TWI631638B - 由參考影像改變之檢測方式設定 - Google Patents
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Abstract
本發明提供用於產生供在一晶圓檢測程序中使用之資訊之系統及方法。一種方法包含:獲取一檢測系統之關於位於(若干)晶圓上之(若干)晶粒之輸出;基於該輸出之晶粒內位置而組合關於該(等)晶粒之該輸出;以晶粒內位置為基礎,判定該所組合輸出之特性之值之改變之一統計性質;及基於針對該等晶粒內位置判定之該等統計性質而將該等晶粒內位置指派至不同群組。該方法亦包含:將關於該等晶粒內位置及該等晶粒內位置經指派至的該等不同群組之資訊儲存於一儲存媒體中,該儲存媒體可由該檢測系統存取以用於執行該晶圓檢測程序,該晶圓檢測程序包含:基於該資訊而將(若干)缺陷偵測參數應用於該檢測系統之針對一晶圓產生之額外輸出,藉此偵測該晶圓上之缺陷。
Description
本發明通常係關於用於基於經驗影像資訊而產生供在一晶圓檢測程序中使用之資訊之系統及方法。
以下說明及實例並非由於其包含於此章節中而被認為係先前技術。
在一半導體製造程序期間在各種步驟處使用檢測程序來偵測晶圓上之缺陷以促進在製造程序中之較高良率及(因此)較高利潤。檢測始終係製作諸如IC之半導體裝置之一重要部分。然而,隨著半導體裝置之尺寸減小,檢測對可接受半導體裝置之成功製造變得甚至更加重要,此乃因較小缺陷可導致裝置不合格。
檢測通常涉及藉由將光或電子引導至晶圓及偵測來自晶圓之光或電子來產生關於一晶圓之某一輸出(例如,影像、信號等)。一旦已產生輸出,通常即藉由將某一缺陷偵測方法及/或演算法應用於該輸出來執行缺陷偵測。通常基於晶圓及其上欲偵測之缺陷之特性而判定用於產生輸出之參數(例如,光束或電子束硬體設定)及用於偵測缺陷之參數(例如,缺陷偵測演算法設定)。通常而言,檢測方式設定之目標係判定將提供對感興趣之缺陷之最高敏感度同時抑制對晶圓上之妨礙及雜訊之偵測之參數。當晶圓之特性跨越該晶圓改變時判定適當檢
測參數變得困難得多。特性跨越晶圓改變之晶圓之實例包含但不限於經圖案化晶圓(在其上,經圖案化特性依據晶圓內位置而變)及具有跨越晶圓改變之非缺陷相關雜訊之某一來源之晶圓。
因此,已形成可用於跨越一晶圓判定及改變檢測參數之諸多不同方法及系統。舉例而言,關於形成於一晶圓上之圖案之資訊可用於跨越一晶圓判定並應用不同檢測參數。使用實體設計資料及電子設計自動化(EDA)設計規則檢查類型工具來獲取圖案資訊。可使用(舉例而言)一基於規則搜尋及/或一圖案搜尋來針對可影響檢測程序之不同類型之圖案搜尋圖案資訊。另外,來自諸如程序模型化、測試結果之統計分析或故障分析之任一來源之圖案資訊可用於判定及應用跨越晶圓改變之檢測參數。
然而,存在當前用於晶圓檢測設定之方法之若干個缺點。舉例而言,當前方法假定圖案雜訊跨越晶圓表現良好且統一。然而,由於系統程序圖徵,因此情形並非通常如此。另外,自圖案資訊判定之關注區域組(其中「關注區域」通常定義為一使用者關注且因此予以檢測之圖案中及/或晶圓上之區域)可係相對於檢測器之能力過多而無法每一者單獨地處理。可因此需要關注區域群組之組合。現今通常以一特定(ad hoc)方式執行此關注區域群組組合。另一缺點係關注區域組可通常含有事實上具有極其不同雜訊特性之一組非均質圖案。
因此,開發不具有上文所闡述之缺點中之一或多者之用於產生供在一晶圓檢測程序中使用之資訊之系統及/或方法將係有利的。
各種實施例之以下說明不應以任何方式解釋為限制隨附申請專利範圍之標的物。
一項實施例係關於用於產生供在一晶圓檢測程序中使用之資訊之一電腦實施方法。該方法包含:獲取一檢測系統之關於位於一或多
個晶圓上之一或多個晶粒之輸出。該方法亦包含:基於該輸出之晶粒內位置而組合關於該一或多個晶粒之該輸出。另外,該方法包含:以晶粒內位置為基礎,判定該所組合輸出之一或多個特性之值之改變之一統計性質。該方法進一步包含:基於針對該等晶粒內位置判定之該等統計性質而將該等晶粒內位置指派至不同群組。此外,該方法包含:將關於該等晶粒內位置及該等晶粒內位置經指派至的該等不同群組之資訊儲存於一儲存媒體中,該儲存媒體可由該檢測系統存取以用於執行該晶圓檢測程序。該晶圓檢測程序包含:基於該資訊而將一或多個缺陷偵測參數應用於該檢測系統之針對一晶圓產生之額外輸出以藉此偵測該晶圓上之缺陷。該等獲取、組合、判定、指派及儲存步驟係由一電腦系統執行。
可如本文中所闡述進一步執行該方法之該等步驟中之每一者。另外,方法可包含本文中所闡述之(若干)任何其他方法之(若干)任何其他步驟。此外,該方法可由本文中所闡述之系統中之任一者執行。
另一實施例係關於儲存可在一電腦系統上執行以用於執行用於產生供在一晶圓檢測程序中使用之資訊之一電腦實施方法之程式指令之一非暫時性電腦可讀媒體。該電腦實施之方法包含上文所闡述之該方法之該等步驟。該電腦可讀媒體可如本文中所闡述來進一步經組態。該電腦實施之方法之該等步驟可如本文中進一步所闡述執行。另外,可為其執行該等程式指令之該電腦實施方法可包含本文中所闡述之(若干)任何其他方法之(若干)任何其他步驟。
一額外實施例係關於經組態以產生供在一晶圓檢測程序中使用之資訊之一系統。該系統包含經組態以用於執行上文所闡述方法之獲取、組合、判定及指派步驟之一電腦子系統。該系統亦包含一儲存媒體,該儲存媒體耦合至該電腦子系統且經組態以用於執行上文所闡述之方法之儲存步驟。該儲存媒體可由該檢測系統存取以用於執行該晶
圓檢測程序,且該晶圓檢測程序包含:基於該資訊而將一或多個缺陷偵測參數應用於該檢測系統之針對一晶圓產生之額外輸出以藉此偵測該晶圓上之缺陷。該系統可如本文中所闡述來進一步經組態。
又一實施例係關於用於偵測一晶圓上之缺陷之一電腦實施方法。該方法包含:獲取一檢測系統之關於位於一或多個晶圓上之一或多個晶粒之輸出及基於該輸出之晶粒內位置而組合關於該一或多個晶粒之該輸出。該方法亦包含:以晶粒內位置為基礎,判定該所組合輸出之一或多個特性之值之改變之一統計性質以及基於針對該等晶粒內位置判定之該等統計性質而將該等晶粒內位置指派至不同群組。另外,該方法包含:基於經指派至該等不同群組之該等晶粒內位置之該等統計性質而將一或多個缺陷偵測參數指派至該等不同群組以及藉助該檢測系統獲取關於一晶圓之額外輸出。該方法進一步包含:藉由比較該額外輸出之該等晶粒內位置與經指派至該等不同群組之該等晶粒內位置而將該額外輸出指派至該等不同群組以及藉由基於該額外輸出已經指派至的該等不同群組而將該一或多個缺陷偵測參數應用於該額外輸出來偵測該晶圓上之缺陷。此方法之該等步驟係由一電腦系統執行。
可如本文中所闡述進一步執行此方法之步驟中之每一者。另外,方法可包含本文中所闡述之(若干)任何其他方法之(若干)任何其他步驟。此外,該方法可由本文中所闡述之系統中之任一者執行。
100‧‧‧晶圓
102‧‧‧邊緣
104‧‧‧線
200‧‧‧非暫時性電腦可讀媒體
202‧‧‧程式指令
204‧‧‧電腦系統
300‧‧‧系統
302‧‧‧電腦子系統
304‧‧‧儲存媒體
306‧‧‧使用者介面
308‧‧‧檢測子系統
310‧‧‧檢測系統
312‧‧‧光源
314‧‧‧光束分裂器
316‧‧‧晶圓
318‧‧‧透鏡
320‧‧‧偵測器
322‧‧‧電腦子系統
E‧‧‧晶粒/邊緣晶粒
C‧‧‧晶粒
在受益於對較佳實施例之以下詳細說明之情況下且在參考隨附圖式之後,熟習此項技術者將明瞭本發明之進一步優點,在該等隨附圖式中:圖1係圖解說明一晶圓及該晶圓上之在一檢測系統之輸出中具有不同雜訊來源之不同晶粒之一平面圖之一示意圖;
圖2係圖解說明儲存用於致使一電腦系統執行本文中所闡述之一電腦實施方法之程式指令之一非暫時性電腦可讀媒體之一項實施例之一方塊圖;且圖3係圖解說明經組態以產生供在一晶圓檢測程序中使用之資訊之一系統之一實施例之一側視圖之一示意圖。
雖然易於對本發明做出各種修改及替代形式,但其特定實施例係以實例方式展示於圖式中且將在本文中詳細地闡述。該等圖式可未按比例繪製。然而,應理解,圖式及對其之詳細說明並非意欲將本發明限制於所揭示之特定形式,而是相反,本發明意欲涵蓋歸屬於如由隨附申請專利範圍所界定之本發明之精神及範疇內之所有修改、等效形式及替代形式。
現在轉至圖式,應注意各圖並未按比例繪製。特定而言,該等圖之元件中之某些元件之比例被大為放大以強調該等元件之特性。亦應注意,該等圖並未按相同比例繪製。已使用相同元件符號指示可類似地組態之在一個以上圖中展示之元件。除非本文中另外提及,否則所闡述及所展示之元件中之任何元件可包含任何適合可購得之元件。
本文中所闡述之實施例可用於由參考影像改變之檢測方式設定。一項實施例係關於用於產生供在一晶圓檢測程序中使用之資訊之一電腦實施方法。如本文中進一步闡述,實施例提供基於跨越一晶粒、場或晶圓之預期影像改變而分段由一檢測器獲取之分段影像之一經驗構件。實施例亦可包含將其他分段資料源與經驗雜訊資料組合以提供一更穩健且準確解決方案。
該方法包含:獲取一檢測系統之關於位於一或多個晶圓上之一或多個晶粒之輸出。舉例而言,獲取該輸出可包含:用光在(若干)晶圓上方進行掃描及回應於在掃描期間由檢測系統所偵測之來自(若干)
晶圓之光而產生輸出。以此方式,獲取輸出可包含:掃描(若干)晶圓。然而,獲取輸出未必包含掃描(若干)晶圓。舉例而言,獲取輸出可包含:(例如,藉由檢測系統)自輸出已儲存於其中之一儲存媒體獲取輸出。自儲存媒體獲取輸出可以任何適合方式執行,且自其獲取輸出之儲存媒體可包含本文中所闡述之儲存媒體中之任一者。可如本文中所闡述進一步經組態該檢測系統。另外,一或多個晶粒及一或多個晶圓可包含本文中所闡述之此等晶粒及晶圓中之任一者。儘管本文中可交換地使用術語「輸出」及「影像」,但應理解本文中所闡述之實施例中所使用之輸出可包含可藉由用於一晶圓之一晶圓檢測系統之一偵測器產生之任何輸出。
該方法亦包含:基於該輸出之晶粒內位置而組合關於該一或多個晶粒之該輸出。本文中所闡述之實施例可建立於現有標準參考晶粒(SRD)基礎結構上以產生一複合雜訊參考,該複合雜訊參考可用作一基於內容脈絡檢測運行時間內容脈絡圖(CBI RTCM)計算之基礎。舉例而言,組合輸出可以與經執行以產生一標準參考影像之方式相同之方式執行。標準參考影像可如於2012年6月19日頒佈之Bhaskar等人之共同受讓之美國專利第8,204,296號(其以猶如全部闡明之引用方式併入本文中)中所闡述而產生。本文中所闡述之實施例可包含本發明中所闡述之(若干)任何方法之(若干)任何步驟且可如本發明中所闡述進一步經組態。本文中所闡述之實施例可使用本發明中所闡述之基礎結果組合輸出。組合步驟中所使用之輸出可係數個晶粒影像,諸如用於上文引用專利中之標準參考影像產生之彼等影像。
組合關於該一或多個晶粒之該輸出可包含:較佳地以子像素準確度,使關於該一或多個晶粒之該輸出彼此對準,及一起處理該經對準輸出以藉此自該經對準輸出產生一標準參考影像。舉例而言,在計算一平均或中位影像時,經求平均(或其中位值經計算)之輸出可對準
於子像素準確度。使多個輸出在子像素準確度內對準可以包含如於2010年3月9日頒Kulkarni於等人之美國專利第7,676,077號(其以猶如全部闡明之引用方式併入本文中)中所闡述之方式之任何適合方式執行。本文中所闡述之實施例可包含本發明中所闡述之(若干)任何方法之(若干)任何步驟且可如本發明中所闡述進一步經組態。使多個輸出在子像素準確度內對準亦可使用自加州苗必達之KLA-Tencor購得之NanoPoint產品執行。可使用任何適合方法及/或演算法來執行自關於一或多個晶粒之輸出判定一平均或中位影像。
方法包含:以晶粒內位置為基礎,判定該所組合輸出之一或多個特性之值之改變之一統計性質。換言之,可單獨地針對每一晶粒內位置判定統計性質。以此方式,可依據晶粒內位置而判定統計性質。統計性質可包含本文中所闡述之統計性質中之任一者。一或多個特性之值之改變較佳地對一或多個特性之值中之典型雜訊作出回應。一或多個特性可包含本文中所闡述之特性中之任一者,諸如灰階。
在一項實施例中,關於該一或多個晶粒之該輸出包含影像,且晶粒內位置對應於影像中之不同像素。以此方式,本文中所闡述之實施例可藉由判定並然後輸出經組合以產生一參考影像(例如,一中位參考影像)之個別晶粒影像之逐像素統計量而建立於標準參考影像基礎結構頂部上。
在某些實施例中,統計性質可係一或多個特性之值之一平均值(或可係基於其而判定)。該平均值對本文中所闡述之實施例可係尤其有用,此乃因不同材料依據照明條件具有不同反射率。不同影像之雜訊特性係材料之物理性質之改變及材料之形狀、厚度、體積等之改變之一強函數。另外,假定欲檢測之幾何形狀通常充分地低於檢測器之光學解析度,幾何形狀之密度及配置可驅動源影像之平均值之改變。因此,為了使用所有可用資訊,所組合輸出之平均灰階可係本文中所
闡述之分段方案之有用輸入。然而,儘管某些實施例在本文中闡述關於所考量影像集中一給定位置處之像素之一特定統計性質(諸如平均值、中位值、範圍或「預期值」),但本文中所闡述之實施例並不依賴於資料之一特定統計量度或「中心性」或「預期值」。換言之,本文中所闡述之統計性質可係關於一組像素內之統計改變之任何優值。
在一項實施例中,關於該一或多個晶粒之該輸出包含影像,且一或多個特性包含灰階。舉例而言,本文中所闡述之實施例可使用灰階改變作為用於產生關注區域之一關鍵決定因素。換言之,灰階在本文中可用於表達與一所獲取影像中之一特定位置相關聯之資料。然而,一或多個特性可包含對一晶圓上之非缺陷相關雜訊作出回應之檢測系統輸出之任何其他特性。另外,欲分析之值可比一單個灰階值更複雜。一或多個特性亦可包含將用於缺陷偵測之輸出之任何特性(例如,此乃因此等特性中之雜訊係將與檢測程序之效能最相關之雜訊)。
可以晶粒、比例光罩場或晶圓級執行本文中所闡述之方法之步驟。(晶粒及比例光罩場係針對單個晶粒比例光罩可互換。)對是否自一晶粒影像集或一比例光罩場影像集構造標準參考雜訊影像(資料集)之選擇取決於比例光罩場之佈局(光罩實體設計資料)及藉以構造影像獲取之方式兩者。關鍵係分析在光罩資料級處具有相同設計意圖之像素及在確切相同位置上獲取之像素(以避免像素化誤差)。以逐比例光罩進行比較之意圖執行之成像可不同於以逐晶粒比較之意圖執行之成像。因此,即使光罩設計意圖針對一比例光罩場上之多個晶粒相同,但若以比例光罩級執行像素化則來自一比例光罩場內之此等相同晶粒之資料不應一起使用。所提出之方法假定實際上較佳逐影像疊對使得存在針對一晶片設計上之一給定點之相對高可信度,自多個晶粒影像收集之相關聯像素灰階值的確表示晶粒內之相同相關位置。在上述情
形並非為真之情況下,將存在插入(inject)分析中之額外改變。諸如內插之影像處理技術可用於校正關於疊對誤差之原始影像資料。
在一項實施例中,判定統計性質包含:識別所組合輸出之一或多個特性之離群值;將該等離群值自該所組合輸出消除藉此產生經變更之所組合輸出;及基於該經變更之所組合輸出而判定該統計性質。舉例而言,判定該統計性質可包含:藉由其灰階將每一像素分類,拋棄(若干)最強離群值(例如,可能對應於一缺陷之最暗及/或最亮像素)以及返回一範圍(一經刪項範圍)作為每一像素(或像素中之至少某些像素)之雜訊之一量度。特定而言,關於半導體晶圓之缺陷偵測程序通常包含自像素之一樣本族群判定統計上不同之像素灰階值之概念。各種方案可用於針對每一離群值分析(偵測)選擇像素族群。可越準確地判定一比例光罩場或晶粒內之一點(像素)之正規改變,越有效地將影像分段成像素狀位置,此導致一更敏感檢測。因此,在一晶片中之一給定點處判定跨越一組所記錄影像之灰階改變之正規範圍之任務可包含意欲自該族群移除「缺陷」之一篩選步驟。以此方式,並不使用對應於缺陷之像素來如本文中所闡述判定統計性質,該統計性質如本文中進一步闡述用於將像素指派至群組,使得不將像素放置於比其應該位於之群組「更多雜訊」之群組中。一相對簡單且保守方法將係「拋棄」每一位置之「最不同」像素樣本。可使用更精密統計方法,諸如消除在於本文中所闡述之判定統計性質及將晶粒內位置指派至不同群組(分段)之步驟之前執行之一實際檢測中判定為有缺陷之像素。
在另一實施例中,判定該統計性質包含:以該晶粒內位置為基礎,判定該所組合輸出之該一或多個特性之該等值之一中位值;以該晶粒內位置為基礎,判定該輸出之該一或多個特性之該等值與該等值之該對應中位值之間的差;基於該輸出之該等晶粒內位置而組合該一或多個晶粒之該等差;及以該晶粒內位置為基礎,基於該等組合差而
判定該改變之該統計性質。舉例而言,判定該統計性質可包含:計算該等個別晶粒影像與該所組合輸出(例如,一中位值晶粒像素圖)之間的差量或差以及自該所計算差量或差判定該統計性質。
所得「雜訊圖」表示(例如,依據晶粒內位置之統計性質)可視為所組合輸出(例如,中位參考影像)之一補充。舉例而言,已使用標準參考影像來為「測試影像」提供一參考影像以加以比較來識別測試影像中之缺陷。相比而言,本文中所闡述之實施例可利用一測試-參考運算(其中將所組合輸出自對應晶粒內位置處之輸出減去)中計算之差值來識別且然後消除對應於缺陷之輸出。以此方式,為了缺陷偵測先前已使用一標準參考影像來偵測缺陷,但本文中所闡述之所組合輸出用於偵測缺陷以自本文中所闡述之實施例中執行之進一步步驟消除彼等缺陷。以此方式,本文中所闡述之所組合輸出之使用係標準參考影像之先前使用之補充。
方法包含:基於針對該等晶粒內位置判定之該等統計性質而將該等晶粒內位置指派至不同群組。在一項實施例中,不同群組界定晶圓檢測程序之不同關注區域。舉例而言,形成具有多個「雜訊區」關注區域群組之一分段圖之程序可藉由將該圖中之每一像素處之雜訊統計值之一直方圖分割成「值格」(每一者表示一關注區域群組)來執行。出於實際實施方案原因(例如,個別關注區域之大小或數目之一限制),可執行平滑化及/或「退火」操作。所得分段圖可轉換成向量空間以用於進一步處理。以此方式,本文中所闡述之實施例可將全晶粒、比例光罩場或晶圓級之經驗影像改變資料與用於晶圓檢測之影像分段組合。
因此,本文中所闡述之實施例具有優於用於設定影像分段之一晶圓檢測程序之其他當前使用之方法及系統的若干個優點。舉例而言,本文中所闡述之實施例提供用於基於一晶圓在一檢測器上之可能
雜訊行為之先前知識而分組及剖析關注區域群組之一分析方法。相比而言,基於一晶圓在一檢測器上之可能雜訊行為而設定關注區域群組如今可人工執行或其可由於問題之相對複雜性質且缺少導引決策之實際資料而被完全跳過。
在一項實施例中,指派經執行使得具有在一第一範圍內之統計性質之值之晶粒內位置經指派至不同群組中之一者且具有在一第二範圍內之統計性質之值之晶粒內位置經指派至不同群組中之另一者,且該第一範圍及該第二範圍不同。換言之,不同群組對應於不同範圍之統計性質之值。另外,不同範圍之統計性質之值可互相排斥使得任一像素將基於其統計性質之值而被指派至唯一群組。可如本文中進一步闡述(例如,分割一直方圖)判定不同範圍。以此方式,經指派至任一群組之晶粒內位置可具有統計上類似之統計性質之值及統計上不同於經指派至任何另一群組之晶粒內位置之統計性質之值。如此,不同群組將晶粒內位置分成可用於一晶圓檢測程序中之類似雜訊分段之類似雜訊群組。
在某些實施例中,經指派至不同群組中之一者之晶粒內位置包含具有彼此不同之臨界性之裝置特徵之晶粒內位置。在另一實施例中,指派並非基於關於晶粒內位置之設計資訊而執行。換言之,將晶粒內位置指派至不同群組並非基於關於晶圓之設計資訊而執行。替代地,指派步驟可僅基於如本文中所闡述之經驗雜訊資訊。因此,指派步驟可在不考量關於晶粒內位置之設計資訊之情況下執行,此可導致任一群組包含在設計中具有不同臨界性或其他設計特性之晶粒內位置。如此,本文中所闡述之群組並不等效於藉由基於關於晶粒內位置之設計資訊而分離晶粒內位置所產生之群組。
方法包含:將關於該等晶粒內位置及該等晶粒內位置經指派至的該等不同群組之資訊儲存於一儲存媒體中,該儲存媒體可由該檢測
系統存取以用於執行該晶圓檢測程序。儲存資訊可包含:可能結合方法實施例之一或多個步驟之其他結果將資訊儲存於一電腦可讀儲存媒體中。該等結果可包含本文中所闡述之結果中之任一者且可以此項技術中已知之任一方式儲存。該儲存媒體可包含本文中所闡述之任一儲存媒體或此項技術中已知之任一其他適合儲存媒體。在已儲存結果之後,該等結果可在該儲存媒體中存取且由本文中所闡述之方法或系統實施例中之任一者使用,經格式化以用於向一使用者顯示,由另一軟體模組、方法或系統等使用。該資訊可儲存於可由一檢測系統用於執行一晶圓檢測程序之任何適合資料結構(例如,一庫或資料庫)中。
在另一實施例中,獲取、組合、判定、指派及儲存步驟係在執行晶圓檢測程序之前執行。以此方式,本文中所闡述之實施例提供經監督之基於雜訊之分段,此乃因分段在檢測之前已知曉。相比而言,「未經監督」分段通常係在運行時間處進行。「未經監督」操作可包含來自在運行時間處收集之多個影像之平均及範圍值。CBI係一「經監督」影像分段方法,此乃因在檢測運行時間期間應用預期影像之先前知識。CBI先前可具有唯一應用設計相關「先前知識」。然而,在本文中所闡述之實施例中,CBI可經擴展以將系統影像相關「先前知識」確切地考量至分段方案中。
該晶圓檢測程序包含:基於該資訊而將一或多個缺陷偵測參數應用於該檢測系統之針對一晶圓產生之額外輸出以藉此偵測該晶圓上之缺陷。舉例而言,額外輸出之晶圓內位置可用於將額外輸出指派至不同群組且因此對應於該等群組之不同關注區域。在一項此類實例中,晶圓檢測程序可包含:比較額外輸出之晶粒內位置與指派至不同群組之晶粒內位置。以此方式,額外輸出可經指派至不同群組,藉此將額外輸出分段至對應於不同群組之關注區域中。
可然後基於該額外輸出已經指派至不同群組而將一或多個缺陷
偵測參數應用於額外輸出。舉例而言,可針對不同群組判定不同缺陷偵測參數。因此,一旦已將額外輸出指派至不同群組,即可將不同缺陷偵測參數應用於不同群組中之額外輸出。針對不同群組判定之缺陷偵測參數可以任何方式(例如,不同演算法、相同演算法之不同參數等)不同且可以任何適合方式判定。
自本文中所闡述之方法導出之分段通常適用於任何缺陷偵測方法及/或演算法。換言之,使用如本文中所闡述產生並儲存之資訊執行之晶圓檢測程序並不限於可在彼晶圓檢測程序中執行之缺陷偵測。在某些例項中,如本文中所闡述產生之所組合輸出(其可基本上係一標準參考影像)可用於缺陷偵測。然而,可藉由使用分段額外輸出及此項技術中習知之任何適合缺陷偵測演算法及/或方法來執行缺陷偵測。
使用如本文中所闡述產生並儲存之資訊執行之晶圓檢測程序可用於僅一個晶圓(例如,用於設定晶圓檢測程序之晶圓)或一個以上晶圓。舉例而言,只要用於製作晶圓之一程序不劇烈地改變,則相同資訊可用於檢測該程序中製作之多個晶圓。換言之,若用於製作晶圓之程序劇烈地改變,則彼等改變可導致晶圓上之影像雜訊改變之顯著改變。因此,如本文中所闡述基於影像雜訊改變而產生之資訊將未必適用於檢測用改變程序形成之晶圓。在某些例項中,如本文中所闡述產生之資訊可用於檢測多個晶圓直至獲得一實質上異常檢測結果(例如,大量妨礙偵測)為止,此乃因實質上異常檢測結果可指示需要晶圓檢測程序中使用之資訊之一更新之一劇烈製作程序。
一般而言,出於判定統計上不同像素之目的,可以多種方式分析一給定晶圓(或其部分)。針對在相同光學條件及相同像素化方案下收集之一給定影像集,將期望具有含隨後用於分組相同分類之像素之每一像素之清楚分類之一單晶圓級分段圖。以此意圖可明確地收集影
像。然而,在某些實施例中,僅針對(若干)晶圓上之某些晶粒如本文中所闡述執行組合、判定、指派及儲存步驟,且所儲存資訊部用於(若干)晶圓上之其他晶粒之晶圓檢測。舉例而言,可以晶粒至晶粒為基礎根據本文中所闡述之實施例中之任一者產生資訊。以此方式,不同資訊可用於對晶圓上之不同晶粒之晶圓檢測。換言之,本文中所闡述之實施例可經擴展成每檢測多個內容脈絡圖使得多個雜訊行為可由一單個檢測調節。
在一項實施例中,針對一或多個晶圓上之一或多個晶粒之不同組單獨地執行組合、判定、指派及儲存步驟,藉此產生關於一或多個晶粒之不同組之不同資訊。不同組中之每一者可包含至少一個晶粒。換言之,不同組中之某些組可僅包含一個晶粒。如本文中進一步闡述,晶粒可基於不同晶粒內之跨越晶圓雜訊而分成不同群組。以此方式,其中具有相同或實質上類似跨越晶圓雜訊來源之不同晶粒可分成相同組。如此,不同組中之任一者之所有晶粒可在其中具有相同或實質上相同跨越晶圓雜訊來源。關於不同組之不同資訊可如本文中進一步闡述儲存且可如本文中進一步闡述在晶圓檢測程序期間使用。
在一項此實施例中,一或多個晶粒之不同組在輸出中具有不同雜訊來源。在另一此實施例中,不同組中之一者不包含毗鄰於一或多個晶圓之一邊緣定位之一或多個晶粒中之任一者,不同組中之另一者包含毗鄰於一或多個晶圓之邊緣定位之一或多個晶粒中之至少一者。舉例而言,邊緣晶粒可具有不同於無邊緣晶粒之雜訊來源且因此可需要不同分段。以此方式,可執行不同組合、判定及指派步驟以判定關於顯示獨特影像改變之晶圓之部分(例如,邊緣晶粒)之分段方案。
圖1圖解說明具有跨越晶圓改變之一雜訊來源之一晶圓之一項實例。舉例而言,圖1中所示之晶圓100具有界定晶圓之外周邊之邊緣102。對晶圓執行之某些程序具有在晶圓之邊緣處引起與晶圓之中心
相比不同之雜訊位準的跨越晶圓改變。舉例而言,某些程序可在毗鄰於晶圓邊緣之晶圓之一區域(其在圖1之實例中展示為介於邊緣102與線104之間的區域)中引起一較大雜訊位準。線104實際上並非晶圓100之部分,但在圖1中經展示以圖解說明晶圓之不同部分可如何展示不同雜訊位準之一實例。以此方式,線104內之晶圓100之部分可具有一個雜訊位準且介於線104與邊緣102之間的晶圓100之部分可具有一不同雜訊位準。如此,完全在線104內之晶圓100上之任何晶粒可具有一個雜訊位準且至少部分地位於介於線104與邊緣102之間的區域中之任何晶粒可具有一不同雜訊位準。以此方式,完全位於線104內之晶粒可稱作為中心晶粒,或圖1中所示之晶粒C,且至少部分地介於線104與邊緣102之間的晶粒可稱作為邊緣晶粒,或圖1中所示之晶粒E。
由於此實例性晶圓上之所有中心晶粒可具有相同或實質上相同雜訊來源,因此本文中所闡述之方法可經執行用於包含全部晶粒C之一組晶粒。換言之,針對全部晶粒C產生之輸出可在本文中所闡述之方法中共同地予以處理。然而,如圖1中進一步所示,此實例性晶圓上之邊緣晶粒中無一者其中具有相同或實質上相同跨越晶圓雜訊。換言之,此晶圓上之無任何兩個邊緣晶粒在所有晶粒內位置處具有相同跨越晶圓雜訊來源。此藉由線104與圖1中所示之邊緣晶粒E中之每一者以不同方式相交之方式圖解說明,藉此將邊緣晶粒劃分成位於具有一個雜訊來源之晶圓之一個區域中之一部分及位於具有一不同雜訊來源之晶圓之另一區域中之另一部分。以此方式,在圖1中所示之邊緣晶粒中之每一者中,跨越晶圓雜訊以不同於所有其他邊緣晶粒之方式影響任一晶粒中之所有晶粒內位置。
本文中所闡述之方法可因此針對每一邊緣晶粒單獨地執行。如此,不同晶粒組中之某些組可包含僅一個邊緣晶粒,且本文中所闡述之資訊可針對每一邊緣晶粒單獨地產生及儲存使得資訊實質上準確地
表示全部晶粒內雜訊來源(包含跨越晶圓雜訊來源)且可因此用於基於雜訊實質上準確地將晶粒輸出分段成不同群組或關注區域。本文中所闡述之實施例可因此產生可在一晶圓檢測程序中用於高度敏感晶圓檢測而不論一晶圓上之晶粒位置如何之資訊。
因此,如上文所闡述,邊緣晶粒中之某些晶粒可具有不同於其他邊緣晶粒中之任一者之影像改變之晶粒內影像改變。舉例而言,邊緣晶粒中之每一者可基於邊緣晶粒之晶圓內位置而具有不同於其他邊緣晶粒中之每一者之晶粒內影像改變(此乃因整個晶圓雜訊改變可基於其晶圓內位置以不同方式影響不同晶粒)。因此,在任何給定晶圓上,可存在具有不同於晶圓上之任何其他晶粒之影像改變之一單個晶粒。如此,晶圓上可不存在可用於本文中所闡述之組合步驟之多個晶粒。因此,為具有來自可如本文中所闡述組合用於任一邊緣晶粒之多個晶粒之輸出,可使用一個以上晶圓(亦即,一個以上晶圓上之相同晶圓內位置處之邊緣晶粒)產生對應於彼邊緣晶粒之輸出。在組合此輸出之前,自多個晶圓產生之輸出應如本文中進一步闡述彼此對準以確保不同晶圓之輸出對準於子像素內準確度。檢測系統輸出之此晶圓至晶圓對準可如Kulkarni等人之上文引用專利中所闡述執行。
在一額外此類實施例中,不同組之一或多個晶粒具有相互排斥之晶圓內位置。舉例而言,不同組之一或多個晶粒可對應於不重疊於晶圓上之晶圓之不同部分。在一項此類實例中,包含不同組中之一者之一晶粒可不包含於不同組中之另一者中。不同組中之晶粒之關係可相互排斥,此乃因不同組可對應於晶粒內之不同跨越晶粒雜訊改變。因此,由於一晶粒可自某一方面而言僅受跨越晶圓雜訊改變影響,因此其可僅屬不同組中之之一者。如此,一或多個晶粒可基於跨越晶圓雜訊及/或程序改變之一先驗知識而分成不同組。
以此方式,本文中所闡述之實施例可包含產生關於晶圓之不同
部分之不同資訊(且因此不同分段)。在一項此類實例中,所有非邊緣晶粒可具有相同分段,而邊緣晶粒中之每一者可具有不同於晶圓上之其他晶粒中之每一者之分段。本文中所闡述之分段可因此既是晶粒內位置相依又是晶圓內位置相依。在彼情形中,在一晶圓檢測程序期間,所檢測之一晶粒之晶圓內位置可用於判定哪一分段方案宜應用於針對彼晶粒產生之輸出。可然後使用所判定分段方案來分段輸出之晶粒內位置。如此,本文中所闡述之資訊可有效地定義基於晶粒內位置及晶粒之晶圓內位置兩者將像素映射至分段之一完整晶圓分段方案。因此,若針對晶圓判定不同資訊,則不同資訊以組合方式可形成一種類完整晶圓分段映射,其中針對任何一個晶粒之分段係基於彼晶粒中之預期雜訊行為。以此方式,本文中所闡述之實施例提供可在一單個檢測內適應多個雜訊底部情景之一靈活高度敏感檢測方案。
如上文所闡述,方法可針對對應於晶圓上之不同晶粒(其由於其在晶圓上之位置而具有不同雜訊資源)之晶圓之不同部分單獨地執行。因此,晶圓可分成具有不同雜訊來源之不同晶粒。然而,晶圓可分成其他不同部分。舉例而言,晶圓內位置可經分裂而不考量晶粒內位置,且然後不同群組之晶圓內位置可藉由方法單獨地處理。
在一項此類實例中,晶圓內位置可分成不同群組。不同群組中之每一者可包含一連續組晶圓內位置。連續組之晶圓內位置中之每一者周圍之一周邊可界定該等組中之每一者之一區域,且周邊中之每一者內之區域不與其他周邊中之任一者之區域重疊。由不同組界定之區域之特性(例如,大小、形狀、尺寸)可對應於跨越晶圓雜訊來源相對大標度(例如,大於晶圓上之一晶粒或比例光罩場)之特性。在一項此類實例中,針對圖1中所示之晶圓,線104內之晶圓內位置可包含於一組晶圓內位置中且介於邊緣102與線104之間的晶圓內位置可包含於一不同組之晶圓內位置。因此,一單個晶粒之晶粒內位置可包含於不同
組中且可在方法之不同版本中予以處理。
然後將針對晶圓位置之一子組以該晶粒內位置為基礎設定本文中所闡述之分段。因此,在檢測期間,輸出之晶圓內位置可用於判定哪一分段方案用於輸出且然後輸出之晶粒內位置可用於基於所判定分段方案而實際上分段輸出。
在另一實施例中,針對檢測系統之不同光學模式單獨地執行獲取、組合、判定、指派及儲存步驟,藉此產生關於不同光學模式之不同資訊。舉例而言,由於一檢測系統之不同光學模式將產生具有不同特性之輸出且由於方法係基於由一檢測系統產生之輸出之一或多個特性而執行,因此關於由本文中所闡述之實施方案產生之不同群組之資訊可不用於一個以上光學模式(亦即,僅用於產生輸出之光學模式)。以此方式,針對用於一晶圓檢測程序之每一光學模式及其輸出經分段,方法可單獨地執行。
在某些實施例中,該方法包含:將資訊與關於晶粒內位置及基於關於晶圓之設計資訊將該等晶粒內位置經指派至的額外群組之其他資訊組合,且晶圓檢測程序包含:基於所組合資訊將一或多個缺陷偵測參數應用於額外輸出以藉此偵測晶圓上之缺陷。以此方式,本文中所闡述之實施例可與諸如基於設計之方案之其他分段方案合作地使用。舉例而言,由上文所闡述之指派步驟所致之分段圖可轉換成向量空間以與設計相關關注區域資料一起用於進一步處理。
另外,關於新產品設計之熱點關注區域可由一製造設計(DFM)團隊基於來自一程序模型化工具之輸出提供至一晶圓製造廠。可以用於檢測信雜比最佳化之影像分段之意圖作出彼檔案之內容。自經驗雜訊分析對具有關注區域之此基於DFM檔案之布林(Boolean)運算可經執行以將DFM檔案分割成類似雜訊關注區域組。特定而言,本文中所闡述之經驗資料可用於將基於設計之關注區域與類似雜訊行為組合以將
基於設計關注區域劃分成多個關注區域。
設計資訊亦可包含以任何一或多個其他方式產生之內容脈絡資訊。舉例而言,設計資訊可藉由一電子設計自動化(EDA)參考流程產生,其中EDA設計提取描述性語言在上游設計資料(例如,一GDS檔案)上運行。設計資訊亦可自良率工程中之設計產生,其中一晶圓製造廠中之設計資料經輸入至特徵提取(例如,基於規則之特徵提取及/或基於多邊形模板之特徵提取)及形態分析。另外,設計資訊可使用基於模板之影像分段自一標準參考影像產生。此外,可藉由使用設計分析軟體或設計規則檢查(DRC)工具來產生一熱點/關注區域涉及資料檔案來自熱點資料產生設計資訊。設計資訊及對應內容脈絡圖可如於2011年1月25日頒佈之Duffy等人之美國專利第7,877,722號(其以猶如全部闡明之引用方式併入本文中)中所闡述產生。本文中所闡述之實施例可包含本發明中所闡述之(若干)任何方法之(若干)任何步驟且可如本發明中所闡述進一步經組態。另外,可如本發明中所闡述進一步執行將資訊與如本文中所闡述之設計資訊組合。
以此方式,如本文中所闡述判定之關於不同群組之資訊可用於本著CBI之精神分組及/或分段基於設計之關注區域。此外,此等新關注區域群組可基於雜訊圖與來自其他來源之關注區域群組組合。以此方式,由本文中所闡述之方法產生之經驗資料可與CBI關注區域一起組合。因此,本文中所闡述之實施例整合可用於使CBI內容脈絡更強效之能力之一獨特組合。
在另一實施例中,晶圓檢測程序包含:基於資訊及關於晶粒內位置之設計資訊而將一或多個缺陷偵測參數應用於額外輸出以藉此偵測晶圓上之缺陷。舉例而言,晶圓檢測程序可基於經驗產生之基於雜訊之關注區域與基於設計之關注區域兩者而無需實際上組合兩個類型之關注區域來執行。在一項此類實例中,晶圓檢測程序可包含:基於
一像素之晶粒內位置而查找關於彼像素之一基於雜訊之關注區域及一基於設計之關注區域及然後基於兩個類型之關注區域將(若干)缺陷偵測參數應用於像素。可以若干種不同方式(例如,基於在晶圓檢測程序之前判定之規則)判定基於雜訊之關注區域及基於設計之關注區域之任一組合之(若干)適當缺陷偵測參數。
本文中所闡述之獲取、組合、判定、指派及儲存步驟係由可根據本文中所闡述之實施例中之任一者組態之一電腦系統執行。在一項實施例中,電腦系統經組態為一虛擬檢測器。舉例而言,一虛擬檢測器(VI)之某一表現可係本文中所闡述之實施例之實施方案之一元件。一電腦系統可經組態為如於2012年2月28日頒佈之Bhaskar等人之美國專利第8,16,255號(其以猶如全部闡明之引用方式併入本文中)中所闡述之一VI。本文中所闡述之實施例可如本專利中所闡述而進一步經組態。將電腦系統組態為一VI有利於本文中所闡述之實施例,此乃因實施例包含包含使用經後處理(亦即,替代在其經獲取時經處理)之所儲存影像之步驟。因此,本文中所闡述之實施例可需要可由一VI提供之顯著儲存容量及資料處置。然而,電腦系統可經組態為本文中所闡述之任何其他電腦系統或子系統。
本文中所闡述之實施例可經組態用於多來源CBI視覺化。舉例而言,本文中所闡述之實施例提供用以實現組合之設計及基於影像之分段之益處以饋送CBI檢測之實際解決方案。使方法實際之部分可提供用於人類驗證演算法所做之事之方法及共用設施。另外,在使用所闡述方法之過程中產生之資料之空間圖徵係晶片佈局與經執行以構建晶片之處理之間的互動之系統改變之結果。此分析之一潛在副作用係出於實際原因可僅由一人辨識之非預期圖徵之揭示。換言之,「雜訊」中可存在可由一使用者辨識之一「信號」或圖徵。如此,在諸如本文中進一步闡述之一使用者介面(UI)上顯示本文中所闡述之步驟中之一
或多者之結果(諸如,以晶粒內位置為基礎判定之統計性質)可經執行用於驗證目的以及可能用於識別可與晶圓上之設計-程序互動相關之晶圓上之獨特圖徵。本文中所闡述之視覺化可如於2013年12月17日頒佈之Kulkarni等人之美國專利第8,611,639號(其以猶如全部闡明之引用方式併入本文中)中所闡述進一步執行。本文中所闡述之實施例可包含本發明中所闡述之(若干)任何方法之(若干)任何步驟。
另一實施例係關於用於偵測一晶圓上之缺陷之一電腦實施方法。此實施例包含以下步驟:獲取輸出、組合輸出、判定統計性質及將晶粒內位置指派至上文所闡述之方法之不同群組。此實施例亦包含基於關於經指派至不同群組之晶粒內位置之統計性質而將一或多個缺陷偵測參數指派至不同群組,其可根據本文中所闡述之實施例中之任一者執行。另外,該方法包含:藉助檢測系統獲取關於一晶圓之額外輸出,獲取額外輸出可如本文中進一步闡述執行且檢測系統可如本文中所闡述僅組態。該方法進一步包含:藉由比較該額外輸出之該等晶粒內位置與經指派至該等不同群組之該等晶粒內位置而將該額外輸出指派至該等不同群組,此可根據本文中所闡述之實施例中之任一者執行。該方法亦包含:藉由基於該額外輸出已經指派至的該等不同群組而將該一或多個缺陷偵測參數應用於該額外輸出來偵測該晶圓上之缺陷,此可根據本文中所闡述之實施例中之任一者執行。本方法之步驟係由可根據本文中所闡述之實施例中之任一者組態之一電腦系統執行。
上文所闡述之方法之實施例中之每一者可包含本文中所闡述之(若干)任何其他方法之(若干)任何其他步驟。此外,可藉由本文中所闡述之系統中之任一者執行上文所闡述之方法之實施例中之每一者。
另一實施例係關於儲存可在一電腦系統上執行以用於執行用於產生供在一晶圓檢測程序中使用之資訊之一電腦實施方法之程式指令
之一非暫時性電腦可讀媒體。一項此類實施例展示於圖2中。舉例而言,如圖2中所展示,非暫時性電腦可讀媒體200儲存可在電腦系統204上執行以用於執行用於產生供在一晶圓檢測程序中使用之資訊之一電腦實施方法之程式指令202。電腦實施方法可包含本文中所闡述之(若干)任何方法之(若干)任何步驟。
實施諸如本文中所闡述之方法的方法之程式指令202可儲存於非暫時性電腦可讀媒體200上。電腦可讀媒體可係諸如一磁碟或光碟、一磁帶或此項技術中已知之任何其他適合之非暫時性電腦可讀媒體之一儲存媒體。
可以包含基於程序之技術、基於組件之技術及/或物件導向之技術以及其他技術之各種方式中之任一者來實施程式指令。舉例而言,可視需要使用Matlab、Visual Basic、ActiveX控制項、C、C++物件、C#、JavaBeans、微軟基礎類別(「MFC」)或其他技術或方法來實施該等程式指令。
電腦系統204可採取各種形式,包含一個人電腦系統、主機電腦系統、工作站、系統電腦、影像計算機、可程式化影像電腦、平行處理器或此項技術中所習知之任一其他裝置。一般而言,術語「電腦系統」可經廣泛界定以囊括具有一或多個執行來自一記憶體媒體之指令之處理器之任一裝置。
一額外實施例係關於經組態以產生供在一晶圓檢測程序中使用之資訊之一系統。此一系統之一項實施例展示於圖3中。如圖3中所展示,系統300包含電腦子系統302。電腦子系統經組態以用於執行本文中所闡述之方法之獲取輸出、組合輸出、判定統計性質及指派晶粒內位置之步驟。電腦子系統可經組態以用於執行本文中所闡述之(若干)任何方法之(若干)任何步驟。電腦子系統可根據本文中所闡述之電腦系統實施例進一步經組態。
在一項實施例中,電腦子系統經組態為一虛擬檢測器。舉例而言,如圖3中所示,系統300未必包含一光束或電子束或諸如本文中進一步闡述檢測系統之其他檢測子系統,但系統可經組態以使用已儲存於電腦子系統之一儲存媒體中或可由電腦子系統存取之一檢測系統之輸出來執行類似晶圓檢測功能。在一額外實例中,系統300未必包含任何實體晶圓處置能力。以此方式,一晶圓可不定位於系統中且系統可不因此藉由掃描一晶圓來產生關於一晶圓之輸出。因此,系統300未必經組態為一實際檢測系統。系統300之電腦子系統可如本文中所闡述進一步經組態為一VI。
如圖3中進一步展示,系統300亦包含耦合至電腦子系統302且經組態以用於執行本文中所闡述之方法實施例之儲存步驟之儲存媒體304。儲存媒體304可進一步經組態為本文中所闡述之非暫時性電腦可讀儲存媒體中之任一者。儲存媒體可以任何適合方式耦合至電腦子系統使得電腦子系統可將欲儲存之資訊發送至儲存媒體且可自儲存媒體接收資訊。
亦如在圖3中所展示,系統300可包含可經組態為任何適合使用者介面之使用者介面306。使用者介面可經組態以執行本文中所闡述之(若干)任何方法之(若干)任何步驟,諸如向一使用者顯示一或多個方法之一或多個步驟(例如,出於視覺化目的及/或驗證目的)。因此,使用者介面可耦合至電腦子系統302及儲存媒體304使得由電腦子系統產生且由儲存媒體儲存之資訊可在一使用者之使用者介面中顯示。
儲存媒體可由檢測系統310存取以用於執行晶圓檢測程序。晶圓檢測程序可包含本文中所闡述之晶圓檢測程序中之任一者。在圖3中所展示之實施例中,儲存媒體304係可由檢測系統310之電腦子系統322存取以用於執行晶圓檢測程序。舉例而言,儲存媒體可以任何適合方式耦合至電腦子系統322使得電腦子系統322可存取儲存於儲存媒
體中之資訊。以此方式,檢測系統之電腦子系統可存取如本文中所闡述產生及儲存之資訊且然後使用彼資訊來對一晶圓執行晶圓檢測。
檢測系統包含經組態以藉由用光在晶圓上方掃描及在掃描期間偵測來自晶圓之光來產生關於一晶圓之輸出的檢測子系統308。如圖3中所展示,檢測子系統包含光源312,其可包含此項技術者習知在任何適合光源,諸如一寬頻電漿(BBP)光源。來自光源之光可引導至光束分裂器314,光束分裂器314可經組態以將光自光源引導至晶圓316。光源可耦合至任何其他適合元件(未展示),諸如一或多個聚光透鏡、準直透鏡、中繼透鏡、物鏡、孔隙、光譜濾光片、偏光組件及諸如此類。如圖3中所展示,可以一垂直入射角將光引導至晶圓。然而,可以包含近乎法向及偏斜入射之任何適合入射角將光導引至晶圓。另外,可以一個以上入射角依序或同時將光或多個光束導引至晶圓。檢測子系統可經組態以依任何適合方式用光在晶圓上方進行掃描。
來自晶圓316之光可在掃描期間由檢測子系統之一或多個偵測器收集並偵測。舉例而言,自晶圓316以相對接近法線之角反射之光(亦即,在入射為法向時鏡面反射之光)可通過光束分裂器314至透鏡318。透鏡318可包含一折射光學元件,如圖3中所展示。另外,透鏡318可包含一或多個折射光學元件及/或一或多個反射光學元件。由透鏡318所收集之光可聚焦至偵測器320。偵測器320可包含此項技術中已知之任何適合偵測器,諸如一電荷耦合裝置(CCD)或另一類型之成像偵測器。偵測器320經組態以產生回應於由透鏡318收集之反射光之輸出。因此,透鏡318及偵測器320形成檢測子系統之一個通道。檢測子系統之此通道可包含此項技術中已知之任何其他適合光學組件(未展示)。偵測器之輸出可包含可由適合供用於一檢測系統中之一偵測器產生之(舉例而言)影像、影像資料、信號、影像信號或任何其他輸
出。
由於圖3中所展示之檢測子系統經組態以偵測自晶圓鏡面反射之光,因此檢測子系統經組態為一明視場(BF)檢測系統。然而,此一檢測子系統亦可經組態用於其他類型之晶圓檢測。舉例而言,圖3中所展示之檢測子系統亦可包含一或多個其他通道(未展示)。(若干)其他通道可包含組態為一散射光通道之本文中所闡述之光學組件(諸如,一透鏡及一偵測器)中之任一者。透鏡及偵測器可如本文中所闡述而進一步經組態。以此方式,檢測子系統亦可經組態以用於暗視場(DF)檢測。
檢測系統亦包含耦合至檢測子系統之電腦子系統322。舉例而言,電腦子系統可耦合至檢測子系統之一或多個偵測器使得電腦子系統可接收由(若干)偵測器產生之輸出。以此方式,由檢測子系統之(若干)偵測器產生之輸出可提供至電腦子系統322。電腦子系統322經組態以用於基於由檢測子系統針對晶圓產生之輸出而偵測一晶圓上之缺陷,此可根據本文中所闡述之實施例中之任一者執行。另外,電腦子系統322可經組態以執行本文中所闡述之任何其他步驟。
應注意,本文中提供圖3以大體上圖解說明可包含於本文中所闡述之系統實施例中之一檢測子系統之一組態。顯然,本文中所闡述之檢測子系統組態可經變更以最佳化檢測子系統之效能,如通常在設計一商用檢測系統時所執行。另外,本文中所闡述之系統可使用諸如可自KLA-Tencor購得之29xx/28xx系列工具之一現有檢測系統(例如,藉由將本文中所闡述之功能性添加至一現有檢測系統)來實施。針對某些此等系統,本文中所闡述之方法亦可提供為系統之選用功能性(例如,除系統之其他功能性外)。另一選擇係,本文中所闡述之系統可「從頭開始」設計以提供一全新系統。
此外,儘管該檢測系統在本文中闡述為係一光學或基於光之檢
測系統,但該檢測子系統可經組態為一基於電子束之檢測子系統。基於電子束之檢測子系統可係包含於任何適合可購得之電子束檢測系統中之任何適合基於電子束之檢測子系統。
鑒於此說明,熟習此項技術者將明瞭本發明之各種態樣之進一步修改及替代實施例。舉例而言,提供用於產生供在一晶圓檢測程序中使用之資訊之系統及方法。相應地,此說明應解釋為僅係說明性的,且係出於教示熟習此項技術者實施本發明之一般方式之目的。應理解,本文中所展示及所闡述之本發明之形式應視為目前較佳之實施例。如熟習此項技術者在受益於本發明之此說明之後皆將明瞭,元件及材料可替代本文中所圖解說明及闡述之彼等元件及材料,部件及程序可顛倒,且本發明之某些特徵可獨立地利用。可在不背離如以下申請專利範圍中所闡述之本發明之精神及範疇之情況下對本文中所闡述之元件做出改變。
Claims (38)
- 一種用於產生供在一晶圓檢測程序中使用之資訊之電腦實施方法,其包括:獲取一檢測系統之關於位於一或多個晶圓上之一或多個晶粒之輸出;基於該輸出之晶粒內位置而組合關於該一或多個晶粒之該輸出;以晶粒內位置為基礎,判定該所組合輸出之一或多個特性之值之改變之一統計性質;基於針對該等晶粒內位置判定之該等統計性質而將該等晶粒內位置指派至不同群組;及將關於該等晶粒內位置及該等晶粒內位置經指派至的該等不同群組之資訊儲存於一儲存媒體中,該儲存媒體係由該檢測系統存取以用於執行該晶圓檢測程序,其中該晶圓檢測程序包括:基於該資訊而將一或多個缺陷偵測參數應用於該檢測系統之針對一晶圓產生之額外輸出以藉此偵測該晶圓上之缺陷,且其中該獲取、該組合、該判定、該指派及該儲存係由一電腦系統執行。
- 如請求項1之方法,其中該等不同群組界定該晶圓檢測程序之不同關注區域。
- 如請求項1之方法,其中該指派經執行使得具有在一第一範圍內之該等統計性質之值之該等晶粒內位置經指派至該等不同群組中之一者且具有在一第二範圍內之該等統計性質之該等值之該等晶粒內位置經指派至該等不同群組中之另一者,且其中該第一範圍與該第二範圍係不同的。
- 如請求項1之方法,其中經指派至該等不同群組中之一者之該等晶粒內位置包括具有彼此不同之臨界性之裝置特徵之該等晶粒內位置。
- 如請求項1之方法,其中該指派並非基於關於該等晶粒內位置之設計資訊而執行。
- 如請求項1之方法,其中關於該一或多個晶粒之該輸出包括影像,且其中該一或多個特性包括灰階。
- 如請求項1之方法,其中關於該一或多個晶粒之該輸出包括影像,且其中該等晶粒內位置對應於該等影像中之不同像素。
- 如請求項1之方法,其中判定該統計性質包括:識別該所組合輸出之該一或多個特性之離群值;將該等離群值自該所組合輸出消除,藉此產生經變更之所組合輸出;及基於該經變更之所組合輸出而判定該統計性質。
- 如請求項1之方法,其中判定該統計性質包括:以該晶粒內位置為基礎,判定該所組合輸出之該一或多個特性之該等值之一中位值;以該晶粒內位置為基礎,判定該輸出之該一或多個特性之該等值與該等值之該對應中位值之間的差;基於該輸出之該等晶粒內位置而組合該一或多個晶粒之該等差;及以該晶粒內位置為基礎,基於該等所組合差而判定該改變之該統計性質。
- 如請求項1之方法,其中該等組合、判定、指派及儲存步驟係針對該一或多個晶圓上之該一或多個晶粒之不同組單獨地執行,藉此產生關於該一或多個晶粒之該等不同組之不同資訊。
- 如請求項10之方法,其中該一或多個晶粒之該等不同組在該輸出中具有不同雜訊來源。
- 如請求項10之方法,其中該等不同組中之一者不包括毗鄰於該一或多個晶圓之一邊緣定位之該一或多個晶粒中之任一者,且 其中該等不同組中之另一者包括毗鄰於該一或多個晶圓之該邊緣定位之該一或多個晶粒中之至少一者。
- 如請求項10之方法,其中該一或多個晶粒之該等不同組具有相互排斥之晶圓內位置。
- 如請求項1之方法,其中該等獲取、組合、判定、指派及儲存步驟係針對該檢測系統之不同光學模式單獨地執行,藉此產生關於該等不同光學模式之不同資訊。
- 如請求項1之方法,其進一步包括:基於關於該晶圓之設計資訊而將該資訊與關於該等晶粒內位置及該等晶粒內位置經指派至的額外群組之其他資訊組合,其中該晶圓檢測程序進一步包括:基於該所組合資訊而將該一或多個缺陷偵測參數應用於該額外輸出以藉此偵測該晶圓上之該等缺陷。
- 如請求項1之方法,其中該晶圓檢測程序進一步包括:基於該資訊及關於該等晶粒內位置之設計資訊而將該一或多個缺陷偵測參數應用於該額外輸出以藉此偵測該晶圓上之該等缺陷。
- 如請求項1之方法,其中該電腦系統經組態為一虛擬檢測器。
- 如請求項1之方法,其中該等獲取、組合、判定、指派及儲存步驟係在執行該晶圓檢測程序之前執行。
- 一種用於偵測一晶圓上之缺陷之電腦實施方法,其包括:獲取一檢測系統之關於位於一或多個晶圓上之一或多個晶粒之輸出;基於該輸出之晶粒內位置而組合關於該一或多個晶粒之該輸出;以晶粒內位置為基礎,判定該所組合輸出之一或多個特性之值之改變之一統計性質;基於針對該等晶粒內位置判定之該等統計性質而將該等晶粒 內位置指派至不同群組;基於關於經指派至該等不同群組之該等晶粒內位置之該等統計性質而將一或多個缺陷偵測參數指派至該等不同群組;藉助該檢測系統獲取關於一晶圓之額外輸出;藉由比較該額外輸出之該等晶粒內位置與經指派至該等不同群組之該等晶粒內位置而將該額外輸出指派至該等不同群組;及藉由基於該額外輸出已經指派至的該等不同群組而將該一或多個缺陷偵測參數應用於該額外輸出來偵測該晶圓上之缺陷,其中該獲取該輸出、該組合、該判定、該指派該等晶粒內位置、該指派一或多個缺陷偵測參數、該獲取該額外輸出、該指派該額外輸出及該偵測係由一電腦系統執行。
- 一種非暫時性電腦可讀媒體,其儲存可在一電腦系統上執行以用於執行用於產生供在一晶圓檢測程序中使用之資訊之一電腦實施方法之程式指令,其中該電腦實施方法包括:獲取一檢測系統之關於位於一或多個晶圓上之一或多個晶粒之輸出;基於該輸出之晶粒內位置而組合關於該一或多個晶粒之該輸出;以晶粒內位置為基礎,判定該所組合輸出之一或多個特性之值之改變之一統計性質;基於針對該等晶粒內位置判定之該等統計性質而將該等晶粒內位置指派至不同群組;及將關於該等晶粒內位置及該等晶粒內位置經指派至的該等不同群組之資訊儲存於一儲存媒體中,該儲存媒體係由該檢測系統存取以用於執行該晶圓檢測程序,其中該晶圓檢測程序包 括:基於該資訊而將一或多個缺陷偵測參數應用於該檢測系統之針對一晶圓產生之額外輸出以藉此偵測該晶圓上之缺陷。
- 一種經組態以產生供在一晶圓檢測程序中使用之資訊之系統,其包括:一電腦子系統,其經組態以用於:獲取一檢測系統之關於位於一或多個晶圓上之一或多個晶粒之輸出;基於該輸出之晶粒內位置而組合關於該一或多個晶粒之該輸出;以晶粒內位置為基礎,判定該所組合輸出之一或多個特性之值之改變之一統計性質;及基於針對該等晶粒內位置判定之該等統計性質而將該等晶粒內位置指派至不同群組;及一儲存媒體,其耦合至該電腦子系統且經組態以用於儲存關於該等晶粒內位置及該等晶粒內位置經指派至的該等不同群組之資訊,其中該儲存媒體係由該檢測系統存取以用於執行該晶圓檢測程序,且其中該晶圓檢測程序包括:基於該資訊而將一或多個缺陷偵測參數應用於該檢測系統之針對一晶圓產生之額外輸出以藉此偵測該晶圓上之缺陷。
- 如請求項21之系統,其中該等不同群組界定該晶圓檢測程序之不同關注區域。
- 如請求項21之系統,其中該指派經執行使得具有在一第一範圍內之該等統計性質之值之該等晶粒內位置經指派至該等不同群組中之一者且具有在一第二範圍內之該等統計性質之該等值之該等晶粒內位置經指派至該等不同群組中之另一者,且其中該第一範圍與該第二範圍係不同的。
- 如請求項21之系統,其中經指派至該等不同群組中之一者之該等晶粒內位置包括具有彼此不同之臨界性之裝置特徵之該等晶粒內位置。
- 如請求項21之系統,其中該指派並非基於關於該等晶粒內位置之設計資訊而執行。
- 如請求項21之系統,其中關於該一或多個晶粒之該輸出包括影像,且其中該一或多個特性包括灰階。
- 如請求項21之系統,其中關於該一或多個晶粒之該輸出包括影像,且其中該等晶粒內位置對應於該等影像中之不同像素。
- 如請求項21之系統,其中判定該統計性質包括:識別該所組合輸出之該一或多個特性之離群值;將該等離群值自該所組合輸出消除,藉此產生經變更之組合輸出;及基於該經變更之所組合輸出而判定該統計性質。
- 如請求項21之系統,其中判定該統計性質包括:以該晶粒內位置為基礎,判定該所組合輸出之該一或多個特性之該等值之一中位值;以該晶粒內位置為基礎,判定該輸出之該一或多個特性之該等值與該等值之該對應中位值之間的差;基於該輸出之該等晶粒內位置而組合該一或多個晶粒之該等差;及以該晶粒內位置為基礎,基於該等所組合差而判定該改變之該統計性質。
- 如請求項21之系統,其中由該電腦子系統執行之該組合、該判定及該指派以及由該儲存媒體執行之該儲存係針對該一或多個晶圓上之該一或多個晶粒之不同組單獨地執行,藉此產生關於該一或多個晶粒之該等不同組之不同資訊。
- 如請求項30之系統,其中該一或多個晶粒之該等不同組在該輸出中具有不同雜訊來源。
- 如請求項30之系統,其中該等不同組中之一者不包括毗鄰於該一或多個晶圓之一邊緣定位之該一或多個晶粒中之任一者,且其中該等不同組中之另一者包括毗鄰於該一或多個晶圓之該邊緣定位之該一或多個晶粒中之至少一者。
- 如請求項30之系統,其中該一或多個晶粒之該等不同組具有相互排斥之晶圓內位置。
- 如請求項21之系統,其中由該電腦子系統執行之該獲取、該組合、該判定及該指派以及由該儲存媒體執行之該儲存係針對該檢測系統之不同光學模式單獨地執行,藉此產生關於該等不同光學模式之不同資訊。
- 如請求項21之系統,其中該電腦子系統進一步經組態以用於基於關於該晶圓之設計資訊而將該資訊與關於該等晶粒內位置及該等晶粒內位置經指派至的額外群組之其他資訊組合,且其中該晶圓檢測程序進一步包括:基於該所組合資訊而將該一或多個缺陷偵測參數應用於該額外輸出以藉此偵測該晶圓上之該等缺陷。
- 如請求項21之系統,其中該晶圓檢測程序進一步包括:基於該資訊及關於該等晶粒內位置之設計資訊而將該一或多個缺陷偵測參數應用於該額外輸出以藉此偵測該晶圓上之該等缺陷。
- 如請求項21之系統,其中該電腦子系統經組態為一虛擬檢測器。
- 如請求項21之系統,其中由該電腦子系統執行之該獲取、該組合、該判定及該指派以及由該儲存媒體執行之該儲存係在執行該晶圓檢測程序之前執行。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201461992170P | 2014-05-12 | 2014-05-12 | |
US61/992,170 | 2014-05-12 | ||
US14/707,573 | 2015-05-08 | ||
US14/707,573 US9262821B2 (en) | 2014-05-12 | 2015-05-08 | Inspection recipe setup from reference image variation |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201546926A TW201546926A (zh) | 2015-12-16 |
TWI631638B true TWI631638B (zh) | 2018-08-01 |
Family
ID=54368277
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW104115080A TWI631638B (zh) | 2014-05-12 | 2015-05-12 | 由參考影像改變之檢測方式設定 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9262821B2 (zh) |
TW (1) | TWI631638B (zh) |
Families Citing this family (12)
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- 2015-05-12 TW TW104115080A patent/TWI631638B/zh active
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US9262821B2 (en) | 2016-02-16 |
US20150324964A1 (en) | 2015-11-12 |
TW201546926A (zh) | 2015-12-16 |
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