TWI630793B - 具動態準位調變閘極電壓之驅動控制器 - Google Patents

具動態準位調變閘極電壓之驅動控制器 Download PDF

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Abstract

一種驅動控制器，用以驅動一電晶體，包含一操作單元、一第一調整單元、一第二調整單元、一第一比較器、一比較單元。該電晶體的一第一端接收一操作電壓。該操作單元耦接於該電晶體的一控制端。該第一調整單元用以提高該電晶體的該控制端的電壓。該第二調整單元用以降低該電晶體的該控制端的電壓。該第一比較器及該比較單元耦接該電晶體的該第一端，用以分別比較該操作電壓、及一第一參考電壓至一第三參考電壓，以使該電晶體可據以受控制。

Description

具動態準位調變閘極電壓之驅動控制器
本發明係關於一種驅動控制器，尤指可動態地調控電晶體之控制端的電壓，從而減少功率開關導通損耗的驅動控制器。
在電力轉換驅動控制器，例如返馳式（flyback）電路的架構中，可使用二極體作為整流元件，例如可使用蕭特基二極體，因其順向導通壓降較低。然而，若以二極體上的跨壓係0.5伏特、跨電流之方均根值係10安培為例，根據功率損耗等於電流與跨壓之乘積的計算式，將產生約5瓦特的功率損耗。
為了降低此功率損耗，可採用電晶體取代二極體。舉例而言，可用金氧半場效電晶體（MOSFET）的兩端（例如汲極及源極）取代二極體的陽極與陰極，從而用電晶體置換二極體。置換後，假設電晶體導通時的阻抗係10毫歐姆（mΩ），跨電流仍為10安培，根據功率損耗等於電流之平方與阻抗之乘積的計算式，將產生1瓦特的功率損耗。上述的數字僅為舉例，在此例中，由於功率損耗由5瓦特降至1瓦特，可知使用電晶體取代二極體作為電力轉換驅動控制器之整流元件，應有降低功率損耗的功效。
然而，當電晶體之跨壓轉為順偏時，跨電流將流經電晶體內等效寄生的基體二極體（body diode）。此基體二極體的順向跨壓可大於上述的二極體，例如可達0.7伏特，因此，將導致功率損耗再度提高。因此，若無法妥善控制電晶體之導通及截止，甚至可能導致功率損耗反而增加。因此，當電晶體之跨壓接近0伏特時，可將電晶體截止，以減少基體二極體導通致使功率損耗。然而，若過早截止電晶體，電晶體無法發揮降低損耗的功效。
為降低功率損耗，直觀上可選用導通阻抗（on-resistance）較低的電晶體，但若未調整操作方式，則不易改善效能。第1圖係先前技術的驅動控制器的波形示意圖。操作電流ID可為流經電晶體的電流，操作電壓VDS可為電晶體的跨壓，電壓Vdrv可為電晶體的控制端的電壓。曲線181可對應導通阻抗較高的電晶體，曲線182可對應導通阻抗較低的電晶體，電壓Voff係用以比較操作電壓VDS，且據以截止電晶體的門檻準位。如第1圖所示，若使用導通阻抗較低的電晶體，對應於相同的操作電流ID，操作電壓VDS的曲線將由曲線181改為曲線182。因此，電晶體截止的時點，將由時點t1改為時點t2，電晶體提早截止，會使電晶體減少功率損耗的效果不良。
由第1圖可見，當截止電晶體時，電晶體的控制端的電壓Vdrv實質上係由最高值被下拉，故截止延遲時間（turn off delay time）難以縮短，因此，此作法也會影響控制電路的截止速度。
本發明實施例提供一種驅動控制器，用以驅動一電晶體，該電晶體包含一第一端、一第二端、及一控制端，該電晶體之該第一端用以接收一操作電壓，該驅動控制器包含一第一操作單元、一第一調整單元、一第二調整單元、一第一比較器及一比較單元。該第一操作單元包含一第一端，用以接收一第一電壓，一控制端，及一第二端，耦接於該電晶體的該控制端。該第一調整單元耦接於該電晶體的該控制端，用以提高該電晶體的該控制端的電壓。該第二調整單元耦接於該電晶體的該控制端，用以降低該電晶體的該控制端的電壓。該第一比較器包含一第一端，耦接於該電晶體之該第一端，一第二端，用以接收一第一參考電壓，及一輸出端，用以當該操作電壓達到該第一參考電壓時，輸出一第一比較訊號。該比較單元包含一第一端，耦接於該電晶體之該第一端以接收該操作電壓，及一組輸出端。該比較單元用以比較該操作電壓及一第二參考電壓、及比較該操作電壓及一第三參考電壓。其中當該操作電壓達到該第二參考電壓時，該比較單元之該組輸出端輸出一第二比較訊號，且當該操作電壓達到該第三參考電壓時，該比較單元之該組輸出端輸出一第三比較訊號。
本發明實施例提供一種驅動控制器之控制方法，該驅動控制器係用以驅動一電晶體，該電晶體之一第一端用以接收一操作電壓。該驅動控制器包含一第一操作單元，耦接於該電晶體的一控制端及一第一電壓之間、一第一調整單元，耦接於該電晶體的該控制端，一第二調整單元，耦接於該電晶體的該控制端。該方法包含當該操作電壓降到該第一參考電壓，導通該第一操作單元，以使該電晶體的該控制端的電壓上升，從而導通該電晶體；當該操作電壓升到該第二參考電壓，禁能第一操作單元並致能該第二調整單元，第二調整單元使該電晶體的該控制端的電壓下降；及當該操作電壓降到該第三參考電壓，禁能第二調整單元並致能該第一調整單元，以使該電晶體的該控制端的電壓上升。其中，該第一調整單元及該第二調整單元不會同時致能，該第一參考電壓低於該第三參考電壓，該第三參考電壓低於該第二參考電壓。
第2圖係本發明實施例的驅動控制器100的示意圖。驅動控制器100可用以驅動電晶體110，驅動控制器100可包含第一操作單元SW1、第二操作單元SW2、第一調整單元C1、第二調整單元C2、第一比較器comp1、比較單元CU及第四比較器comp4。電晶體110可包含第一端，第二端、及控制端。舉例而言，若電晶體110為N型金氧半電晶體，第一端可為汲極端，第二端可為源極端，且控制端可為閘極端。電晶體110的第一端可接收操作電壓VD，流經電晶體110的電流可為操作電流ID。若以電晶體110的第二端的準位為基準，操作電壓VD可為電晶體110的第一端及第二端的跨壓。第一操作單元SW1可包含第一端耦接第一電壓端，用以接收第一電壓VDD、控制端、及第二端，耦接於電晶體110的控制端。第二操作單元SW2可包含第一端耦接於電晶體的控制端、控制端、及第二端，耦接於第二電壓端，用以接收第二電壓VLL，其中第二電壓VLL可低於第一電壓VDD。第一電壓端可例如為高壓端，第二電壓端可例如為地端。其中，第一操作單元SW1及第二操作單元SW2可分別為第一開關及第二開關，或其他可控制之操作單元。第一調整單元C1可耦接於電晶體110的控制端，用以提高電晶體110的控制端之電壓。舉例而言，如第2圖之示例，第一調整單元C1可為電流源，用以調整電晶體110的控制端電壓，從而提高電晶體110的控制端之電壓。第二調整單元C2可耦接於電晶體110的控制端，用以降低電晶體110的控制端之電壓。舉例而言，如第2圖之示例，第一調整單元C1可為一電流源，第二調整單元C2可為另一電流源。第2圖之示例中，第一調整單元C1及第二調整單元C2為電流源僅為舉例，但本發明實施例不限於此，第一調整單元C1及第二調整單元C2亦可為一組電阻及/或一組電晶體連接而形成的可控制之電路單元。
第一比較器comp1可包含第一端耦接於電晶體110之第一端，用以接收操作電壓VD、第二端，用以接收第一參考電壓Vref1、及輸出端，用以當操作電壓VD達到第一參考電壓Vref1時，輸出第一比較訊號S1。比較單元CU可包含第一端，耦接於該電晶體110之第一端以接收操作電壓VD，及一組輸出端，該組輸出端可包含一或多個輸出端。比較單元CU可用以比較操作電壓VD及第二參考電壓Vref2、及比較操作電壓VD及第三參考電壓Vref3，其中當操作電壓VD達到第二參考電壓Vref2時，比較單元CU之該組輸出端可輸出第二比較訊號S2，且當操作電壓VD達到第三參考電壓Vref3時，比較單元CU之該組輸出端可輸出第三比較訊號S3。
根據實施例，比較單元CU可包含一或多個比較器，用以比較多個參考電壓。比較單元CU可比較操作電壓VD及兩參考電壓。當比較單元CU包含一比較器，其可例如為史密特觸發（schmitt trigger）比較器，具有遲滯特性，故可比較兩參考電壓。又如第2圖之實施例所示，比較單元CU可包含第二比較器comp2及第三比較器comp3，從而比較兩參考電壓。第二比較器comp2可包含第一端耦接於電晶體110之第一端，用以接收操作電壓VD、第二端，用以接收第二參考電壓Vref2、及輸出端，用以當操作電壓VD達到第二參考電壓Vref2時，輸出第二比較訊號S2。第三比較器comp3包含第一端耦接於電晶體110之第一端，用以接收操作電壓VD、第二端，用以接收第三參考電壓Vref3、及輸出端，用以當操作電壓VD達到第三參考電壓Vref3時，輸出第三比較訊號S3。第四比較器comp4包含第一端耦接於電晶體110之第一端，用以接收操作電壓VD、第二端，用以接收第四參考電壓Vref4、及輸出端，用以當操作電壓VD達到第一參考電壓Vref4時，輸出第四比較訊號S4。
如第2圖所示，驅動控制器100可另包含邏輯控制單元150，邏輯控制單元150可包含第一輸入端in1、一組功能輸入端、第四輸入端in4，及第一輸出端out1到第四輸出端out4。第一輸入端in1耦接於第一比較器comp1之輸出端。該組功能輸入端可對應地耦接於比較單元CU之該組輸出端。在比較單元CU包含第二比較器comp2及第三比較器comp3之實施例中，該組功能輸入端可包含第二輸入端in2及第三輸入端in3，其中第二輸入端in2耦接於第二比較器comp2之輸出端，第三輸入端in3耦接於第三比較器comp3之輸出端。第四輸入端in4可耦接於第四比較器comp4之輸出端。第一輸出端out1耦接於第一操作單元SW1之控制端，用以控制第一操作單元SW1之導通或截止。第二輸出端out2耦接於第二操作單元SW2之控制端，用以控制第二操作單元SW2之導通或截止。第三輸出端out3耦接第一調整單元C1，用以控制第一調整單元C1是否提高電晶體110之控制端的電壓。第四輸出端out4耦接第二調整單元C2，用以控制第二調整單元C2是否降低電晶體110之控制端的電壓。驅動控制器100可另包含偏壓單元185，耦接於邏輯控制單元150及第一電壓VDD之間。電晶體110的第一端可耦接到線圈單元195，線圈單元195可為電力轉換電路的變壓器繞組（transformer winding）單元。驅動控制器100可為（但不限於）積體電路（integrated circuit），或積體電路之一部分。電路介面100a、100b、100c可為驅動控制器100及電晶體110之間的介面，其可例如為積體電路之接腳（pin）或適宜的電路接點。
第3圖係本發明實施例中對應於驅動控制器100的電流及電壓波形示意圖。如第3圖所示，第一參考電壓Vref1、第二參考電壓Vref2、第三參考電壓Vref3、第四參考電壓Vref4可為負電壓。
見第2、3圖，由階段PH1進入階段PH2，基體二極體110d導通。當操作電壓VD降到第一參考電壓Vref1（例如-150毫伏特(mV)）時，邏輯控制單元150之第一輸出端out1可根據第一比較訊號S1控制第一操作單元SW1導通，以使電晶體110的控制端（例如閘極）的電壓Vdrv上升，從而加深電晶體110的導通程度。如階段PH2所示，電壓Vdrv可升至一最高值Vdrv max（例如10伏特），使電晶體110的導通程度加深。於階段PH3，當操作電流ID下降，操作電壓VD會往0伏特的方向改變，由於操作電壓VD此時為負電壓，故操作電壓VD會上升。
當操作電壓VD升到第二參考電壓Vref2（例如-26毫伏特）時，進入階段PH4，邏輯控制單元150之第四輸出端out4可根據第二比較訊號S2致能第二調整單元C2，第二調整單元C2使電晶體110的控制端的電壓Vdrv下降，故可使電晶體110的導通程度下降，導通阻抗Rds上升，操作電壓VD可從第二參考電壓Vref2下降。
當操作電壓VD降到第三參考電壓Vref3（例如-33毫伏特）時，進入階段PH5，邏輯控制單元150之第三輸出端out3可根據第三比較訊號S3致能第一調整單元C1，第一調整單元C1使電晶體110的控制端的電壓Vdrv上升。電壓Vdrv上升，可使電晶體110的導通阻抗Rds下降，故操作電壓VD可上升。
當操作電壓VD升到第二參考電壓Vref2，進入階段PH6，其操作原理相似於階段PH4，邏輯控制單元150致能第二調整單元C2，第二調整單元C2使電晶體110的控制端的電壓Vdrv下降，以使操作電壓VD下降。
當操作電壓VD降到第三參考電壓Vref3時，進入階段PH7，其操作原理相似於階段PH5，邏輯控制單元150致能第一調整單元C1，第一調整單元C1使電晶體110的控制端的電壓Vdrv上升，使操作電壓VD可上升。
當操作電壓VD升到第二參考電壓Vref2，進入階段PH8，其操作相似於階段PH6，故不重述。如第3圖所示，藉由比較操作電壓VD及第二參考電壓Vref2、第三參考電壓Vref3，可動態調整電晶體110的控制端的電壓Vdrv，使操作電壓VD被調控於第二參考電壓Vref2及第三參考電壓Vref3之間。第3圖中，階段PH4至PH8中，操作電壓VD的上下調控的次數係舉例，根據不同實施例，可能會有差異，但功效仍為將操作電壓VD調控於第二參考電壓Vref2及第三參考電壓Vref3之間。
在階段PH9中，操作電流ID持續下降，已接近0安培，操作電壓VD隨之升到第四參考電壓Vref4（例如-5毫伏特）時，可進入階段PH10。階段PH10中，操作電壓VD已無法被維持於第二參考電壓Vref2及第三參考電壓Vref3之間，邏輯控制單元150之第二輸出端out2可根據第四比較訊號S4，控制第二操作單元SW2導通，使電晶體110之控制端接收第二電壓VLL，由於電壓Vdrv可被拉到第二電壓VLL，故可截止電晶體110。階段PH10的時段長度可為截止電晶體110的截止延遲時間。相較於先前技術中，電晶體的控制端電壓係由最高值下拉，第3圖的階段PH10中，電壓Vdrv可由最高值Vdrv max的大約半值以下（例如約5伏特）被下拉，故電晶體110的截止延遲時間可縮短，有助於提昇控制電路的速度。
根據本發明實施例，第2圖的第一調整單元C1及第二調整單元C2實質上不會同時致能。此外，第一操作單元SW1及第二操作單元SW2也實質上不會同時導通。第一參考電壓Vref1至第四參考電壓Vref4可皆為負電壓。第一參考電壓Vref1可低於第三參考電壓Vref3，第三參考電壓Vref3可低於第二參考電壓Vref2，第二參考電壓Vref2可低於第四參考電壓Vref4。舉例而言，第一參考電壓Vref1、第二參考電壓Vref2、第三參考電壓Vref3及第四參考電壓Vref4可分別為（但不限於）-150毫伏特、-26毫伏特、-33毫伏特及-5毫伏特。
第4圖係本發明實施例的驅動控制器100之控制方法400流程圖。見第2、3、4圖，控制方法400可包含以下步驟：
步驟410：當操作電壓VD降到第一參考電壓Vref1，導通第一操作單元SW1，以使電晶體110的控制端的電壓Vdrv上升，從而導通電晶體110；
步驟420：當操作電壓VD升到第二參考電壓Vref2，禁能第一操作單元SW1並致能第二調整單元C2，第二調整單元C2使電晶體110的控制端的電壓Vdrv下降；
步驟430：當操作電壓VD降到第三參考電壓Vref3，禁能第二調整單元C2並致能第一調整單元C1，第一調整單元C1使電晶體110的控制端的電壓Vdrv上升；
步驟440：操作電壓VD是否升到第四參考電壓Vref4？若否，進入步驟420；若是，進入步驟450；及
步驟450：當操作電壓VD升到第四參考電壓Vref4時，導通第二操作單元SW2，使電晶體110之控制端接收第二電壓VLL，從而截止電晶體110。
其中步驟410可對應於第3圖的階段PH2，步驟420、430可對應於第3圖的階段PH3到PH8，步驟440、450可對應於第3圖的階段PH9、PH10。
綜上所述，使用本發明實施例提供的驅動控制器100及控制方法400，可在操作電流ID尚未降到0安培前，動態調控電晶體的控制端的電壓Vdrv。根據實施例，可縮短電晶體的截止延遲時間。因此，本發明實施例對於提高電路的效能及速度，皆有實益。 以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
ID‧‧‧操作電流
VDS、VD‧‧‧操作電壓
Vdrv、Voff‧‧‧電壓
181、182‧‧‧曲線
t1、t2‧‧‧時點
100‧‧‧驅動控制器
100a、100b、100c‧‧‧電路介面
110‧‧‧電晶體
110d‧‧‧基體二極體
Rds‧‧‧導通阻抗
VDD‧‧‧第一電壓
VLL‧‧‧第二電壓
SW1‧‧‧第一操作單元
SW2‧‧‧第二操作單元
comp1‧‧‧第一比較器
CU‧‧‧比較單元
comp2‧‧‧第二比較器
comp3‧‧‧第三比較器
comp4‧‧‧第四比較器
in1‧‧‧第一輸入端
in2‧‧‧第二輸入端
in3‧‧‧第三輸入端
in4‧‧‧第四輸入端
out1‧‧‧第一輸出端
out2‧‧‧第二輸出端
out3‧‧‧第三輸出端
out4‧‧‧第四輸出端
C1‧‧‧第一調整單元
C2‧‧‧第二調整單元
150‧‧‧邏輯控制單元
185‧‧‧偏壓單元
195‧‧‧線圈單元
S1‧‧‧第一比較訊號
S2‧‧‧第二比較訊號
S3‧‧‧第三比較訊號
S4‧‧‧第四比較訊號
Vref1‧‧‧第一參考電壓
Vref2‧‧‧第二參考電壓
Vref3‧‧‧第三參考電壓
Vref4‧‧‧第四參考電壓
PH1至PH10‧‧‧階段
400‧‧‧控制方法
410至450‧‧‧步驟
第1圖係先前技術的驅動控制器的波形示意圖。 第2圖係本發明實施例的驅動控制器的示意圖。 第3圖係本發明實施例中對應於驅動控制器的電流及電壓波形示意圖。 第4圖係本發明實施例的驅動控制器之控制方法流程圖。

Claims (15)

  1. 一種驅動控制器，用以驅動一電晶體，該電晶體包含一第一端、一第二端、及一控制端，該電晶體之該第一端用以接收一操作電壓，該驅動控制器包含： 一第一操作單元，包含一第一端，用以接收一第一電壓，一控制端，及一第二端，耦接於該電晶體的該控制端； 一第一調整單元，耦接於該電晶體的該控制端，用以提高該電晶體的該控制端的電壓； 一第二調整單元，耦接於該電晶體的該控制端，用以降低該電晶體的該控制端的電壓； 一第一比較器，包含一第一端，耦接於該電晶體之該第一端，一第二端，用以接收一第一參考電壓，及一輸出端，用以當該操作電壓達到該第一參考電壓時，輸出一第一比較訊號； 一比較單元，包含一第一端，耦接於該電晶體之該第一端以接收該操作電壓，及一組輸出端，該比較單元用以比較該操作電壓及一第二參考電壓、及比較該操作電壓及一第三參考電壓，其中當該操作電壓達到該第二參考電壓時，該比較單元之該組輸出端輸出一第二比較訊號，且當該操作電壓達到該第三參考電壓時，該比較單元之該組輸出端輸出一第三比較訊號。
  2. 如請求項1所述的驅動控制器，另包含： 一第二操作單元，包含一第一端，耦接於該電晶體的該控制端，一控制端，及一第二端，用以接收一第二電壓，其中該第二電壓低於該第一電壓。
  3. 如請求項2所述的驅動控制器，其中該第一操作單元係一第一開關，且該第二操作單元係一第二開關。
  4. 如請求項1所述的驅動控制器，其中： 該第一調整單元係一第一電流源；及 該第二調整單元係一第二電流源。
  5. 如請求項1所述的驅動控制器，另包含： 一第四比較器，包含一第一端，耦接於該電晶體之該第一端，一第二端，用以接收一第四參考電壓，及一輸出端，用以當該操作電壓達到該第四參考電壓時，輸出一第四比較訊號；及 一第二操作單元，包含一第一端，耦接於該電晶體的該控制端，一控制端，及一第二端，用以接收一第二電壓，其中該第二電壓低於該第一電壓； 其中該第一操作單元另包含一控制端，該第二操作單元另包含一控制端，且該驅動控制器另包含一邏輯控制單元，該邏輯控制單元包含： 一第一輸入端，耦接於該第一比較器之該輸出端； 一組功能輸入端，對應耦接於該比較單元之該組輸出端； 一第四輸入端，耦接於該第四比較器之該輸出端； 一第一輸出端，耦接於該第一操作單元之該控制端，用以控制該第一操作單元之導通或截止； 一第二輸出端，耦接於該第二操作單元之該控制端，用以控制該第二操作單元之導通或截止； 一第三輸出端，耦接該第一調整單元，用以控制該第一調整單元，提高該電晶體的該控制端的電壓；及 一第四輸出端，耦接該第二調整單元，用以控制該第二調整單元，降低該電晶體的該控制端的電壓。
  6. 如請求項1所述的驅動控制器，其中該比較單元另包含： 一第二比較器，包含一第一端，耦接於該比較單元之該第一端，一第二端，用以接收該第二參考電壓，及一輸出端，耦接於該比較單元之該組輸出端之至少一輸出端，用以當該操作電壓達到該第二參考電壓時，輸出該第二比較訊號；及 一第三比較器，包含一第一端，耦接於該比較單元之該第一端，一第二端，用以接收該第三參考電壓，及一輸出端，耦接於該比較單元之該組輸出端之至少一輸出端，用以當該操作電壓達到該第三參考電壓時，輸出該第三比較訊號。
  7. 如請求項6所述的驅動控制器，另包含： 一第四比較器，包含一第一端，耦接於該電晶體之該第一端，一第二端，用以接收一第四參考電壓，及一輸出端，用以當該操作電壓達到該第四參考電壓時，輸出一第四比較訊號；及 一第二操作單元，包含一第一端，耦接於該電晶體的該控制端，一控制端，及一第二端，用以接收一第二電壓，其中該第二電壓低於該第一電壓； 其中該第一操作單元另包含一控制端，該第二操作單元另包含一控制端，且該驅動控制器另包含一邏輯控制單元，該邏輯控制單元包含： 一第一輸入端，耦接於該第一比較器之該輸出端； 一第二輸入端，耦接於該第二比較器之該輸出端； 一第三輸入端，耦接於該第三比較器之該輸出端； 一第四輸入端，耦接於該第四比較器之該輸出端； 一第一輸出端，耦接於該第一操作單元之該控制端，用以控制該第一操作單元之導通或截止； 一第二輸出端，耦接於該第二操作單元之該控制端，用以控制該第二操作單元之導通或截止； 一第三輸出端，耦接該第一調整單元，用以控制該第一調整單元，提高該電晶體的該控制端的電壓；及 一第四輸出端，耦接該第二調整單元，用以控制該第二調整單元，降低該電晶體的該控制端的電壓。
  8. 如請求項5或7所述的驅動控制器，其中當該操作電壓降到該第一參考電壓時，該邏輯控制單元之該第一輸出端控制該第一操作單元導通，以使該電晶體的該控制端的電壓上升。
  9. 如請求項5或7所述的驅動控制器，其中當該操作電壓升到該第二參考電壓時，該邏輯控制單元之該第四輸出端致能該第二調整單元，以使該電晶體的該控制端的電壓下降，該第一參考電壓係低於該第二參考電壓。
  10. 如請求項5或7所述的驅動控制器，其中當該操作電壓降到該第三參考電壓時，該邏輯控制單元之該第三輸出端致能該第一調整單元，以使該電晶體的該控制端的電壓上升，其中該第一參考電壓低於該第三參考電壓，且該第三參考電壓低於該第二參考電壓。
  11. 如請求項5或7所述的驅動控制器，其中當該操作電壓升到該第四參考電壓時，該邏輯控制單元之該第二輸出端控制該第二操作單元導通，使該電晶體之該控制端接收該第二電壓，從而截止該電晶體。
  12. 如請求項5或7所述的驅動控制器，其中該第一參考電壓低於該第三參考電壓，該第三參考電壓低於該第二參考電壓，該第二參考電壓低於該第四參考電壓，且該第一參考電壓、該第二參考電壓、該第三參考電壓及該第四參考電壓皆為負電壓。
  13. 如請求項1至7任一項所述的驅動控制器，其中當該第一調整單元及該第二調整單元實質上不會同時致能。
  14. 一種驅動控制器之控制方法，該驅動控制器係用以驅動一電晶體，該電晶體之一第一端用以接收一操作電壓，該驅動控制器包含一第一操作單元，耦接於該電晶體的一控制端及一第一電壓之間、一第一調整單元，耦接於該電晶體的該控制端，一第二調整單元，耦接於該電晶體的該控制端，該方法包含： 當該操作電壓降到該第一參考電壓，導通該第一操作單元，以使該電晶體的該控制端的電壓上升，從而導通該電晶體； 當該操作電壓升到該第二參考電壓，禁能第一操作單元並致能該第二調整單元，該第二調整單元使該電晶體的該控制端的電壓下降；及 當該操作電壓降到該第三參考電壓，禁能第二調整單元並致能該第一調整單元，該第一調整單元使該電晶體的該控制端的電壓上升； 其中，該第一調整單元及該第二調整單元不會同時致能，該第一參考電壓低於該第三參考電壓，該第三參考電壓低於該第二參考電壓。
  15. 如請求項14所述的控制方法，該電路另包含一第二操作單元，耦接於該電晶體的該控制端及一第二電壓之間，其中該第一電壓高於該第二電壓，該方法另包含： 當該操作電壓升到該第四參考電壓時，導通該第二操作單元，使該電晶體之該控制端接收該第二電壓，從而截止該電晶體； 其中，該第二參考電壓低於該第四參考電壓，且該第一參考電壓、該第二參考電壓、該第三參考電壓及該第四參考電壓皆為負電壓。
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