TWI650554B - 發光二極體晶粒的檢測方法 - Google Patents

Abstract

一種發光二極體晶粒的檢測方法，包括如下步驟：提供一裝有溶劑的容器，將多個發光二極體晶粒放置於所述容器中，形成發光二極體晶粒與溶劑的混合溶液；提供一具有電路的基板，所述基板上形成有多個容置孔，所述容置孔底部包含有P電極和N電極，所述P電極和N電極連接所述電路；將含有發光二極體晶粒的混合溶液轉移至所述基板的表面；將所述發光二極體晶粒進行定位以去除位於所述基板的第一表面上的發光二極體晶粒；對位於所述容置孔內的發光二極體晶粒進行檢測篩選。

Description

發光二極體晶粒的檢測方法

本發明涉及一種發光二極體晶粒的檢測方法。

發光二極體以其亮度高、節能環保、壽命長等優勢廣泛的應用於照明領域和背光顯示領域。

近年來，很多背光顯示領域中需要採用數十微米級別的發光二極體，因此，很多情況下需要所述發光二極體逐漸尺寸逐漸趨向小型化。然而，由於發光二極體的尺寸較小，那麼在發光二極體晶粒的制程後，有一部分發光二極體晶粒沉澱在溶劑中，需要對沉澱在溶劑中的發光二極體晶粒進行檢測，從而依照光電特性不同將發光二極體晶粒進行分類，從而通過進一步優化來保證發光二極體晶粒的品質。

有鑑於此，本發明提供一種尺寸小的發光二極體晶粒的檢測方法。

一種發光二極體晶粒的檢測方法，包括如下步驟： 提供一裝有溶劑的容器，將發光二極體晶粒放置於所述容器中，形成所述發光二極體晶粒與所述溶劑的混合溶液； 提供一具有電路的基板，所述基板具有第一表面，所述第一表面上形成有多個容置孔，所述容置孔底部包含有P電極和N電極，所述P電極和所述N電極連接所述電路；將含有所述發光二極體晶粒的所述混合溶液轉移至所述基板上，所述發光二極體晶粒部分位於所述第一表面上，部分容置於所述容置孔內；將位於所述第一表面上的所述發光二極體晶粒去除；對位於所述容置孔內的所述發光二極體晶粒進行檢測篩選；提供一承載膜，將上述步驟中檢測完成的發光二極體晶粒分類或分級。

進一步地，所述溶劑包括IPA以及粘滯係數大於IPA的有機物或者有機物的混合物，所述發光二極體晶粒具有正面A和與所述正面A相對的背面B，所述背面B的尺寸稍大於所述正面A的尺寸。

進一步地，所述基板還包括與所述第一表面相對的第二表面，所述容置孔的縱截面呈倒梯形，所述容置孔的孔徑自所述第一表面朝向第二表面方向逐漸減小，且所述容置孔的孔徑大致與所述發光二極體晶粒的尺寸配合。

進一步地，將含有所述發光二極體晶粒的所述混合溶液轉移至所述基板的方法包括噴塗、塗布或者沖刷。

進一步地，將所述發光二極體晶粒去除的方法包括超音波振動、機械振動或者電磁振動，所述檢測方法包括提供電流進行電性測試或者通過光強度測試。

進一步地，所述分類或分級後是指將所述發光二極體晶粒分開為正面A向上的發光二極體晶粒和背面B向上的發光二極體晶粒。

進一步地，所述發光二極體晶粒包括一第一半導體層、依次設置於所述第一半導體層之上的發光活性層、第二半導體層、第一電極和第二電極，所述第一半導體層縱截面呈倒T型，所述第一半導體層包括一主體部及自所述主體部中部延伸而成的延伸部，所述發光活性層、第二半導體層以及第一電極均以此設置於所述延伸部上，所述第二電極環繞設置於所述主體部邊緣且與所述延伸部、發光活性層、第二半導體層均間隔設置。

進一步地，所述第二電極的外周緣與所述第一半導體層的主體部的外周緣共面設置，所述第一半導體層的延伸部、所述發光活性層、以及所述第一電極的周緣均共面設置。

進一步地，所述第一電極的頂面和第二電極的頂面共面設置，所述發光二極體晶粒具有所述第一電極和第二電極的一側定義為正面A，與所述正面相對的發光二極體晶粒的另一側定義為所述背面B，所述發光二極體晶粒位於所述容置孔後，所述發光二極體晶粒的所述第一電極和第二電極分別與所述容置孔的N電極、P電極對應。

進一步地，所述發光二極體晶粒的俯視圖呈兩個半徑不同的且間隔的同心圓環。

本發明實施例中所述發光二極體晶粒的檢測方法，通過依照所述發光二極體晶粒的光電特性將發光二極體晶粒進行分類或者分級，從而保證能夠瞭解發光二極體晶粒的光電特性，保證成品發光二極體晶粒的品質。

100‧‧‧發光二極體晶粒

10‧‧‧第一半導體層

20‧‧‧發光活性層

30‧‧‧第二半導體層

40‧‧‧第一電極

50‧‧‧第二電極

11‧‧‧主體部

12‧‧‧延伸部

41‧‧‧第一頂面

51‧‧‧第二頂面

200‧‧‧溶劑

210‧‧‧容器

300‧‧‧基板

310‧‧‧容置孔

301‧‧‧第一表面

302‧‧‧第二表面

400‧‧‧承載膜

圖1為本發明實施例中所述發光二極體晶粒的剖視圖。

圖2為圖1所述發光二極體晶粒的俯視圖。

圖3-7為本發明實施例所述發光二極體晶粒的檢測方法示意圖。

下麵將結合附圖，對本發明作進一步的詳細說明。

如圖1所示，本發明一實施例中所述發光二極體晶粒100包括第一半導體層10、形成於所述第一半導體層10之上的發光活性層20、第二半導體層30以及第一電極40和第二電極50。

在本發明實施例中，所述第一半導體層10為N型半導體層，所述第一半導體層10縱截面呈倒T型。所述第二半導體層30為P型半導體層。

所述第一半導體層10包括一主體部11以及自所述主體部11的上表面中部延伸而成的延伸部12。所述延伸部12與所述主體部11的上表面垂直。

所述發光活性層20、所述第二半導體層30以及所述第一電極40均依次位於所述延伸部12上。所述第二電極50設置於所述主體部11的邊緣。所述發光活性層20周緣、所述第二半導體層30周緣以及所述第一電極40周緣 均與所述延伸部12的周緣共面設置。所述第二電極50周緣與所述主體部11的周緣共面設置。

進一步地，所述第一電極40具有第一頂面41。所述第二電極50具有第二頂面51。所述第一頂面41與所述第二頂面51設置於同一水平面。

進一步地，本發明實施例中所述發光二極體晶粒100具有第一頂面41和第二頂面51一側定義為正面A，與所述正面A相對的發光二極體晶粒100的另一側定義為背面B，所述背面B的尺寸稍大於所述正面A的尺寸，圖1中右側列出了發光二極體晶粒的等效示意圖。

進一步地，參附圖2所示，本發明實施例中所述發光二極體晶粒100的俯視圖呈半徑不同且間隔設置的二同心圓環。

如圖3-7所示，本發明實施例中所述發光二極體晶粒100的檢測方法，在該檢測方法中，所述發光二極體晶粒100的結構忽略而採用示意圖。所述發光二極體晶粒100的檢測方法包括如下步驟：

第一步：如圖3所示，提供一裝有溶劑200的容器210，將發光二極體晶粒100放置於所述容器210中，形成發光二極體晶粒100與溶劑200的混合溶液。

其中，所述溶劑200包括IPA(IsoPropyl Alcohol)以及粘滯係數大於IPA的有機物或者有機物的混合物。所述發光二極體晶粒100具有正面A和與所述正面A相對的背面B。

第二步：如圖4所示，提供一具有電路的基板300，所述基板300上形成有多個容置孔310，所述容置孔310底部包含有與所述電路電連接的N電極(圖未示)和P電極(圖未示)。

所述基板300具有第一表面301及與所述第一表面301相對的第二表面302。所述容置孔310的縱截面呈倒梯形。所述容置孔310的孔徑自所述第一表面301朝向第二表面302方向逐漸減小。在本發明實施例中，所述容置孔310的孔徑大致與所述發光二極體晶粒100的尺寸配合，從而使得所述容置孔310尺寸容許所述發光二極體晶粒100的一側能順利進入容置孔310，在本實施方式中，是在噴塗、塗布或者沖刷的作用下尺寸較小的正面A的發光二極體晶粒100進入容置孔310，以及確保發光二極體晶粒100的第一電極40、第二電極50分別與所述容置孔310的N電極、P電極對應，如此便於進行發光二極體晶粒100的電性檢測。也即發光二極體晶粒100在噴塗、塗布或者沖刷的作用下，容置孔310只能允許所述發光二極體晶粒100的正面A入洞，背面B因為尺度太大而無法進洞。

第三步：如圖5所示，將發光二極體晶粒100與溶劑200的混合溶液轉移至所述基板300的表面。

上述步驟中的轉移的方法包括噴塗、塗布或者沖刷等方法。完成此步驟後，所述發光二極體晶粒100部分位於所述基板300的第一表面301上，部分容置於所述容置孔310內。

第四步：如圖6所示，將位於所述基板300的第一表面310的發光二極體晶粒100去除。

上述去除的方法包括超音波振動、機械振動或者電磁振動等方法。

第五步：如圖7所示，對位於所述容置孔310內的發光二極體晶粒100進行檢測篩選，同時提供一承載膜400，依據檢測結果將發光二極體晶粒100進行分類或分級。

所述檢測方法包括提供電流進行電性測試或者通過光強度測試等方法。

本發明實施例中所述發光二極體晶粒100的檢測方法，通過依照所述發光二極體晶粒100的光電特性將發光二極體晶粒100進行分類或者分級，從而保證能夠瞭解發光二極體晶粒100的光電特性，保證成品發光二極體晶粒100的品質。

可以理解的是，對於本領域的普通技術人員來說，可以根據本發明的技術構思做出其它各種相應的改變與變形，而所有這些改變與變形都應屬於本發明的權利要求的保護範圍。

Claims (10)

1. 一種發光二極體晶粒的檢測方法，包括如下步驟：提供一裝有溶劑的容器，將多個發光二極體晶粒放置於所述容器中，形成所述發光二極體晶粒與所述溶劑的混合溶液；提供一具有電路的基板，所述基板具有第一表面，所述第一表面上形成有多個間隔的容置孔，所述容置孔底部包含有P電極和N電極，所述P電極和所述N電極連接所述電路；將含有所述發光二極體晶粒的所述混合溶液轉移至所述基板上，所述發光二極體晶粒部分位於所述第一表面上，部分容置於所述容置孔內；將位於所述第一表面的所述發光二極體晶粒去除；對位於所述容置孔內的所述發光二極體晶粒進行檢測篩選；提供一承載膜，依據檢測結果將所述發光二極體晶粒進行分類或分級。
2. 如申請專利範圍第1項所述發光二極體晶粒的檢測方法，其中：所述溶劑包括IPA以及粘滯係數大於IPA的有機物或者有機物的混合物，所述發光二極體晶粒具有正面A和與所述正面A相對的背面B，所述背面B的尺寸稍大於所述正面A的尺寸。
3. 如申請專利範圍第1項所述發光二極體晶粒的檢測方法，其中：所述基板還包括與所述第一表面相對的第二表面，所述容置孔的縱截面呈倒梯形， 所述容置孔的孔徑自所述第一表面朝向所述第二表面方向逐漸減小，且所述容置孔的孔徑大致與所述發光二極體晶粒的尺寸配合。
4. 如申請專利範圍第3項所述發光二極體晶粒的檢測方法，其中：將含有所述發光二極體晶粒的所述混合溶液轉移至所述基板的方法包括噴塗、塗布或者沖刷。
5. 如申請專利範圍第1項所述發光二極體晶粒的檢測方法，其中：將所述發光二極體晶粒去除的方法包括超音波振動、機械振動或者電磁振動，所述檢測方法包括提供電流進行電性測試或者通過光強度測試。
6. 如申請專利範圍第2項所述發光二極體晶粒的檢測方法，其中：所述分類或分級是指將所述發光二極體晶粒分成為正面A向上的發光二極體晶粒和背面B向上的發光二極體晶粒。
7. 如申請專利範圍第2項所述發光二極體晶粒的檢測方法，其中：所述發光二極體晶粒包括一第一半導體層、依次設置於所述第一半導體層之上的發光活性層、第二半導體層、第一電極和第二電極，所述第一半導體層縱截面呈倒T型，所述第一半導體層包括一主體部及自所述主體部中部延伸而成的延伸部，所述發光活性層、第二半導體層以及第一電極均以此設置於所述延伸部上，所述第二電極環繞設置於所述主體部邊緣且與所述延伸部、發光活性層、第二半導體層均間隔設置。
8. 如申請專利範圍第7項所述發光二極體晶粒的檢測方法，其中：所述第二電極的外周緣與所述第一半導體層的主體部的外周緣共面設置，所述第一半導體層的延伸部、所述發光活性層、以及所述第一電極的周緣均共面設置。
9. 如申請專利範圍第7項所述發光二極體晶粒的檢測方法，其中：所述第一電極的頂面和第二電極的頂面共面設置，所述發光二極體晶粒具有所述第一電極和所述第二電極的一側定義為所述正面A，與所述正面相對的發光二極體晶粒的另一側定義為所述背面B，所述發光二極體晶粒位於所述容置孔後，所述發光二極體晶粒的所述第一電極和第二電極分別與所述容置孔的N電極、P電極對應。
10. 如申請專利範圍第7項所述發光二極體晶粒的檢測方法，其中：所述發光二極體晶粒的俯視圖呈兩個半徑不同的且間隔的同心圓環。