TWI642201B - 可撓式集光模組及包含可撓式集光模組的顯示器單元 - Google Patents
可撓式集光模組及包含可撓式集光模組的顯示器單元 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI642201B TWI642201B TW102105315A TW102105315A TWI642201B TW I642201 B TWI642201 B TW I642201B TW 102105315 A TW102105315 A TW 102105315A TW 102105315 A TW102105315 A TW 102105315A TW I642201 B TWI642201 B TW I642201B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- flexible light
- flexible
- region
- collecting module
- guide plate
- Prior art date
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 73
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 3
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 claims description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims 1
- 239000012462 polypropylene substrate Substances 0.000 claims 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 claims 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 abstract description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000005431 greenhouse gas Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N radium atom Chemical compound [Ra] HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002028 Biomass Substances 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000004931 aggregating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000003345 natural gas Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052705 radium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000004984 smart glass Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N sulfur monoxide Chemical class S=O XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052815 sulfur oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
- H01L31/0543—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the refractive type, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
- H01L31/0547—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the reflecting type, e.g. parabolic mirrors, concentrators using total internal reflection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
- H01L31/173—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers formed in, or on, a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
- H02S10/00—PV power plants; Combinations of PV energy systems with other systems for the generation of electric power
- H02S10/40—Mobile PV generator systems
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
- H02S40/00—Components or accessories in combination with PV modules, not provided for in groups H02S10/00 - H02S30/00
- H02S40/30—Electrical components
- H02S40/38—Energy storage means, e.g. batteries, structurally associated with PV modules
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E70/00—Other energy conversion or management systems reducing GHG emissions
- Y02E70/30—Systems combining energy storage with energy generation of non-fossil origin
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Planar Illumination Modules (AREA)
Abstract
本發明提供一種可撓式集光模組及包含可撓式集光模組的顯示器單元，可撓式集光模組包括一可撓導光板、一內部光源或及一光電池。可撓導光板的表面具有一第一區域、一第二區域以及一聚集區域，所述第二區域具有至少一光學微結構。內部光源連接於所述可撓導光板並用以發出光束，而光電池鄰接於聚集區域。藉此，一外部光源所發出之光束可先穿透第一區域或第二區域，由光學微結構折射或反射以聚集至聚集區域，而照射至光電池。另外，內部光源所發出的光束可由光學微結構折射或反射至可撓導光板之表面而射出。
Description
本發明有關於一種集光模組及包含集光模組的顯示器單元，且特別是有關於一種可撓式集光模組及包含可撓式集光模組的顯示器單元。
隨著科技與經濟的快速發展，石化燃料逐步耗竭與溫室效應氣體排放問題日益受到全球關注，例如石油、天然氣、煤等污染性能源的使用，會導致環境的破壞日益嚴重。而且，這些污染性能源也逐漸面臨到短缺的問題，能源的穩定供應已成為全球性的重大課題。因此，無污染且可再生的能源，例如水力、風力、太陽能、生質能等越來越受到重視。
因此人們近年來不斷地積極研發替代能源與再生能源的相關技術，其中以光電轉換技術最受矚目。舉例而言，太陽能電池(solar cells)可直接將光能轉換成電能，且發電過程中不會伴隨產生二氧化碳、氮氧化物以及硫氧化物等溫室效應氣體及污染型氣體，不會對環境造成污染，可減少人類對石化燃料的依賴而提供安全自主的電力來源。
本發明實施例提供一種可撓式集光模組及包含可撓式集光模組的顯示器單元，其等利用可撓導光板之光學微結構，可使穿透可撓導光板表面之外部光源光束改變傳遞路徑，而且更可形成面光源，以收集外部光源的光線。
本發明實施例提供一種可撓式集光模組，所述可撓式
集光模組包括一可撓導光板、一內部光源以及一光電池。可撓導光板的表面具有一第一區域、一第二區域以及一聚集區域。第二區域相向於第一區域並具有至少一光學微結構，而聚集區域鄰接於第一區域或第二區域。內部光源連接於所述可撓導光板並用以發出光束，而光電池鄰接於聚集區域。藉此，一外部光源所發出之光束可先穿透第一區域或第二區域，由光學微結構折射或反射以聚集至聚集區域，而照射至光電池。另外，內部光源所發出的光束可由光學微結構折射或反射至可撓導光板之表面而射出。
綜上所述，本發明實施例所提供的可撓式集光模組可使穿透可撓導光板表面之外部光源光束聚集地照射至光電池，以光學耦合至光電池，並可引導內部光源所發出的光束從可撓導光板表面之至少部分區域射出，以形成面光源。
為使能更進一步瞭解本發明之特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明之詳細說明與附圖，但是此等說明與所附圖式僅係用來說明本發明，而非對本發明的權利範圍作任何的限制。
〔第一實施例〕
請同時參照圖1A、圖1B與圖2A，其中圖1A是本發明一實施例之可撓式集光模組100a的立體示意圖，而圖1B是圖1A中可撓式集光模組100a之側視示意圖。可撓式集光模組100a包括可撓導光板110、內部光源120以及光電池130。可撓導光板110之表面S具有第一區域111、相向於第一區域111之第二區域112以及聚集區域113，聚集區域113鄰接於第一區域111或第二區域112，而第二區域
112具有光學微結構114。其中，內部光源120連接於可撓導光板110，而光電池130鄰接於聚集區域113。以下分別就的各部元件作詳細說明。
可撓導光板110可透光且具有可撓性，於本實施例的可撓式集光模組100a中，可撓導光板110的形狀為大致細長方體，而可撓導光板110的厚度約為0.1公釐(mm，millimeter)至50公釐。於其他實施例中，可撓導光板110的厚度可為50公釐以上。上板面S1、相對於上板面S1之下板面S2以及側面S3、S4、S5、S6形成可撓導光板110的表面S。另外，於其他實施例中，可撓導光板110的形狀也可為楔形體、三角錐體或不規則形狀，於所屬技術領域具有通常知識者可以依據實際的使用情況需求逕行設計，故本創作之實施例在此不加以限制。
可撓導光板110可透光並用以引導光束之傳遞方向。舉例而言，可撓導光板110的折射率可顯著高於可撓導光板110外部之環境中光傳遞媒介的折射率，而可撓導光板110可藉由全內反射以引導光束在可撓導光板110內部之傳遞。於本實施例中，可撓導光板110的折射率例如為1.0至1.85。另外，可撓導光板110之材料也可包含對於一個或多個波長之輻射而言可穿透的材料，以使可撓導光板110可透光。舉例而言，可撓導光板110可對於可見光波長之輻射而言可透光，於其他實施例中，可撓導光板110可對於紅外線或紫外線波長之輻射而言可透光。於本實施例中，可撓導光板110可由包含例如玻璃、塑膠、電致變色玻璃或智慧玻璃等具有透光性的材料所製成，但本發明實施例並不以此為限。於其他實施例中，可撓導光板110例如包含柔性基
板、塑膠基板、反射板、壓克力基板、聚碳酸酯(PC)基板、聚氯乙烯(PVC)基板、聚乙烯(PE)基板或聚丙烯(PP)基板。
除此之外，可撓導光板110具有可撓性，例如，可撓導光板110可由包含聚酯、聚碳酸酯、油墨、光硬化樹脂或光學膠等具有可撓性的材料所製成。由於可撓導光板110具有可撓性，詳細而言，可撓導光板110例如為可彎曲、可收折、可被壓縮地形變或可捲曲，因此使用者可依據不同的實際需求，於使用可撓式集光模組100a時，將可撓式集光模組100a彎折或變形成不同的形態。如圖1A所示，本實施例的可撓式集光模組100a於使用狀態時，可撓導光板100可呈大致S形，但本發明實施例並不以此為限。
可撓導光板100之表面S具有第一區域111、第二區域112以及聚集區域113，其中第二區域112相向於第一區域111，而聚集區域113鄰接於第一區域111或第二區域112。如圖1A所示，於本實施例的可撓式集光模組100a中，第一區域111為上板面S1鄰接於側面S3的一端，第二區域112為下板面S2鄰接於側面S3的一端，而聚集區域113為側面S3。值得一提的是，可撓導光板110之表面S也可具有其他一個或多個第一區域111、第二區域112或聚集區域113。舉例而言，於本實施例中，可撓導光板110之表面S還具有第一區域111、第二區域112與聚集區域113。
如圖1A所示，第一區域111為下板面S2鄰接於側面S4的一端，第二區域112為上板面S1鄰接於側面S4的一端，而聚集區域113為側面S4。值得一提的是，第一區域
111、第二區域112或聚集區域113的位置、形狀與面積是依據實際需求而定，於所屬技術領域具有通常知識者可根據例如可撓導光板110的形狀、可撓曲率以及折射率而逕行設計，故本發明實施例在此不加以限制。
另外，第二區域112具有多個互相平行之光學微結構114，而光學微結構114為朝向可撓導光板110內凸出的直線長條凸肋。請一併參考圖2A，圖2A是圖1A中可撓式集光模組100a之局部放大側視示意圖。如圖2A所示，光學微結構114的剖面形狀皆為三角形且大小相同，而光學微結構114之頂角T例如為20度至160度。各光學微結構114互相平行設置，而兩相鄰光學微結構114之距離皆相等。於其他實施例中，光學微結構114可以是有序排列或散亂排列，光學微結構114的剖面形狀也可為梯形、半圓形、波浪形狀或其他適當形狀，而光學微結構114的形狀也可為曲線長條凸肋，本發明實施例並不限制。再者，光學微結構114的數目、形狀、尺寸以及設置位置可依照設計需求而定，而多個光學微結構114也可以具有不同的形狀或尺寸。於其他實施例中，光學微結構114可為大致圓形狀的凸包，另外，多個第二區域112也可具有相同或不同的光學微結構114。
值得說明的是，相同第二區域112之多個光學微結構114可不規則地分佈於第二區域112或週期地分佈於第二區域112。另外，相同第二區域112之多個光學微結構114的設置密度可依可撓導光板110的可撓曲率而有所不同，於所屬技術領域具有通常知識者可根據實際需求而設計。舉例而言，本實施例中可撓導光板110的可撓曲率越大，光學微結構114的設置密度越大，亦即第二區域112具有越多個光學微結構114；
可撓導光板110的可撓曲率越小，光學微結構114的設置密度越小，亦即第二區域112具有越少個光學微結構114。根據可撓導光板110的可撓曲率之不同，光學微結構114之頂角T可以在一個範圍內變化，如60°~140°，而以120°為佳。
另外，於其他實施例中，第二區域112可具有多個尺寸不同的光學微結構114，舉例而言，可撓式集光模組110a於使用狀態時，可撓導光板110被彎折呈一定形狀，而第二區域112具有一定曲率。其中，第二區域112於使用狀態時的曲率越大，光學微結構114的尺寸越大，亦即光學微結構114至第二區域112的垂直高度越大；第二區域112於使用狀態時的曲率越小，光學微結構114的尺寸越小，亦即光學微結構114至第二區域112的垂直高度越小。
再者，依據第二區域112之各部分於使用狀態時的不同曲率，設置於第二區域112之各部分的各光學微結構114也可具有不同尺寸或形狀。詳細而言，本實施例中可撓式集光模組110a於使用狀態時，第二區域112鄰接於聚集區域113之一端的曲率較小，而設置於第二區域112所述端之光學微結構114具有較小的尺寸；第二區域112相對於聚集區域113之一端的曲率較大，而設置於第二區域112所述端之光學微結構114具有較大的尺寸。然而，本發明實施例在此不加以限制。
請複參閱圖1A與圖1B，內部光源120連接於可撓導光板110，而用以發出光束。詳細而言，於本實施例的可撓式集光模組100a中，內部光源120可埋設於可撓導光板110內，內部光源120為點光源，且含有(contain)發光二極體元件。於其他具體實施例中，內部光源120也可為線光
源、面光源或其他類型之光源裝置。另外，內部光源120也可含有雷射二極體元件、冷陰極螢光燈(cold cathode fluorescent lamp；簡稱CCFL)或其他類型之發光元件，而內部光源120發出光束的形式可為直接發光或藉由反射等間接發光。於所屬技術領域具有通常知識者可以依據實際的使用情況需求逕行設計，故本創作之實施例在此不加以限制。
可撓導光板110可引導內部光源120所發出的光束從可撓導光板110表面S之第一區域111而射出，而形成面光源。具體來說，內部光源120所發出的光束於可撓導光板110內經折射或反射至第二區域112，而設置於第二區域112之光學微結構114可改變光束的傳遞方向，亦即光束可經由光學微結構114折射或反射至可撓導光板110之第一區域111而射出，以形成面光源。另外，於其他實施例中，內部光源120所發出的光束可由光學微結構114折射或反射至可撓導光板110之表面S的其他區域而射出，例如可折射或反射至第二區域112而射出，以形成面光源。
再者，外部光源(未繪示)所發出之光束可先穿透第一區域111，由光學微結構114折射或反射而聚集至聚集區域113。外部光源為設置於可撓式集光模組110a外部環境之光源，例如太陽等自然光源或含有雷射二極體元件之發光裝置。如圖1A以及1B所示，於本實施例中，可撓式集光模組110a外部之太陽光束可先穿透第一區域111，並於可撓導光板110內經折射或反射至第二區域112。而設置於第二區域112之多個光學微結構114可改變太陽光束的傳遞方向，亦即太陽光束可經由光學微結構114折射或反射而聚集至聚集區域113。更進一步地說，太陽光束可先穿透
第一區域111後，位於第二區域112之多個光學微結構114可用以改變太陽光束的傳遞路徑，使太陽光束以較小的入射角傳遞至聚集區域113，進而提高可撓導光板110之聚集區域113的光照效率(luminance efficiency)。
光電池130為可將光能量轉換為例如電能形式之能量的裝置，且鄰接於聚集區域113。於本實施例之可撓式集光模組110a中，光電池130為太陽能電池，例如光化學太陽能電池、染料光敏化太陽能電池、高分子太陽能電池或奈米結晶太陽能電池，且可由包含單晶矽、多晶矽、碲化鎘(Cadmium Telluride CdTe)、銅銦硒化物(Copper Indium Selenide CIS)、銅銦鎵硒化物(Copper Indium Gallium Selenide CIGS)、砷化鎵(Gallium arsenide GaAs)等半導體材料所形成。於其他實施例中，光電池130可包含複數個堆疊的光電轉換材料層。具體而言，光電池130例如包含PN接面層、電子電洞接面層、矽層、奈米有機層或多層化合物層。光電池130的種類是本技術領域具有通常知識者可依據實際需求而設計，故本實施例於此並不限制。
如圖1A以及1B所示，於本實施例中，光電池130鄰接於可撓導光板110表面S之聚集區域113上，而聚集至聚集區域113之光束可照射至光電池130，以光學耦合至光電池130。於本實施例中，光電池130可設置於可撓導光板110周圍，而於其他實施例中，光電池130可設置於可撓導光板110表面S。光電池130的設置位置是本技術領域具有通常知識者可依據實際需求而設計，故實施例於此並不限制。值得一提的是，本實施例之可撓式集光模組110a可包括兩個光電池130，而所述兩個光電池130分別
鄰接於兩不同聚集區域113。於其他實施例中，可撓式集光模組110a還可包括其他一個或多個光電池130，而所述其他一個或多個光電池130鄰接於相同的聚集區域113。
可撓式集光模組110a還可包括反光層140，而反光層140設置於第二區域112上。反光層140例如為含有銀(Ag)、鋁(Al)、金(Au)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、鐳(Rd)或其他高反射率材料的金屬沉積層、薄膜或塗覆層。當外部光束穿透第一區域111而傳遞至第二區域112時，可經由反射層140反射，藉以防止光束從第二區域112漏出可撓導光板110，而提高光束利用率。如圖1A以及1B所示，於本實施例中，反射層140為含有高反射率材料的有機塗料層，而反射層140本身具可撓性。因此當可撓式集光模組110a於使用狀態時，例如，可撓導光板110被彎折呈一定形狀時，反光層140不易剝落。另外，反射層140之厚度例如為大於500埃(A)，並完全覆蓋第二區域112，但本發明實施例並不限制。於其他實施例中，反射層140可僅覆蓋第二區域112之局部並具有圖案，舉例而言，反射層140可由多個具有圓點形狀的金屬薄膜有序分布於第二區域112而形成。
另外，於其他實施例中，可撓式集光模組110a更包括一顯示器單元，可撓式集光模組110a可設置於該顯示器單元內部，以收集該顯示器單元發出的光源，光電池130鄰接於該聚集區域113，該顯示器單元所發出之光束可進入該可撓式集光模組100a，由該光學微結構114折射或反射以聚集至該聚集區域113，而照射至該光電池130，且該內部光源120所發出的光束可由該光學微結構114折射或反射至該可撓導光板110之表面而射出。
〔第二實施例〕
請參照圖2B，圖2B是本發明一實施例之可撓式集光模組的局部放大側視示意圖。本實施例的可撓式集光模組與前述實施例的可撓式集光模組100a二者結構大致相似，而以下僅針對本實施例與前述實施例之間的不同之處進行詳細說明。
具體而言，第二區域112具有多個互相平行之光學微結構114’，而光學微結構114’為長條切溝。光學微結構114’朝向可撓導光板110外凸出，光學微結構114’的剖面形狀皆為三角形且大小相同。於其他實施例中，光學微結構114’的剖面形狀也可為梯形、半圓形、波浪形狀或其他適當形狀，而光學微結構114’的形狀也可為曲線長條切溝，本發明實施例並不限制。圖2B中的其餘結構細節如圖1A至圖1B所述，本技術領域具有通常知識者應可輕易推知其實施方式，在此不佳贅述。
〔第三實施例〕
請參照圖2C，圖2C是本發明另一實施例之可撓式集光模組的局部放大側視示意圖。本實施例的可撓式集光模組與前述實施例的可撓式集光模組100a二者結構大致相似，而以下僅針對本實施例與前述實施例之間的不同之處進行詳細說明。
具體而言，第二區域112具有多個互相平行之光學微結構114”，而光學微結構114”為朝向可撓導光板110內凸出的印刷圖案層。光學微結構114”之圖案例如為相互平行之複數陣列、由複數相互平行的列及行形成之矩陣或不規則形狀等。光學微結構114”之圖案或材料是所屬技術領域具有通常知識者可以
依據實際的使用情況需求逕行設計，故本發明之實施例在此不加以限制。圖2C中的其餘結構細節如圖1A至圖1B所述，本技術領域具有通常知識者應可輕易推知其實施方式，在此不佳贅述。
〔第四實施例〕
請參照圖3A與圖3B，圖3A是本發明另一實施例之可撓式集光模組100b之立體示意圖，而圖3B是圖3A中可撓式集光模組100b之側視示意圖。本實施例的可撓式集光模組100b與前述實施例的可撓式集光模組100a二者結構大致相似，而以下僅針對本實施例與前述實施例之間的不同之處進行詳細說明。
具體而言，如圖3A與圖3B所示，於本實施例之可撓式集光模組100b中，內部光源120可設置於可撓導光板110的上板面S1。光電池130可設置於可撓導光板110表面S之聚集區域113上，且光電池130可耦接於內部光源120，藉此，光電池130所產生之電力可提供於內部光源120。可撓式集光模組100b還可包括電池模組150，電池模組150可耦接於光電池130。圖3A與圖3B中的其餘結構細節如圖1A至圖1B所述，本技術領域具有通常知識者應可輕易推知其實施方式，在此不佳贅述。
另外，於其他實施例中，可撓式集光模組100b還可包括儲電裝置以及切換開關。儲電裝置用以儲存光電池130所產生之電能，而切換開關耦接於儲電裝置。當儲電裝置所儲存之電能高於一預定值，切換開關可用以進行切換以使用儲電裝置之電能。再者，可撓式集光模組100b還可包括電池以及充電控制電路，電池耦接於內部光源120。當電
池之電能低於一預定值，切換開關可用以進行切換以使用儲電裝置之電能。當電池之電能低於一預定值，充電控制電路可用以控制可撓式集光模組100b對電池進行充電。
〔第五實施例〕
請參照圖4A與圖4B，圖4A是本發明另一實施例之可撓式集光模組100c之立體示意圖，而圖4B是圖4A中可撓式集光模組100c之俯視示意圖。本實施例的可撓式集光模組100c與前述實施例的可撓式集光模組100a二者結構大致相似，而以下僅針對本實施例與前述實施例之間的不同之處進行詳細說明。
具體而言，如圖4A所示，於本實施例之可撓式集光模組100c中，可撓導光板100圍繞捲曲呈大致筒形。中心環面S21、外圍環面S22、頂面S23以及底面S24形成可撓導光板100之表面S。第一區域111為可撓導光板110之部分外圍環面S21，第二區域112為可撓導光板110之相向於第一區域111的部分中心環面S22，而聚集區域113為鄰接於第一區域111的部分外圍環面S22。內部光源120設置於中心環面S21上，而光電池130埋設於可撓導光板110內並鄰接於聚集區域113。
內部光源120所發出的光束穿透可撓導光板110之表面S，於可撓導光板110內經折射或反射至第二區域112，而設置於第二區域112之光學微結構114可改變光束的傳遞方向，亦即光束可經由光學微結構114折射或反射至可撓導光板110之第一區域111射出，以形成面光源。
再者，可撓導光板110外部之太陽光束可先穿透第一區域111，並於可撓導光板110內經折射或反射至第二區域
112，而設置於第二區域112之光學微結構114可改變太陽光束的傳遞方向，亦即太陽光束可經由光學微結構114折射或反射，而以較小的入射角傳遞至聚集區域113。如圖4A以及4B所示，光電池130埋設於可撓導光板110內並鄰接於聚集區域113，以設置於太陽光束的傳遞路徑上，而經光學微結構114改變傳遞方向之太陽光束可照射至光電池130，以光學耦合至光電池130。圖4A與圖4B中的其餘結構細節如圖1A至圖1B所述，本技術領域具有通常知識者應可輕易推知其實施方式，在此不佳贅述。
〔實施例的可能功效〕
根據本發明實施例，上述的可撓式集光模組100a、100b、100c利用光學微結構114、114’、114”，可使穿透可撓導光板110之表面S的外部光源光束改變傳遞路徑，而聚集地照射至光電池130，以光學耦合至光電池130。藉此，本發明實施例的可撓式集光模組100a、100b、100c可使外部光源光束照射至光電池130的比例增加，以提高光電池130的使用效率。另外，上述的可撓式集光模組100a、100b、100c利用光學微結構114、114’、114”，可引導內部光源120所發出的光束從可撓導光板110之表面S的至少部分區域射出，以形成面光源。
本發明實施例的可撓式集光模組100a、100b、100c可以捲曲、彎曲或摺疊，並配合外部機構環境而設置於非平面的外部環境中。再者，上述可撓式集光模組100a、100b、100c之可撓導光板100的形狀是所屬技術領域具有通常知識者可以依據實際的使用情況需求逕行設計，例如可配合膝上型電腦或平板電腦之外型而設計，以作為膝上型電腦
或平板電腦之保護套，而光電池130例如為太陽能電池。藉此，上述可撓式集光模組100a、100b、100c可利用光電池130為膝上型電腦或平板電腦提供電力，或為電腦周邊配件再充電。
本發明實施例的可撓式集光模組100a、100b、100c也可附加至衣物。舉例而言，上述可撓式集光模組100a、100b、100c可使外部光源光束照射至光電池130的比例增加，以提高光電池130的使用效率，而光電池130例如為光電池。而光電池130所產生之電力可用於為手持式裝置(例如PDA、mp3播放器、行動電話等)提供電力。另一選擇，光電池130所產生之電力可提供於內部光源120，藉此，上述可撓式集光模組100a、100b、100c所形成的面光源可照亮處於黑暗中之航空公司地勤人員、警察、消防隊員及應急工作者所穿之背心及夾克以增強可見度。
以上所述僅為本發明的實施例，其並非用以限定本發明的專利保護範圍。任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明的精神與範圍內，所作的更動及潤飾的等效替換，仍為本發明的專利保護範圍內。
100a、100b、100c‧‧‧可撓式集光模組
110‧‧‧可撓導光板
111‧‧‧第一區域
112‧‧‧第二區域
113‧‧‧聚集區域
114、114’、114”‧‧‧光學微結構
120‧‧‧內部光源
130‧‧‧光電池
140‧‧‧反射層
150‧‧‧電池模組
S‧‧‧表面
S1‧‧‧上板面
S2‧‧‧下板面
S3、S4、S5、S6‧‧‧側面
S21‧‧‧中心環面
S22‧‧‧外圍環面
S23‧‧‧頂面
S24‧‧‧底面
T‧‧‧頂角
圖1A是本發明一實施例之可撓式集光模組之立體示意圖。
圖1B是圖1A中可撓式集光模組之側視示意圖。
圖2A是圖1A中可撓式集光模組之局部放大側視示意圖。
圖2B是本發明另一實施例之可撓式集光模組之局部放大側視示意圖。
圖2C是本發明另一實施例之可撓式集光模組之局部放大側視示意圖。
圖3A是本發明另一實施例之可撓式集光模組之立體示意圖。
圖3B是圖3A中可撓式集光模組之側視示意圖。
圖4A是本發明另一實施例之可撓式集光模組之立體示意圖。
圖4B是圖4A中可撓式集光模組之俯視示意圖。
Claims (17)
- 一種可撓式集光模組，包括：一可撓導光板，其表面具有：一第一區域；一第二區域，相向於該第一區域，該第二區域具有至少一光學微結構；以及一聚集區域，鄰接於該第一區域或該第二區域；一內部光源，連接於該可撓導光板，用以發出光束；一光電池，鄰接於該聚集區域，其中，一外部光源所發出之光束可先穿透該第一區域或該第二區域，由該光學微結構折射或反射以聚集至該聚集區域，而照射至該光電池，且該內部光源所發出的光束可由該光學微結構折射或反射至該可撓導光板之表面而射出；以及一反光層，設置於第二區域上，該反光層為高反射率材料的金屬沉積層、薄膜或塗覆層的其中一種；其中，該內部光源埋設於該可撓導光板內。
- 如申請專利範圍第1項所述之可撓式集光模組，其中該可撓導光板的形狀為楔形。
- 如申請專利範圍第1項所述之可撓式集光模組，其中該可撓導光板之折射率為1.0至1.85。
- 如申請專利範圍第1項所述之可撓式集光模組，其中該內部光源所發出的光束由該光學微結構折射或反射至該第一區域或該第二區域而射出。
- 如申請專利範圍第1項所述之可撓式集光模組，其中該光學微結構為凸包、凸肋、切溝或印刷圖案。
- 如申請專利範圍第1項所述之可撓式集光模組，其中該光學微結構的剖面為三角形、梯形、半圓形或波浪形狀。
- 如申請專利範圍第1項所述之可撓式集光模組，包括多個該光學微結構，其中該些光學微結構為不規則地分佈於該第二區域或週期地分佈於該第二區域。
- 如申請專利範圍第1項所述之可撓式集光模組，其中該光電池設置於該可撓導光板表面。
- 如申請專利範圍第1項所述之可撓式集光模組，其中該光電池設置於該可撓導光板內，且該光電池耦接於該內部光源。
- 如申請專利範圍第1項所述之可撓式集光模組，更包括一電池模組，耦接於該光電池。
- 如申請專利範圍第1項所述之可撓式集光模組，其中該光電池包含複數個堆疊的光電轉換材料層。
- 如申請專利範圍第1項所述之可撓式集光模組，其中該光電池包含一PN接面層、一電子電洞接面層、一矽層、一奈米有機層或多層化合物層。
- 如申請專利範圍第1項所述之可撓式集光模組，其中該可撓導光板包含一柔性基板、一塑膠基板、一反射板、一壓克力基板、一聚碳酸酯基板、一聚氯乙烯基板、一聚乙烯基板或一聚丙烯基板。
- 如申請專利範圍第1項所述之可撓式集光模組，更包括一儲電裝置以及一切換開關，該儲電裝置耦接於該光電池，用以儲存該光電池所產生之電能，而該切換開關耦接於該儲電裝置，其中當該儲電裝置所儲存之電能高於一預定值，該切換開關用以進行切換以使用該儲電裝置之電 能。
- 如申請專利範圍第14項所述之可撓式集光模組，更包括一電池，該電池耦接於該內部光源，其中當該電池之電能低於一預定值，該切換開關用以進行切換以使用該儲電裝置之電能。
- 如申請專利範圍第15項所述之可撓式集光模組更包括一充電控制電路，當該電池之電能低於一預定值，該充電控制電路用以控制該可撓式集光模組對該電池進行充電。
- 一種顯示器單元，其特徵在於，該顯示器單元包括如申請專利範圍第1項所述之可撓式集光模組，該可撓式集光模組設置於該顯示器單元內部，以收集該顯示器單元發出的光源。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW102105315A TWI642201B (zh) | 2013-02-08 | 2013-02-08 | 可撓式集光模組及包含可撓式集光模組的顯示器單元 |
| US14/175,487 US9231144B2 (en) | 2013-02-08 | 2014-02-07 | Light collecting module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW102105315A TWI642201B (zh) | 2013-02-08 | 2013-02-08 | 可撓式集光模組及包含可撓式集光模組的顯示器單元 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201432930A TW201432930A (zh) | 2014-08-16 |
| TWI642201B true TWI642201B (zh) | 2018-11-21 |
Family
ID=51296895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW102105315A TWI642201B (zh) | 2013-02-08 | 2013-02-08 | 可撓式集光模組及包含可撓式集光模組的顯示器單元 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9231144B2 (zh) |
| TW (1) | TWI642201B (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2711749A4 (en) * | 2011-05-20 | 2015-03-04 | Yamaha Corp | LIGHT GUIDE |
| WO2017081538A2 (es) * | 2015-11-12 | 2017-05-18 | Garcia Sampayo Rosario | Montaje de dispositivos fotovoltaicos que facilita la limpieza, el reemplazo de componentes y mejora las condiciones de temperatura de operación |
| CN105674155B (zh) * | 2016-02-25 | 2018-11-09 | 苏州佳世达电通有限公司 | 荧幕辅助照明装置 |
| IT201600097814A1 (it) * | 2016-09-29 | 2018-03-29 | Smtech S R L Unipersonale | Un sensore ottico |
| US11921330B2 (en) | 2018-03-20 | 2024-03-05 | Nec Corporation | Light receiving device, and light transmitting and receiving device |
| CN112737497B (zh) * | 2020-12-29 | 2022-04-01 | 黄淮学院 | 一种应用纳米纤维的太阳能电池及使用方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101042451A (zh) * | 2007-04-25 | 2007-09-26 | 长兴光学材料（苏州）有限公司 | 薄型可挠式导光组件 |
| TW200937655A (en) * | 2007-11-16 | 2009-09-01 | Qualcomm Mems Technologies Inc | Thin film solar concentrator/collector |
| TW200944729A (en) * | 2008-02-12 | 2009-11-01 | Qualcomm Mems Technologies Inc | Thin film holographic solar concentrator/collector |
| US20100079711A1 (en) * | 2005-06-23 | 2010-04-01 | TPO Hong Holding Limited | Liquid crystal display device equipped with a photovoltaic conversion function |
| TW201044043A (en) * | 2009-06-06 | 2010-12-16 | Silitek Electronic Guangzhou | Flexible light-guiding module with waterproof function |
| TWM412373U (en) * | 2011-03-04 | 2011-09-21 | An Ching New Energy Machinery & Equipment Co Ltd | Display device having transparent thin-film solar cell |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6020632A (en) * | 1997-02-26 | 2000-02-01 | Motorola, Inc. | Electronic component including an adjustable cap |
| US6476376B1 (en) * | 2002-01-16 | 2002-11-05 | Xerox Corporation | Two dimensional object position sensor |
-
2013
- 2013-02-08 TW TW102105315A patent/TWI642201B/zh not_active IP Right Cessation
-
2014
- 2014-02-07 US US14/175,487 patent/US9231144B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100079711A1 (en) * | 2005-06-23 | 2010-04-01 | TPO Hong Holding Limited | Liquid crystal display device equipped with a photovoltaic conversion function |
| CN101042451A (zh) * | 2007-04-25 | 2007-09-26 | 长兴光学材料（苏州）有限公司 | 薄型可挠式导光组件 |
| TW200937655A (en) * | 2007-11-16 | 2009-09-01 | Qualcomm Mems Technologies Inc | Thin film solar concentrator/collector |
| TW200944729A (en) * | 2008-02-12 | 2009-11-01 | Qualcomm Mems Technologies Inc | Thin film holographic solar concentrator/collector |
| TW201044043A (en) * | 2009-06-06 | 2010-12-16 | Silitek Electronic Guangzhou | Flexible light-guiding module with waterproof function |
| TWM412373U (en) * | 2011-03-04 | 2011-09-21 | An Ching New Energy Machinery & Equipment Co Ltd | Display device having transparent thin-film solar cell |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20140225128A1 (en) | 2014-08-14 |
| TW201432930A (zh) | 2014-08-16 |
| US9231144B2 (en) | 2016-01-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI642201B (zh) | 可撓式集光模組及包含可撓式集光模組的顯示器單元 | |
| US7874716B2 (en) | Illumination device | |
| US8921681B2 (en) | Photovoltaic (PV) enhancement films or protective covers for enhancing solar cell efficiences | |
| JP2012503221A (ja) | 太陽光収集器／集光器における光収集の角度範囲の増大化 | |
| US8919987B2 (en) | LED display unit with solar panels and LED display device including same | |
| US8317356B2 (en) | Solar powered light-emitting device | |
| JP5504715B2 (ja) | 照明装置 | |
| JP5841436B2 (ja) | 太陽光発電システム | |
| CN104033826B (zh) | 可挠式集光模块及显示器 | |
| CN202259382U (zh) | 一种密集阵列式聚光太阳能光伏装置 | |
| CN103681924A (zh) | 折射型反光焊带 | |
| CN111725342A (zh) | 高吸收率的光伏组件 | |
| JP2012099681A (ja) | 集光構造体及び光発電装置 | |
| US20090126780A1 (en) | Solar Cell and Method of Manufacturing a Transparent Cover Plate | |
| CN202307979U (zh) | 光电转换装置 | |
| TWM356016U (en) | A solar reflective and refractive dual light-collecting device | |
| TWM465556U (zh) | 太陽能模組 | |
| CN203707148U (zh) | 折射型反光焊带 | |
| JP2014192265A (ja) | 太陽電池用プリズム部材および太陽電池モジュール | |
| CN211700305U (zh) | 一种具有放大效应的微光电池透镜板及光能电池 | |
| CN203218268U (zh) | 一种红外oled显示装置 | |
| CN202256728U (zh) | 收光膜结构及其光电转换装置与发光模块 | |
| US9911883B2 (en) | Electric energy harvester for display panel | |
| CN106847961B (zh) | 一种太阳能电池封装结构以及太阳能电池 | |
| US20120025065A1 (en) | Electronic device having solar energy collecting module |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |