TWI656398B - Method for calculating pattern correction amount, method for calculating pattern correction amount, and recording medium - Google Patents

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Abstract

以往無法計算對於連續兩個以上的各微小邊的適當修正量。本發明可利用計算圖案修正量裝置計算對於連續兩個以上的各微小邊的適當修正量，該計算圖案修正量裝置具備：受理部，受理圖案資訊；取得微小邊集合部，取得微小邊集合，該微小邊集合是構成圖案資訊顯示的圖案圖形輪廓線的連續兩個以上的微小邊的集合，該微小邊小到極為滿足預先決定的條件；取得假想邊部，取得假想邊，該假想邊是使微小邊集合所具有的兩個以上的微小邊近似的邊；計算假想邊修正量部，計算假想邊修正量，該假想邊修正量是對於假想邊的修正量；計算微小邊修正量部，使用假想邊修正量，計算兩個以上的微小邊修正量，該兩個以上的微小邊修正量是對於與假想邊對應的微小邊集合所具有的兩個以上的各微小邊的修正量；及輸出部，輸出兩個以上的微小邊修正量。

Description

計算圖案修正量裝置、計算圖案修正量方法及記錄媒體
本發明係關於一種計算對於光罩佈局(mask layout)等圖案圖形中連續兩個以上之各微小邊的適當修正量的計算圖案修正量裝置等。
以往開發了進行MPC(Mask Process Correction，光罩處理修正)、OPC(Optical Proximity Correction，光學接近修正)等的裝置(參照非專利文獻1、非專利文獻2)。
【先前技術文獻】
【非專利文獻】
【非專利文獻1】“Calibre MPCpro”、〔online〕、Mentor Graphics Japan股份有限公司、〔2014年9月24日檢索〕、網際網路〔URL；http://www.mentorg.co.jp/products/ic-manufacturing/mask-process-correction/calibre-mpcpro.html〕
【非專利文獻2】“Calibre OPCpro”、〔online〕、Mentor Graphics Japan股份有限公司、〔2014年9月24日檢索〕、網際網路〔URL；http://www.mentorg.co.jp/products/ic-manufacturing/computational-lithography/calibre-opcpro.html〕
在以往的裝置等方面，在稱為佈局圖案或光罩圖案等的圖案圖形具有小到極為滿足預先決定的條件的邊之微小邊連續兩個以上的地方的情況，無法計算對於該連續兩個以上之各微小邊的適當修正量。
本第一發明之計算圖案修正量裝置，具備：受理部，其受理圖案資訊，該圖案資訊係顯示圖案圖形的資訊，該圖案圖形是使電子束描繪裝置描繪的圖形；取得微小邊集合部，其使用圖案資訊取得微小邊集合，該微小邊集合係構成圖案資訊顯示的圖案圖形輪廓線的連續兩個以上的微小邊的集合，該微小邊為小到極為滿足預先決定的條件的邊；取得假想邊部，其取得假想邊，該假想邊是使微小邊集合所具有的兩個以上的微小邊近似的邊；計算假想邊修正量部，其計算假想邊修正量，該假想邊修正量是對於假想邊的修正量；計算微小邊修正量部，其使用假想邊修正量，計算兩個以上的微小邊修正量，該兩個以上的微小邊修正量是對於與假想邊對應的微小邊集合所具有的兩個以上的各微小邊的修正量；以及輸出部，其輸出兩個以上的微小邊修正量。
藉由此種構造，可計算對於連續兩個以上的各微小邊的適當修正量。
此外，本第二發明之計算圖案修正量裝置，其係對於第一發明，取得假想邊部取得連結微小邊集合所具有的兩個各端邊上的點的線段作為假想邊。
藉由此種構造，可使用連結微小邊集合所具有的兩個端邊上的點的假想邊，計算對於連續兩個以上的各微小邊的適當修正量。
此外，本第三發明之計算圖案修正量裝置，其係對於第一或第二發明，取得假想邊部於微小邊集合具 有一個以上的轉折的情況，取得兩個以上的線段作為假想邊，該兩個以上的線段係依次連結與該轉折對應的一個以上的各邊上的點與微小邊集合所具有的兩個各端邊上的點。
藉由此種構造，即使微小邊集合具有轉折的情況，也可以計算對於該微小邊集合所具有的連續兩個以上的各微小邊的適當修正量。
此外，本第四發明之計算圖案修正量裝置，其係對於第二或第三發明，端邊上的點為端邊的端點。
藉由此種構造，可使用連結微小邊集合所具有的兩個端邊的端點的假想邊，計算對於連續兩個以上的各微小邊的適當修正量。
此外，本第五發明之計算圖案修正量裝置，其係對於第三發明，與轉折對應的邊上的點為與轉折對應的邊的中點。
藉由此種構造，即使微小邊集合具有轉折的情況，也可以計算對於該微小邊集合所具有的連續兩個以上的各微小邊的適當修正量。
此外，本第六發明之計算圖案修正量裝置，其係對於第一至第五發明中任一項之發明，計算微小邊修正量部使用假想邊修正量與對於假想邊的微小邊集合所具有的兩個以上的各微小邊的角度，計算兩個以上的微小邊修正量。
藉由此種構造，可使用假想邊修正量與對於假想邊的兩個以上的各微小邊集合的角度，計算對於連續兩個以上的各微小邊的適當修正量。
此外，本第七發明之計算圖案修正量裝置，其係對於第六發明，計算微小邊修正量部藉由使用三角函數，將假想邊修正量分解為對於假想邊的微小邊集合所 具有的兩個以上的各微小邊的角度的分量，來計算兩個以上的微小邊修正量。
藉由此種構造，可藉由使用三角函數，將假想邊修正量分解為對於假想邊的兩個以上的各微小邊集合的角度的分量，來計算對於連續兩個以上的各微小邊的適當修正量。
此外，本第八發明之計算圖案修正量裝置，其係對於第一至第七發明中任一項之發明，微小邊為例如100奈米以下。
藉由此種構造，可計算對於例如100奈米以下的兩個以上的各微小邊的適當修正量。
此外，本第九發明之計算圖案修正量裝置，其係對於第一至第八發明中任一項之發明，構成圖案圖形的兩個以上的邊為以鄰接的兩個邊構成直角的邊。
藉由此種構造，可在由構成直角的兩個以上的邊的集合所構成的圖案圖形方面，計算對於連續兩個以上的各微小邊的適當修正量。
藉由本發明之計算圖案修正量裝置等，可計算對於連續兩個以上的各微小邊的適當修正量。
1‧‧‧計算圖案修正量裝置
2‧‧‧修正圖案裝置
3‧‧‧描繪圖案裝置
9‧‧‧電腦系統
11‧‧‧受理部
12‧‧‧取得微小邊集合部
13‧‧‧取得假想邊部
14‧‧‧計算假想邊修正量部
15‧‧‧計算微小邊修正量部
16‧‧‧輸出部
17‧‧‧修正部
18‧‧‧描繪部
901‧‧‧電腦
902‧‧‧鍵盤
903‧‧‧滑鼠
904‧‧‧監視器
9011‧‧‧CD-ROM驅動器
9012‧‧‧MPU
9013‧‧‧ROM
9014‧‧‧RAM
9015‧‧‧硬碟
9016‧‧‧匯流排
9101‧‧‧CD-ROM
第1圖為實施形態1之計算圖案修正量裝置1的方塊圖；第2圖為顯示實施形態1之轉折及轉折邊之例的圖；第3圖為顯示計算實施形態1之微小邊修正量之例的圖；第4圖為就實施形態1之計算圖案修正量裝置1的整個動作進行說明的流程圖； 第5圖為就取得實施形態1之微小邊集合的處理進行說明的流程圖；第6圖為就取得實施形態1之假想邊的處理進行說明的流程圖；第7圖為顯示實施形態1之圖案資訊之例的圖；第8圖為顯示實施形態1之圖案圖形之例的圖；第9圖為顯示實施形態1之微小邊集合資訊之例的圖；第10圖為顯示實施形態1之微小邊集合之例的圖；第11圖為顯示實施形態1之假想邊之例的圖；第12圖為顯示計算實施形態1之假想邊資訊的結果之例的圖；第13圖為顯示計算實施形態1之假想邊修正量的結果之例的圖；第14圖為顯示計算實施形態之1微小邊修正量的結果之例的圖；第15圖為顯示實施形態1之微小邊集合之例的圖；第16圖為顯示實施形態1之假想邊之例的圖；第17圖為顯示實施形態1之微小邊集合之例的圖；第18圖為顯示實施形態1之假想邊之例的圖；第19圖為實施形態1之修正圖案裝置2的方塊圖；第20圖為實施形態1之描繪圖案裝置3的方塊圖；第21圖為實施形態1之電腦系統的概觀圖；以及第22圖為實施形態1之電腦系統的方塊圖。
以下，就本發明之計算圖案修正量裝置等的實施形態，參照圖面進行說明。再者，在實施形態中附上相同符號的構成要素進行同樣的動作，所以有時會省略再次的說明。此外，在本實施形態中說明的各資訊的形 式、內容等到底是例示，若能顯示各資訊具有的意義，則形式、內容等不限。
(實施形態1)
在本實施形態中，就計算圖案修正量裝置1進行說明，該計算圖案修正量裝置1係從圖案圖形的輪廓線取得連續兩個以上的微小邊的集合即微小邊集合，計算對於該微小邊集合所具有的兩個以上的各微小邊的適當修正量。再者，所謂「適當修正量」，係與對於微小邊以外的其他邊的修正量同等的修正量、與對於微小邊以外的其他邊的修正量之差小到極為滿足預先決定的條件的修正量、不引起圖案圖形形狀走樣的修正量等。
第1圖為本實施形態的計算圖案修正量裝置1的方塊圖。計算圖案修正量裝置1具備受理部11、取得微小邊集合部12、取得假想邊部13、計算假想邊修正量部14、計算微小邊修正量部15、輸出部16。
受理部11受理圖案資訊。所謂受理，係包含下述的概念：取得由觸控面板或鍵盤等輸入裝置所選擇或輸入的資訊、讀出儲存於光碟或磁碟、半導體記憶體等記錄媒體的資訊、接收經由有線或無線的通信線路而傳送的資訊等。
此外，所謂圖案資訊，係顯示圖案圖形的資訊。此外，所謂圖案圖形，係使電子束描繪裝置描繪的圖形。圖案資訊為稱為例如所謂的佈局資料或圖案資料等的資料。此外，圖案資訊的資料形式不限。圖案資訊的資料形式通常為稱為所謂的光罩設計資料或佈局設計資料等的資料形式。圖案資訊的具體的資料形式為例如GDS-2或OASIS、MEBES等。再者，圖案資訊顯示例如一個或兩個以上的圖案圖形。
此外，圖案資訊為例如具有三個以上的座標的 資訊。該座標為顯示圖案圖形頂點的資訊。該頂點也是圖案圖形的邊的端點。即，在圖案資訊中相鄰的兩個座標通常也可以說是顯示圖案圖形的邊的資訊。此外，座標通常是由x座標與y座標的兩個數值構成。此外，該數值通常為整數，但也可以是小數。此外，圖案資訊為例如具有三個以上的座標對的資訊。所謂座標對，為座標之對，為兩個座標形成對應的資訊。此外，該座標對為顯示圖案圖形的邊的端點的資訊。該端點也是圖案圖形的頂點。此外，該座標對也可以說是例如顯示圖案圖形的邊的資訊。由以上，圖案圖形為例如具有三個以上的頂點的圖形。此外，圖案圖形為例如具有三個以上的邊的圖形。
此外，通常顯示比例尺的資訊與圖案資訊形成對應。利用該資訊，可計算圖案資訊顯示的圖案圖形的大小、圖案圖形所具有的邊的長度等。
此外，在圖案圖形方面，鄰接的兩個邊間的角度不限。所謂鄰接，係例如一個邊所具有的一個端點與另一個邊所具有的一個端點共通。此外，該角度通常為內角或劣角，但也可以是外角或優角。此外，該角度為直角(90°)較佳。換言之，在圖案圖形方面，鄰接的兩個邊為構成直角的邊較佳。再換言之，在圖案圖形方面，三個以上的各頂點的角度為例如直角較佳。即，圖案圖形為例如具有四個以上的頂點的圖形及具有四個以上的邊的圖形較佳。此外，鄰接的兩個邊間的角度為直角的情況，圖案圖形具有的四個以上的各邊為例如水平方向或垂直方向的線段較佳。此外，在圖案圖形方面，鄰接的兩個邊間的角度也可以為例如45°、135°、225°、315°等。
此外，圖案圖形的邊也可以說是圖案圖形具有 的邊、構成圖案圖形輪廓線的邊、圖案圖形輪廓線具有的邊等。此外，圖案圖形的頂點也可以說是圖案圖形具有的頂點、構成圖案圖形輪廓線的頂點、圖案圖形輪廓線具有的頂點等。
此外，受理部11中的資訊或指示等的輸入裝置可以是選單畫面的輸入裝置或鍵盤等任何輸入裝置。受理部11可利用選單畫面的控制軟體或鍵盤等輸入裝置的裝置驅動程式等實現。
取得微小邊集合部12從圖案圖形取得微小邊集合。該圖案圖形係由受理部11受理的圖案資訊所顯示。即，取得微小邊集合部12使用圖案資訊取得該圖案資訊顯示的圖案圖形所具有的微小邊集合。此外，所謂微小邊集合，係連續兩個以上的微小邊的集合。換言之，微小邊集合所具有的兩個以上的微小邊連續。所謂連續，係例如連續鄰接著。此外，所謂微小邊，係小至極為滿足預先決定的條件(以下適當地作為微小邊條件)的邊。此外，微小邊集合所具有的微小邊為構成微小邊集合的邊。此外，微小邊集合通常為圖案圖形輪廓線的一部分。
例如以在圖案圖形中連續的五個邊為邊A、邊B、邊C、邊D、邊E。此外，假設例如該五個邊之中，邊B、邊C、邊D為微小邊，其他的邊為不是微小邊的邊(以下適當地作為非微小邊)。此種情況，邊B、邊C、邊D為微小邊集合。此外，假設該五個邊之中，僅邊B為微小邊，其他的邊為非微小邊。此種情況，該邊B為單獨的微小邊，不是微小邊集合。
此外，微小邊條件為關於邊長度的條件。微小邊條件為例如邊長度為預先決定的臨限值以下。該「以下」可為例如「不到」。此外，該臨限值為不限(為任意)。 該臨限值為例如100奈米。
此外，所謂取得微小邊集合，係取得顯示微小邊集合的資訊(以下適當地作為微小邊集合資訊)。微小邊集合資訊為例如具有三個以上的座標的資訊。該座標為顯示微小邊集合所具有的頂點的資訊。即，微小邊集合具有三個以上的頂點。再者，該三個以上的頂點之中的兩個頂點通常為微小邊集合的端點。此外，微小邊集合資訊為例如具有兩個以上的座標對的資訊。該座標對為顯示微小邊集合所具有的微小邊的端點的資訊。該端點也是圖案圖形的頂點。此外，該座標對也可以說是例如顯示微小邊集合所具有的微小邊的資訊。即，微小邊集合具有例如兩個以上的微小邊。
具體而言，取得微小邊集合部12例如使用圖案資訊，對於圖案圖形所具有的三個以上的各邊，依次判斷是否為微小邊。所謂判斷是否為微小邊，係判斷成為該判斷對象的邊的長度是否滿足微小邊條件。然後，取得微小邊集合部12於該邊的長度滿足微小邊條件的情況，將該邊判斷為微小邊。此外，取得微小邊集合部12於該邊的長度不滿足微小邊條件的情況，將該邊判斷為非微小邊。判斷為該非微小邊和判斷為不是微小邊是同樣的。然後，取得微小邊集合部12例如於判斷為對於兩個以上的邊連續為微小邊的情況，取得該兩個以上的邊。所謂取得邊，係例如取得顯示邊的資訊。此外，取得微小邊集合部12例如每取得一個邊，就取得兩個座標。
例如以在圖案圖形中連續的五個邊為邊A、邊B、邊C、邊D、邊E。此外，假設例如該五個邊之中，邊B、邊C、邊D為微小邊，其他的邊為非微小邊。此種情況，取得微小邊集合部12例如首先對於邊A，判斷 為非微小邊。其次，取得微小邊集合部12對於邊B，判斷為微小邊。其次，取得微小邊集合部12接著邊B，對於邊C，判斷為微小邊。其次，取得微小邊集合部12接著邊C，對於邊D，判斷為微小邊。其次，取得微小邊集合部12對於邊E，判斷為非微小邊。此處，取得微小邊集合部12判斷為連續三次為微小邊，所以取得判斷為該微小邊的邊B、邊C、邊D。再者，將取得該連續的微小邊以下適當地作為取得一連串的微小邊。
此外，假設例如上述五個邊之中，僅邊B為微小邊，其他的邊為非微小邊。此種情況，例如首先取得微小邊集合部12對於邊A，判斷為非微小邊。其次，取得微小邊集合部12對於邊B，判斷為微小邊。其次，取得微小邊集合部12對於邊C，判斷為非微小邊。此處，取得微小邊集合部12並未判斷為連續兩次以上為微小邊，所以不取得邊。其次，取得微小邊集合部12接著邊C，對於邊D，判斷為非微小邊。其次，取得微小邊集合部12接著邊D，對於邊E，判斷為非微小邊。
再者，取得微小邊集合部12也可以例如每取得一連串的微小邊，就對由取得該一連串的微小邊所取得的微小邊集合，給予識別該微小邊集合的資訊。此外，取得微小邊集合部12通常取得零個或一個以上的微小邊集合。此外，取得微小邊集合部12也可以在取得的一個微小邊集合資訊中，刪除重複的座標。
取得假想邊部13對於一個以上的各微小邊集合，取得一個以上的假想邊。該微小邊集合係由取得微小邊集合部12所取得的微小邊集合資訊顯示。即，取得假想邊部13使用一個以上的微小邊集合資訊，取得對於該一個以上的各微小邊集合資訊所顯示的微小邊集合的假想邊。此外，所謂假想邊，係例如對於一個微小邊集 合所假想配置的邊。此外，假想邊可以是代替一個微小邊集合的邊，可以是置換一個微小邊集合的邊，可以是用於將一個微小邊集合看成一個邊的邊，可以是使微小邊集合所具有的兩個以上的微小邊近似的邊，可以是使微小邊集合所具有的三個以上的頂點近似的邊，可以是將集合所具有的兩個以上的微小邊上的點作為端點的線段等。
此外，所謂取得假想邊，係取得顯示假想邊的資訊(以下適當地作為假想邊資訊)。假想邊資訊為例如具有兩個以上的座標的資訊。該座標為顯示假想邊上的點的資訊。此外，假想邊資訊為例如函數(算式)。該函數通常為一次函數。此外，取得假想邊部13取得顯示一個以上的各假想邊的假想邊資訊。
此外，以下就微小邊集合分成不具有轉折的情況與具有轉折的情況，取得假想邊的方法或步驟等進行說明。再者，所謂轉折，係例如所謂的字形狀。此外，轉折也可以說是例如將構成圖案圖形輪廓線的邊依次向一個方向(例如右轉或左轉)描繪下去時，行進方向反轉的地方。此外，轉折也可以說是例如以函數(算式)表示微小邊集合具有的微小邊時，該函數的傾角反轉的地方。此外，轉折通常係由三個邊所構成。換言之，轉折通常具有三個邊。此外，以下所謂與轉折對應的邊(以下適當地作為轉折邊)，係所謂的字形狀的中央的邊。此外，轉折邊也可以說是例如轉折所具有的三個邊的中央的邊。再者，圖案圖形的微小邊集合、該微小邊集合的轉折、與該轉折對應的轉折邊之例為例如第2圖。此外，微小邊集合具有轉折的情況，該轉折的數量為一個以上。
(1)微小邊集合不具有轉折的情況，取得假想邊部13例如取得連結微小邊集合所具有的兩個各端邊 上的點的線段作為假想邊。該線段也可以說是將兩個各端邊上的點作為端點的線段。此外，所謂端邊，係微小邊集合所具有的兩個以上的微小邊之中的端邊。此外，端邊也可以說是例如微小邊集合即兩個以上的微小邊連續的最初與最後的邊。此外，端邊上的點通常為端點。該端點為在微小邊集合中，不和其他微小邊的端點共通的端點。即，微小邊集合不具有轉折的情況，取得假想邊部13通常取得連結微小邊集合的端點的線段作為假想邊。此外，端邊上的點也可以為例如中點。
假設例如一個微小邊集合具有邊A、邊B兩個微小邊。此種情況，端邊為邊A與邊B。然後，取得假想邊部13取得連結邊A上的一點與邊B上的一點的線段作為假想邊。此外，假設例如一個微小邊集合具有邊A、邊B、邊C三個微小邊。此外，假設在該一個微小邊集合中，該三個微小邊接連的順序為邊A、邊B、邊C的順序。此種情況，端邊為邊A與邊C。然後，取得假想邊部13取得連結邊A上的一點與邊C上的一點的線段作為假想邊。
(2)微小邊集合具有一個以上的轉折的情況，取得假想邊部13例如取得依次連結與該轉折對應的一個以上的各邊上的點與微小邊集合所具有的兩個各端邊上的點的線段即假想邊。所謂依次連結，係依微小邊接連的順序連結。此外，轉折邊上的點通常為中點。此外，端邊上的點通常為端點。該端點為在微小邊集合中，不和其他微小邊的端點共通的端點。即，微小邊集合具有一個以上的轉折的情況，取得假想邊部13通常取得依次連結一個以上的各轉折邊的中點與微小邊集合的端點的線段即假想邊。此外，轉折邊上的點也可以為例如端點。此外，端邊上的點也可以為例如中點。
此外，微小邊集合具有一個以上的轉折的情況，取得假想邊部13通常取得「轉折數量+1」的假想邊。例如轉折為一個的情況，取得假想邊部13通常取得兩個假想邊。此外，轉折為兩個的情況，取得假想邊部13通常取得三個假想邊。
假設例如一個微小邊集合依序具有以邊A與邊Q為端邊的從邊A到邊Q的微小邊。此外，假設在該一個微小邊集合中，邊K為轉折邊。此即意味著該一個微小邊集合具有一個轉折。此種情況，取得假想邊部13取得連結邊A上的一點與邊K上的一點的線段及連結該邊K上的一點與邊Q上的一點的線段作為假想邊。此外，假設在該一個微小邊集合中，邊F與邊M為轉折邊。此即意味著該一個微小邊集合具有兩個轉折。此種情況，取得假想邊部13取得連結邊A上的一點與邊F上的一點的線段、連結該邊F上的一點與邊M上的一點的線段、連結該邊M上的一點與邊Q上的一點的線段。再者，取得假想邊部13取得的各線段為假想邊。
再者，取得顯示連結兩個點的線段(此處為假想邊)的資訊(此處為假想邊資訊)的方法或步驟等為眾所周知，所以省略詳細的說明。
計算假想邊修正量部14對於一個以上的各假想邊，計算一個假想邊修正量。即，計算假想邊修正量部14計算一個以上的假想邊修正量。該一個以上的假想邊為取得假想邊部13取得的假想邊。此外，所謂假想邊修正量，係例如在修正圖案圖形中，以假想邊置換圖案圖形所具有的微小邊集合的情況對於該假想邊的修正量。換言之，所謂假想邊修正量，係在修正圖案圖形中，設想圖案圖形具有的微小邊集合為假想邊的情況，對於該假想邊所適用的修正量。此外，修正量為顯示修正之 量的資訊。
此外，假想邊修正量通常為顯示對於假想邊垂直的向量的大小及方向的資訊。該大小係由數值所顯示。此外，該方向係由符號(加號、減號)所顯示。此外，該方向及符號的關係並無限制。即，也可以例如以向圖案圖形內側的方向為加號，以向圖案圖形外側的方向為減號。此外，也可以例如以向圖案圖形外側的方向為加號，以向圖案圖形內側的方向為減號。即，假想邊修正量顯示的方向顯示將假想邊向圖案圖形的內側方向修正、或向圖案圖形的外側方向修正。
再者，在MPC或OPC等方面，計算對於圖案圖形所具有的一個邊(此處為假想邊)的修正量(此處為假想邊修正量)的方法或步驟等為眾所周知，所以省略詳細的說明。計算假想邊修正量部14通常以假想邊的中點為所謂的評估點，利用該評估點的點擴散函數的摺積積分等，計算假想邊修正量。
計算微小邊修正量部15對於兩個以上的各微小邊，計算一個微小邊修正量。所謂微小邊修正量，係在修正圖案圖形中，對於取得作為微小邊集合的兩個以上的各微小邊的修正量。即，計算微小邊修正量部15計算兩個以上的微小邊修正量。此外，微小邊修正量和假想邊修正量同樣，通常為顯示對於微小邊垂直的向量的大小及方向的資訊。再者，微小邊修正量顯示的該向量的大小及方向等與假想邊修正量顯示的大小及方向等同樣，所以省略說明。
此外，成為計算微小邊修正量的對象的兩個以上的微小邊為微小邊集合所具有的微小邊。此外，該微小邊集合為取得微小邊集合部12取得的一個以上的微小邊集合。即，計算微小邊修正量部15對於取得微小邊 集合部12所取得的一個以上的各微小邊集合，計算兩個以上的微小邊修正量。
此外，計算微小邊修正量部15使用假想邊修正量計算微小邊修正量。該假想邊修正量為計算假想邊修正量部14對於一個以上的各假想邊算出的假想邊修正量。此外，該一個以上的各假想邊為取得假想邊部13取得的假想邊，為與取得微小邊集合部12取得的一個以上的各微小邊集合對應的假想邊。即，計算微小邊修正量部15使用計算假想邊修正量部14對於一個假想邊算出的假想邊修正量，計算兩個以上的微小邊修正量。
此外，計算微小邊修正量部15通常使用假想邊修正量與微小邊角度，計算兩個以上的微小邊修正量。所謂微小邊角度，係微小邊對於假想邊的角度。具體而言，計算微小邊修正量部15例如預先保持用於計算微小邊修正量的算式。該算式具有代入假想邊修正量與微小邊角度的變數。此外，該算式通常為對於假想邊修正量乘以基於微小邊角度的係數之類的算式。然後，計算微小邊修正量部15將假想邊修正量與微小邊角度代入該算式，計算微小邊修正量。
例如上述算式為具有三角函數之式。例如設與一個微小邊集合對應的假想邊和該一個微小邊集合所具有的一個微小邊之間的角度為θ。此外，設對於該假想邊的假想邊修正量為d。此種情況，該算式為「dcosθ」。利用該算式計算微小邊修正量的情況為例如第3圖。
此外，上述算式為例如具有基於微小邊角度對於直角(90°)的比例的係數之式。例如和上述同樣，設與一個微小邊集合對應的假想邊和該一個微小邊集合所具有的一個微小邊之間的角度為θ。此外，和上述同樣，設對於該假想邊的假想邊修正量為d。此種情況，該算 式為「d{1-(θ/90)}」。此外，該算式也可以為例如「d(θ/90)」。
此外，對於轉折邊，通常兩條假想邊對應。因此，對於轉折邊，通常計算兩個微小邊修正量。此情況，計算微小邊修正量部15計算對於轉折邊算出的兩個微小邊修正量的平均作為對於該轉折邊的微小邊修正量。該平均通常為單純平均。此外，該平均也可以為例如加權平均。此外，使用於該加權平均的權重為例如由轉折邊上的點即假想邊的端點所分割的轉折邊長度的比例。即，假設轉折邊長度為10。此外，假設由假想邊的端點所分割的轉折邊長度分別為4與6。此種情況，計算微小邊修正量部15將「0.4」與「0.6」使用於加權平均的權重。
再者，例如取得假想邊部13使所取得的假想邊與取得微小邊集合部12所取得之使用於取得假想邊的微小邊集合的微小邊集合形成對應。此外，計算假想邊修正量部14例如使所取得的假想邊修正量與取得假想邊部13所取得的假想邊之使用於取得該假想邊修正量的假想邊形成對應。藉此，構成微小邊集合、假想邊及假想邊修正量的對應資訊。然後，計算微小邊修正量部15例如使用該對應資訊，計算兩個以上的微小邊修正量。
輸出部16輸出兩個以上的微小邊修正量。該輸出通常為傳送到外部的裝置、儲存到記錄媒體、傳遞至其他的程式等。此外，該輸出也可以為例如顯示於顯示器、使用投影機的投影、列印機的列印等。此外，輸出部16所輸出的兩個以上的微小邊修正量為計算微小邊修正量部15所算出的微小邊修正量。
此外，輸出部16可以包含顯示器或揚聲器等 輸出裝置，也可以不包含。輸出部16可利用輸出裝置的驅動軟體、或輸出裝置的驅動軟體與輸出裝置等來實現。
再者，取得微小邊集合部12、取得假想邊部13、計算假想邊修正量部14、計算微小邊修正量部15通常可由MPU或記憶體等來實現。此外，取得微小邊集合部12等的處理步驟通常利用軟體來實現，該軟體記錄於ROM等記錄媒體上。再者，取得微小邊集合部12等也可以利用硬體(專用電路)來實現。
其次，就計算圖案修正量裝置1的整個動作，使用流程圖進行說明。再者，預定資訊中的第i號資訊記載為「資訊〔i〕」。第4圖為顯示計算圖案修正量裝置1的整個動作的流程圖。
(步驟S401)取得微小邊集合部12判斷是否受理部11受理了圖案資訊。已受理的情況，進入步驟S402，不是的情況，則回到步驟S401。
(步驟S402)取得微小邊集合部12使用在步驟S401所受理的圖案資訊，從圖案圖形取得微小邊集合。
(步驟S403)取得假想邊部13判斷是否可在步驟S402取得一個以上的微小邊集合。可取得的情況，進入步驟S404，不是的情況，則回到步驟S401。
(步驟S404)取得假想邊部13將1設定於計數器i。此處，假設在步驟S402，取得微小邊集合部12取得p個微小邊集合。
(步驟S405)取得假想邊部13取得對於微小邊集合〔i〕之一個以上的假想邊。然後，取得假想邊部13使該取得的一個以上的假想邊與該微小邊集合〔i〕形成對應。
(步驟S406)計算假想邊修正量部14將1設定於計數器j。此處，假設在步驟S405，取得假想邊部13 對於微小邊集合〔i〕取得q個假想邊。
(步驟S407)計算假想邊修正量部14計算對於與微小邊集合〔i〕對應的假想邊〔j〕的假想邊修正量。然後，計算假想邊修正量部14使該算出的假想邊修正量與該假想邊〔j〕形成對應。
(步驟S408)計算微小邊修正量部15將1設定於計數器k。此處，假設微小邊集合〔i〕具有r個微小邊。
(步驟S409)計算微小邊修正量部15計算微小邊集合〔i〕所具有的微小邊〔k〕和與微小邊集合〔i〕對應的假想邊〔j〕之間的角度即微小邊角度。
(步驟S410)計算微小邊修正量部15使用與假想邊〔j〕對應的假想邊修正量與在步驟S409所算出的微小邊角度，計算對於微小邊集合〔i〕所具有的微小邊〔k〕的微小邊修正量。
(步驟S411)計算微小邊修正量部15判斷是否k為r。為r的情況，進入步驟S413，不是的情況，則進入步驟S412。
(步驟S412)計算微小邊修正量部15將k增加1。然後，回到步驟S409。
(步驟S413)計算假想邊修正量部14判斷是否j為q。為q的情況，進入步驟S415，不是的情況，則進入步驟S414。
(步驟S414)計算假想邊修正量部14將j增加1。然後，回到步驟S407。
(步驟S415)取得假想邊部13判斷是否i為p。為p的情況，進入步驟S417，不是的情況，則進入步驟S416。
(步驟S416)取得假想邊部13將i增加1。然 後，進入步驟S405。
(步驟S417)輸出部16輸出在步驟S410所取得的兩個以上的假想邊修正量。
再者，在第4圖的流程圖中，也可以利用切斷電源或結束處理的中斷來結束處理。
此外，就第4圖流程圖的步驟S402的取得微小邊集合的處理進行說明的流程圖為例如第5圖。再者，在第5圖中，假設圖案圖形具有m個邊。換言之，假設圖案資訊具有顯示m個邊的資訊。
(步驟S501)取得微小邊集合部12將0設定於變數gid。該gid為例如識別微小邊集合的資訊。
(步驟S502)取得微小邊集合部12將1設定於計數器i。
(步驟S503)取得微小邊集合部12使用顯示圖案資訊所具有的邊〔i〕的資訊，計算圖案圖形所具有的邊〔i〕的長度。
(步驟S504)取得微小邊集合部12判斷是否在步驟S503算出的邊〔i〕的長度滿足微小邊條件。滿足的情況，進入步驟S505，不是的情況，則進入步驟S506。
(步驟S505)取得微小邊集合部12將邊〔i〕追加於排列buff〔 〕。具體而言，取得微小邊集合部12將顯示邊〔i〕的資訊追加於buff〔 〕。然後，進入步驟S511。
(步驟S506)取得微小邊集合部12取得buff〔 〕的尺寸，設定於變數size。
(步驟S507)取得微小邊集合部12判斷是否size為兩個以上。為兩個以上的情況，進入步驟S508，不是的情況，則進入步驟S510。
(步驟S508)取得微小邊集合部12將gid增加1。
(步驟S509)取得微小邊集合部12將buff〔 〕設定於排列的要素meg〔gid〕。此處，排列meg〔 〕為儲存微小邊集合的排列。
(步驟S510)取得微小邊集合部12將buff〔 〕初始化。
(步驟S511)取得微小邊集合部12判斷是否i為m。為m的情況，回到上位處理，不是的情況，則進入步驟S512。
(步驟S512)取得微小邊集合部12將i增加1。然後，回到步驟S503。
此外，顯示第4圖流程圖的步驟S405的取得假想邊的處理的流程圖為例如第6圖。再者，第6圖為顯示對於一個微小邊集合取得一個以上的假想邊的處理的流程圖。
(步驟S601)取得假想邊部13將始端邊上的點設定於變數p1。所謂始端邊，為微小邊集合具有的最初的邊(端邊)。此外，具體而言，取得假想邊部13將顯示始端邊上的點的座標設定於變數p1。
(步驟S602)取得假想邊部13將終端邊上的點設定於變數p2。所謂終端邊，係微小邊集合具有的最後的邊(端邊)。此外，具體而言，取得假想邊部13將顯示終端邊上的點的座標設定於變數p2。
(步驟S603)取得假想邊部13判斷是否微小邊集合具有轉折。具有轉折的情況，進入步驟S605，不是的情況，則進入步驟S604。
(步驟S604)取得假想邊部13取得連結p1與p2的線段。藉此，取得假想邊。然後，回到上位處理。
(步驟S605)取得假想邊部13將1設定於計數器i。此處，假設微小邊集合具有m個轉折。換言之， 假設微小邊集合具有m個轉折邊。
(步驟S606)取得假想邊部13將轉折邊〔i〕上的點設定於排列的要素rp〔i〕。具體而言，取得假想邊部13將顯示轉折邊〔i〕上的點的座標設定於排列的要素rp〔i〕。
(步驟S607)取得假想邊部13判斷是否i為m。為m的情況，進入步驟S609，不是的情況，則進入步驟S608。
(步驟S608)取得假想邊部13將i增加1。然後，回到步驟S606。
(步驟S609)取得假想邊部13取得連結p1與rp〔1〕的線段。藉此，取得假想邊。
(步驟S610)取得假想邊部13取得連結rp〔m〕與p2的線段。藉此，取得假想邊。
(步驟S611)取得假想邊部13將1設定於計數器i。
(步驟S612)取得假想邊部13取得連結rp〔i〕與rp〔i+1〕的線段。藉此，取得假想邊。
(步驟S613)取得假想邊部13判斷是否i為m-1。為m-1的情況，回到上位處理，不是的情況，則進入步驟S614。
(步驟S614)取得假想邊部13將i增加1。然後，回到步驟S612。
再者，在上述說明的計算圖案修正量裝置1的整個動作到底是一例。即，計算圖案修正量裝置1的整個動作並不受上述的說明所限定。
(具體例)
其次，就計算圖案修正量裝置1的動作的具體例進行說明。
(例1)
在本例中，就對於不具有轉折的一個微小邊集合計算兩個以上的微小邊修正量之例等進行說明。
首先，受理部11受理圖案資訊。該圖案資訊為例如第7圖。在第7圖中，圖案資訊具有用於唯一特別指定記錄的ID與顯示圖案圖形的邊的座標對(項目名稱：頂點1、頂點2)。此外，該圖案資訊顯示的圖案圖形為例如第8圖。再者，第8圖的圖案圖形為權宜的圖形，該圖案圖形與第7圖的圖案資訊實際所顯示的圖形不同。
其次，取得微小邊集合部12使用第7圖的圖案資訊，從圖案圖形取得微小邊集合。具體而言，取得微小邊集合部12從第7圖的圖案資訊取得顯示微小邊集合的一個以上的微小邊集合資訊。該微小邊集合資訊為例如第9圖。在第9圖中，微小邊集合資訊具有用於唯一特別指定記錄的ID與顯示微小邊集合具有的微小邊的座標對(項目名稱：頂點1、頂點2)。此外，用於識別微小邊集合的資訊(項目名稱：集合ID)與該微小邊集合資訊形成對應。即，在第9圖中，與同一集合ID形成對應的座標所顯示的微小邊包含於同一微小邊集合內。此外，在第9圖中，與集合ID「004」形成對應的微小邊集合資訊所顯示的微小邊集合為例如第10圖。再者，第10圖的微小邊集合為為了方便顯示權宜的集合，該微小邊集合與該微小邊集合資訊實際所顯示的微小邊集合不同。
其次，取得假想邊部13對於第10圖的微小邊集合，取得假想邊。具體而言，取得假想邊部13例如從第9圖的微小邊集合資訊取得顯示該微小邊集合的端點的兩個座標。然後，取得假想邊部13使用所取得的兩個 座標，計算顯示連結該兩個座標的線段的算式。然後，取得假想邊部13例如將預先決定的各間隔的x座標代入該算式，計算y座標。然後，取得假想邊部13計算構成假想邊的兩個以上的點的座標。該算出的兩個以上的座標為假想邊資訊。此外，如此算出的假想邊資訊顯示的假想邊為例如第11圖。然後，取得假想邊部13例如使算出的假想邊資訊與第9圖的微小邊集合資訊形成對應。計算該假想邊資訊的結果為例如第12圖。在第12圖中，假想邊資訊為「項目名稱：假想邊」。
其次，計算假想邊修正量部14使用算出的假想邊資訊，計算對於第11圖的假想邊的假想邊修正量。此時，計算假想邊修正量部14例如以該假想邊的中點為評估點，計算假想邊修正量。此外，此時，計算假想邊修正量部14例如假設從圖案圖形取得的微小邊集合已被置換成該假想邊，計算對於該假想邊的假想邊修正量。然後，計算假想邊修正量部14使所算出的假想邊修正量與第12圖的資訊形成對應。計算該假想邊修正量的結果為例如第13圖。
其次，計算微小邊修正量部15使用所算出的假想邊修正量，計算對於第10圖的各假想邊的假想邊修正量。此時，計算微小邊修正量部15使用第13圖各記錄具有的座標對與假想邊資訊，計算該座標對顯示的微小邊與該假想邊資訊顯示的假想邊之間的角度。例如該微小邊與該假想邊交叉的情況，計算微小邊修正量部15計算由該交叉所構成的兩個角之中小的一方之角的角度。此外，例如該微小邊與該假想邊不交叉的情況，計算微小邊修正量部15例如延長該微小邊，計算由該延長的邊與該假想邊的交叉所構成的兩個角之中小的一方之角的角度。然後，計算微小邊修正量部15使用第13圖 各記錄具有的假想邊修正量與算出的角度即微小邊角度，計算微小邊修正量。然後，計算微小邊修正量部15使算出的微小邊修正量與第13圖的資訊形成對應。計算該微小邊修正量的結果為例如第14圖。
其次，輸出部16輸出第14圖的微小邊修正量。此時，輸出部16例如將識別該微小邊修正量所修正的微小邊的資訊(第14圖中的ID)形成對應而輸出微小邊修正量。
(例2)
在本例中，就對於具有一個轉折的一個微小邊集合計算兩個以上的微小邊修正量之例等進行說明。再者，適當地省略說明在例1中已說明之關於取得微小邊集合之例等。
首先，假設取得微小邊集合部12取得了微小邊集合。該微小邊集合假設為第15圖表示的微小邊集合。如前述，第15圖的微小邊集合具有一個轉折。
其次，取得假想邊部13對於第15圖的微小邊集合，取得假想邊。具體而言，取得假想邊部13例如從已取得的微小邊集合資訊取得顯示該微小邊集合的端點的兩個座標。該兩個座標之中，以顯示始點的座標為始點座標，以顯示終點的座標為終點座標。此外，取得假想邊部13例如從已取得的微小邊集合資訊取得顯示該微小邊集合所具有的轉折邊的座標對。然後，取得假想邊部13使用該座標對，計算顯示該轉折邊的中點的座標。以該算出的座標為中點座標。
其次，取得假想邊部13使用始點座標與中點座標，計算顯示連結該兩個座標的線段的算式。然後，取得假想邊部13使用該算出的算式，計算構成假想邊的兩個以上的點的座標。其次，取得假想邊部13使用中點 座標與終點座標，計算顯示連結該兩個座標的線段的算式。然後，取得假想邊部13使用該算出的算式，計算構成假想邊的兩個以上的點的座標。
如以上所算出的假想邊資訊顯示的假想邊為例如第16圖。
(例3)
在本例中，就對於具有兩個轉折的一個微小邊集合計算兩個以上的微小邊修正量之例等進行說明。再者，適當地省略說明在例1中已說明之關於取得微小邊集合之例等。
首先，假設取得微小邊集合部12取得了微小邊集合。該微小邊集合假設為第17圖表示的微小邊集合。如前述，第17圖的微小邊集合具有兩個轉折。
其次，取得假想邊部13對於第17圖的微小邊集合，取得假想邊。具體而言，取得假想邊部13例如從已取得的微小邊集合資訊取得顯示該微小邊集合的端點的兩個座標。該兩個座標之中，以顯示始點的座標為始點座標，以顯示終點的座標為終點座標。此外，取得假想邊部13例如從已取得的微小邊集合資訊取得顯示該微小邊集合具有的兩個各轉折邊的座標對。然後，取得假想邊部13使用該兩個座標對，計算顯示該兩個各轉折邊的中點的座標。以該算出的兩個座標按微小邊接連的順序分別為第一中點座標、第二中點座標。
其次，取得假想邊部13使用始點座標與第一中點座標，計算顯示連結該兩個座標的線段的算式。然後，取得假想邊部13使用該算出的算式，計算構成假想邊的兩個以上的點的座標。其次，取得假想邊部13使用第一中點座標與第二中點座標，計算顯示連結該兩個座標的線段的算式。然後，取得假想邊部13使用該算出的 算式，計算構成假想邊的兩個以上的點的座標。其次，取得假想邊部13使用第二中點座標與中點座標，計算顯示連結該兩個座標的線段的算式。然後，取得假想邊部13使用該算出的算式，計算構成假想邊的兩個以上的點的座標。
如以上所算出的假想邊資訊顯示的假想邊為例如第18圖。
以上，藉由本實施形態的計算圖案修正量裝置1，可計算對於連續兩個以上的各微小邊的適當修正量。此外，此結果，可不引起圖案圖形的形狀走樣而修正圖案圖形。
再者，本實施形態的計算圖案修正量裝置1也可以進行例如圖案圖形的修正。將進行該圖案圖形修正的計算圖案修正量裝置1作為修正圖案裝置2。修正圖案裝置2具備例如受理部11、取得微小邊集合部12、取得假想邊部13、計算假想邊修正量部14、計算微小邊修正量部15、修正部17。修正部17例如使用受理部11受理的圖案資訊，計算對於圖案圖形所具有的三個以上的邊之中微小邊集合以外的各邊的修正量。然後，修正部17例如使用該算出的修正量與計算微小邊修正量部15所算出的兩個以上的微小邊修正量，修正圖案圖形。所謂修正圖案圖形，係使用圖案資訊，取得顯示修正後的圖案圖形的資訊。再者，計算對於上述微小邊集合以外的各邊的修正量的方法或步驟等為眾所周知，所以省略詳細的說明。此外，修正部17可由例如MPU或記憶體等來實現。此外，修正部17等的處理步驟通常利用軟體來實現，該軟體記錄於ROM等記錄媒體上。再者，修正部17等也可以利用硬體(專用電路)來實現。此外，修正圖案裝置2的方塊圖為例如第19圖。
此外，上述修正圖案裝置2也可以進行例如修正後的圖案圖形的描繪。若將進行該修正後的圖案圖形描繪的修正圖案裝置2作為描繪圖案裝置3，則描繪圖案裝置3例如除了上述修正圖案裝置2所具備的各部之外，還要具備描繪部18。描繪部18例如使用顯示修正部17所取得的修正後的圖案圖形的資訊，描繪該資訊顯示的修正後的圖案圖形。此外，該描繪的對象不限。該描繪的對象為例如光罩或晶圓等。此外，描繪部18通常可由場發射型或肖特基(Schottky)型、熱電子型等電子槍、或電子透鏡、高度檢測器等來實現。此外，描繪部18的處理步驟通常利用軟體來實現，該軟體記錄於ROM等記錄媒體上。此外，描繪圖案裝置3的方塊圖為例如第20圖。
此外，上述實施形態的計算圖案修正量裝置例如可以為單獨的裝置，也可以為伺服器、客戶端系統的伺服器裝置。
此外，在上述實施形態中，各處理或各功能可以藉由利用單一裝置或單一系統進行集中處理來實現，或者也可以藉由利用複數裝置或複數系統進行分散處理來實現。
此外，在上述實施形態中，各構成要素也可以由專用的硬體構成，或者關於可由軟體實現的構成要素，也可以藉由執行程式而實現。例如，藉由CPU等程式執行部將記錄於硬碟或半導體記憶體等記錄媒體上的軟體程式讀出來執行，可實現各構成要素。
此外，實現上述實施形態的計算圖案修正量裝置的軟體為例如如下的程式。即，此程式為用於使電腦產生以下各部之功能：受理部，其受理圖案資訊，該圖案資訊係顯示圖案圖形的資訊，該圖案圖形是使電子束 描繪裝置描繪的圖形；取得微小邊集合部，其使用前述圖案資訊取得微小邊集合，該微小邊集合係構成前述圖案資訊顯示的圖案圖形輪廓線的連續兩個以上的微小邊的集合，該微小邊為小到極為滿足預先決定的條件的邊；取得假想邊部，其取得假想邊，該假想邊是使前述微小邊集合具有的兩個以上的微小邊近似的邊；計算假想邊修正量部，其計算假想邊修正量，該假想邊修正量是對於前述假想邊的修正量；計算微小邊修正量部，其使用前述假想邊修正量，計算兩個以上的微小邊修正量，該兩個以上的微小邊修正量是對於與前述假想邊對應的微小邊集合具有的兩個以上的各微小邊的修正量；以及輸出部，其輸出前述兩個以上的微小邊修正量。
再者，在上述程式方面，上述程式實現的功能中不能含有只能以硬體實現的功能。
此外，上述程式可以藉由從伺服器等下載來執行，也可以藉由讀出記錄於預定的記錄媒體(例如CD-ROM等光碟或磁碟、半導體記憶體等)上的程式來執行。此外，此程式也可以用作構成程式產品的程式。
此外，執行上述程式的電腦可以為單數，也可以為複數。即，可以進行集中處理，或者也可以進行分散處理。
此外，第21圖為執行前述程式，實現前述實施形態的計算圖案修正量裝置等的電腦系統9的概觀圖。前述實施形態可利用電腦硬體及在其上執行的電腦程式來實現。
在第21圖中，電腦系統9具備包含CD-ROM驅動器9011的電腦901、鍵盤902、滑鼠903及監視器904。
第22圖為電腦系統9的方塊圖。在第22圖 中，電腦901除了CD-ROM驅動器9011之外，還具備：MPU 9012；用於記憶啟動程式等程式的ROM 9013；連接於MPU 9012，用於暫時記憶應用程式的命令並暫時提供記憶空間的RAM 9014；用於記憶應用程式、系統程式及資料的硬碟9015；及互相連接CD-ROM驅動器9011、MPU 9012等的匯流排9016。此處雖未圖示，但電腦901也可以進一步具備提供連接於LAN的網路卡。
使電腦系統9執行前述實施形態的計算圖案修正量裝置等的功能的程式也可以記憶於CD-ROM 9101，插入CD-ROM驅動器9011，再傳送到硬碟9015。代替此，程式也可以經由未圖示的網路而傳送到電腦901，記憶於硬碟9015。程式於執行之際，載入RAM 9014。程式也可以從CD-ROM 9101或網路直接下載。
程式也可以不一定要含有使電腦901執行前述實施形態的計算圖案修正量裝置等的功能的作業系統(OS)或第三方程式等。程式只要含有命令的部分即可，該命令係在被控制的形態下呼叫適當的功能(模組)，以得到希望的結果。電腦系統9如何動作為眾所周知，詳細的說明省略。
此外，本發明不受以上的實施形態所限定，可進行各種變更，當然此等變更也包含在本發明的範圍內。
【產業上之利用可能性】
如上所述，關於本發明之計算圖案修正量裝置具有可計算對於連續兩個以上的各微小邊的適當修正量的效果，作為半導體設計裝置、電子束描繪裝置等是有用的。

Claims (11)

  1. 一種計算圖案修正量裝置，具備：受理部，其受理圖案資訊，該圖案資訊是顯示圖案圖形的資訊，該圖案圖形是使電子束描繪裝置描繪的圖形；取得微小邊集合部，其使用前述圖案資訊取得微小邊集合，該微小邊集合係構成前述圖案資訊顯示的圖案圖形輪廓線的連續兩個以上的微小邊的集合，該微小邊為小到極為滿足預先決定的條件的邊；取得假想邊部，其取得假想邊，該假想邊是使前述微小邊集合所具有的兩個以上的微小邊近似的邊；計算假想邊修正量部，其計算假想邊修正量，該假想邊修正量是對於前述假想邊的修正量；計算微小邊修正量部，其使用前述假想邊修正量，計算兩個以上的微小邊修正量，該兩個以上的微小邊修正量是對於與前述假想邊對應的微小邊集合所具有的兩個以上的各微小邊的修正量；以及輸出部，其輸出前述兩個以上的微小邊修正量。
  2. 如申請專利範圍第1項之計算圖案修正量裝置，其中前述取得假想邊部取得連結前述微小邊集合所具有的兩個各端邊上的點的線段作為假想邊。
  3. 如申請專利範圍第1項之計算圖案修正量裝置，其中前述取得假想邊部於前述微小邊集合具有一個以上的轉折的情況，取得兩個以上的線段作為假想邊，該兩個以上的線段係依次連結與該轉折對應的一個以上的各邊上的點與該微小邊集合具有的兩個各端邊上的點。
  4. 如申請專利範圍第2項之計算圖案修正量裝置，其中前述端邊上的點為該端邊的端點。
  5. 如申請專利範圍第3項之計算圖案修正量裝置，其中與前述轉折對應的邊上的點為與該轉折對應的邊的中點。
  6. 如申請專利範圍第1項之計算圖案修正量裝置，其中前述計算微小邊修正量部使用前述假想邊修正量與對於前述假想邊的前述微小邊集合所具有的兩個以上的各微小邊的角度，計算前述兩個以上的微小邊修正量。
  7. 如申請專利範圍第6項之計算圖案修正量裝置，其中前述計算微小邊修正量部藉由使用三角函數，將前述假想邊修正量分解為對於前述假想邊的前述微小邊集合所具有的兩個以上的各微小邊的角度的分量，計算前述兩個以上的微小邊修正量。
  8. 如申請專利範圍第1項之計算圖案修正量裝置，其中前述微小邊為100奈米以下。
  9. 如申請專利範圍第1項之計算圖案修正量裝置，其中構成前述圖案圖形的兩個以上的邊為鄰接的兩個邊構成直角的邊。
  10. 一種計算圖案修正量方法，其使用受理部、取得微小邊集合部、取得假想邊部、計算假想邊修正量部、計算微小邊修正量部及輸出部來進行，具備以下步驟：受理步驟，其係前述受理部受理圖案資訊，該圖案資訊係顯示圖案圖形的資訊，該圖案圖形是使電子束描繪裝置描繪的圖形；取得微小邊集合步驟，其係前述取得微小邊集合部使用前述圖案資訊取得微小邊集合，該微小邊集合係構成前述圖案資訊顯示的圖案圖形輪廓線的連續兩個以上的微小邊的集合，該微小邊為小到極為滿足預先決定的條件的邊； 取得假想邊步驟，其係前述取得假想邊部取得假想邊，該假想邊是使前述微小邊集合所具有的兩個以上的微小邊近似的邊；計算假想邊修正量步驟，其係前述計算假想邊修正量部計算假想邊修正量，該假想邊修正量是對於前述假想邊的修正量；計算微小邊修正量步驟，其係前述計算微小邊修正量部使用前述假想邊修正量，計算兩個以上的微小邊修正量，該兩個以上的微小邊修正量是對於與前述假想邊對應的微小邊集合所具有的兩個以上的各微小邊的修正量；以及輸出步驟，其係前述輸出部輸出前述兩個以上的微小邊修正量。
  11. 一種記錄媒體，其係記錄用於使電腦產生下述各部之功能的程式：受理部，其受理圖案資訊，該圖案資訊係顯示圖案圖形的資訊，該圖案圖形是使電子束描繪裝置描繪的圖形；取得微小邊集合部，其使用前述圖案資訊取得微小邊集合，該微小邊集合係構成前述圖案資訊顯示的圖案圖形輪廓線的連續兩個以上的微小邊的集合，該微小邊為小到極為滿足預先決定的條件的邊；取得假想邊部，其取得假想邊，該假想邊是使前述微小邊集合具有的兩個以上的微小邊近似的邊；計算假想邊修正量部，其計算假想邊修正量，該假想邊修正量是對於前述假想邊的修正量；計算微小邊修正量部，其使用前述假想邊修正量，計算兩個以上的微小邊修正量，該兩個以上的微小邊修正量是對於與前述假想邊對應的微小邊集合所具有的兩 個以上的各微小邊的修正量；以及輸出部，其輸出前述兩個以上的微小邊修正量。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7506870B2 (ja) * 2020-04-08 2024-06-27 日本コントロールシステム株式会社 マスク情報調整装置、マスクデータ調整方法、プログラム

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003309065A (ja) * 2002-02-12 2003-10-31 Nikon Corp レチクルパターンの決定方法、及びレチクルパターン決定用計算機プログラム
JP2004355644A (ja) * 2004-07-08 2004-12-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd レイアウトコンパクション方法
JP2012042498A (ja) * 2010-08-12 2012-03-01 Toshiba Corp マスクパターン作成方法およびリソグラフィターゲットパターン作成方法
TW201433886A (zh) * 2008-05-13 2014-09-01 尼康股份有限公司 移動體系統及移動體驅動方法、圖案形成裝置及圖案形成方法、曝光裝置及曝光方法、以及元件製造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04181715A (ja) * 1990-11-16 1992-06-29 Fujitsu Ltd パターンのビーム露光方法
JPH06110976A (ja) * 1992-09-25 1994-04-22 Fujitsu Ltd 図形データのサイジング処理方法
KR0163471B1 (ko) * 1994-07-05 1998-12-15 가네꼬 히사시 수정된 조명에 이용되는 포토-마스크 제조 방법, 포토-마스크를 이용하는 투영 정렬기 및 포토-마스크로부터 감광층으로 패턴상을 전사하는 방법
JP3543430B2 (ja) * 1995-07-14 2004-07-14 ソニー株式会社 マスクパターンの補正方法および補正装置
US6649309B2 (en) 2001-07-03 2003-11-18 International Business Machines Corporation Method for correcting optical proximity effects in a lithographic process using the radius of curvature of shapes on a mask
JP4190796B2 (ja) * 2002-04-24 2008-12-03 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 露光原版の作成方法
US6824937B1 (en) * 2002-05-31 2004-11-30 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for determining optimum optical proximity corrections within a photolithography system
US6893800B2 (en) * 2002-09-24 2005-05-17 Agere Systems, Inc. Substrate topography compensation at mask design: 3D OPC topography anchored
US7005218B2 (en) * 2003-04-29 2006-02-28 Synopsys, Inc. Method and apparatus for performing target-image-based optical proximity correction
TWI264058B (en) * 2005-08-09 2006-10-11 Powerchip Semiconductor Corp Method of correcting mask pattern and method of forming the same
JP2008033277A (ja) * 2006-06-29 2008-02-14 Sharp Corp 設計データ又はマスクデータの補正方法および補正システム、設計データ又はマスクデータの検証方法および検証システム、半導体集積回路の歩留まり予測方法、デザインルールの改善方法、マスクの製造方法、並びに、半導体集積回路の製造方法
US7981575B2 (en) * 2008-09-01 2011-07-19 DS2, Inc. Method for optical proximity correction of a reticle to be manufactured using variable shaped beam lithography
US7901850B2 (en) * 2008-09-01 2011-03-08 D2S, Inc. Method and system for design of a reticle to be manufactured using variable shaped beam lithography
JP6418786B2 (ja) * 2013-07-10 2018-11-07 キヤノン株式会社 パターンの作成方法、プログラムおよび情報処理装置
CN104977797B (zh) * 2014-04-02 2019-04-26 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光学邻近校正方法以及优化光学邻近校正模型的方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003309065A (ja) * 2002-02-12 2003-10-31 Nikon Corp レチクルパターンの決定方法、及びレチクルパターン決定用計算機プログラム
JP2004355644A (ja) * 2004-07-08 2004-12-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd レイアウトコンパクション方法
TW201433886A (zh) * 2008-05-13 2014-09-01 尼康股份有限公司 移動體系統及移動體驅動方法、圖案形成裝置及圖案形成方法、曝光裝置及曝光方法、以及元件製造方法
JP2012042498A (ja) * 2010-08-12 2012-03-01 Toshiba Corp マスクパターン作成方法およびリソグラフィターゲットパターン作成方法

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