TWI648602B - 用於線內修正的可適應性濾波器 - Google Patents

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依格 馬修斯 皮特尼拉 亞堤司
羅伯特 安東尼 奧格利
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荷蘭商Ａｓｍｌ控股公司
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Abstract

本發明提供一種應用一量測修正之方法，其包括：基於一第一係數及量測而計算一第一修正值；基於大於該第一係數的一第二係數及該量測而計算一第二修正值；及基於大於該第二係數的一第三係數及該量測而計算一第三修正值。該方法亦包括：若該第一修正值與該第三修正值之間的一差高於一第一臨限值，則將該第三修正值應用於該量測；若該第一修正值與該第二修正值之間的一差高於一第二臨限值，則將該第二修正值應用於該量測；及若該第一修正值與該第二修正值之間的該差低於或等於該第二臨限值，則將該第一修正值應用於該量測。

Description

用於線內修正的可適應性濾波器
本發明係關於可用於(例如)微影裝置中之度量衡系統。
微影裝置為將所要圖案施加至基板之目標部分上之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生對應於IC之個別層上之電路圖案，且可將此圖案成像至具有輻射敏感材料(抗蝕劑)層之基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。一般而言，單一基板將含有經順次地曝光之鄰近目標部分之網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。另一微影系統為干涉量測微影系統，其中不存在圖案化器件，而是一光束被分裂成兩個光束，且經由使用反射系統而使該兩個光束在基板之目標部分處進行干涉。該干涉使得待在基板之目標部分處形成線。 在微影操作期間，不同處理步驟可要求不同層依序地形成於基板上。因此，可有必要以高準確度相對於形成於基板上之先前圖案來定位該基板。通常，將對準標記置放於待對準之基板上且參考第二目標來定位對準標記。微影裝置可使用度量衡系統以用於偵測對準標記之位置(例如，X及Y位置)且用於使用對準標記來對準基板以確保自光罩之準確曝光。度量衡系統可用以判定晶圓表面在Z方向上之高度。 歸因於度量衡系統之特性之對準誤差(諸如，波長及階特定的對準誤差)可借助於階之間移位(SBO)修正予以修正。修正值經受歸因於對準感測器及/或照明光學件中之不穩定性之改變。藉由線內SBO (iSBO)之程序量測及修正經校準值之此漂移。為了抑制量測雜訊，常常使用濾波器。然而，此濾波器引入相位滯後且可引起修正中之追蹤誤差。對於慢產出率系統或遭受快速改變不穩定性的系統，追蹤誤差變大且可損害疊對效能。
因此，需要改良用於度量衡系統的iSBO中之量測雜訊之抑制。 根據一實施例，一種度量衡系統包括產生光之一輻射源、一反射器、一干涉計、一偵測器及一控制器。該反射器導引該光朝向一基板。該干涉計干涉已自該基板上之一圖案繞射或自該基板反射的該光，且自該干涉產生輸出光。該偵測器自該干涉計接收該輸出光且基於該接收之輸出光產生一量測。該控制器判定對該量測之一修正。該判定包括：基於一第一係數及該量測而計算一第一修正值；基於大於該第一係數的一第二係數及該量測而計算一第二修正值；及基於大於該第二係數的一第三係數及該量測而計算一第三修正值。若該第一修正值與該第三修正值之間的一差高於一第一臨限值，則將該第三修正值應用於該量測。若該第一修正值與該第二修正值之間的一差高於一第二臨限值，則將該第二修正值應用於該量測。若該第一修正值與該第二修正值之間的該差低於或等於該第二臨限值，則將該第一修正值應用於該量測。 在另一實施例中，一種微影裝置包括：一照明系統，其經設計以照明一圖案化器件之一圖案；一投影系統，其將該圖案之一影像投影至一基板之一目標部分上；及一度量衡系統。該度量衡系統包括產生光之一輻射源、一反射器、一干涉計、一偵測器及一控制器。該反射器導引該光朝向一基板。該干涉計干涉已自該基板上之一圖案繞射或自該基板反射的該光，且自該干涉產生輸出光。該偵測器自該干涉計接收該輸出光且基於該接收之輸出光產生一量測。該控制器判定對該量測之一修正。該判定包括：基於一第一係數及該量測而計算一第一修正值；基於大於該第一係數的一第二係數及該量測而計算一第二修正值；及基於大於該第二係數的一第三係數及該量測而計算一第三修正值。若該第一修正值與該第三修正值之間的一差高於一第一臨限值，則將該第三修正值應用於該量測。若該第一修正值與該第二修正值之間的一差高於一第二臨限值，則將該第二修正值應用於該量測。若該第一修正值與該第二修正值之間的該差低於或等於該第二臨限值，則將該第一修正值應用於該量測。 在又一實施例中，一種將一修正應用於由一度量衡系統判定之一量測以便考量雜訊之方法包括：基於一第一係數及該量測而計算一第一修正值；基於大於該第一係數的一第二係數及該量測而計算一第二修正值；基於大於該第二係數的一第三係數及該量測而計算一第三修正值。該方法亦包括：若該第一修正值與該第三修正值之間的一差高於一第一臨限值，則將該第三修正值應用於該量測；若該第一修正值與該第二修正值之間的一差高於一第二臨限值，則將該第二修正值應用於該量測；及若該第一修正值與該第二修正值之間的該差低於或等於該第二臨限值，則將該第一修正值應用於該量測。 在另一實施例中，一種度量衡系統包括產生光之一輻射源、一反射器、一干涉計、一偵測器及一控制器。該反射器導引該光朝向一基板。該干涉計干涉已自該基板上之一圖案繞射或自該基板反射的該光，且自該干涉產生輸出光。該偵測器自該干涉計接收該輸出光且基於該接收之輸出光產生一量測。該控制器判定對該量測之一修正。該判定包括：基於一第一係數及該量測而計算一第一修正值；基於大於該第一係數的一第二係數及該量測而計算一第二修正值；基於大於該第二係數的一第三係數及該量測而計算一第三修正值；基於一第四係數及該量測而計算一第一量測平均值；及基於該第三係數及該量測而計算一第二量測平均值。若該第一修正值與該第二量測平均值之間的一差高於一第一臨限值，則將該第三修正值應用於該量測。若該第一修正值與該第一量測平均值之間的一差高於一第二臨限值，則將該第二修正值應用於該量測。若該第一修正值與該第一量測平均值之間的該差低於或等於該第二臨限值，則將該第一修正值應用於該量測。 在另一實施例中，一種微影裝置包括：一照明系統，其經設計以照明一圖案化器件之一圖案；一投影系統，其將該圖案之一影像投影至一基板之一目標部分上；及一度量衡系統。該度量衡系統包括產生光之一輻射源、一反射器、一干涉計、一偵測器及一控制器。該反射器導引該光朝向一基板。該干涉計干涉已自該基板上之一圖案繞射或自該基板反射的該光，且自該干涉產生輸出光。該偵測器自該干涉計接收該輸出光且基於該接收之輸出光產生一量測。該控制器判定對該量測之一修正。該判定包括：基於一第一係數及該量測而計算一第一修正值；基於大於該第一係數的一第二係數及該量測而計算一第二修正值；基於大於該第二係數的一第三係數及該量測而計算一第三修正值；基於一第四係數及該量測而計算一第一量測平均值；及基於該第三係數及該量測而計算一第二量測平均值。若該第一修正值與該第二量測平均值之間的一差高於一第一臨限值，則將該第三修正值應用於該量測。若該第一修正值與該第一量測平均值之間的一差高於一第二臨限值，則將該第二修正值應用於該量測。若該第一修正值與該第一量測平均值之間的該差低於或等於該第二臨限值，則將該第一修正值應用於該量測。 在又一實施例中，一種將一修正應用於由一度量衡系統判定之一量測以便考量雜訊之方法包括：基於一第一係數及該量測而計算一第一修正值；基於大於該第一係數的一第二係數及該量測而計算一第二修正值；基於大於該第二係數的一第三係數及該量測而計算一第三修正值；基於一第四係數及該量測而計算一第一量測平均值；及基於該第三係數及該量測而計算一第二量測平均值。該方法亦包括：若該第一修正值與該第二量測平均值之間的一差高於一第一臨限值，則將該第三修正值應用於該量測；若該第一修正值與該第一量測平均值之間的一差高於一第二臨限值，則將該第二修正值應用於該量測；及若該第一修正值與該第一量測平均值之間的該差低於或等於該第二臨限值，則將該第一修正值應用於該量測。 下文參考隨附圖式來詳細地描述本發明之另外特徵及優點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文中含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者而言將顯而易見。
本說明書揭示併有本發明之特徵的一或多個實施例。所揭示實施例僅僅例示本發明。本發明之範疇不限於所揭示實施例。本發明係由附加於此處之申請專利範圍界定。 所描述之實施例及本說明書中對「一個實施例」、「一實施例」、「一實例實施例」等之參考指示所描述之實施例可包括一特定特徵、結構或特性，但每一實施例可未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此類片語未必係指相同實施例。另外，當結合一實施例描述一特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否予以明確描述，結合其他實施例來實現此特徵、結構或特性皆係在熟習此項技術者之認識範圍內。 然而，在更詳細地描述此等實施例之前，有指導性的是呈現可供實施本發明之實施例之實例環境。實例反射及透射微影系統 圖1A及圖1B分別為可供實施本發明之實施例的微影裝置100及微影裝置100'之示意性說明。微影裝置100及微影裝置100'各自包括以下各者：照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，深紫外線或極紫外線輻射)；支撐結構(例如，光罩台) MT，其經組態以支撐圖案化器件(例如，光罩、倍縮光罩或動態圖案化器件) MA且連接至經組態以準確地定位該圖案化器件MA之第一定位器PM；及基板台(例如，晶圓台) WT，其經組態以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W且連接至經組態以準確地定位該基板W之第二定位器PW。微影裝置100及100'亦具有投影系統PS，該投影系統PS經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分(例如，包含一或多個晶粒) C上。在微影裝置100中，圖案化器件MA及投影系統PS係反射的。在微影裝置100'中，圖案化器件MA及投影系統PS係透射的。 照明系統IL可包括用於導向、塑形或控制輻射光束B之各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、反射折射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。 支撐結構MT以取決於圖案化器件MA相對於參考框架之定向、微影裝置100及100'中之至少一者之設計及其他條件(諸如，圖案化器件MA是否被固持於真空環境中)之方式來固持圖案化器件MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件MA。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。藉由使用感測器，支撐結構MT可確保圖案化器件MA (例如)相對於投影系統PS處於所要位置。 術語「圖案化器件」MA應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束B之橫截面中向輻射光束B賦予圖案以便在基板W之目標部分C中產生圖案的任何器件。被賦予至輻射光束B之圖案可對應於產生於目標部分C中以形成積體電路之器件中的特定功能層。 圖案化器件MA可為透射的(如在圖1B之微影裝置100'中)或反射的(如在圖1A之微影裝置100中)。圖案化器件MA之實例包括倍縮光罩、光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由小鏡面矩陣反射之輻射光束B中賦予圖案。 術語「投影系統」PS可涵蓋如適於所使用之曝光輻射或適於諸如基板W上之浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可將真空環境用於EUV或電子束輻射，此係由於其他氣體可吸收過多輻射或電子。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。 微影裝置100及/或微影裝置100'可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個基板台WT (及/或兩個或多於兩個光罩台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外基板台WT，或可對一或多個台進行預備步驟，同時將一或多個其他基板台WT用於曝光。在一些情形下，額外台可不為基板台WT。 參看圖1A及圖1B，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源SO為準分子雷射時，源SO及微影裝置100、100'可為單獨物理實體。在此等狀況下，不認為源SO形成微影裝置100或100'之部分，且輻射光束B係憑藉包括(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD (在圖1B中)而自源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當源SO為水銀燈時，源SO可為微影裝置100、100'之整體部件。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD (在需要時)可被稱作輻射系統。 照明器IL可包括用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD (在圖1B中)。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作「σ外部」及「σ內部」)。另外，照明器IL可包含各種其他組件(在圖1B中)，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器IL可用以調節輻射光束B以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。 參看圖1A，輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台) MT上之圖案化器件(例如，光罩) MA上，且係由該圖案化器件MA而圖案化。在微影裝置100中，自圖案化器件(例如，光罩) MA反射輻射光束B。在自圖案化器件(例如，光罩) MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該輻射光束B聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF2 (例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT (例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中)。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器IF1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩) MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩) MA及基板W。 參看圖1B，輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台 MT)上之圖案化器件(例如，光罩MA)上，且係由該圖案化器件而圖案化。在已橫穿光罩MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。投影系統具有與照明系統光瞳IPU共軛之光瞳PPU。輻射之部分自照明系統光瞳IPU處之強度分佈發散且橫穿光罩圖案而不受到光罩圖案處之繞射影響，且產生照明系統光瞳IPU處之強度分佈之影像。 憑藉第二定位器PW及位置感測器IF (例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT (例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中)。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(圖1B中未繪示)可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位光罩MA (例如，在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間)。 一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部件之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部件之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管基板對準標記(如所說明)佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在多於一個晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。 光罩台MT及圖案化器件MA可處於真空腔室中，其中真空內機器人IVR可用以將諸如光罩之圖案化器件移動於真空腔室中及移出真空腔室。替代地，當光罩台MT及圖案化器件MA在真空腔室外部時，相似於真空內機器人IVR，真空外機器人可用於各種輸送操作。真空內機器人及真空外機器人兩者需要經校準以用於任何有效負載(例如，光罩)至轉移站之固定運動安裝台之平滑轉移。 微影裝置100及100'可用於以下模式中之至少一者中： 1. 在步進模式中，在將被賦予至輻射光束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台) MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。 2. 在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台) MT及基板台WT (亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台) MT之速度及方向。 3. 在另一模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台) MT保持實質上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。可使用脈衝式輻射源SO，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。 亦可使用所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。 在一另外實施例中，微影裝置100包括極紫外線(EUV)源，該EUV源經組態以產生用於EUV微影之EUV輻射光束。一般而言，EUV源經組態於輻射系統中，且對應的照明系統經組態以調節EUV源之EUV輻射光束。 圖2更詳細地展示微影裝置100，其包括源收集器裝置SO、照明系統IL，及投影系統PS。源收集器裝置SO經建構及配置以使得可將真空環境維持於源收集器裝置SO之圍封結構220中。可藉由放電產生電漿源形成EUV輻射發射電漿210。可由氣體或蒸汽(例如，Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽)而產生EUV輻射，其中產生極熱電漿210以發射在電磁光譜之EUV範圍內之輻射。舉例而言，藉由造成至少部分離子化電漿之放電來產生極熱電漿210。為了輻射之有效率產生，可需要為(例如) 10帕斯卡之分壓之Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他合適氣體或蒸汽。在一實施例中，提供受激發錫(Sn)電漿以產生EUV輻射。 由熱電漿210發射之輻射係經由經定位於源腔室211中之開口中或後方的可選的氣體障壁或污染物截留器230 (在一些狀況下，亦被稱作污染物障壁或箔片截留器)而自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。污染物截留器230可包括通道結構。污染物截留器230亦可包括氣體障壁，或氣體障壁與通道結構之組合。如在此項技術中已知，本文中進一步所指示之污染物截留器或污染物障壁230至少包括通道結構。 收集器腔室212可包括可為所謂的掠入射收集器之輻射收集器CO。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側251及下游輻射收集器側252。橫穿收集器CO之輻射可自光柵光譜濾光器240反射以聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器裝置經配置成使得中間焦點IF位於圍封結構220中之開口219處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。光柵光譜濾光器240尤其用於抑制紅外線(IR)輻射。 隨後，輻射橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件222及琢面化光瞳鏡面器件224，琢面化場鏡面器件222及琢面化光瞳鏡面器件224經配置以提供在圖案化器件MA處的輻射光束221之所要角度分佈，以及在圖案化器件MA處之輻射強度之所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化器件MA處輻射光束221之反射後，隨即形成經圖案化光束226，且由投影系統PS將經圖案化光束226經由反射元件228、230而成像至由晶圓載物台或基板台WT固持之基板W上。 比所展示之元件多的元件通常可存在於照明光學件單元IL及投影系統PS中。取決於微影裝置之類型，可視情況存在光柵光譜濾光器240。另外，可存在比諸圖中所展示之鏡面更多之鏡面， 例如，在投影系統PS中可存在比圖2中所展示之反射元件多1至6個的額外反射元件。 如圖2中所說明之收集器光學件CO被描繪為具有掠入射反射器253、254及255之巢套式收集器，僅僅作為收集器(或收集器鏡面)之實例。掠入射反射器253、254及255經安置成圍繞光軸O軸向地對稱，且此類型之收集器光學件CO係較佳地結合放電產生電漿源(其常常被稱為DPP源)而使用。實例微影製造單元 圖3展示微影製造單元300，其有時亦被稱作微影製造單元(lithocell)或叢集。微影裝置100或100'可形成微影製造單元300之部分。微影製造單元300亦可包括用以對基板執行曝光前程序及曝光後程序之裝置。通常，此等裝置包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之顯影器DE、冷卻板CH及烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板、在不同程序裝置之間移動基板，且接著將基板遞送至微影裝置之裝載匣LB。常常被集體地稱作塗佈顯影系統(track)之此等器件係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU來控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出率及處理效率。實例度量衡系統 圖4說明根據一實施例之可實施為微影裝置100或100'之一部分的度量衡系統400之橫截面示意圖。在此實施例之一實例中，度量衡系統400可經組態以相對於圖案化器件(例如，圖案化器件MA)對準基板(例如，基板W)。度量衡系統400可經進一步組態以偵測基板上之對準標記之位置且使用對準標記之偵測到的位置相對於微影裝置100或100'之圖案化器件或其他組件對準基板。基板之此對準可確保基板上之一或多個圖案之準確曝光。 根據一實施例，度量衡系統400根據此實施例之一實例可包括照明系統412、反射器414、干涉計426、偵測器428及控制器430。照明系統412可經組態以提供具有一或多個通帶之電磁窄帶輻射光束413。在一實例中，一或多個通帶可在約500奈米至約900奈米之間的波長之光譜內。在另一實例中，一或多個通帶可為在約500奈米至約900奈米之間的波長之光譜內的離散窄通帶。照明系統412可經進一步組態以提供遍及長時間段(例如，遍及照明系統412之壽命)具有實質上恆定的中心波長(CWL)值之一或多個通帶。照明系統412之此組態可幫助防止實際CWL值在當前度量衡系統中自所要CWL值之移位，如上文所論述。且結果，相比於當前度量衡系統，恆定CWL值之使用可改良度量衡系統(例如，度量衡系統400)之長期穩定性及準確度。 根據一實施例，反射器414可經組態以接收輻射光束413且將輻射光束413作為光束415導引朝向基板420。反射器414可為鏡面或雙色鏡面。在一項實例中，載物台422沿著方向424可移動。輻射光束415可經組態以照明位於基板420上之對準標記或目標418。在另一實例中，輻射光束415經組態以自基板420之表面反射。在此實施例之一實例中，對準標記或目標418可塗佈有輻射敏感膜。在另一實例中，對準標記或目標418可具有一百八十度對稱。亦即，當使對準標記或目標418圍繞垂直於對準標記或目標418之平面的對稱軸旋轉一百八十度時，經旋轉對準標記或目標418可實質上相同於未經旋轉對準標記或目標418。 如圖4中所說明，干涉計426可經組態以接收輻射光束417。輻射光束419可自對準標記或目標418繞射或自基板420之表面反射，且在干涉計426處作為輻射光束417被接收。干涉計426包含任何適當的光學元件集合，例如，可經組態以基於接收之輻射光束417而形成對準標記或目標418之兩個影像的稜鏡之組合。應瞭解，無需形成良好品質影像，但應解析對準標記418之特徵。干涉計426可經進一步組態以將兩個影像中之一者相對於兩個影像中之另一者旋轉一百八十度且以干涉方式重組該兩個影像。 在一實施例中，偵測器428可經組態以在度量衡系統400之對準軸線421穿過對準標記或目標418之對稱中心(圖中未繪示)時接收經重組影像且偵測作為經重組影像之結果的干涉。根據一實例實施例，此干涉可歸因於對準標記或目標418一百八十度對稱及經重組之影像建設性地或相消地干涉。基於偵測到之干涉，偵測器428可經進一步組態以判定對準標記或目標418之對稱中心的位置且因此偵測基板420之位置。根據一實例，對準軸線421可與垂直於基板420之光束對準且穿過影像旋轉干涉計426之中心。在另一實例中，偵測器428經組態以接收經重組影像且偵測自基板420之表面反射的光之干涉。 在另一實施例中，控制器430可經組態以接收包括經判定之對稱中心之資訊之信號429。控制器430可經進一步組態以判定載物台422之位置且使載物台422之位置與對準標記或目標418之對稱中心之位置相關。由此，可參考載物台422準確地知曉對準標記或目標418之位置及(因此)基板420之位置。替代地，控制器430可經組態以判定度量衡系統400或任何其他參考元件之位置，使得可參考度量衡系統400或任何其他參考元件知曉對準標記或目標418之對稱中心。 在一實施例中，控制器430經組態以將修正應用於自偵測器428接收之量測以考量度量衡系統400中之雜訊。雜訊可為隨機的，或可表示量測隨著時間推移之漂移，或可表示量測相比於先前量測之突然跳躍。對度量衡系統400之成功校準取決於準確地追蹤對複數個樣本採取之量測的能力。 應注意，儘管反射器414被展示為將輻射光束413作為輻射光束415導引朝向對準標記或目標418，但本發明並非限制性的。對於熟習相關技術者將顯而易見的是，可使用其他光學配置來獲得照明基板420上之對準標記或目標418以及偵測對準標記或目標418之影像的相似結果。反射器414可在垂直於基板420之表面之方向上或以一角度導向照明。iSBO 濾波器 如上文所提及，可將修正應用於自度量衡系統400採取之量測以考量在多個樣本的過程中之雜訊。指數移動平均濾波器可用以「使」量測「穩定」且並不過於緊密地追蹤隨機雜訊。此濾波器被稱為階之間線內移位(inline shift-between-order; iSBO)濾波器。以下提供用於iSBO濾波器之實例方程式：其中SBOn 表示當前原始量測，iSBOn 表示為用於當前原始量測之經修正值，iSBOn-1 表示先前經修正量測值，且α表示濾波器係數。iSBO濾波器基於原始量測值乘以第一加權值及將其加至先前經修正量測值乘以第二加權值而判定經修正量測值。此濾波器表示僅需要儲存先前所計算之經修正量測值以便計算下一經修正量測值之簡單計算。濾波器係數α判定經修正量測值依附原始量測值之密切程度。舉例而言，若α = 1，則經修正量測值與原始量測值相同，且若α = 0，則經修正量測值保持與先前值相同(原始量測基本上被捨棄)。濾波器係數為介於0與1之間的數目且自以下方程式予以判定：其中N表示延遲常數。N之值判定濾波器之「長度」。大N引起小α，其緩慢地遵循歸因於雜訊而在諸樣本之間的量測之改變。然而，小N引起大α，其快速地遵循歸因於雜訊而在諸樣本之間的量測之改變。若N過大，則系統不能夠追蹤歸因於經量測資料之漂移或跳躍而快速改變之量測。但若N過小，則系統可過於緊密地追蹤隨機雜訊且量測之準確度將受損。 由於iSBO濾波器使用單一N值，故其被認為具有固定長度。因而，濾波器不能夠適應於改變雜訊條件(例如，各種程度之量測漂移、量測跳躍等)。可適應性 iSBO 濾波器 根據一實施例，提供在校準諸如度量衡系統400之度量衡系統時可較準確地追蹤改變雜訊條件之可適應性iSBO濾波器。該可適應性iSBO濾波器使用與習知iSBO濾波器相同之指數移動平均值，但可基於雜訊條件而調適濾波器長度。 可適應性iSBO濾波器計算對每一原始量測之至少三個不同的潛在量測修正。使用不同濾波器長度來計算每一潛在量測修正。以下提供三個不同量測修正之實例： 如在以上之方程式(3)至(5)中可看到，每一方程式相同，惟濾波器係數α1 、α2 及α3 除外。根據一實施例，每一濾波器係數係使用與方程式(2)中所展示相同的方程式予以判定，但針對延遲常數N具有不同值。舉例而言，α1 可使用N=60予以判定，α2 可使用N=10予以判定，且α3 可使用N=2予以判定。可基於多種因素來選擇不同延遲常數之值，該等因素包括(僅舉幾例)估計之雜訊振幅、估計之雜訊頻率及將遇到的估計之雜訊類型。根據一實施例，延遲常數之值經選擇為使得α1 ＜ α2 ＜ α3 。在一實施例中，可執行經驗模型化以判定不同延遲常數之值。 在可適應性iSBO濾波器之此實例中，計算三個量測修正，其中iSBO_noise與隨機雜訊(例如，高斯(Gaussian)雜訊)相關聯，iSBO_lin與量測漂移相關聯，且iSBO_jmp與量測之突然跳躍相關聯。判定該等修正中之哪者應用於給定原始量測會涉及比較該等不同修正與一或多個臨限值。 圖5說明根據一實施例的用於判定哪一量測修正應用於此實例中之實例方法500。方法500可由諸如控制器430之一或多個處理器件執行。 方法500在區塊502處開始，其中將iSBO_noise與iSBO_jmp之間的差之絕對值與第一臨限值Tjmp 進行比較。可基於與度量衡系統之特定應用相關之多種因素預定第一臨限值Tjmp 。在此實例中，Tjmp 之值為0.5。若與量測跳躍相關聯之量測修正(iSBO_jmp)經判定為將相比於與雜訊相關聯之量測修正比臨限值Tjmp 更大，則已發生量測跳躍且方法500前進至區塊504，其中iSBO_jmp經選擇為經修正量測值。 若與量測跳躍相關聯之量測修正(iSBO_jmp)與同雜訊相關聯之量測修正(iSBO_noise)之間的差之絕對值小於或等於臨限值Tjmp ，則尚未發生量測跳躍且方法500前進至區塊506，其中判定是否已發生量測漂移。 在區塊506處，將iSBO_noise與iSBO_lin之間的差之絕對值與第二臨限值Tlin 進行比較。可基於與度量衡系統之特定應用相關之多種因素預定第二臨限值Tlin 。在此實例中，Tlin 之值為0.07。若與量測漂移相關聯之量測修正(iSBO_lin)經判定為將相比於與雜訊相關聯之量測修正(iSBO_noise)比臨限值Tlin 更大，則已發生量測漂移且方法500前進至區塊508，其中將iSBO_lin選擇為經修正量測值。 若與量測漂移相關聯之量測修正(iSBO_lin)與同雜訊相關聯之量測修正(iSBO_noise)之間的差之絕對值小於或等於臨限值Tlin ，則尚未發生量測漂移且方法500前進至區塊510。在區塊510處，將iSBO_noise選擇為經修正量測值，此係由於已判定出在量測中既不發生漂移亦不發生跳躍。 在以上之實例中，針對每一原始量測值判定三個經修正量測值，且將該三個經修正量測值中之一者選擇為將使用之經修正量測值。然而，本發明之範疇不限於僅三個經修正量測選項，且可判定任何數目個修正量測值。可使用不同濾波器係數α來判定經修正量測值中之每一者。可以與方法500中所說明之次序不同的次序來執行所計算量測修正之間的比較。 圖6說明根據一實施例的用於校準度量衡系統之實例方法600。方法600可由諸如控制器430之一或多個處理器件執行。 方法600在區塊602處開始，其中針對來自度量衡系統之給定原始量測判定多於一個修正值。可計算大於一個的任何數目個修正值。可使用具有不同濾波器係數α之指數移動平均濾波器來判定修正值中之每一者。 在區塊604處，比較成對修正值之間的差與一或多個臨限值。在一實施例中，該等比較藉由首先相對於第一臨限值比較運用最小濾波器係數α而判定之修正值與運用最大濾波器係數α而判定之修正值而繼續進行。若差不大於第一臨限值，則相對於第二臨限值在運用最小濾波器係數α而判定之修正值與運用第二大濾波器係數α而判定之修正值之間進行另一比較。根據一實施例，此等比較繼續，直至超出臨限值或已進行所有比較為止。 在區塊606處，基於在區塊604中執行之比較而將經判定修正值中之一者應用於原始量測。根據一實施例，所選擇之修正值為相比於運用最小濾波器係數α而判定之修正值超出關聯臨限值的值。若在比較中並未超出臨限值中任一者，則將運用最小濾波器係數α而判定之修正值應用於原始量測。 在參看圖5所描述之可適應性iSBO濾波器中，比較當前量測與先前量測以判定將應用哪一量測修正(例如，是追蹤量測漂移、量測跳躍或區域量測雜訊)。然而，另一途徑應為比較當前量測與先前量測之移動平均值以判定將應用哪一量測修正。 根據另一實施例，可適應性iSBO濾波器計算對每一原始量測之相同三個潛在量測修正(如上文在方程式(3)至(5)中所提及)，且亦計算量測漂移及量測跳躍兩者之移動平均值。以下之方程式(6)及(7)提供針對量測漂移移動平均值(iSBO_lin_refn )及量測跳躍移動平均值(iSBO_jmp_refn )兩者之計算。新漂移係數α4 係用以判定量測漂移移動平均值且使用與用於判定另外係數相同之方程式(2)進行判定，但延遲常數N具有不同值。舉例而言，用於判定α4 之值之延遲常數N可為7。根據一實施例，可基於多種因素來選擇延遲常數之值，該等因素包括(僅舉幾例)估計之雜訊振幅、估計之雜訊頻率及將遇到的估計之雜訊類型。在一實施例中，可執行經驗模型化以判定延遲常數之值。 由於量測漂移移動平均值(iSBO_lin_refn )及量測跳躍移動平均值(iSBO_jmp_refn )兩者為基於量測漂移及量測跳躍之先前計算的移動平均值，故該兩者可隨每一新量測而更新。根據一實施例，量測漂移移動平均值(iSBO_lin_refn )及量測跳躍移動平均值(iSBO_jmp_refn )可儲存於記憶體中，使得不斷地維持所有先前量測之平均值。 圖7說明根據一實施例的用於判定當使用用於量測漂移及量測跳躍之移動平均值時將應用哪一量測修正的實例方法700。方法700可由諸如控制器430之一或多個處理器件執行。方法700相似於方法500，惟當判定是否已發生量測跳躍或量測漂移時比較量測與先前經平均化量測除外。 方法700在區塊702處開始，其中將iSBO_noise與所有先前量測跳躍計算之移動平均值(iSBO_jmp_refn )之間的差之絕對值與第一臨限值Tjmp 進行比較。可基於與度量衡系統之特定應用相關之多種因素預定第一臨限值Tjmp 。在此實例中，Tjmp 之值為0.450。若與量測跳躍計算之移動平均值相關聯之量測修正(iSBO_jmp_refn )經判定為待相比於與雜訊相關聯之量測修正比臨限值Tjmp 更大，則已發生量測跳躍且方法700前進至區塊704，其中將iSBO_jmpn 選擇為經修正量測值。 若與量測跳躍計算之移動平均值相關聯之量測修正(iSBO_jmp_refn )與同雜訊相關聯之量測修正(iSBO_noise)之間的差之絕對值小於或等於臨限值Tjmp ，則尚未發生量測跳躍且方法700前進至區塊706，其中判定是否已發生量測漂移。 在區塊706處，將iSBO_noise與所有先前量測漂移計算之移動平均值(iSBO_lin_refn )之間的差之絕對值與第二臨限值Tlin 進行比較。可基於與度量衡系統之特定應用相關之多種因素預定第二臨限值Tlin 。在此實例中，Tlin 之值為0.046。若與量測漂移計算之移動平均值相關聯之量測修正(iSBO_lin_refn )經判定為將相比於與雜訊相關聯之量測修正(iSBO_noisen )比臨限值Tlin 更大，則已發生量測漂移且方法700前進至區塊708，其中將iSBO_linn 選擇為經修正量測值。 若與量測漂移計算之移動平均值相關聯之量測修正(iSBO_lin_refn )與同雜訊相關聯之量測修正(iSBO_noisen )之間的差之絕對值小於或等於臨限值Tlin ，則尚未發生量測漂移且方法700前進至區塊710。在區塊710處，將iSBO_noisen 選擇為經修正量測值，此係由於已判定出在量測中既不發生漂移亦不發生跳躍。 相似於方法500，本發明之範疇不限於僅三個經修正量測選項，且可判定任何數目個修正量測值。可使用不同濾波器係數α來判定經修正量測值中之每一者。可以與方法700中所說明之次序不同的次序來執行所計算量測修正之間的比較。 圖8說明根據一實施例之用於校準度量衡系統之實例方法800的流程圖。方法800可由諸如控制器430之一或多個處理器件執行。 方法800在區塊802處開始，其中針對來自度量衡系統之給定原始量測判定多於一個修正值。可計算大於一個的任何數目個修正值。 在區塊804處，根據一實施例，判定用於量測漂移及量測跳躍之移動平均值。量測漂移及量測跳躍中之每一者之移動平均值可儲存於記憶體中且隨每一新量測而不斷地更新。 在區塊806處，比較用於量測漂移及量測跳躍之移動平均值與區域量測雜訊之間的差與一或多個臨限值。在一實施例中，該等比較藉由首先相對於第一臨限值比較運用最小濾波器係數α而判定之修正值(例如，區域量測雜訊)與量測漂移計算之移動平均值而繼續進行。若差不大於第一臨限值，則相對於第二臨限值在運用最小濾波器係數α而判定之修正值(例如，區域量測雜訊)與量測跳躍計算之移動平均值之間進行另一比較。根據一實施例，此等比較繼續直至超出臨限值或已進行所有比較為止。 在區塊808處，基於在區塊806中執行之比較而將經判定修正值中之一者應用於原始量測。根據一實施例，所選擇之修正值為當其移動平均值相比於運用最小濾波器係數α而判定之修正值時超出其關聯臨限值的值。若在比較中並未超出臨限值中任一者，則將運用最小濾波器係數α而判定之修正值(例如，iSBO_noisen )應用於原始量測。iSBO 濾波器相對於可適應性 iSBO 濾波器回應之實例模擬 圖9A至圖9B、圖10A至圖10B及圖11A至圖11B展示為追蹤展現不同類型之雜訊之量測的習知iSBO濾波器及可適應性iSBO濾波器之能力的實例模擬。每一圖之x軸表示樣本數目或時間，此係由於一個接一個地獲得每一樣本。每一圖之y軸表示奈米，但可使用任何距離單位。 圖9A展示遍及100個樣本而採取之原始量測之實例集合(實線)，其展現遍及100個樣本之約4奈米之漂移。如自圖中可看到，可適應性濾波器(aiSBO)追蹤量測之漂移，而習知濾波器(iSBO)在其追蹤歸因於漂移之改變量測之能力方面滯後。圖9B中亦可看到此情形，其中比較並標繪濾波器輸出與原始量測之間的差(值0為濾波器輸出與原始量測之間的確切匹配)。可適應性濾波器較緊密地追蹤量測，而習知濾波器保持相隔約1奈米。 圖10A展示遍及100個樣本而採取之原始量測之另一實例集合(實線)，其展現圍繞樣本#50為約2奈米的量測跳躍。如自圖中可看到，可適應性濾波器(aiSBO)追蹤量測之跳躍，而習知濾波器(iSBO)在其追蹤歸因於跳躍之改變量測之能力方面滯後。圖10B中亦可看到此情形，其中比較並標繪濾波器輸出與原始量測之間的差。可適應性濾波器較緊密地追蹤量測，而習知濾波器在發生跳躍之後趕上原始量測方面滯後。 圖11A展示遍及100個樣本(沿著x軸)而採取之原始量測之另一實例集合(實線)，其展現遍及100個樣本而發生的漂移及跳躍兩者。如自圖中可看到，可適應性濾波器(aiSBO)追蹤經由漂移及跳躍之量測，而習知濾波器(iSBO)在其追蹤改變量測之能力方面滯後。圖11B中亦可看到此情形，其中比較並標繪濾波器輸出與原始量測之間的差。可適應性濾波器較緊密地追蹤量測，而習知濾波器在趕上原始量測方面滯後。實例硬體環境 可(例如)使用一或多個熟知電腦系統(諸如，圖12中所展示之電腦系統1200)來實施可適應性iSBO濾波器之描述於本文中的各種實施例。電腦系統1200可為能夠執行本文中所描述之功能的任何熟知電腦，諸如，購自International Business Machines、Apple、Sun、HP、Dell、Sony、Toshiba等之電腦。在一項實例中，電腦系統1200表示控制器430。在另一實例中，控制器430係由電腦系統1200之處理器1204表示。 電腦系統1200包括一或多個處理器(亦被稱為中央處理單元或CPU)，諸如，處理器1204。處理器1204連接至通信基礎設施或匯流排1206。 一或多個處理器1204可各自為圖形處理單元(GPU)。在一實施例中，GPU為處理器，其為經設計以快速處理電子器件上之數學上密集型應用程式的特殊化電子電路。GPU可具有有效地用於大資料塊之並行處理的高度並行結構，該等資料塊諸如，為電腦圖形應用程式、影像及視訊共有的數學上密集型資料。 電腦系統1200亦包括經由使用者輸入/輸出介面1202而與通信基礎設施1206通信的使用者輸入/輸出器件1203，諸如，監視器、鍵盤、指標器件等。 電腦系統1200亦包括主記憶體或主要記憶體1208，諸如，隨機存取記憶體(RAM)。主記憶體1208可包括一或多個層級之快取記憶體。主記憶體1208儲存有控制邏輯(亦即，電腦軟體)及/或資料。在一實施例中，至少可實施及/或運行主記憶體1208，如本文中所描述。 電腦系統1200亦可包括一或多個次要儲存器件或記憶體1210。舉例而言，次要記憶體1210可包括硬碟機1212及/或抽取式儲存器件或磁碟機1214。抽取式儲存磁碟機1214可為軟碟機、磁帶機、光碟機、光學儲存器件、磁帶備份器件，及/或任何其他儲存器件/磁碟機。 抽取式儲存磁碟機1214可與抽取式儲存單元1218互動。抽取式儲存單元1218包括儲存有電腦軟體(控制邏輯)及/或資料的電腦可用或可讀儲存器件。抽取式儲存單元1218可為軟碟、磁帶、光碟、DVD、光學儲存碟，及/任何其他電腦資料儲存器件。抽取式儲存磁碟機1214以熟知方式自抽取式儲存單元1218讀取及/或寫入至抽取式儲存單元1218。 根據例示性實施例，次要記憶體1210可包括用於允許電腦程式及/或其他指令及/或資料待由電腦系統1200獲取的其他構件、工具或其他方法。舉例而言，此類構件、工具或其他方法可包括抽取式儲存單元1222及介面1220。抽取式儲存單元1222及介面1220之實例可包括程式卡匣及卡匣介面(諸如在視訊遊戲器件中發現的程式卡匣及卡匣介面)、抽取式記憶體晶片(諸如，EPROM或PROM)及關聯插座、記憶棒及USB埠、記憶卡及關聯記憶卡插槽，及/或任何其他抽取式儲存單元及關聯介面。 電腦系統1200可進一步包括通信或網路介面1224。通信介面1224使得電腦系統1200能夠與遠端器件、遠端網路、遠端實體等(以元件符號1228個別地及集體地參考)之任何組合通信及互動。舉例而言，通信介面1224可允許電腦系統1200經由通信路徑1226與遠端器件1228通信，該通信路徑可為有線及/或無線的且可包括LAN、WAN、網際網路等之任何組合。可經由通信路徑1226將控制邏輯及/或資料傳輸至電腦系統1200及自電腦系統1200傳輸控制邏輯及/或資料。 在一實施例中，包含儲存有控制邏輯(軟體)之有形電腦可用或可讀媒體的有形裝置或製品在本文中亦被稱作電腦程式產品或程式儲存器件。此有形裝置或製品包括但不限於：電腦系統1200、主記憶體1208、次要記憶體1210，及抽取式儲存單元1218及1222，以及體現前述各者之任何組合的有形製品。此控制邏輯在由一或多個資料處理器件(諸如，電腦系統1200)執行時致使此等資料處理器件如本文中所描述進行操作。 基於本發明中含有之教示，如何使用除圖12中所展示之資料處理器件、電腦系統及/或電腦架構之外的資料處理器件、電腦系統及/或電腦架構來製造及使用本發明對於熟習相關技術者而言將顯而易見。詳言之，實施例可運用除本文中所描述之軟體、硬體及/或作業系統實施之外的軟體、硬體及/或作業系統實施而操作。最終註解 儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理多於一次，(例如)以便產生多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指已經含有多個經處理層之基板。 儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許之情況下不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定產生於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入至被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。 應理解，本文中之措詞或術語係出於描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措詞待由熟習相關技術者按照本文中之教示予以解譯。 在本文中所描述之實施例中，術語「透鏡」及「透鏡元件」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。 另外，本文所使用之術語「輻射」、「光束」及「光」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長λ)、極紫外線(EUV或軟X射線)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長，諸如，13.5奈米)或在小於5奈米下起作用之硬X射線，以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。通常，具有介於約400奈米至約700奈米之間的波長之輻射被認為是可見光輻射；具有介於約780奈米至3000奈米之間的波長(或更大)之輻射被認為是IR輻射。UV係指具有近似100奈米至400奈米之波長的輻射。在微影內，術語「UV」亦應用於可由水銀放電燈產生之波長：G線436奈米；H線405奈米；及/或I線365奈米。真空UV或VUV (亦即，由氣體吸收之UV)係指具有近似100奈米至200奈米之波長的輻射。深UV (DUV)通常係指具有在126奈米至428奈米之範圍內的波長之輻射，且在一實施例中，準分子雷射可產生在微影裝置內使用之DUV輻射。應瞭解，具有在(例如)5奈米至20奈米之範圍內的波長之輻射係關於具有某一波長帶之輻射，該波長帶之至少部分係在5奈米至20奈米之範圍內。 如本文所使用之術語「基板」通常描述後續材料層經添加至之材料。在實施例中，可圖案化基板自身，且亦可圖案化添加於基板之頂部上之材料，或添加於基板之頂部上之材料可保持不圖案化。 雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。該描述不意欲限制本發明。 應瞭解，[實施方式]章節而非[發明內容]及[中文發明摘要]章節意欲用以解譯申請專利範圍。[發明內容]及[中文發明摘要]章節可闡述如由本發明人所預期的本發明之一或多個而非所有例示性實施例，且因此，不意欲以任何方式來限制本發明及所附申請專利範圍。 上文已憑藉說明特定功能及該等功能之關係之實施的功能建置區塊來描述本發明。為了便於描述，本文中已任意地界定此等功能建置區塊之邊界。只要恰當地執行指定功能及該等功能之關係，就可界定替代邊界。 特定實施例之前述描述將充分地揭露本發明之一般性質，使得在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用此項技術之技能範圍內之知識針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲在所揭示實施例之等效者的涵義及範圍內。 本發明之廣度及範疇不應受上述例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。
100‧‧‧微影裝置
100'‧‧‧微影裝置
210‧‧‧極紫外線(EUV)輻射發射電漿/極熱電漿
211‧‧‧源腔室
212‧‧‧收集器腔室
219‧‧‧開口
220‧‧‧圍封結構
221‧‧‧輻射光束
222‧‧‧琢面化場鏡面器件
224‧‧‧琢面化光瞳鏡面器件
226‧‧‧經圖案化光束
228‧‧‧反射元件
230‧‧‧可選的氣體障壁或污染物截留器/污染物障壁/反射元件
240‧‧‧光柵光譜濾光器
251‧‧‧上游輻射收集器側
252‧‧‧下游輻射收集器側
253‧‧‧掠入射反射器
254‧‧‧掠入射反射器
255‧‧‧掠入射反射器
300‧‧‧微影製造單元
400‧‧‧度量衡系統
412‧‧‧照明系統
413‧‧‧電磁窄帶輻射光束
414‧‧‧反射器
415‧‧‧輻射光束
417‧‧‧輻射光束
418‧‧‧對準標記或目標
419‧‧‧輻射光束
420‧‧‧基板
421‧‧‧對準軸線
422‧‧‧載物台
424‧‧‧方向
426‧‧‧干涉計
428‧‧‧偵測器
429‧‧‧信號
430‧‧‧控制器
500‧‧‧方法
502‧‧‧區塊
504‧‧‧區塊
506‧‧‧區塊
508‧‧‧區塊
510‧‧‧區塊
600‧‧‧方法
602‧‧‧區塊
604‧‧‧區塊
606‧‧‧區塊
700‧‧‧方法
702‧‧‧區塊
704‧‧‧區塊
706‧‧‧區塊
708‧‧‧區塊
710‧‧‧區塊
800‧‧‧方法
802‧‧‧區塊
804‧‧‧區塊
806‧‧‧區塊
808‧‧‧區塊
1200‧‧‧電腦系統
1202‧‧‧使用者輸入/輸出介面
1203‧‧‧使用者輸入/輸出器件
1204‧‧‧處理器
1206‧‧‧通信基礎設施或匯流排
1208‧‧‧主記憶體或主要記憶體
1210‧‧‧次要儲存器件/次要記憶體
1212‧‧‧硬碟機
1214‧‧‧抽取式儲存器件/抽取式儲存磁碟機
1218‧‧‧抽取式儲存單元
1220‧‧‧介面
1222‧‧‧抽取式儲存單元
1224‧‧‧通信或網路介面
1226‧‧‧通信路徑
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
BK‧‧‧烘烤板
C‧‧‧目標部分
CH‧‧‧冷卻板
CO‧‧‧聚光器/輻射收集器/收集器光學件
DE‧‧‧顯影器
IF‧‧‧位置感測器/虛擬源點/中間焦點
IF1‧‧‧位置感測器
IF2‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器/照明光學件單元
IN‧‧‧積光器
I/O1‧‧‧輸入/輸出埠
I/O2‧‧‧輸入/輸出埠
IPU‧‧‧照明系統光瞳
IVR‧‧‧真空內機器人
LACU‧‧‧微影控制單元
LB‧‧‧裝載匣
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件/光罩
MT‧‧‧支撐結構/光罩台
O‧‧‧光軸
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PPU‧‧‧光瞳
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器
RO‧‧‧基板處置器或機器人
SC‧‧‧旋塗器
SCS‧‧‧監督控制系統
SO‧‧‧輻射源/源收集器裝置
TCU‧‧‧塗佈顯影系統控制單元
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
併入本文中且形成本說明書之部分之隨附圖式說明本發明，且連同[實施方式]一起進一步用以解釋本發明之原理且使熟習相關技術者能夠進行及使用本發明。 圖1A為根據一實施例之反射微影裝置的示意性說明。 圖1B為根據一實施例之透射微影裝置的示意性說明。 圖2為根據一實施例之反射微影裝置的更詳細示意性說明。 圖3為根據一實施例之微影製造單元的示意性說明。 圖4為根據一實施例之度量衡系統的示意性說明。 圖5為根據一實施例之用於可適應性濾波器之方法的流程圖。 圖6為根據一實施例之用於校準度量衡系統之方法的流程圖。 圖7為根據一實施例之用於可適應性濾波器之另一方法的流程圖。 圖8為根據一實施例之用於校準度量衡系統之另一方法的流程圖。 圖9A至圖9B為根據一些實施例之示範可適應性濾波器相對於習知濾波器設計之改良之回應的模擬。 圖10A至圖10B為根據一些實施例之示範可適應性濾波器相對於習知濾波器設計之改良之回應的模擬。 圖11A至圖11B為根據一些實施例之示範可適應性濾波器相對於習知濾波器設計之改良之回應的模擬。圖12為用於實施各種實施例之實例電腦系統。 本發明之特徵及優點將自以下在結合圖式時所闡述之[實施方式]變得更顯而易見，在該等圖式中類似元件符號始終識別對應元件。在該等圖式中，類似元件符號通常指示相同、功能上相似及/或結構上相似之元件。一器件第一次出現時之圖式係在對應元件符號中由最左側數位指示。除非另有指示，否則貫穿本發明所提供之圖式不應被解譯為按比例圖式。

Claims (30)

  1. 一種度量衡系統，其包含： 一輻射源，其經組態以產生光； 一反射器，其經組態以導引該光朝向一基板； 一干涉計，其經組態以接收自該基板上之一圖案繞射或自該基板反射的光，且自該繞射或反射光之間的干涉產生輸出光； 一偵測器，其經組態以自該干涉計接收該輸出光且基於該接收之輸出光產生一量測；及 一控制器，其經組態以判定對該量測之一修正，其中判定該修正包含： 基於一第一係數及該量測而計算一第一修正值； 基於大於該第一係數的一第二係數及該量測而計算一第二修正值； 基於大於該第二係數的一第三係數及該量測而計算一第三修正值； 若該第一修正值與該第三修正值之間的一差高於一第一臨限值，則將該第三修正值應用於該量測； 若該第一修正值與該第二修正值之間的一差高於一第二臨限值，則將該第二修正值應用於該量測；及 若該第一修正值與該第二修正值之間的該差低於或等於該第二臨限值，則將該第一修正值應用於該量測。
  2. 如請求項1之度量衡系統，其中該第一係數係基於一第一延遲常數而判定，該第二係數係基於小於該第一延遲常數的一第二延遲常數而判定，且該第三係數係基於小於該第二延遲常數的一第三延遲常數而判定。
  3. 如請求項1或2之度量衡系統，其中該第二修正值與該量測自一先前判定之量測之一漂移相關聯。
  4. 如請求項1或2之度量衡系統，其中該第三修正值與該量測自一先前判定之量測之一跳躍相關聯。
  5. 如請求項1或2之度量衡系統，其中該第一臨限值大於該第二臨限值。
  6. 如請求項1或2之度量衡系統，其中該控制器經組態以在該第一修正值與該第二修正值之間的一差高於一第二臨限值的情況下且在該第一修正值與該第三修正值之間的該差低於或等於該第一臨限值的情況下，應用該第二修正值。
  7. 一種度量衡系統，其包含： 一輻射源，其經組態以產生光； 一反射器，其經組態以導引該光朝向一基板； 一干涉計，其經組態以接收自該基板上之一圖案繞射或自該基板反射的光，且自該繞射或反射光之間的干涉產生輸出光； 一偵測器，其經組態以自該干涉計接收該輸出光且基於該接收之輸出光產生一量測；及 一控制器，其經組態以判定對該量測之一修正，其中判定該修正包含： 基於一第一係數及該量測而計算一第一修正值； 基於大於該第一係數的一第二係數及該量測而計算一第二修正值； 基於大於該第二係數的一第三係數及該量測而計算一第三修正值； 基於一第四係數及該量測而計算一第一量測平均值； 基於該第三係數及該量測而計算一第二量測平均值； 若該第一修正值與該第二量測平均值之間的一差高於一第一臨限值，則將該第三修正值應用於該量測； 若該第一修正值與該第一量測平均值之間的一差高於一第二臨限值，則將該第二修正值應用於該量測；及 若該第一修正值與該第一量測平均值之間的該差低於或等於該第二臨限值，則將該第一修正值應用於該量測。
  8. 如請求項7之度量衡系統，其中該第一係數係基於一第一延遲常數而判定，該第二係數係基於小於該第一延遲常數的一第二延遲常數而判定，該第三係數係基於小於該第二延遲常數的一第三延遲常數而判定，且該第四係數係基於小於該第一延遲常數且大於該第三延遲常數的一第四延遲常數而判定。
  9. 如請求項7或8之度量衡系統，其中該第二修正值與該量測自一先前判定之量測之一漂移相關聯。
  10. 如請求項7或8之度量衡系統，其中該第三修正值與該量測自一先前判定之量測之一跳躍相關聯。
  11. 如請求項7或8之度量衡系統，其中該第一臨限值大於該第二臨限值。
  12. 如請求項7或8之度量衡系統，其中該控制器經組態以在該第一修正值與該第一量測平均值之間的一差高於一第二臨限值的情況下且在該第一修正值與該第二量測平均值之間的該差低於或等於該第一臨限值的情況下，應用該第二修正值。
  13. 一種微影裝置，其包含： 一照明系統，其經組態以照明一圖案化器件之一圖案； 一投影系統，其經組態以將該圖案之一影像投影至一基板之一目標部分上；及 一度量衡系統，其包含： 一輻射源，其經組態以產生光； 一反射器，其經組態以導引該光朝向一基板； 一干涉計，其經組態以接收已自該基板上之一圖案繞射或自該基板反射的光，且自該繞射或反射光之間的干涉產生輸出光； 一偵測器，其經組態以自該干涉計接收該輸出光且基於該接收之輸出光產生一量測；及 一控制器，其經組態以判定對該量測之一修正，其中判定該修正包含： 基於一第一係數及該量測而計算一第一修正值； 基於大於該第一係數的一第二係數及該量測而計算一第二修正值； 基於大於該第二係數的一第三係數及該量測而計算一第三修正值； 基於一第四係數及該量測而計算一第一量測平均值； 基於該第三係數及該量測而計算一第二量測平均值； 若該第一修正值與該第二量測平均值之間的一差高於一第一臨限值，則將該第三修正值應用於該量測； 若該第一修正值與該第一量測平均值之間的一差高於一第二臨限值，則將該第二修正值應用於該量測；及 若該第一修正值與該第一量測平均值之間的該差低於或等於該第二臨限值，則將該第一修正值應用於該量測。
  14. 如請求項13之微影裝置，其中該第一係數係基於一第一延遲常數而判定，該第二係數係基於小於該第一延遲常數的一第二延遲常數而判定，該第三係數係基於小於該第二延遲常數的一第三延遲常數而判定，且該第四係數係基於小於該第一延遲常數且大於該第三延遲常數的一第四延遲常數而判定。
  15. 如請求項13或14之微影裝置，其中該第二修正值與該量測自一先前判定之量測之一漂移相關聯。
  16. 如請求項13或14之微影裝置，其中該第三修正值與該量測自一先前判定之量測之一跳躍相關聯。
  17. 如請求項13或14之微影裝置，其中該第一臨限值大於該第二臨限值。
  18. 如請求項13或14之微影裝置，其中該控制器經組態以在該第一修正值與該第一量測平均值之間的一差高於一第二臨限值的情況下且在該第一修正值與該第二量測平均值之間的該差低於或等於該第一臨限值的情況下，應用該第二修正值。
  19. 一種微影裝置，其包含： 一照明系統，其經組態以照明一圖案化器件之一圖案； 一投影系統，其經組態以將該圖案之一影像投影至一基板之一目標部分上；及 一度量衡系統，其包含： 一輻射源，其經組態以產生光； 一反射器，其經組態以導引該光朝向一基板； 一干涉計，其經組態以接收已自該基板上之一圖案繞射或自該基板反射的光，且自該繞射或反射光之間的干涉產生輸出光； 一偵測器，其經組態以自該干涉計接收該輸出光且基於該接收之輸出光產生一量測；及 一控制器，其經組態以判定對該量測之一修正，其中判定該修正包含： 基於一第一係數及該量測而計算一第一修正值； 基於大於該第一係數的一第二係數及該量測而計算一第二修正值； 基於大於該第二係數的一第三係數及該量測而計算一第三修正值； 若該第一修正值與該第三修正值之間的一差高於一第一臨限值，則將該第三修正值應用於該量測； 若該第一修正值與該第二修正值之間的一差高於一第二臨限值，則將該第二修正值應用於該量測；及 若該第一修正值與該第二修正值之間的該差低於或等於該第二臨限值，則將該第一修正值應用於該量測。
  20. 如請求項19之微影裝置，其中該第一係數係基於一第一延遲常數而判定，該第二係數係基於小於該第一延遲常數的一第二延遲常數而判定，且該第三係數係基於小於該第二延遲常數的一第三延遲常數而判定。
  21. 如請求項19或20之微影裝置，其中該控制器經組態以在該第一修正值與該第二修正值之間的一差高於一第二臨限值的情況下且在該第一修正值與該第三修正值之間的該差低於或等於該第一臨限值的情況下，應用該第二修正值。
  22. 一種將一修正應用於由一度量衡系統判定之一量測以便考量雜訊之方法，該方法包含： 基於一第一係數及該量測而計算一第一修正值； 基於大於該第一係數的一第二係數及該量測而計算一第二修正值； 基於大於該第二係數的一第三係數及該量測而計算一第三修正值； 基於一第四係數及該量測而計算一第一量測平均值； 基於該第三係數及該量測而計算一第二量測平均值； 若該第一修正值與該第二量測平均值之間的一差高於一第一臨限值，則將該第三修正值應用於該量測； 若該第一修正值與該第一量測平均值之間的一差高於一第二臨限值，則將該第二修正值應用於該量測；及 若該第一修正值與該第一量測平均值之間的該差低於或等於該第二臨限值，則將該第一修正值應用於該量測。
  23. 如請求項22之方法，其中該第一係數係基於一第一延遲常數而判定，該第二係數係基於小於該第一延遲常數的一第二延遲常數而判定，該第三係數係基於小於該第二延遲常數的一第三延遲常數而判定，且該第四係數係基於小於該第一延遲常數且大於該第三延遲常數的一第四延遲常數而判定。
  24. 如請求項22或23之方法，其中該第二修正值與該量測自一先前判定之量測之一漂移相關聯。
  25. 如請求項22或23之方法，其中該第三修正值與該量測自一先前判定之量測之一跳躍相關聯。
  26. 如請求項22或23之方法，其中該第一臨限值大於該第二臨限值。
  27. 如請求項22或23之方法，其中該應用該第二修正值進一步包含：在該第一修正值與該第二量測平均值之間的該差低於或等於該第一臨限值的情況下，應用該第二修正值。
  28. 一種將一修正應用於由一度量衡系統判定之一量測以便考量雜訊之方法，該方法包含： 基於一第一係數及該量測而計算一第一修正值； 基於大於該第一係數的一第二係數及該量測而計算一第二修正值； 基於大於該第二係數的一第三係數及該量測而計算一第三修正值； 若該第一修正值與該第三修正值之間的一差高於一第一臨限值，則將該第三修正值應用於該量測； 若該第一修正值與該第二修正值之間的一差高於一第二臨限值，則將該第二修正值應用於該量測；及 若該第一修正值與該第二修正值之間的該差低於或等於該第二臨限值，則將該第一修正值應用於該量測。
  29. 如請求項28之方法，其中該第一係數係基於一第一延遲常數而判定，該第二係數係基於小於該第一延遲常數的一第二延遲常數而判定，且該第三係數係基於小於該第二延遲常數的一第三延遲常數而判定。
  30. 如請求項28或29之方法，其中該應用該第二修正值進一步包含：在該第一修正值與該第三修正值之間的該差低於或等於該第一臨限值的情況下，應用該第二修正值。
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