理腔室100可为一个或多个沉积腔室，诸如物理气相沉积腔室(PVD)、化学气相沉积腔室(CVD)、原子层沉积腔室(ALD)或其他类型的沉积腔室。在所图示实施方式中，例如，处理腔室100为PVD处理腔室。合适的PVD腔室的实例包括
Figure BDA0003742865890000031
Plus、SIP
Figure BDA0003742865890000032
ENCORE
Figure BDA0003742865890000033
Figure BDA0003742865890000034
2和
Figure BDA0003742865890000035
3PVD处理腔室，上述所有处理腔室皆可购自加利福尼亚州圣克拉拉市的应用材料有限公司(Applied Materials,Inc.,of Santa Clara,California)。来自应用材料有限公司或其他制造商的其他处理腔室也可受益于本文中所公开的发明方法和设备。
处理腔室100(例如，等离子体腔室)含有基板支撑基座102和溅射源，基板支撑基座102用于在基板支撑基座102上接收基板104，溅射源诸如是靶材106之类。基板支撑基座102可定位于腔室壁108(例如，接地铝腔室壁)内，腔室壁108可为腔室壁(如所示出)或接地屏蔽件。在图1中示出接地屏蔽件140，接地屏蔽件140覆盖处理腔室100的在靶材106上方的至少一些部分。在一些实施方式中，接地屏蔽件140可在靶材下方延伸以便也包围基座102。
处理腔室包括馈电结构110，用于将RF和DC能量耦合至靶材106。举例而言，馈电结构为用于将RF能量和可选地将DC能量耦合至靶材或耦合至含有靶材的组件的设备，如本文所述。馈电结构110包括主体112，主体112具有第一端部114和与第一端部114相对的第二端部116。在一些实施方式中，主体112进一步包括中心开口115，中心开口115被设置成自第一端部114穿过主体112至第二端部116。
馈电结构110的第一端部114可耦合至RF电源118和可选地耦合至DC电源120，RF电源118和DC电源120可分别用以向靶材106提供RF和DC能量。举例而言，DC电源120可用以向靶材106施加负电压或偏压。在一些实施方式中，由RF电源118供应的RF能量的频率范围可为自约2MHz至约60MHz，或例如可使用诸如2MHz、13.56MHz、27.12MHz或60MHz的非限制性频率。在一些实施方式中，可提供复数个(即两个或更多个)RF电源，以便提供在复数个上述频率中的RF能量。馈电结构110可由合适的导电材料制造，以自RF电源118和DC电源120传导RF和DC能量。可选地，DC电源120可以替代地耦合至靶材而无需经过馈电结构110(如图1中的虚线所示)。
馈电结构110可具有合适的长度，所述长度有助于相应的RF和DC能量围绕馈电结构110的周边大体上均匀的分配。举例而言，在一些实施方式中，馈电结构110可具有约0.75英寸至约12英寸、或为约3.26英寸的长度。在其中主体112不具有中心开口的一些实施方式中，馈电结构110可具有约0.5英寸至约12英寸的长度。
主体112的第二端部116耦合至源分配板122。源分配板包括孔124，孔124被设置成穿过源分配板122且与主体112的中心开口115对准。源分配板122可由合适的导电材料制造，以传导来自馈电结构110的RF和DC能量。
源分配板122可经由导电构件125耦合至靶材106。导电构件125可为管状构件，该管状构件具有第一端部126，第一端部126贴近源分配板122的周边边缘而耦合至源分配板122的面向靶材的表面128。导电构件125进一步包括第二端部130，第二端部130贴近靶材106的周边边缘而耦合至靶材106的面向源分配板的表面132(或耦合至靶材106的背板146)。
空腔134可由导电构件125的面向内部的壁、源分配板122的面向靶材的表面128和靶材106的面向源分配板的表面132限定。空腔134经由源分配板122的孔124流体耦合至主体112的中心开口115。空腔134和主体112的中心开口115可用以至少部分地容纳如图1中所图示并且在以下进一步描述的可旋转磁控管组件136的一个或多个部分。在一些实施方式中，所述空腔可至少部分地填充有冷却流体，诸如水(H2O)或类似者。
可提供接地屏蔽件140以覆盖工艺腔室100的盖的外部表面。接地屏蔽件140可耦合至地面，例如经由腔室主体的接地连接而耦合至地面。接地屏蔽件140具有中心开口，以允许馈电结构110穿过接地屏蔽件140以耦合至源分配板122。接地屏蔽件140可包括任何合适的导电材料，诸如铝、铜或类似者。在接地屏蔽件140与源分配板122、导电构件125和靶材106(和/或背板146)的外表面之间提供绝缘间隙139，以防止RF和DC能量直接路由至地面。所述绝缘间隙可填充有空气或某种其他合适的介电材料，诸如陶瓷、塑料或类似者。
在一些实施方式中，接地轴环(collar)141可围绕主体112和馈电结构110的下部部分设置。接地轴环141耦合至接地屏蔽件140，且可以是接地屏蔽件140的一体式部分或耦合至接地屏蔽件的单独部分，以提供馈电结构110的接地。接地轴环141可由合适的导电材料制成，诸如铝或铜。在一些实施方式中，设置在接地轴环141的内直径与馈电结构110的主体112的外直径之间的间隙可保持为最小且刚好足以提供电隔离。该间隙可填充有像是塑料或陶瓷的隔离材料，或可为气隙。接地轴环141防止RF馈电与主体112之间的串扰，由此改善等离子体均匀性和处理均匀性。
隔离器板138可设置在源分配板122与接地屏蔽件140之间，以防止RF和DC能量直接路由至地面。隔离器板138具有中心开口，以允许馈电结构110穿过隔离器板138并且耦合至源分配板122。隔离器板138可包括合适的介电材料，诸如陶瓷、塑料或类似者。或者，可替代隔离器板138而提供气隙。在其中替代隔离器板而提供气隙的实施方式中，接地屏蔽件140可在结构上足够坚固以支撑搁置在接地屏蔽件140上的任何部件。
靶材106可经由介电隔离器144被支撑在适配器142(例如，接地的导电铝适配器)上。靶材106包括要在溅射期间沉积于基板104上的材料，诸如金属或金属氧化物。举例而言，在至少一些实施方式中，靶材106可由钴、铜、锰、钽、钛、钨或上述材料的合金中的至少一者制成。
背板146可耦合至靶材106的面向源分配板的表面132。背板146可包括导电材料，诸如，铜锌、铜铬或与靶材相同的材料，以使得RF和DC功率可经由背板146耦合至靶材106。或者，背板146可为非导电的，且可包括导电元件(未示出)，诸如电穿通或类似者，以用于将靶材106的面向源分配板的表面132耦合至导电构件125的第二端部130。可包括背板146以例如改善靶材106的结构稳定性。
在至少一些实施方式中，可在靶材106与基板104之间提供准直器173(例如，以虚线示出的可偏置准直器)，以促进将溅射材料引导至基板104的面向靶材的表面。准直器173为具有一个或多个开口(溅射材料可穿过该一个或多个开口以到达基板104)的实体结构，诸如，护罩、盘、复数个挡板或类似者。
基板支撑基座102具有面向靶材106的主要表面的材料接收表面，并且基板支撑基座102将要被溅射涂布的基板104支撑在与靶材106的主要表面相对的平面位置处。基板支撑基座102可在处理腔室100的工艺空间148中支撑基板104。将工艺空间148限定为在处理期间于基板支撑基座102上方的区域(例如，当处于处理位置时，在靶材106与基板支撑基座102之间)。
在一些实施方式中，基板支撑基座102可以是经由连接至底部腔室壁152的波纹管150能竖直移动的，以允许经由在处理处理腔室100的下部部分中的装载锁定阀(未示出)将基板104传送至基板支撑基座102上且在这之后升高至沉积或处理位置。可将一种或多种工艺气体通过质量流量控制器156自气源154经由气体入口153供应至处理腔室100的下部部分中。举例而言，在至少一些实施方式中，工艺气体可为一种或多种惰性气体，诸如氩(Ar)、氦(He)、氪(Kr)、氖(Ne)、氡(Rn)、氙(Xe)，或可为一种或多种其他非反应性气体。举例而言，在至少一些实施方式中，工艺气体可为Ar。
可提供排放口158并且排放口158经由阀160耦合至一个或多个合适的泵171，以用于自处理腔室100的内部排放工艺气体，并且促进维持处理腔室100内部的期望的压力。举例而言，在至少一些实施方式中，泵171可为低温泵，诸如溅射泵之类。泵171可具有带有通孔(未示出)的散热器板(heat sink plate)。泵171依一定尺寸制造以在整个处理序列中维持最佳压力。在至少一些实施方式中，泵171可包括具有相对高的泵送能力的低温泵，以降低操作腔室压力和在气流事件期间的瞬时腔室压力。
RF偏压电源162可耦合至基板支撑基座102，以在基板104上感应出负DC偏压。另外，在一些实施方式中，可以在处理期间在基板104上形成负的DC自偏压。举例而言，由RF偏压电源162供应的RF功率的频率范围可为自约2MHz至约60MHz，例如，可使用诸如2MHz、13.56MHz或60MHz的非限制性频率。在其他应用中，基板支撑基座102可接地或保持电浮置。举例而言，电容调谐器164可耦合至基板支撑基座，用于为其中可能不期望RF偏压功率的应用调整基板104上的电压。
可旋转磁控管组件136可被定位成贴近靶材106的背表面(例如，面向源分配板的表面132)。可旋转磁控管组件136包括由底板168支撑的复数个磁体166。底板168连接至与处理腔室100和基板104的中心轴线重合的旋转轴170。马达172可耦合至旋转轴170的上端，以驱动可旋转磁控管组件136的旋转。磁体166在处理腔室100内产生磁场，该磁场通常平行于靶材106的表面且靠近靶材106的表面以捕获电子并且增大局部等离子体密度，这继而增大溅射速率。磁体166在处理腔室100的顶部周围产生电磁场，且磁体166旋转以使电磁场旋转，这影响工艺的等离子体密度，以更均匀地溅射靶材106。举例而言，旋转轴170可每分钟进行约0次至约150次旋转。
在一些实施方式中，处理腔室100可进一步包括接地底部屏蔽件174，接地底部屏蔽件174连接至适配器142的凸缘(ledge)176。暗区(dark space)屏蔽件178可被支撑在底部屏蔽件174上，且可通过螺丝(screw)或其他合适的方式紧固至底部屏蔽件174。底部屏蔽件174与暗区屏蔽件178之间的金属螺纹连接允许底部屏蔽件174和暗区屏蔽件178接地至适配器142。适配器142继而被密封且接地至腔室壁108。底部屏蔽件174和暗区屏蔽件178两者通常由坚硬的非磁性不锈钢形成。
底部屏蔽件174向下延伸且可包括大致管状的部分180，大致管状的部分180具有大致恒定的直径。底部屏蔽件174沿适配器142的壁和腔室壁108向下延伸至基板支撑基座102的顶表面下方，并且向上返回直至到达基板支撑基座102的顶表面(例如，在底部形成U形部分184)。当基板支撑基座102处于下部的装载位置时，盖环186搁置在底部屏蔽件174的向上延伸的内部部分188的顶部上；而当基板支撑基座102处于上部的沉积位置时，盖环186搁置在基板支撑基座102的外部周边上，以保护基板支撑基座102免受溅射沉积。可使用额外的沉积环(未示出)以屏蔽基板104的周边免受沉积。
在一些实施方式中，可围绕处理腔室100设置磁体190，用于在基板支撑基座102与靶材106之间选择性地提供磁场。举例而言，如图1中所示，当处于处理位置时，磁体190可围绕腔室壁108的外部设置在刚好于基板支撑基座102上方的区域中。在一些实施方式中，磁体190可另外地或替代地设置在其他位置中，诸如，与适配器142相邻。磁体190可为电磁体，且可耦合至电源(未示出)以控制电磁体所产生的磁场的大小。
为了便于对处理腔室100的控制，处理腔室100包括控制器121。控制器121包括中央处理单元(CPU)123，中央处理单元123可为可在工业环境中使用而用于控制各种腔室和子处理器的任何形式的通用计算机处理器中的一者，诸如可编程逻辑控制器(PLC)之类。存储器127耦合至CPU 123，且存储器127可为非暂时性计算机可读储存介质，且可为一个或多种易获得的存储器，诸如，随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、软盘驱动、硬盘，或任何其他形式的本地或远程的数字储存装置。包括电源供应器、时钟、高速缓存等中的一者或多者的支持电路129(例如，I/O电路)耦合至CPU 123，用于以传统方式支持处理器。带电物质产生、加热和其他工艺通常储存在存储器127中，通常作为软件例程(例如，处理配方)。也可通过第二CPU(未示出)来储存和/或执行软件例程，该第二CPU距CPU 123所控制的处理腔室100远程地定位。
存储器127含有指令，当由CPU 123执行时，这些指令有助于处理腔室100的操作。存储器127中的指令呈程序产品的形式，诸如，实施本公开内容的方法的程序。程序代码可符合诸多不同编程语言中的任一者。在一个实例中，本公开内容可被实施为储存在计算机可读储存介质上以与计算机系统一起使用的程序产品。程序产品的(若干)程序限定实施方式(包括本文所述的方法)的功能。说明性的计算机可读储存介质包括但不限于：(i)不可写储存介质(例如，计算机内的只读存储器元件，诸如可由CD-ROM驱动读取的CD-ROM盘、闪存存储器、ROM芯片，或任何类型的固态非易失性半导体存储器)，在所述不可写储存介质上永久地储存信息；和(ii)可写储存介质(例如，软盘驱动内的软盘或硬盘驱动，或任何类型的固态随机存取半导体存储器)，在所述可写储存介质上储存可变更的信息。当携带指导本文所述方法的功能的计算机可读指令时，这样的非暂时性计算机可读储存介质为本公开内容的实施方式。
图2为根据本公开内容的至少一些实施方式的用于处理基板的方法200的流程图。在202处，在工艺腔室的处理空间内以第一压力(例如，点燃压力)点燃等离子体。举例而言，可在处理腔室(例如处理腔室100，诸如PVD处理腔室之类)的工艺空间(例如工艺空间148)内维持第一压力，以点燃工艺气体以便在工艺空间内形成等离子体。可使用泵171和阀160以在工艺空间内维持第一压力。如上所述，工艺气体可为一种或多种惰性气体，诸如Ar、He、Kr、Ne、Rn或Xe，或可为一种或多种其他非反应性气体。举例而言，在至少一些实施方式中，工艺气体可为Ar。所述第一压力可为约2毫托至约40毫托。举例而言，在至少一些实施方式中，第一压力可为约0.005托(例如约5毫托)。可维持第一压力达适合于点燃等离子体的时间周期。在至少一些实施方式中，在202处，可维持第一压力达约一(1)秒至约五(5)秒。
接下来，在204处，自设置在处理空间内的靶材沉积溅射材料，同时在第一时间范围内将第一压力降低至第二压力，同时维持等离子体。举例而言，可将第一压力降低至第二压力(例如，斜降(ramp down)压力)以用于自设置在工艺空间内的靶材(例如，钴、铜、锰、钽、钛、钨)沉积溅射材料。举例而言，使用泵171和阀160，压力可自第一压力逐渐(incrementally)降低至约2毫托至约0.1毫托(例如，第二压力)。举例而言，在至少一些实施方式中，可使用例如阀160以逐步方式将压力自第一压力逐渐降低至约0.6毫托。在至少一些实施方式中，第一压力可在具有约一(1)秒至约十(10)秒的持续时间(例如，第一时间范围)的周期内降低至第二压力。
在204期间，取决于靶材材料、工艺气体等，可通过使用自气源(例如，气源154)供应的工艺气体将等离子体维持在工艺空间内。或者，在204期间，可在不使用来自气源的工艺气体的情况下将等离子体维持在工艺空间内(例如，可在工艺腔室内实现自离子化等离子体(self-ionized plasma；SIP))。举例而言，当在工艺空间内存在溅射材料的足够离子化时，可关闭气源并且可使用已离子化的溅射材料维持等离子体。
接下来，在206处，继续自靶材沉积溅射材料，同时在小于第一时间范围第二时间范围内将第二压力降低至第三压力，同时维持等离子体。举例而言，在至少一些实施方式中，压力可自第二压力降低至约0.001毫托至约2毫托(例如，第三压力)。
在206期间，可在不使用来自气源的工艺气体的情况下将等离子体维持在工艺空间内(例如，可在处理腔室内实现SIP)。在至少一些实施方式中，用于将第二压力降低至第三压力的第二时间范围可为约三秒至约六秒。如上所述，在这样的相对短的时间内如此做，等离子体可达到SIP模式，且金属离子将占主导地位并且被引导经过准直器173，从而造成基板上的金属沉积覆盖率改善。
接下来，在208处，继续自靶材沉积溅射材料，同时维持第三压力达大于或等于第二时间范围的第三时间范围，同时维持等离子体。举例而言，将第三压力维持在适合于高DCSIP沉积的稳定压力。举例而言，第三压力可维持在0.001毫托至约2毫托。
虽然前述内容针对本公开内容的实施方式，但可在不脱离本公开内容的基本范围的情况下设计出本公开内容的其他和另外的实施方式。

Claims (20)

1.一种用于处理基板的方法，包括以下步骤：
在工艺腔室的处理空间内以第一压力点燃等离子体；
自设置在所述处理空间内的靶材沉积溅射材料，同时在第一时间范围内将所述第一压力降低至第二压力，同时维持所述等离子体；
继续自所述靶材沉积溅射材料，同时在小于所述第一时间范围的第二时间范围内将所述第二压力降低至第三压力，同时维持所述等离子体；和
继续自所述靶材沉积溅射材料，同时维持所述第三压力达大于或等于所述第二时间范围的第三时间范围，同时维持所述等离子体。
2.如权利要求1所述的方法，其中将所述第一压力降低至所述第二压力的步骤包括以下步骤：将所述第一压力自约2毫托逐渐降低至约0.1毫托。
3.如权利要求1所述的方法，其中将所述第二压力降低至所述第三压力的步骤包括以下步骤：将所述第二压力自约0.001毫托降低至约2毫托。
4.如权利要求1所述的方法，其中在所述第一时间范围期间将所述第一压力降低至所述第二压力耗费约一秒至约十秒，且在所述第二时间范围期间将所述第二压力降低至所述第三压力耗费约三秒至约六秒。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述靶材由以下材料中的至少一者制成：钴、铜、锰、钽、钛、钨或上述材料的合金。
6.如权利要求1所述的方法，其中使用惰性气体形成所述等离子体。
7.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述处理腔室为等离子体腔室。
8.一种非暂时性计算机可读介质，具有储存在所述非暂时性计算机可读介质上的指令，当由处理器执行时，所述指令引起执行用于处理基板的方法，所述方法包括以下步骤：
在工艺腔室的处理空间内以第一压力点燃等离子体；
自设置在所述处理空间内的靶材沉积溅射材料，同时在第一时间范围内将所述第一压力降低至第二压力，同时维持所述等离子体；
继续自所述靶材沉积溅射材料，同时在小于所述第一时间范围的第二时间范围内将所述第二压力降低至第三压力，同时维持所述等离子体；和
继续自所述靶材沉积溅射材料，同时维持所述第三压力达大于或等于所述第二时间范围的第三时间范围，同时维持所述等离子体。
9.如权利要求8所述的非暂时性计算机可读储存介质，其中将所述第一压力降低至所述第二压力包括将所述第一压力自约2毫托逐渐降低至约0.1毫托。
10.如权利要求8所述的非暂时性计算机可读储存介质，其中将所述第二压力降低至所述第三压力包括将所述第二压力降低至0.001毫托至约2毫托。
11.如权利要求8所述的非暂时性计算机可读储存介质，其中在所述第一时间范围期间将所述第一压力降低至所述第二压力耗费约一秒至约十秒，且在所述第二时间范围期间将所述第二压力降低至所述第三压力耗费约三秒至约六秒。
12.如权利要求8所述的非暂时性计算机可读储存介质，其中所述靶材由以下材料中的至少一者制成：钴、铜、锰、钽、钛、钨或上述材料的合金。
13.如权利要求8所述的非暂时性计算机可读储存介质，其中使用惰性气体形成形成所述等离子体。
14.如权利要求8至13中任一项所述的非暂时性计算机可读储存介质，其中所述处理腔室为等离子体腔室。
15.一种用于处理基板的处理腔室，包括：
气体入口，经配置以接收来自气源的工艺气体；
电源，经配置以将功率供应至设置在所述处理腔室的工艺空间内的靶材；
泵，经配置以自所述工艺空间移除所述工艺气体；和
控制器，经配置以：
在所述工艺腔室的所述处理空间内以第一压力点燃等离子体；
自设置在所述处理空间内的所述靶材沉积溅射材料，同时在第一时间范围内将所述第一压力降低至第二压力，同时维持所述等离子
体；
继续自所述靶材沉积溅射材料，同时在小于所述第一时间范围的第二时间范围内将所述第二压力降低至第三压力，同时维持所述等离子体；和
继续自所述靶材沉积溅射材料，同时维持所述第三压力达大于或等于所述第二时间范围的第三时间范围，同时维持所述等离子体。
16.如权利要求15所述的处理腔室，其中所述控制器经配置以将所述第一压力逐渐降低至约2毫托至约0.1毫托。
17.如权利要求15所述的处理腔室，其中所述控制器经配置以将所述第二压力降低至约0.001毫托至约2毫托。
18.如权利要求15所述的处理腔室，其中所述控制器经配置以在所述第一时间范围期间以约一秒至约十秒将所述第一压力降低至所述第二压力，且在所述第二时间范围期间以约三秒至约六秒将所述第二压力降低至所述第三压力。
19.如权利要求15所述的处理腔室，其中所述靶材由以下材料中的至少一者制成：钴、铜、锰、钽、钛、钨或上述材料的合金。
20.如权利要求15至19中任一项所述的处理腔室，其中所述工艺气体为惰性气体。
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