TWI631230B - 具有降低的覆蓋區域之往復式沉積系統 - Google Patents

Abstract

本發明係關於沉積系統，且更具體而言，係關於可藉由下列動作減少其覆蓋區域之往復式沉積系統:當使用複數沉積腔室以往復的方式執行沉積時，連續地將基板引入複數沉積腔室中並從其中卸載。

Description

具有降低的覆蓋區域之往復式沉積系統

本發明係關於沉積系統，且更具體而言，係關於具有降低的覆蓋區域之往復式沉積系統，當使用複數沉積腔室執行往復式沉積時，系統透過將基板逐一且連續地傳送進出複數沉積腔室而具有高的沉積產率。

沉積系統為用以在基板的表面上沉積薄膜的系統。由於薄膜通常係在真空狀態下沉積，故沉積系統亦被稱為真空沉積系統。

沉積方法分為物理氣相沉積(PVD)方法與化學氣相沉積(CVD)方法。PVD方法透過在真空環境下濺射並沉積靶料於基板上而形成薄膜。CVD方法透過熱或電激發材料氣體並沉積反應材料於基板上而形成薄膜。

另一方面，沉積系統分為批次(batch)式與串列(inline)式。批次式為在固定於一真空腔室中的基板上執行複數沉積的沉積系統。串列式為透過將基板依序地從一腔室傳送到另一腔室，而在不同的真空腔室中執行複數沉積，藉此在基板上形成複數薄膜的沉積系統。

在串列式沉積系統中，複數真空腔室被設置成一列，當將基板從第一真空腔室傳送到最後的真空腔室的同時，在各個真空腔室中於基板上執行沉積。當在基板上形成複數薄膜時，串列式沉積系統係有用的。

然而，由於基板僅在一方向上傳送，故串列式沉積系統有一問題為覆蓋區域大。尤其，當形成由相同材料所製成的複數薄膜時，需要將複數真空腔室設置成一列，而這增加整體沉積系統的覆蓋區域。

由於一次僅一基板被從一腔室傳送到另一腔室，故串列式沉積系統有另一問題為沉積速率低。

因此，本發明係關注於先前技術中發生的上述問題，且本發明的目標為提供往復式沉積系統，其具有減少的覆蓋區域及當形成複數薄膜時提高的沉積產率。

為完成上述目標，本發明提供往復式沉積系統，包括：複數沉積腔室，彼此連接成列並執行沉積處理；以及複數基板移動元件，安裝在個別的該沉積腔室中，以將基板傳送進出個別的該沉積腔室；其中複數基板被以如下方式連續地從一沉積腔室傳送到另一沉積腔室，以於對應的沉積腔室中歷經沉積處理：當該基板從目前的沉積腔室卸載時，該基板被引入接下來的沉積腔室中。

在較佳實施例中，各基板在各沉積腔室中歷經沉積處理並且被依次地從一沉積腔室傳送到另一沉積腔室，其中各基板返回到第一沉積腔室(為該基板最初引入的沉積腔室)中，然後從該第一沉積腔室卸載。

在較佳實施例中，該往復式沉積系統可更包括複數緩衝腔室，各緩衝腔室設置於彼此相鄰的該沉積腔室之間，該緩衝腔室將相鄰的兩個該沉積腔室中的基板互相交換。

在較佳實施例中，各緩衝腔室可裝備有設置於其中的一基板升降元件，該基板升降元件支持並排地設置於其上的至少兩個基板並將該基板向上或向下移動，以將該基板定位在該沉積腔室的入口。

在較佳實施例中，每一沉積腔室、或每兩沉積腔室中的任一者可裝備有一基板升降元件，該基板升降元件將該基板向上或向下移動，以將該基板定位在該沉積腔室的入口，藉此達成使彼此相鄰的兩個沉積腔室中的基板互相交換。

在較佳實施例中，該往復式沉積系統可更包含一升降腔室，其經設置成相鄰於各沉積腔室、支持並排地設置於其上的至少兩個基板、並透過上下移動該基板而將該基板定位在該沉積腔室的入口；其中該基板被選擇性地傳送到該沉積腔室中，以在該沉積腔室中歷經沉積處理。

在較佳實施例中，該往復式沉積系統可更包含一加熱腔室，在該基板被引入該沉積腔室之前透過加熱該基板而移除水分。

在較佳實施例中，該往復式沉積系統可更包含一電漿處理腔室，在該基板被引入該沉積腔室之前使用電漿處理該基板，以將有機物質從該基板移除。

在較佳實施例中，該基板可首先被引入該加熱腔室中；然後依序地被傳送到該電漿處理腔室及該沉積腔室中；並最終返回到該加熱腔室並卸載至外側。

在較佳實施例中，該沉積腔室包括一不鏽鋼薄膜沉積腔室及一銅薄膜沉積腔室，其中一緩衝腔室設置在該不鏽鋼薄膜沉積腔室及該銅薄膜沉積腔室之間，以將該不鏽鋼薄膜沉積腔室及該銅薄膜沉積腔室中的基板互相交換；其中該基板經傳送而以如下所示之順序依序地通過：該加熱腔室、該電漿處理腔室、該不鏽鋼薄膜沉積腔室、及該銅薄膜沉積腔室；且其中在該銅薄膜沉 積腔室中沉積銅薄膜於該基板上之後，該基板經傳送而以如下所示之順序依序地通過：該不鏽鋼薄膜沉積腔室、該電漿處理腔室、及該加熱腔室，藉此返回到該加熱腔室並卸載至外側。

在較佳實施例中，該沉積腔室包括一不鏽鋼薄膜沉積腔室、第一銅薄膜沉積腔室、及第二銅薄膜沉積腔室，其中緩衝腔室分別設置在該不鏽鋼薄膜沉積腔室及該第一銅薄膜沉積腔室之間、在該第一銅薄膜沉積腔室及該第二銅薄膜沉積腔室之間，以將位於相鄰沉積腔室中的基板互相交換；其中該基板經傳送而以如下所示之順序依序地通過：該加熱腔室、該電漿處理腔室、該不鏽鋼薄膜沉積腔室、該第一銅薄膜沉積腔室、及該第二銅薄膜沉積腔室；且其中在該第二銅薄膜沉積腔室中沉積第二銅薄膜於該基板上之後，該基板經傳送而以如下所示之順序依序地通過：該第一銅薄膜沉積腔室、該不鏽鋼薄膜沉積腔室、該電漿處理腔室、及該加熱腔室，藉此返回到該加熱腔室並從該加熱腔室卸載。

在較佳實施例中，該沉積腔室包括一不鏽鋼薄膜沉積腔室、第一銅薄膜沉積腔室、及第二銅薄膜沉積腔室，其中緩衝腔室分別設置在該不鏽鋼薄膜沉積腔室及該第一銅薄膜沉積腔室之間、在該第一銅薄膜沉積腔室及該第二銅薄膜沉積腔室之間，以將位於相鄰沉積腔室中的基板互相交換；其中該基板經傳送而以如下所示之順序依序地通過：該加熱腔室、該電漿處理腔室、該不鏽鋼薄膜沉積腔室、該第一銅薄膜沉積腔室、及該第二銅薄膜沉積腔室；其中在該第二銅薄膜沉積腔室中沉積第二銅薄膜於該基板上之後，該基板經傳送而以如下所示之順序依序地通過：該第一銅薄膜沉積腔室、該不鏽鋼薄膜沉積腔室、該電漿處理腔室、及該加熱腔室、然後卸載至外側；且其中當該基板返回到該加熱腔室時，在該第一銅薄膜沉積腔室中沉積另一銅薄膜於該基板上，並在該不鏽鋼薄膜沉積腔室中沉積第二不鏽鋼薄膜於該基板上。

根據另一態樣，提供具有至少一不鏽鋼薄膜及至少一銅薄膜的基板，該不鏽鋼薄膜及該銅薄膜兩者均係使用根據本發明之較佳實施例之沉積系統而沉積在該基板上。

在較佳實施例中，該不鏽鋼薄膜及該銅薄膜可結合作用為電磁干擾(EMI)遮蔽薄膜。

在較佳實施例中，該基板為樣本所附接的薄膜(下文稱為“樣本附接薄膜”)，該樣本為歷經沉積處理的主體；其中該沉積腔室裝備有一樣本支撐台，其支撐放置於其上的該樣本附接薄膜，藉此允許塗佈層沉積在該樣本上；其中該往復式沉積系統更包括一配重桿堆料機，其安裝在該沉積腔室的先前階段且一配重桿裝載於其中，該配重桿在該樣本附接薄膜被引入該沉積腔室之前被放置在該樣本附接薄膜上，使得該配重桿將該樣本附接薄膜壓在該樣本支撐台上，以達成當該樣本附接薄膜被放置在該樣本支撐台上時，該樣本附接薄膜與該樣本支撐台緊密接觸。

在較佳實施例中，該配重桿堆料機可裝備有一移動元件，其單向地將該樣本附接薄膜從該配重桿堆料機傳送到該沉積腔室，或雙向地將該樣本附接薄膜從該配重桿堆料機傳送到該沉積腔室、及在塗佈層沉積於該樣本上之後從該沉積腔室傳送到該配重桿堆料機。

在較佳實施例中，複數個該樣本附接薄膜被依次地引入該配重桿堆料機中並隨後引入該沉積腔室中；且其中該配重桿堆料機設置有一配重桿支撐台，其支撐並排地設置、且待放置於各樣本附接薄膜上的該配重桿。

在較佳實施例中，該配重桿堆料機可裝備有一配重桿升降元件，其將該配重桿支撐台上下移動，並將設置在該配重桿支撐台上的配重桿移動到該樣本附接薄膜的上表面的邊緣部分上。

在較佳實施例中，該配重桿堆料機可包括一真空腔室，用以容納該配重桿支撐台及該配重桿升降元件，並用以在真空狀態下將該配重桿移動到該樣本附接薄膜的上表面的邊緣部分上。

在較佳實施例中，該真空腔室的內部溫度可低於該沉積腔室的內部溫度。

在較佳實施例中，可將具有框架形狀的一支撐塊附接至該樣本附接薄膜的上表面的邊緣部分，藉此維持該樣本附接薄膜的形狀；且其中該配重桿被放置在該支撐塊上。

在較佳實施例中，該配重桿堆料機可更設置有一內部屏蔽，其在該配重桿堆料機中層疊於該配重桿之上或下，並與該配重桿一起被移動到該樣本附接薄膜的上表面的邊緣部分上；其中該內部屏蔽限制散佈範圍，沉積材料在該沉積腔室中散佈於該散佈範圍中。

在較佳實施例中，該樣本支撐台的上表面可為彎曲的表面。

在較佳實施例中，該樣本支撐台的上表面面積可小於該樣本附接薄膜的上表面面積；其中該配重桿與該樣本支撐台的邊緣部分隔一距離並下壓該樣本附接薄膜，以使該樣本附接薄膜與該樣本支撐台的上表面緊密接觸。

在較佳實施例中，該塗佈層可為銅薄膜、不鏽鋼薄膜、或至少一銅薄膜及至少一不鏽鋼薄膜的組合。

在較佳實施例中，該塗佈層可作用為電磁干擾(EMI)遮蔽薄膜。

本發明具有以下益處。

根據本發明，沉積系統可在以反復的方式將基板於複數沉積腔室之間反復移動的同時執行沉積，藉此減少用以沉積複數層於基板上的沉積腔室的數量，而減少整體系統的覆蓋區域。

根據本發明，沉積系統可透過以反復的方式將基板依次地傳送進出各個沉積腔室來提高沉積產率。

根據本發明，沉積系統將配重桿(weight bar)(用以將薄膜壓在樣本支撐台上，使得薄膜與樣本支撐台緊密接觸)裝載進配重桿堆料機(weight bar stoker)(安裝於沉積腔室之外側)中並降低配重桿的溫度，藉此避免沉積薄膜受損或變形，並避免在樣本上形成的塗佈層具有不均勻的厚度或缺陷。

根據本發明，當執行串列式或往復式沉積時，沉積系統可透過自動地放置配重桿於各個薄膜上，而自動化處理製程並提高處理速率。

根據本發明，沉積系統將裝置與樣本支撐台之間的接觸力最大化，藉此使產生自裝置的熱有效地散逸，或相反地，有效地加熱裝置，這大大地改善塗佈層的品質。

10‧‧‧基板

11‧‧‧基板

12‧‧‧基板

20‧‧‧樣本

30‧‧‧薄膜

100‧‧‧沉積系統

100a‧‧‧沉積空間

100b‧‧‧非沉積空間

110‧‧‧沉積腔室

111‧‧‧移動元件

112‧‧‧靶材

120‧‧‧沉積腔室

121‧‧‧移動元件

122‧‧‧靶材

122a‧‧‧沉積材料

123‧‧‧樣本支撐台

123a‧‧‧上表面

123b‧‧‧流動通道

123c‧‧‧上表面

130‧‧‧緩衝腔室

131‧‧‧基板升降元件

131a‧‧‧基板移動元件

131b‧‧‧基板移動元件

200‧‧‧沉積系統

210‧‧‧升降腔室

211‧‧‧基板升降元件

211a‧‧‧基板移動元件

211b‧‧‧基板移動元件

300‧‧‧沉積系統

310‧‧‧加熱腔室

311‧‧‧基板升降元件

311a‧‧‧基板移動元件

311b‧‧‧基板移動元件

320‧‧‧電漿處理腔室

321‧‧‧基板升降元件

321a‧‧‧基板移動元件

321b‧‧‧基板移動元件

400‧‧‧沉積系統

410‧‧‧沉積腔室

420‧‧‧緩衝腔室

500‧‧‧沉積系統

600‧‧‧沉積系統

610‧‧‧配重桿堆料機

611‧‧‧配重桿

611a‧‧‧支撐塊

612‧‧‧移動元件

613‧‧‧配重桿支撐台

614‧‧‧配重桿升降元件

615‧‧‧真空腔室

616a‧‧‧開口

616b‧‧‧屏蔽構件

616‧‧‧內部屏蔽

700‧‧‧沉積系統

a‧‧‧方向

b‧‧‧方向

R‧‧‧曲率

w1‧‧‧寬度

w2‧‧‧長度

G‧‧‧凹槽

圖1為根據本發明之第一實施例圖解沉積系統的平面圖；圖2為根據本發明之第二實施例圖解沉積系統的平面圖；圖3為根據本發明之第三實施例圖解沉積系統的平面圖；圖4為根據本發明之第四實施例圖解沉積系統的平面圖；圖5為根據本發明之第五實施例圖解沉積系統的平面圖；圖6為根據本發明之第六實施例圖解沉積系統的平面圖；圖7為根據本發明之第六實施例圖解沉積系統的支撐塊與配重桿的示意圖；圖8為根據本發明之第六實施例圖解沉積系統的例示性支撐台之一範例的立體圖； 圖9為根據本發明之第六實施例圖解沉積系統的例示性支撐台之另一範例的平面圖；圖10為根據本發明之第七實施例圖解沉積系統的作圖；圖11為根據本發明之第七實施例的分解立體圖，其圖解沉積系統的支撐塊與配重桿堆料機及內部屏蔽之間的組裝關係。

最佳態樣

除非予以定義，否則本文中使用的所有用語(包括技術與科學用語)具有與常人所公知者等同的意義。進一步應理解的係，應將用語(例如由本案之申請人特別界定者)解讀為，所具有之意義與其在本發明及相關技術領域之背景中的意義一致，而不應以理想化或過於形式的意義來加以解讀。

以下，將參考以隨附圖式圖解的較佳實施例來描述本發明的技術配置。

然而，本發明不限於本文中所述的較佳實施例，且可以不同的形式來實施。在圖式中，類似的參考數字指涉類似的元件。

發明態樣

[第一實施例]

圖1根據本發明之第一實施例圖解一沉積系統。根據本發明之第一實施例，沉積系統100包括複數沉積腔室110及120，彼此連接成列並在其中執行沉積處理。

複數基板移動元件111及121安裝在個別的沉積腔室110及120中，以將基板引進沉積腔室110及120中、及將基板從沉積腔室110及120卸載。

各個基板移動元件111及121可為滾輪或傳送帶。

塗佈沉積材料的複數靶材112及122安裝在個別的沉積腔室110及120中。塗佈在各個靶材112及122上的沉積材料首先被濺射或汽化，然後經物理沉積而形成薄膜。

然而，在化學氣相沉積中，可以靶電極取代靶材112及122。在此例子中，靶電極未塗佈沉積材料。在化學氣相沉積中，透過引入沉積腔室中的薄膜形成氣體的化學反應來沉積並塗佈沉積材料。

亦即，沉積腔室110及120可執行物理氣相沉積或化學氣相沉積。

此外，沉積腔室110及120可為以各種方式(例如離子鍍)執行沉積處理的腔室，不限於任何沉積方法。

此外，各個沉積腔室110及120以如下方式連續地執行沉積處理：當基板於第一沉積腔室中歷經沉積處理之後從第一沉積腔室卸載時，另一基板立即地引入第一沉積腔室中以於沉積腔室中歷經沉積處理。

亦即，沉積腔室110及120可同時在分別不同的基板11及12上執行沉積處理。

因此，相較於習知的串列式沉積系統，其中一次僅一基板於沉積腔室中歷經沉積處理，此沉積系統具有較高的沉積產率。

此外，將基板10、11及12依次地引入各個沉積腔室110及120中(逐一腔室地)，進而在各個沉積腔室110及120中依次地歷經沉積處理。在各個基板10、11及12通過所有沉積腔室110及120之後，將各個基板返回到第一沉積腔室110(為各個基板最初引入的沉積系統)中，然後從第一沉積腔室卸載。

亦即，根據第一實施例，在沉積系統100中，基板被以往復的方式傳送，其中基板返回到最初的沉積腔室，然後卸載至外側。亦即，基板透過往復移動於沉積腔室110及沉積腔室120之間至少一次而歷經沉積處理。

根據本發明之第一實施例，沉積系統100可更包括設置於沉積腔室110及沉積腔室120之間的緩衝腔室130。緩衝腔室130以往復的方式傳送基板。

緩衝腔室130亦作用以將相鄰的沉積腔室110及120中的基板互相交換。因此，緩衝腔室130裝備有基板升降元件131，兩個基板可並排地設置於其上。基板升降元件131可上下移動基板，藉此改變基板的裝載位置。

此外，基板升降元件131可包括至少兩個基板移動元件131a及131b，其可上下移動、彼此分隔、且可以前進方向“a”或後退方向“b”傳送基板。

接下來，將簡要地描述基板升降元件131的操作。首先，於第一沉積腔室110中歷經沉積處理的基板11及於第二沉積腔室120中歷經沉積處理的基板12在不同時間被獨立地引入緩衝腔室130中，然後被裝載於個別的基板移動元件131a及131b上。

此時，於第一沉積腔室110中歷經沉積處理的基板11被裝載於兩個基板移動元件131a及131b中的第一基板移動元件131a上。基板移動元件131a及131b向上或向下移動，使得基板12(於第二沉積腔室120中歷經沉積處理)可被裝載於第二基板移動元件131b上。

反之，在基板12(於第二沉積腔室120中歷經沉積處理)被裝載於第一基板移動元件131a上之後，基板11(於第一沉積腔室110中歷經沉積處理)可被裝載於第二基板移動元件131b上。

接下來，基板移動元件131a及131b向上或向下移動，以將基板11(於第一沉積腔室110中歷經沉積處理)定位在第二沉積腔室120的入口，然後將基板11引入第二沉積腔室120中。基板移動元件131a及131b再次向上或向下移動，以將基板12(於第二沉積腔室120中歷經沉積處理)定位在第一沉積腔室110的入口，然後將第二基板12引入第一沉積腔室110中。

反之，基板12(於第二沉積腔室120中歷經沉積處理)可先引入第一沉積腔室110中，而基板11(於第一沉積腔室110中歷經沉積處理)可接著引入第二沉積腔室120中。

此往復式沉積方法僅使用兩個沉積腔室來形成三層沉積層，因為第一層沉積層於第一沉積腔室110中沉積；第二層沉積層於第二沉積腔室120中沉積；第三層沉積層係當基板返回時，於第一沉積腔室110中沉積。因此，往復式沉積系統有益之處在於，相較於習知的串列式沉積系統(在相同情況下需要三個沉積腔室)，其具有減少的覆蓋區域。

[第二實施例]

圖2根據第二實施例圖解一沉積系統。根據第二實施例，沉積系統200包括：複數沉積腔室110及120，各執行沉積處理；以及升降腔室210，其選擇性地將基板10定位在沉積腔室110及120中任一者的入口、將基板10引入沉積腔室110及120中任一者中、或接收從沉積腔室110及120中之一者卸載的基板10。

此外，第二實施例中使用的沉積腔室110及120實質上相同於第一實施例中使用的沉積腔室110及120，故不再重述。

此外，圖2呈現沉積腔室110及120於垂直方向上堆疊的一範例。替代地，沉積腔室110及120可並排地設置。

升降腔室210的內部空間與沉積腔室110及120的入口連通。換句話說，沉積腔室110及120中任一者的入口通往升降腔室210的內部空間。

此外，升降腔室210裝備有設置於其中的基板升降元件211。基板升降元件211可包括至少兩個基板移動元件211a及211b，其彼此分且並排地設置。

此外，基板移動元件211a及211b可向上或向下移動，以將基板10傳送至個別的沉積腔室110及120中，並接收從沉積腔室110及120卸載的基板10。

亦即，升降腔室210具有與第一實施例中使用的緩衝腔室130相同的功能，但腔室的設置不同。亦即，第二實施例中的腔室設置成集群的形式(cluster form)，但第一實施例中的腔室設置成直線型態(inline pattern)。

[第三實施例]

圖3根據本發明之第三實施例圖解一沉積系統。根據第三實施例，沉積系統300包括：複數沉積腔室110及120(第一沉積腔室110及第二沉積腔室120)；設置在沉積腔室110及120之間的緩衝腔室130；以及加熱腔室310，設置在沉積腔室110及120之先前階段，以在形成沉積薄膜於基板10上之前將水份從基板10移除。

亦即，相較於根據第一實施例的沉積系統100，根據本發明之第三實施例的沉積系統300另外包括加熱腔室310。

基板升降元件311安裝於加熱腔室310中，以往復的方式傳送基板10。基板升降元件311可包括兩個基板移動元件311a及311b，其彼此分隔且並排地設置。

此外，基板升降元件311具有與設置在第一實施例之沉積系統100的緩衝腔室130中的基板升降元件131相同的功能。

在加熱腔室310與第一沉積腔室110之間可另外設置一緩衝腔室。緩衝腔室將基板上下移動並將加熱腔室310與第一沉積腔室110中的基板互相交換。在此例中，加熱腔室310可僅裝備有一基板移動元件。

根據第三實施例的沉積系統300可更包括電漿處理腔室320，設置在加熱腔室310與第一沉積腔室110之間。

電漿處理腔室320使用電漿處理基板10的表面，藉此移除基板10的表面上的雜質或有機物質。

電漿處理腔室320可裝備有設置於其中的基板升降元件321。基板升降元件321以往復的方式傳送基板10。基板升降元件321包括至少兩個基板移動元件321a及321b，其彼此分隔且並排地設置。

沉積系統300可更包括：第一緩衝腔室，設置在電漿處理腔室320與第一沉積腔室110之間；第二緩衝腔室，設置在電漿處理腔室320與加熱腔室310之間。在此例中，電漿處理腔室320可不裝備有基板升降元件321而僅裝備一個基板移動元件。

此外，關於第一及第二沉積腔室110及120，第一沉積腔室110可為用以形成不鏽鋼薄膜的不鏽鋼薄膜沉積腔室；第二沉積腔室120可為用以形成銅薄膜的銅薄膜沉積腔室。

亦即，基板10以如下所示之順序通過：加熱腔室310、電漿處理腔室320、不鏽鋼薄膜沉積腔室110、及銅薄膜沉積腔室120。因此，不鏽鋼薄膜及銅薄膜依序地形成於基板10上。在沉積銅薄膜之後，基板10經傳送而以如下所示之順序通過：不鏽鋼薄膜沉積腔室110、電漿處理腔室320、及加熱腔室310。之後，將基板10從沉積系統300卸載。

不鏽鋼薄膜及銅薄膜可作為電磁干擾(Electromagnetic interference，EMI)遮蔽薄膜。

[第四實施例]

圖4根據本發明之第四實施例圖解一沉積系統。根據第四實施例，沉積系統400包括：加熱腔室310、電漿處理腔室320、不鏽鋼薄膜沉積腔室110、第一緩衝腔室130、第一銅薄膜沉積腔室120、第二緩衝腔室420、及第二銅薄膜沉積腔室410，該者以所示之順序彼此連接。

亦即，相較於第三實施例的沉積系統300，根據第四實施例的沉積系統400另外包括緩衝腔室420及銅薄膜沉積腔室410。

基板10以如下所示之順序通過：加熱腔室310、電漿處理腔室320、不鏽鋼薄膜沉積腔室110、第一緩衝腔室130、第一銅薄膜沉積腔室120、第二緩衝腔室420、及第二銅薄膜沉積腔室410。在第二銅薄膜沉積腔室410中沉積第二銅薄膜於基板10上之後，基板10經傳送而以如下所示之順序通過：第二緩衝腔室420、第一銅薄膜沉積腔室120、第一緩衝腔室130、不鏽鋼薄膜沉積腔室110、電漿處理腔室320、及加熱腔室310。之後，將基板10卸載至外側。

當基板10依此方式移動時，不鏽鋼薄膜、第一銅薄膜、及第二銅薄膜依序地層疊於基板10上，而這些薄膜結合作用為EMI遮蔽薄膜。

當基板10以反方向返回時，可在第一銅薄膜沉積腔室120中沉積另一銅薄膜於基板10上，且可在不鏽鋼薄膜沉積腔室110中沉積另一不鏽鋼薄膜於基板10上。

亦即，不鏽鋼薄膜、第一銅薄膜、第二銅薄膜、另外的銅薄膜、及另外的不鏽鋼薄膜可層疊於基板上，而這些薄膜結合作用為EMI遮蔽薄膜。

此外，EMI遮蔽薄膜可為複數層薄膜，其中根據各個沉積層的厚度及基板10可承受的允許沉積溫度來決定層的數量。

[第五實施例]

圖5根據本發明之第五實施例圖解一沉積系統。根據第五實施例，沉積系統500相同於第一實施例的沉積系統100，但沉積系統500不包括緩衝腔室130(設置在沉積腔室110及120之間用以交換基板11及12)，且彼此相鄰的沉積腔室110及120中之任一者裝備有基板升降元件131。

由於第五實施例中使用的基板升降元件131實質上相同於設置在第一實施例的緩衝腔室130中的基板升降元件131，故省略關於第五實施例中使用的基板升降元件131的描述。

基板升降元件131可存在複數個，因此沉積腔室110及120可裝備有個別的基板升降元件131。

亦即，由於根據第五實施例的沉積系統500係透過從第一實施例的沉積系統100中去除緩衝腔室130而構成，故相較於沉積系統100，沉積系統500具有減少更多的覆蓋區域。

[第六實施例]

圖6根據本發明之第六實施例圖解一沉積系統。圖7為根據本發明之第六實施例圖解沉積系統的支撐塊與配重桿的示意圖。圖8為根據本發明之第六實施例圖解沉積系統的例示性支撐台之一範例的立體圖。圖9為根據本發明之第六實施例圖解沉積系統的例示性支撐台之另一範例的平面圖。

參考圖6，相較於根據第一實施例的沉積系統100，根據第六實施例的沉積系統600另外包括外加至沉積腔室110的配重桿堆料機(weight bar stoker)610。

此外，沉積腔室110裝備有樣本支撐台123，其設置成面對靶材122且其支撐放置於其上的樣本20。

此外，在根據本發明之第六實施例的沉積系統600中，作為歷經沉積(塗佈)處理的主體的基板為樣本20(例如電或電子裝置)。

此外，沉積腔室110裝備有設置在其中的移動元件121(對應到圖1的移動元件111，下文稱為“第一移動元件”)。移動元件121作用以將被引入沉積腔室110中的樣本20放置在樣本支撐台123上；或作用以在沉積處理完成之後將樣本20從沉積腔室110卸載。

此外，第一移動元件121可在第二方向(與第一方向相反)上傳送樣本20(單向傳送)，其中樣本20被引入沉積腔室中；且可在第一方向上返回樣本20(雙向傳送)。

亦即，沉積腔室110單向地傳送樣本20，藉此執行串列式沉積處理。此外，沉積腔室110雙向地傳送樣本20，藉此執行往復式沉積處理。

此外，複數樣本20可附接至薄膜30的表面，並引入沉積腔室110中。樣本20被放置在樣本支撐台123上，薄膜30介於其中。

此外，薄膜30可為附著性薄膜。薄膜30可為聚醯亞胺薄膜或PI薄膜。

此外，樣本支撐台123可為在沉積腔室110中用以支撐薄膜30(樣本20所附接者)(下文稱為“樣本附接薄膜”)的板。在沉積期間，樣本支撐台123可固定。替代地，樣本支撐台123可在沉積腔室110中往復移動或可通過沉積腔室110。

換句話說，樣本支撐台123支撐放置在上方的樣本20，使得樣本20可在沉積腔室110中歷經批次式沉積或串列式沉積。

具體而言，請參考圖8，樣本支撐台123具有彎曲的上表面(具有預設曲率R)以及形成於其中的流動通道123b，冷卻流體或加熱流體可流經流動通道123b。

亦即，樣本支撐台123將樣本20定位在沉積腔室中的預設位置並調整樣本20的溫度。

通常冷卻流體流經流動通道123b，藉此冷卻樣本20。然而，在沉積的初始階段，加熱流體可流經流動通道123b，以將樣本20加熱至預設溫度。

亦即，樣本支撐台123可作用為冷卻卡盤或加熱卡盤。

此外，樣本支撐台123至少一部份的上表面彎曲。例如，樣本支撐台123可具有矩形且帶有圓頭上部隅角的截面。

此外，樣本支撐台123可具有帶有彎曲線的截面。例如，樣本支撐台123的截面可為多角形，例如三角形或梯形。

為最大化樣本附接薄膜30的抓力(grip)，樣本支撐台123的上表面較佳地為彎曲的。

此外，樣本支撐台123的寬度w1與長度w2比樣本附接薄膜30的小，使得樣本支撐台123的整個上表面可被樣本附接薄膜30覆蓋。

換句話說，樣本支撐台123具有比樣本附接薄膜30小的上表面面積。

此外，樣本支撐台123的上表面可設置有負數凹槽G，其具有預設深度。

凹槽G可彼此連接，藉此彼此連通。例如，凹槽形成為格狀圖案，如圖8所示。

凹槽G的圖案不限，凹槽G可形成為任何圖案，只要凹槽均勻分布在樣本支撐台123的上表面上且彼此連接即可。

此外，雖然圖式中未描繪，通氣狹縫(vent slit)形成於樣本支撐台123的凹槽G中，使得內部空氣可透過通氣狹縫散逸。當樣本附接薄膜30放置在樣本支撐台123上時，凹槽G中的空氣透過通氣狹縫排出，故此樣本附接薄膜30可與樣本支撐台123緊密接觸，藉此改善熱傳導效率。

此外，樣本支撐台123的上表面可塗佈緩衝墊(buffer pad)以提高樣本支撐台123與樣本附接薄膜30之間的接觸力。緩衝墊可為矽膠墊(silicone pad)。

此外，緩衝墊亦作用為絕緣層，以將樣本20與樣本支撐台123彼此絕緣。

此外，圖8圖示樣本支撐台123具有矩形的上表面123a的範例。替代地，如圖9所示，樣本支撐台123可具有圓形的上表面123c。

參考圖6，配重桿堆料機610安裝在沉積腔室110的先前階段。因此，樣本附接薄膜30經由配重桿堆料機610被引入沉積腔室110中。

圖6呈現配重桿堆料機610與沉積腔室110直接接觸的情況。然而，替代地，配重桿堆料機610可與沉積腔室110分隔。

為以串列的方式或往復的方式傳送樣本附接薄膜30，將配重桿堆料機610與沉積腔室110設置成彼此相鄰，一門介於其中。亦即，當門開啟時，配重桿堆料機610與沉積腔室110可彼此連通。

配重桿堆料機610將配重桿611儲存其中並將配重桿611放置在樣本附接薄膜30的上表面的邊緣部分。

此外，參考圖7，將配重桿611放置在樣本附接薄膜30的上表面，以下壓樣本附接薄膜30的邊緣部分。配重桿611可具有框架形狀。

圖7呈現具有矩形框架形狀的配重桿611。然而，若樣本附接薄膜30具有圓形，配重桿611可具有環形(圓形框架)。

由於薄膜30的尺寸有限，故配重桿611的尺寸亦有限。因此，配重桿611較佳地係由具有高比重的金屬材料製成，達到小的體積具有大的重量。

較佳地，配重桿611係由銅或不鏽鋼製成。

此外，具有框架形狀的支撐塊611a可附接至樣本附接薄膜30的上表面的邊緣部分，以維持樣本附接薄膜30的形狀。在此例中，配重桿611放置在支撐塊611a上。

此外，配重桿支撐台613安裝在配重桿堆料機610中，以支撐並排地設置的複數配重桿611。配重桿支撐台613逐一地將堆疊的配重桿611夾持或去夾持。

配重桿堆料機610可裝備有配重桿升降元件614，其在垂直方向上移動配重桿支撐台613，藉此將配重桿支撐台613定位在預設裝載位置上，配重桿611可移動到預設裝載位置以裝載至引入的樣本附接薄膜30的邊緣部分上。

此外，當執行串列式沉積或往復式沉積時，樣本附接薄膜30依次且逐一地引入配重桿堆料機610中。當每一樣本附接薄膜30被引入配重桿堆料機610中時，一配重桿611向上或向下移動並放置於被引入的樣本附接薄膜30上。

此外，配重桿堆料機610包括移動元件612(下文稱“第二移動元件”)及真空腔室615。當樣本附接薄膜30被引入時，第二移動元件612將配重桿611移動到預設位置，配重桿611可在預設位置處被移動到薄膜30上。真空腔室615容納配重桿支撐台613、配重桿升降元件614、及第二移動元件612。

此外，真空腔室615達成在真空狀態下將配重桿611移動並放置在樣本附接薄膜上，透過消除存在於配重桿611與樣本附接薄膜30之間、或配重桿611與支撐塊611a之間的空氣，而藉此提高配重桿611與樣本附接薄膜30之間、或配重桿611與支撐塊611a之間的接觸力。

此外，真空腔室615的內部溫度低於沉積腔室110的內部溫度。具體而言，真空腔室615的內部溫度可大致上為室溫。

亦即，因為能夠避免配重桿611的溫度增加，故可避免樣本附接薄膜30的變形或損失。

接下來，藉由往復式沉積系統根據本發明之一實施例所執行的一沉積處理包括步驟“a”，其中樣本20附接至薄膜30的表面上以形成樣本附接薄膜30；將樣本附接薄膜30引入真空腔室615中；且第二移動元件612將樣本附接薄膜30傳送到預設裝載位置，配重桿611可在預設位置處被移動到樣本附接薄膜30上。

接下來，在步驟“b”中，配重桿升降元件614將配重桿支撐台613上下移動，並將配重桿611抬起並放置在樣本附接薄膜30的邊緣上。

接下來，在步驟“c”中，第二移動元件612將樣本附接薄膜30以及放置於上方的配重桿611引入沉積腔室110中，而安裝於沉積腔室110中的第一移動元件121接收樣本附接薄膜30並將樣本附接薄膜30定位在預設位置。

接下來，在步驟“d”中，當樣本支撐台123抬起或當樣本附接薄膜30降下時，將樣本附接薄膜30放置在樣本支撐台123上，而配重桿611將樣本附接薄膜30壓在樣本支撐台123上，使得樣本附接薄膜30可與樣本支撐台123緊密接觸。接下來，將功率供應至靶材122，因此沉積材料122a散布而在樣本20上形成塗佈層。接下來，在塗佈層形成完成後，由第一移動元件121以串列或往復的方式移動樣本附接薄膜30，使得樣本附接薄膜30從已完成沉積處理的沉積腔室110卸載，並引入下一個沉積腔室中。

另一方面，塗佈層可為銅層、不鏽鋼層、或複數層(其中至少一銅層及至少一不鏽鋼層彼此層疊)。塗佈層可作用為EMI遮蔽層。

亦即，根據一實施例的沉積系統可為在樣本(例如電子裝置)上形成EMI遮蔽塗層的沉積系統。

[第七實施例]

圖10為根據第七實施例圖解沉積系統的作圖。圖11為根據本發明之第七實施例的分解立體圖，其圖解沉積系統的支撐塊與配重桿堆料機及內部屏蔽之間的組裝關係。

參考圖10，相較於根據本發明之據第六實施例的沉積系統600，根據第七實施例的沉積系統700另外裝備有設置在配重桿堆料機610(配重桿611裝載於其中)中的內部屏蔽616。

此外，如圖10所示，內部屏蔽616可層疊於配重桿611上。替代地，內部屏蔽616可層疊於配重桿611下。在此例中，配重桿611層疊於內部屏蔽616下。

此外，如圖11所示，配重桿611放置在支撐塊611a(支撐薄膜30以及附接至薄膜30的樣本20)上，且內部屏蔽616放置在配重桿611上。

此外，配重桿611與內部屏蔽616可一體成形為單一物體。替代地，配重桿611與內部屏蔽616可形成為分開的部件，並彼此組裝或簡單地彼此堆疊。

另一方面，當內部屏蔽616引入沉積腔室110中時，其定位在靶材122與樣本支撐台123之間。內部屏蔽616將靶材122與樣本支撐台123之間的區域的一部份加以屏蔽，藉此限制散佈範圍(靶材122的材料散佈於其中)。

此外，參考圖11，內部屏蔽616具有位在其中央部分的開口616a，及形成於開口616a周圍的屏蔽構件616b。屏蔽構件616b避免沉積材料通過其中而掉落。

亦即，自靶材122散佈的材料可能通過開口616a而掉落在樣本20上。然而，沉積材料無法通過屏蔽構件616b，而係落下並積累在屏蔽構件616b上。

接下來，參考圖10簡要描述藉由本發明之第七實施例的沉積系統700執行的沉積處理。首先在步驟“a”，支撐塊611a附接至薄膜30的上表面的邊緣部分；樣本20附接至薄膜30的中央部分；並將樣本附接薄膜30引入配重桿堆料機610的真空腔室615中。接下來，第二移動元件612將樣本附接薄膜30傳送到配重桿裝載位置，配重桿611可在配重桿裝載位置處被裝載到樣本附接薄膜30上。

接下來，在步驟“b”中，配重桿升降元件614將配重桿支撐台613上下移動，並將配重桿611及內部屏蔽616放置在樣本附接薄膜30的上表面的邊緣部分上。

接下來，在步驟“c”中，第二移動元件612將樣本附接薄膜30(配重桿611以及內部屏蔽616放置於上方)傳送進入沉積腔室110中，而安裝於沉積腔室110中的第一移動元件121接收樣本附接薄膜30並將樣本附接薄膜30定位在預設位置。

接下來，在步驟“d”中，抬起樣本支撐台123或降下樣本附接薄膜30。接下來，將樣本附接薄膜30放置在樣本支撐台123的上表面上，而配重桿611將樣本附接薄膜30壓在樣本支撐台123上，使得樣本附接薄膜30可與樣本支撐台123緊密接觸。此時，沉積腔室的內部空間分成：沉積空間100a，在內部屏蔽616的一側且為設置靶材122之處；以及非沉積空間100b，在另一側且為設置樣本支撐台123之處。

此外，由於支撐塊611a與配重桿611彼此接觸，配重桿611與內部屏蔽616彼此接觸，故從靶材122散佈的沉積材料122a僅積累在內部屏蔽616與薄膜30的表面上，而不侵入非沉積空間100b。

因此，能夠避免沉積材料侵入不需要沉積的非沉積空間(延長清潔沉積腔室110內部的清潔期間)，而藉此提高系統操作速率及沉積產率。

產業利用性

根據本發明之較佳實施例的沉積系統可用以將樣本(例如電子裝置)之表面塗佈EMI遮蔽層。

Claims (28)

1. 一種往復式沉積系統，包含：複數沉積腔室，彼此連接成列並執行沉積處理；以及複數基板移動元件，安裝在個別的該沉積腔室中，用以將基板傳送進出個別的該沉積腔室；其中複數基板被以如下方式連續地從一沉積腔室傳送到另一沉積腔室，以於對應的該沉積腔室中歷經沉積處理：當該基板從目前的沉積腔室卸載時，該基板被引入接下來的沉積腔室中。
2. 如申請專利範圍第1項之往復式沉積系統，其中各基板在各沉積腔室中歷經沉積處理並且被依次地從一沉積腔室傳送到另一沉積腔室，其中各基板返回到第一沉積腔室(為該基板最初引入的沉積腔室)中，然後從該第一沉積腔室卸載。
3. 如申請專利範圍第2項之往復式沉積系統，更包括複數緩衝腔室，各緩衝腔室設置於彼此相鄰的該沉積腔室之間，該緩衝腔室將相鄰的兩個該沉積腔室中的基板互相交換。
4. 如申請專利範圍第3項之往復式沉積系統，其中各緩衝腔室裝備有設置於其中的一基板升降元件，該基板升降元件支持並排地設置於其上的至少兩個基板並將該基板向上或向下移動，以將該基板定位在該沉積腔室的入口。
5. 如申請專利範圍第1項之往復式沉積系統，其中每一沉積腔室、或每兩沉積腔室中的任一者裝備有一基板升降元件，該基板升降元件將該基板向上或向下移動，以將該基板定位在該沉積腔室的入口，藉此達成使彼此相鄰的兩個沉積腔室中的基板互相交換。
6. 如申請專利範圍第1項之往復式沉積系統，更包含一升降腔室，其經設置成相鄰於各沉積腔室、支持並排地設置於其上的至少兩個基板、並透過上下移動該基板而將該基板定位在該沉積腔室的入口；其中該基板被選擇性地傳送到該沉積腔室中，以在該沉積腔室中歷經沉積處理。
7. 如申請專利範圍第1~6項中任一項之往復式沉積系統，更包含一加熱腔室，在該基板被引入該沉積腔室之前透過加熱該基板而移除水分。
8. 如申請專利範圍第1~6項中任一項之往復式沉積系統，更包含一電漿處理腔室，在該基板被引入該沉積腔室之前使用電漿處理該基板，以將有機物質從該基板移除。
9. 如申請專利範圍第7項之往復式沉積系統，更包含一電漿處理腔室，在該基板被引入該沉積腔室中之前使用電漿處理該基板，以消除有機物質。
10. 如申請專利範圍第9項之往復式沉積系統，其中該基板首先被引入該加熱腔室中；然後依序地被傳送到該電漿處理腔室及該沉積腔室中；並最終返回到該加熱腔室並卸載至外側。
11. 如申請專利範圍第9項之往復式沉積系統，其中該沉積腔室包括一不鏽鋼薄膜沉積腔室及一銅薄膜沉積腔室，其中一緩衝腔室設置在該不鏽鋼薄膜沉積腔室及該銅薄膜沉積腔室之間，以將該不鏽鋼薄膜沉積腔室及該銅薄膜沉積腔室中的基板互相交換；其中該基板經傳送而以如下所示之順序依序地通過：該加熱腔室、該電漿處理腔室、該不鏽鋼薄膜沉積腔室、及該銅薄膜沉積腔室；且其中在該銅薄膜沉積腔室中沉積銅薄膜於該基板上之後，該基板經傳送而以如下所示之順序依序地通過：該不鏽鋼薄膜沉積腔室、該電漿處理腔室、及該加熱腔室，藉此返回到該加熱腔室並卸載至外側。
12. 如申請專利範圍第9項之往復式沉積系統，其中該沉積腔室包括一不鏽鋼薄膜沉積腔室、第一銅薄膜沉積腔室、及第二銅薄膜沉積腔室，其中緩衝腔室分別設置在該不鏽鋼薄膜沉積腔室及該第一銅薄膜沉積腔室之間、在該第一銅薄膜沉積腔室及該第二銅薄膜沉積腔室之間，以將位於相鄰沉積腔室中的基板互相交換；其中該基板經傳送而以如下所示之順序依序地通過：該加熱腔室、該電漿處理腔室、該不鏽鋼薄膜沉積腔室、該第一銅薄膜沉積腔室、及該第二銅薄膜沉積腔室；且其中在該第二銅薄膜沉積腔室中沉積第二銅薄膜於該基板上之後，該基板經傳送而以如下所示之順序依序地通過：該第一銅薄膜沉積腔室、該不鏽鋼薄膜沉積腔室、該電漿處理腔室、及該加熱腔室，藉此返回到該加熱腔室並從該加熱腔室卸載。
13. 如申請專利範圍第9項之往復式沉積系統，其中該沉積腔室包括一不鏽鋼薄膜沉積腔室、第一銅薄膜沉積腔室、及第二銅薄膜沉積腔室，其中緩衝腔室分別設置在該不鏽鋼薄膜沉積腔室及該第一銅薄膜沉積腔室之間、在該第一銅薄膜沉積腔室及該第二銅薄膜沉積腔室之間，以將位於相鄰沉積腔室中的基板互相交換；其中該基板經傳送而以如下所示之順序依序地通過：該加熱腔室、該電漿處理腔室、該不鏽鋼薄膜沉積腔室、該第一銅薄膜沉積腔室、及該第二銅薄膜沉積腔室；其中在該第二銅薄膜沉積腔室中沉積第二銅薄膜於該基板上之後，該基板經傳送而以如下所示之順序依序地通過：該第一銅薄膜沉積腔室、該不鏽鋼薄膜沉積腔室、該電漿處理腔室、及該加熱腔室、然後卸載至外側；且其中當該基板返回到該加熱腔室時，在該第一銅薄膜沉積腔室中沉積另一銅薄膜於該基板上，並在該不鏽鋼薄膜沉積腔室中沉積第二不鏽鋼薄膜於該基板上。
14. 一種具有至少一不鏽鋼薄膜及至少一銅薄膜的基板，該不鏽鋼薄膜及該銅薄膜兩者均係使用如申請專利範圍第1~6項中任一項之往復式沉積系統而沉積在該基板上。
15. 如申請專利範圍第14項之基板，其中該不鏽鋼薄膜及該銅薄膜結合作用為電磁干擾(EMI)遮蔽薄膜。
16. 如申請專利範圍第1項之往復式沉積系統，其中該基板為樣本所附接的薄膜(下文稱為“樣本附接薄膜”)，該樣本為歷經沉積處理的主體；其中該沉積腔室裝備有一樣本支撐台，其支撐放置於其上的該樣本附接薄膜，藉此允許塗佈層沉積在該樣本上；其中該往復式沉積系統更包括一配重桿堆料機，其安裝在該沉積腔室的先前階段且一配重桿裝載於其中，該配重桿在該樣本附接薄膜被引入該沉積腔室之前被放置在該樣本附接薄膜上，使得該配重桿將該樣本附接薄膜壓在該樣本支撐台上，以達成當該樣本附接薄膜被放置在該樣本支撐台上時，該樣本附接薄膜與該樣本支撐台緊密接觸。
17. 如申請專利範圍第16項之往復式沉積系統，其中該配重桿堆料機裝備有一移動元件，其單向地將該樣本附接薄膜從該配重桿堆料機傳送到該沉積腔室，或雙向地將該樣本附接薄膜從該配重桿堆料機傳送到該沉積腔室、及在塗佈層沉積於該樣本上之後從該沉積腔室傳送到該配重桿堆料機。
18. 如申請專利範圍第17項之往復式沉積系統，其中複數個該樣本附接薄膜被依次地引入該配重桿堆料機中並隨後引入該沉積腔室中；其中該配重桿堆料機設置有一配重桿支撐台，其支撐並排地設置、且待放置於各樣本附接薄膜上的該配重桿各。
19. 如申請專利範圍第18項之往復式沉積系統，其中該配重桿堆料機裝備有一配重桿升降元件，其將該配重桿支撐台上下移動，並將設置在該配重桿支撐台上的配重桿移動到該樣本附接薄膜的上表面的邊緣部分上。
20. 如申請專利範圍第19項之往復式沉積系統，其中該配重桿堆料機包括一真空腔室，用以容納該配重桿支撐台及該配重桿升降元件，並用以在真空狀態下將該配重桿移動到該樣本附接薄膜的上表面的邊緣部分上。
21. 如申請專利範圍第20項之往復式沉積系統，其中該真空腔室的內部溫度低於該沉積腔室的內部溫度。
22. 如申請專利範圍第16項之往復式沉積系統，其中將具有框架形狀的一支撐塊附接至該樣本附接薄膜的上表面的邊緣部分，藉此維持該樣本附接薄膜的形狀；且其中該配重桿被放置在該支撐塊上。
23. 如申請專利範圍第16項之往復式沉積系統，其中該配重桿堆料機更設置有一內部屏蔽，其在該配重桿堆料機中層疊於該配重桿之上或下，並與該配重桿一起被移動到該樣本附接薄膜的上表面的邊緣部分上；且其中該內部屏蔽限制散佈範圍，沉積材料在該沉積腔室中散佈於該散佈範圍中。
24. 如申請專利範圍第16~23項中任一項之往復式沉積系統，其中該樣本支撐台的上表面為彎曲的表面。
25. 如申請專利範圍第24項之往復式沉積系統，其中該樣本支撐台的上表面面積小於該樣本附接薄膜的上表面面積；且其中該配重桿與該樣本支撐台的邊緣部分隔並下壓該樣本附接薄膜，以使該樣本附接薄膜與該樣本支撐台的上表面緊密接觸。
26. 如申請專利範圍第16~23項中任一項之往復式沉積系統，其中該塗佈層為銅薄膜、不鏽鋼薄膜、或至少一銅薄膜及至少一不鏽鋼薄膜的組合。
27. 如申請專利範圍第26項之往復式沉積系統，其中該塗佈層作用為電磁干擾(EMI)遮蔽薄膜。
28. 一種裝置，塗佈藉由使用如申請專利範圍第16~23項中任一項之往復式沉積系統而沉積的塗佈層。