TWI654822B - 能以低壓電晶體實現級數切換功能之高壓產生器 - Google Patents

能以低壓電晶體實現級數切換功能之高壓產生器

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Abstract

本發明係一種能以低壓電晶體實現級數切換功能之高壓產生器，包括一升壓電路、複數個切換開關及一迴授電路，該升壓電路包括複數個電荷泵，以能對輸入訊號進行升壓處理；各該切換開關係分別並聯於各該電荷泵，且能分別被一控制訊號控制啟閉，該迴授電路之兩端則電性連接於該高壓產生器之輸出端及各電荷泵，透過控制各該切換開關的啟閉，將能決定升壓的幅度，且能確保切換開關不會因為過大的電壓差而損壞。

Description

能以低壓電晶體實現級數切換功能之高 壓產生器
本發明係一種能以低壓電晶體實現級數切換功能之高壓產生器，能透過複數個電荷泵，將輸入訊號做升壓處理。
近年來，隨著生醫電子技術的發展，許多嶄新的刺激器(stimulators)電路被設計出來，應用於診療、復健或防制疾病產生與惡化。刺激器電路能對生物組織施加電刺激，但由於生物組織的阻抗大，因此，應用於生醫領域的刺激器電路晶片中，必須配置一種「高電壓產生器(High-Voltage Generator)」，才能讓刺激器電路正常運作，並發揮預期效果。
此外，又因為生物組織的阻抗會隨著應用方式的不同，各有差異，故，刺激器電路內的高電壓產生器，也必須能夠隨生物組織之阻抗變化，彈性地提供數伏特至數十伏特之高電壓，才能符合應用上的需求。
然而，在實務上，刺激器電路晶片常會被埋入 生物體中，因此，體積與面積亦為設計上的一大考驗，如何在確保刺激器電路晶片的效能與耐用度的前提下，縮減體積與面積，可說是各方業者亟欲改良的重要目標，亦為本發明在此欲探討課題。
本發明之一態樣，係提供一種能以低壓電晶體實現級數切換功能之高壓產生器，包括一升壓電路、至少一第一級切換開關、至少一第二級切換開關及一迴授電路，該升壓電路係由至少一第一級電荷泵及一第二級電荷泵相互串聯而成；該第一級電荷泵之輸入端係電性連接至該高壓產生器之輸入端，該第二級電荷泵之輸入端則電性連接至該第一級電荷泵之輸出端，且該第二級電荷泵之輸出端係直接或間接地電性連接至該高壓產生器之輸出端；各該切換開關係分別並聯於該第一級電荷泵及該第二級電荷泵，且各該切換開關分別由至少一低壓電晶體組成；該迴授電路之一端係電性連接至該高壓產生器之輸出端，其另一端則分別電性連接至各該電荷泵來提供時脈訊號；在該第一級切換開關及第二級切換開關皆斷開的情況下，該高壓產生器之輸入端所接收到的一輸入訊號，能依序透過該第一級電荷泵及第二級電荷泵進行兩次升壓；反之，在該第一級切換開關被導通、第二級切換開關卻斷開的情況下，該輸入訊號僅會透過該第二級電荷泵進行一次升壓，且該第一級切換開關及第二級切換開關之兩端間，皆僅具有一次升壓的電壓差幅度。
透過前述特徵，由於各該電荷泵上分別並聯有 切換開關，因此，在控制切換開關之啟閉，以決定透過多少級電荷泵進行升壓時，每個切換開關之兩端上至多只會有一次升壓的電壓差，據此，即可確保切換開關不會因為過大的電壓差而損壞，令業者能以低壓製程，將高壓產生器連同刺激器電路的其他元件製成一單晶片，以兼顧體積與製造成本。
1、2‧‧‧高壓產生器
11、20‧‧‧升壓電路
111~114‧‧‧電荷泵
115~117‧‧‧切換開關
12、23‧‧‧迴授電路
121、231‧‧‧差動放大器
122‧‧‧振盪器
D1~D2、E1~E3‧‧‧控制訊號
V1、Vin‧‧‧輸入端
V2、Vout‧‧‧輸出端
VR‧‧‧參考電壓
201‧‧‧第一級電荷泵
202‧‧‧第二級電荷泵
21‧‧‧第一級切換開關
22‧‧‧第二級切換開關
232‧‧‧壓控振盪器
233‧‧‧時脈電路
31‧‧‧第一前端單軸雙切開關
32‧‧‧第一反向器
33‧‧‧第一後端單軸雙切開關
34‧‧‧第一電晶體開關
41‧‧‧第二前端單軸雙切開關
42‧‧‧第二反向器
43‧‧‧第二後端單軸雙切開關
44‧‧‧第二電晶體開關
5‧‧‧單軸雙切開關
51‧‧‧控制端
52、53‧‧‧切換端
54‧‧‧反應端
61‧‧‧第一耦合電容
610‧‧‧反向器
62‧‧‧第二耦合電容
63‧‧‧第一交叉耦合電晶體
64‧‧‧第二交叉耦合電晶體
65‧‧‧洩壓電路
第1圖係一種高壓產生器電路圖；第2圖係本發明之高壓產生器之電路架構圖；第3圖係本發明之高壓產生器之局部電路圖；第4圖係本發明中單軸雙切開關之示意圖；第5圖係本發明中前端單軸雙切開關之示意圖；及第6圖係本發明中後端單軸雙切開關之示意圖。
以下將以圖式揭露本發明之複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。
於本文中，當一元件被稱為「連接」或「耦接」時，可指「電性連接」或「電性耦接」。「連接」或「耦接」 亦可用以表示二或多個元件間相互搭配操作或互動。此外，雖然本文中使用「第一」、「第二」、…等用語描述不同元件，該用語僅是用以區別以相同技術用語描述的元件或操作。除非上下文清楚指明，否則該用語並非特別指稱或暗示次序或順位，亦非用以限定本發明。
發明人在研究過程中發現，時下的高壓產生器電路晶片，皆無法完善地兼顧性能、耐用度與體積。為了能彈性地產生數伏特至數十伏特的電壓，傳統的做法，是改變高壓產生器電路中，電荷泵的操作頻率(pumping frequency)，同時利用迴授電路來穩壓，但此一作法的效率過於低落，缺乏實用性。
近年來的另一種作法，是直接在高壓產生器電路中配置多級獨立的升壓電路，根據輸出電壓的需求，使用對應的升壓電路，例如：當需要將輸入電壓進行一倍升壓時，就驅動具有單一電荷泵的升壓電路，而若是需要將輸入電壓進行兩倍升壓，就改驅動具有二個相互串聯之電荷泵的升壓電路，此一作法雖能有效確保轉換效率，但是卻會讓體積大幅增加，因此亦非一完善的處理方案。
請參閱第1圖所示，係又一種改良的高壓產生器電路1，該高壓產生器電路1包括一升壓電路11及一迴授電路12，且該升壓電路11中包括複數個電荷泵111~114(charge pump)及切換開關115~117；該迴授電路12包括一差動放大器121及一振盪器122，且能接收控制訊號E1~E3，以對該等電荷泵111~114及切換開關115~117進行控制。
舉例而言，當只需要進行一倍升壓時，導通切換開關115~117，如此，輸入端V1之訊號會通過切換開關115~117，而不會被電荷泵111~113升壓，僅透過電荷泵114完成一倍升壓。同理，當需要四倍升壓時，只需要斷開所有切換開關115~117，即可透過四個電荷泵111~114，完成四倍升壓，並由輸出端V2輸出。
然而，發明人發現，第1圖所示之高壓產生器卻在實務應用上存在極大缺陷，以「四倍升壓」的運作方式為例，當輸入端V1的電壓為VA時，在切換開關115~117皆被切斷的情況下，電荷泵113及114之間的節點，將存在四倍的VA電壓(經過三次升壓)，此時，雖然切換開關117未導通，但切換開關117兩端的電壓差卻是三倍的VA(輸入訊號的V1及升壓後的四倍V1)，此一過大的電壓差，將很容易對切換開關117造成損害。
雖然，第1圖所示的高壓產生器中，仍能透過使用「高壓製程」的電晶體製作該等切換開關115~117，來避免耐用度受損的問題。然而，在生醫晶片上(例如：抑制癲癇的植入式晶片)，除了高壓產生器外，尚具有整流器、接收器、驅動器與生物訊號處理器等諸多元件，若針對高壓產生器電路，使用單獨製程製作，勢必無法整合成足夠精巧的體積，而若是將所有元件皆以高壓製程製作成單晶片，雖能節省體積，但又會大幅提升生產成本，由此可見，第1圖所示之高壓產生器，依舊無法兼顧效能、耐用度與體積等多項設計上的需求。
請參閱第2圖所示，係發明人為了解決前述問 題，設計出之本發明，其為一種能以低壓電晶體實現級數切換功能之高壓產生器2，該高壓產生器2係應用於一生醫用之刺激器電路晶片(如前述抑制癲癇的植入式晶片)中，但並不以此為限。
該高壓產生器2包括一升壓電路20、至少一第一級切換開關21、至少一第二級切換開關22及一迴授電路23，其中，該升壓電路20係由至少一第一級電荷泵201及一第二級電荷泵202相互串聯而成，但亦可依需求增加數量。該第一級電荷泵201之輸入端係電性連接至該高壓產生器2之輸入端Vin，該第二級電荷泵202之輸入端則電性連接至該第一級電荷泵201之輸出端，且該第二級電荷泵202之輸出端係直接或間接地電性連接至該高壓產生器2之輸出端Vout。
該第一級切換開關21係並聯於該第一級電荷泵201上，該第二級切換開關22則並聯於該第二級電荷泵202上，且各該切換開關21、22分別由至少一低壓電晶體組成，詳細結構將於後文詳述，但本發明並不限定切換開關之結構組成。該等切換開關21、22能分別接收刺激器電路晶片(如：晶片內之驅動器)傳來之控制訊號D1、D2，以決定其啟閉狀態。
該迴授電路23之一端係電性連接至該高壓產生器2之輸出端Vout，其另一端則分別電性連接至各該電荷泵201、202，以分別提供時脈訊號至各電荷泵201、202。舉例而言，在高壓產生器2之輸出端Vout電壓過小時，迴授電路23能升高時脈訊號之頻率，使電荷泵201、202操作頻 率加快，以能有效率地將輸出端Vout保持在高電壓；反之，在高壓產生器2之輸出端Vout電壓過大時，迴授電路23能降低時脈訊號之頻率，使電荷泵201、202的操作頻率放慢，從而有效率地將該輸出端Vout控制在相對較低之電壓，進而達到穩定輸出電壓在一範圍的效果。請參閱第2圖所示，各該切換開關21、22能分別被該控制訊號D1、D2控制啟閉，且配合該等切換開關21、22的啟閉，即能決定該電荷泵201、202是否能對輸入端Vin之訊號進行升壓處理。
在該第一級切換開關21及第二級切換開關22皆斷開的情況下，該高壓產生器2之輸入端Vin所接收到的一輸入訊號，能依序透過該第一級電荷泵201及第二級電荷泵202進行兩次升壓；反之，在該第一級切換開關21被導通、第二級切換開關22卻斷開的情況下，該輸入訊號Vin僅會透過該第二級電荷泵202進行一次升壓，且該第一級切換開關21之兩端間的電壓差為零，該第二級切換開關22之兩端間則僅具有一次升壓的電壓差幅度，即，一倍的Vin。如前所述，各該電荷泵201、202能根據接收到的時脈訊號之頻率，調整操作之頻率，確保該高壓產生器2之整體運作效率。
本發明透過在每一級電荷泵201、202上，分別並聯一切換開關21、22，使每一個切換開關21、22的兩端係分別連接於對應之電荷泵201、202之兩端，如此一來，無論該切換開關21、22是否導通，其兩端頂多都只會有一倍的一個電荷泵升壓後的電壓差幅度，而不會對切換開關21、22造成損傷，據此，在確保性能與耐用度的情況下，業者將可使用低壓製程，將該高壓產生器2電路與其他元件 整合成單晶片，以有效控制生產成本及晶片體積。
茲進一步說明各該切換開關21、22之結構如下，請參閱第2~4圖所示，其中，第3圖之高壓產生器2中，係省略了迴授電路23，僅著重在切換開關21、22。該第一切換開關21包括：一第一前端單軸雙切(single pole double throw，SPDT)開關31、一第一反向器32、一第一後端單軸雙切(single pole double throw，SPDT)開關33及一電晶體開關34，在本實施例中，該第一前端單軸雙切開關31及第一後端單軸雙切開關33之內部電路結構相同，其示意圖如第4圖所示，包括一控制端51、二切換端52、53及一反應端54，但該第一前端單軸雙切開關31及第一後端單軸雙切開關33的「反應端54」的接點位置有所差異，將於後文詳述。
該第一前端單軸雙切開關31之控制端係接收一控制訊號D1，該第一前端單軸雙切開關31之二切換端則分別電性連接至該第一級電荷泵201的輸入端及接地端GND；該第一反向器32之輸入端係電性連接至該第一前端單軸雙切開關31之反應端；該第一後端單軸雙切開關33之控制端亦能接收該控制訊號D1，該第一後端單軸雙切開關33之二切換端則分別電性連接至該第一級電荷泵201的輸出端及該第一反向器32之輸出端。
該第一電晶體開關34係由至少一低壓電晶體組成，該第一電晶體開關34之兩端係與該第一級電荷泵201相並聯，且其控制端係電性連接至該第一後端單軸雙切開關33之反應端。
該第二切換開關22亦包括一第二前端單軸雙切開關41、一第二反向器42、一第二後端單軸雙切開關43及一第二電晶體開關44，其中，該第二前端單軸雙切開關41之控制端係接收另一控制訊號D2，該第二前端單軸雙切開關41之二切換端則分別電性連接至該第二級電荷泵202的輸入端及該第一反向器32之輸出端。
該第二反向器42之輸入端係電性連接至該第二前端單軸雙切開關41之反應端；該第二後端單軸雙切開關43之控制端係接收該另一控制訊號D2，該第二後端單軸雙切開關43之二切換端則分別電性連接至該第二級電荷泵202的輸出端及該第二反向器42之輸出端；該第二電晶體開關44係由至少一低壓電晶體組成，該第二電晶體開關44之兩端係與該第二級電荷泵202相並聯，且其控制端係電性連接至該第二後端單軸雙切開關43之反應端。
同理，該第二前端單軸雙切開關41及第二後端單軸雙切開關43之內部電路結構相同，其示意圖如第4圖所示，包括一控制端51、二切換端52、53及一反應端54，但該第一前端單軸雙切開關31及第一後端單軸雙切開關33的「反應端54」的接點位置有所差異，將於後文詳述。
為便於理解本發明之高壓產生器之運作方式，茲說明該等切換開關21、22的作動如下：請參閱第3圖所示，在該控制訊號D1產生由低電壓至高電壓的變化(rising)時，根據該單軸雙切開關之特性，反應端54會導通至切換端52(請參閱第4圖)，連接至該高壓產生器2之輸入端Vin(茲將輸入端Vin之電壓大小定義為VDD)，此時， 第一反向器32中的NOMS電晶體會導通、PMOS電晶體會斷路，使第一反向器32之輸出端保持在趨近於接地訊號。
承上，由於第一後端單軸雙切電晶體33之控制端亦接收相同之控制訊號D1，因此，反應端會連接至該第一反向器32之輸出端，即保持接地，使該第一電晶體開關34處於導通狀態，輸入端的電壓訊號將會透過第一電晶體開關34旁路，而不會經過第一級電荷泵201，亦即，該第一級電荷泵201的輸出端電壓仍為VDD。
同理，若該控制訊號D2為高電壓至低電壓的變化(falling)，此時，根據該單軸雙切電晶體之特性，該反應端將會連接至對應於該第一反向器32輸出端的切換端，即保持於接地。此時，該第二反向器42之NOMS為斷開狀態、PMOS則為導通狀態，使該第二反向器42之輸出端趨近於VDD。
承上，由於該第二後端單軸雙切開關43之控制端亦接收相同之控制訊號D2，故，該第二後端單軸雙切開關43反應端會連接至對應於該第二級電荷泵202輸出端之切換端，使該第二電晶體開關44處於斷路狀態，如此，該第一級電荷泵41之輸出端的電壓VDD，即會透過第二級電荷泵202，被升壓成2VDD。
在前述實施例中，該第一電晶體開關34及第二電晶體開關44係採用低壓製程、具電洞通道之金屬氧化物半導體場效電晶體(即，PMOS)。此外，第2~3圖所示者，為一具二級升壓功能的高壓產生器，但業者可依需求增加該電荷泵及切換開關的數量，以實現更多級的升壓功能。
另，茲進一步描述本發明使用之「前端」單軸雙切開關5之結構(即，對應第一前端單軸雙切開關31及第二前端雙軸切換開關41)，請參閱第5圖所示，該前端單軸雙切開關包括包括一第一耦合電容61、一第二耦合電容62、一第一交叉耦合電晶體63及一第二交叉耦合電晶體64，該第一耦合電容61之一端係透過一反向器610電性連接至該前端單軸雙切開關之控制端51；該第二耦合電容62之一端則電性連接至該前端單軸雙切開關之控制端51，其另一端則電性連接至反應端54。
該第一交叉耦合電晶體63係分別電性連接至該第一耦合電容61、第二耦合電容62及該前端單軸雙切開關5之一切換端52；該第二交叉耦合電晶體64係分別電性連接至該第一耦合電容61、第二耦合電容62及該單軸雙切開關5之另一切換端53，該控制端51及反應端54之訊號相位互為同相。
當該控制端51從低電壓變成高電壓時，該反應端54的電壓會依據下列公式產生變化： 其中，Cq為第二耦合電容62之電容值，Cpqr則為反應端54的寄生電容值、VDD為二切換端52、53間之電壓差。在本實施例中，該第一交叉耦合電晶體63係採用一對具電洞通道之金屬氧化物半導體場效電晶體；第二交叉耦合電晶體64則採用一對具電子通道之金屬氧化物半導體 場效電晶體。此外，該第二交叉耦合電晶體64分別並聯有二洩壓電路65，各該卸壓電路65係由複數個串聯之二極體組成，以在切換端53之電壓瞬間下降時，電壓降能由洩壓電路65洩放，避免第二交叉耦合電晶體64與任一電荷泵201、202內之電晶體及各切換開關21、22不會受到損害。
同理，請參閱第6圖所示，係該「後端」單軸雙切開關之電路示意圖，其亦包括一第一耦合電容61、一第二耦合電容62、一第一交叉耦合電晶體63及一第二交叉耦合電晶體64，該第一耦合電容61之一端係透過一反向器610電性連接至該後端單軸雙切開關之控制端51，其另一端則連接至反應端54；該第二耦合電容62之一端則電性連接至該前端單軸雙切開關5之控制端51。
該第一交叉耦合電晶體63係分別電性連接至該第一耦合電容61、第二耦合電容62及該前端單軸雙切開關5之一切換端52；該第二交叉耦合電晶體64係分別電性連接至該第一耦合電容61、第二耦合電容62及該單軸雙切開關5之另一切換端53，該控制端51及反應端54之訊號相位互為反相，與前端單軸雙切開關略有不同。
比較第5及6圖可知，各該前端單軸雙切開關及後端單軸切換開關之差異在於，各該前端單軸雙切開關之反應端54，係電性連接於該第二耦合電容62之另一端。各該後端單軸雙切開關之反應端54，則電性連接於該第一耦合電容61之另一端，使反應端54之訊號有相位的差異。
復請參閱第2圖所示，在本實施例中，該迴授電路23包括一差動放大器231、一壓控振盪器232及一時脈電 路233，該差動放大器231之輸入端係分別電性連接至該高壓產生器2之輸出端Vout及一參考電壓VR；該壓控振盪器232之輸入端係電性連接至該差動放大器231之輸出端；該時脈電路233之輸入端係電性連接至該壓控振盪器232之輸出端，其輸出端則分別連接至各該電荷泵201、202，該時脈電路233能同時接受該輸入端Vin的供給，並透過該壓控振盪器232之回授訊號，輸出對應頻率之時脈訊號至各級電荷泵201、202，以調整各電荷泵201、202的操作頻率。
雖然本發明內容已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明內容，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明內容之精神和範圍內，當可作各種更動與潤飾，因此本發明內容之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (10)

  1. 一種能以低壓電晶體實現級數切換功能之高壓產生器，包括：一升壓電路，係由至少一第一級電荷泵及一第二級電荷泵相互串聯而成；該第一級電荷泵之輸入端係電性連接至該高壓產生器之輸入端，該第二級電荷泵之輸入端則電性連接至該第一級電荷泵之輸出端，且該第二級電荷泵之輸出端係直接或間接地電性連接至該高壓產生器之輸出端；至少一第一級切換開關及一第二級切換開關，係分別並聯於該第一級電荷泵及該第二級電荷泵，且各該切換開關分別由至少一低壓電晶體組成；及一迴授電路，其一端係電性連接至該高壓產生器之輸出端，其另一端則分別電性連接至各該電荷泵；在該第一級切換開關及第二級切換開關皆斷開的情況下，該高壓產生器之輸入端所接收到的一輸入訊號，能依序透過該第一級電荷泵及第二級電荷泵進行兩次升壓；反之，在該第一級切換開關被導通、第二級切換開關斷開的情況下，該輸入訊號僅會透過該第二級電荷泵進行一次升壓，且該第一級切換開關及第二級切換開關之兩端間的電壓差幅度不超過一次升壓的電壓差幅度。
  2. 如請求項1所述之高壓產生器，其中，該第一切換開關包括：一第一前端單軸雙切開關，其控制端係接收一控制訊號，該第一前端單軸雙切開關之二切換端則分別電性連接至該第一級電荷泵的輸入端及接地端；一第一反向器，其輸入端係電性連接至該第一前端單軸雙切開關之反應端；一第一後端單軸雙切開關，其控制端係接收該控制訊號，該第一後端單軸雙切開關之二切換端則分別電性連接至該第一級電荷泵的輸出端及該第一反向器之輸出端；及一第一電晶體開關，係由至少一低壓電晶體組成，該第一電晶體開關之兩端係與該第一級電荷泵相並聯，且其控制端係電性連接至該第一後端單軸雙切開關之反應端。
  3. 如請求項2所述之高壓產生器，其中，該第二切換開關包括：一第二前端單軸雙切開關，其控制端係接收另一控制訊號，該第二前端單軸雙切開關之二切換端則分別電性連接至該第二級電荷泵的輸入端及該第一反向器之輸出端；一第二反向器，其輸入端係電性連接至該第二前端單軸雙切開關之反應端；一第二後端單軸雙切開關，其控制端係接收該另一控制訊號，該第二後端單軸雙切開關之二切換端則分別電性連接至該第二級電荷泵的輸出端及該第二反向器之輸出端；及一第二電晶體開關，係由至少一低壓電晶體組成，該第二電晶體開關之兩端係與該第二級電荷泵相並聯，且其控制端係電性連接至該第二後端單軸雙切開關之反應端。
  4. 如請求項3所述之高壓產生器，其中，該第一電晶體開關及第二電晶體開關係採用低壓製程、具電洞通道之金屬氧化物半導體場效電晶體。
  5. 如請求項4所述之高壓產生器，其中，各該單軸雙切開關分別包括：一第一耦合電容，其一端透過一反向器電性連接至該單軸雙切開關之控制端；一第二耦合電容，其一端係電性連接至該單軸雙切開關之控制端；一第一交叉耦合電晶體，係分別電性連接至該第一耦合電容、第二耦合電容及該單軸雙切開關之一切換端；及一第二交叉耦合電晶體，係分別電性連接至該第一耦合電容、第二耦合電容及該單軸雙切開關之另一切換端。
  6. 如請求項5所述之高壓產生器，其中，各該前端單軸雙切開關之反應端，係電性連接於該第二耦合電容之另一端。
  7. 如請求項6所述之高壓產生器，其中，各該後端單軸雙切開關之反應端，係電性連接於該第一耦合電容之另一端。
  8. 如請求項7所述之高壓產生器，其中，該第二交叉耦合電晶體分別並聯有二洩壓電路，各該洩壓電路係由複數個串聯之二極體組成。
  9. 如請求項8所述之高壓產生器，其中，該第一交叉耦合電晶體係採用具電洞通道之金屬氧化物半導體場效電晶體；第二交叉耦合電晶體則採用具電子通道之金屬氧化物半導體場效電晶體。
  10. 如請求項9所述之高壓產生器，其中，該迴授電路包括：一差動放大器，其輸入端係分別電性連接至該高壓產生器之輸出端及一參考電壓；一壓控振盪器，其輸入端係電性連接至該差動放大器之輸出端；及一時脈電路，其輸入端係電性連接至該壓控振盪器之輸出端，其輸出端則分別連接至各該電荷泵。
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