TWI645188B - 表面特性檢查方法及表面特性檢查裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明的目的係在提供一種表面特性檢查方法及表面特性檢查裝置,其係在檢查施加過2段式珠擊處理之被檢測體的表面特性之表面特性檢查方法及表面特性檢查裝置中,第1階段於2段式珠擊處理結束後可利用1次的檢查來判斷於第1階段珠擊處理中殘留應力是否被適當地賦予。
表面特性檢查裝置1具備交流電源10、交流橋式電路20以及評估裝置30,而交流橋式電路20係由可改變分配比γ之可變電阻21、基準檢測器22以及檢查檢測器23所構成。檢查檢測器23係具備有以與被檢測體M的表面特性檢查區域相對之方式捲繞之線圈23b,且藉由對線圈23b供應自交流電源10的交流電力以於被檢測體M中感應渦電流。可藉由僅於第2珠擊處理後對施加過2段式珠擊處理之被檢測體的表面特性進行檢查,來判斷第1珠擊處理的良否。
Description
本發明係有關將以提高疲勞強度等為目的而施加過條件不同之2段式的珠擊處理之鋼材製品等的被檢測體之表面特性予以檢查之表面特性檢查方法及表面特性檢查裝置。
以往,針對汽車零件、模具等之鋼材製品,係藉由在表面賦予壓縮殘留應力來提高疲勞強度等之目的而進行著珠擊處理(shotpeening)。
就此種珠擊處理而言,係有著使用大的投射材料在強度較高的珠擊條件下進行珠擊處理後,在相對低強度之珠擊條件下進行珠擊處理,以謀求殘留應力分布的最佳化之2段式珠擊。
例如,於專利文獻1,揭示有一種技術,其係針對熱處理後之模具(鋼材製品),利用預定硬度‧粒徑之球狀投射材料(珠),適當地改變該硬度‧粒徑,且進行多次的珠擊處理。
[專利文獻1]日本特開平10-217122號公報
以判定是否適當地進行過此種2段式珠擊之方法而言,現在有採用於第2階段之珠擊處理後,利用探針型表面粗糙度測定器進行之檢查,或利用雷射顯微鏡進行之粗糙檢查,或進行X線應力測量,但任一者皆會花費測量時間,而難以進行全數檢查。再者,無法進行處理過表面處理之整個面的評估。並且會產生無法判定是否適當地進行過最初進行之第1階段珠擊處理的問題。在此,沒適當地進行過第1階段珠擊處理的情況而言,感認有沒實施過第1階段珠擊處理之情況,以及沒賦予所欲的殘留應力之情況等。
利用目視來檢查方法而言,難以判定第1階段珠擊處理的有無,且於第1階段珠擊處理與第2階段珠擊處理後各別進行目視檢查時會增加檢查工時。
在此,本發明的目的係在提供一種表面特性檢查方法及表面特性檢查裝置,其係在檢查施加過2段式珠擊處理之被檢測體的表面特性之表面特性檢查方法及表面特性檢查裝置中,在2段式珠擊處理結束後可利用1次的檢查來判斷於第1階段珠擊處理中殘留應力是否被適
當地賦予。
為了達成上述目的,在第1態樣之發明中,使用如下之技術的手段,該技術的手段係一種檢查施加過珠擊處理之被檢測體的表面特性之表面特性檢查方法,其具有:檢查裝置準備步驟,其預先準備具備下列構成之表面特性檢查裝置:交流橋式電路;交流電源,其供應交流電力給前述交流橋式電路;以及評估裝置,其係根據來自前述交流橋式電路之輸出信號,來評估被檢測體的表面特性,前述交流橋式電路具有:將第1電阻與第2電阻以可改變分配比之方式所構成之可變電阻、具備可感應交流磁力之線圈而以可在被檢測體中感應渦電流之方式配置該線圈而形成之檢查檢測器、以及配置有與被檢測體有相同構造之基準檢體,檢測出作為與來自前述檢查檢測器之輸出作比較的基準之基準狀態之基準檢測器,其中,前述第1電阻、前述第2電阻、前述基準檢測器及前述檢查檢測器係構成橋式電路;臨界值設定步驟,其係將使用於前述評估裝置之被檢測體的表面特性之評估的臨界值予以決定;渦電流感應步驟,其係藉由前述檢查檢測器將於施加過第1珠擊處理以及第2珠擊處理之被檢測體中感應渦電流,其中第1珠擊處理係從表面賦予殘留應力到深部,而第2珠擊處理係在前述第1珠擊處理後進行比前述第1珠
擊處理更低強度的珠擊以進一步在表面附近賦予殘留應力;以及判斷良否步驟,其係在前述第2珠擊處理後在所實施的前述渦電流感應步驟中將從前述交流橋式電路所輸出之輸出信號與前述臨界值進行比較,且利用前述評估裝置來判斷是否適當地進行過前述第1珠擊處理。
依據第1態樣之發明,可藉由利用檢查檢測器之線圈於被檢測體中感應渦電流,且將從交流橋式電路輸出之輸出信號與臨界值進行比較而評估被檢測體的表面特性。藉此方式,可以簡單的電路構成進行高精確度的表面狀態之檢查。此外,因採用感應渦電流到被檢測體來檢查表面特性之方式,故可減小檢查環境的溫度變化之影響。
在基準檢測器中為了檢測基準狀態,係使用與被檢測體相同構造的基準檢體,故即使因溫度、濕度、磁力等的檢查環境之變化使得輸出值產生變動,其影響亦與被檢測體相同。藉此方式,可消除因溫度、濕度、磁力等之檢查環境的變化而產生輸出值的變動,而可使測量精確度提高。
藉由僅在第2珠擊處理後檢查施加過第1珠擊處理與第2珠擊處理之2段式珠擊處理之被檢測體的表面特性,可在深部,例如,在從表面到30至100pm程度為止之範圍內,檢查是否適當地賦予有殘留應力,且可判斷第1珠擊處理的良否。據此,可透過2段式珠擊處理結束後之1次檢查來判斷是否適當地進行過2段式珠擊處理,故可縮短檢查時間。再者,可非破壞性地進行迅速的檢查,且亦
可適當地使用作為在線檢查。
在此,所謂「相同構造」係指材質、形狀相同,不論表面處理的有無。所謂表面特性係指「從被檢測體的最表面到內面的影響層為止之特性」。再者,所謂「是否適當地進行過第1珠擊處理」,包含第1珠擊處理之良否,同時包含是否實施過第1珠擊處理之概念。
在第2態樣之發明中,使用一種技術的手段,其係於第1態樣之表面特性檢查方法中,前述渦電流感應步驟係在將沒施加過表面處理之未處理品作為前述基準檢體而配置在前述基準檢測器之狀態下實施。
如第2態樣之發明所示,作為基準檢體使用沒施加過表面處理之未處理品時,可加大根據與被檢測體的表面狀態的差之輸出,故復可使測量精確度提高,同時容易設定臨界值,而為理想。
在第3態樣之發明中,使用一種技術的手段,其係於第1態樣或第2態樣之表面特性檢查方法中,前述臨界值設定步驟係根據將在適當地進行過前述第1珠擊及前述第2珠擊處理之被檢測體中感應渦電流時的前述交流橋式電路之輸出信號而設定前述臨界值。
根據第3態樣之發明,由於臨界值的設定是根據適當地進行過第1珠擊處理及第2珠擊處理之被檢測體的輸出特性而進行,故可正確地判斷是否同時適當地進行過第1珠擊處理、第2珠擊處理。
在第4態樣之發明中,使用一種技術的手
段,其係於第1態樣至第3態樣之任一態樣之表面特性檢查方法中,復具備:第2渦電流感應步驟,其係透過前述交流電源供應比前述渦電流感應步驟更高的頻率之交流電力,且於被檢測體中感應渦電流;以及第2判斷良否步驟,其係根據此透過第2渦電流感應步驟感應渦電流時的前述交流橋式電路之輸出信號,利用前述評估裝置來判斷是否適當地進行過前述第2珠擊處理。
在本發明之表面特性檢查方法中,被供應到交流橋式電路之交流電力的頻率愈高,愈可得到反映表面附近之殘留應力的狀態之資訊,而交流電力之頻率愈低,愈可得到反映離表面深的區域之殘留應力的狀態之資訊。如第4態樣之發明,藉由將被供應到交流橋式電路之交流電力的頻率設定低,可進行是否適當地賦予有第1珠擊處理後之殘留應力的檢查,且藉由將頻率設定高,可進行是否適當地賦予有第2珠擊處理後之殘留應力。藉由組合進行上述檢查,可判斷是否各別適當地進行過第1珠擊處理及第2珠擊處理,故成為可進行更正確的檢查。再者,可區別且判斷任何珠擊處理是否不適當。
在第5態樣之發明中,使用一種技術的手段,其係於第4態樣之表面特性檢查方法中,前述臨界值設定步驟係將根據將預定的第1頻率之交流電力供應到前述交流橋式電路而得到之輸出信號所決定之臨界值,以及根據將比前述第1頻率更高的第2頻率之交流電力供應到前述交流橋式電路所得到之輸出信號所決定之第2臨界值
予以決定,而前述臨界值係使用於前述判斷良否步驟之判斷良否,而前述第2臨界值使用於前述第2判斷良否步驟之判斷良否。
依據第5態樣之發明,在第1珠擊處理的檢查所使用之臨界值以及在前述第2珠擊處理的檢查所使用之第2臨界值係按照檢查所用之頻率各別設定,故可正確地判斷是否適當地進行過第1珠擊處理及第2珠擊處理。
在6所記載之發明中,使用一種技術的手段,其係第4態樣之表面特性檢查方法中,前述第2判斷良否步驟係在前述判斷良否步驟之前實施。
頻率較高者在檢查時之輸出值的回應速度快,故如6所記載之發明,先進行供應之交流電力的頻率高的第2珠擊處理之檢查時,可縮短檢查所需時間。
在第7態樣之發明中,使用一種技術的手段,其係於第3態樣或第5態樣之表面特性檢查方法中,前述臨界值設定步驟係根據將未處理之被檢測體配置在前述檢查檢測器時之前述交流橋式電路的輸出信號EA,以及將適當地進行過前述第1珠擊及前述第2珠擊處理之被檢測體配置在前述檢查檢測器時之前述交流橋式電路的輸出信號EB,且依據以下的式子設定臨界值Ethi。
Ethi=(EAav‧σ B+EBav‧σ A)/(σ A+σ B)EAav:輸出信號EA的平均值、EBav:輸出信號EB的平均值、σ A:輸出信號EA的標準偏差、σ B:輸出信號EB的標準偏差
依據第7態樣之發明,可由少的測量數設定精確度高的適當的初期臨界值。
在第8態樣之發明中,使用一種技術的手段,其係於第1態樣至第7態樣之任一態樣之表面特性檢查方法中,前述評估裝置具備記憶手段,且於此記憶手段係將各被檢測體之識別資訊與該被檢測體之表面特性的檢查資料建立對應關係之方式而予以記憶。
依據第8態樣之發明,可將批號、製造號碼、經歷等之各被檢測體的識別資訊,以與測量值、判斷良否結果、測量日期、檢查狀態等之檢查資料建立對應關係之方式予以記憶,故可將利用表面特性檢查裝置檢查過的被檢測體之表面處理的狀態,於流通後設為可追蹤之狀態,而可保證可追蹤性。
在第9態樣之發明中,使用一種技術的手段,其係檢查施加過第1珠擊處理及第2珠擊處理之被檢測體的表面特性之表面特性檢查裝置,其中第1珠擊處理係利用珠擊裝置從表面賦予殘留應力到深部,而第2珠擊處理係於前述第1珠擊處理後進行比前述第1珠擊處理更低強度的珠擊以進一步在表面附近賦予殘留應力,而該表面特性檢查裝置具備:交流橋式電路;交流電源,其將交流電力供應到前述交流橋式電路;以及評估裝置,其根據來自前述交流橋式電路之輸出信號,來評估被檢測體的表面特性,而前述交流橋式電路具有:可變電阻,其以可改變分配比之方式由第1電阻與第2電阻的所構成;檢查檢
測器,其具備可感應交流磁力之線圈且以可在被檢測體中感應渦電流之方式配置該線圈而形成;以及基準檢測器,其係配置有與被檢測體有相同構造的基準檢體,且檢測出作為與來自前述檢查檢測器的輸出比較之基準的基準狀態,前述第1電阻、前述第2電阻、前述基準檢測器及前述檢查檢測器係構成橋式電路,前述評估裝置係僅在前述第2珠擊處理後,將交流電力供應到前述交流橋式電路,前述檢查檢測器係檢測前述被檢測體之電磁力特性,並將於前述基準檢測器檢測出基準狀態的狀態中之來自前述交流橋式電路的輸出信號與臨界值予以比較,來評估前述被檢測體之表面特性,且判斷對前述被檢測體是否適當地進行過前述第1珠擊處理。
依據第9態樣之發明,利用檢查檢測器的線圈於被檢測體中感應渦電流,且藉由比較從交流橋式電路輸出之輸出信號與臨界值可評估被檢測體的表面特性。藉此方式,可以簡單的電路構成進行高精確度的表面狀態的檢查。此外,採用於被檢測體中感應渦電流來檢查表面特性之方式,故可減小檢查環境的溫度變化之影響。
在基準檢測器中為了檢測基準狀態,係使用與被檢測體相同的構造之基準檢體,故即使因溫度、濕度、磁力等之檢查環境的變化使得輸出值產生變動,其影響亦與被檢測體相同。藉此方式,可將溫度、濕度、磁力等的檢查環境之變化所引起之輸出值的變動予以消除,且可提高測量精確度。
藉由僅在第2珠擊處理後檢查施加過第1珠擊處理與第2珠擊處理之2段式珠擊處理之被檢測體的表面特性,可在深部,例如從表面到30至100μm程度之範圍內,檢查是否適當地賦予有殘留應力,且可判斷第1珠擊處理的良否。據此,透過2段式珠擊處理結束後之1次檢查可判斷是否適當地進行過2段式珠擊處理,故可縮短檢查時間。再者,可非破壞性地進行迅速的檢查,且亦可適當地使用為在線檢查。
在第10態樣之發明中,使用一種技術的手段,其係於第9態樣之表面特性檢查裝置中,前述基準檢體為未施加過表面處理之未處理品。
如第10態樣之發明,作為基準檢體而使用未施加過表面處理之未處理品時,可加大根據與被檢測體之表面狀態的差之輸出,故復可提高測量精確度,同時容易設定臨界值,而為理想。
在第11態樣之發明中,使用一種技術的手段,其係於第9態樣或第10態樣之表面特性檢查裝置中,前述線圈係由李茲線(litz wire)所形成。
依據第11態樣之發明,線圈係使用李茲線而形成,該李茲線係將以琺瑯等覆蓋銅線等之導體素線的方式予以絕緣之複數條細的導體素線予以集合且加以撚合而成,故可利用導體的細分化加大導體表面積,並減輕導體損失,而可維持良好的檢查敏感度。
1‧‧‧表面特性檢查裝置
10‧‧‧交流電源
20‧‧‧交流橋式電路
21‧‧‧可變電阻
22‧‧‧基準檢測器
23‧‧‧檢查檢測器
23a‧‧‧核芯
23b‧‧‧線圈
23c‧‧‧磁屏蔽
30‧‧‧評估裝置
31‧‧‧增幅器
32‧‧‧絕對值電路
33‧‧‧低通濾波器(LPF,Low Pass Filter)
34‧‧‧相位比較器
35‧‧‧頻率調整器
36‧‧‧判斷手段
37‧‧‧顯示手段
38‧‧‧溫度測量手段
M‧‧‧被檢測體
S‧‧‧基準檢體
第1圖係表示表面特性檢查裝置的構成之說明圖。第1(A)圖係表示表面特性檢查裝置的電路構成之說明圖,第1(B)圖係表示檢查檢測器的構成之透視說明圖。
第2圖係就來自交流橋式電路的輸出予以說明之等價電路圖。
第3圖係表面特性檢查方法之流程圖。
第4圖係說明初期臨界值的設定方法之說明圖。
第5圖係表示測量值的校正方法之流程圖。
第6(A)圖係表示從被檢測體的配置到開始測量為止之輸出值的變化之說明圖。
第6(B)圖係表示從結束測量到取出被檢測體為止的輸出值之變化的說明圖。
第7(A)圖係表示從被檢測體的配置到開始測量為止之步驟的流程圖。
第7(B)圖係表示從結束測量到取出被檢測體為止的步驟之流程圖。
第8圖係表示第2實施形態的表面特性檢查方法之流程圖。
第9(A)圖係表示在第2實施形態之表面特性檢查中從被檢測體的配置到結束測量之輸出值的變化之說明圖,且表示進行過第2珠擊處理檢查步驟後進行第1珠擊處理檢查步驟的情況之輸出值的變化之說明圖。
第9(B)圖係表示在第2實施形態的表面特性檢查中從
被檢測體的配置到結束測量之輸出值的變化之說明圖,且表示進行過第1珠擊處理檢查步驟後進行第2珠擊處理檢查步驟的情況之輸出值的變化之說明圖。
[第1實施形態](2段式珠擊)
在本發明中被施加在被檢查表面特性之被檢測體的表面處理包含第1珠擊處理與第2珠擊處理,其中第1珠擊處理係利用比較高強度之珠擊賦予殘留應力從表面到預定的深度以上之區域(以下,簡稱深部)為止,而第2珠擊處理係於第1珠擊處理後,透過比第1珠擊處理更低強度的珠擊復將殘留應力賦予到表面附近。以下,就在作為被處理材之齒輪G施加2段式珠擊處理的情況加以說明。
在此,第1珠擊處理及第2珠擊處理使用具備有一般熟知的珠擊裝置,例如直壓式空氣噴嘴之珠擊裝置來進行。
在第1珠擊處理中,係對深部,例如從表面到30μm至100μm左右為止賦予壓縮殘留應力。
珠擊處理係以利用高速度使粒徑較大且高硬度的投射材料(珠)等與被處理材碰撞之方式來進行。
投射材料係可使用從維氏硬度HV500至850、粒徑0.5至4.0mm之範圍適當地選定之鋼鐵等。此外,作為投射條件,例如,使用直壓式珠擊裝置時,投射壓可採用0.05至0.7MPa、投射量最大20Kg/min噴嘴之高強度的條件。維氏硬度的數值係利用JISZ2244(2009)所記載之
試驗方法進行測量。
例如,投射材料可使用粒徑0.6mm、硬度HV580之材料,且可依投射壓0.3MPa、投射量13kg/min、投射時間10秒之條件進行珠擊處理。
在第2珠擊處理中,使用比第1珠擊處理更小的投射材料進行珠擊處理,復將殘留應力賦予到表面附近,例如從表面到30μm程度之深度。
在第2珠擊處理使用之投射材料,採用比在第1珠擊處理使用之投射材料更小的投射材料,而投射材料係可使用從維氏硬度HV500至1200、粒徑0.05至0.5mm之範圍適當地選定之鋼鐵等。
再者,作為投射條件而言,例如,使用直壓式珠擊裝置時,投射壓可採用0.05至0.7Mpa、投射量最大20kg/min噴嘴之條件。在第2珠擊處理使用之投射材料,比在第1珠擊處理使用之投射材料更小,故第2珠擊處理成為比第1珠擊處理更低強度的珠擊處理。
例如,投射材料可使用粒徑0.05mm、硬度HV900之材料,且可依投射壓0.2MPa、投射量10kg/min、投射時間10秒之條件進行珠擊處理。
(表面特性檢查裝置)
如第1(A)圖所示,本發明的實施形態之表面特性檢查裝置1具備有交流電源10、交流橋式電路20及評估裝置30。
交流電源10以可將頻率為可改變之交流電
力供應到交流橋式電路20之方式予以構成。
交流橋式電路20具備有可變電阻21,於被檢測體M中以可感應渦電流之方式配置線圈所形成之檢查檢測器23,以及形成可配置為與被檢測體M有相同構造的基準檢體S,且檢測出作為與來自檢查檢測器23的輸出比較的基準之基準狀態之基準檢測器22。在此,所謂「與被檢測體M有相同構造」,係指材質、形狀相同,而無關表面處理的有無。
可變電阻21係將電阻RA以可改變分配比γ之方式分配給電阻R1與電阻R2所構成。電阻R1、電阻R2係與基準檢測器22及檢查檢測器23一起構成橋式電路。在本實施形態中,分配電阻R1與電阻R2之點A以及基準檢測器22與檢查檢測器23之間的點B係與評估裝置30的交流電源10連接,而電阻R1與基準檢測器22之間的點C以及電阻R2與檢查檢測器23之間的點D係與增幅器31連接。再者,因雜訊減低,故基準檢測器22及檢查檢測器23側係接地。
評估裝置30具備將從交流橋式電路20輸出之電壓信號予以增幅之增幅器31、進行全波整流之絕對值電路32、進行直流變換之低通濾波器(LPF,Low Pass Filter)33、將從交流電源10供應之交流電壓與從增幅器31輸出之電壓的相位予以比較之相位比較器34、將從交流電源10供應之交流電壓的頻率予以調整之頻率調整器35、進行將R1與R2的分配予以最佳化之非平衡調整之同時,
根據來自LPF33的輸出來判斷被檢測體M的表面狀態之良否之判斷手段36、將判斷手段36之判斷結果予以顯示、警告之顯示手段37以及檢測評估位置的溫度之溫度測量手段38。此外,在判斷手段36內部或未圖示之區域具備有記憶手段。
增幅器31係點C及點D連接,且輸入點C與點D之間的電位差。再者,按照絕對值電路32、LPF33之順序與判斷手段36連接。相位比較器34與交流電源10、增幅器31以及判斷手段36連接。頻率調整器35與交流電源10及增幅器31連接。再者,判斷手段36係以可藉由輸出控制信號,而將交流橋式電路20之點A的位置,亦即,可將電阻R1與電阻R2的分配比γ予以變更之方式所構成,藉此方式,執行後述之可變電阻設定步驟。
溫度測量手段38由非接觸式的紅外線感測器與熱電偶等所構成,且將被檢測體M的表面之溫度信號輸出到判斷手段36。判斷手段36係利用溫度測量手段38所檢測的被檢測體M之溫度在預定範圍內時,將被檢測體M之表面處理狀態的良否予以判斷,而以溫度測量手段38所檢測之溫度在預定範圍外時,不進行被檢測體M的表面處理狀態之良否的判斷。藉此方式,被檢測體M之溫度對檢查的精確度造成影響時可不進行被檢測體之表面處理狀態的良否之判斷,故可進行精確度高的檢查。在此,亦可採用以熱電偶等測量評估位置Ts的溫度作為代表被檢測體M的表面之溫度的溫度,進行被檢測體M的表面處理
狀態之良否的判斷之構成。
作為檢查檢測器23以及與檢查檢測器23有相同的構成之基準檢測器22,使用之檢測器係將線圈捲繞於可插通被檢測體M的評估部之核芯而形成,且可以使線圈與被檢測體M的表面相對且接近之方式而於被檢測體M中感應渦電流。亦即,此線圈係以包圍被檢測體的表面特性檢查區域之方式相對且捲繞著。在此,所謂包圍被檢測體之表面特性檢查區域,係指藉由將至少表面特性檢查區域的一部分予以包圍(以包住之方式包圍),而於表面特性檢查區域中感應渦電流。
在此,係就為了檢查作為被檢測體M之具備有齒輪部之被檢測體(例如,齒輪部經表面處理之齒輪G)的表面特性而使用之檢查檢測器23加以說明。檢查檢測器23係如第1(B)圖所示,具備核芯23a以及線圈23b,其中核芯23a係以覆蓋齒輪G的齒輪部之方式而形成為圓筒狀,而線圈23b係捲繞在核芯23a的外周面。核芯23a由非磁性材料,例如,由樹脂形成。此外,核芯23a的形狀只要可將齒輪G配置在內側則不限於圓筒狀。再者,基準檢測器22可不配置被檢測體M,而配置用以輸出基準輸出之基準檢體S。
本發明之檢查檢測器23係以精確地抓住渦電流的反應來評估表面特性作為特徴,故最好以使渦電流於欲檢查表面特性之區域流動的方式,配置被檢測體M。亦即,最好以線圈23b的捲繞方向成為與擬使渦電流流動
的方向同方向之方式來予以配置。
齒輪G係藉由珠擊處理而在齒輪部形成殘留應力層。評估作為被檢測體M之齒輪G時,較佳為不僅評估齒尖,亦評估齒面及齒底的表面特性。因此,可以使線圈23b的捲繞方向與齒輪G的旋轉軸幾近正交之方式來配置線圈23b。如此一來,由於於在旋轉軸的方向產生了磁場迴路,從而可於齒輪G的旋轉方向感應渦電流,故不僅齒尖,亦可將齒面及齒底的表面特性予以評估。在習知的接觸型的檢測器中,係須配合齒的形狀準備數種類的檢測器,同時僅可檢查接觸部附近的表面特性,而依據檢查檢測器23,可利用單一的檢測器一次檢查廣泛的範圍之表面特性。
檢查檢測器23中,只要可維持線圈23b的形狀,可不具備核芯23a。此種線圈23b例如可利用硬化性的環氧樹脂等,將以空芯捲繞之琺瑯銅線予以接合,或者,可使用具有用熱硬化之作用的溶解琺瑯銅線且以空芯捲繞後利用熱風與乾燥爐等的熱使之硬化來形成。
以線圈23b係以將被檢測體M的檢查對象面予以包圍且使之相對之方式來配置檢查檢測器23,且在利用交流電源10將預定的頻率之交流電力供應到線圈23b時產生交流磁場,並在被檢測體M的表面,感應出於與交流磁場交叉之方向流動的渦電流。渦電流係按照殘留應力層之電磁力特性而產生變化,故按照殘留應力層的特性(表面處理狀態)從增幅器31輸出之輸出波形(電壓波形)之相
位及振幅(阻抗)產生變化。可透過此輸出波形的變化來檢測並檢查表面處理層之電磁力特性。
在檢查檢測器23的外側可設置以包圍被檢測體M之方式而配置之磁屏蔽23c。使用磁屏蔽23c時,可遮蔽外部磁力,故可防止錯誤檢測。
(來自交流橋式電路之輸出)
其次,參照第2圖之等價電路就來自調整為非平衡狀態之交流橋式電路20的輸出加以說明。讓用以輸出基準輸出之基準檢體S靠近基準檢測器22,而讓應判定表面處理狀態的良否之被檢測體M靠近檢查檢測器23。
在此,基準檢體S係與被檢測體M呈相同構造,最好使用未進行過表面處理之未處理品。
將可變電阻RA的分配比設為γ時,電阻R1成為RA/(1+γ),電阻R2成為RA γ/(1+γ)。將基準檢測器22的阻抗設為Rs+j ω Ls,且將檢查檢測器23的阻抗設為RT+j ω LT。再者,藉由將點A的電位設為E,且將在使各檢體(基準檢體S、被檢測體M)不接近基準檢測器22、檢查檢測器23時之流動於橋接器各邊之感磁電流各別設為i1、i2,且使各檢體接近基準檢測器22、檢查檢測器23而使磁力量產生變化,且將按照該變化量而流動之電流各別設為i α、i β。此時之基準檢測器22及檢查檢測器23的電位E1、E2及感應電流i1、i2係利用以下的式子(1)至(4)來表示。
E1=(R
S
+jωL
S
)(iα+i
1
) (1)
E2=(R
T
+jωL
T
)(iβ+i
2
) (2)
被輸出到增幅器31之電壓為E1、E2的差,且以下列式子來表示。
E2-E1=[{(R
T
+jωL
T
)iβ-(R
S
+jωL
S
)iα}+{(R
T
+jωL
T
)i
2
-(R
S
+jωL
S
)i
1
}] (5)
由式子(3)至(5)引導出下列式子。
將式子(6)的右邊分為以下的成分A、B,且就差分電壓的各成分加以考慮。
成分A:
(R
T
+jωL
T
)iβ-(R
S
+jωL
S
)iα
成分B:
成分A係由各檢測器成分:(Rs+j ω Ls)、(RT+j ω LT)以及各檢體接近各檢測器時產生變化之電流量:係由i α、i β所構成。i α、i β係藉由通過起因於各檢體的透磁率、導電率等的電磁力特性之檢體的磁力量使得其大小產生變化。因此可藉由改變影響由各檢測器發生之磁力量之感磁電流i1、i2使i α、i β的大小產生變化。此外,由式子(3)、式子(4)知道,感磁電流i1、i2因可變電阻的分配比γ而產生變化,故可藉由調整可變電阻的分配比γ使成分A的大小產生變化。
成分B係由依各檢測器成分:(RLs)、(RT+j ω LT)、可變電阻的分配比γ所區分之電阻的參數所構成。因此,與成分A相同,藉由可變電阻之分配比γ的調整可使成分B的大小產生變化。
將被檢測體M配置到預定的位置,且利用交流電源10將預定的頻率之交流電力供應到檢查檢測器23的線圈23b時,在被檢測體M的表面感應於與交流磁場交叉的方向流動之渦電流予以。渦電流按照殘留應力層的電磁力特性產生變化,故按照殘留應力層的特性(表面處理狀態)從增幅器31輸出的輸出波形(電壓波形)之相位及振幅(阻抗)產生變化。可透過此輸出波形的變化檢測殘留應力層之電磁力特性,而進行表面處理層的檢查。
從橋接器的增幅器31輸出的信號係將基準
檢測器22及檢查檢測器23之電壓波形的差分面積予以抽出之信號,而成為使流動於檢測器之電流(感磁電流)設為一定之電路構成。此外,所抽出之電壓信號可設為電力信號。
此外,供應給檢測器之電力恆為一定。藉此方式,供應給被檢測體M之磁能亦可設為一定。
(表面特性檢查方法)
其次,參照第3圖就表面特性檢查裝置1之被檢測體的表面特性檢查方法加以說明。
首先,在檢查裝置準備步驟之準備步驟S1中,準備表面特性檢查裝置1與基準檢體S。
其次,進行可變電阻設定步驟S2。在可變電阻設定步驟S2中,首先,從交流電源10供應交流電力到交流橋式電路20。在此狀態下,以使表面特性檢查裝置1之檢體的檢測敏感度變高之方式,來調整可變電阻21的分配比γ。亦即,以不使檢體接近檢查檢測器23,且將交流橋式電路20的輸出信號變小之方式,來調整可變電阻21的分配比γ。以此方式可藉由事先設定可變電阻21,使得接近檢查檢測器23之被檢測體M的表面處理狀態不良之情況以及表面處理狀態良好之情況的輸出信號之差異變大,而提高檢測精確度。具體而言,利用具有示波器等波形顯示功能之顯示裝置(例如,判斷手段36所具備者)監控將來自交流橋式電路20之輸出信號的電壓振幅,或來自LPF33之電壓輸出,且以輸出變小之方式來調整分配比
γ。更佳為,調整設定可變電阻21的分配比γ,使輸出取得最小值或極小值(局部平衡點)。
可變電阻21之分配比γ的調整係為了藉由減小差分電壓(E2-E1)而使按照表面狀態的差異之輸出差增大,且使檢查精確度提高而進行。如上述成分A、B係因調整分配比γ而產生變化,故可按照基準檢測器22、檢查檢測器23的阻抗(Rs+j ω Ls)、(RT+j ω LT),來調整可變電阻21的分配比γ,且可減小來自交流橋式電路20的輸出之差分電壓(E2-E1)。藉此方式,將基準檢測器22與檢查檢測器23之特性的不同予以減輕,而可盡量多抽出被檢測體M之原本的特性,故可使檢查精確度提高。
在頻率設定步驟S3中,於使基準檢體S接近基準檢測器22之狀態下,從交流電源10供應交流電力到交流橋式電路20,且利用頻率調整器35使供應到交流橋式電路20之交流電力的頻率產生變化而從交流橋式電路20來監視來自電壓振幅輸出或LPF33之電壓輸出。
頻率調整器35係以成為在頻率調整器35所設定之初期頻率f1之方式將控制信號輸出給交流電源10,且將頻率f1之來自增幅器31的輸出電壓Ef1輸入且記憶在頻率調整器35。接著,不是頻率f1而是以成為預定的值,例如100Hz高的頻率f2之方式將控制信號輸出到交流電源10,且將在頻率f2之來自增幅器31的輸出電壓Ef2輸入且記憶到頻率調整器35。
接著,進行Ef1與Ef2的比較,若為Ef2>Ef1,則相較
於頻率f2以形成比預定的值更高的頻率f3之方式輸出控制信號,且將頻率f3之來自增幅器31的輸出電壓Ef3輸入且記憶在頻率調整器35。然後,進行Ef2與Ef3的比較。重複此步驟,將成為Efn+1<Efn之頻率fn,亦即輸出為最大時之頻率fn設定作為在臨界值設定步驟S4及交流供應步驟S5所使用之頻率。藉此方式,可對應表面處理狀態、形狀等不同且阻抗不同之被檢測體M,透過一次的操作將加大來自交流橋式電路20之輸出的頻率予以設定。最適當的頻率係依被檢測體之材料、形狀、表面處理狀態而產生變化,此若為預先知道的情況,不須設定頻率。藉此方式,可輸出敏感地對應表面處理狀態的變化,且使檢查的敏感度提高。
在此,頻率設定步驟S3可比可變電阻設定步驟S2更早實施。
在臨界值設定步驟S4中,將為判斷被檢測體M之表面狀態的良否所使用之臨界值予以設定。在此,就用於被檢測體M之開始評估時而事先設定之臨界值(以下,簡稱「初期臨界值」。)的設定方法加以說明。首先,使基準檢體S接近基準檢測器22,且將在頻率設定步驟S3中所設定之頻率的交流電力從交流電源10供應到交流橋式電路20。從交流橋式電路20輸出之電壓輸出係在增幅器31進行增幅,且在絕對值電路32進行全波整流,並在LPF33進行直流變換,而輸出到判斷手段36。於未處理之被檢測體與進行過2段式珠擊處理之被檢測體中,將被判
斷為同時適當地進行過第1珠擊、第2珠擊處理的良品者,各別準備10至數10個左右,且使各別的被檢測體接近檢查檢測器23時從被輸出到判斷手段36之輸出值,取得輸出值的分布資料。在第4圖示意性地表示。
初期臨界值Ethi係根據將未處理的被檢測體M配置到檢查檢測器23時之輸出信號EA以及將良品之表面處理後的被檢測體M配置在檢查檢測器23時的輸出信號EB,考慮各別的輸出信號之參差不齊,且依下一個式子訂定。將未處理之被檢測體的輸出信號EA及表面處理後之被檢測體的輸出信號EB之分布示意性地表示在第4圖。
Ethi=(EAav‧σ B+EBav‧σ A)/(σ A+σ B)EAav:輸出信號EA的平均值、EBav:輸出信號EB的平均值、σ A:輸出信號E、A的標準偏差、σ B:輸出信號EB之標準偏差
藉此方式,可透過少的測量數來設定精確度高之適當的臨界值。將此初期臨界值Ethi設定為臨界值,且預先使之記憶在判斷手段36。在此,初期臨界值Ethi係在輸出信號EA的最大值EAmax及輸出信號EB的最小值Ebmin之間,具有EAmax<Ethi<Ebmin之關係。
此外,上述關係不成立時,亦可考慮是否有輸出信號EA及輸出信號EB之參差不齊,或從分布大幅偏離之特異的測量值等,而設定適當的初期臨界值Ethi。例如,有將
相同的被檢測體之未處理狀態、表面處理狀態測量複數個,且使用此再次算出初期臨界值Ethi等之方法。
再者,預先知道適當的臨界值時,亦可採用該值。
並且,在臨界值設定步驟S4中,將於被檢測體M不接近檢查檢測器23之狀態下的輸出信號設為初期偏移值Ei且事先使之記憶在判斷手段36。
在交流供應步驟S5中,將於頻率設定步驟S3中所設定之頻率的交流電力從交流電源10供應到交流橋式電路20。在此,基準檢體S係靠近基準檢測器22。
其次,在配置步驟S6中,使該判定表面處理狀態的良否之被檢測體M接近檢查檢測器23,且以於被檢測體中感應渦電流之方式予以配置。因此,交流供應步驟S5及配置步驟S6具有渦電流感應步驟之功能。此時,從交流橋式電路20輸出電壓輸出信號,輸出信號透過增幅器31進行增幅,且在絕對值電路32進行全波整流,並在LPF33中進行直流變換。
溫度測量手段38係在被檢測體M接近檢查檢測器23前,或在被檢測體M的配置後測量被檢測體M的表面之溫度,且將被檢測體M的表面之溫度信號輸出到判斷手段36。
在檢查狀態判斷步驟S7中,將透過相位比較器34從交流電源10供應之交流電力的波形與從交流橋式電路20輸出之交流電壓波形進行比較,來檢測上述相位差。藉由監視此相位差,可判斷檢查狀態為是否良好(例
如,檢查檢測器23與被檢測體M無位置偏離)。在來自交流橋式電路20的輸出雖然相同,但相位差有大幅度變化時,可判斷在檢查狀態產生變化,而可能沒適當地進行檢查。再者,判斷手段36於利用溫度測量手段38所檢測之被檢測體M的溫度在預定範圍內時,判斷被檢測體M之表面處理狀態的良否,而於利用溫度測量手段38所檢測之溫度在預定範圍外時,不進行被檢測體M之表面處理狀態的良否之判斷。在此,預定的溫度範圍係被檢測體M之溫度變化在實質上不影響檢查之溫度範圍,例如,可設定為0至60℃。被檢測體M的表面之溫度在預定的溫度範圍外時,可待機到直到被檢測體M在預定的溫度範圍內為止,或可將空氣吹到被檢測體M,或不進行被檢測體M的檢查而使之移動到別的線等。
在判斷良否步驟S8中,將在LPF33上進行過直流變換之信號輸入到判斷手段36,而判斷手段36根據所輸入之信號來判斷被檢測體M的表面狀態之良否。
亦即,本步驟係根據從交流橋式電路20輸出之輸出信號,來評估被檢測體M的表面特性之評估步驟。判斷手段36之判斷結果係利用顯示手段37進行顯示,而於表面狀態不良時(沒適當實施第1珠擊處理時)進行警告。
被檢測體M的表面處理狀態之良否的判斷係藉由將來自LPF33之輸出值(測量值)與在臨界值設定步驟S4中所設定之臨界值進行比較來進行。判斷手段36係在來自LPF33之輸出值(測量值)超過臨界值時,判斷為表
面狀態為良好(適當地實施過第1珠擊處理),在來自LPF33之輸出值(測量值)在臨界值以下時,判斷為表面狀態不良(沒適當地實施第1珠擊處理)。此外,所謂「是否適當地進行過第1珠擊處理」,係指第1珠擊處理的良否,同時亦包含是否實施過第1珠擊處理之概念。
測量值、判斷良否結果、測量日期、檢查狀態(溫度、濕度、後述之差分電壓AE等)等的檢查資料係與批號、製造號碼、經歷等之各被檢測體M的識別資訊建立對應關係,而被記憶在評估裝置30的判斷手段36或未圖示之記憶手段,可視需要將之予以叫出。亦即,亦可將與各別的測量資料建立對應關係之識別顯示直接或間接地賦予到被檢測體。例如,亦可將與測量資料建立對應關係之條碼與製品管理號碼直接表示或間接表示到被檢測體。以此方式,藉由將測量資料與條碼、製品管理號碼等之識別顯示建立對應關係,可將利用表面特性檢查裝置所檢查的被檢測體之表面處理的狀態於流通後設為可追蹤之狀態,而可保證可追蹤性。
透過以上的步驟,可藉由僅將施加過第1珠擊處理與第2珠擊處理之2段式珠擊處理之被檢測體M的表面特性,於第2珠擊處理後進行檢查,從深部、例如從表面到30至100μm程度之範圍內,檢查是否適當地賦予有殘留應力,且為了判斷第1珠擊處理的良否而可適當地使用。據此,利用2段式珠擊處理結束後的1次檢查,可判斷是否適當地進行過2段式珠擊處理,故可縮短檢查
時間。再者,可非破壞性地進行迅速的檢查,且亦可適當地使用為在線檢查。
為繼續進行檢查,亦可僅交換被檢測體M,而重複進行配置步驟S6、檢查狀態判斷步驟S7、判斷良否步驟S8。於變更被檢測體M的種類、變更表面處理的種類等時,再次,實施可變電阻設定步驟S2、頻率設定步驟S3、臨界值設定步驟S4。
檢查檢測器23藉由捉住流動於被檢測體M的表面之渦電流的變化,間接捉住表面電阻變化。亦即,藉由檢測被檢測體M的導電率、透磁率的變化,來檢測是否適當地進行測珠擊處理,且是否為賦予有所欲的殘留應力之狀態。在此,本表面特性檢查方法藉由改變交流電力的頻率,而可使渦電流的浸透深度產生變化,故可檢查從表面到所欲的深度為止之表面特性,且可適當地使用於是否適當地賦予有殘留應力的檢查。
在基準檢測器22中為了檢測基準狀態,使用有包含有與檢查檢測器23所包含之被檢測體M相同構造之基準檢測器22之基準檢體S,故即使因溫度、濕度、磁力等的檢查環境之變化而輸出值產生變動,其影響亦與包含有檢查檢測器23之被檢測體M相同。藉此方式,可消除溫度、濕度、磁力等之檢查環境的變化所引起之輸出值的變動,且可使測量精確度提高。尤其是,作為基準檢體S使用未進行過表面處理之未處理品時,可加大根據與被檢測體M之表面狀態的差之輸出,故復可使測量精確度提高之同
時,容易設定臨界值,而為理想。
(臨界值之更新設定)
初期臨界值Ethi係在檢查檢測器23配置有未處理的被檢測體M時之輸出信號EA與在檢查檢測器23配置有表面狀態良好之表面處理後的被檢測體M時之輸出信號EB的差大時,接近輸出信號EA之平均值EAav側,且可能判定為良品之輸出的幅度變大。因此,復於設定精確度高的臨界值時,根據藉由使用初期臨界值Ethi重覆進行測量所累積之許多的檢查資料,故可重新設定臨界值。此時將新設定之臨界值簡稱為更新臨界值Ethn。
更新臨界值Ethn的設定例如於進行100個以上之被檢測體M之檢查後來實施。以下將更新臨界值Ethn的設定方法予以例示。在此,將使用初期臨界值Ethi所檢查的被檢測體M之輸出信號設為EC,且將其最小值設為ECmin,而將最大值設為ECmax,且將平均值設為ECav,而將標準偏差設為σ C。
作為一個方法,將初期臨界值Ethi與最小值ECmin進行比較,而如以下算出更新臨界值Ethn。
ECmin≦Ethj時,不設定更新臨界值Ethn而使用初期臨界值Ethi。
ECmin>Ethi時,可將ECmin設定為更新臨界值Ethn。
此外,可使用平均值ECav及標準偏差σ C,將更新臨界值Ethn設為ECav-3 σ C或ECav-4 σ C。是否使
用ECav-3 σ C、ECav-4 σ C之任一者係考慮輸出信號EC的分布來進行判斷,而ECav-3 σ C或ECav-4 σ C在初期臨界值Ethi以下時,不設定更新臨界值Ethn而使用初期臨界值Ethi。
再者,根據最小值ECmin、最大值ECmax、平均值ECav之大小關係,如以下可設定更新臨界值Ethn。具體而言,進行最小值ECmin與最大值Ecmax之平均值(ECmin+ECmax)/2與平均值ECav之比較,來進行情況區分。
(ECmin+ECmax)/2≦ECav時:將ECav-3 σ C設定為更新臨界值Ethn
而(ECmin+ECmax)/2>ECav時:將ECav-4 σ C設定為更新臨界值Ethn
在此,ECav-3 σ C或ECav-4 σ C在初期臨界值Ethi以下時,不設定更新臨界值Ethn而使用初期臨界值Ethi。
更新臨界值Ethn於更新後可根據檢查之被檢測體M的檢查資料重覆更新。例如,初期臨界值Ethi設定後進行100個被檢測體M的檢查,而於設定更新臨界值Ethn後,復進行100個被檢測體M的檢查,且亦可根據該檢查資料設定新的更新臨界值Ethn。再者,亦可使用200個所有的檢查資料設定新的更新臨界值Ethn。
(測量值的校正)
可使用前述初期偏移值Ei與檢查偏移值Eik進行測量值的校正。
如第5圖所示,在步驟S101中,於配置步驟S6配置被檢測體M前將檢查偏移值Eik進行測量且使之記憶到判斷手段36。
在接下來的步驟S102中,比較初期偏移值Ei與檢查偏移值Eik,且算出差分電壓△E=Ei-Eik。步驟S102之後,係對應判斷良否步驟S8。
在接下來的步驟S103中,進行被檢測體M的檢查且在步驟S104中記憶測量值(E2-E1),且在步驟S105中將所記憶的測量值加上差分電壓△E。
然後,在步驟S106中,將加上差分電壓△E之測量值與臨界值進行比較且進行判斷良否。
藉此方式,因溫度、濕度、磁力等之測量環境的變化,使得偏移電壓產生變化時,亦可排除該影響來進行精確度高的測量。亦即,每次在進行過作為檢定機器(檢查裝置)的校正(calibration)之狀態下可適當地進行精確度高的測量。
此外,差分電壓△E超過根據表面特性檢查裝置1的使用條件而設定之許容值時,如干擾大之裝置的缺陷等,可判斷可能是檢查狀態不適當,且沒適當地進行檢查。此時,在檢查狀態判斷步驟S7中可不進行被檢測體M的表面特性之檢查。此時,可進行基準檢測器22、檢查檢測器23的點檢、測量環境的溫度之確認、基準檢體5的點檢與交換等。該許容值係作為適當地進行檢查之條件而設定,例如,可設定為初期偏移值Ei之5%(△E=0.05Ei)。
(被檢測體之配置、取出的控制)
可使用測量值En(En=E2-E1)來控制將被檢測體M配置到檢查檢測器23以及從檢查檢測器23的取出。
參照第6圖及第7圖就被檢測體的配置、取出之控制方法加以說明。此外,第6圖係用以說明初期值Ei0、輸出值En等而例示且示意性地表示者,而不是實際的輸出值。
首先,在第7(A)圖所示之步驟S201中將被檢測體M配置到檢查檢測器23時,如第6(A)圖所示輸出值從沒被配置有被檢測體M時之初期值Ei0=3.000開始降低。
其次在步驟S202中,檢測被檢測體M被配置在檢查檢測器23,且將開始進行開始記錄輸出值的記錄之時間的計數之基準(第6(A)圖之開始等待測量)的觸發器予以檢測。在第6(A)圖中,將輸出值成為1.500時設為等待配置結束觸發器En1,而在步驟S203中計數等待時間。再者,成為等待配置結束觸發器En1之輸出值(1.500),以經過在下一個段落說明之預定的等待時間時輸出值穩定之方式,進行逆運算來設定。
經過到輸出值穩定為止之預定的等待時間(例如,2至3秒)時,在步驟S204中進行測量,且將穩定的輸出值En2(0.370)予以檢測、記憶。
藉此方式,將配置到檢查檢測器23之被檢測體M的配置狀態,亦即,配置為可適當檢查被檢測體M
的狀態予以檢測且可開始進行被檢測體的表面特性之評估,故可統一測量條件,且可檢測穩定的輸出值En2,故可消除作業者引起之參差不齊等現象,且可進行精確度高的測量。
此外,如以下方式進行被檢測體M的取出之控制。
首先,在第7(B)圖所示之步驟S301中從檢查檢測器23取出被檢測體M時,如第6(B)圖所示測量值從配置有被檢測體M時的輸出值En2開始上升。
其次在步驟S302中,將開始進行用以進行被檢測體之取出確認之等待時間的計數之基準(從第6(B)圖之開始結束等待)的等待取出結束觸發器En3予以檢測。在第6(B)圖中,將測量值成為2.500時設為等待取出結束觸發器En3,在步驟S303中計數等待時間。再者,成為等待取出結束觸發器En3之輸出值(2.500)係以經過在下一個段落說明之預定的等待時間時輸出值穩定之方式,進行逆運算來予以設定。
經過測量值恢復到初期USEi0附近為止之預定的等待時間(例如,2至3秒)時,在步驟S304中檢測且記憶輸出值Ei1(3.000)。
此時,可將所記憶之輸出值En1設為檢查偏移值Eik來使用。
藉此方式,檢測已取出被檢測體M,且在測量值恢復到初期狀態之狀態下可進行下一個測量。
依據進行如上述之被檢測體M的配置、取出之控制的構成,不必設置用以檢測被檢測體M是否適當地被配置在檢查檢測器23之位置感測器等,而可將裝置設為簡單的構成。此外,藉由設為將從進行表面處理之表面處理裝置將被檢測體M搬運到表面特性檢查裝置1之搬運手段(例如,傳送帶)與檢查後之被檢測體M區分為良品與不良品之挑選手段等予以組合之系統,一貫進行從被檢測體M的表面處理到檢查,且可建構為可進行自動化之系統。
(替代例)
不實施檢查狀態判斷步驟S7時,表面特性檢查裝置1可省略相位比較器34。例如,可設為一種構成,其進行的事項係利用雷射變位計等之位置檢測手段進行檢查檢測器23與被檢測體M的位置關係之檢測,且利用光電感測器(雷射)等來判定檢查檢測器23的軸與被檢測體M的軸之任一者是否在預定的範圍內等。再者,相位比較器34、頻率調整器35或顯示手段37可依內建在判斷手段36等而成為一體之方式來設置。
來自被檢測體M的測量時的交流橋式電路20之輸出夠大時,可省略可變電阻設定步驟S2、頻率設定步驟S3。省略頻率設定步驟S3時,表面特性檢查裝置1可省略頻率調整器35。
[第1實施形態的效果]
依據本發明的表面特性檢查裝置1及表面特性檢查方法,可利用檢查檢測器23的線圈23b於被檢測體M中感
應渦電流,且將從交流橋式電路20輸出之輸出信號與臨界值進行比較,來評估被檢測體M的表面特性。藉此方式,可以簡單的電路構成進行高精確度之表面狀態的檢查。
在基準檢測器22中為檢測基準狀態,使用與被檢測體M相同構造之基準檢體S,故即使因溫度、濕度、磁力等的檢查環境之變化而輸出值產生變動,其影響亦與被檢測體M相同。藉此方式,可消除因溫度、濕度、磁力等之檢查環境的變化引起之輸出值的變動,且可使測量精確度提高。尤其是,使用作為基準檢體S未進行表面處理之未處理品時,可加大根據與被檢測體M的表面狀態之差的輸出,故復可使測量精確度提高,同時容易設定臨界值,而為理想。
藉由將施加過第1珠擊處理與第2珠擊處理之2段式珠擊處理之被檢測體的表面特性,僅在第2珠擊處理後進行檢查,從深部,例如,從表面到30至100μm程度為止的範圍內,可檢查是否適當地賦予有殘留應力,且可判斷第1珠擊處理的良否。據此,可透過2段式珠擊處理結束後之1次的檢查來判斷是否適當地進行過2段式珠擊處理,故可縮短檢查時間。再者,可非破壞性地進行迅速的檢查,且亦可適當地使用作為在線檢查。
除了上述的構成之外,亦可於2段式珠擊處理結束後加上畫像檢查。
藉由加上畫像檢查,可更提高第2珠擊處理的判斷良否之信頼性。
[第2實施形態]
將被供應到交流橋式電路20之交流電力的頻率設定為2種標準,且在供應頻率不同之交流電力之狀態下進行檢查,除了第1珠擊處理後的殘留應力是否適當地被賦予之檢查,亦可檢測第2珠擊處理後之殘留應力是否適當地被賦予。
在本發明的表面特性檢查方法中,被供應到交流橋式電路20之交流電力的頻率愈高,愈可得到反映表面附近的殘留應力之狀態的資訊,交流電力的頻率愈低,愈可得到反映離表面深的區域之殘留應力的狀態之資訊。因此,藉由將被供應到交流橋式電路20之交流電力的頻率設定低,可進行第1珠擊處理後的殘留應力是否被適當地賦予之檢查(第1珠擊處理檢查步驟),而藉由將頻率設定高,可進行第2珠擊處理後之殘留應力是否被適當地賦予之檢查(第2珠擊處理檢查步驟)。藉由組合進行上述檢查,可判斷是否各別適當地進行過第1珠擊處理及第2珠擊處理,故可進行正確的檢查。再者,可區別且判斷任一珠擊處理是否為不適當。
在此,頻率可按照被檢測體的導電率、透磁率適當地予以設定。在被檢測體由鉄鋼材料所構成之情況下,將頻率設定為20至50kHz時,渦電流的浸透深度之檢測深度成為從最表面到60至100μm,故適用於第1珠擊處理後的殘留應力是否被適當地賦予到深部之檢查。此外,將頻率設定為200至400kHz時,檢測深度成為最表面
到20至30μm,故適用於第2珠擊處理後的殘留應力是否被適當地賦予之檢查。因此,在上述第1實施形態中,可藉由將頻率設定在20至50kHz,判斷是否適當地進行過第1珠擊處理。
(測量前之各種設定)
進行第1珠擊處理檢查步驟及第2珠擊處理檢查步驟時,在頻率設定步驟S3及臨界值設定步驟S4中,按照各別的檢查步驟進行設定。
在頻率設定步驟S3中,使用於第1珠擊處理檢查之頻率的設定係準備未處理材與進行過第1珠擊處理之被檢測體,來設定各被檢測體之檢查裝置的輸出電壓之差大的第1頻率之頻率f1。在本實施形態中,此設定值成為20至50kHz。
使用於第2珠擊處理檢查之頻率的設定係準備未處理材與僅進行過第2珠擊處理之被檢測體,來設定各被檢測體之檢查裝置的輸出電壓之差大的第2頻率之頻率f2。在本實施形態中,此設定值成為200至400kHz。
如第2珠擊處理檢查,利用100kHz以上之頻率的交流電力進行檢查時,可能發生高的頻率引起之表皮效果且導體損失增加且檢查敏感度降低。線圈23b係使用李茲線而形成,該李茲線係將以琺瑯等覆蓋銅線等之導體素線的方式予以絕緣之複數條細的導體素線予以集合且加以撚合而成,故可利用導體的細分化加大導體表面積,並減輕導體損失,而可維持良好的檢查敏感度。
在臨界值設定步驟S4中,使用於第1珠擊處理檢查的臨界值之初期臨界值Ethi1的設定係準備未處理品與進行過2段式珠擊處理之良品,且使用在頻率設定步驟S3設定之頻率f1來進行。
使用於第2珠擊處理檢查的第2臨界值之初期臨界值Ethi2的設定係準備未處理品與進行過2段式珠擊處理之良品,且使用在頻率設定步驟S3設定之頻率f2來進行。
(表面特性檢查方法)
參照第8圖及第9圖就第2實施形態之表面特性檢查方法加以說明。在此,首先實施第2珠擊處理檢查,之後,就實施第1珠擊處理檢查的情況(第9(A)圖)加以說明。再者,第9圖之輸出值的變化係為了說明而示意性地表示者。
在步驟S401中,將被檢測體M配置在檢查檢測器23。此時所供應之交流電力係使用於第2珠擊處理檢查之頻率f2的交流電力。以此方式,利用頻率f2的交流電力於被檢測體M中感應渦電流之步驟,相當於第2渦電流感應步驟。將被檢測體M配置於檢查檢測器23時,如第9(A)圖所示,輸出值從沒配置有被檢測體M時的初期值Ei0開始降低。
其次,在步驟S402中,檢測被檢測體M配置在檢查檢測器23,且將成為開始進行開始輸出值的記錄之時間的計數之基準的(第9(A)圖的開始等待測量)等待配置結束觸發器觸發器En1予以檢測。
在接下來的步驟S403中計數等待時間。
經過輸出值穩定為止之預定的等待時間(例如,2至3秒)時,在步驟S404中進行測量,並檢測且記憶穩定之輸出值En2(2)。
在接下來的步驟S405中,作為第2判斷良否步驟,將輸出值En2(2)與初期臨界值Ethi2進行比較,且進行第2珠擊處理檢查,並判斷是否適當地進行過第2珠擊處理。於判斷為適當地進行過第2珠擊處理時(S405:YES),前進到步驟S406,而於判斷為沒適當地進行第2珠擊處理時(S405:N0),將被檢測體M從檢查檢測器23取出並結束測量,且將被檢測體M作為不良品予以處理。
在接下來的步驟S406中,將此時所供應之交流電力的頻率,從使用於第2珠擊處理檢查的頻率f2轉換到使用於第1珠擊處理檢查之頻率f1。藉此方式,利用頻率f1之交流電力進行感應渦電流到被檢測體M之渦電流感應步驟,並進行實施第1珠擊處理檢查的準備。
在接下來的步驟S407中,以轉換過頻率的時點作為起點,將等待時間予以計數。如第9(A)圖所示,輸出值係以轉換過頻率的時點作為起點,而從輸出值En2(2)開始上升。
經過直到輸出值穩定前之預定的等待時間(例如,5至6秒)時,在步驟S408中進行測量,並檢測且記憶穩定的輸出值En2(1)。
在接下來的步驟S409中,作為判斷良否步
驟,將輸出值En2(1)與初期臨界值Ethi1進行比較,並進行第1珠擊處理檢查,來判斷是否適當地進行過第1珠擊處理。於判斷為適當地進行過第1珠擊處理時(S409:YES),前進到步驟S410,而於判斷為沒適當地進行第2珠擊處理時(S409:N0),將被檢測體M從檢查檢測器23取出且結束測量,並將被檢測體M設為不良品予以處理。
在接下來的步驟S410中,將判斷為同時適當地進行過第1珠擊處理及第2珠擊處理之被檢測體M從檢查檢測器23取出。將被檢測體M從檢查檢測器23取出時,輸出值從配置有被檢測體M時之輸出值En2(1)開始上升。
在接下來的步驟S411中,將成為開始進行用以進行被檢測體M的取出確認之等待時間的計數之基準(第9(A)圖的結束等待開始)之等待取出結束觸發器En3予以檢測。
在接下來的步驟S412中計數等待時間。
經過測量值恢復到初期值Ei0附近為止之預定的等待時間(例如,1至2秒)時,在步驟S413中檢測且記憶輸出值Ei1。藉此方式,檢測已取出(檢查之前的)被檢測體M,且在測量值恢復到初期狀態之狀態下進行下一個測量。
利用以上之表面特性檢查方法,且透過第1珠擊處理檢查步驟可進行第1珠擊處理後的殘留應力是否適當地被賦予之檢查,且透過第2珠擊處理檢查步驟可進
行第2珠擊處理後之殘留應力是否適當地被賦予之檢查。藉此方式,可判斷是否各別適當地進行過第1珠擊處理及第2珠擊處理,故可進行正確的檢查。再者,可區別且判斷任一珠擊處理是否不適當。在第1珠擊處理檢查步驟所使用之初期臨界值Ethi1以及在第2珠擊處理檢查步驟使用的臨界值Ethi2係按照在檢查使用的頻率而各別設定,故可正確地判斷是否適當地進行過第1珠擊處理及第2珠擊處理。
(替代例)
在上述實施形態中,係在第2珠擊處理檢查步驟之實施後實施第1珠擊處理檢查步驟,而亦可於第1珠擊處理檢查步驟實施後來實施第2珠擊處理檢查步驟。此時在步驟S402至S405中實施第1珠擊處理檢查步驟,在步驟S407至S409中實施第2珠擊處理檢查步驟。此時,輸出值的變化成為如第9(B)圖。再者,頻率高較之檢查時的輸出值之回應速度較快,故先進行供應之交流電力的頻率高的第2珠擊處理檢查步驟時,可縮短檢查所需時間。
[第2實施形態之效果]
依據第2實施形態的表面特性檢查方法,透過第1珠擊處理檢查步驟可進行第1珠擊處理後的殘留應力是否被適當地賦予之檢查,且透過第2珠擊處理檢查步驟可進行第2珠擊處理後之殘留應力是否被適當地賦予之檢查。藉此方式,可判斷是否各別適當地進行過第1珠擊處理及第2珠擊處理,故可進行正確的檢查。再者,可區別且判斷
任一珠擊處理是否不適當。
Claims (12)
- 一種檢查施加過珠擊處理之被檢測體的表面特性之表面特性檢查方法,該方法具有:檢查裝置準備步驟,預先準備具備下列構造之表面特性檢查裝置:交流橋式電路;交流電源,用以供應交流電力給前述交流橋式電路;以及評估裝置,根據來自前述交流橋式電路之輸出信號,來評估被檢測體的表面特性,前述交流橋式電路具有:將第1電阻與第2電阻以可改變分配比之方式所構成之可變電阻、具備可感應交流磁力之線圈而以可在被檢測體中感應渦電流之方式配置該線圈而形成之檢查檢測器、以及配置有與被檢測體有相同構造之基準檢體,檢測出作為與來自前述檢查檢測器之輸出作比較的基準之基準狀態之基準檢測器,其中,由前述第1電阻、前述第2電阻、前述基準檢測器及前述檢查檢測器構成橋式電路;臨界值設定步驟,係將使用於前述評估裝置之被檢測體的表面特性之評估的臨界值予以決定;渦電流感應步驟,係藉由前述檢查檢測器於施加過第1珠擊處理以及第2珠擊處理之被檢體中感應渦電流,其中該第1珠擊處理係從表面賦予殘留應力到深部,而該第2珠擊處理係在前述第1珠擊處理後進行比 前述第1珠擊處理更低強度的珠擊,以進一步在比前述第1珠擊處理還淺之表面附近賦予殘留應力;以及判斷良否步驟,係在前述第2珠擊處理後在所實施的前述渦電流感應步驟中將從前述交流橋式電路所輸出之輸出信號與前述臨界值進行比較,且利用前述評估裝置來判斷是否適當地進行過前述第1珠擊處理;在前述渦電流感應步驟中,供應至前述交流橋式電路的交流電力的頻率係設定為前述渦電流浸透達由前述第1珠擊處理所賦予殘留應力的深度。
- 如申請專利範圍第1項所述之表面特性檢查方法,其中前述渦電流感應步驟係在將沒施加過表面處理之未處理品作為前述基準檢體而配置在前述基準檢測器之狀態下實施。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述之表面特性檢查方法,其中前述臨界值設定步驟係根據在適當地進行過前述第1珠擊及前述第2珠擊處理之被檢測體中感應渦電流時的前述交流橋式電路之輸出信號而設定前述臨界值。
- 如申請專利範圍第3項所述之表面特性檢查方法,其中前述臨界值設定步驟係根據將未處理之被檢測體配置在前述檢查檢測器時之前述交流橋式電路的輸出信號EA,以及將適當地進行過前述第1珠擊及前述第2珠擊處理之被檢測體配置在前述檢查檢測器時之前述交流橋式電路的輸出信號EB,且依據以下的式子設定臨界值Ethi Ethi=(EAav‧σ B+EBav‧σ A)/(σ A+σ B)EAav:輸出信號EA的平均值、EBav:輸出信號EB的平均值、σ A:輸出信號EA的標準偏差、σ B:輸出信號EB的標準偏差。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之表面特性檢查方法,復具備:第2渦電流感應步驟,其係透過前述交流電源供應比前述渦電流感應步驟更高的頻率之交流電力,且於被檢測體中感應渦電流;以及第2判斷良否步驟,係根據此透過第2渦電流感應步驟感應渦電流時的前述交流橋式電路之輸出信號,利用前述評估裝置來判斷是否適當地進行過前述第2珠擊處理。
- 如申請專利範圍第5項所述之表面特性檢查方法,其中前述臨界值設定步驟係將根據將預定的第1頻率之交流電力供應到前述交流橋式電路而得到之輸出信號所決定之臨界值,以及根據將比前述第1頻率更高的第2頻率之交流電力供應到前述交流橋式電路所得到之輸出信號所決定之第2臨界值予以決定,而前述臨界值係使用於前述判斷良否步驟之判斷良否,而前述第2臨界值使用於前述第2判斷良否步驟之判斷良否。
- 如申請專利範圍第5項所述之表面特性檢查方法,其中前述第2判斷良否步驟係在前述判斷良否步驟之前實施。
- 如申請專利範圍第6項所述之表面特性檢查方法,其中前述臨界值設定步驟係根據將未處理之被檢測體配置在前述檢查檢測器時之前述交流橋式電路的輸出信號 EA,以及將適當地進行過前述第1珠擊及前述第2珠擊處理之被檢測體配置在前述檢查檢測器時之前述交流橋式電路的輸出信號EB,且依據以下的式子設定臨界值Ethi Ethi=(EAav‧σ B+EBav‧σ A)/(σ A+σ B)EAav:輸出信號EA的平均值、EBav:輸出信號EB的平均值、σ A:輸出信號EA的標準偏差、σ B:輸出信號EB的標準偏差。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之表面特性檢查方法,其中前述評估裝置具備記憶手段,且於此記憶手段係將各被檢測體之識別資訊與該被檢測體之表面特性的檢查資料建立對應關係而予以記憶。
- 一種表面特性檢查裝置,其係檢查施加過第1珠擊處理及第2珠擊處理之被檢測體的表面特性之表面特性檢查裝置,其中該第1珠擊處理係利用珠擊裝置從表面賦予殘留應力到深部,而該第2珠擊處理係於前述第1珠擊處理後進行比前述第1珠擊處理更低強度的珠擊,以進一步在比前述第1珠擊處理還淺之表面附近賦予殘留應力,而該表面特性檢查裝置具備:交流橋式電路;交流電源,其將交流電力供應到前述交流橋式電路;以及評估裝置,其根據來自前述交流橋式電路之輸出信號,來評估被檢測體的表面特性, 而前述交流橋式電路具有:可變電阻,係以可改變分配比之方式由第1電阻與第2電阻的所構成;檢查檢測器,係具備可感應交流磁力之線圈且以可在被檢測體中感應渦電流之方式配置該線圈而形成;以及基準檢測器,係配置有與被檢測體有相同構造的基準檢體,且檢測出作為與來自前述檢查檢測器的輸出比較之基準的基準狀態,由前述第1電阻、前述第2電阻、前述基準檢測器及前述檢查檢測器構成橋式電路,前述評估裝置係僅在前述第2珠擊處理後,將交流電力供應到前述交流橋式電路,前述檢查檢測器係檢測前述被檢測體之電磁力特性,並將於前述基準檢測器檢測出基準狀態的狀態中之來自前述交流橋式電路的輸出信號與臨界值予以比較,來評估前述被檢測體之表面特性,且判斷對前述被檢測體是否適當地進行過前述第1珠擊處理;前述交流電源,係對前述交流橋式電路供應前述渦電流浸透達由前述第1珠擊處理所賦予殘留應力深度之頻率的交流電力。
- 如申請專利範圍第10項所述之表面特性檢查裝置,其中前述基準檢體係未施加過表面處理之未處理品。
- 如申請專利範圍第10項或第11項所述之表面特性檢查裝置,其中前述線圈係由李茲線所形成。
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Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107709982B (zh) * | 2015-06-25 | 2021-10-22 | 新东工业株式会社 | 钢材的表面特性评价装置和表面特性评价方法 |
US10718739B2 (en) * | 2015-08-06 | 2020-07-21 | Sintokogio, Ltd. | Surface characteristics inspection method and surface characteristics inspection apparatus for steel product |
JP6117398B1 (ja) * | 2016-03-30 | 2017-04-19 | 日新製鋼株式会社 | 鋼板の表面欠陥検査装置および表面欠陥検査方法 |
BR112019003974A2 (pt) | 2016-10-06 | 2019-05-28 | Sintokogio Ltd | método e aparelho de inspeção de propriedade de superfície. |
JP6984655B2 (ja) * | 2017-05-16 | 2021-12-22 | 新東工業株式会社 | 表面処理加工方法及び表面処理加工装置 |
BR112020000005A2 (pt) * | 2017-07-10 | 2020-07-21 | Sintokogio, Ltd. | método, aparelho e sistema de avaliação de propriedade de superfície. |
FR3081553B1 (fr) * | 2018-05-23 | 2020-12-04 | Beweis | Procede pour securiser une methode de detection par ressuage ou magnetoscopie |
JP6881420B2 (ja) * | 2018-11-07 | 2021-06-02 | 新東工業株式会社 | 劣化評価方法 |
CN112629728A (zh) * | 2020-12-21 | 2021-04-09 | 湖南航天天麓新材料检测有限责任公司智能检测装备分公司 | 基于涡流的铝合金残余应力测试装置及其测试方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05203503A (ja) * | 1991-11-27 | 1993-08-10 | Toyota Motor Corp | 鋼材の残留応力分布の測定装置 |
JPH10217122A (ja) * | 1997-01-31 | 1998-08-18 | Sintokogio Ltd | 金型表面の処理方法 |
US5898302A (en) * | 1997-11-25 | 1999-04-27 | Cleveland State University | Residual stress measurements in metal objects using four coils |
CN101093205A (zh) * | 2006-06-22 | 2007-12-26 | 株式会社不二制作所 | 喷丸硬化处理面的非破坏检查方法和装置 |
TW201300772A (zh) * | 2011-05-10 | 2013-01-01 | Sintokogio Ltd | 表面特性檢查裝置及表面特性檢查方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3135914A (en) * | 1959-09-04 | 1964-06-02 | Magnetic Analysis Corp | Multi-frequency testing method and apparatus for selectively detecting flaws at different depths |
JPS557630A (en) * | 1978-06-30 | 1980-01-19 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Inspection method of depth for peening machined layer at internal surface of tube |
US5744954A (en) * | 1996-11-25 | 1998-04-28 | Cleveland State University | Magnetic field generation in ferromagnetic metal objects |
US7112960B2 (en) * | 2003-07-31 | 2006-09-26 | Applied Materials, Inc. | Eddy current system for in-situ profile measurement |
GB201006475D0 (en) * | 2010-04-19 | 2010-06-02 | Wesby Philip | System and method for a surface strain gauge |
US8928316B2 (en) * | 2010-11-16 | 2015-01-06 | Jentek Sensors, Inc. | Method and apparatus for non-destructive evaluation of materials |
KR102159779B1 (ko) | 2014-01-20 | 2020-09-25 | 신토고교 가부시키가이샤 | 표면 특성 검사 장치 및 표면 특성 검사 방법 |
-
2014
- 2014-10-08 US US15/128,573 patent/US10048227B2/en active Active
- 2014-10-08 EP EP14887432.4A patent/EP3124964A4/en active Pending
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- 2014-10-28 TW TW103137148A patent/TWI645188B/zh active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05203503A (ja) * | 1991-11-27 | 1993-08-10 | Toyota Motor Corp | 鋼材の残留応力分布の測定装置 |
JPH10217122A (ja) * | 1997-01-31 | 1998-08-18 | Sintokogio Ltd | 金型表面の処理方法 |
US5898302A (en) * | 1997-11-25 | 1999-04-27 | Cleveland State University | Residual stress measurements in metal objects using four coils |
CN101093205A (zh) * | 2006-06-22 | 2007-12-26 | 株式会社不二制作所 | 喷丸硬化处理面的非破坏检查方法和装置 |
TW201300772A (zh) * | 2011-05-10 | 2013-01-01 | Sintokogio Ltd | 表面特性檢查裝置及表面特性檢查方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2015145833A1 (ja) | 2015-10-01 |
JPWO2015145833A1 (ja) | 2017-04-13 |
JP6181851B2 (ja) | 2017-08-16 |
US10048227B2 (en) | 2018-08-14 |
TW201537169A (zh) | 2015-10-01 |
EP3124964A1 (en) | 2017-02-01 |
CN106164666A (zh) | 2016-11-23 |
EP3124964A4 (en) | 2017-11-29 |
CN106164666B (zh) | 2019-07-23 |
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