TWI660264B - 固態儲存裝置 - Google Patents

Abstract

一種固態儲存裝置包含一機殼、一配線板及一半導體封裝單元。機殼包含一散熱凹槽。配線板固定於機殼內。半導體封裝單元嵌入散熱凹槽內。半導體封裝單元之底面固接該配線板，半導體封裝單元之頂面與側面皆於散熱凹槽內熱連接機殼。

Description

固態儲存裝置

本發明有關於一種固態儲存裝置，尤指一種具有散熱凹槽之固態儲存裝置。

一般而言，固態硬碟(Solid-State Driver，SSD)，具有讀寫速度快、存儲容量大、物理尺寸小與抗震性佳等優點，所以固態硬碟逐漸得到廣泛應用。

然而，由於固態硬碟不斷朝小型化的外型發展，使得內部空間不斷縮小，且其內之控制單元等發熱源必須緊密排列，伴隨而來的散熱問題也日益嚴重，將導致大量工作下之處理單元因為溫度過高而燒毀。

故，如何研發出一種解決方案以改善上述所帶來的缺失及不便，實乃相關業者目前刻不容緩之一重要課題。

本發明之一實施例提供了一種固態儲存裝置。固態儲存裝置包含一機殼、一配線板及一半導體封裝單元。機殼 包含一蓋板、一底蓋與一散熱凹槽。散熱凹槽形成於蓋板上。蓋板蓋合底蓋以共同形成一容置空間。配線板固定於容置空間內。半導體封裝單元嵌入散熱凹槽內，半導體封裝單元具有一頂面、一底面與複數個側面。底面相對頂面、鄰接這些側面且固接配線板。頂面與這些側面皆於散熱凹槽內熱連接機殼。

依據本發明一或複數個實施例，在上述各實施例之固態儲存裝置中，蓋板具有一內表面與一外表面。散熱凹槽形成於蓋板之內表面，且散熱凹槽具有一底壁與複數個內壁面。底壁鄰接這些內壁面，且為這些內壁面所包圍。

依據本發明一或複數個實施例，在上述各實施例之固態儲存裝置中，半導體封裝單元之頂面直接接觸散熱凹槽之底壁，且半導體封裝單元之這些側面分別直接接觸散熱凹槽之這些內壁面。

依據本發明一或複數個實施例，在上述各實施例之固態儲存裝置中，固態儲存裝置更包含一導熱介質。導熱介質具可撓性，位於散熱凹槽內，介於半導體封裝單元與蓋板之間。

依據本發明一或複數個實施例，在上述各實施例之固態儲存裝置中，導熱介質直接接觸半導體封裝單元之頂面與散熱凹槽之底壁，半導體封裝單元之這些側面分別直接接觸散熱凹槽之這些內壁面。

依據本發明一或複數個實施例，在上述各實施例之固態儲存裝置中，導熱介質之一部分直接接觸半導體封裝單元之頂面與散熱凹槽之底壁，導熱介質之另一部分分別直接接 觸半導體封裝單元之這些側面與散熱凹槽之這些內壁面。

依據本發明一或複數個實施例，在上述各實施例之固態儲存裝置中，蓋板具有一內表面與一外表面。內表面與外表面彼此相對。散熱凹槽貫通蓋板，且連接內表面與外表面。散熱凹槽具有複數個內側壁。機殼更包含一導熱片，導熱片覆蓋於蓋板之外表面。

依據本發明一或複數個實施例，在上述各實施例之固態儲存裝置中，半導體封裝單元之這些側面分別直接接觸散熱凹槽之這些內側壁，且導熱片直接接觸半導體封裝單元之頂面。

依據本發明一或複數個實施例，在上述各實施例之固態儲存裝置中，固態儲存裝置更包含一導熱介質。導熱介質具可撓性，位於散熱凹槽內，介於半導體封裝單元與導熱片之間。

依據本發明一或複數個實施例，在上述各實施例之固態儲存裝置中，導熱介質直接接觸半導體封裝單元之頂面與導熱片，半導體封裝單元之側面分別直接接觸散熱凹槽之內側壁。

依據本發明一或複數個實施例，在上述各實施例之固態儲存裝置中，導熱介質還介於半導體封裝單元與蓋板之間。導熱介質之一部分直接接觸半導體封裝單元之頂面與導熱片。導熱介質之另一部分分別直接接觸半導體封裝單元之這些側面與散熱凹槽之這些內側壁。

依據本發明一或複數個實施例，在上述各實施例 之固態儲存裝置中，半導體封裝單元至少部分地位於散熱凹槽內。

如此，藉由以上實施例所述架構，不僅能夠提高散熱效率，進而改善系統穩定度及延長產品壽命，更能有效降低整體厚度。

以上所述僅係用以闡述本發明所欲解決的問題、解決問題的技術手段、及其產生的功效等等，本發明之具體細節將在下文的實施例及相關圖式中詳細介紹。

10、11、12、13、14、15、16‧‧‧固態儲存裝置

100‧‧‧機殼

110‧‧‧蓋板

111‧‧‧內表面

112‧‧‧外表面

113‧‧‧厚度

114‧‧‧外凸緣

120‧‧‧底蓋

130‧‧‧容置空間

140‧‧‧散熱凹槽

141‧‧‧底壁

142‧‧‧內壁面

143‧‧‧深度

150‧‧‧散熱凹槽

151‧‧‧內側壁

152‧‧‧深度

160‧‧‧第一散熱凹槽

170‧‧‧第二散熱凹槽

180‧‧‧第三散熱凹槽

200‧‧‧配線板

300‧‧‧半導體封裝單元

301‧‧‧主控晶片

302‧‧‧隨機存取記憶體單元

303‧‧‧快閃記憶體單元

310‧‧‧頂面

320‧‧‧底面

330‧‧‧側面

340‧‧‧厚度

350‧‧‧焊接單元

400‧‧‧導熱片

401‧‧‧厚度

500‧‧‧第一導熱介質

600‧‧‧第二導熱介質

610‧‧‧一部分

620‧‧‧另一部分

700‧‧‧第三導熱介質

800‧‧‧第四導熱介質

810‧‧‧一部分

820‧‧‧另一部分

B‧‧‧螺栓

為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：第1圖繪示本發明第一實施例之固態儲存裝置的示意圖；第2圖繪示第1圖的固態儲存裝置的分解圖；第3圖繪示第2圖的蓋板的上視圖；第4圖繪示本發明第二實施例之固態儲存裝置的示意圖；第5圖繪示本發明第三實施例之固態儲存裝置的示意圖；第6圖繪示本發明第四實施例之固態儲存裝置的示意圖；第7圖繪示第6圖的固態儲存裝置的分解圖；第8圖繪示本發明第五實施例之固態儲存裝置的示意圖；第9圖繪示本發明第六實施例之固態儲存裝置的示意圖；以及第10圖繪示本發明第七實施例之固態儲存裝置的分解圖。

以下將以圖式揭露本發明之複數個實施例，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明實施例中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。

第一實施例

第1圖繪示本發明第一實施例之固態儲存裝置10的示意圖。第2圖繪示第1圖的固態儲存裝置10的分解圖。如第1圖與第2圖所示，在本實施例中，固態儲存裝置10包含一機殼100、一配線板200及至少一半導體封裝單元300。機殼100包含一蓋板110、一底蓋120與至少一散熱凹槽140。蓋板110能夠與底蓋120相互蓋合，使得蓋板110與底蓋120之間共同形成一容置空間130。配線板200固定於容置空間130內，例如，配線板200透過螺栓B鎖固於底蓋120上，然而，本發明不限於此。散熱凹槽140形成於蓋板110上。半導體封裝單元300位於機殼100內，一方面固接於配線板200之一面，另一方面嵌入於散熱凹槽140內。

具體來說，半導體封裝單元300具有一頂面310、一底面320與複數個側面330。底面320相對頂面310配置，底面320透過焊接單元350(例如焊球陣列)焊接於配線板200之一面上。頂面310與底面320分別鄰接這些側面330。這些側面330分別位於頂面310與底面320之間，且共同圍繞頂面310與 底面320。當蓋板110覆蓋配線板200時，位於散熱凹槽140內的半導體封裝單元300之頂面310與這些側面330皆於散熱凹槽140內熱連接機殼100。

如此，由於半導體封裝單元300之頂面310與所有側面330皆於散熱凹槽140內熱連接機殼100，不僅提供更多的導熱路徑，以提高散熱效率，進而改善系統穩定度及延長產品壽命，還能有效降低固態儲存裝置10的整體厚度。

在本實施例中，具體來說，蓋板110呈板狀，具有一內表面111與一外表面112。內表面111大致呈平面狀，且內表面111相對外表面112配置。散熱凹槽140形成於蓋板110之內表面111，且從內表面111朝外表面112之方向凹陷，換句話說，散熱凹槽140為一種盲孔。更具體地，散熱凹槽140具有一底壁141與複數個內壁面142。這些內壁面142共同包圍底壁141，且分別鄰接底壁141。當配線板200覆蓋至蓋板110之內表面111時，半導體封裝單元300伸入散熱凹槽140內，使得半導體封裝單元300之頂面310直接接觸散熱凹槽140之底壁141，且半導體封裝單元300之這些側面330分別直接接觸散熱凹槽140之這些內壁面142。較佳地，半導體封裝單元300之頂面310之全部面積直接貼合且接觸散熱凹槽140之底壁141，且每個側面330之全部面積直接貼合且接觸散熱凹槽140之其中一內壁面142。此外，蓋板110之材料為鋁或銅金屬或其他高導熱材料。然而，本發明不限於此。

第3圖繪示第2圖的蓋板110的上視圖。如第2圖與第3圖所示，在本實施例中，蓋板110具有外凸緣114，外凸緣 114圍繞內表面111與散熱凹槽140，用以結合至底蓋120上。散熱凹槽140之開口大小大致等於半導體封裝單元300之面積大小，且散熱凹槽140之深度143大致等於半導體封裝單元300之厚度340。由於半導體封裝單元300之體積與散熱凹槽140之容積相同，半導體封裝單元300能夠匹配地完全嵌入散熱凹槽140內。換句話說，半導體封裝單元300之頂面310恰好重疊散熱凹槽140之底壁141，且半導體封裝單元300之這些側面330分別恰好重疊散熱凹槽140之這些內壁面142。然而，本發明不限於此，其他實施例中，半導體封裝單元也可能只有一部分位於散熱凹槽內，使得另部分凸出於散熱凹槽之外。在本實施例中，半導體封裝單元300之厚度340小於蓋板110之厚度113，然而，本發明不限於此。

此外，在一模擬測試中，不具本實施例之技術特徵之習知固態儲存裝置的模擬溫度高達115.2℃，反觀，本實施例中之固態儲存裝置10的模擬溫度只有108.8℃。

需定義的是，本發明所述之半導體封裝單元300包含一或多個半導體元件、銲球及封膠體(圖中未示)。半導體元件電性連接銲球。封膠體密封半導體元件並露出銲球，以保護半導體元件。

第二實施例

第4圖繪示本發明第二實施例之固態儲存裝置11的示意圖。第4圖之固態儲存裝置11與第1圖之固態儲存裝置10大致雷同，相同的部件沿用相同的符號，第4圖之固態儲存裝置11與第1圖之固態儲存裝置10差別在於：固態儲存裝置11更包含 一第一導熱介質500。第一導熱介質500具可撓性，位於散熱凹槽140內，直接介於半導體封裝單元300與蓋板110之間，且第一導熱介質500只位於半導體封裝單元300之頂面310與散熱凹槽140之底壁141之間，其一面覆蓋半導體封裝單元300之頂面310，另面覆蓋散熱凹槽140之底壁141。

具體來說，第一導熱介質500直接接觸半導體封裝單元300之頂面310以及散熱凹槽140之底壁141與這些內壁面142，且半導體封裝單元300之這些側面330仍舊分別直接接觸散熱凹槽140之這些內壁面142。較佳地，第一導熱介質500之一面直接貼合且接觸半導體封裝單元300之頂面310的全部面積，第一導熱介質500之另面直接貼合且接觸散熱凹槽140之底壁141的全部面積。第一導熱介質500例如為導熱橡膠片或導熱膏。

此外，在一模擬測試中，不具本實施例之技術特徵之習知固態儲存裝置的模擬溫度高達115.2℃，反觀，本實施例中之固態儲存裝置11的模擬溫度只有110℃。

如此，無論半導體封裝單元300之頂面310與散熱凹槽140之底壁141能否匹配地貼合，由於第一導熱介質500具有可撓性，第一導熱介質500得以受形變而分別依附半導體封裝單元300之頂面310之表面與散熱凹槽140之底壁141之表面，故，半導體封裝單元300的熱能仍可從半導體封裝單元300的頂面310透過第一導熱介質500被傳遞至機殼100，以提高熱傳遞效率。

第三實施例

第5圖繪示本發明第三實施例之固態儲存裝置12的示意圖。第5圖之固態儲存裝置12與第1圖之固態儲存裝置10大致雷同，相同的部件沿用相同的符號，第5圖之固態儲存裝置12與第1圖之固態儲存裝置10差別在於：固態儲存裝置12更包含一第二導熱介質600。第二導熱介質600具可撓性，位於散熱凹槽140內，包覆半導體封裝單元300之頂面310與這些側面330，並且第二導熱介質600位於半導體封裝單元300之頂面310與散熱凹槽140之底壁141之間，以及位於半導體封裝單元300之這些側面330與散熱凹槽140之這些內壁面142之間。

具體來說，第二導熱介質600之一部分610直接接觸半導體封裝單元300之頂面310與散熱凹槽140之底壁141，第二導熱介質600之另一部分620分別直接接觸半導體封裝單元300之這些側面330與散熱凹槽140之這些內壁面142。較佳地，第二導熱介質600之一部分610直接貼合且接觸半導體封裝單元300之頂面310之全部面積與散熱凹槽140之底壁141之全部面積，第二導熱介質600之另一部分620分別直接貼合且接觸半導體封裝單元300之每個側面330之全部面積與散熱凹槽140之每個內壁面142之全部面積。第二導熱介質600例如為導熱橡膠片或導熱膏。

此外，在一模擬測試中，不具本實施例之技術特徵之習知固態儲存裝置的模擬溫度高達115.2℃，反觀，本實施例中之固態儲存裝置12的模擬溫度只有105.1℃。

如此，無論半導體封裝單元300之頂面310與散熱凹槽140之底壁141能否匹配地貼合，以及半導體封裝單元300 之側面330與散熱凹槽140之內壁面142能否匹配地貼合，由於第二導熱介質600具有可撓性，第二導熱介質600得以受形變而分別依附半導體封裝單元300之頂面310之表面與散熱凹槽140之底壁141之表面，以及導體封裝單元300之側面330之表面與散熱凹槽140之內壁面142之表面。故，半導體封裝單元300的熱能仍可從半導體封裝單元300的頂面310以及每個側面330透過第二導熱介質600被傳遞至機殼100，以提高熱傳遞效率。

第四實施例

第6圖繪示本發明第四實施例之固態儲存裝置13的示意圖。第7圖繪示第6圖的固態儲存裝置13的分解圖。第6圖之固態儲存裝置13與第1圖之固態儲存裝置10大致雷同，相同的部件沿用相同的符號，第6圖之固態儲存裝置13與第1圖之固態儲存裝置10差別在於：散熱凹槽150為貫孔而非盲孔。機殼100更包含一導熱片400，導熱片400同時覆蓋蓋板110與散熱凹槽150。半導體封裝單元300之頂面310與這些側面330皆於散熱凹槽150內分別熱連接導熱片400與機殼100。

具體來說，蓋板110呈板狀，具有一內表面111與一外表面112。內表面111相對外表面112配置。散熱凹槽150貫通蓋板110，且連接內表面111與外表面112。更具體地，散熱凹槽150內具有複數個內側壁151。這些內側壁151共同圍繞以形成用以容置半導體封裝單元300之空間。導熱片400呈薄片狀，且導熱片400覆蓋於蓋板110之外表面112。故，當配線板200依附至蓋板110之內表面111時，半導體封裝單元300伸 入散熱凹槽150內，使得半導體封裝單元300之頂面310直接接觸導熱片400，且半導體封裝單元300之這些側面330分別直接接觸散熱凹槽150之這些內側壁151。較佳地，半導體封裝單元300之頂面310之全部面積直接貼合且接觸導熱片400，每一側面330之全部面積直接貼合且接觸散熱凹槽150之其中一內側壁151。

在本實施例中，散熱凹槽150之開口大小大致等於半導體封裝單元300之面積大小，且散熱凹槽150之深度152大致等於蓋板110之厚度113與半導體封裝單元300之厚度340。由於半導體封裝單元300之體積與散熱凹槽150之容積相同，半導體封裝單元300匹配地嵌入散熱凹槽150內。換句話說，半導體封裝單元300之頂面310恰好貼合導熱片400，且半導體封裝單元300之這些側面330分別恰好重疊散熱凹槽150之這些內側壁151。然而，本發明不限於此，其他實施例中，半導體封裝單元也可能只有一部分位於散熱凹槽內，使得另部分凸出於散熱凹槽之外，但仍受導熱片覆蓋。

在本實施例中，導熱片400之面積大小大致等於蓋板110之外表面112的面積大小。例如，導熱片400之厚度401大致為1毫米，然而，本發明不限於此。此外，蓋板110之材料為金屬或其他高導熱材料，導熱片400之材料為金屬或其他高導熱材料，較佳地，導熱片400之導熱係優於蓋板110之導熱係數，然而，本發明不限於此。

在一模擬測試中，不具本實施例之技術特徵之習知固態儲存裝置的模擬溫度高達115.2℃，反觀，本實施例中 之固態儲存裝置13的模擬溫度只有108.8℃。

第五實施例

第8圖繪示本發明第五實施例之固態儲存裝置14的示意圖。第8圖之固態儲存裝置14與第6圖之固態儲存裝置13大致雷同，相同的部件沿用相同的符號，第8圖之固態儲存裝置14與第6圖之固態儲存裝置13差別在於：固態儲存裝置14更包含一第三導熱介質700。第三導熱介質700具可撓性，位於散熱凹槽150內，直接介於半導體封裝單元300與導熱片400之間，第三導熱介質700只位於半導體封裝單元300之頂面310與導熱片400之間，其一面覆蓋半導體封裝單元300之頂面310，另面覆蓋導熱片400。

具體來說，第三導熱介質700直接接觸半導體封裝單元300之頂面310、導熱片400與散熱凹槽150之這些內側壁151。半導體封裝單元300之這些側面330分別直接接觸散熱凹槽150之這些內側壁151。較佳地，第三導熱介質700之一面直接貼合且接觸半導體封裝單元300之頂面310的全部面積，第三導熱介質700之另面直接貼合且接觸導熱片400。第三導熱介質700例如為導熱橡膠片或導熱膏。

此外，在一模擬測試中，不具本實施例之技術特徵之習知固態儲存裝置的模擬溫度高達115.2℃，反觀，本實施例中之固態儲存裝置13的模擬溫度只有101.2℃。

如此，無論半導體封裝單元300之頂面310與導熱片400能否匹配地貼合，由於第三導熱介質700具有可撓性，第三導熱介質700得以受形變而分別依附半導體封裝單元300 之頂面310之表面與導熱片400之表面，故，半導體封裝單元300的熱能仍可從半導體封裝單元300的頂面310透過第三導熱介質700被傳遞至導熱片400與機殼100，以提高熱傳遞效率。

第六實施例

第9圖繪示本發明第六實施例之固態儲存裝置15的示意圖。第9圖之固態儲存裝置15與第6圖之固態儲存裝置13大致雷同，相同的部件沿用相同的符號，第9圖之固態儲存裝置15與第6圖之固態儲存裝置13差別在於：固態儲存裝置15更包含一第四導熱介質800。第四導熱介質800具可撓性，位於散熱凹槽150內，包覆半導體封裝單元300之頂面310與這些側面330，並且第四導熱介質800位於半導體封裝單元300之頂面310與導熱片400之間，以及位於半導體封裝單元300之這些側面330與散熱凹槽150之這些內側壁151之間。

具體來說，第四導熱介質800之一部分810直接接觸半導體封裝單元300之頂面310與導熱片400，第四導熱介質800之另一部分820分別直接接觸半導體封裝單元300之這些側面330與散熱凹槽150之這些內側壁151。較佳地，第四導熱介質800之一部分810直接貼合且接觸半導體封裝單元300之頂面310之全部與導熱片400，第四導熱介質800之另一部分820分別直接貼合且接觸半導體封裝單元300之每個側面330之全部與散熱凹槽150之每個內側壁151之全部。第四導熱介質800例如為導熱橡膠片或導熱膏。

此外，在一模擬測試中，不具本實施例之技術特 徵之習知固態儲存裝置的模擬溫度高達115.2℃，反觀，本實施例中之固態儲存裝置15的模擬溫度只有101.3℃。

如此，無論半導體封裝單元300之頂面310與導熱片400能否匹配地貼合，以及半導體封裝單元300之側面330與散熱凹槽150之內側壁151能否匹配地貼合，由於第四導熱介質800具有可撓性，第四導熱介質800得以受形變而分別依附半導體封裝單元300之頂面310之表面與導熱片400之表面以及導體封裝單元300之側面330之表面與散熱凹槽140之內側壁151之表面。故，半導體封裝單元300的熱能仍可從半導體封裝單元300的頂面310以及每個側面330透過第四導熱介質800被傳遞至機殼100與導熱片400，以提高熱傳遞效率。

第七實施例

第10圖繪示本發明第七實施例之固態儲存裝置16的分解圖。第10圖之固態儲存裝置16可沿用上述各實施例之固態儲存裝置10~15，相同的部件沿用相同的符號，第10圖之固態儲存裝置16與上述各實施例之固態儲存裝置10~15差別在於：在第七實施例中，半導體封裝單元與散熱凹槽不限只為一組，且半導體封裝單元不限為一主控晶片或一記憶體單元。

舉例來說，固態儲存裝置16包含一主控晶片301、一隨機存取記憶體單元302(如雙倍數據率同步動態隨機存取記憶體，DDR SDRAM)與一快閃記憶體單元303(如NAND FLASH)。主控晶片301、隨機存取記憶體單元302與快閃記憶體單元303分別銲接於配線板200，且蓋板110之內表面111分別凹設有第一散熱凹槽160、第二散熱凹槽170與第三散熱凹 槽180。故，當蓋板110覆蓋配線板200時，主控晶片301、隨機存取記憶體單元302與快閃記憶體單元303分別匹配地嵌入第一散熱凹槽160、第二散熱凹槽170與第三散熱凹槽180內，分別熱連接機殼100之蓋板110。

最後，上述所揭露之各實施例中，並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，皆可被保護於本發明中。因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (11)

1. 一種固態儲存裝置，包含：一機殼，包含一蓋板、一底蓋與一散熱凹槽，該蓋板具有一內表面與一外表面，該散熱凹槽形成於該蓋板之該內表面上，該蓋板蓋合該底蓋以共同形成一容置空間，該散熱凹槽具有一底壁與複數個內壁面，該底壁鄰接該些內壁面，且為該些內壁面所包圍；一配線板，固定於該容置空間內；以及一半導體封裝單元，嵌入該散熱凹槽內，該半導體封裝單元具有一頂面、一底面與複數個側面，該底面相對該頂面、鄰接該些側面且固接該配線板，該頂面與該些側面皆於該散熱凹槽內熱連接該機殼。
2. 如請求項1所述之固態儲存裝置，其中該半導體封裝單元之該頂面直接接觸該散熱凹槽之該底壁，且該半導體封裝單元之該些側面分別直接接觸該散熱凹槽之該些內壁面。
3. 如請求項1所述之固態儲存裝置，更包含：一導熱介質，具可撓性，位於該散熱凹槽內，介於該半導體封裝單元與該蓋板之間。
4. 如請求項3所述之固態儲存裝置，其中該導熱介質直接接觸該半導體封裝單元之該頂面與該散熱凹槽之該底壁，該半導體封裝單元之該些側面分別直接接觸該散熱凹槽之該些內壁面。
5. 如請求項3所述之固態儲存裝置，其中該導熱介質之一部分直接接觸該半導體封裝單元之該頂面與該散熱凹槽之該底壁，該導熱介質之另一部分分別直接接觸該半導體封裝單元之該些側面與該散熱凹槽之該些內壁面。
6. 一種固態儲存裝置，包含：一機殼，包含一蓋板、一底蓋、一導熱片與一散熱凹槽，該蓋板蓋合該底蓋以共同形成一容置空間，該蓋板具有彼此相對之一內表面與一外表面，該散熱凹槽貫通該蓋板，且連接該內表面與該外表面，該散熱凹槽具有複數個內側壁，該導熱片覆蓋該蓋板之該外表面與該散熱凹槽；一配線板，固定於該容置空間內；以及一半導體封裝單元，嵌入該散熱凹槽內，該半導體封裝單元具有一頂面、一底面與複數個側面，該底面相對該頂面、鄰接該些側面且固接該配線板，該頂面與該些側面皆於該散熱凹槽內熱連接該機殼。
7. 如請求項6所述之固態儲存裝置，其中該半導體封裝單元之該些側面分別直接接觸該散熱凹槽之該些內側壁，且該導熱片直接接觸該半導體封裝單元之該頂面。
8. 如請求項6所述之固態儲存裝置，更包含：一導熱介質，具可撓性，位於該散熱凹槽內，介於該半導體封裝單元與該導熱片之間。
9. 如請求項8所述之固態儲存裝置，其中該導熱介質直接接觸該半導體封裝單元之該頂面與該導熱片，該半導體封裝單元之該些側面分別直接接觸該散熱凹槽之該些內側壁。
10. 如請求項8所述之固態儲存裝置，其中該導熱介質還介於該半導體封裝單元與該蓋板之間，該導熱介質之一部分直接接觸該半導體封裝單元之該頂面與該導熱片，該導熱介質之另一部分分別直接接觸該半導體封裝單元之該些側面與該散熱凹槽之該些內側壁。
11. 如請求項1或6所述之固態儲存裝置，其中該半導體封裝單元至少部分地位於該散熱凹槽內。