TWI637570B - 光纖雷射裝置 - Google Patents

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TWI637570B
TWI637570B TW105109020A TW105109020A TWI637570B TW I637570 B TWI637570 B TW I637570B TW 105109020 A TW105109020 A TW 105109020A TW 105109020 A TW105109020 A TW 105109020A TW I637570 B TWI637570 B TW I637570B
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堀本啓一
高橋尙平
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日商藤倉股份有限公司
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    • H01S3/06Construction or shape of active medium
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Abstract

光纖雷射裝置包含:光纖雷射裝置本體;拉曼波長轉換部,將入射光中之一部分之光之波長轉換;輸出光傳送用光纖,傳送從前述拉曼波長轉換部輸出之光;分波元件,設在前述輸出光傳送用光纖,令從前述拉曼波長轉換部輸出之光分波而成為拉曼光與前述拉曼光以外之非需求光;非需求光傳送用光纖,藉由前述分波元件而分波之前述非需求光之至少一部分會入射,可傳送前述非需求光之至少一部分。

Description

光纖雷射裝置 發明領域
本發明是涉及光纖雷射裝置。
發明背景
於下述之專利文獻1揭示了利用受激拉曼散射之光纖雷射加工裝置。該光纖雷射加工裝置具有放大用光纖、第1濾光器、藉由受激拉曼散射而轉換入射光之波長之波長轉換光纖、第2濾光器、光束照射部。在波長轉換光纖獲得受激拉曼散射光,與入射光相比,該受激拉曼散射光之波長是朝長波長側偏移。在該光纖雷射加工裝置,因為藉由波長轉換光纖之前段之第1濾光器而去除來自被加工物之反射光,故可抑制不需要之反射光返回放大用光纖之情形。
先行技術文獻 專利文獻
專利文獻1 日本特開2012-243789號公報
發明概要
話說,如上述之專利文獻1,藉由波長轉換光纖而獲得受激拉曼散射光(SRS光)的情況下,往波長轉換光纖之入射光只有一半程度會轉換成SRS光,未轉換之光是被濾光器反射。要去除被該濾光器反射之不需要之光的情況下,從習知就採用之方法是讓設在濾光器之近處之金屬等之處理部吸收不需要之光而作為熱來去除。一般而言,因為光是一面擴散一面傳送於空間,故為了確實地去除不需要之光,需要使處理部接近濾光器,完全覆蓋。此情況下,因為濾光器近處之處理部會變成高溫,故有著濾光器或是包含濾光器之光束照射部之可靠性降低之問題。
另一方面,使處理部遠離濾光器的情況下,為了確實地去除不需要之光,可能要令處理部大型化以接收所有擴散之光,或者,需要用來傳送至處理部之鏡子或透鏡等之光學零件,有著高價且變成複雜構成之問題。另外,當不需要之光傳送於濾光器與處理部之間之空間之際,有著因為空間中之塵埃等之干擾而令光散射、因為該散射光而在未預期之部位產生發熱之問題,為了防止這情形而採取密封構造則很費工夫。
本發明之一態樣是為了解決上述課題而建構,以提供可抑制濾光器或是包含濾光器之光束照射部之可靠性降低、可迴避裝置之大型化、複雜化之光纖雷射裝置作為目的之一。
為了達成上述之目的,與本發明之一態樣相關 之光纖雷射裝置包含:光纖雷射裝置本體;拉曼波長轉換部,將入射光中之一部分之光之波長轉換;輸出光傳送用光纖,傳送從前述拉曼波長轉換部輸出之光;分波元件,設在前述輸出光傳送用光纖,令從前述拉曼波長轉換部輸出之光分波而成為拉曼光與前述拉曼光以外之非需求光;非需求光傳送用光纖,藉由前述分波元件而分波之前述非需求光之至少一部分會入射,可傳送前述非需求光之至少一部分。
附帶一提,本明細書中之「拉曼波長轉換部」是藉由受激拉曼散射而使入射拉曼波長轉換部之光之一部分之波長比入射前還要朝長波長側偏移。將該已朝長波長側偏移之光稱作「拉曼光」。
與上述態樣相關之光纖雷射裝置是具有非需求光傳送用光纖,因此,非需求光不易受到塵埃等干擾之影響,可確實地傳送。另外,可藉由非需求光傳送用光纖而將非需求光導引至離開分波元件之位置。
前述分波元件亦可以是設在前述輸出光傳送用光纖之輸出側之端部。
根據上述態樣,因為分波元件是設在輸出光傳送用光纖之輸出側之端部,故藉由分波元件而分波之拉曼光不會與輸出光傳送用光纖再度耦合。藉此,可改善伴隨著拉曼光與輸出光傳送用光纖再度耦合而來之輸出之降低、發熱等問題。
與上述態樣相關之光纖雷射裝置亦可以是更具 有雷射頭,該雷射頭是透過前述輸出光傳送用光纖而與前述光纖雷射裝置本體連接,將前述拉曼光朝外部輸出;前述拉曼波長轉換部是設在前述光纖雷射裝置本體之內部;前述分波元件是設在前述雷射頭之內部。
根據與上述態樣相關之光纖雷射裝置,因為拉曼波長轉換部是設在裝置本體,故可謀求雷射頭之簡化、小型化。另外,因為藉由分波元件而分波之拉曼光是從雷射頭朝外部輸出,故不需要令拉曼光與其他之光纖再度耦合。藉此,可改善因為令拉曼光與其他之光纖再度耦合而來之輸出降低、發熱等問題。
與上述態樣相關之光纖雷射裝置亦可以是更具有:非需求光處理部,處理藉由前述非需求光傳送用光纖而傳送之前述非需求光之至少一部分。
根據與上述態樣相關之光纖雷射裝置,可在非需求光處理部將藉由非需求光傳送用光纖而傳送之非需求光之至少一部分處理、去除。
前述非需求光處理部亦可以是設在前述光纖雷射裝置本體。
根據與上述態樣相關之光纖雷射裝置,與令非需求光處理部設在雷射頭內部的情況相較之下,可謀求雷射頭之小型化、簡化。另外,舉例來說,在光纖雷射裝置本體內具有熱容量大之散熱器等的情況下,可讓非需求光處理部利用該散熱器。
前述非需求光傳送用光纖亦可以是以雙包層光 纖構成。
根據與上述態樣相關之光纖雷射裝置,可將未與非需求光傳送用光纖之核心結合之非需求光關進內包層。藉此,可抑制非需求光漏出至非需求光傳送用光纖之外部之情形。非需求光傳送用光纖具有被覆的情況下,可抑制非需求光入射被覆而發熱之情形,可更確實地處理非需求光。
亦可以是:前述輸出光傳送用光纖是以單模光纖構成,前述非需求光傳送用光纖是以多模光纖構成。
根據與上述態樣相關之光纖雷射裝置,輸出光傳送用光纖是以核心直徑小之單模光纖來構成,相對地,非需求光傳送用光纖是以核心直徑大之多模光纖來構成,藉此,可使大多之非需求光與非需求光傳送用光纖結合,另外,可一面抑制起因於光纖之彎曲之光漏出、一面確實地傳送非需求光。
與上述態樣相關之光纖雷射裝置亦可以是更具有:非需求光檢測部,檢測從前述非需求光傳送用光纖漏出之前述非需求光之一部分。
檢測被分波元件分波之非需求光,藉此,可基於拉曼波長轉換部之轉換效率而推定輸出之拉曼光之功率。亦即,非需求光檢測部可作為輸出光功率檢測部而發揮。與在輸出光傳送用光纖設光檢測部的情況相較之下,可令身為輸出光之拉曼光之損失少。另外,因為光之損失會變成熱,故就可抑制不必要之發熱這點而言,安全性 高。另外,因為輸出光傳送用光纖傳送之光是包含拉曼光與非需求光,故無法藉由從輸出光傳送用光纖漏出之光而正確地僅檢測拉曼光。相較於此,因為從非需求光傳送用光纖漏出之光只有非需求光,故可較正確地推定輸出光功率。
前述非需求光檢測部亦可以是設在前述光纖雷射裝置本體之內部。
根據與上述態樣相關之光纖雷射裝置,以例如光電二極體來構成非需求光檢測部的情況下,因為可將光電二極體之電路配線、基板收納在光纖雷射裝置本體之內部,故可謀求裝置之簡化。
根據上述態樣,能實現可抑制濾光器或是包含濾光器之光束照射部之可靠性降低、可迴避裝置之大型化、複雜化之光纖雷射裝置。
1、40、50、60‧‧‧光纖雷射裝置
2‧‧‧光纖雷射裝置本體
3‧‧‧雷射頭
4‧‧‧輸出光傳送用光纖
5‧‧‧非需求光傳送用光纖
7‧‧‧激發用光源
8‧‧‧光合成器
9‧‧‧光共振腔
10‧‧‧拉曼波長轉換部
11、41、61‧‧‧非需求光處理部
12‧‧‧殼體
13‧‧‧放大用光纖
14‧‧‧放大用線圈
15‧‧‧第1反射部
16‧‧‧第2反射部
18‧‧‧雷射二極體
19‧‧‧光纖
21‧‧‧光纖
23‧‧‧分波元件
24‧‧‧光纖耦合部
25‧‧‧頭部殼體
25a‧‧‧輸出口
26‧‧‧空間
28‧‧‧核心
29‧‧‧內包層
30‧‧‧外包層
31‧‧‧外皮
32‧‧‧被覆
34‧‧‧輸出端
51、63‧‧‧非需求光檢測部
52‧‧‧分支耦合器
53‧‧‧光電二極體
62‧‧‧分岐元件
L1‧‧‧非需求光
L2‧‧‧拉曼光
L10‧‧‧輸出光
[圖1]與第1實施形態相關之光纖雷射裝置的概略構成圖。
[圖2]非需求光傳送用光纖的截面圖。
[圖3]與第2實施形態相關之光纖雷射裝置的概略構成圖。
[圖4]與第3實施形態相關之光纖雷射裝置的概略構成圖。
[圖5]與第3實施形態相關之光纖雷射裝置之變形例的 概略構成圖。
用以實施發明之形態
[第1實施形態]
以下,使用圖1及圖2來說明本發明之第1實施形態。
本實施形態之光纖雷射裝置是適合用於例如雷射加工等用途。但是,用途並不限於雷射加工。
圖1是本實施形態之光纖雷射裝置的概略構成圖。
在以下之各圖面,為了易於看清各構成要素,有時會就不同之構成要素來改變尺寸之比例而顯示。
[光纖雷射裝置之構成]
如圖1所示,光纖雷射裝置1具備有光纖雷射裝置本體2、雷射頭3、輸出光傳送用光纖4、非需求光傳送用光纖5。
從光纖雷射裝置本體2輸出之雷射光是穿透輸出光傳送用光纖4而傳送至雷射頭3。在雷射頭3,來自光纖雷射裝置本體2之輸出光L10受到分波,希望之波長之拉曼光L2是朝雷射頭3之外部輸出,希望之波長以外之非需求光L1是穿透非需求光傳送用光纖5而朝後述之非需求光處理部11傳送。
光纖雷射裝置本體2具備有激發用光源7、光合成器8、光共振腔9、拉曼波長轉換部10、非需求光處理部11、殼體12。激發用光源7、光合成器8、光共振腔9、拉曼波長轉換部10及非需求光處理部11是收納在殼體12之內 部。光共振腔9具備有在放大用光纖13構成之放大用線圈14、第1反射部15、第2反射部16。第1反射部15是設在放大用線圈14之輸入側,第2反射部16是設在放大用線圈14之輸出側。第2反射部16之反射率比第1反射部15之反射率還低。
激發用光源7是以複數之雷射二極體18構成,射出激發光。關於雷射二極體18,舉例來說是使用以GaAs系半導體為材料之法布立-培若型半導體雷射。雷射二極體18是與光纖19連接。光合成器8是將從複數之雷射二極體18射出之複數之激發光結合,生成1個激發光。激發光是使具有添加了稀土類元素之核心之放大用光纖13激發。雷射光是在第1反射部15與第2反射部16之間共振、放大。第1反射部15及第2反射部16舉例來說是以布拉格光纖光柵(FBG)構成。
來自光共振腔9之輸出光是入射拉曼波長轉換部10。拉曼波長轉換部10是以對入射之光發生受激拉曼散射之光纖21構成。來自光共振腔9之輸出光中之一部分之光是藉由在拉曼波長轉換部10之受激拉曼散射而朝長波長側進行波長轉換,成為拉曼光L2。亦即,若以從光共振腔9輸出之光(波長轉換前)之波長作為λ1、以拉曼光L2之波長作為λ2,則λ1<λ2。但是,其他之一部分之光是即便通過拉曼波長轉換部10亦未進行波長轉換,最後是成為不當作輸出光來使用之非需求光L1。因此,混有波長λ2之拉曼光L2與波長λ1之非需求光L1之光是從拉曼波長轉換部10輸 出,穿透輸出光傳送用光纖4而朝雷射頭3傳送。在此,高輸出的情況下,可能產生比波長λ2還要位於長波長側之高次之拉曼光而更加混有複數之光。
雷射頭3具備有分波元件23、光纖耦合部24、頭部殼體25。在頭部殼體25之內部設有空間26,於空間26之內部設有分波元件23。在本實施形態,使用讓波長λ2之拉曼光L2穿透、將波長λ1之非需求光L1反射之帶通濾波器(反射型濾波器)來作為分波元件23。在此,包含高次之拉曼光的情況下,需要針對該等波長而進行濾波器設計值之最適化。亦即,如果高次之拉曼光並不需要,則宜將濾波器設計成令該等波長之光反射,如果高次之拉曼光為必要,則宜將濾波器設計成讓該等波長之光穿透。光纖耦合部24是以令入射端面向空間26的方式而配置,且與非需求光傳送用光纖5之一端光學地結合。非需求光傳送用光纖5之另一端是與光纖雷射裝置本體2之內部之非需求光處理部11光學地結合。
圖2是非需求光傳送用光纖5的截面圖。
如圖2所示,非需求光傳送用光纖5是以雙包層光纖構成。非需求光傳送用光纖5具有圓柱狀之核心28、覆蓋核心28之外側面之圓筒狀之內包層29、覆蓋內包層29之外側面之圓筒狀之外包層30、覆蓋外包層30之外側面之圓筒狀之外皮31。
非需求光傳送用光纖5之構成要素中之核心28與內包層29是藉由例如石英玻璃而構成。外包層30與外皮31是藉 由例如例如樹脂而構成。關於折射率之大小關係,折射率由低至高之順序為外包層30、內包層29、核心28。藉由該構成,即便非需求光L1未與核心28結合,亦可將此非需求光L1關進內包層29。
以下,有時會將外包層30與外皮31合稱為被覆32。
在本實施形態,輸出光傳送用光纖4是以單模光纖構成。另一方面,非需求光傳送用光纖5是以多模光纖構成。
如圖1所示,從拉曼波長轉換部10輸出之光是透過輸出光傳送用光纖4之輸出端34而入射分波元件23。入射分波元件23之輸出光L10是混有波長λ2之拉曼光L2與波長λ1之非需求光L1之光,波長λ2之拉曼光L2是穿透分波元件23而從頭部殼體25之輸出口25a朝外部空間輸出。
另一方面,波長λ1之非需求光L1是在分波元件23反射而入射光纖耦合部24。非需求光L1是從光纖耦合部24透過非需求光傳送用光纖5而朝非需求光處理部11輸出。非需求光處理部11舉例來說是以施加了黑色氧皮鋁處理之鋁、銅等之金屬製之塊、或者高折射率樹脂所填充之容器而構成。非需求光處理部11是以令由非需求光傳送用光纖5所傳送之非需求光L1入射金屬製之塊或是高折射率樹脂的方式而構成。
非需求光處理部11是令非需求光L1被金屬製之塊或高折射率樹脂吸收而轉換成熱,使該熱擴散,藉此,將非需求光去除。舉例來說,於光纖雷射裝置本體2之內部具有 熱容量大之散熱器等的情況下,亦可以將該散熱器當作非需求光處理部11之一部分來利用。
在本實施形態之光纖雷射裝置1,於雷射頭3之內部之分波元件23分波之非需求光L1是藉由非需求光傳送用光纖5而朝光纖雷射裝置本體2內之非需求光處理部11傳送。因此,非需求光L1不易受到塵埃等干擾之影響,可解決因為塵埃等干擾而光散射、因為該散射光而在未預期之部位產生發熱之問題。藉此,可實現可靠性高之光纖雷射裝置1。另外,因為未在雷射頭3內部配置非需求光處理部11,故可謀求雷射頭3之小型化、簡化。
另外,若假設將分波元件設在光纖雷射裝置本體,則一般是採用令穿透分波元件後之拉曼光與光纖耦合部光學地結合、透過輸出光傳送用光纖而朝雷射頭傳送之構成。但是,在該構成,光纖耦合部會隨著光纖雷射裝置之高輸出化而發熱,產生輸出降低或是不安定化、光纖耦合部損傷等問題。相較於此,在本實施形態之光纖雷射裝置1,分波元件23是設在雷射頭3之內部,且設在輸出光傳送用光纖4之輸出側之端部(離輸出口最近之端部)。因此,穿透分波元件23後之拉曼光L2不經過光纖耦合部而直接從雷射頭3朝外部空間輸出。因此,可解決伴隨拉曼光L2之光纖耦合而來之上述問題。
另外,在本實施形態,輸出光傳送用光纖4是以單模光纖構成,相對地,非需求光傳送用光纖5是以核心直徑大之多模光纖構成。藉此,可容易地使大多之非需求 光與非需求光傳送用光纖5結合。另外,可一面抑制起因於光纖之彎曲之光漏出、一面確實地將非需求光L1傳送至非需求光處理部11。再者,因為非需求光傳送用光纖5是以雙包層光纖構成,故可將未與核心結合之非需求光L1關進內包層。藉此,可進一步抑制非需求光L1從非需求光傳送用光纖5漏出之情形。另外,可抑制非需求光L1入射被覆32而發熱之情形,可更確實地處理非需求光L1。
[第2實施形態]
以下,使用圖3來說明本發明之第2實施形態。
第2實施形態之光纖雷射裝置之基本構成是與第1實施形態之光纖雷射裝置相同,但非需求光處理部之位置與第1實施形態相異。
在圖3,與在第1實施形態所使用之圖1共通之構成要素是賦予相同之符號,省略說明。
在第1實施形態之光纖雷射裝置,非需求光處理部是設在光纖雷射裝置本體之內部。相對地,如圖3所示,在第2實施形態之光纖雷射裝置40,非需求光處理部41是設在光纖雷射裝置本體2之外部。其他之構成是與第1實施形態相同。
在本實施形態亦可獲得與第1實施形態同樣之效果,亦即可實現具有高的可靠性之小型之光纖雷射裝置。
另外,本實施形態的情況下,因為非需求光處理部41是與光纖雷射裝置本體2獨立而設,故可提高非需求光處理部41之配置、設計之自由度。
[第3實施形態]
以下,使用圖4來說明本發明之第3實施形態。
第3實施形態之光纖雷射裝置之基本構成是與第1實施形態之光纖雷射裝置相同,但設有非需求光檢測部這點是與第1實施形態相異。
在圖4,與在第1實施形態所使用之圖1共通之構成要素是賦予相同之符號,省略說明。
如圖4所示,第3實施形態之光纖雷射裝置50是在光纖雷射裝置本體2之內部具備有非需求光檢測部51。非需求光檢測部51具備有分支耦合器52、光電二極體53。分支耦合器52是設在非需求光傳送用光纖5之中途。分支耦合器52之其中一方之輸出埠是透過光纖而與非需求光處理部11連接。分支耦合器52之另一方之輸出埠是透過光纖而與光電二極體53連接。
分支耦合器52是令在非需求光傳送用光纖5傳送之非需求光L1之一部分以預定之分岐比而分岐,朝光電二極體53導引。在本實施形態,使用分岐比為例如30~50dB程度之分支耦合器。光電二極體53是檢測以分支耦合器52所分岐之非需求光L1,用於測定非需求光L1之功率。其他之構成是與第1實施形態相同。
在本實施形態亦可獲得與第1實施形態同樣之效果,亦即可實現具有高的可靠性之小型之光纖雷射裝置。
另外,本實施形態的情況下,因為設有非需求光檢測部51,故可基於非需求光L1之功率之測定值與拉曼 波長轉換部10之轉換效率而推定拉曼光之功率。亦即,非需求光檢測部51是作為輸出光功率檢測部而發揮。根據該構成,與在輸出光傳送用光纖4設光檢測部的情況相較之下,可令身為輸出光之拉曼光L2之損失少。另外,因為拉曼光L2之損失會變成熱,故就可抑制不必要之發熱這點而言,安全性高。另外,因為輸出光傳送用光纖4傳送之光是包含拉曼光L2與非需求光L1,故無法藉由從輸出光傳送用光纖4漏出之光而正確地僅檢測拉曼光L2。相較於此,因為從非需求光傳送用光纖5漏出之光只有非需求光L1,故可較正確地推定輸出光功率。
另外,本實施形態的情況下,因為非需求光檢測部51是設在光纖雷射裝置本體2之內部,故可將光電二極體53之電路配線、基板收納在光纖雷射裝置本體2之內部,可謀求裝置之簡化。
附帶一提,雖然在第3實施形態是顯示了用到分支耦合器之非需求光檢測部之例,但非需求光檢測部之構成並不限於此。
舉例來說,如圖5所示之光纖雷射裝置60,亦可以採用在非需求光處理部61之內部設有包含分岐元件62與光電二極體53之非需求光檢測部63之構成。關於分岐元件62,舉例來說是使用濾光器、石英玻璃板等。分岐元件62是具有將未滿5%之光朝光電二極體側導引之程度之分岐比即可。入射非需求光處理部61之非需求光L1是因為分岐元件62而分岐,其中一方之光是被非需求光處理部61處理,另 一方之光是朝光電二極體53導引。該光纖雷射裝置60亦可獲得與第3實施形態相同之效果。
其他,關於非需求光檢測部,舉例來說亦可採用如下之構成:藉由令非需求光傳送用光纖彎曲、令非需求光傳送用光纖之被覆之一部分剝離等之方法而故意使非需求光之一部分漏出,並在非需求光漏出之部位配置光電二極體。
附帶一提,本發明之技術範圍並不限定於上述實施形態,可在不超脫本發明之旨趣之範圍施加各種變更。
舉例來說,雖然上述實施形態是以帶通濾波器(反射型濾波器)來作為分波元件之例,但亦可使用其他、WDM耦合器、稜鏡等。
另外,雖然上述實施形態舉例顯示之光纖雷射裝置是設有與光纖雷射裝置本體為不同個體之雷射頭之構成,但本發明亦可適用於以一殼體將光纖雷射裝置本體與雷射頭一體化之光纖雷射裝置。或者,亦可將本發明適用於不具有雷射頭而從輸出光傳送用光纖之端部(連接器等)輸出拉曼光之構成之光纖雷射裝置。
其他,與光纖雷射裝置之各構成要素之形狀、配置、材料等相關之具體記載並不限於上述實施形態,可適宜變更。另外,本發明亦可適用於CW光纖雷射裝置、脈衝光纖雷射裝置之任一者。
[產業利用性]
本發明舉例來說可使用在用於材料加工等之光纖雷射裝置。

Claims (9)

  1. 一種光纖雷射裝置,其特徵在於包含:光纖雷射裝置本體;拉曼波長轉換部,將入射光中之一部分之光之波長轉換;輸出光傳送用光纖,傳送從前述拉曼波長轉換部輸出之光;分波元件,設在前述輸出光傳送用光纖,令從前述拉曼波長轉換部輸出之光分波而成為拉曼光與非需求光,該非需求光具有與前述拉曼光的波長不同的波長;非需求光傳送用光纖,藉由前述分波元件而分波之前述非需求光之至少一部分會入射,可傳送前述非需求光之至少一部分,藉由前述分波元件被分波的前述拉曼光被輸出到外部空間。
  2. 如請求項1之光纖雷射裝置,其中前述分波元件是設在前述輸出光傳送用光纖之輸出側之端部。
  3. 如請求項1或2之光纖雷射裝置,更具有雷射頭,該雷射頭是透過前述輸出光傳送用光纖而與前述光纖雷射裝置本體連接,將前述拉曼光朝外部輸出;前述拉曼波長轉換部是設在前述光纖雷射裝置本體之內部;前述分波元件是設在前述雷射頭之內部。
  4. 如請求項1或2之光纖雷射裝置,更具有:非需求光處理部,處理藉由前述非需求光傳送用光纖而傳送之前述非需求光之至少一部分。
  5. 如請求項4之光纖雷射裝置,其中前述非需求光處理部是設在前述光纖雷射裝置本體。
  6. 如請求項1或2之光纖雷射裝置,其中前述非需求光傳送用光纖是以雙包層光纖構成。
  7. 如請求項1或2之光纖雷射裝置,其中前述輸出光傳送用光纖是以單模光纖構成;前述非需求光傳送用光纖是以多模光纖構成。
  8. 如請求項1或2之光纖雷射裝置,更具有:非需求光檢測部,檢測從前述非需求光傳送用光纖漏出之前述非需求光之一部分。
  9. 如請求項8之光纖雷射裝置,其中前述非需求光檢測部是設在前述光纖雷射裝置本體之內部。
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