TWI632169B - 高分子複合材料、高分子複合材料的製造方法,使用高分子複合材料的電容器封裝結構及電容器封裝結構的製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種高分子複合材料、高分子複合材料的製造方法,使用高分子複合材料的電容器封裝結構及電容器封裝結構的製造方法。高分子複合材料應用於電容器的陰極部,其中,所述高分子複合材料包含聚二氧乙基噻吩、聚苯乙烯磺酸以及一奈米碳材,聚苯乙烯磺酸連接於所述奈米碳材以及聚二氧乙基噻吩之間,且聚苯乙烯磺酸與聚二氧乙基噻吩通過聚合反應相互鍵結,且按所述高分子複合材料的重量計,所述奈米碳材的含量為0.01-1.5重量%。藉此,本發明所提供的高分子複合材料可以有效提升電容器的電氣特性。
Description
本發明涉及一種高分子複合材料,特別是涉及一種用於電容器封裝結構的高分子複合材料。
電容器已廣泛地被使用於消費性家電用品、電腦主機板及其周邊、電源供應器、通訊產品、及汽車等的基本元件,其主要的作用包括:濾波、旁路、整流、耦合、去耦、轉相等。是電子產品中不可缺少的元件之一。電容器依照不同的材質及用途,有不同的型態,包括鋁質電解電容、鉭質電解電容、積層陶瓷電容、薄膜電容等。先行技術中,固態電解電容器具有小尺寸、大電容量、頻率特性優越等優點,而可使用於中央處理器的電源電路的解耦合作用上。固態電解電容器是以固態電解質取代液態電解液做為陰極,而導電高分子基於其高導電性、製程容易等優點已被廣泛應用於固態電解電容的陰極材料。導電高分子包含聚苯胺(polyaniline,PAni)、聚吡咯(polypyrrole,PPy)及聚噻吩(polythiophene,PTh)等材料及其衍生物。
在本發明的技術領域中,如何提升固態電解電容器封裝結構
的電氣性能仍是本領域中持續進行研發的目標。
為了達成上述目標,根據本發明之其中一實施例,提供一種高分子複合材料,其應用於一電容器的一陰極部,其中,所述高分子複合材料包含聚二氧乙基噻吩、聚苯乙烯磺酸以及一奈米碳材,聚苯乙烯磺酸連接於所述奈米碳材以及聚二氧乙基噻吩之間,且聚苯乙烯磺酸與聚二氧乙基噻吩通過聚合反應相互鍵結,且按所述高分子複合材料的重量計,所述奈米碳材的含量為0.01-1.5重量%。
根據本發明之另一實施例,提供一種電容器封裝結構,所述電容器封裝結構包括至少一電容器,至少一所述電容器的一陰極部使用如上所述的高分子複合材料。
根據本發明之另一實施例,提供一種高分子複合材料的製造方法,包含:將一奈米碳材與聚苯乙烯磺酸相互混合,以形成一奈米碳材-聚苯乙烯磺酸複合物;將3,4-二氧乙基噻吩添加至一溶液中,所述溶液包含所述奈米碳材-聚苯乙烯磺酸複合物;起始一聚合反應,以使得所述溶液中的所述3,4-二氧乙基噻吩與所述聚苯乙烯磺酸-奈米碳材複合物發生聚合反應,以形成包含所述高分子複合材料的一產物流;其中,在所述高分子複合材料中,所述聚苯乙烯磺酸連接於所述奈米碳材以及聚二氧乙基噻吩之間,且聚苯乙烯磺酸與聚二氧乙基噻吩通過聚合反應相互鍵結,且按所述高分子複合材料的重量計,所述奈米碳材的含量為0.01-1.5重量%。
根據本發明之另一實施例,提供一種電容器封裝結構的製造方法,其包含:提供至少一電容器,至少一所述電容器的一陰極部使用如前所述的製造方法所製造出的所述高分子複合材料;以及通過一封裝結構以封裝至少一所述電容器,其中,電性連接於
至少一所述電容器的一正極接腳與一負極接腳部分裸露在所述封裝結構外。
本發明的主要技術手段在於,本發明的高分子複合材料是包含特定重量%的奈米碳材,透過此高分子複合材料優異的電氣特性,可以對包含此高分子複合材料的固態電解電容器提供下列效果:提升導電性、提升熱穩定性、提升高分子含浸率、提升電容量、降低等效串聯電阻、降低損耗因子以及降低漏電流等。另外,本發明的高分子複合材料的形成方法具有較低的生產成本,如此一來,可以有效降低固態電解電容器的整體製造成本。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容,請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖,然而所提供的附圖僅提供參考與說明用,並非用來對本發明加以限制者。
1‧‧‧電容器
100‧‧‧金屬箔片
101‧‧‧氧化層
102‧‧‧導電高分子層
103‧‧‧碳膠層
104‧‧‧銀膠層
2‧‧‧高分子複合材料
21‧‧‧PEDOT:PSS複合物
211‧‧‧聚二氧乙基噻吩
211’‧‧‧3,4-二氧乙基噻吩
212‧‧‧聚苯乙烯磺酸
22‧‧‧奈米碳材
3‧‧‧卷繞型固態電解電容器
31‧‧‧捲繞式組件
311‧‧‧捲繞式正極導電箔片
312‧‧‧捲繞式負極導電箔片
313‧‧‧捲繞式隔離箔片
32‧‧‧封裝組件
321‧‧‧電容器殼體結構
3210‧‧‧容置空間
322‧‧‧底端封閉結構
33‧‧‧導電組件
331‧‧‧第一導電接腳
332‧‧‧第二導電接腳
3311‧‧‧第一內埋部
3312‧‧‧第一裸露部
3321‧‧‧第二內埋部
3322‧‧‧第二裸露部
4‧‧‧堆疊型固態電解電容器
41‧‧‧導電支架
411‧‧‧第一導電端子
412‧‧‧第二導電端子
42‧‧‧電容器單元
43‧‧‧封裝膠體
N‧‧‧陰極部
N1‧‧‧第一負極部
P1‧‧‧第一正極部
圖1為本發明實施例所提供的高分子複合材料所應用的其中一電容器的側視剖面示意圖;圖2為本發明實施例所提供的其中一電容器封裝結構的側視剖面示意圖;圖3為本發明實施例所提供的高分子複合材料所應用的另一電容器的立體示意圖;圖4為本發明實施例所提供的另一電容器封裝結構的側面示意圖;圖5為本發明其中一實施例所提供的高分子複合材料的結構示意圖;圖6為本發明其中一實施例所提供的高分子複合材料的製造方法的流程圖;圖7為本發明實施例所提供的高分子複合材料中所包含聚二氧乙基噻吩及聚苯乙烯磺酸的化學式;圖8為本發明實施例所提供的高分子複合材料中所包含的奈
米碳材的其中一種結構示意圖;圖9為本發明實施例所提供的高分子複合材料中所包含的奈米碳材的另外一種結構示意圖;圖10為本發明另一實施例所提供的高分子複合材料的結構示意圖;以及圖11為本發明另一實施例所提供的高分子複合材料的製造方法的流程圖。
以下是通過特定的具體實例來說明本發明所公開有關“高分子複合材料、高分子複合材料的製造方法,使用高分子複合材料的電容器封裝結構及電容器封裝結構的製造方法”的實施方式,本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與功效。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用,本說明書中的各項細節亦可基於不同觀點與應用,在不悖離本發明的精神下進行各種修飾與變更。另外,本發明的附圖僅為簡單示意說明,並非依實際尺寸的描繪,先予敘明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容,但所公開的內容並非用以限制本發明的技術範疇。以下所公開的所有內容,請參閱圖1至圖11所示。
首先,請參閱圖1及圖2。圖1為本發明實施例所提供的高分子複合材料2所應用的電容器的側視剖面示意圖,而圖2為本發明實施例所提供的其中一電容器封裝結構的結構示意圖。具體而言,本發明所提供的高分子複合材料2可應用於電容器1的陰極部N的導電高分子層102中。在圖2中,電容器1為堆疊型固態電解電容器封裝結構4中的電容器單元42。
舉例而言,如圖1所示,電容器1可包括閥金屬箔片100、包覆閥金屬箔100片的氧化層101、包覆氧化層101的一部分的導電高分子層102、包覆導電高分子層102的碳膠層103,以及包覆碳
膠層103的銀膠層104。前述電容器1的結構可依據產品實際需求加以調整。導電高分子層102主要是作為電容器1的固態電解質。
如圖2所示,堆疊型固態電解電容器4包含多個依序堆疊的電容器單元42。另外,堆疊型固態電解電容器4包含導電支架41。導電支架41包含第一導電端子411及與第一導電端子411彼此分離一預定距離的第二導電端子412。另外,多個依序堆疊在一起且彼此電性連接的電容器單元42具有一電性連接於相對應的導電支架41的第一導電端子411的第一正極部P1及一電性連接於相對應的導電支架41的第二導電端子412的第一負極部N1。另外,通過封裝膠體43可將多個依序堆疊在一起且彼此電性連接的電容器單元42包覆,進而形成堆疊型固態電解電容器4。
另外,請參閱圖3及圖4。圖3為本發明實施例所提供的高分子複合材料所應用的另一電容器的立體示意圖,而圖4為本發明實施例所提供的另一電容器封裝結構的側面示意圖。在圖3及圖4中,電容器1為卷繞型固態電解電容器封裝結構3中的電容器單元。
如圖4所示,卷繞型固態電解電容器封裝結構3包括:一捲繞式組件31、一封裝組件32以及一導電組件33。請參閱圖3,捲繞式組件31包括一捲繞式正極導電箔片311、一捲繞式負極導電箔片312以及兩個捲繞式隔離箔片313。更進一步來說,兩個捲繞式隔離箔片313的其中之一會設置在捲繞式正極導電箔片311與捲繞式負極導電箔片312之間,並且捲繞式正極導電箔片311與捲繞式負極導電箔片312兩者其中之一會設置在兩個捲繞式隔離箔片313之間。捲繞式隔離箔片313可為一種通過含浸方式以附著有本發明所提供的高分子複合材料的隔離紙或者紙製箔片。
再者,請復參閱圖4,捲繞式組件31會被包覆在封裝組件32的內部。舉例來說,封裝組件32包括一電容器殼體結構321(例如鋁殼或其它金屬殼體)以及一底端封閉結構322,電容器殼體結
構321具有一用於容置捲繞式組件31的容置空間3210,並且底端封閉結構322設置在電容器殼體結構321的底端以封閉容置空間3210。此外,封裝組件32也可以是由任何絕緣材料所製成的封裝體。
導電組件33包括一電性接觸捲繞式正極導電箔片311的第一導電接腳331以及一電性接觸捲繞式負極導電箔片312的第二導電接腳332。舉例來說,第一導電接腳331具有一被包覆在封裝組件32的內部的第一內埋部3311以及一裸露在封裝組件32的外部的第一裸露部3312,並且第二導電接腳332具有一被包覆在封裝組件32的內部的第二內埋部3321以及一裸露在封裝組件32的外部的第二裸露部3322。
接下來,請參閱圖5,同時參閱圖7至圖9。圖5為本發明其中一實施例所提供的高分子複合材料的結構示意圖,圖7為本發明實施例所提供的高分子複合材料中所包含聚二氧乙基噻吩及聚苯乙烯磺酸的化學式,圖8為本發明實施例所提供的高分子複合材料中所包含的奈米碳材的其中一種結構示意圖,而圖9為本發明實施例所提供的高分子複合材料中所包含的奈米碳材的另外一種結構示意圖。本發明實施例所提供的高分子複合材料2包含聚二氧乙基噻吩(由3,4-二氧乙基噻吩211’所形成)、聚苯乙烯磺酸212(二者可以形成聚二氧乙基噻吩-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)複合物21),以及奈米碳材22。
請同時參閱圖7所示,聚二氧乙基噻吩-聚苯乙烯磺酸(poly(3,4-ethylenedioxythiophene):polystyrene,PEDOT:PSS)是兩種離子聚合物所形成的混合物。此兩種離子聚合物分別為聚苯乙烯磺酸鈉(Sodium Polystyrene Sulfonate),其是一種磺化聚苯乙烯,以及聚二氧乙基噻吩(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)),其是以聚噻吩為主的共軛聚合物。前述兩種離子聚合物形成一巨分子鹽類,在本發明中,稱為PEDOT:PSS複合物21。
PEDOT:PSS複合物21具有優異的導電性,且相較於其他高分子,例如PAni和PPy等,PEDOT:PSS複合物21具有較低的聚合速率,因此可在常溫下進行聚合反應而降低的製備的困難度。另外,PEDOT:PSS複合物21更具有相較於其他高分子較佳的耐候性及耐熱性。除此之外,PEDOT:PSS複合物21具有良好分散性、低生產成本、高透明度以及優異的處理性(Processability)。因此,選用PEDOT:PSS複合物作為形成電容器1的陰極部N上導電高分子層102的原料對於電容器1的電氣效果的提升有很大的助益。
於本發明實施例中,奈米碳材22是奈米碳管、奈米碳球、石墨烯或是其等的組合。圖8顯示石墨烯的結構示意圖,圖9顯示奈米碳管的結構示意圖。圖5是顯示選用石墨烯作為奈米碳材22的高分子複合材料2的結構示意圖。石墨烯為碳原子以sp2混成軌域所組成的平面薄膜,其具有單一個碳原子直徑的厚度。石墨烯具有高導熱係數、低電阻率及高穩定性,因此是一種絕佳的導電、導熱材料。另外,奈米碳管的結構係由sp2方式所構成單層或多層的石墨平板以相同的軸心所捲曲而成的,其具有好的耐熱性、導電性、強的機械性質、可撓性、高表面積等特性。
本發明的其中一技術特徵即在於,藉由結合上述三種具有優異特性的材料,即聚二氧乙基噻吩211、聚苯乙烯磺酸212以及奈米碳材22,並將由上述三種材料發生化學反應所形成的高分子複合材料2用於電容器的陰極部,可以有效提升點容器的電氣特性,即,達到提升導電性、提升熱穩定性、提升高分子含浸率、提升電容量、降低等效串聯電阻、降低損耗因子、降低漏電流等效果。
如圖5所示,在一實施例中,聚二氧乙基噻吩211、聚苯乙烯磺酸212以及奈米碳材22進行共反應而形成本發明的高分子複合材料。舉例而言,由聚二氧乙基噻吩211與聚苯乙烯磺酸212所構成的PEDOT:PSS複合物21與奈米碳材22在反應後發生鍵結,使得奈米碳材22圍繞於PEDOT:PSS複合物21四周,或是將
PEDOT:PSS複合物21包覆。舉例而言,本發明的實施例中,可以透過表面修飾及穩定化技術(Surface Modification and Stabilizing Techniques)將PEDOT:PSS複合物21與奈米碳材22相互結合。
在本發明實施例中,按所述高分子複合材料2的重量計,奈米碳材22的含量為0.01-1.5重量%。較佳地,按所述高分子複合材料2的重量計,奈米碳材22的含量為0.01-0.1重量%。於本發明實施例中,具有前述重量百分比的奈米碳材22可以達成改良電容器之電器特性的效果。換句話說,本發明所提供的高分子複合物材料可以透過低含量(少於0.1重量%)的奈米碳材22而達到增強電容器電氣特性的效果。
另外,在形成本發明所提供的高分子複合材料2之前,奈米碳材22的表面可預先進行一改質程序。奈米碳材22的化學改質大致上可分為在奈米碳材22表面缺陷的地方酸化,再進行官能基化,或是直接在奈米碳材22表面供價鍵結接上特殊官能基。舉例而言,奈米碳材22可以經過羧酸基或氫氧基改質,用以增進奈米碳材的反應性、使奈米碳材分散在去離子水或有機溶劑等溶劑中,或是使奈米碳材22良好地與高分子材料(例如PEDOT:PSS複合物21)相互摻混。然而,對奈米碳材22進行改質的方式使用的改質劑在本發明中不加以限制。
接下來,請參閱圖6,圖6為本發明其中一實施例所提供的高分子複合材料的製造方法的流程圖。在圖6所示的實施例中,是將3,4-二氧乙基噻吩(EDOT)、聚苯乙烯磺酸(PSS)以及一奈米碳材相互混合,以形成一混合物(S100);以及起始一聚合反應,以使得所述混合物中的所述3,4-二氧乙基噻吩、所述聚苯乙烯磺酸以及所述奈米碳材發生反應,以形成一產物流(S102)。
具體來說,本發明所提供的高分子複合材料2可以透過多種方式形成。在圖6所示的高分子複合材料2的製造方法中,奈米碳材22可以是石墨烯或是奈米碳管,而此等石墨烯及奈米碳管可以
事先經過處理,例如經過表面改質。舉例而言,可使用氧化石墨烯(Graphene Oxide,GO)或經還原的氧化石墨烯(Reduced Graphene Oxide,RGO)作為製造高分子複合材料2的原料。
在本發明其中一個實施例中,3,4-二氧乙基噻吩(EDOT)211’、聚苯乙烯磺酸(PSS)212以及奈米碳材22是進行原位(in-situ)聚合反應而形成高分子複合材料2。在此實施例中,奈米碳材22為經還原的氧化石墨烯(RGO)。首先,先將RGO以及聚苯乙烯磺酸212溶解於一溶劑中以形成一溶液。在此溶液中,聚苯乙烯磺酸212可同時作為形成PEDOT:PSS複合物21的反應物,以及用以分散RGO的分散劑。溶劑可為有機溶劑或水。
接下來,將3,4-二氧乙基噻吩211’加入前述溶液中。透過加入氧化劑可以使聚合反應開始進行,在此同時,可以對含有3,4-二氧乙基噻吩211’、聚苯乙烯磺酸212以及奈米碳材22的混合溶液進行加溫及攪拌。舉例而言,可藉由通入空氣或氧氣,或是加入硫化鐵(Iron(III)Sulfate)或過硫酸鈉(Sodium Persulfate),並可透過攪拌子、攪拌機或提供機械力攪拌的儀器進行攪拌。在聚合反應的過程中,可以適當控制反應溫度,例如,將包含前述原料的混合物加熱至介於30至60℃之間的溫度。進行攪拌,例如進行超音波震盪的時間可為介於1至24小時之間。
另外,在聚合反應的過程中,還可以在反應環境中通入氮氣用以避免聚二氧乙基噻吩21發生過度氧化而降低所製成之高分子複合材料2的導電性。反應完成後,可以透過純化方法,例如透過離子交換樹脂來將產物進行純化,以移除殘留的離子。
另外,在前述聚合反應的過程中,可進一步添加分散劑(Dispersing agent),以促進混合溶液的分散均勻性及穩定性。舉例而言,分散劑可為十二烷基磺酸鈉。具體來說,當選擇石墨烯作為奈米碳材22時,石墨烯本身結構可以折疊而可能在溶劑中形成折疊狀的結構而降低其與PEDOT:PSS複合物21的結合能力。據
此,加入分散劑可以解決上述問題,而確保石墨烯得以透過PEDOT:PSS複合物21進行表面修飾而形成本發明實施例所提供的高分子複合材料2。
或是,在本發明的另一實施例中,可以將預先溶解分散於一溶劑中的石墨烯與PEDOT:PSS複合物21直接混合並是情況進行攪拌,使得石墨烯與PEDOT:PSS複合物21相互鍵結。在此實施例中,石墨烯可為氧化石墨烯(Graphene Oxide,GO)或經還原的氧化石墨烯(Reduced Graphene Oxide,RGO)。然而,須注意的是,在使用GO作為製造高分子複合材料2的原料時,由於GO的導電性較差,在與PEDOT:PSS複合物21相互混合之後,可能需要進一步進行還原反應使得石墨烯本身的高導電特性得以被顯現。可以用於進行前述還原反應的化學物質為,例如,聯氨(Hydrazine,N2H4)。然而,本發明不在此限制。
由本發明所提供的高分子複合材料2的製造方法所製成的高分子複合材料2可以直接作為電容器的陰極所使用的材料。舉例而言,可透過一成膜製程將高分子複合材料2形成於電容器的陰極上。具體而言,可將電容器素子含浸在溶有高分子複合材料2的溶液中,使得導電高分子層形成於電容器素子的表面。
或是,在前述步驟S102之後,進一步對產物流進行純化,以分離高分子複合材料。如此一來,可以確保高分子複合材料的純度。舉例而言,可通過離心法、透析法、管柱層析法、沈澱法以及離子交換法中的至少一者對產物流進行純化。
在純化步驟之後,還可以對所述高分子複合材料進行均質分散。舉例而言,可以使用均質攪拌機、超音波粉碎儀、高壓均質機以及球磨機中的至少一者對高分子複合材料進行均質分散。
除此之外,本發明的另一實施例還提供一種高分子複合材料以及其製造方法。請參閱圖10及11。圖10為此實施例的高分子複合材料的結構示意圖,而圖11為此高分子複合材料的製造方法
的流程圖。
具體來說,與圖5及圖6所示的實施例不同的是,在圖10及圖11所顯示的實施例中,聚二氧乙基噻吩211、聚苯乙烯磺酸212以及奈米碳材22是以與先前所述的實施例的不同方式彼此連接而形成高分子複合材料2。如圖10所示,聚苯乙烯磺酸212連接於奈米碳材22以及聚二氧乙基噻吩211之間,且聚苯乙烯磺酸212與聚二氧乙基噻吩211通過聚合反應相互鍵結。以下將配合圖11進一步說明本實施例所提供的高分子複合材料的製造方法。
如圖11所示,高分子複合材料的製造方法包含將奈米碳材22與聚苯乙烯磺酸212相互混合,以形成經聚苯乙烯磺酸修飾的奈米碳材(步驟S201);將3,4-二氧乙基噻吩添加至一溶液中,溶液包含經聚苯乙烯磺酸修飾的奈米碳材(步驟S203);以及起始一聚合反應,以使得溶液中的3,4-二氧乙基噻吩與經聚苯乙烯磺酸修飾的奈米碳材發生聚合反應,以形成包含高分子複合材料的產物流(步驟S205)。
另外,配合圖10所示,在由前述製造方法所製成的高分子複合材料2中,聚苯乙烯磺酸212連接於奈米碳材22以及聚二氧乙基噻吩211之間,且聚苯乙烯磺酸212與聚二氧乙基噻吩211通過聚合反應相互鍵結。按高分子複合材料的重量計,奈米碳材22的含量為0.01-1.5重量%。
具體而言,步驟S201是先形成經PSS修飾的奈米碳材。在圖10及圖11所示的實施例中,奈米碳材22為奈米碳管。然而,在本發明中,奈米碳材22的種類是如先前的實施例所述,可以是奈米碳管、奈米碳球、石墨烯或是其等的組合。圖10中所示的奈米碳管可以是由熱化學氣相沈積法所形成的。
在進行步驟S201之前,可以先對奈米碳材22(奈米碳管,CNT)的表面進行活化。在本實施例中,奈米碳管先以濃硫酸及硝酸的混合液(HNO3:H2SO4=3:1,v/v)進行處理,使得奈米碳管的表面具有
羧基(carboxylic groups),形成CNT-COOH。接下來,奈米碳管表面的羧基與亞硫醯氯(thionyl chloride,SOCl2)反應,以形成經醯氯修飾的奈米碳管(CNT-COCl)。接著,再將此CNT-COCl以2-羥基乙基-2'-溴異丁酸酯(2-hydroxyethtl-2’-bromoisobutyrate)以及甲苯進行回流而合成具有溴基團的奈米碳管(CNT-Br)。
活化步驟完成後,於步驟S201中,將經過活化的奈米碳管(CNT-Br)與聚苯乙烯磺酸212相互混合。具體而言,可使用聚苯乙烯磺酸鈉提供反應所需的聚苯乙烯磺酸212。舉例而言,可以將CNT-Br及聚苯乙烯磺酸鈉在N,N-二甲基甲醯胺溶液中,以溴化銅(CuBr)以及五甲基二乙烯基三胺(PMDETA)作為反應助劑進行反應。步驟S201的反應溫度可為,例如,120℃,而反應時間可為約30小時。反應完成後,所得的產物可以經過離心或過濾而被分離。經過分離程序,可以獲得經聚苯乙烯磺酸(PSS)212修飾的奈米碳材(奈米碳管22)。
接下來,在步驟S203中,將3,4-二氧乙基噻吩添加至包含經聚苯乙烯磺酸修飾的奈米碳材的溶液中。舉例而言,可以使用水作為經聚苯乙烯磺酸修飾的奈米碳材的溶劑。
於步驟S205中,起始一聚合反應,以使得溶液中的3,4-二氧乙基噻吩與經聚苯乙烯磺酸修飾的奈米碳材發生聚合反應,以形成包含高分子複合材料2的產物流。在聚合反應完成後,高分子複合材料2包含聚苯乙烯磺酸212、聚二氧乙基噻吩211及奈米碳材22。聚合反應可通過化學氧化法(chemical oxidative method),在3,4-二氧乙基噻吩211’以及聚苯乙烯磺酸212的存在下而進行。聚合反應期間可以加入過硫酸銨(ammonium persulfate,APS),且反應期間可以進行機械攪拌。舉例而言,聚合反應可以通過在室溫下進行機械攪拌48小時而形成包含高分子複合材料2的產物流。
由聚合反應所形成的高分子複合材料2的結構如圖10所示。
如前所述,由於在進行步驟S201前,是先對奈米碳管進行活化,因此,在所形成的高分子複合材料2中,經過活化的奈米碳管是通過其表面的修飾官能基團與聚苯乙烯磺酸212鍵結。換句話說,在本發明的實施例中,奈米碳材22並不是必須直接與聚苯乙烯磺酸212鍵結。然而,本發明不在此限制。換句話說,奈米碳材22也可以直接與聚苯乙烯磺酸212鍵結。
如前所述,由高分子複合材料2的製造方法所製成的高分子複合材料2可以直接作為電容器的陰極所使用的材料。或是,在前述步驟S203之後,進一步對產物流進行純化,以分離高分子複合材料。而在純化步驟之後,還可以對高分子複合材料進行均質分散。進行純化以及均質分散的詳細手段及方法均如先前實施例所述,再此不再次敘述。
另外,本發明還提供一種電容器封裝結構的製造方法,其包含:提供至少一電容器,至少一電容器的陰極部使用由前述高分子複合材料的製造方法所製造的高分子複合材料;以及通過一封裝結構以封裝至少一電容器,其中,電性連接於至少一電容器的一正極接腳與一負極接腳部分裸露在封裝結構外。
請參閱圖2及圖4,圖2為本發明實施例所提供的其中一電容器封裝結構的側視剖面示意圖;而圖4為本發明實施例所提供的另一電容器封裝結構的側面示意圖。配合前述電容器封裝結構的製造方法,電容器1可以為堆疊型固態電解電容器4中的電容器單元42,或是卷繞型固態電解電容器3中的捲繞式組件31。封裝結構可以為堆疊型固態電解電容器4中的封裝膠體43,或是卷繞型固態電解電容器3中的封裝組件32。關於前述所提及的組件皆如前針對電容器封裝結構的敘述所述,在此不再次說明。
綜上所述,本發明的有益效果在於,本發明的高分子複合材料2是包含特定重量%的奈米碳材,透過此高分子複合材料2優異
的電氣特性,可以對包含此高分子複合材料2的固態電解電容器提供下列效果:提升導電性、提升熱穩定性、提升高分子含浸率、提升電容量、降低等效串聯電阻、降低損耗因子、降低漏電流等。另外,本發明的高分子複合材料2的形成方法具有較低的生產成本,如此一來,可以有效降低固態電解電容器的整體製造成本。
以上所述僅為本發明的較佳可行實施例,非因此侷限本發明的專利範圍,故舉凡運用本發明說明書及附圖內容所做的等效技術變化,均包含於本發明的保護範圍內。
Claims (14)
- 一種高分子複合材料,其應用於一電容器的一陰極部,其中,所述高分子複合材料包含聚二氧乙基噻吩、聚苯乙烯磺酸以及一奈米碳材,聚苯乙烯磺酸連接於所述奈米碳材以及聚二氧乙基噻吩之間,且聚苯乙烯磺酸與聚二氧乙基噻吩通過聚合反應相互鍵結,且按所述高分子複合材料的重量計,所述奈米碳材的含量為0.01-1.5重量%。
- 如請求項1所述的高分子複合材料,其中,所述奈米碳材是奈米碳管、奈米碳球、石墨烯或是其等的組合。
- 如請求項1所述的高分子複合材料,其中,所述奈米碳材的表面是經過羧酸基或氫氧基改質。
- 如請求項1所述的高分子複合材料,其中,按所述高分子複合材料的重量計,所述奈米碳材的含量為0.01-0.1重量%。
- 一種電容器封裝結構,所述電容器封裝結構包括至少一電容器,至少一所述電容器的一陰極部使用如請求項1所述的高分子複合材料。
- 一種高分子複合材料的製造方法,包含:將一奈米碳材與聚苯乙烯磺酸相互混合,以形成一經聚苯乙烯磺酸修飾的奈米碳材;將3,4-二氧乙基噻吩添加至一溶液中,所述溶液包含所述經聚苯乙烯磺酸修飾的奈米碳材;起始一聚合反應,以使得所述溶液中的3,4-二氧乙基噻吩與所述經聚苯乙烯磺酸修飾的奈米碳材發生聚合反應,以形成包含所述高分子複合材料的一產物流;其中,在所述高分子複合材料中,聚苯乙烯磺酸連接於所述奈米碳材以及聚二氧乙基噻吩之間,且聚苯乙烯磺酸與聚二氧乙基噻吩通過聚合反應相互鍵結,且按所述高分子複合材料的重量計,所述奈米碳材的含量為0.01-1.5重量%。
- 如請求項6所述的高分子複合材料的製造方法,其中,在起始所述聚合反應的步驟中,還包含將一氧化劑加入至所述溶液中。
- 如請求項6所述的高分子複合材料的製造方法,其中,在起始所述聚合反應的步驟中,還進一步包含:對添加有3,4-二氧乙基噻吩的所述溶液進行均質攪拌。
- 如請求項6所述的高分子複合材料的製造方法,其中,在將所述奈米碳材與聚苯乙烯磺酸相互混合之前,還進一步包含:對所述奈米碳材的表面進行活化。
- 如請求項6所述的高分子複合材料的製造方法,其中,在起始所述聚合反應的步驟之後,還進一步包含:對所述產物流進行純化,以分離所述高分子複合材料。
- 如請求項10所述的高分子複合材料的製造方法,其中,在對所述產物流進行純化的步驟中,包含以離心法、透析法、管柱層析法、沈澱法以及離子交換法中的至少一者對所述產物流進行純化。
- 如請求項10所述的高分子複合材料的製造方法,其中,在對所述產物流進行純化的步驟之後,還進一步包含:對所述高分子複合材料進行均質分散。
- 如請求項12所述的高分子複合材料的製造方法,其中,在對所述高分子複合材料進行均質分散的步驟中,包含以均質攪拌機、超音波粉碎儀、高壓均質機以及球磨機中的至少一者對所述高分子複合材料進行均質分散。
- 一種電容器封裝結構的製造方法,其包含:提供至少一電容器,至少一所述電容器的一陰極部使用如請求項6所述的製造方法所製造出的所述高分子複合材料;以及通過一封裝結構以封裝至少一所述電容器,其中,電性連接於至少一所述電容器的一正極接腳與一負極接腳部分裸露在所述封裝結構外。
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