TWI669767B - 提供複製實際半導體產品的虛擬半導體產品的方法和系統 - Google Patents

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Abstract

本發明係揭露一種用於提供複製實際半導體產品的虛擬半導體產品的方法和系統。根據本發明的示例性實施例的用於提供虛擬半導體產品的方法包含下列步驟：獲得用於製造實際半導體的數據；使用獲得的製造數據，虛擬地生產半導體產品；提供虛擬生產的虛擬半導體產品。因此，隨著實際處理步驟即時提供複製實際半導體產品的虛擬半導體產品，使得可最小化測量和檢查半導體產品所需的時間和開銷，並且不會導致生產半導體產品的延遲。

Description

提供複製實際半導體產品的虛擬半導體產品的方法和系統
本申請要求於2017年6月12日提交到韓國知識產權局的第10-2017-0073022號韓國專利申請的權益，該韓國專利申請的全部公開藉由引用包含於此。
本發明整體關於半導體製造技術，更具體地說，是關於一種用於監測半導體製造處理以檢測缺陷並預測產量的方法和系統。
可使用掃描式電子顯微鏡(SEM)、投射電子顯微鏡(TEM)等來執行在半導體製造處理期間檢測缺陷並預測產量所執行的測量。然而，測量/檢查需要長時間和高開銷，並可導致生產的延遲。
此外，在使用SEM/TEM的測量和檢查中，執行用於對中間產品的更精確的檢測的處理(例如，切割)或用於產量提高測試的處理是不可行的。這是因為這種處理會導致放棄中間產品的最終製造。
為了解決上面討論的習知技術的缺陷，本發明的主要方面是提供一種用於提供複製實際半導體產品的虛擬半導體產品的方法和系統，可最小化執行測量、檢查或其兩者所需的時間和開銷，不會導致生產的延遲，並使用於檢查和測試的處理成為可能。
根據本發明的一個方案，一種用於提供虛擬半導體產品的方法，其包含下列步驟：獲得用於製造實際半導體的數據；使用獲得的製造數據，虛擬地生產半導體產品；以及提供虛擬生產的虛擬半導體產品。
較佳地，用於提供虛擬半導體產品的方法可與實際半導體處理步驟相關聯地即時執行獲取的步驟、生產的步驟和提供的步驟。
較佳地，製造數據可包含與處理有關的數據和與設備有關的數據。
較佳地，用於提供虛擬半導體產品的方法還可包含下列步驟：虛擬地測量虛擬半導體產品；以及提供虛擬測量數據。
較佳地，用於提供虛擬半導體產品的方法還可包含下列步驟：根據用戶命令，處理虛擬半導體產品；以及提供處理的虛擬半導體產品。
較佳地，處理的步驟可包含用於檢查虛擬半導體產品的處理或用於執行用於提高產量所必須的測試的處理。
較佳地，用於提供虛擬半導體產品的方法還可包含下列步驟：從虛擬半導體產品虛擬地檢測缺陷；以及提供檢測到的虛擬缺陷訊息。
較佳地，用於提供虛擬半導體產品的方法還可包含下列步驟：藉由分析虛擬半導體產品，預測產量；以及提供預測的產量訊息。
較佳地，用於提供虛擬半導體產品的方法還可包含下列步驟：獲得與實際半導體產品有關的測量數據；以及使用獲得的測量數據，校正虛擬半導體產品。
根據本發明的另一技術方案，一種用於產生虛擬半導體產品的系統包含：獲取單元，被配置為獲取用於製造實際半導體的數據；處理器，被配置為：使用獲得的製造數據虛擬地生產半導體產品，並提供虛擬生產的半導體產品。
根據如上所述的本發明的示例性實施例，隨著實際處理步驟即時提供複製實際半導體產品的虛擬半導體產品，使得可最小化測量和檢查半導體產品所需的時間和開銷，並且不會導致生產半導體產品的延遲。
另外，根據本發明的實施例，由於不僅半導體產品的外部而且半導體產品的內部結構可以以三個維度自由地被觀察，因此可減少複雜檢查的次數。
另外，根據本發明的實施例，由於可虛擬地執行用於檢查和測試的處理(例如，切割)，所以在不放棄中間產品的最終製造的情況下，使針對中間產品的更精確的檢查或假設的測試成為可能，並因此可提高產量。
從下面揭露了本發明的示例性實施例的結合圖式的具體實施方式，本發明的其他方面、優點和顯著特徵對本領域技術人員將變得清楚。
在進行下面的具體實施方式之前，闡述貫穿本專利文件所使用的特定的詞語或短語的定義是有益的：術語“包括”和“包含”以及它們的派生術語表示無限制的包含；術語“或”包含表示和/或；短語“與……相關聯”以及它的派生短語可表示包含、被包含在……內、與……相互聯繫、包含、被包含在……內、連接到或與……連接、結合到或與……結合、能夠與……進行傳達、與……合作、交錯、並置、接近於、被約束到或用……約束、具有、具有……的性質等。針對特定詞和短語的定義貫穿本專利文件被提供，本領域技術人員應該理解，如果不是在大多數情況下，則在許多情況下，這樣的定義適用於對這樣定義的詞和短語的先前的使用以及未來的使用。
S110~S160‧‧‧步驟
210‧‧‧通訊單元
220‧‧‧顯示器
230‧‧‧處理器
240‧‧‧輸入單元
250‧‧‧儲存單元
為了更完整的理解本發明及其優點，現在對下面結合圖式的描述做出參考，其中，相同的參考標號表示相同的部件：圖1是為了解釋根據本發明的示例性實施例的用於提供虛擬半導體產品的方法而提供的流程圖；圖2是概念性示出複製實際半導體產品的虛擬半導體產品的產生的示意圖；圖3是概念性示出理想半導體產品與虛擬半導體產品的比較和分析的示意圖；圖4是示出根據本發明的另一實施例的用於產生虛擬半導體產品的系統的方塊圖。
在下文中，將參照圖式詳細描述本發明。
圖1是為了解釋根據本發明的示例性實施例的用於提供虛擬半導體產品的方法而提供的流程圖。根據示例性實施例的用於提供虛擬半導體產品的方法產生和提供複製實際半導體產品的虛擬半導體產品。
在圖1中所示的方法可由作為一種計算系統的“虛擬半導體產品產生系統”來執行，更具體地講，可由作為在虛擬半導體產品產生系統中執行的用於虛擬地生產半導體產品的模擬工具的“虛擬半導體產生工具”來執行。
如在圖1中所示，首先，虛擬半導體產品產生系統獲得用於製造實際半導體的數據(步驟S110)。在步驟S110中獲得的製造數據可包含與處理有關的數據和與設備有關的數據。
與處理有關的數據可包含描述處理類型和處理條件的參數，與設備有關的數據可包含設備類型、規格、狀態、驅動條件等。
接下來，虛擬半導體產品產生系統根據在步驟S110中獲得的製造數據虛擬地製造和生產半導體(步驟S120)。在步驟S120中，可以以三維(3D)圖像的形式生產虛擬半導體產品。
實際產品與虛擬產品之間存在差異，但在步驟S120中生產的虛擬半導體產品是在與實際半導體產品相同的條件下生產的，因此，在步驟S120中生產的虛擬半導體產品與實際半導體產品相對來講是相同的。
之後，虛擬半導體產品產生系統將在步驟S120中生產的虛擬半導體產品提供給半導體製造管理器(步驟S130)。由於在步驟 S120中生產的虛擬半導體產品是3D圖像，因此，在步驟S130中可藉由顯示該3D圖像來提供虛擬半導體產品。
當在步驟S130中觀察以3D圖像的形式提供的虛擬半導體產品時，半導體製造管理器可不僅預測實際半導體產品的外部而且預測實際半導體產品的內部結構。
接下來，虛擬半導體產品產生系統可虛擬地測量在步驟S120中生產的虛擬半導體產品，並可將虛擬測量數據提供給半導體製造管理器(步驟S140)。
藉由這樣做，半導體製造管理器可在沒有實際測量實際半導體產品的情況下快速接收測量結果，並可基於該結果確定是否執行實際測量。
另外，虛擬半導體產品產生系統可虛擬地檢查在步驟S120中生產的虛擬半導體產品，並且，從虛擬半導體產品虛擬地檢測缺陷並將檢測到的虛擬缺陷訊息提供給半導體製造管理器(步驟S150)。
另外，虛擬半導體產品產生系統可藉由分析在步驟S120中生產的虛擬半導體產品來預測產量，並可將預測的產量訊息提供給半導體製造管理器(步驟S160)。
藉由步驟S150和步驟S160，半導體製造管理器可預測與實際半導體產品有關的缺陷和產量。
圖2表示實際半導體產品和複製實際半導體產品的虛擬半導體產品。在圖2中，左邊所示的半導體產品是實際製造的，右邊所示的半導體產品是在虛擬環境中複製實際半導體的產品。
在圖2中，虛擬半導體產品根據實際半導體產品的製造數 據被複製，並且從虛擬半導體產品獲得的各種有意義的訊息(虛擬測量訊息、虛擬檢查訊息、產量預測訊息等)被提供，以在實際半導體產品的後續製造處理中被參考。
到目前為止，用於產生和提供複製實際半導體產品的虛擬半導體產品的方法已參照較佳的實施例被描述。
在上述實施例中，可選擇性地執行虛擬測量步驟S140、虛擬檢查步驟S150和產量預測步驟S160，並且可藉由半導體製造管理器進行是否執行這些步驟的確定。
另外，可與實際半導體製造步驟相關聯地即時執行獲得實際半導體製造數據的步驟(步驟S110)、生產虛擬半導體產品的步驟(步驟S120)和提供虛擬半導體產品的步驟(步驟S130)。
可在虛擬區域執行虛擬測量步驟S140、虛擬檢查步驟S150和產量預測步驟S160。因此，當半導體製造管理器預先確定執行這些步驟時，可在完成實際半導體製造步驟之後沒有延遲的情況下即時執行這些步驟。
同時，為了比較在步驟S120中生產的虛擬半導體產品和在研發處理中使用模擬工具設計的理想半導體產品，虛擬半導體產品產生系統可以以如在圖3中所示的3D圖像的形式提供這兩個產品。此外，虛擬半導體產品產生系統還可提供藉由比較和分析這兩個產品而獲得的訊息。
另外，為了檢查或產量的提高所必須的測試的目的，虛擬半導體產品產生系統可處理在步驟S120中產生的虛擬半導體產品，從而提供處理的虛擬半導體產品是可行的。
處理細節可藉由半導體製造管理器來確定，並且處理可根據預定義的處理細節來執行。
同時，與實際半導體產品有關的實際測量可被執行。在這種情況下，虛擬半導體產品產生系統可獲得與實際半導體產品有關的實際測量數據，並可使用實際測量數據校正虛擬半導體產品的結構/材料。
這個處理對應於用於抵消虛擬半導體產品與實際半導體產品之間的差異的進程，並且在與實際半導體產品有關的實際測量未被執行時，校正是不可行的。
在下文中，將參照圖4詳細描述可執行根據示例性實施例的用於提供虛擬半導體產品的方法的虛擬半導體產品產生系統。圖4是根據本發明的另一實施例的虛擬半導體產品產生系統的方塊圖。
如在圖4中所示，根據本發明的示例性實施例的虛擬半導體產品產生系統可包含：通訊單元210、顯示器220、處理器230、輸入單元240和儲存單元250。
通訊單元210是用於藉由與外部裝置或外部網路連接來進行數據通訊的組件，並且獲得實際半導體產品的製造數據和測量數據。
顯示器220是用於顯示訊息的組件，並且顯示虛擬半導體產品、虛擬測量數據、虛擬缺陷訊息、產量訊息等。輸入單元240是用於輸入訊息的組件，並且被用於輸入與實際半導體產品有關的製造數據和測量數據和/或輸入管理器設置選項。
顯示器220和輸入單元240可被結合成觸控螢幕。結合成的觸控螢幕在虛擬半導體產品產生系統具有移動類型時會更加有用。
由於上述與實際半導體產品有關的製造數據和測量數據可 藉由通訊單元210從處理/測量設備或網路被接收，或者可藉由輸入單元240被接收和提取，因此通訊單元210和輸入單元240可用作數據獲取組件。
處理器230可使用獲得的數據執行在圖1中所示的虛擬半導體產品產生/供應算法，並可在顯示器220上顯示執行的結果，或將該結果藉由通訊單元210發送到外部裝置、網路或其兩者。
儲存單元250提供用於執行虛擬半導體產品產生/供應算法所必須的尺寸空間。
本發明的技術構思可應用於電腦可讀記錄媒體，其中，計算機可讀介質具有記錄在其上的用於執行根據本實施例的設備和方法的功能的電腦程式。另外，根據本發明的各個實施例的技術構思可以以記錄在電腦可讀記錄媒體上的電腦可讀代碼的形式來實現。電腦可讀記錄媒體可以是能夠藉由電腦來讀取並可儲存數據的任意的數據儲存裝置。例如，電腦可讀記錄媒體可包含：ROM、RAM、CD-ROM、磁片、軟碟、光碟、硬碟驅動器等。另外，儲存在電腦可讀記錄媒體中的電腦可讀代碼或程式可藉由在電腦之間連接的網路被發送。
儘管本發明已使用示例性實施例被描述，但是各種改變和修改可被建議給本領域的技術人員。當這樣的改變和修改落入申請專利範圍的範圍內時，本發明意在包含這樣的改變和修改。

Claims (8)

  1. 一種用於提供虛擬半導體產品的方法，其包含下列步驟：獲得用於製造實際半導體的製造數據，其中，該製造數據包括與製造實際半導體的處理有關的數據和與設備有關的數據，該與處理有關的數據包括描述處理類型和處理條件的參數，該與設備有關的數據包括用於製造實際半導體的設備的類型、規格和驅動條件；使用獲得的包括該與處理有關的數據和該與設備有關的數據的製造數據，虛擬地生產半導體產品；以及提供虛擬生產的半導體產品，其中，虛擬地生產半導體產品的步驟包括：獲得與實際半導體有關的實際測量數據；使用獲得的該與實際半導體有關的實際測量數據，校正虛擬生產的半導體產品，其中，提供的步驟包括：以三維(3D)圖像的形式在顯示器上顯示該虛擬生產的半導體產品和與該虛擬生產的半導體產品對應且使用模擬工具設計的理想半導體產品二者。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中與實際半導體處理步驟相關聯地即時執行獲得的步驟、生產的步驟和提供的步驟。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其更包含下列步驟：虛擬地測量該虛擬生產的半導體產品；以及在該顯示器上顯示虛擬測量數據。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其更包含下列步驟：根據用戶命令，處理該虛擬生產的半導體產品；以及提供處理的虛擬半導體產品。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之方法，其中處理的步驟包含用於檢查該虛擬生產的半導體產品的處理或用於執行用於提高產量所必須的測試的處理。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其更包含下列步驟：從該虛擬生產的半導體產品虛擬地檢測缺陷；提供該檢測到的虛擬缺陷訊息。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其更包含下列步驟：藉由分析該虛擬生產的半導體產品，預測產量；以及提供預測的產量訊息。
  8. 一種用於產生虛擬半導體產品的系統，其包含：顯示器；獲得單元，被配置為獲得用於製造實際半導體的製造數據；以及處理器，被配置為：使用獲得的該製造數據以虛擬地生產半導體產品，並提供虛擬生產的半導體產品，其中，該製造數據包括與製造實際半導體的處理有關的數據和與設備有關的數據，該與處理有關的數據包括描述處理類型和處理條件的參數，該與設備有關的數據包括用於製造實際半導體的設備的類型、規格和驅動條件，其中，該處理器被配置為：獲得與實際半導體有關的實際測量數據；使用獲得的該與實際半導體有關的實際測量數據，校正該虛擬生產的半導體產品；以三維(3D)圖像的形式在該顯示器上顯示該虛擬生產的半導體產品和與該虛擬生產的半導體產品對應且使用模擬工具設計的理想半導體產品二者。
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