TWI661017B - 暫時接著用樹脂、暫時接著用樹脂層、附暫時接著用樹脂層之硬質基板、薄膜基板積層體及薄膜基板加工處理製程 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種暫時接著用樹脂層，其於電子裝置中之零件或顯示器等中所用之薄膜基板之加工處理中，即便於加熱處理中亦可正確地固定、搬送該薄膜基板，可在無位置偏移下進行處理，並且不因分解、產生氣體(逸氣)等污染物而對真空裝置造成影響，進而未見圖案化時之強酸或極性溶劑之滲入，可維持良好之密接力。
本發明提供一種暫時接著用樹脂、及由該暫時接著用樹脂形成之暫時接著用樹脂層，上述暫時接著用樹脂之特徵在於：其係於對薄膜基板進行加工處理時，將該薄膜基板暫時接著於成為台座之硬質基板上者，且至少含有一種以上之氟樹脂。

Description

暫時接著用樹脂、暫時接著用樹脂層、附暫時接著用樹脂層之硬質基板、薄膜基板積層體及薄膜基板加工處理製程
本發明係關於一種暫時接著用樹脂、暫時接著用樹脂層、附暫時接著用樹脂層之硬質基板、薄膜基板積層體及薄膜基板加工處理製程。更詳細而言，本發明係關於一種於對薄膜基板進行加工處理時，將該薄膜基板暫時接著於成為台座之硬質基板上之暫時接著用樹脂及暫時接著用樹脂層，於成為台座之硬質基板之至少單面上設有暫時接著用樹脂層之附暫時接著用樹脂層之硬質基板，使薄膜基板與成為台座之硬質基板介隔暫時接著用樹脂層接合而成之薄膜基板積層體。又，本發明係關於一種使用該暫時接著用樹脂層對薄膜基板進行加工處理之薄膜基板加工處理製程。
先前，半導體晶圓之矽基板、用於LED(Light-Emitting Diode，發光二極體)之藍寶石基板或SiC基板、金屬膜、顯示器中之使用玻璃基板之TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)基板或彩色濾光片基板、有機EL(Electroluminescence，電致發光)面板之基底基板等基板由於其自身有厚度，故具有剛性，於對基板之圖案形成或CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)、濺鍍等熱處理、進而利用化學液之處理步驟等製程中，可無需深思固定或移動等操作，進而固定於正確之位置並於該等基板上進行圖案形成。
然而近年來，於電子裝置中之零件或顯示器、更具體而言半導 體領域中，使用成為基板之化合物半導體基板、成為MEMS(Microelectromechanical System，微機電系統)裝置之基礎之矽基板、被動式矩陣基板、用於智慧型手機之表面之蓋玻璃或於該等上進而安裝觸控面板之感測器而成之OGS(One Glass solution，玻璃一體化技術)基板、或者使用以倍半矽氧烷作為主成分之有機或者有機無機混合基板之前蓋玻璃、進而最近被稱為可撓性顯示器之玻璃基板、或者各種工程塑膠或超級工程塑膠來製造上述TFT、被動式矩陣、彩色濾光片基板之研究正在活躍地進行，開始開發以輕量且較薄為特徵之類型。
此種輕量且較薄、不具有剛性之薄膜基板難以如先前方法中所使用般直接操作，進行處理、圖案形成。尤其於進行圖案形成之時，有因基板之稍許歪斜引起位置偏移，結果使良率大幅度地降低之問題。因此最近進行以下操作：於成為台座之石英、鹼石灰、強化玻璃等各種玻璃基板、半導體中所使用之矽基板或藍寶石基板、化合物半導體基板、或者包含不鏽鋼、高張力鋼等之各種金屬基板等硬質基板上，介隔用以進行暫時固定之樹脂材料暫時固定薄膜基板，進行加工、搬送。
例如已知：於成為薄膜基板之半導體晶圓與成為台座之支撐晶圓之間貼合雙面膠帶，進行包含搬送之操作(參照專利文獻1~3)。尤其揭示：亦考慮到處理步驟後之剝離，使用熱膨脹型黏著劑或紫外線感光性接著劑作為雙面黏著片。於使用此種熱膨脹型黏著劑之情形時，可藉由加熱處理使接著力降低，又，於使用紫外線感光性接著劑之情形時，可藉由紫外線照射使接著力降低，有可容易地剝離加工處理後之半導體晶圓之優點。然而，於在濺鍍、CVD等真空條件下對薄膜基板進行處理之情形時，有熱膨脹型黏著劑中所含有之微膠囊中之氣體釋出，加工中接著力降低，或污染真空腔室而不得不再次清掃裝 置，運作率降低之情形。又，有無法以較加熱剝離時更高之溫度進行處理，或者於剝離時來源於黏著劑之0.5~10μm尺寸之殘渣附著於被接著體上等問題。另一方面，紫外線感光性接著劑中，通常添加光聚合起始劑，但於以100℃以上之高溫進行處理之環境下，有因熱而發生分解，故於加熱製程中反應，即便其後進行紫外線照射亦接著力不降低之問題，謀求進一步改善。
進而，於各種基板上之圖案化時，為了進行不需要之濺鍍膜之蝕刻處理，不僅需要乙酸等弱酸，亦需要氫氟酸、王酸等強酸處理。進而於LED步驟等中，視使用者不同，大多情況下使用N-甲基吡咯啶酮或丙酮等極性溶劑進行塗佈、清潔，暫時接著用樹脂之端面接觸該等化學液。於此情形時，上述雙面膠帶於常溫下30秒以內等之極短條件下勉強不受到損傷，但於更嚴格之條件下，有化學液自黏著劑滲入而污染背面、或者操作中途之基板落下之情形。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2005-116948號公報
[專利文獻2]日本專利特開2010-56562號公報
[專利文獻3]日本專利特開平6-216092號公報
本發明在於提供一種暫時接著用樹脂，其於上述先前技術之問題、即於電子裝置中之零件或顯示器等所用之薄膜基板之加工處理中，即便於加熱處理中亦可正確地固定、搬送該薄膜基板，並無位置偏移而進行處理，並且不因分解、產生氣體(逸氣)等污染物對真空裝置造成影響，進而未見圖案化時之強酸或極性溶劑之滲入，可維持良好之密接力。本發明進而在於提供一種暫時接著用樹脂，其於剝離時 可輕剝離且無污染地剝離被接著體。
本發明者等人為了達成上述目的而努力研究，結果發現，藉由使用氟樹脂作為暫時接著用樹脂層，可達成上述目的，從而完成了本發明。
即，本發明提供一種暫時接著用樹脂，其特徵在於：其係於對薄膜基板進行加工處理時，將該薄膜基板暫時接著於成為台座之硬質基板上者，且至少含有一種以上之氟樹脂。
於一實施形態中，尤其至少含有聚四氟乙烯作為上述氟樹脂。
又，本發明提供一種由上述暫時接著用樹脂形成之暫時接著用樹脂層。
於一實施形態中，本發明之暫時接著用樹脂層於升溫速度10℃/min、大氣環境下、流量200ml/min之條件下自室溫起升溫至200℃為止時之熱分解率為1wt%以下。
於一實施形態中，上述暫時接著用樹脂層為多孔質膜。於一實施形態中，上述暫時接著用樹脂層未經煅燒。於一實施形態中，上述暫時接著用樹脂層經延伸處理。
又，本發明提供一種附暫時接著用樹脂層之硬質基板，其係於對薄膜基板進行加工處理時，將該薄膜基板暫時接著者，且具有成為台座之硬質基板，及設於該硬質基板之至少單面上之上述暫時接著用樹脂層。於一實施形態中，成為上述台座之硬質基板係選自玻璃基板、矽基板、藍寶石基板中。
又，本發明提供一種薄膜基板積層體，其係利用上述暫時接著用樹脂層將薄膜基板與成為台座之硬質基板接合而形成。於一實施形態中，上述成為台座之硬質基板係選自玻璃基板、矽基板、藍寶石基板中之任一種。
進而，本發明提供一種薄膜基板加工處理製程，其特徵在於：其係對薄膜基板進行加工處理者，且至少包含：步驟(1)，其藉由上述暫時接著用樹脂層將該薄膜硬質基板與成為台座之硬質基板接合；步驟(2)，其進行加熱處理及/或化學液處理；及步驟(3)，其將該薄膜基板剝離。
於一實施形態中，上述化學液處理步驟中所使用之化學液係選自氫氟酸、王酸、丙酮、N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)、二甲基亞碸(DMSO)、甲苯、氫氧化鉀水溶液(KOH)、氫氧化四甲基銨水溶液(TMAH)、二乙二醇單丁醚(BGD)、單乙醇胺(MEA)、鋁酸、異丙醇中之至少一種。
本發明之由暫時接著用樹脂形成之暫時接著用樹脂層可正確地固定、搬送薄膜基板，即便通過於加熱條件下(亦包含真空下之加熱)進行之製程及/或化學液浸漬製程，亦使成為產品之薄膜基板不脫落而將其緊緊固定，並無逸氣等問題而不於裝置內產生污染，進而於處理後之剝離步驟中輕剝離且未見污染，故可達成極高之生產良率。
1‧‧‧暫時接著用樹脂層
2‧‧‧硬質基板
3‧‧‧附暫時接著用樹脂層之硬質基板
4‧‧‧薄膜基板
5‧‧‧薄膜基板積層體
6‧‧‧表面處理層
圖1係表示本發明之附暫時接著用樹脂層之硬質基板之一例之概略剖面圖。
圖2係表示本發明之附暫時接著用樹脂層之硬質基板之一例之概略俯視圖。
圖3係表示本發明之薄膜基板積層體之一例之概略剖面圖。
圖4(a)-(d)係表示本發明之薄膜基板加工處理製程之一例之概略步驟圖。
圖5係表示本發明之實施例之耐熱性評價的方法之概略圖。
以下，就本發明之實施形態加以詳細說明。
(暫時接著用樹脂)
本發明之暫時接著用樹脂之特徵在於：至少含有一種以上之氟樹脂。本發明之暫時接著用樹脂可於對薄膜基板進行加工處理時，將該薄膜基板暫時接著於成為台座之硬質基板上時使用。
氟樹脂之耐熱性、耐化學品性、電氣特性等優異，又，逸氣較少等，最適合作為本發明之暫時接著用樹脂。本發明中作為氟樹脂，例如較佳為使用作為完全氟化樹脂之聚四氟乙烯(PTFE)，此外可使用：聚氯三氟乙烯(PCTFE)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚氟乙烯(PVF)等部分氟化樹脂，全氟烷氧基氟樹脂(PFA)、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(FEP)、乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE)、乙烯-三氟氯乙烯共聚物(ECTFE)等氟化樹脂共聚物，含氟丙烯酸系樹脂，氟橡膠等。聚四氟乙烯(PTFE)可於氟樹脂之中以最高溫度使用，又，即便於在超過熔點之溫度下使用之情形時，熔融黏度亦極高。因此，於使用PTFE形成暫時接著用樹脂層(下文說明)之情形時，有可維持該樹脂層之形狀之優點。本發明之暫時接著用樹脂中，可將該等氟樹脂使用一種或混合使用兩種以上。
本發明之暫時接著用樹脂中，尤其可較佳地使用壓縮強度(ASTM D695，1%變形，25℃)為3MPa~14MPa、更佳為4MPa~10MPa之範圍之氟樹脂。若使用此種範圍之氟樹脂，則可形成容易變形之暫時接著用樹脂層(下文說明)。此種暫時接著用樹脂層之接著時之密接性較高，接觸面積較廣，故表現出優異之接著性。
於使用PTFE作為氟樹脂之情形時，該PTFE之原材料之形態可為模製粉、細粉、分散液之任一種，就形成凹凸追隨性優異之暫時接著用樹脂層之觀點而言，較佳為使用模製粉或細粉，尤其就後述加工性 之方面而言，較佳為細粉。
本說明書中，「暫時接著用樹脂」係亦包含暫時接著用樹脂組合物之含意之概念。即，本發明之暫時接著用樹脂可僅由氟樹脂構成，但只要不損及本發明之效果，則亦可進而含有其他成分。作為其他成分，例如可列舉液狀潤滑劑、分散劑(界面活性劑)、玻璃珠、球囊、填料、顏料、溶劑等。於暫時接著用樹脂含有該其他成分之情形時，氟樹脂相對於暫時接著用樹脂之總量(樹脂與其他成分之合計量)之含有比率較佳為5質量%~95質量%，更佳為10質量%~90質量%。另一方面，於暫時接著用樹脂以氟樹脂作為主成分之情形(即，使用不含上述其他成分之暫時接著用樹脂之情形)時，氟樹脂相對於暫時接著用樹脂之總量之含有比率較佳為50質量%以上，更佳為60質量%以上，進而較佳為70質量%以上，尤佳為80質量%以上。
液狀潤滑劑係於對氟樹脂進行後述膏擠壓而形成暫時接著用樹脂層之時使用。又，分散劑係於使氟樹脂分散於溶劑中時調配者，且例如可使用：全氟烷基磺酸鹽、全氟烷基羧酸鹽、全氟烷基四級銨鹽等氟系界面活性劑，聚醚改性矽油、醇改性矽油等矽酮系界面活性劑。具體而言，可使用Nippon Unicar公司製造之矽酮系界面活性劑「L-77」、Roche Applied Science公司製造之非離子系界面活性劑「Triton X-100」等市售品。溶劑係使氟樹脂分散之介質，例如可列舉水、醇類、二甲基乙醯胺(DMAC)或二甲基甲醯胺(DMF)等極性溶劑。
(暫時接著用樹脂層)
本發明中暫時接著用樹脂層係由上述暫時接著用樹脂形成。即，本發明之暫時接著用樹脂層可僅由上述氟樹脂形成，亦可除了氟樹脂以外進而含有其他成分。其製法並無特別限定，可列舉對暫時接著用樹脂進行擠壓成形之方法、噴塗暫時接著樹脂之分散液之方法 等。
本發明中，作為暫時接著用樹脂層，較佳為多孔質膜。又，較佳為未經煅燒(即，加工過程中未經過熔點以上之熱歷程)。又，較佳為經延伸處理。尤其可較佳地使用未經煅燒之PTFE多孔質膜。其通常係藉由延伸法所製造。亦可使用藉由延伸法以外之方法獲得之長條之PTFE多孔質膜。
於此示出使用PTFE作為氟樹脂之情形之延伸處理的具體一例。再者，於對PTFE以外之氟樹脂進行延伸處理之情形時，亦可同樣地處理。首先，對在PTFE細粉中添加液狀潤滑劑而成之膏狀混合物進行預成形。就膏擠壓之容易程度之方面而言，PTFE細粉適合作為PTFE原料。液狀潤滑劑只要可使PTFE細粉之表面濡濕，且可藉由萃取或加熱而去除及可，並無特別限制，例如可使用液態石蠟、石腦油、白油等烴。相對於PTFE細粉100質量份，液狀潤滑劑之添加量較適當為5質量份~50質量份左右。上述預成形係於液狀潤滑劑不被擠出之程度之壓力下進行。
其次，對該預成形體較佳為進行膏擠壓而製作成形體。成形體之形狀只要為可延伸之形狀即可，並無特別限制，例如可為帶、片、管等。成形體之尺寸以設定為藉由後述延伸而PTFE多孔質膜成為所需厚度般之尺寸為宜。又，於製作成形體之階段中，只要藉由常用方法適當去除液狀潤滑劑即可。本發明中，可將如此而獲得之未經延伸之氟樹脂層用作暫時接著樹脂層。
將該成形體於至少單軸方向上進行延伸處理而獲得PTFE多孔質膜。延伸倍率並無特別規定，若考慮延伸不均或延伸時之斷裂等，則延伸倍率較佳為2倍~15倍，更佳為5倍~10倍。延伸溫度亦並無特別規定，通常為未達PTFE之熔點(327℃)(通常為150℃~300℃)。又，亦可於單軸方向上延伸後，對垂直方向進行延伸(即雙軸延伸)。關於 進行雙軸延伸之情形之延伸條件，面積延伸倍率(單軸方向之延伸倍率與垂直於其之方向之延伸倍率之積)較佳為50倍~900倍，更佳為100倍~300倍。
本發明中，較佳之PTFE多孔質膜可於如下條件下進行上述延伸而獲得：於通常240℃~300℃、較佳於270℃~290℃之溫度下，以通常2倍~15倍、較佳為5倍~10倍之倍率進行單軸延伸(縱向延伸)。
於欲實現強度之提高、尺寸穩定性之提高等之情形時，於氟樹脂之熔點以上之溫度(通常為330℃~500℃)下將多孔質膜加熱通常60秒以下，進行煅燒。亦可將延伸溫度設定為氟樹脂之熔點以上之溫度，一面延伸一面煅燒。本發明中，暫時接著用樹脂層可為煅燒品亦可為未煅燒品，就接著性之方面而言，較佳為未煅燒品。
本發明之暫時接著用樹脂層較佳為多孔質膜。藉由使用多孔質膜，有使貼附時之樹脂之變形容易，易獲得充分之密接性之優點。多孔質膜之氣孔率並無特別限定，通常較佳為50%~90%，更佳為60%~85%，進而較佳為65%~80%。於氣孔率未達50%之情形時，有貼附時不易於變形，難以獲得充分之密接力之情形，若氣孔率超過90%，則有難以控制貼附條件而不適性之情形、容易發生液體滲入之情形。再者，多孔質膜之氣孔率可根據{1-(重量[g]/(厚度[cm]×面積[cm2]×氟樹脂之真密度[g/cm3]))}×100(%)之式求出。再者，PTFE樹脂之真密度為2.18[g/cm3]。
本發明中，暫時接著用樹脂層亦可由氟樹脂之分散液而獲得。具體可列舉以下方法：使氟樹脂分散於水或醇中，藉由噴塗或適當之塗佈方法進行塗敷，視需要進行加熱乾燥而形成暫時接著用樹脂層。於藉由暫時接著樹脂之塗佈、塗敷獲得暫時接著樹脂層之情形時，為了提高其強度，亦可加入加熱處理、加壓處理。
又，本發明中，暫時接著用樹脂層亦可藉由以下方式形成：不 使氟樹脂之粉末(細粉)分散於溶劑中而保持粉末狀進行塗佈，進行加熱、加壓處理。
本發明之暫時接著用樹脂層之特徵在於：其包含上述至少含有一種以上之氟樹脂之氟樹脂層，可為僅由單一之氟樹脂層所構成者，或者亦可為複數層氟樹脂層積層而成者。進而，只要不損及本發明之效果，則亦可含有包含氟樹脂以外之樹脂之樹脂層。
本發明中，暫時接著用樹脂層之厚度較佳為0.01μm~20mm，更佳為0.02μm~10mm，進而較佳為0.03μm~2mm，尤佳為0.03μm~1mm。於薄於0.01μm之情形時，難以形成均勻之膜，於厚於20mm之情形時，作為材料之成本增大，故不太佳。
關於本發明之暫時接著用樹脂層，其形態可為片狀、膜狀、帶狀，或者亦可經衝壓加工、切斷加工成任意之形狀。又，尤其於加工成帶狀之情形時，亦可捲繞成卷。又，本發明之暫時接著用樹脂層亦可為塗佈含有氟樹脂之樹脂組合物而形成者。
本發明之暫時接著用樹脂層於升溫速度10℃/min、大氣環境下、流量200ml/min之條件下自室溫起升溫至200℃為止時之熱分解率較佳為1wt%以下。若熱分解率為1wt%以下，則即便於將暫時接著用樹脂層暴露於高溫下之情形(例如於薄膜基板之加工處理時於高溫下使用之情形)時，自該黏著劑層產生之分解物、產生氣體(逸氣)等污染亦減少。若為此種暫時接著用樹脂層，則可防止對加工裝置(例如真空裝置)造成不良壞影響。
進而，於將複數個片狀、膜狀之暫時接著用樹脂層積層之情形時，或者將帶狀之暫時接著用樹脂層捲繞之情形時，有暫時接著樹脂層彼此因直接接觸而自我黏連之情形。為了防止該情況，可於暫時接著用樹脂層之間插入支撐體。藉由插入此種支撐體，亦可防止PTFE多孔質膜之過度變形。
作為支撐體之材質，較佳為樹脂及/或紙。因此，作為支撐體，可較佳地使用樹脂膜、紙、及於紙之至少單面上塗佈有樹脂之複合膜。作為樹脂膜之例，可列舉聚酯膜、聚丙烯膜、聚乙烯膜等。作為紙之例，可列舉銅版紙、塗佈紙等。作為複合膜之例，可列舉於紙上塗佈有上述樹脂膜之樹脂成分者。作為支撐體，就具有適當之強度、厚度之精度較高、PTFE多孔質膜之剝離性較高之方面而言，尤佳為聚酯膜。
作為支撐體之厚度，較佳為15μm~50μm，更佳為25μm~38μm。
(薄膜基板)
作為上述薄膜基板，可使用任意之適當基板。本發明中，作為可用作薄膜基板者，為包含至少一層以上之基板，可為於半導體領域中成為基板之矽或化合物半導體基板、LED中之藍寶石基板或SiC基板、成為MEMS裝置之基礎之矽基板、晶體基板、顯示器領域中之使用鹼石灰或強化玻璃等玻璃基板之TFT基板或被動式矩陣基板、彩色濾光片基板或有機EL面板之基底基板、用於智慧型手機等之表面之玻璃基板或被稱為玻璃代替膜之各種塑膠材料、或者使用以倍半矽氧烷作為主成分之有機或者有機無機混合基板之前蓋玻璃或於該等上安裝有觸控面板之感測器而成之OGS基板、進而最近被稱為可撓性顯示器之玻璃基板或者各種工程塑膠或超級工程塑膠基板或金屬薄膜之任一種，並無任何限定。尤其於可撓性顯示器領域中，可使用含有聚醯亞胺、聚碳酸酯、聚醚碸、聚丙烯酸酯、聚醯胺、聚降烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚醚醚酮、聚醯胺醯亞胺、聚醚醯亞胺、芳族聚醯胺、聚苯硫醚、不鏽鋼箔、FRP(Fiber Reinforced Plastics，纖維強化塑膠)之玻璃纖維基板等。
本發明之薄膜基板不僅為單層，亦可為複數層或多層，又，亦 可為了提高耐磨損性或平滑性而於任一面上設置處理層。
薄膜基板之表面粗糙度並無特別限制，較佳為貼合暫時接著用樹脂層之面相對較平滑，就該方面而言，較佳為Rmax未達100μm，更佳為未達80μm，進而較佳為未達50μm。
關於薄膜基板之厚度，較佳為5μm~10mm，更佳為10μm~5mm，進而較佳為20μm~1mm。若為此種範圍，則可實現輕量、薄膜化，又，最終組裝變容易。
(成為台座之硬質基板)
作為上述硬質基板，可使用任意之適當基板。作為於本發明中用作硬質基板者，可為以下任一種：鹼石灰、強化玻璃等各種玻璃基板；半導體中所使用之矽基板或藍寶石基板；化合物半導體基板；不鏽鋼、高張力鋼等，較佳為選自玻璃基板、矽基板、藍寶石基板中之任一種。又，本發明中，較佳為成為台座之硬質基板及成為標靶之薄膜基板之自室溫起至120℃、較佳為200℃為止之線膨脹係數適配。藉由成為台座之硬質基板及成為薄膜基板之線膨脹係數適配，可控制搬送時之翹曲、彎曲等。
關於硬質基板，只要可確保作為原本之意圖的可保持薄膜基板之剛性，則亦可設置有用以輔助搬送性、剝離性之圖案或微細孔。
硬質基板之厚度較佳為0.01mm~15mm，更佳為0.02mm~10mm，進而較佳為0.03mm~7mm。若硬質基板之厚度為0.01mm~15mm，則於容易保持並搬送、且具有耐衝擊性之方面而言較佳。若滿足保持、耐衝擊性，則於該厚度之範圍內更薄之情況下輕量，故容易搬送而更佳。
(附暫時接著用樹脂層之硬質基板)
參照圖式，對本發明之附暫時接著用樹脂層之硬質基板加以說明。圖1係表示本發明之附暫時接著用樹脂層之硬質基板3之一例之概 略剖面圖。附暫時接著用樹脂層之硬質基板3具有成為台座之硬質基板2、及設於硬質基板2之至少單面上之暫時接著用樹脂層1。暫時接著用樹脂層1之詳細情況如上所述。本發明之附暫時接著用樹脂層之硬質基板可於對薄膜基板進行加工處理時使用。
圖2係表示本發明之附暫時接著用樹脂層之硬質基板3之一例之概略俯視圖，於成為台座之硬質基板2之上表面上，設有4片暫時接著用樹脂層1。硬質基板2之形狀並無特別限定，可為正方形或長方形，亦可加工成任意形狀。其大小亦無特別限定，例如於其形狀為大致長方形之情形時，縱向之長度為10mm~3010mm，橫向之長度為10mm~3010mm左右。又，於其形狀為大致圓形之情形時，其直徑為10mm~450mm左右。
又，關於設於硬質基板2上之暫時接著用樹脂層1之形狀，亦並無特別限定，可為正方形或長方形，亦可加工成任意形狀。其大小亦並無特別限定，例如於其形狀為大致長方形之情形時，縱向之長度為10mm~3010mm，橫向之長度為10mm~3010mm左右。又，於其形狀為大致圓形之情形時，其直徑為10mm~450mm左右。
又，關於設於硬質基板2上之暫時接著用樹脂層1之數量(片數)，亦並無特別限定，可為1片，亦可設置複數片。又，相對於硬質基板2及後述薄膜基板4之暫時接著用樹脂層1之大小並無特別限定，相對於硬質基板2，較佳為同等或更小，相對於薄膜基板4，較佳為同等或更大。於相較於薄膜基板4而暫時接著用樹脂層1較小之情形時，有無法將薄膜基板4充分地固定之虞。另一方面，於相較於薄膜基板4而暫時接著用樹脂層1較大之情形時，除了可獲得充分之接著力之外，可於剝離薄膜基板4之時，藉由自端部揭起暫時接著用樹脂層而更容易且無損傷地剝離薄膜基板4。
為了於硬質基板2上設置暫時接著用樹脂層1，可對硬質基板2貼 附事先製作之暫時接著用樹脂層1，亦可於硬質基板2上塗佈暫時接著用樹脂或暫時接著用樹脂組合物而形成暫時接著用樹脂層1。關於在硬質基板2上貼合暫時接著用樹脂層1之方法，除於於常溫下貼附之方法外，可為進行加熱而貼附之方法，亦可為利用加壓或減壓(例如真空)之貼附。
(薄膜基板積層體)
參照圖式，對本發明之薄膜基板積層體加以說明。圖3係表示薄膜基板積層體5之一例之概略剖面圖。薄膜基板積層體5係利用暫時接著用樹脂層1將薄膜基板4與成為台座之硬質基板2接合而形成。換言之，薄膜基板積層體5中，於成為台座之硬質基板2之單面上設有暫時接著用樹脂層1，進而設有薄膜基板4。薄膜基板4、硬質基板2及暫時接著用樹脂層5之詳細情況如上所述。
薄膜基板4之形狀並無特別限定，可為正方形或長方形，亦可加工成任意形狀。其大小亦並無特別限定，例如於其形狀為大致長方形之情形時，縱向之長度為10mm~3010mm，橫向之長度為10mm~3010mm左右。再者，圖3中，將暫時接著用樹脂層1與薄膜基板4記載為大致相同尺寸之形狀，但暫時接著用樹脂層1亦可設定為較薄膜基板4小，即，暫時接著用樹脂層1亦可設定為較薄膜基板4大，如上所述，暫時接著用樹脂層1相對於薄膜基板4，較佳為同等或更大。
(薄膜基板加工處理製程)
本發明之薄膜基板加工處理製程之特徵在於：其係對薄膜基板進行加工處理者，且至少包含：步驟(1)，其藉由上述暫時接著用樹脂層將該薄膜硬質基板與成為台座之硬質基板接合；步驟(2)，其進行加熱處理及/或化學液處理；及步驟(3)，其將該薄膜基板剝離。
參照圖式，對本發明之薄膜基板加工處理製程加以說明。圖4係 表示薄膜基板加工處理製程之一例之概略步驟圖。該例中，首先如圖4(a)所示，準備附暫時接著用樹脂層之硬質基板3及薄膜基板4。其後，如圖4(b)所示，對設於附暫時接著用樹脂層之硬質基板3之單面上之暫時接著用樹脂層1貼附薄膜基板4而進行接合，藉此製作薄膜基板積層體5(步驟1)。將薄膜基板4貼附於暫時接著用樹脂層1之條件並無特別限定，於室溫~100℃之溫度條件下，於0.001~100MPa之加壓或者高壓釜處理(0.1~10kg/cm2)或者0.1~1×10-8Pa之減壓、真空條件下進行貼附。貼附方法並無特別限定，例如可藉由輥貼合進行壓接，亦可於面彼此間進行貼合後，將殘存於內部之空氣向基板外周部擠壓，亦可一面使成為台座之硬質基板彎曲一面進行貼附。
繼而，對藉由設於附暫時接著用樹脂層之硬質基板3之單面上之暫時接著用樹脂層1固定的薄膜基板4進行加熱處理及/或化學液處理(步驟2)。藉由該加熱處理及/或化學液處理，可如圖4(c)所示，於薄膜基板4之表面(與暫時接著用樹脂層1接合之面之相反面)上形成表面處理層6。
加熱處理例如為於薄膜基板4之表面上進行電路圖案形成、或以放熱為目的之金屬層形成之處理。加熱處理之溫度通常為110℃以上。於一實施形態中，加熱處理之溫度較佳為110℃~350℃，進而較佳為120℃~350℃。若為此種範圍，則可形成特性更高之裝置或構件。又，加熱方法可如烘箱般均勻加熱，亦可為如雷射般以點狀加熱。此外，通常亦常使用氙氣燈等。此外於形成金屬薄膜等之情形時，亦常使用濺鍍、CVD等。加熱處理可於真空條件下，該真空度例如為0.1Pa~1×10-8Pa左右，亦可為0.05Pa~1×10-5Pa左右。
化學液處理例如為進行薄膜基板4之電路圖案層之整面、清洗，或以電路形成為目的之抗蝕劑、以絕緣層形成為目的之無用部分之溶解或剝離之處理。化學液處理所使用之化學液若為通常使用之化學液 及有機溶劑，則無任何限制。具體而言，可較佳地使用氫氟酸、王酸、丙酮、N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)、二甲基亞碸(DMSO)、甲苯、氫氧化鉀水溶液(KOH)、氫氧化四甲基銨水溶液(TMAH)、二乙二醇單丁醚(BGD)、單乙醇胺(MEA)、鋁酸、異丙醇等。又，該等之處理溫度為室溫~100℃，處理時間為10秒~4小時左右。
作為上述步驟(2)中之處理，除了加熱處理及化學液處理之外，亦可選擇任意之適當處理。例如，亦可實施薄膜加工處理、真空處理等處理。
如圖4(d)所示，將形成有表面處理層6之薄膜基板4自附暫時接著用樹脂層之硬質基板3剝離(步驟3)。此時，尤其可於不施加加熱或紫外線照射等外部刺激之情況下剝離。
本發明之薄膜基板加工處理製程中，藉由使用至少含有一種以上之氟樹脂之暫時接著劑層作為暫時接著用樹脂層，可正確地固定、搬送薄膜基板，即便通過於加熱條件下(亦包含真空下之加熱)進行之製程及/或化學液浸漬製程，亦使成為產品之薄膜基板不脫落而加以緊緊固定，且並無逸氣等問題而不於裝置內產生污染，進而於處理後之剝離步驟中輕剝離且未見污染，故可達成極高之生產良率。
[實施例]
以下，對具體揭示本發明之構成及效果之實施例等加以說明，但本發明並不限定於該等。
(實施例1)
使用對PTFE細粉(商品名「Polyflon PTFE F-104」，壓縮強度(ASTM D695，1%變形，25℃)5~6MPa，大金工業公司製造)100重量份添加作為液狀潤滑劑之正十二烷20重量份而成之PTFE組合物，藉由膏擠壓來製作PTFE未延伸片。其次，通過一對金屬輥將所獲得之片狀之混合物壓延成厚度0.51mm，進而藉由150℃之加熱將成形助 劑乾燥去除，獲得PTFE之片成形體。所獲得之PTFE片成形體之厚度為0.50mm。
(實施例2)
使用對PTFE細粉(商品名「Polyflon PTFE F-104」，壓縮強度(ASTM D695，1%變形，25℃)5~6MPa，大金工業公司製造)100重量份添加作為液狀潤滑劑之正十二烷20重量份而成之PTFE組合物，藉由膏擠壓來製作PTFE未延伸片。其次，通過一對金屬輥將所獲得之片狀之混合物壓延成厚度0.20mm，進而藉由150℃之加熱將成形助劑乾燥去除，獲得PTFE之片成形體。將該片於280℃下縱向延伸至5倍，製作經單軸延伸之PTFE多孔質膜。所獲得之PTFE多孔質膜之厚度為130μm，氣孔率為70%。
(實施例3)
使用對PTFE細粉(商品名「Polyflon PTFE F-104」，壓縮強度(ASTM D695，1%變形，25℃)5~6MPa，大金工業公司製造)100重量份添加作為液狀潤滑劑之正十二烷20重量份而成之PTFE組合物，藉由膏擠壓來製作PTFE未延伸片。其次，通過一對金屬輥將所獲得之片狀之混合物壓延成厚度0.20mm，進而藉由150℃之加熱將成形助劑乾燥去除，獲得PTFE之片成形體。將該片於260℃下縱向延伸至20倍後，於150℃下橫向延伸至30倍，製作經雙軸延伸之PTFE多孔質膜。所獲得之PTFE多孔質膜之厚度為10μm，氣孔率為88%。
(比較例1)
對加熱剝離型雙面黏著片(商品名「REVALPHA No.31950E」，200℃發泡型，日東電工公司製造)之單面貼合矽酮系黏著劑層而製作雙面帶。
再者，實施例等之評價項目係如下述般進行測定。將結果示於表1。
<氣孔率>
PTFE多孔質膜之氣孔率係將PTFE樹脂之真密度設為2.18g/cm3，根據{1-(重量[g]/(厚度[cm]×面積[cm2]×真密度[2.18g/cm3]))}×100(%)之式求出。
<耐熱性評價>
利用2kg手壓輥以往返10次之條件將實施例中製作之暫時接著用樹脂層貼附於作為硬質基板之松浪玻璃公司製造之「MICRO SLIDE GLASS S200423」(尺寸65mm×165mm，厚度1.2mm)整個面上。另外，以將同種玻璃截斷成40mm×120mm而成之玻璃片作為薄膜基板，利用2kg手壓輥以往返10次之條件貼附於暫時接著用樹脂層之相反面上。準備該等50片作為評價樣本(參照圖5之俯視圖)。同樣地，關於比較例1之雙面帶，亦貼合於玻璃上，但將發泡黏著劑面設為薄膜基板側。其後，立於支架上，以45度之角度靜置後(參照圖5之側視圖)，投入至180℃之乾燥機中2小時，確認取出後之薄膜基板與暫時接著樹脂之隆起面積。將相對於薄膜基板之總面積產生10%以上隆起者判定為不合格，評價所有樣本之合格率。
<污染性評價>
對上述耐熱性評價後之評價樣本撕拉所貼附之接著樹脂，藉此使該暫時接著樹脂與薄膜基板之邊緣部產生稍許之隆起。其後，以手將薄膜基板剝離。各樣本均於剝離後進行顯微鏡觀察，對10μm以上之由暫時接著用樹脂層引起之異物數進行計數。將於40mm×120mm之範圍內計數到50個以上之情形判定為不合格，評價所有樣本之合格率。
<剝離性評價>
利用與上述耐熱性評價相同之方法，使用松浪玻璃公司製造之厚度550μm之玻璃「MICRO SLIDE GLASS S200423」作為薄膜基 板，貼合經截斷成50mm×50mm者，製成50片之評價樣本。利用與耐熱性評價相同之方法於180℃下進行2小時加熱處理後，進行剝離。將剝離時產生薄膜基板之破裂之樣本判定為不合格，評價所有樣本之合格率。
<熱分解評價>
對於實施例及比較例之暫時接著用樹脂層，使用示差熱分析裝置「TG/DTA220」(SII Nano Technology inc公司製造)，測定200℃下之熱分解率(自室溫起升溫至200℃為止時之熱分解率)及300℃下之熱分解率(自室溫起升溫至300℃為止時之熱分解率)。關於測定條件，於升溫速度10℃/min、大氣環境下、流量為200ml/min之條件下實施。將熱分解率未達0.2wt%之情形評價為○，於0.2wt%~1wt%之情形評價為△，超過1wt%分解之情形評價為×。將熱分解率超過1wt%之情形判斷為不合格。
<耐溶劑性試驗>
以與上述耐熱性評價相同之順序使用實施例及比較例中所製作之暫時接著用樹脂層，製作評價用樣本各100片。
分別使用該樣本各50片，(1)於30℃下於2%KOH水溶液中浸漬30分鐘，(2)於室溫下於丙酮原液中浸漬5分鐘，自端部確認液體滲入之有無。對各樣本逐一利用光學顯微鏡(倍率5倍)確認相對於總密接面積之液體滲入面積，評價液體滲入率=(液體滲入面積/總接著面積)×100(%)。算出50片樣本之液體滲入率之平均值，若平均液侵入率未達1%，則判斷為合格。
使用先前之加熱剝離型黏著劑之比較例1中，尤其是耐熱性、污染性、耐溶劑性之特性劣化顯著，確認到高溫、真空條件下之使用時特性較差。另一方面，使用滿足本發明中所規定之必要條件之暫時接著用樹脂之實施例1~3中，可確認發揮如下之顯著效果：即便於加熱時薄膜硬質基板上亦不產生隆起，由加熱所導致之分解較少而不產生逸氣之問題，耐溶劑性優異，進而加熱後之剝離性良好。

Claims (11)

  1. 一種暫時接著用樹脂層，其係由暫時接著用樹脂形成，該暫時接著用樹脂係於對薄膜基板進行加工處理時，將該薄膜基板暫時接著於成為台座之硬質基板上者，至少含有一種以上之氟樹脂，且作為上述氟樹脂至少含有聚四氟乙烯，且該暫時接著用樹脂層於升溫速度10℃/min、大氣環境下、流量200ml/min之條件下自室溫起升溫至200℃為止時之熱分解率為1wt%以下。
  2. 如請求項1之暫時接著用樹脂層，其係多孔質膜。
  3. 如請求項1或2中任一項之暫時接著用樹脂層，其未經煅燒。
  4. 如請求項1或2中任一項之暫時接著用樹脂層，其經延伸處理。
  5. 如請求項3之暫時接著用樹脂層，其經延伸處理。
  6. 一種附暫時接著用樹脂層之硬質基板，其係於對薄膜基板進行加工處理時，將該薄膜基板暫時接著者，且其具有成為台座之硬質基板、及設於該硬質基板之至少單面上之如請求項1至5中任一項之暫時接著用樹脂層。
  7. 如請求項6之附暫時接著用樹脂層之硬質基板，其中上述成為台座之硬質基板係選自玻璃基板、矽基板、藍寶石基板中之任一種。
  8. 一種薄膜基板積層體，其係利用如請求項1至5中任一項之暫時接著用樹脂層將薄膜基板與成為台座之硬質基板接合而形成。
  9. 如請求項8之薄膜基板積層體，其中上述成為台座之硬質基板係選自玻璃基板、矽基板、藍寶石基板中之任一種。
  10. 一種薄膜基板加工處理製程，其特徵在於：其係對薄膜基板進行加工處理者，且至少包含：步驟(1)，其藉由如請求項1至5中任一項之暫時接著用樹脂層將該薄膜硬質基板與成為台座之硬質基板接合；步驟(2)，其進行加熱處理及/或化學液處理；及步驟(3)，其將該薄膜基板剝離。
  11. 如請求項10之薄膜基板加工處理製程，其中上述化學液處理步驟中所使用之化學液係選自氫氟酸、王酸、丙酮、N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)、二甲基亞碸(DMSO)、甲苯、氫氧化鉀水溶液(KOH)、氫氧化四甲基銨水溶液(TMAH)、二乙二醇單丁醚(BGD)、單乙醇胺(MEA)、鋁酸、異丙醇中之至少一種。
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