CN113289617A - 一种集热策略制备超薄贵金属类薄膜催化剂的方法 - Google Patents
一种集热策略制备超薄贵金属类薄膜催化剂的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113289617A CN113289617A CN202110562061.7A CN202110562061A CN113289617A CN 113289617 A CN113289617 A CN 113289617A CN 202110562061 A CN202110562061 A CN 202110562061A CN 113289617 A CN113289617 A CN 113289617A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- solution
- preparing
- ultrathin
- noble metal
- heat preservation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 304
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 88
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 60
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 60
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 60
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M Chlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)=O XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 22
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims abstract description 17
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 56
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 42
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 37
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 106
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 description 103
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 55
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 55
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 30
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 30
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910000457 iridium oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- HBEQXAKJSGXAIQ-UHFFFAOYSA-N oxopalladium Chemical compound [Pd]=O HBEQXAKJSGXAIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- MUMZUERVLWJKNR-UHFFFAOYSA-N oxoplatinum Chemical compound [Pt]=O MUMZUERVLWJKNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- SJLOMQIUPFZJAN-UHFFFAOYSA-N oxorhodium Chemical compound [Rh]=O SJLOMQIUPFZJAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910003445 palladium oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910003446 platinum oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910003450 rhodium oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J35/00—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties
- B01J35/50—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties characterised by their shape or configuration
- B01J35/58—Fabrics or filaments
- B01J35/59—Membranes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/38—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of noble metals
- B01J23/40—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of noble metals of the platinum group metals
- B01J23/42—Platinum
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/38—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of noble metals
- B01J23/40—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of noble metals of the platinum group metals
- B01J23/44—Palladium
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/38—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of noble metals
- B01J23/40—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of noble metals of the platinum group metals
- B01J23/46—Ruthenium, rhodium, osmium or iridium
- B01J23/462—Ruthenium
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/38—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of noble metals
- B01J23/40—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of noble metals of the platinum group metals
- B01J23/46—Ruthenium, rhodium, osmium or iridium
- B01J23/464—Rhodium
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/38—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of noble metals
- B01J23/40—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of noble metals of the platinum group metals
- B01J23/46—Ruthenium, rhodium, osmium or iridium
- B01J23/468—Iridium
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/38—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of noble metals
- B01J23/48—Silver or gold
- B01J23/52—Gold
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
本发明涉及一种集热策略制备超薄贵金属类薄膜催化剂方法,属于材料科学与工程技术和化学领域。本发明方法制备的超薄贵金属类薄膜催化剂为金(Au)、铂(Pt)、钌(Ru)、铑(Rh)、铱(Ir)、钯(Pd)及其各类氧化物。首先配置一定浓度的贵金属氯酸盐溶液,滴涂到硅片作为材料A,通过急剧改变环境温度,从而制备超薄贵金属类薄膜催化剂。本发明具有操作简单、产量可控、可拓展性高等优点,相对于传统制备超薄贵金属类薄膜的方法具有易操作、产量高、安全可靠等优势。
Description
(1)技术领域
本发明涉及集热策略制备超薄贵金属类薄膜催化剂的方法,属于材料科学与工程技术和化学领域。
(2)背景技术
从第一次使用机械剥离法制备石墨烯后,全球各国对于纳米级二维材料的研究热度一直都是有增无减。截至目前,科学家已经报道了多种制备二维纳米材料的方法。有利用面外范德华相互作用制备的MoS2等材料,有选择性蚀刻原子的MXene二维材料,还有自组装或其他湿化学方法制造的二维金属氧化物纳米材料。尽管二维材料制备方法种类繁多,但是制备中原料晶格结构的选择往往是最为苛刻,而且其中各类方法只适用于过渡族金属氧化物材料,对于贵金属材料相关研究知之甚少。所以,对于贵金属材料原子级二维化既是机遇,也是挑战。
之所以希望可以实现贵金属及其氧化物的原子级二维化,不仅仅是因为贵金属加工后具有较好的装饰美观性,更重要的是它们是电触点最佳材料,在半导体、传感器、电催化、电子器件等领域发挥着不可替代的作用。并且许多最佳商业催化剂都是由贵金属元素组成的。在保持性能的基础上,降低贵金属用量一直是新能源领域不断追求的目标,为此,全球各国的科学家催化剂原有结构进行调整,其中最有效的方式便是贵金属的单原子化。因此,问题关键由如何减少贵金属用量转化为如何增加材料中单原子数量以及在催化过程中如何防止单原子被毒化的问题。
据资料统计,传统制备贵金属单原子层材料是以泡沫镍或光滑的电极表面作为基底,通过缓冲等手段实现贵金属单原子层电镀。但这种方法制备的超薄原子层材料除了需要较大的电能,还具有无法实现绝缘材料电镀的缺陷。因此,寻找出一种操作简单、安全低价且可以量产贵金属单原子层薄膜材料的工艺仍然是一个有趣的挑战。
在剥离方法中,材料具有面内化学键和面外范德华相互作用,或具备自组装为层间结构的能力。在极端条件下,极易消除范德华相互作用,形成纳米级二维材料。受剥离方法启发,我们对含有极少量的贵金属氯酸盐溶液进行快速升温处理。环境的急剧改变,导致溶液大量蒸发,最终残余的贵金属原子附着在基底表面,形成薄膜。使用这种方法,我们成功地获得了超薄纳米级薄膜材料,重要的是,通过这种快速过程可以产生大量的超薄贵金属类薄膜材料。也就是说,本发明首次提出并实现了迅速升温量产超薄贵金属类薄膜材料催化剂。
(3)发明内容
1、本发明的目标
本发明的目的是提出一种集热策略制备超薄贵金属类薄膜催化剂的方法,利用迅速改变环境温度,简单、安全且大规模地制备超薄贵金属类薄膜以适用多种领域需求与应用,从而显著降低超薄贵金属类薄膜商业化应用的成本。
2、本技术的发明要点
本发明要点如下:
(1)选取合适的贵金属氯酸盐溶液,并配置成一定浓度,取一定剂量均匀滴涂到洁净的硅片表面,作为材料A。所述贵金属元素为金(Au)、铂(Pt)、钌(Ru)、铑(Rh)、铱 (Ir)、钯(Pd),所述贵金属氯酸盐溶液为氯金酸溶液(HAuCl4)、氯铂酸溶液(HPtCl4)、氯钌酸铵溶液((NH4)2RuCl4)、氯铑酸铵溶液((NH4)2RhCl4)、氯铱酸溶液(HIrCl4)、氯钯酸铵溶液((NH4)2PdCl4);
(2)将上述步骤(1)制备的材料A,迅速放入已经预热好的马弗炉,加热一定时间后迅速取出反应后的样品,即可得到超薄贵金属类薄膜催化剂。由于反应时间较短,所述反应气氛并无苛刻要求,可以使惰性气体或空气。加热可选温度范围为400℃-600℃,如400℃、450℃、 500℃、550℃、600℃,加热可选时间范围为5s-30s,如5s、10s、15s、20s、25s、30s。
(3)选取合适的贵金属氯酸盐溶液,并配置成一定浓度,取一定剂量均匀滴涂到洁净的硅片表面,作为材料B。所述贵金属元素为金(Au)、铂(Pt)、钌(Ru)、铑(Rh)、铱 (Ir)、钯(Pd),所述贵金属氯酸盐溶液为氯金酸溶液(HAuCl4)、氯铂酸溶液(HPtCl4)、氯钌酸铵溶液((NH4)2RuCl4)、氯铑酸铵溶液((NH4)2RhCl4)、氯铱酸溶液(HIrCl4)、氯钯酸铵溶液((NH4)2PdCl4);
(4)将上述步骤(3)配置的材料B迅速放入已经预热好的马弗炉,加热一定时间后取出反应后的样品,即可得到超薄贵金属类氧化物薄膜催化剂。所述反应气氛为空气。加热可选温度范围为400℃-600℃,如400℃、450℃、500℃、550℃、600℃,加热可选时间范围为1min-5min,如1min、2min、3min、4min、5min。
本发明提出的迅速升温制备超薄贵金属类薄膜催化剂的方法,其优点在于能够简单、快捷、安全的量产贵金属纳米级二维材料。适用于多种贵金属元素材料,如金(Au)、铂(Pt)、钌 (Ru)、铑(Rh)、铱(Ir)、钯(Pd)等。
(4)本发明的附图
无。
(5)本发明实施例
以下介绍本发明方法的实施例:
实施例1
1-400℃超薄铂纳米薄膜材料的制备。
准备材料A:稀释氯铂酸溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料A。将材料A迅速放入400℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄铂纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为5s、10s、15s、20s、25s、30s。
实施例2
1-450℃超薄铂纳米薄膜材料的制备。
准备材料A:稀释氯铂酸溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料A。将材料A迅速放入450℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄铂纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为5s、10s、15s、20s、25s、30s。
实施例3
1-500℃超薄铂纳米薄膜材料的制备。
准备材料A:稀释氯铂酸溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料A。将材料A迅速放入500℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄铂纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为5s、10s、15s、20s、25s、30s。
实施例4
1-550℃超薄铂纳米薄膜材料的制备。
准备材料A:稀释氯铂酸溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料A。将材料A迅速放入550℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄铂纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为5s、10s、15s、20s、25s、30s。
实施例5
1-600℃超薄铂纳米薄膜材料的制备。
准备材料A:稀释氯铂酸溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料A。将材料A迅速放入600℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄铂纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为5s、10s、15s、20s、25s、30s。
实施例6
1-400℃超薄金纳米薄膜材料的制备。
准备材料A:稀释氯金酸溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料A。将材料A迅速放入400℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄铂纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为5s、10s、15s、20s、25s、30s。
实施例7
1-450℃超薄金纳米薄膜材料的制备。
准备材料A:稀释氯金酸溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料A。将材料A迅速放入450℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄铂纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为5s、10s、15s、20s、25s、30s。
实施例8
1-500℃超薄金纳米薄膜材料的制备。
准备材料A:稀释氯金酸溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料A。将材料A迅速放入500℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄铂纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为5s、10s、15s、20s、25s、30s。
实施例9
1-550℃超薄金纳米薄膜材料的制备。
准备材料A:稀释氯金酸溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料A。将材料A迅速放入550℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄铂纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为5s、10s、15s、20s、25s、30s。
实施例10
1-600℃超薄金纳米薄膜材料的制备。
准备材料A:稀释氯金酸溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料A。将材料A迅速放入600℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄铂纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为5s、10s、15s、20s、25s、30s。
实施例11
1-400℃超薄钌纳米薄膜材料的制备。
准备材料A:稀释氯钌酸铵溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为 1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料A。将材料A迅速放入400℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄铂纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为5s、10s、15s、20s、25s、30s。
实施例12
1-450℃超薄钌纳米薄膜材料的制备。
准备材料A:稀释氯钌酸铵溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为 1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料A。将材料A迅速放入450℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄铂纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为5s、10s、15s、20s、25s、30s。
实施例13
1-500℃超薄钌纳米薄膜材料的制备。
准备材料A:稀释氯钌酸铵溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为 1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料A。将材料A迅速放入500℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄铂纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为5s、10s、15s、20s、25s、30s。
实施例14
1-550℃超薄钌纳米薄膜材料的制备。
准备材料A:稀释氯钌酸铵溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为 1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料A。将材料A迅速放入550℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄铂纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为5s、10s、15s、20s、25s、30s。
实施例15
1-600℃超薄钌纳米薄膜材料的制备。
准备材料A:稀释氯钌酸铵溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为 1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料A。将材料A迅速放入600℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄铂纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为5s、10s、15s、20s、25s、30s。
实施例16
1-400℃超薄铑纳米薄膜材料的制备。
准备材料A:稀释氯铑酸铵溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为 1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料A。将材料A迅速放入400℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄铂纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为5s、10s、15s、20s、25s、30s。
实施例17
1-450℃超薄铑纳米薄膜材料的制备。
准备材料A:稀释氯铑酸铵溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为 1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料A。将材料A迅速放入450℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄铂纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为5s、10s、15s、20s、25s、30s。
实施例18
1-500℃超薄铑纳米薄膜材料的制备。
准备材料A:稀释氯铑酸铵溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为 1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料A。将材料A迅速放入500℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄铂纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为5s、10s、15s、20s、25s、30s。
实施例19
1-550℃超薄铑纳米薄膜材料的制备。
准备材料A:稀释氯铑酸铵溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为 1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料A。将材料A迅速放入550℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄铂纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为5s、10s、15s、20s、25s、30s。
实施例20
1-600℃超薄铑纳米薄膜材料的制备。
准备材料A:稀释氯铑酸铵溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为 1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料A。将材料A迅速放入600℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄铂纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为5s、10s、15s、20s、25s、30s。
实施例21
1-400℃超薄铱纳米薄膜材料的制备。
准备材料A:稀释氯铱酸溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料A。将材料A迅速放入400℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄铂纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为5s、10s、15s、20s、25s、30s。
实施例22
1-450℃超薄铱纳米薄膜材料的制备。
准备材料A:稀释氯铱酸溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料A。将材料A迅速放入450℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄铂纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为5s、10s、15s、20s、25s、30s。
实施例23
1-500℃超薄铱纳米薄膜材料的制备。
准备材料A:稀释氯铱酸溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料A。将材料A迅速放入500℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄铂纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为5s、10s、15s、20s、25s、30s。
实施例24
1-550℃超薄铱纳米薄膜材料的制备。
准备材料A:稀释氯铱酸溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料A。将材料A迅速放入550℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄铂纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为5s、10s、15s、20s、25s、30s。
实施例25
1-600℃超薄铱纳米薄膜材料的制备。
准备材料A:稀释氯铱酸溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料A。将材料A迅速放入600℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄铂纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为5s、10s、15s、20s、25s、30s。
实施例26
1-400℃超薄钯纳米薄膜材料的制备。
准备材料A:稀释氯钯酸铵溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为 1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料A。将材料A迅速放入400℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄铂纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为5s、10s、15s、20s、25s、30s。
实施例27
1-450℃超薄钯纳米薄膜材料的制备。
准备材料A:稀释氯钯酸铵溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为 1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料A。将材料A迅速放入450℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄铂纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为5s、10s、15s、20s、25s、30s。
实施例28
1-500℃超薄钯纳米薄膜材料的制备。
准备材料A:稀释氯钯酸铵溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为 1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料A。将材料A迅速放入500℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄铂纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为5s、10s、15s、20s、25s、30s。
实施例29
1-550℃超薄钯纳米薄膜材料的制备。
准备材料A:稀释氯钯酸铵溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为 1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料A。将材料A迅速放入550℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄铂纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为5s、10s、15s、20s、25s、30s。
实施例30
1-600℃超薄钯纳米薄膜材料的制备。
准备材料A:稀释氯钯酸铵溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为 1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料A。将材料A迅速放入600℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄铂纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为5s、10s、15s、20s、25s、30s。
实施例31
2-400℃超薄氧化铂纳米薄膜材料的制备。
准备材料B:稀释氯铂酸溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料B。将材料B迅速放入400℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄氧化铂纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为1min、2min、3min、4min、5min。
实施例32
2-450℃超薄氧化铂纳米薄膜材料的制备。
准备材料B:稀释氯铂酸溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料B。将材料B迅速放入450℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄氧化铂纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为1min、2min、3min、4min、5min。
实施例33
2-500℃超薄氧化铂纳米薄膜材料的制备。
准备材料B:稀释氯铂酸溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料B。将材料B迅速放入500℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄氧化铂纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为1min、2min、3min、4min、5min。
实施例34
2-550℃超薄氧化铂纳米薄膜材料的制备。
准备材料B:稀释氯铂酸溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料B。将材料B迅速放入550℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄氧化铂纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为1min、2min、3min、4min、5min。
实施例35
2-600℃超薄氧化铂纳米薄膜材料的制备。
准备材料B:稀释氯铂酸溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料B。将材料B迅速放入600℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄氧化铂纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为1min、2min、3min、4min、5min。
实施例36
2-400℃超薄氧化钌纳米薄膜材料的制备。
准备材料B:稀释氯钌酸铵溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为 1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料B。将材料B迅速放入400℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄氧化钌纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为1min、2min、3min、4min、5min。
实施例37
2-450℃超薄氧化钌纳米薄膜材料的制备。
准备材料B:稀释氯钌酸铵溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为 1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料B。将材料B迅速放入450℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄氧化钌纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为1min、2min、3min、4min、5min。
实施例38
2-500℃超薄氧化钌纳米薄膜材料的制备。
准备材料B:稀释氯钌酸铵溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为 1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料B。将材料B迅速放入500℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄氧化钌纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为1min、2min、3min、4min、5min。
实施例39
2-550℃超薄氧化钌纳米薄膜材料的制备。
准备材料B:稀释氯钌酸铵溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为 1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料B。将材料B迅速放入550℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄氧化钌纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为1min、2min、3min、4min、5min。
实施例40
2-600℃超薄氧化钌纳米薄膜材料的制备。
准备材料B:稀释氯钌酸铵溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为 1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料B。将材料B迅速放入600℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄氧化钌纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为1min、2min、3min、4min、5min。
实施例41
2-400℃超薄氧化铑纳米薄膜材料的制备。
准备材料B:稀释氯铑酸铵溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为 1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料B。将材料B迅速放入400℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄氧化铑纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为1min、2min、3min、4min、5min。
实施例42
2-450℃超薄氧化铑纳米薄膜材料的制备。
准备材料B:稀释氯铑酸铵溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为 1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料B。将材料B迅速放入450℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄氧化铑纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为1min、2min、3min、4min、5min。
实施例43
2-400℃超薄氧化铑纳米薄膜材料的制备。
准备材料B:稀释氯铑酸铵溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为 1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料B。将材料B迅速放入500℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄氧化铑纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为1min、2min、3min、4min、5min。
实施例44
2-550℃超薄氧化铑纳米薄膜材料的制备。
准备材料B:稀释氯铑酸铵溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为 1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料B。将材料B迅速放入550℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄氧化铑纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为1min、2min、3min、4min、5min。
实施例45
2-600℃超薄氧化铑纳米薄膜材料的制备。
准备材料B:稀释氯铑酸铵溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为 1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料B。将材料B迅速放入600℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄氧化铑纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为1min、2min、3min、4min、5min。
实施例46
2-400℃超薄氧化铱纳米薄膜材料的制备。
准备材料B:稀释氯铱酸溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料B。将材料B迅速放入400℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄氧化铱纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为1min、2min、3min、4min、5min。
实施例47
2-450℃超薄氧化铱纳米薄膜材料的制备。
准备材料B:稀释氯铱酸溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料B。将材料B迅速放入450℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄氧化铱纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为1min、2min、3min、4min、5min。
实施例48
2-500℃超薄氧化铱纳米薄膜材料的制备。
准备材料B:稀释氯铱酸溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料B。将材料B迅速放入500℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄氧化铱纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为1min、2min、3min、4min、5min。
实施例49
2-550℃超薄氧化铱纳米薄膜材料的制备。
准备材料B:稀释氯铱酸溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料B。将材料B迅速放入550℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄氧化铱纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为1min、2min、3min、4min、5min。
实施例50
2-600℃超薄氧化铱纳米薄膜材料的制备。
准备材料B:稀释氯铱酸溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料B。将材料B迅速放入600℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄氧化铱纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为1min、2min、3min、4min、5min。
实施例51
2-400℃超薄氧化钯纳米薄膜材料的制备。
准备材料B:稀释氯钯酸铵溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为 1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料B。将材料B迅速放入400℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄氧化钯纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为1min、2min、3min、4min、5min。
实施例52
2-450℃超薄氧化钯纳米薄膜材料的制备。
准备材料B:稀释氯钯酸铵溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为 1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料B。将材料B迅速放入450℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄氧化钯纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为1min、2min、3min、4min、5min。
实施例53
2-500℃超薄氧化钯纳米薄膜材料的制备。
准备材料B:稀释氯钯酸铵溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为 1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料B。将材料B迅速放入500℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄氧化钯纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为1min、2min、3min、4min、5min。
实施例54
2-550℃超薄氧化钯纳米薄膜材料的制备。
准备材料B:稀释氯钯酸铵溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为 1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料B。将材料B迅速放入550℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄氧化钯纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为1min、2min、3min、4min、5min。
实施例55
2-600℃超薄氧化钯纳米薄膜材料的制备。
准备材料B:稀释氯钯酸铵溶液浓度至0.1mM/L,取13.5uL上述溶液均匀滴涂到尺寸为 1cm2的洁净且平整的硅片,滴涂好的硅片记为材料B。将材料B迅速放入600℃的马弗炉中保温一段时间,然后迅速取出反应后的样品,使其自然冷却至室温后,即可获得超薄氧化钯纳米薄膜材料。其中反应气氛环境为惰性气体或空气,保温时间为1min、2min、3min、4min、5min。
Claims (1)
1.一种集热策略制备超薄贵金属类薄膜催化剂的方法,其特征在于该方法包括以下步骤:
(1)选取合适的贵金属氯酸盐溶液,并配置成一定浓度,取一定剂量均匀滴涂到洁净的硅片表面,作为材料A。所述贵金属元素为金(Au)、铂(Pt)、钌(Ru)、铑(Rh)、铱(Ir)、钯(Pd),所述贵金属氯酸盐溶液为氯金酸溶液(HAuCl4)、氯铂酸溶液(HPtCl4)、氯钌酸铵溶液((NH4)2RuCl4)、氯铑酸铵溶液((NH4)2RhCl4)、氯铱酸溶液(HIrCl4)、氯钯酸铵溶液((NH4)2PdCl4);
(2)将上述步骤(1)制备的材料A,迅速放入已经预热好的马弗炉,加热一定时间后迅速取出反应后的样品,即可得到超薄贵金属类薄膜催化剂。由于反应时间较短,所述反应气氛并无苛刻要求,可以使惰性气体或空气。加热可选温度范围为400℃-600℃,如400℃、450℃、500℃、550℃、600℃,加热可选时间范围为5s-30s,如5s、10s、15s、20s、25s、30s。
(3)选取合适的贵金属氯酸盐溶液,并配置成一定浓度,取一定剂量均匀滴涂到洁净的硅片表面,作为材料B。所述贵金属元素为金(Au)、铂(Pt)、钌(Ru)、铑(Rh)、铱(Ir)、钯(Pd),所述贵金属氯酸盐溶液为氯金酸溶液(HAuCl4)、氯铂酸溶液(HPtCl4)、氯钌酸铵溶液((NH4)2RuCl4)、氯铑酸铵溶液((NH4)2RhCl4)、氯铱酸溶液(HIrCl4)、氯钯酸铵溶液((NH4)2PdCl4);
(4)将上述步骤(3)配置的材料B迅速放入已经预热好的马弗炉,加热一定时间后取出反应后的样品,即可得到超薄贵金属类氧化物薄膜催化剂。所述反应气氛为空气。加热可选温度范围为400℃-600℃,如400℃、450℃、500℃、550℃、600℃,加热可选时间范围为1min-5min,如1min、2min、3min、4min、5min。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110562061.7A CN113289617A (zh) | 2021-05-21 | 2021-05-21 | 一种集热策略制备超薄贵金属类薄膜催化剂的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110562061.7A CN113289617A (zh) | 2021-05-21 | 2021-05-21 | 一种集热策略制备超薄贵金属类薄膜催化剂的方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113289617A true CN113289617A (zh) | 2021-08-24 |
Family
ID=77324065
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110562061.7A Pending CN113289617A (zh) | 2021-05-21 | 2021-05-21 | 一种集热策略制备超薄贵金属类薄膜催化剂的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113289617A (zh) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001303257A (ja) * | 2000-04-21 | 2001-10-31 | Murata Mfg Co Ltd | 薄膜製造方法及び薄膜白金温度センサの製造方法 |
US20030139064A1 (en) * | 2002-01-16 | 2003-07-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming dielectric thin film and dielectric thin film formed thereby |
US20040104472A1 (en) * | 2001-03-16 | 2004-06-03 | Yoshitada Murata | Metallic very thin film, metallic very thin film multilayer body, and method for manufacturing the metallic very thin film or the metallic very thin film laminate |
CN104907081A (zh) * | 2015-04-29 | 2015-09-16 | 陕西师范大学 | 一种高效超薄金属层催化剂及其用途 |
WO2015182679A1 (ja) * | 2014-05-30 | 2015-12-03 | 富士フイルム株式会社 | 金属酸化物膜の製造方法、金属酸化物膜、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、及び電子デバイス |
CN111036262A (zh) * | 2019-12-04 | 2020-04-21 | 北京氦舶科技有限责任公司 | 一种负载型单原子铑基催化剂及其制备方法和应用 |
-
2021
- 2021-05-21 CN CN202110562061.7A patent/CN113289617A/zh active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001303257A (ja) * | 2000-04-21 | 2001-10-31 | Murata Mfg Co Ltd | 薄膜製造方法及び薄膜白金温度センサの製造方法 |
US20040104472A1 (en) * | 2001-03-16 | 2004-06-03 | Yoshitada Murata | Metallic very thin film, metallic very thin film multilayer body, and method for manufacturing the metallic very thin film or the metallic very thin film laminate |
US20030139064A1 (en) * | 2002-01-16 | 2003-07-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming dielectric thin film and dielectric thin film formed thereby |
WO2015182679A1 (ja) * | 2014-05-30 | 2015-12-03 | 富士フイルム株式会社 | 金属酸化物膜の製造方法、金属酸化物膜、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、及び電子デバイス |
CN104907081A (zh) * | 2015-04-29 | 2015-09-16 | 陕西师范大学 | 一种高效超薄金属层催化剂及其用途 |
CN111036262A (zh) * | 2019-12-04 | 2020-04-21 | 北京氦舶科技有限责任公司 | 一种负载型单原子铑基催化剂及其制备方法和应用 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
YONGGANG YAO ET AL.: ""High temperature shockwave stabilized single atoms"", 《NATURE NANOTECHNOLOGY》 * |
中国冶金百科全书总编辑委员会编著: "《中国冶金百科全书(金属材料)》", 31 March 2001, 冶金工业出版社 * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Hwang et al. | Controlled aqueous synthesis of ultra-long copper nanowires for stretchable transparent conducting electrode | |
CN105947971B (zh) | 一种铁磁性纳米线阵列的制备方法 | |
US7834349B2 (en) | Silicon based nanospheres and nanowires | |
JP5626948B2 (ja) | グラフェン被覆部材の製造方法 | |
CN104843691B (zh) | 一种石墨烯及其制备方法 | |
US10099449B2 (en) | Method of forming a substrate assembly | |
WO2006068019A1 (ja) | 金属薄膜の形成方法及び金属薄膜 | |
JP2012025004A (ja) | グラフェンシート付き基材及びグラフェンシートの製造方法 | |
CN109023291A (zh) | 一种石墨烯薄膜及其制备方法与应用 | |
Sayago et al. | Preparation of tin oxide nanostructures by chemical vapor deposition | |
US9781838B2 (en) | Gas sensor and method of manufacturing the same | |
Shankar et al. | Electrospun tailored ZnO nanostructures–role of chloride ions | |
CN104160456B (zh) | 导电性膜的形成方法 | |
CN113289617A (zh) | 一种集热策略制备超薄贵金属类薄膜催化剂的方法 | |
CN104805409B (zh) | 采用磁控溅射‑掩模辅助沉积制备Ag纳米线阵列电极的方法 | |
CN117169293B (zh) | 一种mos基气敏材料及其制备方法和应用 | |
CN106191806B (zh) | 一种高温压电传感器中石墨烯电极的制备方法 | |
KR101807459B1 (ko) | 결함-치유 환원된 그래핀 산화물 히터를 이용한 자가치유 고분자의 자가치유 방법 | |
JP5583752B2 (ja) | ナノ粒子を用いた構造製造 | |
CN101555016B (zh) | 硅化镍纳米线的制备方法 | |
CN104609406B (zh) | 一种常压二段过程催化固体碳源合成石墨烯的方法 | |
WO2013065898A1 (ko) | 나노와이어 제조방법, 나노와이어 패턴 형성방법 및 그 방법에 의해 제조된 나노와이어 | |
CN101817499B (zh) | 一种纳米尺度间隙电极对阵列及其制备方法 | |
Lin et al. | Chemical vapor deposition of TiSi nanowires on C54 TiSi2 thin film: an amorphous titanium silicide interlayer assisted nanowire growth | |
JP2001295058A (ja) | メタライジング基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20210824 |