TWI639317B - 收發訊模組及通訊裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供將雙工器、功率放大器、以及低雜訊放大器形成為一體的、小型且雜訊性能得到改善的收發模組以及通信裝置。收發模組(1)包括具有發送側濾波器(10T)及接收側濾波器(10R)的雙工器(10)、以及一體化後的功率放大器(20)及低雜訊放大器(30)，在史密斯圖中，從接收側端子觀察接收側濾波器(10R)時的接收頻帶中的阻抗與下述線相交，該線連接低雜訊放大器(30)的雜訊指數成為最小的NF圓中心點、與低雜訊放大器(30)的增益成為最大的增益圓中心點。

Description

收發訊模組及通訊裝置
本發明係涉及具備低雜訊放大器及功率放大器的收發模組以及通信裝置。
近年來，為了應對行動終端等所搭載的前端模組的小型化，利用高頻元器件的積體化來實現的發送系統前端及接收系統前端的一體化(模組化)正在不斷推進。
專利文獻1中公開有對根據頻率來分離高頻信號的雙工器、低雜訊放大器、以及功率放大器進行組合而得的天線一體型放大器模組的結構(專利文獻1的圖14)。
現有技術文獻
專利文獻1：日本專利特開2001-53544號公報
專利文獻1所記載的天線一體型放大器模組中，以特性阻抗(例如50Ω)來對雙工器的輸入輸出阻抗、低雜訊放大器的輸入阻抗、以及功率放大器的輸出阻抗進行匹配。
然而，在上述天線一體型放大器模組中，僅以特性阻抗來對低雜訊放大器的輸入阻抗與雙工器的接收側輸出阻抗進行匹配，則存在無法使低雜訊放大器的雜訊性能最優的問題。
因此，本發明是為了解決上述問題而完成的，其目的在於提供一種對雙工器、功率放大器、以及低雜訊放大器進行一體化後而成的、小型且雜訊性能經改善的收發模組以及通信裝置。
為了達到上述目的，本發明一個實施方式所涉及的收發模組包括：雙工器，該雙工器具有對高頻發送信號以及高頻接收信號進行輸入輸出的共用端子、輸入有高頻發送信號的發送側端子、對高頻接收信號進行輸出的接收側端子、以發送頻帶為通頻帶並與所述共用端子及所述發送側端子相連接的發送側濾波器部、以及以接收頻帶為通頻帶並與所述共用端子及所述接收側端子相連接的接收側濾波器部；功率放大器，該功率放大器對高頻發送信號進行放大，並將該放大後的高頻發送信號輸出至所述發送側端子；以及低雜訊放大器，該低雜訊放大器對從所述共用端子經由所述雙工器從而從所述接收側端子輸入的高頻接收信號進行放大，所述功率放大器與所述低雜訊放大器形成為一體，在史密斯圖中，從所述接收側端子觀察所述接收側濾波器部時的所述接收頻帶中的阻抗與下述線相交，該線將表示所述低雜訊放大器的雜訊指數成為最小的所述阻抗的NF圓中 心點與表示所述低雜訊放大器的增益成為最大的所述阻抗的增益圓中心點相連接而得。
像以往那樣，在處理小信號的低雜訊放大器與處理大信號的功率放大器分別由不同的模組構成的情況下，利用前端電路的特性阻抗來對低雜訊放大器與雙工器進行阻抗匹配。該情況下，設定接收側濾波器部的輸出阻抗，以使得導致低雜訊放大器的增益設為最大。與此相對，根據本結構，由於在同一模組中對低雜訊放大器與功率放大器進行了一體化，因此不使用特性阻抗來對低雜訊放大器與雙工器進行匹配，而是對接收側濾波器部的輸出阻抗進行設定，使得低雜訊放大器的增益以及雜訊指數均最優。由此，能提供將功率放大器、雙工器、以及低雜訊放大器形成為一體，並使接收雜訊性能以及接收增益的平衡最優的小型的收發模組。
此外，所述接收側濾波器部在史密斯圖中具有與下述線相交的輸出阻抗，該線將所述NF圓中心點與所述增益圓中心點相連而成，所述發送側濾波器部也可以具有使得所述功率放大器的增益成為最大的輸入阻抗。
由此，相對於對發送側濾波器部的輸入阻抗進行設定，使得功率放大器的增益與效率的平衡最優，將接收側濾波器部的輸出阻抗設定為與特性阻抗不同的阻抗，使得低雜訊放大器的增益及雜訊指數均最優化。由此，在接收側濾波器部與低雜訊放大器之間，無需用於以特性阻抗使上述接收側濾波器部與低雜訊放大器匹配的阻抗匹配電路。由此，能提供對功率放大器、雙工器、以及低雜訊放大器進行一體化，並使接收雜訊性能以及接收增益的平衡最優化的小型的收發模組。
此外，所述接收側濾波器與所述低雜訊放大器的阻抗調整所使用的接收側阻抗、與所述發送側濾波器和所述功率放大器的阻抗匹配所使用的發送側阻抗也可以不同。
利用前端電路的特性阻抗對功率放大器與雙工器進行阻抗匹配，使得功率放大器的增益與效率的平衡最優化。與此相對，為了使低雜訊放大器的增益及雜訊指數均最優，以偏離了特性阻抗的阻抗對低雜訊放大器與雙工器進行定制。由此，由於接收側阻抗與發送側阻抗不同，因此能提高從功率放大器的輸入端子(模組發送側端子)到經由了雙工器的低雜訊放大器的輸出端子(模組接收側端子)為止的隔離性。
此外，所述接收側濾波器與所述低雜訊放大器的阻抗調整所使用的接收側阻抗也可以高於所述發送側濾波器與所述功率放大器的阻抗匹配所使用的發送側阻抗。
由此，由於接收側濾波器的輸出阻抗高於發送側濾波器的輸入阻抗，因此能提高從功率放大器的輸入端子到經由了雙工器的低雜訊放大器的輸出端子為止的隔離性。
此外，所述接收側阻抗可以是所述發送側阻抗的1.4倍以上。
發明人發現如下情況，即：在接收側阻抗是發送側阻抗的1.4倍以上的情況下，與接收側阻抗和發送側阻抗相等的情況相比，能提高接收雜訊性能，並能提高隔離性。即，在低雜訊放大器的NF圓中心點相比于增益圓中心點位於高阻抗側的情況下，將接收側濾波器部的接收頻帶中的阻抗提高至發送側阻抗的1.4倍以上，從而能抑制接收增益的劣化並能提高接收雜訊性能。此外，接收側濾波器部的輸出阻抗與發送側濾波器部的 輸入阻抗(例如，特性阻抗)的差越大，則越能提高隔離性。
此外，所述接收側阻抗也可以小於所述發送側阻抗的2.3倍。
發明人發現如下情況，即：在接收側阻抗小於發送側阻抗的2.3倍的情況下，與接收側阻抗和發送側阻抗相等的情況相比，能提高接收雜訊性能，並能提高隔離性。另一方向，還發現如下情況，即：在低雜訊放大器的NF圓中心點相比于增益圓中心點位於高阻抗側的情況下，若將接收側濾波器部的接收頻帶中的阻抗提高至發送側阻抗的2.3倍以上，則低雜訊放大器的增益大幅度降低，雜訊性能也變差。由此，在接收側阻抗小於發送側阻抗的2.3倍的情況下，能抑制接收增益的降低並能提高接收雜訊性能。
此外，收發模組也可以進一步包括：第2雙工器，該第2雙工器具有對高頻發送信號以及高頻接收信號進行輸入輸出的第2共用端子、輸入有高頻發送信號的第2發送側端子、對高頻接收信號進行輸出的第2接收側端子、以與所述發送頻帶不同的第2發送頻帶為通頻帶並與所述第2共用端子及所述第2發送側端子相連接的第2發送側濾波器部、以及以與所述接收頻帶不同的第2接收頻帶為通頻帶並與所述第2共用端子及所述第2接收側端子相連接的第2接收側濾波器部；第2功率放大器，該第2功率放大器對高頻發送信號進行放大，並將該放大後的高頻發送信號輸出至所述第2發送側端子；以及第2低雜訊放大器，該第2低雜訊放大器對從所述第2共用端子經由所述第2雙工器從而從所述第2接收側端子輸入的高頻接收信號進行放大。
由此，在對應多頻帶的前端電路中，能不以特性阻抗來對配 置於與天線相連接的多條信號路徑的雙工器以及低雜訊放大器進行匹配，而可以以根據配置於各信號路徑的低雜訊放大器的放大特性以及雜訊特性而定制的阻抗進行匹配。由此，能提供將與多個頻帶對應配置的多個功率放大器、多個雙工器、及多個低雜訊放大器形成為一體，並能使接收雜訊性能及接收增益的平衡在每個頻帶中最優化的小型的收發模組。
此外，本發明一個實施方式所涉及的通信裝置包括：上述所記載的收發模組；以及RF信號處理電路，該RF信號處理電路對從所述收發模組輸入的高頻接收信號進行處理，對高頻發送信號進行處理，並輸出至所述收發模組。
由此，能提供將功率放大器、雙工器、以及低雜訊放大器形成為一體，並使接收雜訊性能以及接收增益的平衡最優化的小型的通信裝置。
根據本發明，在雙工器、功率放大器、以及低雜訊放大器一體化後的收發模組或通信裝置中，能進行小型化並且能對雜訊性能進行改善。
1、2‧‧‧收發模組
2H‧‧‧高頻帶收發部
2L‧‧‧低頻帶收發部
3‧‧‧天線
4‧‧‧RF信號處理電路
10、10H、10L、510‧‧‧雙工器
10R、10HR、10LR、510R‧‧‧接收側濾波器
10T、10HT、10LT、510T‧‧‧發送側濾波器
20、20H、20L、520‧‧‧功率放大器(PA)
30、30H、30L、530‧‧‧低雜訊放大器(LNA)
21、21H、21L、521、531‧‧‧匹配電路
31、31H、31L‧‧‧調整電路
101、101H、101L‧‧‧共用端子
102、102H、102L‧‧‧發送側端子
103、103H、103L‧‧‧接收側端子
110‧‧‧模組共用端子
120、120H、120L‧‧‧模組發送側端子
130、130H、130L‧‧‧模組接收側端子
500‧‧‧發送模組
600‧‧‧接收模組
圖1是實施方式1所涉及的收發模組的電路結構圖。
圖2是比較例實施例所涉及的收發模組的電路結構圖。
圖3A是表示實施方式1所涉及的接收側濾波器以定制阻抗進行匹配的圖。
圖3B是表示比較例所涉及的接收側濾波器的50Ω匹配的圖。
圖4是對實施例及比較例所涉及的接收側濾波器的阻抗進行說明的圖。
圖5A是表示實施例1中的接收側濾波器的頻帶內阻抗、NF圓以及增益圓的關係的史密斯圖。
圖5B是表示比較例中的接收側濾波器的頻帶內阻抗、NF圓以及增益圓的關係的史密斯圖。
圖6是對實施例1及比較例所涉及的收發模組的雜訊指數進行比較而得的曲線圖。
圖7A是對單個實施例1及比較例所涉及的雙工器的隔離性進行比較而得的曲線圖。
圖7B是對單個實施例1及比較例所涉及的雙工器的接收頻帶通過特性進行比較而得的曲線圖。
圖8A是表示實施例1中的接收側濾波器的阻抗、NF圓以及增益圓的關係的史密斯圖。
圖8B是表示實施例2中的接收側濾波器的阻抗、NF圓以及增益圓的關係的史密斯圖。
圖8C是表示比較例中的接收側濾波器的阻抗、NF圓以及增益圓的關係的史密斯圖。
圖9A是對實施例1、實施例2、以及比較例所涉及的功率放大器-低雜訊放大器間的隔離性進行比較而得的曲線圖。
圖9B是對實施例1、實施例2、以及比較例所涉及的雙工器-低雜訊放大器間的接收頻帶通過特性進行比較而得的曲線圖。
圖10A是表示實施例3中的接收側濾波器的阻抗、NF圓以及增益圓的關係的史密斯圖。
圖10B是對實施例3及比較例所涉及的雙工器-低雜訊放大器間的接收頻帶通過特性進行比較而得的曲線圖。
圖11是實施方式2所涉及的通信裝置以及收發模組的電路結構圖。
以下，使用實施例及圖式對本發明的實施方式所涉及的收發模組以及通信裝置進行詳細說明。另外，以下所說明的實施例均示出總括性或具體的示例。以下實施例中所示的數值、形狀、材料、結構要素、結構要素的配置以及連接方式等是一個示例，而並非為了對本發明進行限定。關於以下實施例中的結構要素中未記載於獨立請求項的結構要素，作為任意的結構要素來進行說明。此外，圖式所示的結構要素的大小或大小的比並非有所限定。
(實施方式1) 【1.1收發模組的電路結構】
圖1是實施方式1所涉及的收發模組1的電路結構圖。圖1所示的收發模組1包括：雙工器10、功率放大器(PA：Power Amplifier)20、低雜訊放大器(LNA：Low Noise Amplifier)30、匹配電路21、調整電路31、模組共用端子110、模組發送側端子120、以及模組接收側端子130。
雙工器10包括：共用端子101、發送側端子102、接收側端子103、發送側濾波器10T、以及接收側濾波器10R。通過該結構，雙工器 10能利用分頻雙工(Frequency-Division Duplexing：FDD)方式同時使發送頻帶的高頻發送信號從發送側端子102通過共用端子101、以及使接收頻帶的高頻接收信號從共用端子101通過接收側端子103。
共用端子101與模組共用端子110相連接，並對高頻發送信號與高頻接收信號進行收發。發送側端子102是輸入有經由模組發送側端子120、功率放大器(PA)20、以及匹配電路21的高頻發送信號的端子。接收側端子103是對經由模組共用端子110、共用端子101、以及接收側濾波器10R的高頻接收信號進行輸出的端子。
發送側濾波器10T是以發送頻帶為通頻帶、並與共用端子101以及發送側端子102相連接的發送側濾波器部。接收側濾波器10R是以接收頻帶為通頻帶、並與共用端子101以及接收側端子103相連接的接收側濾波器部。
功率放大器(PA)20是對從模組發送側端子120輸入的高頻發送信號進行放大、並經由匹配電路21將該放大後的高頻發送信號輸出至發送側端子102的功率放大電路。
低雜訊放大器(LNA)30是對從模組共用端子110經由接收側濾波器10R、以及調整電路31而輸入的高頻接收信號進行放大的低雜訊放大電路。
匹配電路21是用於對功率放大器(PA)20與發送側濾波器10T進行阻抗匹配的電路，例如是使從發送側端子102觀察功率放大器(PA)20側時的阻抗與特性阻抗(50Ω)匹配的電路。
調整電路31是用於對低雜訊放大器(LNA)30的輸入阻抗 進行調整的電路，例如是將從接收側端子103觀察低雜訊放大器(LNA)30側時的阻抗調整為特性阻抗(50Ω)的電路。
另外，在本實施方式所涉及的收發模組1中，匹配電路21以及調整電路31並非是必須的結構要素，也可以不進行配置。
模組共用端子110是能與天線等通信媒介進行連接的外部連接用端子。模組發送側端子120是將功率放大器(PA)20以及與其後級相連的RF信號處理電路(RFIC：未圖示)相連接的外部連接用端子。模組接收側端子130是將低雜訊放大器(LNA)30與RF信號處理電路(RFIC：未圖示)相連接的外部連接用端子。
此處，收發模組1中，為了達到小型化，處理大信號的功率放大器(PA)20與處理小信號的低雜訊放大器(LNA)30形成為一體。此外，本實施方式中的一體化並不限於使功率放大器(PA)20與低雜訊放大器(LNA)30形成為1個晶片，也包含以下結構，即：分別製作構成功率放大器(PA)20的放大組件與構成低雜訊放大器(LNA)30的放大組件，並將它們形成在同一封裝內，或安裝於同一安裝基板。
【1.2比較例所涉及的收發模組的電路結構】
作為現有的收發模組，可以舉出處理大信號的發送模組與處理小信號的接收模組未進行一體化的結構。
圖2是比較例所涉及的收發模組的電路結構圖。如圖2所示，比較例所涉及的收發模組構成為包括發送模組500、以及接收模組600。即，比較例所涉及的收發模組與實施方式1所涉及的收發模組1相比，其 結構上的不同點在於發送模組500與接收模組600構成為不同的晶片，且並未進行一體化。此外，比較例所涉及的收發模組與實施方式1所涉及的收發模組1相比，接收側濾波器510R與接收模組600的阻抗匹配的方式不同。
【1.3實施例以及比較例所涉及的收發模組的阻抗匹配的比較】
圖3A是表示實施方式1所涉及的接收側濾波器10R以定制阻抗進行匹配的圖。此外，圖3B是表示比較例所涉及的接收側濾波器510R的特性阻抗(50Ω)匹配的圖。
如圖2所示，在獨立構成處理小信號的接收模組600與處理大信號的發送模組500的情況下，利用前端電路的特性阻抗(例如50Ω)，來對低雜訊放大器(LNA)530與雙工器510的接收側濾波器510R進行阻抗匹配。此處，比較例所涉及的收發模組中，如圖3B所示，利用匹配電路531將低雜訊放大器(LNA)530的增益圓(等增益圓)的中心點調整為特性阻抗(50Ω)，使得低雜訊放大器(LNA)530的增益成為最大。因此，如圖3B所示，將接收側濾波器510R的輸出阻抗設定為與增益圓的中心點(特性阻抗)一致，使得低雜訊放大器(LNA)530的增益設為最大。
與此相對，本實施方式所涉及的收發模組1中，由於低雜訊放大器(LNA)30與功率放大器(PA)20進行了一體化，因此可以不使用前端電路的特性阻抗(50Ω)來對低雜訊放大器(LNA)30與接收側濾波器10R進行匹配，取而代之，對接收側濾波器10R的阻抗進行設定，使得低雜訊放大器(LNA)30的增益(Gain)增大，且雜訊指數(NF：Noise Figure) 減小。即，本實施方式所述涉及的收發模組1中，不使低雜訊放大器(LNA)30的增益最大化，而是對接收側濾波器10R的阻抗進行設定，使得增益以及雜訊指數均最優化。更具體而言，在史密斯圖中，對接收側濾波器10R的輸出阻抗進行設定，使得從接收側端子103觀察接收側濾波器10R時的接收頻帶中的阻抗與將NF圓中心點和增益圓的中心點相連而成的線相交。
另外，上述接收路徑中的各阻抗、NF圓、以及增益圓如圖3A及圖3B的下段所示，在從低雜訊放大器觀察接收側濾波器的方向上進行了統一。由此，NF圓(等NF圓)示出與包含調整電路31的低雜訊放大器(LNA)的雜訊指數相等的接收側濾波器的輸出阻抗。此外，增益圓(等增益圓)示出與包含調整電路31的低雜訊放大器(LNA)的增益相等的接收側濾波器的輸出阻抗。此外，NF圓中心點示出包含調整電路31的低雜訊放大器(LNA)的雜訊指數成為最小的接收側濾波器的接收頻帶中的輸出阻抗。此外，增益圓中心點示出包含調整電路31的低雜訊放大器(LNA)的增益成為最大的接收側濾波器的接收頻帶中的輸出阻抗。
根據本實施方式所涉及的收發模組1的上述結構，能提供對功率放大器(PA)20、雙工器10、及低雜訊放大器(LNA)30進行一體化，並使接收雜訊性能及接收增益的平衡最優化的小型的收發模組。
【1.4實施例以及比較例所涉及的收發模組的特性比較】
圖4是對實施例及比較例所涉及的接收側濾波器的阻抗進行說明的圖。此處，如圖4所示，將從接收側端子103觀察低雜訊放大器(LNA)而得的阻抗設為Z1(Ω)，將從接收側端子103觀察接收側濾波器而得的阻 抗設為Z2(Ω)。另外，將其他阻抗(從發送側端子102觀察功率放大器(PA)而得的阻抗、以及從共用端子101觀察天線側而得的阻抗)設為50Ω。
在上述設定中，如圖4的右表所示，實施例1所涉及的收發模組的Z2為80Ω，實施例2所涉及收發模組的Z2為70Ω，實施例3所涉及的收發模組的Z2為110Ω。此外，實施例1~3以及比較例所涉及的收發模組的Z1均為50Ω。
圖5A是表示實施例1中的接收側濾波器10R的頻帶內輸出阻抗、NF圓以及增益圓的關係的史密斯圖。圖5B是表示比較例中的接收側濾波器的頻帶內輸出阻抗、NF圓以及增益圓的關係的史密斯圖。
如圖5B所示，比較例所涉及的收發模組(發送模組500+接收模組600)中，在史密斯圖中，從接收側端子103觀察接收側濾波器510R時的接收頻帶中的阻抗(圖中的雙工器Rx頻帶內阻抗)未與連接NF圓中心點(圖中的NF)和增益圓中心點(圖中的Ga)而得的線相交。此外，觀察接收側濾波器510R時的接收頻帶中的阻抗位於史密斯圖的中心(特性阻抗)。
與此相對，如圖5A所示，實施例1所涉及的收發模組1中，在史密斯圖中，從接收側端子103觀察接收側濾波器10R時的接收頻帶中的阻抗(圖中的雙工器Rx頻帶內阻抗)與連接NF圓中心點(圖中的NF)和增益圓中心點(圖中的Ga)而得的線相交。其結果是，與比較例所涉及的收發模組的上述阻抗相比，實施例1所涉及的收發模組1的上述阻抗遠離史密斯圖的中心(特性阻抗)，並偏移至高阻抗側，從而變得接近NF圓 中心點。
圖6是對實施例1及比較例所涉及的收發模組的雜訊指數進行比較而得的曲線圖。圖6中，關於模組共用端子110-模組接收側端子130間的接收頻帶中的雜訊指數，示出對實施例1與比較例進行比較而得的結果。通過使實施例1所涉及的收發模組1的接收側濾波器10R的輸出阻抗如圖5A所示那樣進行偏移，從而與比較例所涉及的收發模組相比，雜訊指數在整個接收頻帶內改善了0~0.4dB左右。
根據實施例1所涉及的收發模組1的上述結構，能將功率放大器(PA)20、雙工器10、及低雜訊放大器(LNA)30形成為一體，並能提高接收雜訊性能。
在對功率放大器(PA)20及低雜訊放大器(LNA)30進行一體化來構成小型的收發模組的情況下，例如，設想以下情況，即：調整電路31所使用的電感器或電容器等電路元件的性能伴隨小型化而下降，因此調整電路31的Q值下降。因調整電路31的Q值下降，特別是收發模組的接收雜訊特性有可能下降。與此相對，根據本實施方式所涉及的收發模組1，由於不僅提高低雜訊放大器(LNA)30的增益，還進行使增益與雜訊指數的平衡最優化的阻抗調整，因此即使調整電路31的Q值下降，也能在不降低接受性能的情況下進行小型化。
接著，對收發模組的收發間隔離特性以及接收路徑的通過特性進行說明。
圖7A是對單個實施例1及比較例所涉及的雙工器的隔離性進行比較而得的曲線圖。圖7A中，示出了發送側端子102-接收側端子103 間的單個雙工器的隔離特性。如圖7A所示，實施例1所涉及的收發模組1中，與比較例所涉及的收發模組相比，發送頻帶中的隔離性尤其得到改善。
此處，在實施例1所涉及的收發模組1中，接收側濾波器10R與低雜訊放大器(LNA)30的阻抗調整所使用的接收側阻抗為80Ω。另外，接收側濾波器10R與低雜訊放大器(LNA)30的阻抗調整所使用的接收側阻抗是指用於使低雜訊放大器(LNA)30的雜訊指數及增益的平衡最優化的接收側濾波器10R的接收頻帶中的輸出阻抗。此外，對發送側濾波器10T與功率放大器(PA)20的阻抗匹配所使用的發送側匹配阻抗進行設定，例如設為50Ω，使得發送側濾波器10T的輸入阻抗使功率放大器(PA)20的增益與效率的平衡最優化。另外，發送側濾波器10T與功率放大器(PA)20的阻抗匹配所使用的發送側阻抗例如是用於使發送側阻抗與匹配電路21的阻抗匹配的發送側濾波器10T的發送頻帶中的輸入阻抗。
即，在實施例1所涉及的收發模組1中，上述接收側阻抗與上述發送側阻抗不同。特別的，本實施例中，上述接收側阻抗比上述發送側阻抗要高。由此，如圖7A所示，在從發送側端子102到接收側端子103為止的信號路徑中，由於發送路徑與接收路徑的阻抗不同，因此隔離特性得以提高。
圖7B是對單個實施例1及比較例所涉及的雙工器的接收頻帶通過特性進行比較而得的曲線圖。圖7B中，示出了共用端子101-接收側端子103間的單個雙工器(接收側濾波器)的通過特性。如圖7B所示，實施例1所涉及的收發模組1中，與比較例所涉及的收發模組相比，接收頻帶中的插入損耗變差。這是由於通過特性的測定系統為50Ω，在上述接 收側阻抗偏離了特性阻抗的實施例1中，可觀察到頻帶內通過特性變差。對此，將在後述的圖9B中進行說明，包含低雜訊放大器(LNA)30、調整電路31以及雙工器10在內的模組共用端子110-模組接收側端子130間的通過特性得以維持。
接著，對上述接收側阻抗與隔離特性的關係進行說明。
圖8A是表示實施例1中的接收側濾波器的輸出阻抗、NF圓以及增益圓的關係的史密斯圖。此外，圖8B是表示實施例2中的接收側濾波器的輸出阻抗、NF圓以及增益圓的關係的史密斯圖。此外，圖8C是表示比較例中的接收側濾波器的輸出阻抗、NF圓以及增益圓的關係的史密斯圖。
圖8A中，除了示出圖5A所示的實施例1所涉及的收發模組1(Z2=80Ω)的阻抗特性，還示出了接收側濾波器10R的頻帶外阻抗特性。此外，圖8B中，示出了實施例2所涉及的收發模組1(Z2=70Ω)的接收側濾波器10R的阻抗特性。此外，圖8C中，除了示出圖5B所示的比較例所涉及的收發模組(Z2=50Ω)的阻抗特性，還示出了接收側濾波器510R的頻帶外阻抗特性。
如圖8A~圖8C所示，可知隨著接收側阻抗Z2變大為50Ω(比較例)、70Ω(實施例2)、80Ω(實施例1)，接收側濾波器的接收頻帶內輸出阻抗從增益圓中心點(Ga)接近NF圓中心點(NF)。此外，隨著接收側阻抗Z2的變化，接收側濾波器的發送頻帶阻抗(圖中的Tx1-Tx2)發生變化。更具體而言，實施例1的接收側濾波器10R的Tx2(862MHz)下的阻抗為Z0(0.114+j1.400)(=70.2Ω)。此外，實施例2的接收側濾波 器10R的Tx2(862MHz)下的阻抗為Z0(0.098+j1.196)(=60.0Ω)。此外，比較例的接收側濾波器510R的Tx2(862MHz)下的阻抗為Z0(0.096+j1.146)(=57.5Ω)。由此，可知接收側阻抗Z2變得越大，則接收側濾波器10R的發送頻帶中的輸出阻抗越遠離特性阻抗(50Ω)，也越遠離增益圓中心點(Ga)。即，越使接收側濾波器10R的阻抗向高阻抗側偏移，則越是具有發送頻帶的阻抗遠離增益圓中心點的效果。由此，通過使接收側濾波器10R中的發送頻帶的增益下降，從而能改善收發間的隔離性。
圖9A是對實施例1、實施例2、以及比較例所涉及的功率放大器-低雜訊放大器間的隔離性進行比較而得的曲線圖。圖9A中示出了模組發送側端子120-模組接收側端子130間的隔離特性(PA-LNA隔離性)。如圖9A所示，實施例1及實施例2所涉及的收發模組1中，與比較例所涉及的收發模組相比，發送頻帶中的隔離性尤其得到改善。此外，實施例1所涉及的收發模組1與實施例2所涉及的收發模組1相比，隔離性得到更大改善。這示出了以下情況，即：接收側濾波器和低雜訊放大器(LNA)的阻抗調整所使用的接收側阻抗(接收側濾波器10R的輸出阻抗)、與發送側濾波器和功率放大器(PA)的阻抗匹配所使用的發送側阻抗(發送側濾波器10T的輸入阻抗)的差越大，則收發間的隔離性得到的改善越大。
圖9B是對實施例1、實施例2、以及比較例所涉及的雙工器-低雜訊放大器間的接收頻帶通過特性進行比較而得的曲線圖。圖9B中示出了模組共用端子110-模組接收側端子130間的通過特性(DupRx-LNA通過特性)。如圖9B所示，即使使上述接收側阻抗、與上述發送側阻 抗不同，接收路徑的通過特性也不會變差，與以50Ω來對上述接收側阻抗與上述發送側阻抗進行匹配的情況相比，能維持通過特性。
即，如圖8A~圖8C所示，通過使接收側濾波器10R的發送頻帶的阻抗遠離增益圓，來使接收路徑中的發送頻帶的增益下降，從而能維持接收頻帶的特性，並能改善收發間的隔離性。
另外，根據實施例1、實施例2、以及比較例的上述比較結果，在發送側阻抗為50Ω的情況下，優選接收側阻抗為70Ω以上。即，優選接收側阻抗為發送側阻抗的1.4倍以上。
發明人發現如下情況，即：像實施例2那樣，在接收側阻抗為發送側阻抗的1.4倍以上的情況下，與接收側阻抗和發送側阻抗相等的情況相比，能提高接收雜訊性能，並能提高隔離性。即，在低雜訊放大器(LNA)的NF圓中心點相比于增益圓中心點位於高阻抗側的情況下，將接收側濾波器10R的接收頻帶中的阻抗提高至發送側濾波器10T的輸入阻抗的1.4倍以上，從而能抑制接收增益的劣化並能提高接收雜訊性能。此外，接收側濾波器10R的輸出阻抗與發送側濾波器10T的輸入阻抗(例如，特性阻抗)的差越大，則越能提高隔離性。
圖10A是表示實施例3中的接收側濾波器的輸出阻抗、NF圓以及增益圓的關係的史密斯圖。
圖10A中，示出了實施例3所涉及的收發模組1(Z2=110Ω)的接收側濾波器10R的阻抗特性。如圖10A所示，若接收側阻抗Z2為110Ω，則與實施例1及實施例2相比，接收側濾波器的接收頻帶內阻抗(圖中Rx1~Rx2)從增益圓中心點(Ga)進一步接近NF圓中心點(NF)。此 外，隨著接收側阻抗Z2的高阻抗化，與實施例1及實施例2相比，接收側濾波器的發送頻帶阻抗(圖中的Tx1~Tx2)進一步高阻抗化。由此，與實施例1及實施例2相比，能進一步改善收發間的隔離性。此外，與實施例1及實施例2相比，也能進一步對雜訊指數進行改善，並能使其最小化。
圖10B是對實施例3及比較例所涉及的雙工器-低雜訊放大器間的接收頻帶通過特性進行比較而得的曲線圖。圖10B中示出了模組共用端子110-模組接收側端子130間的通過特性(DupRx-LNA通過特性)。如圖10B所示，在將上述接收側阻抗設為110Ω的情況下，與以50Ω來對上述接收側阻抗與上述發送側阻抗進行匹配的情況相比，也能抑制通過特性的劣化。即，如圖10A及圖10B所示，通過使接收側濾波器10R的發送頻帶的阻抗進一步遠離增益圓，來使接收路徑中的發送頻帶的增益下降，從而能抑制接收頻帶的通過特性的劣化，並能改善收發間的隔離性。
另外，具有本實施方式所涉及的低雜訊放大器(LNA)30的阻抗特性的收發模組中，在將上述接收側阻抗設為大於110Ω(例如115Ω)的情況下，接收路徑的插入損耗及雜訊指數變差。
由此，在發送側阻抗為50Ω的情況下，優選接收側阻抗小於115Ω。即，優選接收側阻抗小於發送側阻抗的2.3倍。
發現如下情況，即：在接收側阻抗小於發送側阻抗的2.3倍的情況下，與接收側阻抗和發送側阻抗相等的情況相比，能提高接收雜訊性能，並能提高隔離性。另一方向，發現如下情況，即：在低雜訊放大器的NF圓中心點相比于增益圓中心點位於高阻抗側的情況下，若將接收側濾波器部的接收頻帶中的輸出阻抗提高至發送側濾波器部的發送頻帶中的輸 入阻抗的2.3倍以上，則低雜訊放大器的增益大幅度降低，雜訊性能也變差。由此，在接收側阻抗小於發送側阻抗的2.3倍的情況下，能抑制接收增益的降低並能提高接收雜訊性能。
(實施方式2)
實施方式1中，對收發1個頻帶(Band)的高頻信號的模組進行了說明，然而在本實施方式中，將對收發多個頻帶(Band)的高頻信號的模組進行說明。
圖11是實施方式2所涉及的通信裝置以及收發模組2的電路結構圖。本實施方式所涉及的通信裝置包括收發模組2、以及RF信號處理電路4。另外，本發明所涉及的通信裝置也可以包括實施方式1所涉及的通信模組1以及RF信號處理電路4。
RF信號處理電路4利用下變頻等對從天線3經由雙工器及低雜訊放大器(LNA)輸入的高頻接收信號進行信號處理，並將進行了該信號處理而生成的接收信號輸出至後級的基帶信號處理電路(未圖示)。此外，RF信號處理電路4利用上變頻等對從基帶信號處理電路輸入的發送信號進行信號處理，並將進行了該信號處理而生成的高頻發送信號輸出至功率放大器(PA)。RF信號處理電路4例如是RFIC。
收發模組2包括開關11、高頻帶收發部2H、以及低頻帶收發部2L。
開關11的共用端子與天線3相連接，第1選擇端子與高頻帶收發部2H相連接，第2選擇端子與低頻帶收發部2L相連接。由此，開 關11對天線3與高頻帶收發部2H的連接、以及天線3與低頻帶收發部2L的連接進行切換。另外，開關11也可以具有同時連接天線3與高頻帶收發部2H、以及連接天線3與低頻帶收發部2L的功能。
高頻帶收發部2H包括雙工器10H、功率放大器(PA)20H、低雜訊放大器(LNA)30H、匹配電路21H、調整電路31H、模組發送側端子120H、以及模組接收側端子130H。雙工器10H包括共用端子101H、發送側端子102H、接收側端子103H、發送側濾波器10HT、以及接收側濾波器10HR。發送側濾波器10HT是以第1發送頻帶為通頻帶、並與共用端子101H以及發送側端子102H相連接的發送側濾波器部。接收側濾波器10HR是以接收頻帶為通頻帶、並與共用端子101H以及接收側端子103H相連接的接收側濾波器部。
此處，高頻帶收發部2H例如是實施方式1所涉及的收發模組1。
即，高頻帶收發部2H中，為了達到小型化，將處理大信號的功率放大器(PA)20H與處理小信號的低雜訊放大器(LNA)30H形成為一體。此外，在史密斯圖中，對接收側濾波器10HR的輸出阻抗進行設定，使得從接收側端子103H觀察接收側濾波器10HR時的接收頻帶中的阻抗、與連接NF圓中心點和增益圓的中心點的線相交
低頻帶收發部2L包括雙工器10L、功率放大器(PA)20L、低雜訊放大器(LNA)30L、匹配電路21L、調整電路31L、模組發送側端子120L、以及模組接收側端子130L。雙工器10L是第2雙工器，其包括共用端子101L(第2共用端子)、發送側端子102L(第2發送側端子)、接收 側端子103L(第2接收側端子)、發送側濾波器10LT、以及接收側濾波器10LR。
發送側濾波器10LT是以比第1發送頻帶要低的第2發送頻帶為通頻帶、並與共用端子101L以及發送側端子102L相連接的第2發送側濾波器部。接收側濾波器10LR是以比第1接收頻帶要低的第2接收頻帶為通頻帶、並與共用端子101L以及接收側端子103L相連接的第2接收側濾波器部。
功率放大器(PA)20L是對高頻發送信號進行放大、並經由發送側端子102L將該放大後的高頻發送信號輸出至雙工器10L的第2功率放大器。
低雜訊放大器(LNA)30L是對從天線3經由接收側端子103L而輸入的高頻接收信號進行放大的第2低雜訊放大器。
此處，低頻帶收發部2L例如是實施方式1所涉及的收發模組1。
即，低頻帶收發部2L中，為了達到小型化，將處理大信號的功率放大器(PA)20L與處理小信號的低雜訊放大器(LNA)30L形成為一體。此外，在史密斯圖中，對接收側濾波器10LR的輸出阻抗進行設定，使得從接收側端子103L觀察接收側濾波器10LR時的接收頻帶中的阻抗、與連接NF圓中心點和增益圓的中心點的線相交。
根據上述結構，在對應多頻帶的前端電路中，能不以特性阻抗來對配置於與天線3相連接的多條信號路徑的雙工器10H與低雜訊放大器(LNA)30H、以及雙工器10L與低雜訊放大器(LNA)30L進行匹配， 而可以根據配置於各信號路徑的低雜訊放大器(LNA)的阻抗特性以定制阻抗進行匹配。因此，能提供將與多個頻帶對應配置的多個功率放大器、多個雙工器、及多個低雜訊放大器構成為一體，並能使接收雜訊性能及接收增益的平衡在每個頻帶(Band)中最優化的小型的收發模組2以及通信裝置。
另外，在本實施方式所涉及的收發模組2中，高頻帶收發部2H及低頻帶收發部2L中的至少一方可以具有實施方式1所涉及的收發模組1的結構及功能。此外，頻帶(Band)數也可以是3個以上。即，由發送信號路徑及接收信號路徑構成的信號路徑也可以是3個以上。該情況下，3個以上的收發部中的至少一個具有實施方式1所涉及的收發模組1的結構及功能即可。
(其他實施方式)
以上，舉出實施方式1及2對本發明的實施方式所涉及的收發模組及通信裝置進行了說明，然而本發明中，對上述實施方式中的任意結構要素進行組合而實現的其他實施方式、對於上述實施方式在不脫離本發明主旨的範圍內本領域技術人員實施想到的各種變形而得的變形例、及內置有本發明所涉及的收發模組及通信裝置的各種設備也包含于本發明。
例如，上述說明中，以具有雙工器的收發模組及通信裝置為例進行了說明，然而本發明例如也可以適用於將多個雙工器進行公共連接而成的四工器(Quadplexer)及六工器(Hexaplexer)。
另外，作為使接收側濾波器10R的輸出阻抗(接收側阻抗) 高於特性阻抗及發送側濾波器10T的輸入阻抗(發送側阻抗)的結構，並沒有特別限定，例如，可以舉出以下結構。在接收側濾波器10R是由如下諧振器構成的聲表面波濾波器的情況下，該諧振器由多個IDT(Inter Digital Transducer：叉指換能器)電極構成，也可以在IDT電極間使構成IDT電極的電極指(electrode finger)的間距、相交寬度、電極指對的個數、以及反射器-IDT電極間隔等電極參數不同。此外，例如在接收側濾波器由梯形的聲波諧振器構成的情況下，可以舉出使配置為最接近接收側端子103的聲波諧振器的阻抗高於其他聲波諧振器。該情況下，可以維持接收側濾波器的濾波特性，並能有效地實現高阻抗化。
此外，也可以對從低雜訊放大器(LNA)側觀察調整電路31時的調整電路31的阻抗進行調整，以代替使接收側濾波器10R自身的輸出阻抗變高、即高阻抗化。
此外，實施方式1中，舉例示出了接收頻帶為低頻側、發送頻帶為高頻側的頻帶，然而本發明所涉及的收發模組也可以適用於接收頻帶為高頻側、發送頻帶為低頻側的頻帶。
此外，在本發明所涉及的收發模組中，還可以在模組共用端子110、模組發送側端子120、以及模組接收側端子130之間進一步附加電感器、電容器、以及電阻元件等電路元件。
產業利用性
本發明作為高增益且低雜訊的小型的收發模組以及通信裝置，可以廣泛用於行動電話等通信設備。

Claims (8)

  1. 一種收發模組，其特徵在於，包括：雙工器，該雙工器具有對高頻發送信號以及高頻接收信號進行輸入輸出的共用端子、輸入有高頻發送信號的發送側端子、對高頻接收信號進行輸出的接收側端子、以發送頻帶為通頻帶並與所述共用端子及所述發送側端子相連接的發送側濾波器部、以及以接收頻帶為通頻帶並與所述共用端子及所述接收側端子相連接的接收側濾波器部；功率放大器，該功率放大器對高頻發送信號進行放大，並將該放大後的高頻發送信號輸出至所述發送側端子；以及低雜訊放大器，該低雜訊放大器對從所述共用端子經由所述雙工器從而從所述接收側端子輸入的高頻接收信號進行放大，所述功率放大器與所述低雜訊放大器形成為一體，在史密斯圖中，從所述接收側端子觀察所述接收側濾波器部時的所述接收頻帶中的阻抗與下述線相交，該線將表示所述低雜訊放大器的雜訊指數成為最小的所述阻抗的NF圓中心點與表示所述低雜訊放大器的增益成為最大的所述阻抗的增益圓中心點相連接而成。
  2. 如申請專利範圍第1項之收發模組，其中，所述接收側濾波器部在史密斯圖中具有與下述線相交的輸出阻抗，該線將所述NF圓中心點與所述增益圓中心點相連接而得，所述發送側濾波器部具有使得所述功率放大器的增益成為最大的輸入阻抗。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之收發模組，其中， 所述接收側濾波器和所述低雜訊放大器的阻抗調整所使用的接收側阻抗與所述發送側濾波器和所述功率放大器的阻抗匹配所使用的發送側阻抗不同。
  4. 如申請專利範圍第3項之收發模組，其中，所述接收側濾波器與所述低雜訊放大器的阻抗調整所使用的接收側阻抗高於所述發送側濾波器與所述功率放大器的阻抗匹配所使用的發送側阻抗。
  5. 如申請專利範圍第3項之收發模組，其中，所述接收側阻抗是所述發送側阻抗的1.4倍以上。
  6. 如申請專利範圍第3項之收發模組，其中，所述接收側阻抗小於所述發送側阻抗的2.3倍。
  7. 如申請專利範圍第1或2之收發模組，其中還包括：第2雙工器，該第2雙工器具有對高頻發送信號以及高頻接收信號進行輸入輸出的第2共用端子、輸入有高頻發送信號的第2發送側端子、對高頻接收信號進行輸出的第2接收側端子、以與所述發送頻帶不同的第2發送頻帶為通頻帶並與所述第2共用端子及所述第2發送側端子相連接的第2發送側濾波器部、以及以與所述接收頻帶不同的第2接收頻帶為通頻帶並與所述第2共用端子及所述第2接收側端子相連接的第2接收側濾波器部；第2功率放大器，該第2功率放大器對高頻發送信號進行放大，並將該放大後的高頻發送信號輸出至所述第2發送側端子；以及第2低雜訊放大器，該第2低雜訊放大器對從所述第2共用端子經由 所述第2雙工器從而從所述第2接收側端子輸入的高頻接收信號進行放大。
  8. 一種通信裝置，其特徵在於，包括：如申請專利範圍第1至7項中任一項之收發模組；以及RF信號處理電路，該RF信號處理電路對從所述收發模組輸入的高頻接收信號進行處理，對高頻發送信號進行處理，並輸出至所述收發模組。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10320363B2 (en) * 2016-08-05 2019-06-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. High-frequency module
CN213937872U (zh) 2018-06-11 2021-08-10 株式会社村田制作所 高频模块和通信装置
KR102441262B1 (ko) * 2018-06-11 2022-09-07 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 고주파 모듈 및 통신 장치
US10771102B2 (en) 2018-08-06 2020-09-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transmit-and-receive module and communication device
KR102526908B1 (ko) * 2018-11-02 2023-04-28 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 고주파 모듈, 송신 전력 증폭기 및 통신 장치
JP2020096313A (ja) * 2018-12-14 2020-06-18 株式会社村田製作所 送受信モジュール
KR102419331B1 (ko) * 2019-03-13 2022-07-11 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 고주파 모듈 및 통신 장치
CN114051695B (zh) * 2019-07-03 2023-08-18 株式会社村田制作所 高频模块和通信装置
JP2021052379A (ja) * 2019-09-20 2021-04-01 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP2021048566A (ja) * 2019-09-20 2021-03-25 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
CN113726360B (zh) * 2020-05-26 2022-11-04 Oppo广东移动通信有限公司 射频PA Mid器件、射频收发装置和通信设备

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8644197B2 (en) 2008-12-24 2014-02-04 Hollinworth Fund, L.L.C. RF front-end module and antenna systems

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001053544A (ja) 1999-08-11 2001-02-23 Mitsubishi Electric Corp アンテナ一体型増幅器モジュール
GB0217932D0 (en) 2002-08-02 2002-09-11 Koninkl Philips Electronics Nv High frequency module
US7053717B2 (en) * 2003-10-14 2006-05-30 M/A-Com, Inc. Method and apparatus for realizing a low noise amplifier
JP2006333390A (ja) 2005-05-30 2006-12-07 Furukawa Electric Co Ltd:The 低雑音増幅回路
US7702296B2 (en) * 2007-08-01 2010-04-20 Mediatek Usa Inc. Transmit/receive switch
JP2009060511A (ja) * 2007-09-03 2009-03-19 Murata Mfg Co Ltd 通信装置
US8175541B2 (en) * 2009-02-06 2012-05-08 Rfaxis, Inc. Radio frequency transceiver front end circuit
US8995944B2 (en) 2010-12-09 2015-03-31 Rf Micro Devices, Inc. Radio frequency switch for suppressing intermodulation
US9391650B2 (en) 2011-02-11 2016-07-12 Qualcomm Incorporated Front-end RF filters with embedded impedance transformation
US8749312B2 (en) * 2012-04-18 2014-06-10 Qualcomm Incorporated Optimizing cascade gain stages in a communication system
US9240811B2 (en) 2012-10-23 2016-01-19 Intel Deutschland Gmbh Switched duplexer front end
US20150028963A1 (en) * 2013-07-23 2015-01-29 Taiyo Yuden Co., Ltd. Electronic circuit
US9525393B1 (en) * 2015-11-13 2016-12-20 Resonant Inc. Technique for designing acoustic microwave filters using lcr-based resonator models

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8644197B2 (en) 2008-12-24 2014-02-04 Hollinworth Fund, L.L.C. RF front-end module and antenna systems

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