TWI653147B - 軟性電子裝置的製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提出軟性電子裝置的製造方法。將軟性基板直接置於剛性基板上。加熱軟性基板邊緣的一部份，使得受到加熱的軟性基板邊緣的該部份形成熔融邊緣。於軟性基板上形成電子元件，其位於由熔融邊緣所圍繞的區域中。進行分離程序，使熔融邊緣自軟性基板分離，以形成軟性電子裝置。

Description

軟性電子裝置的製造方法

本發明是有關於一種電子裝置的製造方法，且特別是有關於一種軟性電子裝置的製造方法。

軟性電子裝置因為具有重量輕、攜帶容易、可撓曲等特點而具有高度的發展潛能。軟性電子裝置必須使用軟性基板來實現可撓曲的特性。不過，軟性基板的可撓曲特性卻導致無法直接將電子元件製作於其上的問題。為了製作電子元件於軟性基板上，需要將軟性基板貼附於剛性基板或是機台上，以利用剛性基板或是機台提供合適的支撐，進而將電子元件形成於軟性基板上。如此，在電子元件製作完成之後需要將軟性基板自剛性基板或是機台上取下。

習知為使軟性基板可以自載板取下，會先使用離型層貼合或噴膠塗佈的方式將軟性基板與剛性基板接合。接著，使用機械剝除技術，施加合適的剝離力以讓軟性基板自載板分離。以噴 膠塗佈的方式來說，在將軟性基板與剛性基板接合時會有氣泡殘留問題，使覆蓋於剛性基板上的軟性基板均勻度(uniformity)降低，造成後續製作電子元件時的製作良率不理想。或是於可撓性基板上製作電子元件時，整體裝置的剛性強度並不均勻，也就是有些區域的剛性相對較大，因此在機械剝除時需要施加的剝離力也會不一樣。被施加的剝離力較大的區域可能發生元件的損壞，造成製作良率不理想。

本發明提供一種軟性電子裝置的製造方法，具有良好的製作良率。

本發明提供的一種軟性電子裝置的製造方法，包括下列步驟。將一軟性基板直接置於剛性基板上。加熱軟性基板邊緣的一部份，以使受到加熱的軟性基板邊緣的該部份形成熔融邊緣。於軟性基板上形成至少一電子元件，電子元件位於由熔融邊緣所圍繞的區域中。進行分離程序，使熔融邊緣自第一軟性基板分離，以形成一軟性電子裝置。

在本發明的一實施例中，上述的熔融邊緣完整圍繞第一軟性基板。

在本發明的一實施例中，上述的加熱軟性基板邊緣的一部份的步驟包括：進行第一加熱程序，使受到加熱的軟性基板邊緣的第一部份形成第一熔融邊緣。進行第二加熱程序，使受到加 熱的軟性基板邊緣的第二部份形成第二熔融邊緣。

在本發明的一實施例中，上述的第一熔融邊緣與第二熔融邊緣完整圍繞第一軟性基板。

在本發明的一實施例中，上述的第一加熱程序於第一環境氣壓下進行，第二加熱程序於第二環境氣壓下進行，且第一環境氣壓大於或等於第二環境氣壓。

在本發明的一實施例中，上述的軟性電子裝置的製造方法更包括以下步驟。形成熔融邊緣之後，對軟性基板進行一平整化程序，且平整化程序包括加壓步驟、加熱步驟、環境減壓步驟中至少一者。

在本發明的一實施例中，上述的加熱步驟包括使用加熱板與烘箱至少一者來進行。

在本發明的一實施例中，上述的加壓步驟包括使用機械力由軟性基板的表面朝向剛性基板施加壓力。

在本發明的一實施例中，上述的環境減壓步驟包括將剛性基板與軟性基板置於具有封閉腔體的裝置中以及減低裝置內的氣壓。

在本發明的一實施例中，上述的軟性基板於熔融邊緣所圍繞的區域藉由凡德瓦力或靜電力直接接觸剛性基板。

在本發明的一實施例中，上述的軟性基板邊緣的一部份的加熱步驟包括雷射加熱或接觸加熱。

在本發明的一實施例中，進行上述的接觸加熱的步驟包 括以一已加熱物件接觸軟性基板邊緣的一部份。

在本發明的一實施例中，上述的已加熱物件包括烙鐵。

在本發明的一實施例中，上述的分離程序包括沿著熔融邊緣的內側切割軟性基板使熔融邊緣自軟性基板分離。

在本發明的一實施例中，上述的分離程序更包括在熔融邊緣自軟性基板分離後將切割過的軟性基板自剛性基板上取下。

在本發明的一實施例中，上述的剛性基板的材料為玻璃或金屬。

在本發明的一實施例中，上述的軟性基板的材料包括聚合物，且軟性基板的玻璃轉移溫度低於剛性基板的玻璃轉移溫度或熔點。

在本發明的一實施例中，上述的剛性基板的材料與軟性基板的材料相同，且剛性基板的厚度大於軟性基板的厚度。

在本發明的一實施例中，上述的由熔融邊緣所圍繞的區域包括並列的第一區域與第二區域。形成至少一電子元件的步驟包括分別於第一區域與第二區域形成一第一電子元件與一第二電子元件。分離程序更包括將第一區域與第二區域分離開來以分別形成具有第一電子元件的一第一電子裝置以及具有第二電子元件的一第二電子裝置。

在本發明的另一實施例中，上述的軟性電子裝置的製造方法更包括以下步驟。將第二軟性基板直接置於剛性基板上。對第二軟性基板邊緣的一部份加熱，以使受到加熱的第二軟性基板 邊緣的一部份形成另一熔融邊緣。於第二軟性基板上形成至少另一電子元件，另一電子元件位於由另一熔融邊緣所圍繞的區域中。進行另分離程序，使另一熔融邊緣自第二軟性基板分離，以形成至少另一軟性電子裝置。

基於上述，本發明實施例的軟性電子裝置的製作方法可以降低電子元件所在區域在分離過程中所需要的剝離力，且不易損壞軟性電子裝置上的構件。因此，軟性電子裝置的製作方法具有理想的良率。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

100、200‧‧‧第一電子裝置

200’‧‧‧第二電子裝置

10‧‧‧雷射加熱裝置

20‧‧‧加壓裝置

S1‧‧‧第一側

S2‧‧‧第二側

S3‧‧‧第三側

S4‧‧‧第四側

110、210、310‧‧‧剛性基板

120、120a、220‧‧‧軟性基板

320‧‧‧第一軟性基板

320’‧‧‧第二軟性基板

122‧‧‧凸出部

124a、124b‧‧‧空腔

130、130a、230、330、330’‧‧‧熔融邊緣

132‧‧‧第一部份

134、334‧‧‧第一熔融邊緣

136、336‧‧‧第二熔融邊緣

334’‧‧‧第三熔融邊緣

336’‧‧‧第四熔融邊緣

138、238‧‧‧第一區域

238’‧‧‧第二區域

140、240‧‧‧第一電子元件

240’‧‧‧第二電子元件

150、250‧‧‧切線

圖1為本發明一實施例的軟性電子裝置的製作方法中放置軟性基板的步驟的示意圖。

圖2為本發明一實施例的軟性電子裝置的製作方法中加熱步驟的示意圖。

圖3為本發明一實施例的軟性電子裝置的製作方法中加熱步驟後的裝置的示意圖。

圖4A為本發明一實施例的軟性電子裝置的製作方法中軟性基板與剛性基板之間存在有空腔的剖面示意圖。

圖4B為本發明一實施例的軟性電子裝置的製作方法中排除 空腔的步驟的剖面示意圖。

圖4C為本發明第一實施例的軟性電子裝置的製作方法中已將空腔排除後的裝置的剖面示意圖。

圖5A為本發明一實施例的軟性電子裝置的製作方法中加熱步驟的示意圖。

圖5B為本發明又一實施例的軟性電子裝置的製作方法中已形成有熔融邊緣的裝置的示意圖。

圖6為本發明一實施例的軟性電子裝置的製作方法中形成電子元件的步驟的示意圖。

圖7為本發明一實施例的軟性電子裝置的製作方法中分離步驟的示意圖。

圖8為本發明一實施例的第一電子裝置的剖面示意圖。

圖9為本發明另一實施例的軟性電子裝置的製作方法的部分步驟的示意圖。

圖10為本發明另一實施例的第一電子裝置以及第二電子裝置的剖面示意圖。

圖11A為本發明又一實施例的軟性電子裝置的製作方法的放置軟性基板的步驟的示意圖。

圖11B為本發明又一實施例的軟性電子裝置的製作方法中形成熔融邊緣的步驟的示意圖。

參照圖1，將軟性基板120直接置於剛性基板110上，其中剛性基板110的面積大於或等於軟性基板120，以使軟性基板120可以完全承載於剛性基板110上。在本步驟中，軟性基板120與剛性基板110之間藉由凡德瓦力(Van der Waals force)或靜電力而彼此附著，因此軟性基板120與剛性基板110之間的附著力並不大，因此軟性基板120在後續製程中，可不需施加大的剝離力即可以自剛性基板110上取下。換言之，在本實施例中，剛性基板110與軟性基板120不存在有異質的接合介質，諸如黏合劑、膠體之類。

在本實施例中，軟性基板120的材質例如為聚亞醯胺(polyimide,PI)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚醚碸(polyethersulfone,PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate,PA)、聚原冰烯(polynorbornene,PNB)、聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚醚醚酮(polyetheretherketone,PEEK)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate,PEN)或聚醚亞醯胺(polyetherimide,PEI)等可撓性材料，剛性基板110的材質例如為玻璃或金屬，但本發明並不限於此。在一實施例中，剛性基板110與軟性基板120可選擇性地具有相同的材質，且剛性基板110的厚度大於軟性基板120的厚度。如此一來，剛性基板110具有相對堅硬的機械性質而可以承載軟性基板120，且軟性基板120具有相對較高的可撓性。

接著，請同時參照圖2與圖3，進行第一加熱程序以加熱 軟性基板120邊緣的第一部份132，以使受到加熱的第一軟性基板120邊緣的第一部份132形成熔融邊緣134。在本步驟中，可使用加熱裝置對第一軟性基板120的邊緣的第一部份132進行加熱。當第一部份132的溫度經加熱而高於第一軟性基板120的玻璃轉移溫度(glass transition temperature,Tg)或熔點時，受熱的第一部份132會因此軟化或熔融。在結束第一加熱程序之後，上述軟化或熔融的第一部份132即固化而形成熔融邊緣134。此時，第一軟性基板120可藉由熔融邊緣134而更穩固地黏著於剛性基板110上，且軟性基板120的其餘部份仍可以藉由凡德瓦力或靜電力而附著於剛性基板110上。因此，後續製程中，軟性基板120大部分區域仍藉由凡德瓦力或靜電力而附著於剛性基板110上，仍可以不需要施加大的剝離力即可以自剛性基板110上被分離。

在本實施例中，進行第一加熱程序的加熱步驟例如為雷射加熱。此步驟例如是以一雷射加熱裝置10所產生的雷射射束朝向第一軟性基板120的邊緣的第一部份132照射，且雷射射束的照射路徑可沿著第一部份132分布。此時，被雷射射束照射過的第一部份132會吸收雷射射束的能量而被軟化或熔融，再經固化後即形成熔融邊緣134。在本實施例中，可以使用多個雷射加熱裝置10產生雷射射束來照射第一部份132而形成熔融邊緣134。在另一實施例中，亦可以使用單個雷射加熱裝置10產生雷射射束，並移動雷射加熱裝置10使雷射射束例如是沿著第一部份132由第一軟性基板120的第一側S1朝向第二側S2前進。如此一來，第 一熔融邊緣134可由第一側S1連續地分布至第二側S2，且第一側S1與第二側S2為相對側。

在另一實施例中，進行第一加熱程序的加熱步驟可為接觸加熱。例如使用烙鐵之類的加熱物件取代前例的雷射加熱裝置10作為加熱裝置，讓加熱物件於高溫狀態下接觸軟性基板120的邊緣的第一部份132。此時，軟性基板120與加熱裝置接觸的第一部份132會因此被軟化或熔融，並在固化後形成熔融邊緣134。在本實施例中，加熱裝置的長度可等於或大於第一部份132的長度，因此軟性基板120與加熱裝置接觸的第一部份132可以一次性地形成第一熔融邊緣134。但在其他實施例中，也可選擇加熱裝置的長度小於第一部份132的長度，並在加熱程序中移動加熱裝置以接觸第一部份132的不同區段而形成熔融邊緣134。

接著，請同時參照圖4A至圖4B，軟性基板120直接放置於剛性基板110後仍可能會有氣體殘留於軟性基板120與剛性基板110之間，而使軟性基板120與剛性基板110之間具有空腔124a(也可稱之為氣泡)且形成凸出部122。因此，在完成上述第一加熱程序以形成熔融邊緣134後，可選擇性地進一步對軟性基板120進行平整化程序。平整化程序可包括加壓步驟、加熱步驟、環境減壓步驟或其組合。

請同時參照圖4A與圖4B，平整化程序可以藉由加熱剛性基板110來實現，且剛性基板110被加熱的溫度可以小於前述的形成熔融邊緣134的溫度，例如低於軟性基板120的玻璃轉換 溫度。空腔124b膨脹的過程即有機會使空腔124b內部的氣體排出而使軟性基板120保持平坦地攤覆於剛性基板110上。在部分的實施例中，本步驟的加熱使空腔124a內的氣體因受熱升溫膨脹而形成空腔124b，其中空腔124b的體積大於空腔124a。因此，在部分的實施例中平整化程序可選擇採用加熱步驟搭配加壓步驟與環境減壓步驟至少一者來實現。

平整化程序的加熱步驟例如可以將附著著軟性基板120的剛性基板110置於加熱板之類的加熱裝置(未繪示)上，藉由加熱板的加熱作用使剛性基板110、軟性基板120與空腔124a受到加熱。在另一實施例中，加熱裝置可以例如是烘箱(未繪示)，以進行一烘烤製程(baking process)，藉由烘箱的烘烤將環境溫度提升，以使剛性基板110、軟性基板120與空腔124a都受到加熱。本發明不限於此實施例。

接著，請參照圖4B與圖4C，平整化程序的加壓步驟，如以一加壓裝置20由軟性基板120的表面朝向剛性基板110施加壓力，使空腔124b內的空氣因受壓而排出。如此，覆蓋於剛性基板110上的軟性基板120可平坦地攤覆於剛性基板110上而使表面較無高低起伏，這有助於提升後續製作電子元件時的製作良率。也就是說，平整化程序可以採用加壓步驟來實現。

在本實施例中，加壓步驟可以採用機械力加壓的方式，例如以一滾輪由軟性基板120的表面朝向剛性基板110施加壓力，且滾輪的行徑方向例如是由軟性基板120中對應於熔融邊緣 134的第三側S3朝向第四側S4前進，以使空腔124b內的空氣因受壓而朝向第四側S4排出，其中第三側S3與第四側S4為相對側。

在一實施例中，形成熔融邊緣134後可以選擇進行加熱步驟以及進行加壓步驟來實現平整化程序。此時，加熱步驟與加壓步驟可以任意的順序進行，或是反覆地進行加壓與加熱。

另外，形成熔融邊緣134的步驟可於第一環境氣壓下進行，而平整化程序可於第二環境氣壓下進行，其中第一環境氣壓大於第二環境氣壓。如此一來，圖4A中的空腔124a可因平整化程序下軟性基板120所處的環境氣壓較低而容易被排出。

例如，形成熔融邊緣134後可以將剛性基板110以及附著其上的軟性基板120置於具有封閉腔體的裝置(未繪示)內。為了排出圖4A中空腔124a的氣體，可以進行環境減壓步驟，將裝置內的氣壓減低，以藉此對軟性基板120進行平整化程序，使空腔124a內的空氣因環境減壓而排出。此外，在其他可行實施例中，具有封閉腔體的裝置可以是烘箱。此時，可選擇先在第一環境壓力下利用烘箱進行加熱步驟，使得烘箱內的環境溫度提升至不大於軟性基板120的熔融溫度。此時，空腔124a可膨脹成如圖4B的空腔124b。接著，可進行環境減壓步驟，使環境壓力減低至第二環境壓力以排出空腔124b內的空氣。或是，在其他可行實施例中，可選擇先進行環境減壓步驟再進行加熱步驟，或是反覆進行環境減壓步驟與加熱步驟。

整體來說，平整化程序可包括加壓步驟、加熱步驟、環 境減壓步驟的任一者或其組合。個別步驟的執行順序可依需求來調整。此外，平整化程序還可以包括所屬技術領域已知的可以排出第一軟性基板120與剛性基板110之間的空氣的任何步驟。

接著，請參照圖5A，在完成平整化程序後，可進行第二加熱程序以加熱上述的軟性基板120邊緣的第二部份(未標示)，使受到加熱的軟性基板120邊緣的第二部份(未標示)形成第二熔融邊緣136。其中該邊緣的第一部分與第二部分可係為不同部份。以本實施例來說，第一部份與第二部份實質上構成軟性基板120的所有邊緣。因此，第一加熱程序所形成的熔融邊緣134，以及第二加熱程序所形成的熔融邊緣136相連接，以形成完整圍繞軟性基板120的熔融邊緣130，但不以此為限。

在一實施例中，第一加熱程序於可第一環境氣壓下進行，第二加熱程序可於第二環境氣壓下進行，且第一環境氣壓大於或等於第二環境氣壓。舉例而言，進行第二加熱程序的加熱步驟可以是在一低壓環境，例如為真空環境下進行。如此一來，軟性基板120與剛性基板110之間不容易存在有空氣造成的空腔或是軟性基板120與剛性基板110之間的附著力可更高，而使覆蓋於剛性基板110上的軟性基板120具有良好的平坦度。

在一實施例中，軟性基板120可不限定為四邊形，例如軟性基板120可以具有圓形、橢圓形或是非四邊形的外形，而熔融邊緣130亦完整圍繞軟性基板120。例如圖5B所示，軟性基板120a有部分的邊緣為弧形，其中熔融邊緣130a完整圍繞上述的第 一軟性基板120b。

接著，請參照圖6，在形成完整圍繞上述軟性基板120的熔融邊緣130後，於軟性基板120上形成第一電子元件140，第一電子元件140位於由熔融邊緣130所圍繞的區域中，其中軟性基板120位於第一電子元件140與剛性基板110之間。第一電子元件140的形成方式可以視軟性電子裝置的需求進行適當的調整，於本發明中不加以詳述。舉例來說，第一電子元件140的製作方法可以包括任何用以形成顯示元件、感測元件、觸控元件或類似元件的步驟。在形成第一電子元件140的過程中，由於第一軟性基板120藉由熔融邊緣130的黏合性質穩固地貼附於剛性基板110上，第一電子元件140的製作過程可以更為容易，也不至於因為第一軟性基板120的可撓性質而發生製作誤差。因此，第一電子元件140的製作良率可獲得提升。

接著，請參照圖7，形成完上述第一電子元件140之後，進行分離程序，使熔融邊緣130自軟性基板120分離，以形成軟性電子裝置。在本實施例中，分離程序例如是沿著熔融邊緣130內側的切線150切割軟性基板120，使熔融邊緣130自軟性基板120分離。具體而言，沿著熔融邊緣130內側的切線150切割軟性基板120的方式例如是機械切割或雷射切割，但本發明並不限於此。接著，於切割完成後可以將具有第一電子元件140的軟性基板120自剛性基板110上取下，以形成軟性基板120上設置有第一電子元件140而構成的第一電子裝置100(繪示於圖8)。在圖6 與圖7表示的實施例中，單個軟性基板120可以用來形成多個第一電子裝置100。不過，在其他的實施例中，單個軟性基板120可以用來形成單個第一電子裝置100。此時，圖6的步驟中可以僅形成一個電子元件於軟性基板120上，且圖7中的切線150可以具有框形軌跡而不需如圖7中一般具有網格狀軌跡。

在上述分離程序中，沿切線150切割軟性基板120的步驟後，由於軟性基板120與剛性基板110之間僅藉由凡德瓦力或靜電力而彼此貼附，因此，可以不需要施加大的剝離力即可將具有第一電子元件140的軟性基板120自剛性基板110上取下。因此，可以降低元件因剝離力道而可能發生的損壞，而具有良好的製作良率。

圖9為本發明另一實施例的軟性電子裝置的製作方法的示意圖。與圖7實施例的差別在於在本實施例的軟性電子裝置的製作方法中，可以形成具有圖10所示第一電子元件240的第一電子裝置200以及具有第二電子元件240’的第二電子裝置200’。詳細而言，請參照圖9，形成本實施例的熔融邊緣230與形成第一實施例的熔融邊緣130的方法類似，差別在於本實施例的熔融邊緣230圍繞的區域包括並列的第一區域238與第二區域238’，且本實施例於軟性基板220的第一區域238形成第一電子元件240，於第二區域238’形成第二電子元件240’。接著，進行分離程序，使熔融邊緣230自軟性基板220分離，其中於本實施例中的分離程序與第一實施例的分離程序類似，不過本實施例沿著切線250切 割軟性基板220以形成圖10所示具有第一電子元件240與軟性基板220的第一電子裝置200，以及具有第二電子元件240’與軟性基板220的第二電子裝置200’。

圖11A及圖11B是依照本發明又一實施例的一種軟性電子裝置的製造流程示意圖，本實施例的軟性電子裝置的製作方法與第一實施例的軟性電子裝置的製作方法類似，差別在於在本實施例的軟性電子裝置的製作方法中，採用了兩個軟性基板，即第一軟性基板320與第二軟性基板320’。參照圖11A，將第一軟性基板320與第二軟性基板320’直接置於剛性基板310上，且第一軟性基板320與第二軟性基板320’不重疊，其中剛性基板310的面積大於第一軟性基板320與第二軟性基板320’的整體面積，以使第一軟性基板320與第二軟性基板320’可以完全承載於剛性基板310的同一側上。

接著，參照圖11B，進行第一加熱程序，使受到加熱的第一軟性基板320的邊緣的一部份形成第一熔融邊緣334，並且使受到加熱的第二軟性基板320’的邊緣的一部份形成第三熔融邊緣334’。完成第一加熱程序之後，進行第二加熱程序，使受到加熱的第一軟性基板320的邊緣的其餘部份形成第二熔融邊緣336，使受到加熱的第二軟性基板320’的邊緣的其餘部份形成第四熔融邊緣336’。第一軟性基板320的第一熔融邊緣334與第二熔融邊緣336相連接，以形成熔融邊緣330。第二軟性基板320’的第三熔融邊緣334’與第四熔融邊緣336’相連接，以形成熔融邊緣330’。熔 融邊緣330、330’所圍繞的區域適於讓電子元件(未繪示)形成其上，其中第一軟性基板320與第二軟性基板320’位於電子元件(未繪示)與剛性基板310之間。接著，形成完上述電子元件(未繪示)之後，進行分離程序，使熔融邊緣330自第一軟性基板320分離，且使熔融邊緣330’自第二軟性基板320’分離，以形成個別的軟性電子裝置。

在另一實施例中，亦可將第一軟性基板320與第二軟性基板320’直接置於剛性基板310上，不同於上例，在本實施例中，可以先對第一軟性基板320進行加熱程序以形成相連接的第一軟性基板320的第一熔融邊緣334與第二熔融邊緣336，以形成熔融邊緣330。接著，在完成第一軟性基板320的熔融邊緣330後，再於第二軟性基板320’形成相連接的第三熔融邊緣334’與第四熔融邊緣336’，以完成熔融邊緣330’。第一軟性基板320的熔融邊緣330與第二軟性基板320’的熔融邊緣330’所圍繞的區域適於讓電子元件(未繪示)形成其上，其中第一軟性基板320與第二軟性基板320’位於電子元件(未繪示)與剛性基板310之間。接著，形成完上述電子元件(未繪示)之後，進行分離程序，使熔融邊緣330自第一軟性基板320分離，且使熔融邊緣330’自第二軟性基板320’分離，以形成軟性電子裝置。

綜上所述，本發明實施例的軟性電子裝置的製作方法，可以使軟性基板在製作步驟中，不需要施加較大的剝離力即可以自剛性基板上被取下。因此可以降低元件可能發生的損壞，而具 有良好的製作良率。另外，軟性基板與剛性基板不需藉由外加的黏著劑接合而可以省去黏著劑的成本與相關塗佈步驟。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

Claims (15)

1. 一種軟性電子裝置的製造方法，包括：將一第一軟性基板直接置於一剛性基板上；加熱該第一軟性基板邊緣的一部份，以使受到加熱的該第一軟性基板邊緣的該部份形成一熔融邊緣；於該第一軟性基板上形成一電子元件，該電子元件位於由該熔融邊緣所圍繞的區域中；以及進行一分離程序，使該熔融邊緣自該第一軟性基板分離，以形成一軟性電子裝置，其中加熱該第一軟性基板邊緣的該部份的步驟包括：進行一第一加熱程序，使受到加熱的該第一軟性基板邊緣的一第一部份形成一第一熔融邊緣；以及進行一第二加熱程序，使受到加熱的該第一軟性基板邊緣的一第二部份形成一第二熔融邊緣。
2. 如申請專利範圍第1項所述的軟性電子裝置的製造方法，其中該熔融邊緣完整圍繞該第一軟性基板。
3. 如申請專利範圍第1項所述的軟性電子裝置的製造方法，其中該第一熔融邊緣與該第二熔融邊緣完整圍繞該第一軟性基板。
4. 如申請專利範圍第1項所述的軟性電子裝置的製造方法，其中該第一加熱程序於一第一環境氣壓下進行，該第二加熱 程序於一第二環境氣壓下進行，且該第一環境氣壓大於或等於該第二環境氣壓。
5. 如申請專利範圍第1項所述的軟性電子裝置的製造方法，更包括：形成該熔融邊緣之後，對該第一軟性基板進行一平整化程序，且該平整化程序包括加壓步驟、加熱步驟、環境減壓步驟中至少一者。
6. 如申請專利範圍第5項所述的軟性電子裝置的製造方法，其中該加壓步驟包括使用機械力自該第一軟性基板的表面朝向該剛性基板施加壓力。
7. 如申請專利範圍第5項所述的軟性電子裝置的製造方法，其中該環境減壓步驟包括將該剛性基板與該第一軟性基板置於具有封閉腔體的裝置中以及減低該裝置內的氣壓。
8. 如申請專利範圍第1項所述的軟性電子裝置的製造方法，其中係藉由雷射加熱或接觸加熱方式加熱該第一軟性基板邊緣的該部份。
9. 如申請專利範圍第8項所述的軟性電子裝置的製造方法，其中進行該接觸加熱的步驟包括以一已加熱物件接觸該第一軟性基板邊緣的該部份。
10. 如申請專利範圍第1項所述的軟性電子裝置的製造方法，其中該分離程序包括沿著該熔融邊緣的內側切割該第一軟性基板使該熔融邊緣自該第一軟性基板分離。
11. 如申請專利範圍第10項所述的軟性電子裝置的製造方法，其中該分離程序更包括在該熔融邊緣自該第一軟性基板分離後，將切割過的該第一軟性基板自該剛性基板上取下。
12. 如申請專利範圍第1項所述的軟性電子裝置的製造方法，其中該第一軟性基板的材料包括聚合物，且該第一軟性基板的玻璃轉移溫度低於該剛性基板的玻璃轉移溫度或熔點。
13. 如申請專利範圍第1項所述的軟性電子裝置的製造方法，其中該剛性基板的材料與該第一軟性基板的材料相同，且該剛性基板的厚度大於該第一軟性基板的厚度。
14. 如申請專利範圍第1項所述的軟性電子裝置的製造方法，其中由該熔融邊緣所圍繞的該區域包括並列的一第一區域與一第二區域；形成該電子元件的步驟包括分別於該第一區域與該第二區域中形成一第一電子元件與一第二電子元件；且該分離程序更包括將該第一區域與該第二區域分離開來以分別形成具有該第一電子元件的一第一電子裝置以及具有該第二電子元件的一第二電子裝置。
15. 如申請專利範圍第1項所述的軟性電子裝置的製造方法，更包括：將一第二軟性基板直接置於該剛性基板上；對該第二軟性基板邊緣的一部份加熱，以使受到加熱的該第 二軟性基板邊緣的該部份形成一第三熔融邊緣；於該第二軟性基板上形成一第三電子元件，該第三電子元件位於由該第三熔融邊緣所圍繞的區域中；以及進行另一分離程序，使該第三熔融邊緣自該第二軟性基板分離，以形成第三軟性電子裝置。