TWI659451B - 金屬氧化物膜的製造方法、金屬氧化物膜、薄膜電晶體、薄膜電晶體的製造方法及電子元件 - Google Patents

金屬氧化物膜的製造方法、金屬氧化物膜、薄膜電晶體、薄膜電晶體的製造方法及電子元件 Download PDF

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Abstract

本發明是一種金屬氧化物膜的製造方法及其應用，所述金屬氧化物膜的製造方法包括：塗佈步驟，藉由噴墨法將包含金屬硝酸鹽及溶劑的溶液供至經加熱的狀態的基板上而形成塗佈膜；轉化步驟，藉由在氧氣濃度為80000 ppm以下的環境下對塗佈膜進行紫外線照射而轉化為金屬氧化物膜。

Description

金屬氧化物膜的製造方法、金屬氧化物膜、薄膜電晶體、薄膜電晶體的製造方法及電子元件
本發明是有關於一種金屬氧化物膜的製造方法、金屬氧化物膜、薄膜電晶體、薄膜電晶體的製造方法及電子元件。
金屬氧化物半導體膜在藉由真空成膜法的製造中進行實用化，目前受到關注。
另一方面，積極地進行關於藉由液相製程的金屬氧化物半導體膜的製作的研究開發，所述液相製程的目的是簡便地在低溫、大氣壓下形成具有高的半導體特性的金屬氧化物半導體膜。
特別是在液相製程中，亦可在必要的場所形成必要的膜，並且在形成後不需要圖案化，因此噴墨法受到關注。
例如在日本專利特開2010-283002號公報中揭示如下的方法：藉由噴墨法塗佈包含金屬鹽的溶液而形成金屬氧化物半導體。硝酸鹽由於廉價且在低溫下可形成緻密的金屬氧化物膜，因此可適合用於溶液製程。
在日本專利特開2013-21289號公報中揭示如下的方法：藉由噴墨法將包含金屬鹽的溶液塗佈於基板上，在使其乾燥後進行煅燒，藉此製造金屬氧化物膜。
另外，在日本專利特開2010-182852號公報及日本專利特開2010-171237號公報中揭示如下的方法：將金屬氧化物半導體前驅物的溶液或分散液塗佈於基板上而形成金屬氧化物半導體前驅物膜後，藉由UV(紫外線)臭氧法等轉化為金屬氧化物半導體膜。
另一方面，在藉由噴墨法形成膜時，容易產生所謂的咖啡漬現象，亦即由於塗佈膜的乾燥速度的差異而膜的中心部凹陷而端部隆起的形狀(凹形形狀)。例如在「應用材料界面(Appl.Mater.Interfaces)」2013,5,3916-3920中報告，在藉由噴墨法塗佈銀奈米粒子油墨而形成銀電極時，在噴墨塗佈後的乾燥時，在低濕度下由於咖啡漬現象而塗佈膜成為凹形形狀，在高濕度下成為凸形形狀。
在藉由噴墨法塗佈包含金屬鹽的塗佈液後，經過乾燥、加熱等步驟形成金屬氧化物半導體膜，來作為薄膜電晶體的半導體層時，由於咖啡漬現象而厚度不均容易變大，且厚度不均成為電特性(遷移率或電導度)降低的主要原因。
例如亦認為應用「應用材料界面(Appl.Mater. Interfaces)」2013,5,3916-3920所記載的方法，在藉由噴墨法的塗佈後，控制乾燥時的環境(濕度)，但難以藉由乾燥時的濕度的控制來控制厚度不均。
另外，在日本專利特開2010-283002號公報、日本專利特開2013-21289號公報、日本專利特開2010-182852號公報或日本專利特開2010-171237號公報所揭示的方法中，在藉由噴墨法形成塗佈膜後，藉由大氣中的加熱或UV照射而轉化為金屬氧化物膜，但即便藉由該些方法形成半導體層而製作薄膜電晶體，亦無法獲得具有高遷移率的薄膜電晶體。
本發明的目的是提供一種可簡便地製造厚度不均小、且電特性優異的金屬氧化物膜的金屬氧化物膜的製造方法、以及電特性優異的金屬氧化物膜、薄膜電晶體、薄膜電晶體的製造方法及電子元件。
為了達成所述目的，而提供以下的發明。
<1>一種金屬氧化物膜的製造方法，其包括：塗佈步驟，藉由噴墨法將包含金屬硝酸鹽及溶劑的溶液供至經加熱的狀態的基板上而形成塗佈膜；轉化步驟，藉由在氧氣濃度為80000ppm以下的環境下對塗佈膜進行紫外線照射而轉化為金屬氧化物膜。
<2>如<1>所記載的金屬氧化物膜的製造方法，其中金屬硝酸鹽包含硝酸銦。
<3>如<1>或<2>所記載的金屬氧化物膜的製造方法，其中在塗佈步驟中，基板加熱至溶劑的沸點以上的溫度。
<4>如<1>至<3>中任一項所記載的金屬氧化物膜的製造方法，其中溶劑為甲氧基乙醇。
<5>如<1>至<3>中任一項所記載的金屬氧化物膜的製造方法，其中溶劑為甲醇。
<6>如<1>至<5>中任一項所記載的金屬氧化物膜的製造方法，其中紫外線包含波長300nm以下的光。
<7>如<1>至<6>中任一項所記載的金屬氧化物膜的製造方法，其中在轉化步驟中，在將基板加熱的狀態下進行紫外線照射。
<8>如<1>至<7>中任一項所記載的金屬氧化物膜的製造方法，其中在塗佈步驟前包括：對基板的形成塗佈膜之側的面進行表面處理的步驟。
<9>如<8>所記載的金屬氧化物膜的製造方法，其中作為表面處理，進行紫外線臭氧處理、氬電漿處理、或氮電漿處理。
<10>一種金屬氧化物膜，其藉由如<1>至<9>中任一項所記載的金屬氧化物膜的製造方法而製造。
<11>如<10>所記載的金屬氧化物膜，其為半導體膜。
<12>如<10>所記載的金屬氧化物膜，其為導電膜。
<13>一種薄膜電晶體的製造方法，其包括：藉由如<1>至<9>中任一項所記載的金屬氧化物膜的製造方法形成金屬氧化 物膜而製作氧化物半導體層的步驟。
<14>一種薄膜電晶體，其具備如<10>所記載的金屬氧化物膜。
<15>一種電子元件，其具有如<14>所記載的薄膜電晶體。
根據本發明，提供一種可簡便地製造厚度不均小、且電特性優異的金屬氧化物膜的金屬氧化物膜的製造方法、以及電特性優異的金屬氧化物膜、薄膜電晶體、薄膜電晶體的製造方法及電子元件。
10‧‧‧TFT(薄膜電晶體)
10a‧‧‧驅動用TFT
10b‧‧‧開關用TFT
12‧‧‧基板
14‧‧‧半導體層(活性層)
16‧‧‧源極電極
18‧‧‧汲極電極
20‧‧‧閘極絕緣膜
22‧‧‧閘極電極
30、40、50‧‧‧TFT
100‧‧‧液晶顯示裝置
102、202、216‧‧‧鈍化層
104‧‧‧畫素下部電極
106‧‧‧對向上部電極
108‧‧‧液晶層
110‧‧‧彩色濾光片
112、220、320‧‧‧閘極配線
112a、112b‧‧‧偏光板
114、222、322‧‧‧資料配線
116、318‧‧‧接觸孔
118、226、310‧‧‧電容器
200‧‧‧有機EL顯示裝置
208‧‧‧下部電極
210、306‧‧‧上部電極
212‧‧‧有機發光層
214‧‧‧有機EL發光元件
224‧‧‧驅動配線
300‧‧‧X射線感測器
302‧‧‧電荷收集用電極
304‧‧‧X射線轉換層
308‧‧‧鈍化膜
312‧‧‧電容器用下部電極
314‧‧‧電容器用上部電極
316‧‧‧絕緣膜
圖1是表示藉由本發明而製造的薄膜電晶體的一例(頂部閘極-頂接觸型)的構成的概略圖。
圖2是表示藉由本發明而製造的薄膜電晶體的一例(頂部閘極-底接觸型)的構成的概略圖。
圖3是表示藉由本發明而製造的薄膜電晶體的一例(底部閘極-頂接觸型)的構成的概略圖。
圖4是表示藉由本發明而製造的薄膜電晶體的一例(底部閘極-底接觸型)的構成的概略圖。
圖5是表示實施形態的液晶顯示裝置的一部分的概略剖面圖。
圖6是圖5所示的液晶顯示裝置的電配線的概略構成圖。
圖7是表示實施形態的有機電致發光(Electroluminescence，EL)顯示裝置的一部分的概略剖面圖。
圖8是圖7所示的有機EL顯示裝置的電配線的概略構成圖。
圖9是表示實施形態的X射線感測器陣列的一部分的概略剖面圖。
圖10是圖9所示的X射線感測器陣列的電配線的概略構成圖。
圖11是表示實施例1~實施例4及比較例1中所製作的簡易型薄膜電晶體(Thin-Film Transistor，TFT)的Vg-Id特性的圖。
圖12是俯視比較例1中所製作的TFT的半導體層的電子顯微鏡照片。
圖13是觀察圖12所示的半導體層的緣部(A部位)的剖面的電子顯微鏡照片。
圖14是觀察圖12所示的半導體層的中央部(B部位)的剖面的電子顯微鏡照片。
以下，一邊參照隨附的圖式，一邊對本發明進行具體的說明。
另外，圖中，對具有同一或對應的功能的構件(構成要素)給予相同的符號，而適當省略說明。另外，在本說明書中在藉由「~」的符號表示數值範圍時，包括所記載的數值作為下限值及上限值。
<金屬氧化物膜的製造方法>
本案揭示的金屬氧化物膜的製造方法包括如下步驟而構成：塗佈步驟，藉由噴墨法將包含金屬硝酸鹽及溶劑的溶液供至經加熱的狀態的基板上而形成塗佈膜；轉化步驟，藉由在氧氣濃度為80000ppm以下的環境下對塗佈膜進行紫外線照射而轉化為金屬氧化物膜。
(塗佈步驟)
藉由噴墨法將包含金屬硝酸鹽及溶劑的溶液(金屬硝酸鹽溶液)供至經加熱的狀態的基板上而形成塗佈膜。
-金屬硝酸鹽溶液-
本案揭示中所用的金屬硝酸鹽溶液是例如準備特定量的金屬硝酸鹽等溶質，以成為特定濃度的方式添加溶劑，進行攪拌、溶解而獲得。關於進行攪拌的時間，若溶質充分地溶解，則並無特別限制。另外，金屬硝酸鹽亦可為水合物。
金屬硝酸鹽溶液可包含其他含有金屬的化合物。作為含有金屬的化合物，可列舉：金屬硝酸鹽以外的金屬鹽、金屬鹵化物、有機金屬化合物。
作為金屬硝酸鹽以外的金屬鹽，可列舉：硫酸鹽、磷酸鹽、碳酸鹽、乙酸鹽、草酸鹽等，作為金屬鹵化物，可列舉：氯化物、碘化物、溴化物等，作為有機金屬化合物，可列舉：金屬烷氧化物、有機酸鹽、金屬β-二酮酸鹽等。
金屬硝酸鹽溶液較佳為至少包含硝酸銦。藉由使用硝酸 銦，而可容易地形成含有銦的氧化物膜，並可獲得高的電導性。另外，在將金屬氧化物前驅物膜轉化為金屬氧化物膜的步驟中照射紫外線時，硝酸銦因紫外光而效率佳地分解，而可容易地形成含有銦的氧化物膜。
金屬硝酸鹽溶液較佳為包含：含有選自鋅、錫、鎵、及鋁的一種以上金屬元素作為銦以外的金屬元素的化合物(含有金屬的化合物)。藉由包含適量的銦以外的所述金屬元素，而在形成氧化物半導體膜作為薄膜電晶體的半導體層時，可將所得的氧化物半導體膜的臨界值電壓控制為所期望的值，且可謀求膜的電穩定性的提高。
作為包含銦與銦以外的金屬元素的氧化物半導體或氧化物導電體，可列舉：In-Ga-Zn-O、In-Zn-O、In-Ga-O、In-Sn-O、In-Sn-Zn-O等。
溶液中的金屬硝酸鹽的濃度只要根據溶液的黏度、目標膜厚、電特性等進行選擇即可，溶液中的銦的含量較佳為溶液中所含的金屬成分的50atom%以上。藉由使用包含所述濃度範圍的銦的溶液，而可獲得膜中的金屬成分的50atom%以上成為銦的金屬氧化物膜，可製造電特性優異的金屬氧化物膜。
溶液中的金屬成分的濃度(包含多種金屬時為各金屬的含有莫耳分率的總和)，可根據黏度或欲獲得的膜厚任意地進行選擇，就金屬氧化物膜的平坦性及生產性的觀點而言，溶液中的金屬成分的濃度較佳為0.01mol/L以上、1.0mol/L以下，更佳為0.01 mol/L以上、0.5mol/L以下。
金屬硝酸鹽溶液所用的溶劑若為溶解所用的金屬硝酸鹽、進而根據需要而添加的其他含有金屬的化合物的溶劑，則並無特別限制，可列舉：水、醇溶劑(甲醇、乙醇、丙醇、乙二醇等)、醯胺溶劑(N,N-二甲基甲醯胺等)、酮溶劑(丙酮、N-甲基吡咯啶酮、環丁碸、N,N-二甲基咪唑啶酮等)、醚溶劑(四氫呋喃、甲氧基乙醇等)、腈溶劑(乙腈等)、其他所述以外的含有雜原子的溶劑等。
特別是就溶解性、塗佈性、沸點的觀點而言，可適合地使用甲醇、甲氧基乙醇。
-基板-
本案揭示中形成金屬氧化物膜的基板的形狀、結構、大小等並無特別限制，可根據目的進行適當選擇。
例如基板的結構可為單層結構，亦可為積層結構。
作為基板，可使用：包含玻璃或氧化釔穩定化氧化鋯(YSZ，Yttria-Stabilized Zirconia)等無機材料、樹脂、樹脂複合材料等的基板。其中，就輕量的方面、具有可撓性的方面而言，較佳為包含樹脂或樹脂複合材料的基板。具體可使用：包含聚對苯二甲酸丁二酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸丁二酯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚碸、聚醚碸、聚芳酯、烯丙基二甘醇碳酸酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚吲哚、聚苯硫醚、聚環烯烴、降冰片烯樹脂、聚氯三 氟乙烯等氟樹脂、液晶聚合物、丙烯酸系樹脂、環氧樹脂、矽酮樹脂、離子聚合物樹脂、氰酸酯樹脂、交聯反丁烯二酸二酯、環狀聚烯烴、芳香族醚、順丁烯二醯亞胺-烯烴、纖維素、環硫化合物等合成樹脂的基板，包含已述的合成樹脂等與氧化矽粒子的複合塑膠材料的基板，包含已述的合成樹脂等與金屬奈米粒子、無機氧化物奈米粒子或無機氮化物奈米粒子等的複合塑膠材料的基板，包含已述的合成樹脂等與碳纖維或碳奈米管的複合塑膠材料的基板，包含已述的合成樹脂等與玻璃碎片、玻璃纖維或玻璃珠的複合塑膠材料的基板，包含已述的合成樹脂等與黏土礦物或具有雲母派生結晶結構的粒子的複合塑膠材料的基板，在薄玻璃與已述的任一種合成樹脂之間具有至少一個接合界面的積層塑膠基板，包含藉由交替積層無機層與有機層(已述的合成樹脂)而具有至少一個接合界面的具有阻隔性能的複合材料的基板，不鏽鋼基板或將不鏽鋼與不同種金屬積層的金屬多層基板，鋁基板或藉由對表面實施氧化處理(例如陽極氧化處理)而提高表面的絕緣性的附有氧化皮膜的鋁基板，附有氧化膜的矽基板等。
作為樹脂基板，較佳為耐熱性、尺寸穩定性、耐溶劑(solvent)性、電絕緣性、加工性、低通氣性、及低吸濕性等優異。樹脂基板可具備：用以防止水分或氧氣透過的氣體阻隔層、或用以提高樹脂基板的平坦性或與下部電極的密接性的底塗層等。
另外，在基板上可具備下部電極、或絕緣膜，此時，在 基板上的下部電極或絕緣膜上形成本案揭示的金屬氧化物膜。
-表面處理-
在將基板加熱的狀態下藉由噴墨法塗佈金屬硝酸鹽溶液，但在塗佈步驟前亦可包括：對基板的形成塗佈膜之側的面進行表面處理的步驟。例如在製造薄膜電晶體時，若自閘極絕緣膜的形成後在室內環境下長時間放置，則有可能在絕緣膜的表面因水分、碳、有機成分等的污染而對電晶體特性造成不良影響(運作穩定性)。因此，作為將金屬硝酸鹽溶液塗佈於基板的預處理，較佳為對基板進行用以除去水分或污垢的表面處理。作為基板的表面處理，可列舉：紫外線(UV)臭氧處理、氬電漿處理、氮電漿處理等。
作為UV臭氧處理，例如使用UV臭氧處理裝置(傑立特公司(Jelight-company-Inc)製造的144AX-100型)，在下述的條件及波長下進行1分鐘~3分鐘左右。
．條件：大氣壓、空氣中
．波長：254nm(30mW/cm2)、185nm(3.3mW/cm2)
-藉由噴墨法的塗佈-
根據需要對基板進行UV臭氧處理後，在將基板加熱的狀態下藉由噴墨法塗佈金屬硝酸鹽溶液。
基板的加熱溫度根據基板的耐熱性、所塗佈的金屬硝酸鹽溶液中所含的溶劑、目標厚度不均等而選擇，較佳為設為金屬硝酸鹽溶液中所含的溶劑的沸點以上。包含半導體膜的活性層特 別是厚度不均容易對電特性造成不良影響，但在加熱至溶劑的沸點以上的基板上藉由噴墨法噴出溶液，並在與落下時大體相同的時間進行乾燥，藉此可謀求抑制製程時間的縮短與塗佈膜的厚度不均，並可在下一轉化步驟中形成電特性提高的半導體膜。
另外，本發明並不限於活性層，亦適合於活性層以外的具有導電性的膜的形成。例如圖3所示的底部閘極型TFT的構成具有在基板12上積層閘極電極22、閘極絕緣膜20、活性層14、及源極電極16、汲極電極18的構成，繼而在TFT上形成通道保護層、層間絕緣膜等。因此，例如在藉由噴墨形成閘極電極22時，在因咖啡漬現象而閘極電極22的厚度不均大時，繼而形成的閘極絕緣膜20的覆蓋範圍或因咖啡漬形狀引起的絕緣特性的降低、短路等產生的可能性變高。但是，根據本案揭示，藉由形成閘極電極22而厚度不均變小，可抑制絕緣特性的降低或短路等的產生。另外，藉由在其他結構的TFT中的源‧汲極電極或閘極電極的形成中應用本案揭示而抑制厚度不均，並且抑制對上層的影響，因此可獲得同樣的效果。
關於基板的加熱溫度，例如在金屬硝酸鹽溶液所含的溶劑為甲醇(沸點：64.7℃)時，較佳為約65℃以上，為甲氧基乙醇(沸點：124℃)時，較佳為約125℃以上，且設為各基板的耐熱溫度以下，例如在使用樹脂基板時設為軟化點以下即可。
另外，若基板的表面溫度過高，則金屬硝酸鹽溶液的液滴噴出至基板上時，有形狀混亂的可能性，並且，加熱所需要的能量 成本亦上升，因此基板的表面溫度較佳為溶劑的沸點+20℃以下，更佳為溶劑的沸點+10℃以下。另外，基板的溫度是藉由附有熱電偶的Si晶圓測定基板的表面溫度。
基板的加熱時間並無限制，只要考慮基板的熱傳導即可。另外，基板的加熱方法並無限制，可配置於將基板加熱的平台上，亦可設置與平台不同的加熱器，還可進行燈加熱。就縮短加熱時間的觀點而言，較佳為基板直接與加熱部接觸。
另外，塗佈步驟中的環境並無特別限定，就排除水分或氧氣的溶液以外的影響的觀點而言，較佳為惰性氣體環境(氮氣、氬氣等)。
在將基板的表面加熱至目標溫度的狀態下，藉由噴墨法塗佈金屬硝酸鹽溶液。藉由預先將基板加熱至較佳為溶劑的沸點以上，而形成於基板上的塗佈液中的溶劑快速地揮發，隨著轉化後所形成的半導體膜的形狀確定，而抑制厚度不均。
根據噴墨法，無須進行光微影製程，而可在必要的部位形成塗佈膜。
另外，根據噴墨法，亦可應對使用可撓性基板時的製程中的因熱因素引起的圖案對準的偏差，可藉由預先確認形成位置而以高的精度形成塗佈膜。
另外，在本發明中，由於在將基板加熱的狀態下藉由噴墨法塗佈溶液，因此金屬硝酸鹽溶液的液滴的噴出與乾燥大致同時進行，在塗佈後無須另外進行乾燥步驟。
另外，若在藉由噴墨法進行圖案化後，進行整個基板的乾燥步驟，則有溶劑(solvent)一點一點地揮發，而難以控制形狀的可能性。另外，亦有塗佈前與塗佈後的圖案精度惡化的可能性。
另外，若在藉由噴墨進行圖案化後，不進行乾燥步驟而在加熱下進行UV照射，則有膜破損的擔憂。
另一方面，在本發明中，由於在將基板加熱的狀態下藉由噴墨法進行塗佈，因此可在最先塗佈的部分與最後塗佈的部分形成尺寸(特別是厚度)的均勻性高的圖案。
(轉化步驟)
在將基板加熱的狀態下藉由噴墨法塗佈金屬硝酸鹽溶液而形成塗佈膜後，在氧氣濃度為80000ppm以下的環境下(以下有時稱為「低氧氣濃度環境下」)對塗佈膜進行紫外線照射，藉此轉化為金屬氧化物膜。
藉由在低氧氣濃度環境下對塗佈膜進行紫外線照射，而可在更低溫下轉化為金屬氧化物膜，並且可形成電特性優異的導體膜或半導體膜。
作為紫外線的光源，可列舉：UV燈或雷射，就藉由廉價的設備大面積地均勻地進行紫外線照射的觀點而言，較佳為UV燈。
作為UV燈，例如可列舉：準分子燈、氘燈、低壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、金屬鹵化物燈、氦燈、碳弧燈、鎘燈、無電極放電燈等，特別是若使用低壓水銀燈，則容易由前驅 物膜轉化為氧化物膜，因此較佳。紫外線的光源亦可為波長266nm的雷射光。
在轉化步驟中，較佳為以10mW/cm2以上的照度對金屬氧化物前驅物膜的膜面照射包含波長300nm以下的光的紫外光。藉由以10mW/cm2以上的照度照射300nm以下的波長範圍的紫外光，而可在更短的時間內由金屬氧化物前驅物膜轉化為金屬氧化物膜。
轉化步驟中的紫外線照射是在氧氣濃度為80000ppm(8%)以下的低氧氣濃度環境下進行。
藉由在氧氣濃度為80000ppm以下的低氧氣濃度環境下對基板上的塗佈膜進行UV照射，而容易控制氧化物半導體的載子密度，並獲得高的電子傳遞特性的金屬氧化物膜。就提高電子傳遞特性的觀點而言，進行所述紫外線照射的環境中的氧氣濃度較佳為30000ppm以下(3%以下)。
另外，作為將紫外線照射時的環境中的氧氣濃度調整為80000ppm以下的方法，例如可列舉：調整供給至處理室內的氮氣等惰性氣體的流速的方法，所述處理室對基板上的金屬氧化物前驅物膜進行加熱及紫外線照射；調整供給至處理室內的氣體中的氧氣濃度的方法；預先將處理室內抽成真空，並於其中填充所期望的氧氣濃度的氣體的方法等。
在轉化步驟中，在低氧氣濃度環境下對基板上的塗佈膜進行UV照射時，可在將基板加熱的狀態下進行紫外線照射。若 進行UV照射與基板的加熱，則會在更短時間內轉化為金屬氧化物膜，並可縮短處理時間。
在轉化步驟中將基板加熱進行UV照射時，較佳為加熱至基板的最高到達溫度為120℃以上。若基板的最高到達溫度為120℃以上，則容易獲得緻密的金屬氧化物膜。
另一方面，若將轉化步驟中的基板溫度保持為200℃以下，則可抑制熱能量的增大而將製造成本抑制在低的水準，並且在耐熱性低的樹脂基板中的應用變得容易。
轉化步驟中對基板的加熱方法並無特別限定，只要自加熱板加熱、電爐加熱、紅外線加熱、微波加熱等中進行選擇即可。
紫外線處理時的基板溫度可使用來自所用的紫外線燈的輻射熱，亦可藉由加熱器等控制基板的溫度。在使用來自紫外線燈的輻射熱時，可藉由調整燈-基板間距離或燈輸出而進行控制。
紫外線照射時間雖然亦取決於紫外線的照度，但就生產性的觀點而言，較佳為5秒鐘以上、120分鐘以下。
另外，根據本案揭示而製造的金屬氧化物膜的膜厚並無特別限定，只要根據用途進行選擇即可，在根據本案揭示而形成薄膜電晶體的半導體層時，膜厚較佳為50nm以下，更佳為約10nm左右。
經過以上的步驟，可容易地製造具有導體或半導體特性的金屬氧化物膜。
本案揭示的金屬氧化物膜的製造方法可在200℃以下的低溫 製程中簡便地獲得具有導體或半導體特性的金屬氧化物膜。另外，就無須使用大規模的真空裝置的方面、可使用耐熱性低的廉價的樹脂基板的方面、原料廉價的方面等而言，可大幅降低元件的製作成本。
另外，本案揭示的金屬氧化物膜的製造方法由於亦可應用於耐熱性低的樹脂基板，因此可廉價地製作可撓性顯示器等可撓性電子元件。
另外，藉由使用本案揭示的金屬氧化物膜的製造方法而可形成厚度不均小、且電特性優異的導電膜或半導體膜，例如可廉價地製作製程適應性優異且表現出電子遷移率高的電特性的半導體器件。
<薄膜電晶體>
在本案揭示中，由於可製造厚度不均小、且表現出導電性或半導體性的金屬氧化物膜，因此本案揭示的金屬氧化物膜的製造方法可適合用於薄膜電晶體(TFT)的電極(源極電極、汲極電極、或閘極電極)或氧化物半導體層(活性層)的形成。
以下，主要對將本案揭示的金屬氧化物膜的製造方法應用於TFT的半導體層(氧化物半導體膜)的形成的形態進行說明，但本發明並不限定於TFT的半導體層的形成。
本案揭示的TFT的器件結構並無特別限定，可為基於閘極電極的位置的所謂的逆交錯結構(亦稱為底部閘極型)及交錯結構(亦稱為頂部閘極型)的任一種形態。另外，亦可為基於半 導體層與源極電極及汲極電極(適當稱為「源‧汲極電極」)的接觸部分的所謂的頂接觸型、底接觸型的任一種形態。
所謂頂部閘極型，是在將形成有TFT的基板設為最下層時，在閘極絕緣膜的上側配置閘極電極，在閘極絕緣膜的下側形成半導體層的形態，所謂底部閘極型，是在閘極絕緣膜的下側配置閘極電極，在閘極絕緣膜的上側形成半導體層的形態。另外，所謂底接觸型，是源‧汲極電極較半導體層先形成而半導體層的下表面與源‧汲極電極接觸的形態，所謂頂接觸型，是半導體層較源‧汲極電極先形成而半導體層的上表面與源‧汲極電極接觸的形態。
圖1是表示頂部閘極結構且頂接觸型的本案揭示的TFT的一例的示意圖。在圖1所示的TFT 10中，在基板12的一個主面上積層作為半導體層14的所述氧化物半導體膜。並且在半導體層14上彼此隔開設置源極電極16及汲極電極18，繼而依序積層閘極絕緣膜20、及閘極電極22。
圖2是表示頂部閘極結構且底接觸型的本案揭示的TFT的一例的示意圖。在圖2所示的TFT 30中，在基板12的一個主面上彼此隔開設置源極電極16及汲極電極18。並且依序積層作為半導體層14的所述氧化物半導體膜、閘極絕緣膜20、及閘極電極22。
圖3是表示底部閘極結構且頂接觸型的本案揭示的TFT的一例的示意圖。在圖3所示的TFT 40中，在基板12的一個主面上依序積層閘極電極22、閘極絕緣膜20、及作為半導體層14 的所述氧化物半導體膜。並且，在半導體層14的表面上彼此隔開設置源極電極16及汲極電極18。
圖4是表示底部閘極結構且底接觸型的本案揭示的TFT的一例的示意圖。在圖4所示的TFT 50中，在基板12的一個主面上依序積層閘極電極22、及閘極絕緣膜20。並且在閘極絕緣膜20的表面上彼此隔開設置源極電極16及汲極電極18，繼而積層作為半導體層14的所述氧化物半導體膜。
作為以下的實施形態，主要對圖1所示的頂部閘極型的薄膜電晶體10進行說明，但本案揭示的薄膜電晶體並不限定於頂部閘極型，亦可為底部閘極型的薄膜電晶體。
(基板)
關於形成TFT的基板的形狀、結構、大小等，並無特別限制，例如可根據目的自所述基板中適當選擇。
另外，本案揭示中所用的基板的厚度並無特別限制，較佳為50μm以上、500μm以下。
若基板的厚度為50μm以上，則基板自身的平坦性進一步提高。另外，若基板的厚度為500μm以下，則基板自身的可撓性進一步提高，並且更容易用作可撓性元件用基板。另外，例如在可撓性元件的製作製程中，亦可為在暫時固著於玻璃基板的可撓性基板上形成薄膜電晶體後，自玻璃基板剝離可撓性基板的形態。
(半導體層)
在製造本實施形態的薄膜電晶體10時，根據需要對基板12 的形成TFT之側的面進行UV臭氧處理後，在將基板12加熱的狀態下，藉由噴墨法將金屬硝酸鹽溶液塗佈成半導體層的形狀而形成塗佈膜，繼而在氧氣濃度為80000ppm以下的環境中進行紫外線照射而使塗佈膜轉化為金屬氧化物半導體膜。
就平坦性及膜形成所需要的時間的觀點而言，半導體層14的厚度較佳為5nm以上、50nm以下。
(保護層)
在半導體層14上較佳為形成在源極電極16、汲極電極18的蝕刻時用以保護半導體層14的保護層(未圖示)。保護層的成膜方法並無特別限定，只要繼金屬氧化物半導體膜進行成膜即可。
作為保護層，較佳為絕緣體，構成保護層的材料可為無機材料，亦可為如樹脂般的有機材料。另外，保護層亦可在源極電極16及汲極電極18(適當記為「源‧汲極電極」)的形成後除去。
(源‧汲極電極)
在由金屬氧化物半導體膜形成的半導體層14上形成源極電極16、汲極電極18。源極電極16、汲極電極18分別可使用發揮出作為電極的功能的具有高的導電性的材料，例如Al、Mo、Cr、Ta、Ti、Ag、Au等金屬，Al-Nd、Ag合金、氧化錫、氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide，IZO)、In-Ga-Zn-O等金屬氧化物導電膜等而形成。
在形成源極電極16、汲極電極18時，考慮到與所使用的材料的適應性，根據自印刷方式、塗佈方式等濕式方式，真空 蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍敷法等物理性方式，化學氣相沈積(Chemical Vapor Deposition，CVD)、電漿CVD法等化學性方式等中適當選擇的方法進行成膜即可。
若考慮到成膜性、藉由蝕刻或剝離法的圖案化性、導電性等，源極電極16、汲極電極18的膜厚較佳為設為10nm以上、1000nm以下，更佳為設為50nm以上、100nm以下。
源極電極16、汲極電極18可在形成導電膜後，例如藉由蝕刻或剝離法而圖案化為特定的形狀而形成，亦可藉由噴墨法等而直接形成圖案。此時，較佳為將源極電極16、汲極電極18及與該些電極連接的配線(未圖示)同時圖案化。
(閘極絕緣膜)
在形成源極電極16、汲極電極18及配線(未圖示)後，形成閘極絕緣膜20。閘極絕緣膜20較佳為具有高的絕緣性的材料，例如可設為SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、Y2O3、Ta2O5、HfO2等的絕緣膜、或包含兩種以上的該些化合物的絕緣膜，可為單層結構，亦可為積層結構。
考慮到與所使用的材料的適應性，閘極絕緣膜20的形成根據自印刷方式、塗佈方式等濕式方式，真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍敷法等物理性方式，CVD、電漿CVD法等化學性方式等中適當選擇的方法進行成膜即可。閘極絕緣膜20若具有閘極絕緣特性，則可為有機絕緣膜亦可為無機絕緣膜。
另外，閘極絕緣膜20必須具有用以降低洩漏電流及提 高耐電壓性的厚度，另一方面，若閘極絕緣膜20的厚度過大，則導致驅動電壓上升。閘極絕緣膜20雖然亦取決於材質，但閘極絕緣膜20的厚度較佳為10nm~10μm，更佳為50nm~1000nm，特佳為100nm~400nm。
(閘極電極)
在形成閘極絕緣膜20後，形成閘極電極22。閘極電極22可使用具有高的導電性的材料，例如Al、Cu、Mo、Cr、Ta、Ti、Ag、Au等金屬，Al-Nd、Ag合金、氧化錫、氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、In-Ga-Zn-O等金屬氧化物導電膜等而形成。作為閘極電極22，可使用該些導電膜製成單層結構或二層以上的積層結構。
考慮到與所使用的材料的適應性，閘極電極22根據自印刷方式、塗佈方式等濕式方式，真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍敷法等物理性方式，CVD、電漿CVD法等化學性方式等中適當選擇的方法進行成膜。
若考慮到成膜性、藉由蝕刻或剝離法的圖案化性、導電性等，用以形成閘極電極22的金屬膜的膜厚較佳為設為10nm以上、1000nm以下，更佳為設為50nm以上、200nm以下。
在成膜後，藉由蝕刻或剝離法圖案化為特定的形狀，藉此可形成閘極電極22，亦可藉由噴墨法、印刷法等而直接形成圖案。此時，較佳為將閘極電極22及閘極配線(未圖示)同時圖案化。
以上所說明的本實施形態的薄膜電晶體10的用途並無 特別限定，可在低溫下製作具有高的傳輸特性的薄膜電晶體，因此亦可應用於各種電子元件、特別是可撓性的電子元件的製作。具體而言，適合於製作液晶顯示裝置、有機電致發光(Electro Luminescence，EL)顯示裝置、無機EL顯示裝置等顯示裝置中的驅動器件、使用耐熱性低的樹脂基板的可撓性顯示器。
而且，根據本案揭示而製造的薄膜電晶體適合用作X射線感測器、影像感測器等各種感測器、微機電系統(Micro Electro Mechanical System，MEMS)等各種電子元件中的驅動器件(驅動電路)。
<液晶顯示裝置>
關於作為本發明的一個實施形態的液晶顯示裝置，圖5表示一部分的概略剖面圖，圖6表示電配線的概略構成圖。
如圖5所示般，本實施形態的液晶顯示裝置100是如下的構成，具備：圖1所示的頂部閘極結構且頂接觸型的TFT 10；液晶層108，其在由TFT 10的鈍化層102保護的閘極電極22上由畫素下部電極104及對向上部電極106夾持；R(紅)G(綠)B(藍)的彩色濾光片110，其與各畫素對應而用以使不同的色發色；並且在TFT 10的基板12側及RGB彩色濾光片110上分別具備偏光板112a、偏光板112b。
另外，如圖6所示般，本實施形態的液晶顯示裝置100具備：彼此平行的多條閘極配線112、與閘極配線112交叉且彼此平行的資料配線114。此處，閘極配線112與資料配線114電性絕 緣。在閘極配線112與資料配線114的交叉部附近具備TFT 10。
TFT 10的閘極電極22與閘極配線112連接，TFT 10的源極電極16與資料配線114連接。另外，TFT 10的汲極電極18經由設置於閘極絕緣膜20的接觸孔116(在接觸孔116中埋入導電體)而與畫素下部電極104連接。畫素下部電極104與接地的對向上部電極106一起構成電容器118。
<有機EL顯示裝置>
關於本發明的一個實施形態的主動矩陣方式的有機EL顯示裝置，圖7表示一部分的概略剖面圖，圖8表示電配線的概略構成圖。
本實施形態的主動矩陣方式的有機EL顯示裝置200成為如下的構成：在具備鈍化層202的基板12上具備圖1所示的頂部閘極結構的TFT 10作為驅動用TFT 10a及開關用TFT 10b，在TFT 10a、TFT 10b上具備包含由下部電極208及上部電極210夾持的有機發光層212的有機EL發光元件214，上表面亦藉由鈍化層216保護。
另外，如圖8所示般，本實施形態的有機EL顯示裝置200具備：彼此平行的多條閘極配線220、與閘極配線220交叉且彼此平行的資料配線222及驅動配線224。此處，閘極配線220與資料配線222、驅動配線224電性絕緣。開關用TFT 10b的閘極電極22與閘極配線220連接，開關用TFT 10b的源極電極16與資料配線222連接。另外，開關用TFT 10b的汲極電極18與驅動 用TFT 10a的閘極電極22連接，並且藉由使用電容器226而將驅動用TFT 10a保持為接通狀態。驅動用TFT 10a的源極電極16與驅動配線224連接，汲極電極18與有機EL發光元件214連接。
另外，在圖7所示的有機EL顯示裝置中，可將上部電極210設為透明電極而製成頂部發光型，亦可藉由將下部電極208及TFT的各電極設為透明電極而製成底部發光型。
<X射線感測器>
關於作為本發明的一個實施形態的X射線感測器，圖9表示一部分的概略剖面圖，圖10表示電配線的概略構成圖。
本實施形態的X射線感測器300具備：形成於基板12上的TFT 10及電容器310、形成於電容器310上的電荷收集用電極302、X射線轉換層304、上部電極306而構成。在TFT 10上設置有鈍化膜308。
電容器310成為由電容器用下部電極312與電容器用上部電極314夾持絕緣膜316的結構。電容器用上部電極314經由設置於絕緣膜316的接觸孔318，而與TFT 10的源極電極16及汲極電極18的任一電極(圖9中為汲極電極18)連接。
電荷收集用電極302設置於電容器310中的電容器用上部電極314上，並與電容器用上部電極314接觸。
X射線轉換層304為包含非晶硒的層，覆蓋TFT 10及電容器310而設置。
上部電極306設置於X射線轉換層304上，並與X射線轉換 層304接觸。
如圖10所示般，本實施形態的X射線感測器300具備：彼此平行的多條閘極配線320、與閘極配線320交叉且彼此平行的多條資料配線322。此處，閘極配線320與資料配線322電性絕緣。在閘極配線320與資料配線322的交叉部附近具備TFT 10。
TFT 10的閘極電極22與閘極配線320連接，TFT 10的源極電極16與資料配線322連接。另外，TFT 10的汲極電極18與電荷收集用電極302連接，而且電荷收集用電極302與電容器310連接。
在本實施形態的X射線感測器300中，在圖9中X射線自上部電極306側入射而在X射線轉換層304中生成電子-電洞對。預先藉由上部電極306對X射線轉換層304施加高電場，藉此所生成的電荷儲存在電容器310中，藉由依序掃描TFT 10而讀出。
另外，在所述實施形態的液晶顯示裝置100、有機EL顯示裝置200、及X射線感測器300中，具備頂部閘極結構的TFT，但並不限定於頂部閘極結構的TFT，亦可為圖2~圖4所示的結構的TFT。
[實施例]
以下說明實施例，但本發明並不受以下實施例的任何限定。
另外，為了表現出本案的效果，而藉由簡便的構成確認效果。
<實施例1>
(金屬硝酸鹽溶液)
使硝酸銦(In(NO3)3．xH2O、純度：4N、高純度化學研究所公司製造)溶解於2-甲氧基乙醇(試劑特級、沸點：124℃、和光純藥工業公司製造)中，而製備硝酸銦濃度為0.5mol/L的溶液。
基板使用附有熱氧化膜(膜厚100nm)的p型Si基板。閘極電極為p型Si，閘極絕緣膜為熱氧化膜Si。
在藉由噴墨噴出硝酸銦溶液前，使用UV臭氧處理裝置(傑立特公司製造的144AX-100型)，對基板進行約3分鐘的UV臭氧處理。
(塗佈步驟)
噴墨裝置使用富士軟片(Fujifilm)公司製造的材料印表機DMP-2831。所述噴墨裝置可獨立地對墨盒與平台進行溫度調整，墨盒設為室溫25℃。另一方面，以可在更高溫度下對平台上的基板進行加熱的方式，在基板平台上設置安裝有矽橡膠加熱器可加熱至60度以上的機構。溫度校正藉由附有熱電偶的Si晶圓進行，以成為準確的基板表面溫度的方式進行調整。
在設定為60℃的平台上配置基板，加熱5分鐘後，藉由噴墨(有時簡記為「IJ」)在基板上形成長度約3mm的線狀塗佈膜。
(轉化步驟)
繼而，在控制了氧氣濃度的環境下對藉由噴墨而形成的塗佈 膜進行紫外線照射。
作為UV照射裝置，使用歐庫製作所(ORC MANUFACTURING)公司製造的VUE-3400-F。所述UV照射裝置具備基板加熱機構(最大300℃)、氣體(N2、O2)導入埠(port)、UV照射機構(低壓水銀燈：峰值波長254nm)。
下述表示轉化步驟中的條件。
基板加熱溫度：150℃(經過溫度校正：附有熱電偶的TC晶圓)
峰值波長：254nm
照射功率：20mW/cm2(藉由歐庫製作所公司製造的UV-M10進行測量)
照射時間：30分鐘
環境：N2、1atm(1013.25hPa)
在將樣品設置於UV照射裝置內的平台上之前，將平台預先加熱至150℃，在平台溫度到達150℃後，將樣品配置於平台上。
繼而，自N2導入埠以10L/min的量流通約5分鐘後，開始UV照射。另外，在UV照射中亦繼續流通N2。經過UV照射設定時間的30分鐘後，自裝置內取出樣品。
繼而，在半導體膜上形成源‧汲極電極。此處，為了簡便地製作TFT，且藉由光微影等排除對半導體膜的影響，而使用具有源‧汲極電極用1mm見方的兩個孔(距離0.2mm)的金屬 遮罩，根據下述條件將Ti濺鍍成膜為約50nm的厚度而形成源‧汲極電極。
裝置：優貝克(ULVAC)公司製造的MPS-6000C
到達真空度：2×10-5Pa
成膜壓力：0.25Pa
投入電力：DC100W
成膜時間：8分鐘
藉由利用Ti成膜形成源‧汲極電極，而完成底部閘極型的簡易型TFT。
<實施例2~實施例4>
以表1所示的方式變更塗佈步驟中的基板表面溫度，除此以外，以與實施例1相同的方式，製作TFT。
<比較例1>
不將基板加熱，除此以外，以與實施例1相同的方式，進行塗佈步驟後，藉由加熱板在60℃下進行1分鐘乾燥。乾燥後，以與實施例1相同的方式，進行轉化步驟。
<比較例2>
不將基板加熱，除此以外，以與實施例1相同的方式，進行塗佈步驟，不進行乾燥而進行轉化步驟。在轉化步驟中，由於樣品的塗佈膜產生龜裂，因此無法進行以後的評價(表1中記載為「NG」)。推測比較例2中的塗佈膜的龜裂是由於藉由噴墨形成的塗佈膜無法充分乾燥的狀態下的加熱及UV照射而產生。
[評價]
(電特性)
使用半導體參數分析儀4156C(安捷倫科技(Agilent Technologies)公司製造)，對所述實施例及比較例中所製作的TFT，進行電晶體特性(Vg-Id特性)的測定。
Vg-Id特性的測定是藉由將汲極電壓(Vd)固定為+1V，使閘極電壓(Vg)在-15V~+15V的範圍內變化，測定各閘極電壓的汲極電流(Id)而進行，並藉由作為TFT的重要特性的遷移率算出。將電晶體特性表示於圖11，將根據圖11算出的遷移率表示於表1。
根據圖11、表1，與比較例1相比，實施例1~實施例4中表現出電晶體特性的遷移率上升，可確認到特性提高。
(膜厚)
藉由穿透式電子顯微鏡(日立H-9000NAR)對所製作的TFT中的半導體層的膜厚進行觀察而測定。圖12表示比較例1中所製作的TFT的顯微鏡照片。以同等程度的濃度觀察到時，可認為同等程度的厚度。在圖12中，在半導體層的兩緣部與中心部濃度不同，兩緣部的顏色深，在中心部，下層的熱氧化膜(黑色)透明可見。所述情況可知，由於半導體層的膜厚的差異，與兩緣部相比，中心部變薄。
為了實際確認膜厚，而藉由穿透式電子顯微鏡(日立H-9000NAR)對圖12中的半導體層的緣部(A部位)、中央部(B 部位)的各剖面進行觀測。A部位表示於圖13，B部位表示於圖14。
半導體層的A部位的膜厚為約30nm，B部位的膜厚為約2nm。另外，在A部位的半導體部觀測到推測為缺陷的部位(半導體層中的顏色淺的部位)。
如此，比較例1的半導體層大幅產生膜厚差異(厚度不均)。另外，在緣部(A部位)存在認為導致電晶體特性降低的缺陷，缺陷的部位並非熱氧化膜界面，而是存在於距熱氧化膜界面為約10nm左右的位置。所述情況認為原因是，在向半導體膜的轉化製程中雜質等未脫盡。即，可推測減小半導體膜的厚度不均、且縮小在10nm以下左右(轉化後)這一情況成為減少缺陷的因素。
同樣地亦對實施例1~實施例4中的半導體層確認膜厚，將結果表示於表1。
如表1所示般，與比較例1相比，實施例1~實施例4中，A部位、B部位的膜厚差(厚度不均)變小，特別是將塗佈步驟中的基板表面溫度設為溶劑的沸點(124℃)以上的實施例3、實施例4中，其差成為1nm以下。
另外，在將基板加熱的狀態下藉由噴墨而塗佈的實施例1~實施例4的TFT中，獲得高的遷移率，半導體層(金屬氧化物膜)的A部位、B部位的膜厚的差小。特別是使基板表面溫度高於溶劑的沸點的實施例3、實施例4中，獲得更高的遷移率。
<實施例5>
使硝酸銦(In(NO3)3．xH2O、純度：4N、高純度化學研究所公司製造)溶解於甲醇(試劑特級、沸點：64.7℃、和光純藥工業公司製造)中，而製備硝酸銦濃度為0.5mol/L的溶液。
對將基板表面溫度調整為65℃的附有熱氧化膜的Si基板，使用所述硝酸銦溶液，以與實施例1相同的方式，藉由噴墨形成塗佈膜。
在形成塗佈膜後，以與實施例1相同的方式，進行在氮氣環境下(氧氣濃度：50ppm以下)的紫外線照射、源‧汲極電極的形成，而製作底部閘極型TFT。
以與實施例1相同的方式，對所製作的TFT進行遷移率的測定及半導體層的膜厚測定。
<實施例6~實施例8、比較例3>
以表2所示的方式變更塗佈步驟中的基板表面溫度，除此以 外，以與實施例5相同的方式，製作TFT並進行評價。
將結果匯總表示於表2。
在將溶劑變更為甲醇時，在將基板加熱的狀態下藉由噴墨而塗佈的實施例5~實施例8的TFT中，獲得高的遷移率，半導體層的A部位、B部位的膜厚的差小於比較例3。特別是使基板表面溫度高於溶劑的沸點(64.7℃)的實施例5~實施例7中，獲得更高的遷移率。
<實施例9、實施例10、比較例4、比較例5>
以下述表3所示的方式變更實施例4的轉化步驟中的UV照射時的環境中的氧氣濃度，除此以外，以與實施例4相同的方式，製作TFT並對遷移率進行評價。與實施例4一起將結果表示於表3。
若轉化步驟中的UV照射時的環境中氧氣濃度為80000ppm以下，則獲得高的遷移率，但在110000ppm的比較例4中，遷移率低，在200000ppm的比較例5中未表現出TFT特性。
日本專利申請案2014-113319的揭示藉由參照而將其整體併入至本說明書中。
本說明書所記載的全部的文獻、專利、專利申請案、及技術標準，與具體且分別記載藉由參照併入各文獻、專利、專利申請案、及技術標準的情形同等程度地藉由參照而併入本說明書中。

Claims (14)

  1. 一種金屬氧化物膜的製造方法，其包括：塗佈步驟，藉由噴墨法將包含金屬硝酸鹽及溶劑的溶液供至經加熱至所述溶劑的沸點以上的溫度的狀態的基板上而形成塗佈膜；轉化步驟，藉由在氧氣濃度為80000ppm以下的環境下對所述塗佈膜進行紫外線照射而轉化為膜厚為10nm以下的金屬氧化物膜。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的金屬氧化物膜的製造方法，其中所述金屬硝酸鹽包含硝酸銦。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的金屬氧化物膜的製造方法，其中所述溶劑為甲氧基乙醇。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的金屬氧化物膜的製造方法，其中所述溶劑為甲醇。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的金屬氧化物膜的製造方法，其中所述紫外線包含波長300nm以下的光。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的金屬氧化物膜的製造方法，其中在所述轉化步驟中，在將所述基板加熱的狀態下進行紫外線照射。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的金屬氧化物膜的製造方法，其中在所述塗佈步驟前包括：對所述基板的形成所述塗佈膜之側的面進行表面處理的步驟。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的金屬氧化物膜的製造方法，其中作為所述表面處理，進行紫外線臭氧處理、氬電漿處理、或氮電漿處理。
  9. 一種金屬氧化物膜，其藉由如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述的金屬氧化物膜的製造方法而製造。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的金屬氧化物膜，其為半導體膜。
  11. 如申請專利範圍第9項所述的金屬氧化物膜，其為導電膜。
  12. 一種薄膜電晶體的製造方法，其包括：藉由如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述的金屬氧化物膜的製造方法，形成金屬氧化物膜而製作氧化物半導體層的步驟。
  13. 一種薄膜電晶體，其具備如申請專利範圍第9項所述的金屬氧化物膜。
  14. 一種電子元件，其具有如申請專利範圍第13項所述的薄膜電晶體。
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