TWI636154B - 用於處理可撓性基板之設備及清洗其之處理腔室的方法 - Google Patents

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Abstract

根據本揭露書，提供一種用於處理一可撓性基板的設備。此設備包括一處理腔室、一塗佈鼓、一個或更多的沉積源及一快門裝置，塗佈鼓於處理腔室內，並配置用來支撐可撓性基板，一個或更多的沉積源排列於處理腔室中，快門裝置提供於處理腔室內，並配置用來使一屏蔽薄片於塗佈鼓及一個或更多的沉積源之間移動。

Description

用於處理可撓性基板之設備及清洗其之處理腔室的方法
本揭露書之實施例是有關於一種薄膜處理設備，特別是有關於一種用以處理可撓性基板的設備，且更特別地是捲對捲式(Roll-to-Roll,R2R)系統。本揭露書之實施例特別是有關於捲對捲式化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,CVD)系統之電漿清洗處理腔室之設備及方法。
可撓性基板(例如塑膠薄膜或金屬薄片)之處理在封裝產業、半導體產業及其它產業中具有高的需求。處理可由以所需材料(例如一金屬、半導體及介電材料)對可撓性基板進行表面塗層、蝕刻、以及為了所需的應用在一基板上執行之其它處理步驟所組成。執行這項作業的系統通常包括一塗佈鼓(coating drum)(例如圓筒狀的輥)，其耦接至一處理系統以用來傳送基板，此基板的至少一部分於此系統上處理。捲對捲式塗佈系統可因此提供高產量系統。
典型地，塗佈製程(例如是一化學蒸發製程或一熱蒸發製程)可用來將材料薄層沉積於可撓性基板的上方。然而，捲對捲式沉積系統在顯示器產業及光電(photovoltaic,PV)產業中也歷經了強勢增長的需求。舉例來說，觸控面板元件、可撓性顯示器及可撓性光電模組在捲對捲式塗佈機中沉積適合的層的需求增加，尤其是在低的製造成本的趨勢下。然而，這種裝置一般具有若干層，其典型地以化學氣相沉積(CVD)製程來製造，且特別地還是電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)製程。
具有例如是化學氣相沉積、電漿輔助化學氣相沉積及/或物理氣相沉積(PVD)源之沉積設備可於沉積源之屏蔽上方及/或沉積源的圍繞部分產生沉積。為了避免交叉污染影響以及確保長期製程穩定性，必須執行設備清洗程序之後續使用。通常，針對此目的，係手工地開啟及清洗處理腔室。然而這是耗費時間的，且可能導致停機時間的增加，使得在腔室排氣之前的相同條件下，難以在後續的或替換的可撓性基板上進行處理。
因此，有著本領域中針對處理可撓性基板(例如OLED結構、半導體結構及其它現代更為複雜的裝置)之有效的設備的需求，以確保基板產量最大化，且停機時間最小化。
有鑑於上述，提供一種處理可撓性基板之設備及清洗其之處理腔室之方法。本發明之其它方面、優點及特徵從相關之申請專利範圍、說明內容及所附之圖式是清楚可見的。
一方面，提出一種用於處理一可撓性基板之設備。此設備包括一處理腔室、一塗佈鼓、一個或更多的沉積源及一快門裝置，塗佈鼓於處理腔室內，並配置用來支撐可撓性基板，一個或更多的沉積源排列於處理腔室中，快門裝置提供於處理腔室內，並配置用來使一屏蔽薄片於塗佈鼓及一個或更多的沉積源之間移動。
在另一方面，提出一種用於處理一可撓性基板之設備的一屏蔽薄片。此屏蔽薄片包括一個或更多的切口，這些切口對應至設備之一個或更多的沉積源之位置。
在又一其它方面，提出一種用於清洗一可撓性處理設備之一處理腔室的方法，而不破壞處理腔室中之真空。此設備包括一快門裝置，快門裝置提供於處理腔室內，並配置用來使一屏蔽薄片於一塗佈鼓及一個或更多的沉積源之間移動。此方法包括藉由快門裝置，導引屏蔽薄片於塗佈鼓及一個或更多的沉積源之間；於處理腔室中開始進行一第一抽氣及清洗製程；提供一清洗或蝕刻氣體至處理腔室；電漿清洗處理腔室；以及於處理腔室中開始進行一第二抽氣及清洗製程。
還有另一方面，提出一種用於處理一可撓性基板的設備。此設備包括一處理腔室、一塗佈鼓、一個或更多的沉積源及一快門裝置，塗佈鼓於處理腔室內，並配置用來支撐可撓性基板，一個或更多的沉積源排列於處理腔室中，快門裝置提供於處理腔室內。快門裝置包括至少一臂，此臂具有一第一部分及一臂 二部分，其中第一部分提供此臂一旋轉軸，且其中一屏蔽薄片係可連接至第二部分。快門裝置係配置用來使屏蔽薄片藉由臂繞著旋轉軸之旋轉，於塗佈鼓及一個或更多的沉積源之間移動。
實施例亦針對用於帶出所揭露之方法的設備，並包括用於執行各個所揭露之方法步驟的設備部件。這些方法步驟可藉由硬體元件、由合適的軟體編程之計算機、這兩種的任何組合或任何其它手段之方式來執行。再者，根據發明之實施例亦針對由上述設備操作之方法。其包括用於帶出設備每個功能的方法步驟。
100、1000‧‧‧設備
110、1100‧‧‧塗佈鼓
111‧‧‧旋轉軸
112、1120‧‧‧真空凸緣
115‧‧‧間隔物裝置
120、6300‧‧‧沉積源
200‧‧‧快門裝置
210‧‧‧臂
211‧‧‧第一部份
212‧‧‧第二部份
213‧‧‧中心孔
214‧‧‧第一齒輪
215‧‧‧第二齒輪
220、510、520、610‧‧‧捲輪接收器
221‧‧‧附接部
222‧‧‧接收部分
223、224‧‧‧輥
240‧‧‧第一位置
250‧‧‧第二位置
260、1080‧‧‧箭頭
300‧‧‧屏蔽薄片
301‧‧‧切口
400、1060‧‧‧可撓性基板
620‧‧‧導引軌
621‧‧‧支架
700‧‧‧方法
701、702、703、704、705‧‧‧區塊
1020A、1020B、1020C‧‧‧腔室部分
1020A1‧‧‧插件腔室部分單元
1020A2‧‧‧基板腔室部分單元
1050‧‧‧插件輥
1400‧‧‧縫隙閘
1920‧‧‧預處理電漿源
1940‧‧‧預熱單元
4300‧‧‧蝕刻台
4920‧‧‧離子化單元
4940‧‧‧光學量測單元
7010‧‧‧分離壁
7640‧‧‧第一捲輪
7640’‧‧‧第二捲輪
7660、7660’‧‧‧插件捲輪
本發明之上述特徵以此方式應可詳細理解，可藉由參考實施例得到以上總結之本發明更為具體的說明。有關於本發明之實施例的附圖描述如下：
第1A圖根據本文所述實施例，繪示用於處理可撓性基板之設備之處理腔室的部分示意圖。
第1B圖根據本文所述實施例，繪示用於沉積或塗佈一薄膜之一捲對捲式沉積設備的示意圖。
第2圖根據本文所述實施例，繪示用於處理一可撓性基板之設備之一塗佈鼓的側視剖面圖。
第3圖繪示第2圖所示之用於處理可撓性基板之設備之快門裝置之示意圖。
第4圖繪示用於處理可撓性基板之設備以及在不同位置之快 門裝置的詳細透視圖。
第5圖根據本文所述實施例，繪示用於處理一可撓性基板之設備之一塗佈鼓的前視剖面圖。
第6圖根據本文所述實施例，繪示用於處理一可撓性基板之設備部分的平面圖。
第7圖根據本文所述實施例，繪示用於處理一可撓性基板之另一設備的處理部的側視剖面圖。
第8圖根據本文所述實施例，繪示第7圖之設備和具有切口之屏蔽薄片的前視圖。
第9圖根據本文所述實施例，繪示用於處理一可撓性基板之又一設備的處理部的側視剖面圖。
第10圖根據本文所述實施例，繪示用於清洗一可撓性基板處理設備之處理腔室之方法的流程圖。
現將詳細討論本發明之各種實施例，以及圖式所繪示之一或多種範例。於下列圖式的描述中，相同的符號指稱相同的部件。通常，僅針對個別實施例的不同點進行說明。每一個範例係透過本發明之解釋來提供，且不應視為本發明之限制。並且，作為一實施例之一部分所繪示或描述之特徵，可使用於其他實施例之上，或配合其他實施例使用，以產生另一實施例。這代表此描述包括這樣的修改與變化。
這裡要注意的是，本文所述實施例中所使用的一可撓性基板或軟質基材(web)一般可具有可彎曲的特徵。用語「軟 質基材(web)」的意思可等同於用語「片(strip)」或用語「可撓性基板」。舉例來說，本文實施例中所述的軟質基材可為一薄片或其它可撓性基板。
本文所使用之用語「屏蔽薄片(shielding foil)」的意思是表示一薄片，其典型地是以不同於可撓性基板之材料的材料所製成。舉例而言，此薄片可由一金屬合金(例如是不鏽鋼)所構成。根據本文的實施例，屏蔽薄片可例如具有10微米至300微米的厚度，特別是50微米至125微米的厚度。用語「屏蔽薄片」的意思可等同於用語「犧牲薄片(sacrificial foil)」。
本文所述之實施例一般是有關於一種用於處理一可撓性基板的設備，以及用於清洗可撓性基板處理設備之處理腔室的方法，而不破壞處理腔室中的真空。此設備包括處理腔室內的快門裝置(shutter device)。此快門裝置使屏蔽薄片於塗佈鼓與一個或更多的沉積源之間移動。特別地，屏蔽薄片可覆蓋沉積源下方的區域，且可進行電漿清洗而不影響可撓性基板及/或塗佈鼓。
在本文所揭露的實施例中，由於快門裝置在清洗製程期間、甚至當處理腔室密封或抽氣時，可移動屏蔽薄片以保護塗佈鼓，故於清洗前並不需要破壞真空。並且，本實施例允許執行清洗製程(例如是NF3清洗製程)，而不移除可撓性基板(例如從電漿清洗區域移除)。並不需要為了移除可撓性基板而讓腔室清洗和排氣。可撓性基板(例如是軟質基材薄片)的長度可以長達數百公尺。即使某些製程必須要在二個製程之間進行清洗(例 如在整個基板長度被處理完之前)，不移除可撓性基板是有可能的。本文所描述之此實施例尤其可在軟質基材塗佈機中使用。
根據本文所示之實施例，用於處理一可撓性基板之設備100之處理腔室的一部分(特別是用於沉積一薄膜於一可撓性基板上方的部分)係示例性地繪示於第1A圖中。
此設備100包括一處理腔室、一塗佈鼓110、一個或更多的沉積源以及一快門裝置200，塗佈鼓110在處理腔室中並支撐可撓性基板，一個或更多的沉積源排列在處理腔室中，快門裝置200提供在處理腔室內並使一屏蔽薄片300於塗佈鼓110及一個或更多的沉積源之間移動。典型地，一個或更多的沉積源係伴隨著一縫隙(gap)設置，此縫隙存在於塗佈鼓110與一個或更多的沉積源之間。此縫隙可具有約0.5至50毫米的寬度。在一些實施方式中，快門裝置200可使屏蔽薄片300於塗佈鼓110與一個或更多的沉積源之間的縫隙中移動。典型地，此設備100更包括一軟質基材導引系統，軟質基材導引系統包括數個輥，例如偏向輥、導引輥、塗佈輥(spreader rollers)，以及用於退捲及回捲軟質基材的輥。
根據可與本文所述的其它實施例結合之一些實施例，快門裝置200可包括至少一第一部分及至少一第二部分。第一部分可提供快門裝置200之一旋轉軸。屏蔽薄片300可連接至第二部分，例如藉由夾合、夾持、膠合、磁力、焊接及鍛接中之至少一者連接至第二部分。屏蔽薄片300也可稱為「百葉窗(jalousie)」。 快門裝置200也可稱為「百葉窗快門(jalousie shutter)」。
藉由繞著旋轉軸旋轉，貼附至第二部分的屏蔽薄片300可在塗佈鼓110與一個或更多的沉積源之間移動。當屏蔽薄片300覆蓋沉積源下方的區域時，可進行電漿清洗。屏蔽薄片300可經由自動引動來移動，例如在初始清洗程序開始時。
根據一些實施例，其可與本文所述之其它實施例結合，快門裝置200可設置在塗佈鼓110的下方(塗佈鼓110之下)。屏蔽薄片300可從塗佈鼓110之下以一向上的方向移動，以設置在塗佈鼓110與一個或更多的沉積源之間。藉由使快門裝置200設置在塗佈鼓110下方，可最小化塗佈鼓110之上的設備部件的數量，尤其是移動設備部件。並且，從快門裝置200及/或屏蔽薄片300釋放出的粒子掉落至例如是處理腔室的底部，而不會到達或經過沉積區。有鑑於此，可防止沉積製程受到雜質的汙染，且特別是防止塗層受到雜質的汙染。換句話說，最小化了粒子風險。屏蔽薄片對清洗物質有抵抗性，使屏蔽薄片可重複使用，也就是說，在每一個清洗製程後並不需替換屏蔽薄片。
如第1A圖所示，在一些實施例中，塗佈鼓110可被一屏蔽結構真空凸緣112所圍繞。真空凸緣112可具有與之貼附的一處理腔室蓋。這樣的一蓋可包括多個開口，以取用處理工具。
根據一些實施例，其可與本文所述之其它實施例結合，此設備可包括至少一間隔物裝置115，於例如是提供於塗佈 鼓110之一側。在一些實施例中，設備100可在塗佈鼓110之各側各包括一間隔物裝置115。間隔物裝置115可為圓形，或可為圓形的一部分，其中間隔物裝置115之直徑可比塗佈鼓110之直徑大。間隔物裝置115可支撐屏蔽薄片300，特別於當屏蔽薄片300係於塗佈鼓110與一個或更多的沉積源120之間移動時支撐屏蔽薄片300。間隔物裝置115可於塗佈鼓110或配置在其上方的可撓性基板、以及屏蔽薄片300之間提供一縫隙。因此，當屏蔽薄片300於塗佈鼓110及一個或更多的沉積源120之間移動時，由於屏蔽薄片300沒有接觸塗佈鼓110或可撓性基板，可最小化塗佈鼓110或可撓性基板的損傷風險。
在一些其它實施方式中，此設備可不包括至少一間隔物裝置115，且當屏蔽薄片300於塗佈鼓110及一個或更多的沉積源120之間移動時，屏蔽薄片300可能接觸或觸碰到塗佈鼓110或配置在其上方的可撓性基板。在此情況下，屏蔽薄片300及承載可撓性基板的塗佈鼓110係以相同速度移動。換句話說，屏蔽薄片300相對塗佈鼓110之間實質上可無相對運動。
根據本文所述實施例，第1B圖繪示用於沉積或塗佈薄膜之一捲對捲式沉積設備1000的示意圖。根據本文所述實施例，設備1000可包括快門裝置。設備1000可包括至少三個腔室部分1020A、1020B及1020C。作為處理工具的多個沉積源6300及一蝕刻台4300可提供於腔室部分1020C。針對如本文所述的清洗製程，處理工具(例如多個沉積源6300及蝕刻台4300)可作 為清洗處理腔室的蝕刻工具使用。一可撓性基板1060係提供於一第一捲輪7640(例如具有一捲軸)上。可撓性基板1060係如箭頭1080所示之基板移動指示的方向從捲輪7640退捲。一分離壁7010係提供來分離腔室部分1020A及1020B。分離壁7010可進一步具有縫隙閘1400，以使基板1060通過。一真空凸緣1120提供於腔室部分1020B及1020C之間，且如上述配合第1A圖的內容所述，可具有多個開口，以取用處理工具。
基板1060係穿過沉積區移動，沉積區提供於一塗佈鼓1100及多個沉積源6300對應的位置上。在操作期間，塗佈鼓1100繞著一軸轉動，使基板1060沿著箭頭1080的方向移動。根據典型的實施例，基板係經由一個、二個或更多的輥，從捲輪7640至塗佈鼓1100並從塗佈鼓1100至第二捲輪7640’(例如具有一捲軸)所導引，於基板被處理後，基板在捲軸上被捲繞。
在一些實施方式中，第一腔室部分1020A係被分隔為一插件(interleaf)腔室部分單元1020A1及一基板腔室部分單元1020A2。因此，插件捲輪7660/7660’及插件輥1050可提供作為設備1000的一模組元件。設備1000可進一步包括一預熱單元1940，以加熱可撓性基板。並且，可額外或替換性地提供一預處理電漿源1920(例如一RF電漿源)，以在進入腔室部分1020C之前以電漿處理基板。
根據又一實施例，其可與本文所述之其它實施例結合，也可選擇性提供用以評估基板處理結果之一光學量測單元 4940及/或用以適配基板上之電荷的一個或更多個離子化單元4920。
第2圖根據本文所述實施例，繪示用於處理一可撓性基板之一設備之塗佈鼓110的側視剖面圖。第3圖繪示第2圖之設備之快門裝置200的示意圖。
根據一些實施例，其可與本文所述之其它實施例結合，快門裝置200可包括至少一臂210，臂210具有至少一第一部份211及至少一第二部分212。第一部份211可提供臂210之一旋轉軸。此設備可具有一個第一部份211，提供於塗佈鼓110的一側，或可具有二個第一部份211，塗佈鼓110的每一側有一個第一部份211。屏蔽薄片300可連接至第二部分212，例如是藉由夾合、夾持、膠合、磁力、焊接及鍛接中之至少一者連接至第二部分212。
藉由使臂210繞著第一部份211所定義之旋轉軸旋轉，貼附至第二部分212的屏蔽薄片300可於塗佈鼓110與沉積源120之間移動，且特別地可在上述提到之提供於塗佈鼓110和沉積源120之間的縫隙內移動。當蝕刻程序初始時，臂210可繞著塗佈鼓110的旋轉軸111移動，並傳送繞著塗佈鼓110貼附的屏蔽薄片300。在一些實施方式中，屏蔽薄片300可接觸塗佈鼓110或設置於其上之可撓性基板。當屏蔽薄片300覆蓋沉積源120下方的區域時，可進行電漿清洗。
根據一些實施例，其可與本文所述之其它實施例結 合，臂210之旋轉軸係實質上平行於塗佈鼓110之旋轉軸111。本文所述之實施例可指實質上平行或實質上垂直。意思是應各別理解為平行或垂直，其中可存在±10度的範圍內、或甚至更具體為在±5的範圍內的一些偏差。特別地，臂210之旋轉軸可對應至塗佈鼓110之旋轉軸111。在一些實施方式中，第一部份211可貼附至塗佈鼓110之旋轉軸111，以繞著所述之旋轉軸111旋轉。在一些實施例中，可提供一軸承(例如一套筒軸承或一滾子軸承)，以使臂210可旋轉。舉例來說，臂210(尤其是第一部分211)可經由軸承(例如一套筒軸承或一滾子軸承)貼附至塗佈鼓110之旋轉軸111。
在一些實施方式中，第一部份211可實質上垂直於旋轉軸111延伸，尤其可從塗佈鼓110之旋轉軸111至少延伸至塗佈鼓110之周圍表面。第一部份的長度可至少等於或大於塗佈鼓110的直徑。
根據一些實施例，其可與本文所述之其它實施例結合，第二部分212可實質上平行於塗佈鼓110之旋轉軸111延伸，尤其可沿著塗佈鼓110之至少一部分周圍表面延伸。在一些實施方式中，第二部分212可實質上沿著塗佈鼓110之周圍表面的整個長度延伸。在一些實施方式中，第二部分212可從第一部分211延伸。
根據一些實施例，其可與本文所述之其它實施例結合，第一部份211可沿著一第一方向延伸，第二部分212可沿著 一第二方向延伸，第二方向可實質上垂直於第一方向。在一些實施方式中，第一方向可實質上垂直於塗佈鼓110之旋轉軸111，及/或第二方向可實質上平行於塗佈鼓110之旋轉軸111。
基本上，雖可能以垂直於可撓性基板傳送之方向移動屏蔽工具，以在清洗流程期間覆蓋並保護塗佈鼓，在這種情況下，塗佈鼓的曲度和屏蔽薄片的曲度不會在傳送方向上平行。屏蔽薄片可能須在它的寬度方向上彎曲。然而，當它被捲起至一輥上，譬如捲輪接收器220，它將會在它的長度方向上變得彎曲。這樣，一剛性材料(譬如由金屬製成之一屏蔽薄片)可能會損壞。
參照第3圖，繪示具有一臂210的一快門裝置200，臂210具有二個第一部份211及一個第二部分212，第二部分212連接二個第一部份211。第一部份211可設置在塗佈鼓110的相對側上。換句話說，一個第一部份211可提供在塗佈鼓110的每一側上。
第一部份211可包括一孔或中心孔213，用於提供與一軸線或軸之連接，例如與塗佈鼓110之旋轉軸111連接。與中心孔213有關的可為一軸承(未繪示)，例如一套筒軸承或一滾子軸承，使第一部份211可旋轉。作為一範例，軸承可設置在中心孔213內，或可圍繞中心孔213提供。
根據一些實施例，其可與本文所述之其它實施例結合，快門裝置200可包括一驅動裝置，使屏蔽薄片300於塗佈鼓110及一個或更多的沉積源120之間移動。在一些實施方式中， 驅動裝置可使臂210繞著第一部份211提供之旋轉軸旋轉。根據一些實施例，驅動裝置可包括一馬達，例如一電動馬達及/或氣動馬達。
在一些實施方式中，驅動裝置可經由一齒輪組件連接至第一部份211。此齒輪組件可包括於第一部分211之一第一齒輪214。作為一範例，第一齒輪214可設置為至少部分地圍繞由第一部分211所定義之旋轉軸，特別是中心孔213。齒輪組件也可包括一第二齒輪215，第二齒輪215直接或間接地連接至一驅動機構，例如一馬達(例如一電動馬達及/或氣動馬達)。
根據一些實施例，其可與本文所述之其它實施例結合，快門裝置200可包括一個或更多的捲輪接收器220，用於捲繞及/或退捲屏蔽薄片300。此一個或更多的捲輪接收器220係用於接收屏蔽薄片300，且特別地用於接收或保持具有屏蔽薄片300捲繞於上方的一捲輪。因此，必要時，具有屏蔽薄片300之捲輪可輕易地替換。在一些實施例中，屏蔽薄片300之一第一端部可連接至捲輪接收器。作為一範例，屏蔽薄片300之第一端部可連接至捲輪接收器220，且屏蔽薄片300之一第二端部可連接至臂210之第二部分212。
根據一些實施例，其可與本文所述之其它實施例結合，一個或更多的捲輪接收器220可提供於處理腔室之內。並且屏蔽薄片300可(例如完全)提供於處理腔室之內，而不提供於處理腔室之外。有鑑於此，並不需要從外部例如透過真空鎖定， 將屏蔽薄片導引至處理腔室內。這樣有助於處理腔室的清洗，而不破壞處理腔室中的真空。
然而，在其它實施方式中，至少一捲輪接收器可提供於處理腔室之外部。在這種情況下，屏蔽薄片300可例如透過一空氣閉鎖從外部供應至處理腔室之內。在此種配置下，屏蔽薄片300之第一端部仍可連接至捲輪接收器220，且屏蔽薄片300之第二端部可連接至快門裝置，特別是臂210之第二部分212。
在一些實施方式中，一個或更多的捲輪接收器220中的至少一者可提供於塗佈鼓110的下方。藉由將一個或更多的捲輪接收器220設置於塗佈鼓110的下方，從一個或更多的捲輪接收器220及/或屏蔽薄片300釋放出的粒子掉落至例如是處理腔室的底部，而不會到達或經過沉積區。有鑑於此，可防止沉積製程受到雜質的汙染，且特別是防止塗層受到雜質的汙染。
根據一些實施例，其可與本文所述之其它實施例結合，捲輪接收器220可包括一接收部分222，用於接收屏蔽薄片300或具有屏蔽薄片300之一捲輪，特別是用於接收具有屏蔽薄片300捲繞於上方之一捲輪。
在典型的實施方式中，捲輪接收器220可具有至少一附接部221。附接部221可提供一轉動式連接於接收部分222或具有屏蔽薄片300之捲輪、以及處理腔室之間。接收部分222尤其可經由至少一附接部221裝設在處理腔室內。作為一範例，附接部221可包括或可連接至一軸承(例如一套筒軸承及/或一滾 子軸承)，以提供轉動式連接。在一些實施例中，附接部221可設置成至少使接收部分222繞著一旋轉軸可轉動。接收部分222之旋轉軸可實質上平行於塗佈鼓之旋轉軸。在典型的實施方式中，接收部分222可具有二個附接部221，接收部分222的每一側具有一個附接部221。
在其它實施例中，捲輪接收器可包括數個附接部，且可不包括捲輪接收器。捲輪接收器可包括至少二個獨立的(例如非連接的)附接部。捲輪接收器尤其可包括二個附接部。附接部可連接至具有屏蔽薄片300捲繞於上方之一捲輪，尤其可連接至具有屏蔽薄片300捲繞於上方之捲輪的一側。附接部可提供一轉動式連接於具有屏蔽薄片300之捲輪以及處理腔室之間。為此，附接部可包括或可連接至一軸承(例如一套筒軸承及/或一滾子軸承)。
在一些實施方式中，屏蔽薄片300係提供在捲輪接收器220上方，且屏蔽薄片300之一第一端係連接至臂210之第二部分212。當臂210繞著旋轉軸111旋轉時，屏蔽薄片300係從捲輪接收器220退捲或展開，且於塗佈鼓110與一個或更多的沉積源120之間移動，特別是於塗佈鼓110與一個或更多的沉積源120之間的一縫隙內移動。進一步參照第4圖來解釋之。
第4圖繪示用於處理一可撓性基板之設備之處理部以及在不同位置之快門裝置的詳細透視圖。
例如在一沉積製程期間，快門裝置200之臂210可 在一第一位置240中。在第一位置240中時，屏蔽薄膜300沒有配置於塗佈鼓110與沉積源120之間。作為一範例，在第一位置240中時，屏蔽薄片300可在一捲繞或捲起的狀態。為了使屏蔽薄片300於塗佈鼓110與沉積源120之間移動，臂210可從第一位置240移動或旋轉(箭頭260所指)至一第二位置250中。特別地，藉由移動臂210，屏蔽薄片300從捲輪接收器220退捲、展開或解開。
在一些實施方式中，捲輪接收器220可包括一回退機構，例如是一個彈簧應用的回退機構，其提供與屏蔽薄片300及/或臂210之移動相反的力，特別是與屏蔽薄片300及/或臂210從第一位置240移動至第二位置250相反的力。因此，屏蔽薄片300受張力，使其可於塗佈鼓及沉積源之間被導引，特別地，例如是在塗佈鼓及沉積源之間不會產生皺摺及/或纏捲。
當臂210從第二位置250返回至第一位置240中時，例如是已經完成清洗製程後，屏蔽薄片300可在捲輪接收器220上方回捲或重新捲繞。在一些實施方式中，捲輪接收器220可包括上述提到之回退機構，藉由回退機構，屏蔽薄片300可被捲起，特別是呈現一繃緊的狀態，因此沒有皺褶及/或纏捲產生。
根據一些實施例，其可與本文所述之其它實施例結合，捲輪接收器220可不包括回退機構，但可包括一驅動裝置，例如是一馬達，以在捲輪接收器上回捲屏蔽薄片300。
根據一些實施例，其可與本文所述之其它實施例結 合，臂210可旋轉約至少90°設置，特別是130°、140°、143°、150°或180°。換句話說，第一位置240與第二位置250之間的角度或旋轉角度可為約至少90°，且特別為130°、140°、143°、150°或180°。
鑒於上述，屏蔽薄片300可覆蓋沉積源120下方的區域，且可進行電漿清洗而不影響可撓性基板及/或塗佈鼓110。鑒於此，由於快門裝置200在清洗製程期間、甚至當處理腔室密封或抽氣時，可移動屏蔽薄片300以保護塗佈鼓110，於清洗前並不需要破壞真空。並且，本實施例允許執行清洗製程(例如是NF3清洗製程)，而不移除可撓性基板(例如從電漿清洗區域)。並不需要為了移除可撓性基板而讓腔室清洗和排氣。
第5圖繪示用於處理一可撓性基板之具有快門裝置之設備之處理部的另一透視圖。
第5圖之快門裝置可配置為上述參照第3圖之快門裝置200。第5圖中係提供二個第一部份211，塗佈鼓110的每一側上具有一個第一部份211。捲輪接收器220可提供於塗佈鼓110的下方。作為一範例，屏蔽薄片300之第一端部可連接至捲輪接收器220，且屏蔽薄片300之第二端部可連接至臂210之第二部分212。
在一些實施例中，塗佈鼓110之旋轉軸可為或對應至由第一部分211所提供之臂210之旋轉軸。特別地，其之旋轉軸111或一軸可用於保持塗佈鼓110與臂210兩者而配置，且尤 其是用於保持臂210之第一部分211。
第6圖根據本文所述實施例，繪示用於處理一可撓性基板之設備之處理部的平面圖。
根據一些實施例，其可與本文所述之其它實施例結合，屏蔽薄片300之第一端部可連接至捲輪接收器，特別是連接至接收部分222，且屏蔽薄片300之第二端部可連接至臂之第二部分212。在一些實施方式中，用於導引或使屏蔽薄片偏向的一個或更多的導引輥或偏向輥223、224可提供於捲輪接收器之一位置與第二部分212之間。可配置輥223、224以提供於塗佈鼓110之周圍表面的切線及屏蔽薄片300之表面之間的一定義角度。
一可撓性基板400可配置於塗佈鼓110的上方。快門裝置可使屏蔽薄片300於沉積源120與可撓性基板400之間移動，尤其可使屏蔽薄片300於沉積源120與可撓性基板400間的一縫隙內移動。由於可撓性基板400被保護而免於受到清洗物質(例如NF3及SF6)汙染，因此，在開始清洗製程(例如是一電漿清洗製程)前，並不需要將可撓性基板400從處理腔室移除。
第7圖根據本文所述實施例，繪示用於處理一可撓性基板之另一設備500的處理部的側視剖面圖。第8圖根據本文所述實施例，繪示第7圖之設備500和具有切口301之屏蔽薄片300的前視圖。
根據一些實施例，其可與本文所述之其它實施例結 合，設備500可包括二個或更多的捲輪接收器510、520，用以捲繞及/或退捲屏蔽薄片300。在一些實施方式中，設備500可包括一第一捲輪接收器510及一第二捲輪接收器520。作為一範例，屏蔽薄片300之一第一端部可連接至第一捲輪接收器510，及/或屏蔽薄片300之一第二端部可連接至第二捲輪接收器520。捲輪接收器510及520可配置為上述之多個捲輪接收器220中的任一者。
在一些實施方式中，第一捲輪接收器510係提供於塗佈鼓110之下，第二捲輪接收器520係提供於塗佈鼓110之上。換句話說，第一捲輪接收器510及第二捲輪接收器520係提供於塗佈鼓110實質上的相對側上。
在一些實施例中，第一捲輪接收器510及/或第二捲輪接收器520可包括一回退機構，例如是一個彈簧應用的回退機構，其提供屏蔽薄片300趨向捲繞或捲起的力。因此，屏蔽薄片300受張力，使其可於塗佈鼓及沉積源之間被導引，特別地，在塗佈鼓及沉積源之間不會產生皺摺及/或纏捲。
根據一些實施例，其可與本文所述之其它實施例結合，屏蔽薄片300包括一個或更多的切口301。在一些實施方式中，此一個或更多的切口分別對應至一個或更多的沉積源120之位置。
在一些實施方式中，快門裝置可使屏蔽薄片300於至少一第一位置與一第二位置之間移動。作為一範例，在第一位 置中，一個或更多的切口可相對於塗佈鼓110設置，使它們對應至一個或更多的沉積源120之位置。由於沉積源120面對可撓性基板，而不是配置於其間的屏蔽薄片300，可執行用於處理可撓性基板之沉積製程。在第二位置中，屏蔽薄片300可配置於沉積源120與塗佈鼓110之間，藉此提供屏蔽。特別地，屏蔽薄片300可覆蓋沉積源120下方的區域，可進行電漿清洗而不影響可撓性基板及/或塗佈鼓110。更特別地，屏蔽薄片300可覆蓋所有處理工具(例如沉積源120)下方的區域。
鑒於此，由於快門裝置在清洗製程期間、甚至當處理腔室密封或抽氣時，可移動屏蔽薄片300以保護塗佈鼓110，於清洗前並不需要破壞真空。並且，本實施例允許執行清洗製程(例如是NF3清洗製程)，而不移除可撓性基板(例如從電漿清洗區域)。並不需要為了移除可撓性基板而讓腔室清洗和排氣。
根據一些實施例，其可與本文所述之其它實施例結合，屏蔽薄片300由一金屬合金(特別是不鏽鋼)所構成。這讓屏蔽薄片300對清洗製程中所使用的清洗物質(例如NF3及SF6)有抵抗性。
快門裝置可使屏蔽薄片300於至少第一位置與第二位置之間移動。根據一些實施例，其可與本文所述之其它實施例結合，快門裝置200可包括一驅動裝置，使屏蔽薄片300於第一位置及第二位置之間移動。在一些實施方式中，驅動裝置可被配置來驅動及/或旋轉第一捲輪接收器510及/或第二捲輪接收器520。 根據一些實施例，驅動器可包括一馬達，例如一電動馬達及/或氣動馬達。
作為一範例，驅動裝置可被配置來旋轉第一捲輪接收器510，第一捲輪接收器510可於塗佈鼓110的下方提供。第二捲輪接收器520可包括一回退機構，例如是一個彈簧應用的回退機構，其提供屏蔽薄片300趨向捲繞或捲起的力。因此，即使當第一捲輪接收器510藉由驅動裝置的方式旋轉時，屏蔽薄片300受張力，使其可於塗佈鼓及沉積源之間被導引，特別地，在塗佈鼓及沉積源之間不會產生皺摺或纏捲。
在另一範例中，驅動裝置可被配置來旋轉第二捲輪接收器520，第二捲輪接收器520可於塗佈鼓110的上方提供。第一捲輪接收器510可包括一回退機構，例如是一個彈簧應用的回退機構，其提供屏蔽薄片300趨向捲繞或捲起的力。因此，即使當第二捲輪接收器520藉由驅動裝置的方式旋轉時，屏蔽薄片300受張力，使其可於塗佈鼓及沉積源之間被導引，特別地，在塗佈鼓及沉積源之間不會產生皺摺或纏捲。
根據一些實施例，其可與本文所述之其它實施例結合，快門裝置可包括一線或帶，以使屏蔽薄片300於第一位置與第二位置之間移動。此線或帶可具有一第一端、一第二端及一中間部分。第一端可在第一捲輪接收器510或靠近第一捲輪接收器510處提供，第二端可在第二捲輪接收器520或靠近第二捲輪接收器520處提供。線或帶的中間部分可連接至屏蔽薄片300，以 使屏蔽薄片300於第一位置與第二位置之間移動。因此，屏蔽薄片300可隨著線或帶的移動而移動。用語屏蔽薄片300的「中間部分」可表示第一端部及第二端部之間之屏蔽薄片300的任何部分。
快門裝置可包括一驅動裝置，驅動裝置被配置以捲繞線或帶及/或退捲線或帶，以使屏蔽薄片300於第一位置與第二位置之間移動。特別地，線或帶的第一端或第二端可連接至驅動裝置，而另一端可連接至一回退裝置。或者，第一端可連接至一第一驅動裝置，第二端可連接至一第二驅動裝置。在所有的情形中，屏蔽薄片300可藉由捲繞及/或退捲線或帶，於第一位置與第二位置間移動。在一些實施方式中，線或帶係由鋼(特別是不鏽鋼)所製成。
在一些實施方式中，間隔物裝置115可於其之一周圍表面上包括一切口或倒角，以接收及導引線。切口或倒角的深度可實質上對應至線的直徑，以確保線之中間部分與屏蔽薄片300的連接。
第9圖根據本文所述實施例，繪示用於處理一可撓性基板之又一設備600的處理部的側視剖面圖。
設備600包括處理腔室、塗佈鼓110、一個或更多的沉積源120及一快門裝置，塗佈鼓110於處理腔室中，且被配置來支撐可撓性基板，一個或更多的沉積源120係於處理腔室中排列，快門裝置係於處理腔室內提供，且被配置來使屏蔽薄片300 於塗佈鼓110及一個或更多的沉積源120間移動。
在一些實施方式中，塗佈鼓110可由一屏蔽結構所圍繞，以保護處理腔室內所提供之至少一些元件，例如是用於使塗佈鼓110、冷卻裝置及電子裝置避免受到沉積材料的汙染或塗佈之驅動裝置。
根據一些實施例，其可與本文所述之其它實施例結合，快門裝置可包括至少一導引軌620及至少一支架621，支架621沿著導引軌620係可移動的。支架621可連接至屏蔽薄片300，以使屏蔽薄片300於塗佈鼓110與一個或更多的沉積源120之間移動，特別是使屏蔽薄片300於塗佈鼓110與一個或更多的沉積源120之間的一縫隙中移動。此至少一導引軌620及至少一支架621可僅於塗佈鼓110的一側上提供。而且，至少一導引軌620及至少一支架621可於塗佈鼓110的每一側上提供。作為一範例，導引軌620可裝設於間隔物裝置115的上方，如第9圖所示。快門裝置可如上述第1圖所述之內容配置。
在一些實施方式中，快門裝置可包括一個或更多的捲輪接收器610，捲輪接收器610用於捲繞及/或退捲屏蔽薄片300。此一個或更多的捲輪接收器610可配置來接收屏蔽薄片300，特別是具有屏蔽薄片300捲繞於上方之一捲輪。因此，必要時，具有屏蔽薄片300之捲輪可輕易地替換。在一些實施例中，屏蔽薄片300之一第一端部可連接至捲輪接收器610。作為一範例，屏蔽薄片300之第一端部可連接至捲輪接收器610，且屏蔽薄片300 之一第二端部可連接至支架621。
根據一些實施例，其可與本文所述之其它實施例結合，一個或更多的捲輪接收器610可提供於處理腔室之內。並且屏蔽薄片300可(例如完全)提供於處理腔室之內，而不提供於處理腔室之外。不需要從外部例如透過真空鎖定，將屏蔽薄片導引至處理腔室內。這樣有助於處理腔室的清洗，而不破壞處理腔室中的真空。
然而，在其它實施方式中，至少一捲輪接收器610可提供於處理腔室之外部。在這種情況下，屏蔽薄片300可例如透過一空氣閉鎖從外部供應至處理腔室之內。在此種配置下，屏蔽薄片300之第一端部仍可連接至捲輪接收器610，且屏蔽薄片300之第二端部可連接至快門裝置，特別是支架621。
在一些實施方式中，一個或更多的捲輪接收器610可提供於塗佈鼓110的下方。藉由將一個或更多的捲輪接收器610設置於塗佈鼓110的下方，從一個或更多的捲輪接收器610及/或屏蔽薄片300釋放出的粒子掉落至例如是處理腔室的底部，而不會到達或經過沉積區。有鑑於此，可防止沉積製程受到雜質的汙染，且特別是防止塗層受到雜質的汙染。
此一個或更多的捲輪接收器610可配置為上述第1至8圖所述之多個捲輪接收器220中的任一者。
在一些其它實施方式中，設備600可包括一第一捲輪接收器及一第二捲輪接收器。作為一範例，屏蔽薄片300之一 第一端部可連接至第一捲輪接收器，及/或屏蔽薄片300之一第二端部可連接至第二捲輪接收器。第一捲輪接收器及第二捲輪接收器可配置為上述之多個捲輪接收器220中的任一者。屏蔽薄片300的一中間部分可連接至支架621。因此，屏蔽薄片300可隨著支架621的移動而移動，尤其是隨著支架沿著導引軌620的移動而移動。用語屏蔽薄片300的「中間部分」可表示第一端部及第二端部之間之屏蔽薄片300的任何部分。
在一些實施方式中，第一捲輪接收器係提供於塗佈鼓110之下，第二捲輪接收器係提供於塗佈鼓110之上。換句話說，第一捲輪接收器及第二捲輪接收器係提供於塗佈鼓110實質上的相對側上。
在一些實施例中，第一捲輪接收器及/或第二捲輪接收器可包括一回退機構，例如是一個彈簧應用的回退機構，其提供屏蔽薄片300趨向捲繞或捲起的力。因此，屏蔽薄片300受張力，使其可於塗佈鼓110及沉積源之間被導引，特別地，在塗佈鼓110及沉積源之間不會產生皺摺及/或纏捲。
根據一些實施例，其可與本文所述之其它實施例結合，屏蔽薄片300包括一個或更多的切口301。在一些實施方式中，此一個或更多的切口分別對應至一個或更多的沉積源120之位置。
在一些實施方式中，快門裝置之支架621可使屏蔽薄片300於至少一第一位置與一第二位置之間移動。作為一範例， 在第一位置中，一個或更多的切口可相對於塗佈鼓110設置，使它們對應至一個或更多的沉積源120之位置。由於沉積源120面對可撓性基板，而不是配置於其間的屏蔽薄片300，可執行用於處理可撓性基板之沉積製程。在第二位置中，屏蔽薄片300可配置於沉積源120與塗佈鼓之間，藉此提供屏蔽。特別地，屏蔽薄片300可覆蓋沉積源下方的區域，可進行電漿清洗而不影響可撓性基板及/或塗佈鼓。更特別地，屏蔽薄片300可覆蓋所有處理工具(例如沉積源120)下方的區域。
鑒於此，由於快門裝置之支架621在清洗製程期間、甚至當處理腔室密封或抽氣時，可移動屏蔽薄片以保護塗佈鼓110，於清洗前並不需要破壞真空。並且，本實施例允許執行清洗製程(例如是NF3清洗製程)，而不移除可撓性基板(例如從電漿清洗區域)。並不需要為了移除可撓性基板而讓腔室清洗和排氣。
第10圖根據本文所述實施例，繪示用於清洗一可撓性基板處理設備之處理腔室之方法的流程圖。
通常，本文所述之實施例有關於如上例示性地描述之可撓性基板設備，以及用於清洗特別是這樣的設備之處理腔室之裝置與方法。舉例來說，第10圖繪示用於清洗一可撓性基板處理設備之處理腔室的方法700，而不破壞處理腔室中之真空，且/或不移除可撓性基板。此方法包括導引於塗佈鼓及至少一沉積源間之處理腔室內所提供之一屏蔽薄片(區塊701)；於處理腔室 中開始第一抽氣及清洗製程(區塊702)；提供一清洗或蝕刻氣體至處理腔室(區塊703)；電漿清洗處理腔室(區塊704)；以及於處理腔室中開始一第二抽氣及清洗製程(區塊705)。
因此，這些步驟(特別是關於抽氣及清洗步驟)的順序係可變的，只要在電漿清洗期間，屏蔽薄片係提供於塗佈鼓及至少一沉積源之間。
根據本文所述實施例，上述用於清洗可撓性基板處理設備之處理腔室的方法可包括多道依照需求而加入的額外步驟及/或製程。
區塊701(導引於塗佈鼓及至少一沉積源間之處理腔室內所提供之一屏蔽薄片)可利用上述第1至9圖所提到的任何快門裝置。根據可與本文所述其它實施例結合之本文的實施例，導引屏蔽薄片於塗佈鼓及一個或更多的沉積源之間的步驟可包括導引屏蔽薄片於一縫隙內，此縫隙提供於塗佈鼓或置於塗佈鼓上之可撓性基板、以及一個或更多的沉積源之間，特別是不接觸到塗佈鼓或置於塗佈鼓上之可撓性基板。
可開始區塊702中第一抽氣及/或清洗製程，以將遺留的處理氣體從處理腔室中去除。通常，先啟動幫浦，以將處理氣體(例如高反應處理氣體)從處理腔室排出。之後，可導入任意的淨化氣體(例如氬氣和氮氣)至處理腔室中，以有助於清洗製程。淨化氣體可接著被抽出於處理腔室之外。幫浦通常使處理腔室內部產生中至高的真空度。舉例來說，處理腔室內部的真空 度可以是從50×10-1毫巴(mbar)至10-7毫巴範圍的任一值，特別是從10-2毫巴至10-6毫巴範圍的任一值，例如示10-3毫巴。根據一些實施例，一些製程殘餘物(例如氣體或固體材料)可能需要在清洗步驟前移除，以避免不必要的化學反應。這通常採用一抽氣-清洗製程。根據一些實施例，其可與本文所述之其它實施例結合，如本所所述之抽氣與清洗製程可包括數個循環，例如抽氣至10-2毫巴左右或以下、且以高達10毫巴至20毫巴左右之壓力的一惰性氣體(例如氬氣或氮氣)清洗，進行至少二個或至少三個循環。然而，對於一些實施例中，只有抽氣或只有清洗可能便足以準備清洗之處理設備。
典型地，抽氣及/或清洗製程(區塊702)可持續5分鐘至30分鐘內的任意時間，例如是20分鐘。此外，此製程可包括數個連續的抽氣及清洗循環，例如三個循環，每循環各持續5分鐘。根據本文之實施例，一檢測機構(例如是以一感測器的形式)可檢測連續的抽氣及清洗循環是否需要將處理氣體從處理腔室移除。此檢測機構可自動開始淨化及/或清洗製程。
通常，在可能包括高放熱反應的塗佈製程之後，可能需要冷卻可撓性基板處理設備之塗佈鼓。例如可在第一抽氣及/或清洗製程之後及/或第一抽氣及/或清洗製程期間的任何步驟中冷卻塗佈鼓。
根據本文所述實施例，可開始一電漿清洗(例如電漿蝕刻)製程(區塊703)，其可將雜質及汙染物從處理腔室內之 表面移除。典型地，電漿清洗製程係在第一抽氣及/或清洗製程後開始。電漿清洗可藉由施加RF高頻(2MHz至2.45GHz)電壓開始，電漿清洗使導入至處理腔室中的氟化氣體部分及/或全部離子化。在本文所述實施例中，處理腔室於電漿清洗製程期間係保持在低壓。舉例來說，處理腔室係保持在10-1毫巴至10-4毫巴內的任何壓力，例如是在10-2毫巴的壓力。
典型地，為了控制如處理腔室內的汙染物移除速率，RF高頻(2MHz至2.45GHz)能量強度為可調整的。通常，可施加足夠的RF高頻(2MHz至2.45GHz)能量強度，以產生高電漿密度，高的電漿密度可確保高的汙染物移除速率。此外，高的電漿密度可避免污染物下層在三維方向上交聯，而產生穩定但未移除的新結構。在本文所述之實施例中，可使用感測器及控制器，以監測並調整電漿密度。
根據本文所述實施例，於電漿清洗製程期間，塗佈鼓一般可為直立不動的。屏蔽薄片一般覆蓋塗佈鼓，藉此保護塗佈鼓的表面不受到清洗電漿影響。相對於可與清洗電漿反應且損傷的可撓性基板，根據本文所述實施例之屏蔽薄片就清洗電漿而言可為惰性的，且可在其它清洗製程中重複使用。這減少了材料(基板)浪費的量，且可相當多地減少CoO的量。進一步地，減少或避免損傷基板的風險，損傷基板會使塗佈鼓透過基板的損傷部分暴露於清洗電漿。
根據本文所述實施例，電漿清洗製程持續的時間可 取決於污染的程度與處理腔室之大小而改變。舉例來說，電漿清洗製程可持續2分鐘至25分鐘，特別是持續5分鐘至20分鐘，例如是15分鐘。根據一些實施例，其可於本文所述其它實施例結合，清洗製程的時間可為約10%至15%之沉積製程的時間。在本文的實施例中，電漿清洗製程也可包括一系列的電漿清洗循環及在其間插入用以將清洗氣體從處理腔室移除之一個或更多的抽氣及/清洗循環。為了使描述清處，這些抽氣及/或清洗循環將在後方以第二抽氣及/或清洗製程表示。
在本文所述實施例中，一檢測機構可檢測汙染物是否仍殘留於處理腔室中，且可開始另一抽氣及/或清洗製程，及/或在另一更抽氣及/或清洗製程後進一步的電漿清洗製程。檢測機構可開始多次這樣的清洗製程，直到所有的污染物、清洗及/或處理氣體都已從處理腔室移除。
根據本文所述實施例，於處理腔室已清洗至一可接受或預定的程度，且第二抽氣及/或清洗製程(區塊704)已完成後，可開始進行可撓性基板的處理。
本文所述之實施例一般有關於一種用於處理一可撓性基板之設備，及一種用於清洗可撓性基板處理設備之一處理腔室的方法，而不破壞處理腔室中的真空。此設備包括於處理腔室內的快門裝置。快門裝置係配置來使屏蔽薄片於塗佈鼓及一個或更多的沉積源之間移動，屏蔽薄片也可於處理腔室內提供。特別地，屏蔽薄片可覆蓋沉積源下方的區域，且可進行電漿清洗而不 影響可撓性基板及/或塗佈鼓。更特別地，屏蔽薄片300可覆蓋所有處理工具下方的區域，例如沉積源120。
鑒於此，由於快門裝置係提供於處理腔室內，且在清洗製程期間、甚至當處理腔室密封或抽氣時，可移動屏蔽薄片以保護塗佈鼓，於清洗前並不需要破壞真空。並且，本實施例允許執行清洗製程(例如是NF3清洗製程)，而不移除可撓性基板(例如從電漿清洗區域)。並不需要為了移除可撓性基板而讓腔室清洗和排氣。可撓性基板(例如是軟質基材薄片)的長度可以長達數百公尺。即使某些製程必須要在之中清洗，例如在處理基板長度整體之前，不移除可撓性基板是有可能的。本文所描述之此實施例在進行蝕刻製程前，尤其可在軟質基材塗佈機中使用。
綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (20)

  1. 一種用於處理一可撓性基板的設備，包括：一處理腔室；一塗佈鼓，於該處理腔室中，該塗佈鼓係配置用來支撐該可撓性基板；一個或更多的沉積源，排列於該處理腔室中；以及一快門裝置，提供於該處理腔室內，該快門裝置係配置用來使一屏蔽薄片於該塗佈鼓及該一個或更多的沉積源之間移動。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之設備，更包括一個或更多的捲輪接收器，係配置用來捲繞及/或退捲該屏蔽薄片。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之設備，其中該一個或更多的捲輪接收器係提供於該塗佈鼓的下方。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之設備，其中該一個或更多的捲輪接收器係提供於該處理腔室內。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之設備，其中該一個或更多的捲輪接收器包括：一第一捲輪接收器，配置用來捲繞及退捲該屏蔽薄片；以及一第二捲輪接收器，配置用來捲繞及退捲該屏蔽薄片。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之設備，其中該屏蔽薄片之一第一端部係可連接至該第一捲輪接收器，且其中該屏蔽薄片之一第二端部係可連接至該第二捲輪接收器。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之設備，其中該第一捲輪接收器係提供於該塗佈鼓的下方，且/或該第二捲輪接收器係提供於該塗佈鼓的上方。
  8. 如申請專利範圍第1至7項之任一項所述之設備，其中該快門裝置包括至少一臂，該至少一臂具有一第一部分與一第二部分，其中該第一部分提供該至少一臂之一旋轉軸，且其中該屏蔽薄片係可連接至該第二部分。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之設備，其中該至少一臂之該旋轉軸係實質上平行於該塗佈鼓之一旋轉軸。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之設備，其中該至少一臂之該旋轉軸對應至該塗佈鼓之該旋轉軸。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之設備，其中該第一部分實質上垂直於該塗佈鼓之該旋轉軸延伸，且/或其中該第二部分實質 上平行於該塗佈鼓之該旋轉軸延伸。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之設備，其中該第一部分從該塗佈鼓之該旋轉軸延伸至少至該塗佈鼓之一周圍表面，且/或其中該第二部分沿著該塗佈鼓之該周圍表面之至少一部分延伸。
  13. 如申請專利範圍第5至7項之任一項所述之設備，其中該快門裝置更包括一線或帶，該線或帶具有一第一端與一第二端，其中該第一端係提供於該第一捲輪接收器，且該第二端係提供於該第二捲輪接收器，且其中該線或帶的一中間部分係可連接至該屏蔽薄片，以使該屏蔽薄片於該塗佈鼓及該一個或更多的沉積源之間移動。
  14. 如申請專利範圍第5至7項之任一項所述之設備，其中該快門裝置更包括一導引軌及一支架，該支架沿著該導引軌係可移動的，且其中該支架係可連接至該屏蔽薄片，以使該屏蔽薄片於該塗佈鼓及該一個或更多的沉積源之間移動。
  15. 如申請專利範圍第1至7項之任一項所述之設備，其中該快門裝置更包括一驅動裝置，該驅動裝置係配置用來使該屏蔽薄片於該塗佈鼓及該一個或更多的沉積源之間移動。
  16. 一種使用於如申請專利範圍第1至7項之任一項之設備的屏蔽薄片，其中該屏蔽薄片包括一個或更多的切口。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之屏蔽薄片，其中該一個或更多的切口各自對應至該一個或更多的沉積源之位置。
  18. 如申請專利範圍第16至17項之任一項所述之屏蔽薄片，其中該屏蔽薄片由一金屬合金所構成。
  19. 一種用於清洗一可撓性基板之一處理設備之一處理腔室而不破壞該處理腔室中之真空的方法，該處理設備包括一快門裝置，該快門裝置提供於該處理腔室內，並配置用來使一屏蔽薄片於一塗佈鼓及一個或更多的沉積源之間移動，該方法包括：藉由該快門裝置，導引該屏蔽薄片於該塗佈鼓及該一個或更多的沉積源之間；於該處理腔室中開始進行一第一抽氣及清洗製程；提供一清洗或蝕刻氣體至該處理腔室；電漿清洗該處理腔室；以及於該處理腔室中開始進行一第二抽氣及清洗製程。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中導引該屏蔽薄片於該塗佈鼓及該一個或更多的沉積源之間的步驟包括： 導引該屏蔽薄片於一縫隙內，該縫隙提供於該塗佈鼓或置於該塗佈鼓上之該可撓性基板、以及該一個或更多的沉積源之間。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102430579B1 (ko) * 2015-12-30 2022-08-08 엘지디스플레이 주식회사 롤투롤 방식의 증착장치
WO2018149510A1 (en) * 2017-02-20 2018-08-23 Applied Materials, Inc. Deposition apparatus for coating a flexible substrate and method of coating a flexible substrate
WO2018228683A1 (en) * 2017-06-14 2018-12-20 Applied Materials, Inc. Deposition apparatus for coating a flexible substrate and method of coating a flexible substrate
WO2019063061A1 (en) * 2017-09-26 2019-04-04 Applied Materials, Inc. MATERIAL DEPOSITION ARRANGEMENT, VACUUM DEPOSITION SYSTEM, AND ASSOCIATED METHODS
AU2020230456A1 (en) * 2019-03-05 2021-09-30 Xefco Pty Ltd Improved vapour deposition system, method and moisture control device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5215589A (en) * 1992-03-10 1993-06-01 Leybold Aktiengesellschaft High-vacuum coating apparatus
JP2000239849A (ja) * 1999-02-25 2000-09-05 Hitachi Maxell Ltd 連続プラズマｃｖｄ法及びｃｖｄ装置
JP2008057020A (ja) * 2006-09-01 2008-03-13 Ulvac Japan Ltd 巻取式プラズマｃｖｄ装置
US20110065282A1 (en) * 2009-09-11 2011-03-17 General Electric Company Apparatus and methods to form a patterned coating on an oled substrate

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2682087Y (zh) * 2004-02-17 2005-03-02 杨金波 滚落式双阴极平面磁控溅射金属膜电阻镀膜装置
US7799182B2 (en) * 2006-12-01 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Electroplating on roll-to-roll flexible solar cell substrates
US8900471B2 (en) * 2009-02-27 2014-12-02 Applied Materials, Inc. In situ plasma clean for removal of residue from pedestal surface without breaking vacuum
US8088224B2 (en) * 2010-01-15 2012-01-03 Solopower, Inc. Roll-to-roll evaporation system and method to manufacture group IBIIAVIA photovoltaics
EP2702187B1 (en) * 2011-04-29 2018-11-14 Applied Materials, Inc. Devices and methods for passivating a flexible substrate in a coating process
DE102012209051A1 (de) * 2012-05-30 2013-12-05 Roth & Rau Ag Schutzfolienanordnung für Vakuumbeschichtungsanlagen

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5215589A (en) * 1992-03-10 1993-06-01 Leybold Aktiengesellschaft High-vacuum coating apparatus
JP2000239849A (ja) * 1999-02-25 2000-09-05 Hitachi Maxell Ltd 連続プラズマｃｖｄ法及びｃｖｄ装置
JP2008057020A (ja) * 2006-09-01 2008-03-13 Ulvac Japan Ltd 巻取式プラズマｃｖｄ装置
US20110065282A1 (en) * 2009-09-11 2011-03-17 General Electric Company Apparatus and methods to form a patterned coating on an oled substrate

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