TWI649453B - 晶圓狀物件之表面的處理設備 - Google Patents

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菲力浦 英傑瑟
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Abstract

一種用以處理晶圓狀物件的設備，該設備包含一提供氣密封閉的封閉處理腔室。一旋轉夾盤係設置在封閉處理腔室內，並且用以固持在其上的晶圓狀物件。將蓋件固定在封閉處理腔室的上部。蓋件包含一環形腔室、複數氣體入口、及複數氣體出口；其中氣體入口與環形腔室連通、並開口在面朝封閉處理腔室外部的蓋件之一表面上，且氣體出口與環形腔室連通、並開口在面朝封閉處理腔室內部的蓋件之一表面上。

Description

晶圓狀物件之表面的處理設備
本發明大致涉及用於處理晶圓狀物件（如半導體晶圓）之表面的設備，其中可自一封閉處理腔室內回收一或更多處理流體。
半導體晶圓係經過各種表面處理製程，例如：蝕刻、清理、拋光、及材料沉積。為符合此類製程，可藉由與可旋轉載具結合之夾盤而相對於一或更多處理流體噴嘴來支撐單一晶圓，如美國專利第4903717號及第5513668號中所描述者。
或者，可將用以支撐晶圓之環形轉子形式的夾盤設置在封閉處理腔室內，並且藉由主動式磁浮軸承來驅動而無實際接觸，如國際公開專利第WO2007/101764號及美國專利第6485531號中所描述者。
對於許多應用而言，在特定製程開始之前、或在連續製程之間，必需用臭氧或惰性氣體（例如：氮）來清理封閉處理腔室。此外，對於許多應用而言，同樣必需清洗處理腔室，例如用去離子水清洗。
一封閉腔室單晶圓濕處理之改良式設計已描述在共同所有、共同申請中的美國公開專利案第2013/0134128號中，且其中腔室的蓋件配有流體分配環，其係具有彈性或與圍繞的腔室壁邊緣保持一非常小的間隙。然而，已證明實際上難以在組裝腔室時不損傷環形間隙的邊緣。此外，當環是由彈性材料所製成時，已發現到這類材料會在高溫處理期間膨脹，從而導致間隙部份閉合並使清潔功能減弱。
本案發明人開發出一種處理晶圓狀物件的改良式設備、以及與此設備一起使用的改良式蓋件。
因此，在一實施態樣中，本發明涉及一種用以處理晶圓狀物件的設備，該設備包含一封閉處理腔室，且該封閉處理腔室包含提供氣密封閉的外罩。一旋轉夾盤係設置在封閉處理腔室內，並且用以固持在其上的晶圓狀物件。將蓋件固定在封閉處理腔室的上部，且蓋件包含一環形腔室、複數氣體入口、及複數氣體出口；其中氣體入口與環形腔室連通、並開口在面朝封閉處理腔室外部的蓋件之一表面上，且氣體出口與環形腔室連通、並開口在面朝封閉處理腔室內部的蓋件之一表面上。
在根據本發明之設備的較佳實施例中，蓋件包含上板及下板；上板係由複合強化纖維材料所形成，且下板面朝封閉處理腔室內部並由具化學抗性之塑膠所形成，環形腔室係形成在下板中。
在根據本發明之設備的較佳實施例中，環形腔室係由一徑向朝內延伸之溝槽及一環所定義；溝槽係形成在蓋件的下部區域中，且該環係安裝在溝槽的外部中，以封閉環形腔室。
在根據本發明之設備的較佳實施例中，環形腔室係由一徑向朝內延伸之溝槽及一環所定義；溝槽係形成在下板的周緣區域中，且該環係安裝在溝槽的外部中，以封閉環形腔室。
在根據本發明之設備的較佳實施例中，蓋件的下部區域及該環係各別由具化學抗性之塑膠所形成，而具化學抗性之塑膠係獨立選擇自由聚四氟乙烯（PTFE，polytetrafluoroethylene）、全氟烷氧基（PFA，perfluoroalkoxy）、聚伸苯基硫化物（PPS，polyphenylenesulfide）、聚醚醚酮（PEEK，polyetheretherketone）、聚苯乙烯/聚乙基苯乙烯（PS/PES，polystyrene/polyethylstyrene）、乙烯四氟乙烯（ETFE，ethylene tetrafluoroethylene）、聚亞乙烯基氟化物（PVDF，polyvinylidene fluoride）、氯三氟乙烯的均聚物（PCTFE，homopolymer of chlorotrifluoroethylene）、氟化乙烯丙烯（FEP，fluorinated ethylene propylene）、及乙烯氯三氟乙烯（ECTFE，ethylene chlorotrifluoroethylene）所組成之群組
在根據本發明之設備的較佳實施例中，至少有三個氣體入口。
在根據本發明之設備的較佳實施例中，至少有60個氣體出口、較佳地至少有80個氣體出口、且更佳地至少有100個氣體出口。
在根據本發明之設備的較佳實施例中，氣體噴嘴係各自安裝至各別氣體入口，並配置成連接至氣體供應導管或歧管。
在根據本發明之設備的較佳實施例中，第一附加氣體出口係開口在面朝封閉處理腔室內部的蓋件之一表面上，第一附加氣體出口係設置在環形腔室的徑向內側，第一附加氣體出口係定向成在蓋件下方產生旋轉氣流。
在根據本發明之設備的較佳實施例中，第二附加氣體出口係開口在面朝封閉處理腔室內部的蓋件之一表面上，第二附加氣體出口係設置在環形腔室的徑向內側，第二附加氣體出口係定向成產生徑向引導至蓋件外側的氣流。
在另一實施態樣中，本發明涉及一種用以封閉處理腔室的蓋件，該處理腔室係用於處理晶圓狀物件。蓋件包含一環形腔室、複數氣體入口、及複數氣體出口；氣體入口與環形腔室連通、並開口在蓋件的面朝外表面上，且氣體出口與環形腔室連通、並開口在蓋件的面朝內表面上。
在根據本發明之蓋件的較佳實施例中，蓋件包含上板及下板；上板係由複合強化纖維材料所形成，且下板係由具化學抗性之塑膠所形成，環形腔室係形成在下板中。
在根據本發明之蓋件的較佳實施例中，環形腔室係由一徑向朝內延伸之溝槽及一環所定義；溝槽係形成在蓋件的下部區域中，且該環係安裝在溝槽的外部中，以封閉環形腔室。
在根據本發明之蓋件的較佳實施例中，環形腔室係由一徑向朝內延伸之溝槽及一環所定義；溝槽係形成在下板的周緣區域中，且該環係安裝在溝槽的外部中，以封閉環形腔室。
在根據本發明之蓋件的較佳實施例中，蓋件的下部區域及該環係各別由具化學抗性之塑膠所形成，而具化學抗性之塑膠係獨立選擇自由聚四氟乙烯（PTFE，polytetrafluoroethylene）、全氟烷氧基（PFA，perfluoroalkoxy）、聚伸苯基硫化物（PPS，polyphenylenesulfide）、聚醚醚酮（PEEK，polyetheretherketone）、聚苯乙烯/聚乙基苯乙烯（PS/PES，polystyrene/polyethylstyrene）、乙烯四氟乙烯（ETFE，ethylene tetrafluoroethylene）、聚亞乙烯基氟化物（PVDF，polyvinylidene fluoride）、氯三氟乙烯的均聚物（PCTFE，homopolymer of chlorotrifluoroethylene）、氟化乙烯丙烯（FEP，fluorinated ethylene propylene）、及乙烯氯三氟乙烯（ECTFE，ethylene chlorotrifluoroethylene）所組成之群組。
在根據本發明之蓋件的較佳實施例中，至少有三個氣體入口。
在根據本發明之蓋件的較佳實施例中，至少有60個氣體出口、較佳地至少有80個氣體出口、且更佳地至少有100個氣體出口。
在根據本發明之蓋件的較佳實施例中，氣體噴嘴係各自安裝至各別氣體入口，並配置成連接至氣體供應導管或歧管。
在根據本發明之蓋件的較佳實施例中，第一附加氣體出口係開口在蓋件的面朝內表面上，第一附加氣體出口係設置在環形腔室的徑向內側，第一附加氣體出口係定向成在蓋件下方產生旋轉氣流。
在根據本發明之蓋件的較佳實施例中，第二附加氣體出口係開口在蓋件的面朝內表面上，第二附加氣體出口係設置在環形腔室的徑向內側，第二附加氣體出口係定向成產生徑向引導至蓋件外側的氣流。
現在參考圖1，其係根據本發明第一實施例之用以處理晶圓狀物件之表面的設備，此設備包含外處理腔室1，其係較佳地由塗有PFA（全氟烷氧基，perfluoroalkoxy）樹脂的鋁所製成。此實施例中之腔室具有主要圓柱形壁10、下部12、及上部15。一較窄之圓柱形壁34自上部15延伸，並由蓋件36將其封閉。
旋轉夾盤30係設置在腔室1的上部之中，並且被圓柱形壁34所圍繞。於使用設備期間，旋轉夾盤30可旋轉地支撐晶圓W。旋轉夾盤30包含旋轉驅動件，其包含環形齒輪38，且齒輪38嚙合並驅動用以選擇性接觸及鬆開晶圓W之周緣的複數偏心可移動式夾扣構件。
在此實施例中，旋轉夾盤30係設置在圓柱形壁34的內表面附近之環形轉子。定子32係設置在圓柱形壁34的外表面附近、並與環形轉子相對。轉子30及定子32作為馬達，故環形轉子30（且因此受其支撐之晶圓W）可經由主動式磁浮軸承而旋轉。舉例而言，定子32可包含可受主動控制之複數電磁線圈或繞線，以便經由設置在轉子上的對應永久磁鐵而可旋轉地驅動旋轉夾盤30。旋轉夾盤30之軸向且徑向軸承亦可藉由定子的主動控制或藉由永久磁鐵來完成。因此，可使旋轉夾盤30懸浮且受到可旋轉地驅動，而無機械接觸。選擇性地，轉子可由被動式軸承所支承，其中轉子的磁鐵係由設置在腔室外部的外轉子周圍上之對應高溫超導磁鐵（HTS磁鐵，high-temperature-superconducting magnet）所支承。在此替代實施例的情況下，環形轉子的各磁鐵係釘附至其對應的外轉子之HTS磁鐵。因此，在沒有實際連接的情況下，內轉子隨外轉子作相同運動。
蓋件36係一改良式設計，且包含上板50及下板60；上板50係由複合強化纖維材料所形成，且下板60面朝處理腔室內部並由具化學抗性之塑膠（此實施例中為ECTFE）所形成。在此實施例中，不銹鋼板70係夾在上板50與下板60之間（見圖3）。
如圖3之中可見，蓋件36更可包括一電性加熱層62，其係用以將下板60加熱至一溫度，以防止處理蒸汽在面朝處理腔室內部的板60之表面上發生凝結。電性加熱層62較佳地為矽氧橡膠加熱器。
隔板64的作用為壓住加熱器層62，以維持加熱器層62與下板60接觸；環形間隔物66（較佳地由不銹鋼所形成）亦然。
蓋件36可藉由穿過鑽孔58之螺栓（未顯示）而固定在處理腔室。
現在參考圖4～7，蓋件36的下板60形成有徑向朝內延伸之環形溝槽65，溝槽65開口在板60的周緣上。環66係安裝在溝槽65的開口之中，以形成環形腔室。板60中的上開口與環形腔室及接收噴嘴54（其接附至氣體供應器）連通，以便將清理氣體供應至環形腔室內。較佳地，至少有三個這樣的噴嘴54。
清理氣體經由數量很多但卻小得多的出口67離開環形腔室，這些出口67自環形腔室延伸並開口在下板60的下表面上；當蓋件設置在適當位置時，下板60的下表面係面朝封閉處理腔室內部之一表面。如圖6所示，在此實施例中有120個出口67，然而這類出口的數量當然可視需要而改變，以產生目標氣體流量分佈。
複數第一附加氣體出口63亦開口在下板60的下表面上，但其位置在環形腔室的徑向內側。出口63係由個別氣體噴嘴57所供應。複數第二附加氣體出口69亦開口在下板60的下表面上，並且像第一附加出口63般設置在環形腔室的徑向內側。這些第二附加氣體出口69同樣係由個別氣體噴嘴59所供應。
參考圖6，可看見出口63更具方向性，以便在此蓋件下方產生旋轉氣流。具體而言，這三個出口63一起產生通常為順時針方向旋轉的清理氣體流量，如圖6中的環形箭號所示。
另一方面，定子32及轉子30係操作以使夾盤呈逆時針方向旋轉。已發現到夾盤與通過出口63的清理氣流間的反方向旋轉提供了特別徹底又有效率的封閉處理腔室內之夾盤環境清理，尤其是在晶圓W上方的區域。
可藉由提供複數第二附加出口69來進一步改善此效果，其中第二附加出口69將其清理氣流徑向引導至下板60的外側，而其位置仍然在形成於板60中的環形腔室內側。
進行模擬以比較於此所述之蓋件設計與共同所有、共同申請中的美國公開專利案第2013/0134128號之清理環兩者的效能。對於在350或400 rpm速度下旋轉之300 mm直徑晶圓而言，已發現到儘管在指定低很多的總清理氣體流速之情況下，本設計仍可獲得具有改善之速度及均勻性的清理氣體流動形態。
舉例而言，相對於流速為120公升/分鐘（lpm）的先前設計，在氣態氮的總流速為40 lpm或75 lpm的情況下，流動形態獲得改善。在本設計中，藉由指定通過出口67的25 lpm流量和通過附加出口63、69的15 lpm流量而獲得40 lpm的流速，並且由指定通過出口67的50 lpm流量和通過附加出口63、69的25 lpm流量而獲得75 lpm的流速。
參考圖1及2，應注意到先前實施例中的晶圓W係藉由夾扣構件40予以支撐而自旋轉夾盤30朝下懸置，以使經由入口56所供應之流體能沖擊晶圓W的面朝上之表面。
在晶圓W為例如直徑300 mm或450 mm的半導體晶圓之情況下，晶圓W的面朝上之一側可為晶圓W的裝置側或其相對側，這決定於晶圓被如何設置在旋轉夾盤30上（因此這是由腔室1內所執行之特定製程所指定）。
圖1的設備更包含可相對於處理腔室1移動的內蓋件2。圖1之中顯示內蓋件2位於其第一（或開啟）位置，其中旋轉夾盤30係與腔室1的外圓柱形壁10連通。此實施例中之蓋件2通常呈杯形，並且包含被直立圓柱形壁21所圍繞之基部20。蓋件2更包含中空軸22，中空軸22支撐基部20、並且穿過腔室1的下壁14。
中空軸22被形成在主腔室1中的凸部12所圍繞，且這些元件係經由動態密封件而連接，動態密封件允許中空軸22相對於凸部12進行位移，同時與腔室1維持氣密封閉。
在圓柱形壁21的頂部處，接附著一環形導流器構件24，該導流器構件24的面朝上之表面上搭載一襯墊26。蓋件2較佳地包含一穿過基部20的流體介質入口28，以使處理流體及清洗液體能導入腔室內、並導至晶圓W的面朝下之表面上。
蓋件2更包括處理液體排放口23，其開口在排放導管25內。雖然導管25係剛性裝設在蓋件2的基部20，但其經由動態封口17穿過腔室1的底壁14，以使此導管能相對於底壁14進行軸向滑動，並同時維持氣密封閉。
排出口16穿過腔室1的壁10，並且連接至適當的排放導管。
圖1所示之位置對應至晶圓W的裝載或卸載。具體而言，晶圓W可經由蓋件36或更佳地經由腔室壁10中的側門（未顯示）而裝載至旋轉夾盤30上。然而，當蓋件36已位在適當位置時、且當任何側門皆已關閉時，腔室1為氣密狀態，並且能維持所定義之內部壓力。
在圖2中，內蓋件2已移動到其第二（或閉合）位置，此對應至晶圓W的處理。亦即，在晶圓W裝載在旋轉夾盤30上之後，藉由作用在中空軸22上的適當馬達（未顯示）將蓋件2相對於腔室1往上移動。持續將內蓋件2往上移動，直到導流器構件24與腔室1的上部15之內表面接觸為止。具體而言，導流器24所搭載之襯墊26對著上部15的底面密封，而上部15所搭載之襯墊18對著導流器24的上表面密封。
如圖2所示，當內蓋件2到達其第二位置時，藉此在封閉處理腔室1內產生第二腔室48。內腔室48有別於腔室1的其餘部份而以氣密方式呈更為密封狀態。此外，腔室48係較佳地與腔室1的其餘部份各別排氣，這在此實施例中係藉由設置開口在腔室48內的排氣口（未顯示）而實現，排氣口係獨立於供一般腔室1和圖2配置中的腔室1之其餘部份所使用的排氣口16。
於晶圓處理期間，為了執行各種製程（如：蝕刻、清理、清洗、及任何其他所期望之正在進行處理中之晶圓的表面處理），可將處理流體經由介質入口56及/或28引導至旋轉中的晶圓W。
將腔室48設置在整個處理腔室1內的情況下，由於允許用於晶圓處理的氣體及液體與處理腔室的外部環境更適當地隔離，因而增進了封閉腔室環境的安全性，並且降低了處理氣體、化學煙氣、熱蒸氣（例如蒸發之異丙醇）、臭氧、及其類似者釋放至工具環境的風險。
應瞭解到於此所示之以上敘述及特定實施例僅作為說明本發明及其原理、以及本領域中具有通常知識者可在不離開本發明的精神和範圍之情況下輕易完成修改和增加，因此應瞭解本發明的範圍僅由隨附之申請專利範圍所限定。
1‧‧‧腔室
2‧‧‧內蓋件
10‧‧‧壁
12‧‧‧凸部
14‧‧‧壁
15‧‧‧上部
16‧‧‧排出口
17‧‧‧動態封口
18‧‧‧襯墊
20‧‧‧基部
21‧‧‧壁
22‧‧‧中空軸
23‧‧‧排放口
24‧‧‧導流器
25‧‧‧排放導管
26‧‧‧襯墊
28‧‧‧介質入口
30‧‧‧旋轉夾盤
32‧‧‧定子
34‧‧‧壁
36‧‧‧蓋件
38‧‧‧齒輪
40‧‧‧夾扣構件
48‧‧‧腔室
50‧‧‧上板
54‧‧‧噴嘴
56‧‧‧入口
57‧‧‧噴嘴
58‧‧‧鑽孔
59‧‧‧噴嘴
60‧‧‧下板
62‧‧‧加熱層
63‧‧‧出口
64‧‧‧隔板
65‧‧‧溝槽
66‧‧‧環形間隔物
67‧‧‧出口
69‧‧‧出口
70‧‧‧不銹鋼板
W‧‧‧晶圓
在研讀過以下參考附圖所提出之本發明之較佳實施例的詳細描述後，本發明的其他目的、特徵、及優點將變得更為顯而易見，其中：
圖1係根據本發明第一實施例之處理腔室的範例性橫剖面側視圖，而內蓋件顯示在其第一位置；
圖2係根據本發明第一實施例之處理腔室的範例性橫剖面側視圖，而內蓋件顯示在其第二位置；
圖3係根據本發明之蓋件實施例的剖面立體圖；
圖4顯示圖3的部份放大尺寸；
圖5係先前實施例的下板60之側視圖；
圖6係沿著圖5的直線VI-VI之剖面圖；及
圖7係圖5中之局部VII的放大圖。

Claims (18)

  1. 一種用以處理晶圓狀物件的設備，該設備包含：一封閉處理腔室，該封閉處理腔室包含提供氣密封閉的外罩；一旋轉夾盤，該旋轉夾盤係設置在該封閉處理腔室內，該旋轉夾盤係用以固持在其上的晶圓狀物件；及一蓋件，該蓋件係固定在該封閉處理腔室的上部，該蓋件包含一環形溝槽，該環形溝槽係形成在該蓋件的一外周緣中，一環，該環係安裝在該溝槽中以形成一環形腔室，其中該環形腔室係由該溝槽及該環所定義，複數開口，該等開口與該環形腔室連通、並開口在面朝該封閉處理腔室外部的該蓋件之一表面上，該等開口係配置成接收各別氣體噴嘴，及複數氣體出口，該等氣體出口與該溝槽連通、並自該溝槽朝下延伸以開口在面朝該封閉處理腔室內部的該蓋件之一表面上，其中該等氣體出口穿過該蓋件的一下壁、並在該蓋件下方開口在該處理腔室內以在該處理腔室與由該溝槽及該環所定義之該環形腔室之間提供流體連通。
  2. 如申請專利範圍第1項之用以處理晶圓狀物件的設備，其中該蓋件包含上板及下板；該上板係由複合強化纖維材料所形成，且該下板面朝該封閉處理腔室內部並由具化學抗性之塑膠所形成，該環形腔室係形成在該下板中。
  3. 如申請專利範圍第1項之用以處理晶圓狀物件的設備，其中該溝槽係形成在該蓋件的下部區域中。
  4. 如申請專利範圍第3項之用以處理晶圓狀物件的設備，其中該蓋件的該下部區域及該環係各別由具化學抗性之塑膠所形成，而該具化學抗性之塑膠係獨立選擇自由聚四氟乙烯(PTFE，polytetrafluoroethylene)、全氟烷氧基(PFA，perfluoroalkoxy)、聚伸苯基硫化物(PPS，polyphenylenesulfide)、聚醚醚酮(PEEK，polyetheretherketone)、聚苯乙烯/聚乙基苯乙烯(PS/PES，polystyrene/polyethylstyrene)、乙烯四氟乙烯(ETFE，ethylene tetrafluoroethylene)、聚亞乙烯基氟化物(PVDF，polyvinylidene fluoride)、氯三氟乙烯的均聚物(PCTFE，homopolymer of chlorotrifluoroethylene)、氟化乙烯丙烯(FEP，fluorinated ethylene propylene)、及乙烯氯三氟乙烯(ECTFE，ethylene chlorotrifluoroethylene)所組成之群組。
  5. 如申請專利範圍第1項之用以處理晶圓狀物件的設備，包含至少三個該開口。
  6. 如申請專利範圍第1項之用以處理晶圓狀物件的設備，包含至少60個該氣體出口。
  7. 如申請專利範圍第1項之用以處理晶圓狀物件的設備，更包含複數氣體噴嘴，其各自安裝至各別該開口，並配置成連接至氣體供應導管或歧管。
  8. 如申請專利範圍第1項之用以處理晶圓狀物件的設備，更包含複數第一附加氣體出口，該等第一附加氣體出口係開口在面朝該封閉處理腔室內部的該蓋件之一表面上，該等第一附加氣體出口係設置在該環形腔室的徑向內側，該等第一附加氣體出口係定向成在該蓋件下方產生旋轉氣流。
  9. 如申請專利範圍第8項之用以處理晶圓狀物件的設備，更包含複數第二附加氣體出口，該等第二附加氣體出口係開口在面朝該封閉處理腔室內部的該蓋件之一表面上，該等第二附加氣體出口係設置在該環形腔室的徑向內側，該等第二附加氣體出口係定向成產生徑向引導至該蓋件外側的氣流。
  10. 一種用以封閉處理腔室的蓋件，該處理腔室係用於處理晶圓狀物件，該蓋件包含：一環形溝槽，該環形溝槽係形成在該蓋件的一外周緣中；一環，該環係安裝在該溝槽中以形成一環形腔室，其中該環形腔室係由該溝槽及該環所定義；複數開口，該等開口與該環形腔室連通、並開口在該蓋件的面朝外表面上；及複數氣體出口，該等氣體出口與該溝槽連通、並自該溝槽朝下延伸以開口在面朝該處理腔室內部的該蓋件之一表面上，其中該等氣體出口穿過該蓋件的一下壁、並在該蓋件下方開口在該處理腔室內以在該處理腔室與由該溝槽及該環所定義之該環形腔室之間提供流體連通。
  11. 如申請專利範圍第10項之用以封閉處理腔室的蓋件，包含上板及下板；該上板係由複合強化纖維材料所形成，且該下板係由具化學抗性之塑膠所形成，該環形腔室係形成在該下板中。
  12. 如申請專利範圍第10項之用以封閉處理腔室的蓋件，其中該溝槽係形成在該蓋件的下部區域中。
  13. 如申請專利範圍第12項之用以封閉處理腔室的蓋件，其中該蓋件的該下部區域及該環係各別由具化學抗性之塑膠所形成，而該具化學抗性之塑膠係獨立選擇自由聚四氟乙烯(PTFE，polytetrafluoroethylene)、全氟烷氧基(PFA，perfluoroalkoxy)、聚伸苯基硫化物(PPS，polyphenylenesulfide)、聚醚醚酮(PEEK，polyetheretherketone)、聚苯乙烯/聚乙基苯乙烯(PS/PES，polystyrene/polyethylstyrene)、乙烯四氟乙烯(ETFE，ethylene tetrafluoroethylene)、聚亞乙烯基氟化物(PVDF，polyvinylidene fluoride)、氯三氟乙烯的均聚物(PCTFE，homopolymer of chlorotrifluoroethylene)、氟化乙烯丙烯(FEP，fluorinated ethylene propylene)、及乙烯氯三氟乙烯(ECTFE，ethylene chlorotrifluoroethylene)所組成之群組。
  14. 如申請專利範圍第10項之用以封閉處理腔室的蓋件，包含至少三個該開口。
  15. 如申請專利範圍第10項之用以封閉處理腔室的蓋件，包含至少60個該氣體出口。
  16. 如申請專利範圍第10項之用以封閉處理腔室的蓋件，更包含複數氣體噴嘴，其各自安裝至各別該開口，並配置成連接至氣體供應導管或歧管。
  17. 如申請專利範圍第10項之用以封閉處理腔室的蓋件，更包含複數第一附加氣體出口，該等第一附加氣體出口係開口在該蓋件的該面朝內表面上，該等第一附加氣體出口係設置在該環形腔室的徑向內側，該等第一附加氣體出口係定向成在該蓋件下方產生旋轉氣流。
  18. 如申請專利範圍第17項之用以封閉處理腔室的蓋件，更包含複數第二附加氣體出口，該等第二附加氣體出口係開口在該蓋件的該面朝內表面上，該等第二附加氣體出口係設置在該環形腔室的徑向內側，該等第二附加氣體出口係定向成產生徑向引導至該蓋件外側的氣流。
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