JP6468792B2 - パターン補正量算出装置、パターン補正量算出方法、およびプログラム - Google Patents
パターン補正量算出装置、パターン補正量算出方法、およびプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP6468792B2 JP6468792B2 JP2014214382A JP2014214382A JP6468792B2 JP 6468792 B2 JP6468792 B2 JP 6468792B2 JP 2014214382 A JP2014214382 A JP 2014214382A JP 2014214382 A JP2014214382 A JP 2014214382A JP 6468792 B2 JP6468792 B2 JP 6468792B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- minute
- correction amount
- virtual
- edge
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012937 correction Methods 0.000 title claims description 284
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 title claims description 132
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 45
- 230000006870 function Effects 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000004429 Calibre Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/76—Patterning of masks by imaging
- G03F1/78—Patterning of masks by imaging by charged particle beam [CPB], e.g. electron beam patterning of masks
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
- G03F7/70441—Optical proximity correction [OPC]
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
- H01J37/3023—Programme control
- H01J37/3026—Patterning strategy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31761—Patterning strategy
- H01J2237/31762—Computer and memory organisation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Image Analysis (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Investigating Or Analysing Biological Materials (AREA)
- Image Processing (AREA)
Description
本実施の形態において、パターン図形の輪郭線から、連続する2以上の微小辺の集合である微小辺集合を取得し、当該微小辺集合が有する2以上の各微小辺に対する適切な補正量を算出するパターン補正量算出装置1について説明する。なお、「適切な補正量」とは、微小辺以外の他の辺に対する補正量と同等の補正量、微小辺以外の他の辺に対する補正量との差が予め決められた条件を満たすほど小さい補正量、パターン図形の形状くずれを起こさない補正量、などである。
次に、パターン補正量算出装置1の動作の具体例について説明する。
本例において、折返しを有さない一の微小辺集合に対して2以上の微小辺補正量を算出する例などについて説明する。
本例において、1つの折返しを有する一の微小辺集合に対して2以上の微小辺補正量を算出する例などについて説明する。なお、微小辺集合を取得する例など、例1で説明済みの例などについては、適宜、説明を省略する。
本例において、2つの折返しを有する一の微小辺集合に対して2以上の微小辺補正量を算出する例などについて説明する。なお、微小辺集合を取得する例など、例1で説明済みの例などについては、適宜、説明を省略する。
11 受付部
12 微小辺集合取得部
13 仮想辺取得部
14 仮想辺補正量算出部
15 微小辺補正量算出部
16 出力部
Claims (11)
- 電子ビーム描画装置に描画させる図形であるパターン図形を示す情報であるパターン情報を受け付ける受付部と、
前記パターン情報を用いて、前記パターン情報が示すパターン図形の輪郭線を構成する連続する2以上の辺の集合であり、予め決められた条件を満たすほど小さい辺である微小辺の集合である微小辺集合を取得する微小辺集合取得部と、
前記微小辺集合が有する2以上の微小辺を近似する辺である仮想辺を取得する仮想辺取得部と、
前記仮想辺に対する補正量であり、前記仮想辺全体の位置の変更に関する情報である仮想辺補正量を算出する仮想辺補正量算出部と、
前記仮想辺補正量を用いて、前記仮想辺に対応する微小辺集合が有する2以上の各微小辺に対する補正量であり、前記仮想辺補正量に応じた補正量であり、各微小辺全体の位置の変更に関する情報である2以上の微小辺補正量を算出する微小辺補正量算出部と、
前記2以上の微小辺補正量を出力する出力部とを備えるパターン補正量算出装置。 - 前記仮想辺取得部は、
前記微小辺集合が有する2つの各端辺上の点を結ぶ線分を仮想辺として取得する請求項1記載のパターン補正量算出装置。 - 前記仮想辺取得部は、
前記微小辺集合が、1以上の折返しを有する場合に、当該折返しに対応する1以上の各辺上の点と、当該微小辺集合が有する2つの各端辺上の点とを順に結ぶ2以上の線分を仮想辺として取得する請求項1または請求項2記載のパターン補正量算出装置。 - 前記端辺上の点は、当該端辺の端点である請求項2または請求項3記載のパターン補正量算出装置。
- 前記折返しに対応する辺上の点は、当該折返しに対応する辺の中点である請求項3記載のパターン補正量算出装置。
- 前記微小辺補正量算出部は、
前記仮想辺補正量と、前記仮想辺に対する前記微小辺集合が有する2以上の各微小辺の角度とを用いて、前記2以上の微小辺補正量を算出する請求項1から請求項5いずれか一項に記載のパターン補正量算出装置。 - 前記微小辺補正量算出部は、
三角関数を用いて、前記仮想辺補正量を、前記仮想辺に対する前記微小辺集合が有する2以上の各微小辺の角度の成分に分解することにより、前記2以上の微小辺補正量を算出する請求項6記載のパターン補正量算出装置。 - 前記微小辺は、100ナノメートル以下の長さの辺である請求項1から請求項7いずれか一項に記載のパターン補正量算出装置。
- 前記パターン図形を構成する2以上の辺は、隣接する2つの辺が直角を構成する辺である請求項1から請求項8いずれか一項に記載のパターン補正量算出装置。
- 受付部と、微小辺集合取得部と、仮想辺取得部と、仮想辺補正量算出部と、微小辺補正量算出部と、出力部とを用いて行われるパターン補正量算出方法であって、
前記受付部が、
電子ビーム描画装置に描画させる図形であるパターン図形を示す情報であるパターン情報を受け付ける受付ステップと、
前記微小辺集合取得部が、
前記パターン情報を用いて、前記パターン情報が示すパターン図形の輪郭線を構成する連続する2以上の辺の集合であり、予め決められた条件を満たすほど小さい辺である微小辺の集合である微小辺集合を取得する微小辺集合取得ステップと、
前記仮想辺取得部が、
前記微小辺集合が有する2以上の微小辺を近似する辺である仮想辺を取得する仮想辺取得ステップと、
前記仮想辺補正量算出部が、
前記仮想辺に対する補正量であり、前記仮想辺全体の位置の変更に関する情報である仮想辺補正量を算出する仮想辺補正量算出ステップと、
前記微小辺補正量算出部が、
前記仮想辺補正量を用いて、前記仮想辺に対応する微小辺集合が有する2以上の各微小辺に対する補正量であり、前記仮想辺補正量に応じた補正量であり、各微小辺全体の位置の変更に関する情報である2以上の微小辺補正量を算出する微小辺補正量算出ステップと、
前記出力部が、
前記2以上の微小辺補正量を出力する出力ステップとを備えるパターン補正量算出方法。 - コンピュータを、
電子ビーム描画装置に描画させる図形であるパターン図形を示す情報であるパターン情報を受け付ける受付部、
前記パターン情報を用いて、前記パターン情報が示すパターン図形の輪郭線を構成する連続する2以上の辺の集合であり、予め決められた条件を満たすほど小さい辺である微小辺の集合である微小辺集合を取得する微小辺集合取得部、
前記微小辺集合が有する2以上の微小辺を近似する辺である仮想辺を取得する仮想辺取得部、
前記仮想辺に対する補正量であり、前記仮想辺全体の位置の変更に関する情報である仮想辺補正量を算出する仮想辺補正量算出部、
前記仮想辺補正量を用いて、前記仮想辺に対応する微小辺集合が有する2以上の各微小辺に対する補正量であり、前記仮想辺補正量に応じた補正量であり、各微小辺全体の位置の変更に関する情報である2以上の微小辺補正量を算出する微小辺補正量算出部、
前記2以上の微小辺補正量を出力する出力部として機能させるためのプログラム。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014214382A JP6468792B2 (ja) | 2014-10-21 | 2014-10-21 | パターン補正量算出装置、パターン補正量算出方法、およびプログラム |
KR1020177006130A KR102399852B1 (ko) | 2014-10-21 | 2015-07-03 | 패턴보정량산출장치, 패턴보정량산출방법 및 기록매체 |
PCT/JP2015/069265 WO2016063580A1 (ja) | 2014-10-21 | 2015-07-03 | パターン補正量算出装置、パターン補正量算出方法、および記録媒体 |
US15/512,351 US10241395B2 (en) | 2014-10-21 | 2015-07-03 | Pattern correction amount calculating apparatus, pattern correction amount calculating method, and storage medium |
EP15852293.8A EP3211479B1 (en) | 2014-10-21 | 2015-07-03 | Pattern correction amount calculating apparatus, pattern correction amount calculating method, and storage medium |
TW104130760A TWI656398B (zh) | 2014-10-21 | 2015-09-17 | Method for calculating pattern correction amount, method for calculating pattern correction amount, and recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014214382A JP6468792B2 (ja) | 2014-10-21 | 2014-10-21 | パターン補正量算出装置、パターン補正量算出方法、およびプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016082150A JP2016082150A (ja) | 2016-05-16 |
JP6468792B2 true JP6468792B2 (ja) | 2019-02-13 |
Family
ID=55760631
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014214382A Active JP6468792B2 (ja) | 2014-10-21 | 2014-10-21 | パターン補正量算出装置、パターン補正量算出方法、およびプログラム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10241395B2 (ja) |
EP (1) | EP3211479B1 (ja) |
JP (1) | JP6468792B2 (ja) |
KR (1) | KR102399852B1 (ja) |
TW (1) | TWI656398B (ja) |
WO (1) | WO2016063580A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7506870B2 (ja) * | 2020-04-08 | 2024-06-27 | 日本コントロールシステム株式会社 | マスク情報調整装置、マスクデータ調整方法、プログラム |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04181715A (ja) * | 1990-11-16 | 1992-06-29 | Fujitsu Ltd | パターンのビーム露光方法 |
JPH06110976A (ja) * | 1992-09-25 | 1994-04-22 | Fujitsu Ltd | 図形データのサイジング処理方法 |
GB2291219B (en) | 1994-07-05 | 1998-07-01 | Nec Corp | Photo-mask fabrication and use |
JP3543430B2 (ja) * | 1995-07-14 | 2004-07-14 | ソニー株式会社 | マスクパターンの補正方法および補正装置 |
US6649309B2 (en) * | 2001-07-03 | 2003-11-18 | International Business Machines Corporation | Method for correcting optical proximity effects in a lithographic process using the radius of curvature of shapes on a mask |
JP2003309065A (ja) * | 2002-02-12 | 2003-10-31 | Nikon Corp | レチクルパターンの決定方法、及びレチクルパターン決定用計算機プログラム |
JP4190796B2 (ja) * | 2002-04-24 | 2008-12-03 | Necエレクトロニクス株式会社 | 露光原版の作成方法 |
US6824937B1 (en) * | 2002-05-31 | 2004-11-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and system for determining optimum optical proximity corrections within a photolithography system |
US6893800B2 (en) * | 2002-09-24 | 2005-05-17 | Agere Systems, Inc. | Substrate topography compensation at mask design: 3D OPC topography anchored |
US7005218B2 (en) * | 2003-04-29 | 2006-02-28 | Synopsys, Inc. | Method and apparatus for performing target-image-based optical proximity correction |
JP2004355644A (ja) * | 2004-07-08 | 2004-12-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レイアウトコンパクション方法 |
TWI264058B (en) * | 2005-08-09 | 2006-10-11 | Powerchip Semiconductor Corp | Method of correcting mask pattern and method of forming the same |
JP2008033277A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-02-14 | Sharp Corp | 設計データ又はマスクデータの補正方法および補正システム、設計データ又はマスクデータの検証方法および検証システム、半導体集積回路の歩留まり予測方法、デザインルールの改善方法、マスクの製造方法、並びに、半導体集積回路の製造方法 |
US8817236B2 (en) | 2008-05-13 | 2014-08-26 | Nikon Corporation | Movable body system, movable body drive method, pattern formation apparatus, pattern formation method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US7901850B2 (en) * | 2008-09-01 | 2011-03-08 | D2S, Inc. | Method and system for design of a reticle to be manufactured using variable shaped beam lithography |
US7981575B2 (en) * | 2008-09-01 | 2011-07-19 | DS2, Inc. | Method for optical proximity correction of a reticle to be manufactured using variable shaped beam lithography |
JP2012042498A (ja) * | 2010-08-12 | 2012-03-01 | Toshiba Corp | マスクパターン作成方法およびリソグラフィターゲットパターン作成方法 |
JP6418786B2 (ja) * | 2013-07-10 | 2018-11-07 | キヤノン株式会社 | パターンの作成方法、プログラムおよび情報処理装置 |
CN104977797B (zh) * | 2014-04-02 | 2019-04-26 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光学邻近校正方法以及优化光学邻近校正模型的方法 |
-
2014
- 2014-10-21 JP JP2014214382A patent/JP6468792B2/ja active Active
-
2015
- 2015-07-03 KR KR1020177006130A patent/KR102399852B1/ko active IP Right Grant
- 2015-07-03 EP EP15852293.8A patent/EP3211479B1/en active Active
- 2015-07-03 WO PCT/JP2015/069265 patent/WO2016063580A1/ja active Application Filing
- 2015-07-03 US US15/512,351 patent/US10241395B2/en active Active
- 2015-09-17 TW TW104130760A patent/TWI656398B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20170277035A1 (en) | 2017-09-28 |
US10241395B2 (en) | 2019-03-26 |
KR102399852B1 (ko) | 2022-05-18 |
KR20180002585A (ko) | 2018-01-08 |
TWI656398B (zh) | 2019-04-11 |
WO2016063580A1 (ja) | 2016-04-28 |
TW201616216A (zh) | 2016-05-01 |
EP3211479A4 (en) | 2018-06-06 |
EP3211479B1 (en) | 2022-05-04 |
EP3211479A1 (en) | 2017-08-30 |
JP2016082150A (ja) | 2016-05-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102110701B1 (ko) | 곡면 디스플레이 스크린들에 대한 원근 보정 | |
JP2011118553A (ja) | 画像処理装置、画像処理方法及びコンピュータプログラム | |
US10410317B1 (en) | Digital image transformation environment using spline handles | |
JP2009134509A (ja) | モザイク画像生成装置及びモザイク画像生成方法 | |
US20220180560A1 (en) | Camera calibration apparatus, camera calibration method, and nontransitory computer readable medium storing program | |
US20140341461A1 (en) | Image processing apparatus, distortion-corrected map creation apparatus, and semiconductor measurement apparatus | |
JP6468792B2 (ja) | パターン補正量算出装置、パターン補正量算出方法、およびプログラム | |
US10510163B2 (en) | Image processing apparatus and image processing method | |
JP2017191572A (ja) | 画像処理装置及びその方法、プログラム | |
JP5356711B2 (ja) | 地図情報補正装置、地図情報補正方法、及びプログラム | |
CN111951348B (zh) | 确定框选区域的方法、装置及电子设备 | |
JP5787637B2 (ja) | 画像処理装置、画像処理方法 | |
JP6305806B2 (ja) | 情報処理装置、情報処理方法、およびプログラム | |
JP6351984B2 (ja) | 位置特定装置、映像処理装置、パターン生成装置、スクリーン、スクリーンシステムおよび位置特定方法 | |
JPWO2019065784A1 (ja) | 画像処理装置、画像処理方法、及びプログラム | |
JP5575048B2 (ja) | 画像処理装置および画像形成装置 | |
JP2004062637A (ja) | 3次元データへのポリラインの設定方法および装置 | |
JP6223944B2 (ja) | フォーカス補正装置、フォーカス補正方法およびプログラム | |
JP2016081187A (ja) | 情報処理装置、情報処理システム、情報処理装置の制御方法、及びコンピュータプログラム | |
EP4362057A1 (en) | Electron beam rendering device, electron beam rendering method, and recording medium | |
JP6155092B2 (ja) | 図形情報作成装置、領域分割装置、図形情報作成方法、領域分割方法、およびプログラム | |
JP2011186786A (ja) | 図形描画装置および方法 | |
JP2014143254A (ja) | 描画データの生成方法、処理装置、プログラム、描画装置及び物品製造方法 | |
JP2000099752A (ja) | 座標入出力方法及び座標入出力装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170529 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180529 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180710 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190104 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190115 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6468792 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |