TWI629924B - 可攜式電子裝置及其背蓋組件 - Google Patents

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TWI629924B
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Abstract

本發明公開一種可攜式電子裝置及其背蓋組件。背蓋組件包括一基板結構以及一線圈結構。基板結構包括一金屬基板以及與金屬基板彼此相連的一第一非金屬基板。第一非金屬基板與金屬基板相互配合，以形成組裝在可攜式電子裝置的背面的一背蓋結構。線圈結構具有一第一部分線圈以及連接於第一部分線圈的一第二部分線圈。第一部分線圈位於金屬基板的上方區域的範圍內。第二部分線圈位於第一非金屬基板的上方區域的範圍內。第一部分線圈佔線圈結構的百分比大於第二部分線圈佔線圈結構的百分比。藉此，線圈結構與一IC晶片相互配合後所產生的天線磁場能直接穿過第一非金屬基板而不與金屬基板產生耦合或者匹配。

Description

可攜式電子裝置及其背蓋組件
本發明涉及一種電子裝置及其背蓋組件，特別是涉及一種可攜式電子裝置及其背蓋組件。
現有應用於智慧型行動裝置的近場通訊(Near Field Communication，NFC)的天線設備，例如無線射頻識別(Radio frequency identification，RFID)天線，其應用於智慧型行動裝置的配置方式，通常是將積體電路(IC)以及匹配元件設置在靠近行動裝置內側的電路板(PCB)上的條件下，將RFID天線黏貼在行動裝置的背蓋內緣，並利用彈片電性連接於行動裝置的電路板與RFID天線。
然而，現今對於可攜式電子裝置的尺寸的要求越趨輕薄，為了彌補薄型化所導致的強度不足，以及為了追求一體成型與美觀，越來越多的行動裝置採用金屬外殼或是另鍍上金屬以形成金屬化的外觀。由於近場通訊是利用電磁感應的原理，如此一來外殼的金屬便對原本黏貼於背蓋內側的天線產生屏蔽效果，天線的磁場被金屬背蓋所屏蔽而無法有效地輻射，進而造成無法與其他電子裝置進行無線通訊。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種可攜式電子裝置及其背蓋組件。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案 是，提供一種背蓋組件，其包括：一基板結構、一絕緣結構以及一線圈結構。所述基板結構包括一金屬基板以及與所述金屬基板彼此相連的一第一非金屬基板。所述絕緣結構包括設置在所述金屬基板與所述第一非金屬基板上的第一絕緣層。所述線圈結構圍繞地設置在所述第一絕緣層上，以電性連接於一IC晶片。其中，所述線圈結構具有一第一部分線圈以及連接於所述第一部分線圈的一第二部分線圈，所述第一部分線圈設置在所述第一絕緣層上且位於所述金屬基板的上方，所述第二部分線圈設置在所述第一絕緣層上且位於所述第一非金屬基板的上方，且所述第一部分線圈佔所述線圈結構的百分比大於所述第二部分線圈佔所述線圈結構的百分比。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是，提供一種可攜式電子裝置，所述可攜式電子裝置使用一背蓋組件，其特徵在於，所述背蓋組件包括：一基板結構、一絕緣結構以及一線圈結構。所述基板結構包括一金屬基板以及與所述金屬基板彼此相連的一第一非金屬基板。所述絕緣結構包括設置在所述金屬基板與所述第一非金屬基板上的第一絕緣層。所述線圈結構圍繞地設置在所述第一絕緣層上，以電性連接於一IC晶片。其中，所述線圈結構具有一第一部分線圈以及連接於所述第一部分線圈的一第二部分線圈，所述第一部分線圈設置在所述第一絕緣層上且位於所述金屬基板的上方，所述第二部分線圈設置在所述第一絕緣層上且位於所述第一非金屬基板的上方，且所述第一部分線圈佔所述線圈結構的百分比大於所述第二部分線圈佔所述線圈結構的百分比。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外再一技術方案是，提供一種背蓋組件，其包括：一基板結構以及一線圈結構。所述基板結構包括一金屬基板以及與所述金屬基板彼此相連的一第一非金屬基板，其中，所述第一非金屬基板與所述金屬基板相 互配合，以形成組裝在一可攜式電子裝置的背面的一背蓋結構。所述線圈結構與一IC晶片相互配合後所產生的天線磁場能直接穿過所述第一非金屬基板而不與所述金屬基板產生耦合或者匹配。其中，所述線圈結構具有一第一部分線圈以及連接於所述第一部分線圈的一第二部分線圈，所述第一部分線圈位於所述金屬基板的上方區域的範圍內，所述第二部分線圈位於所述第一非金屬基板的上方區域的範圍內，且所述第一部分線圈佔所述線圈結構的百分比大於所述第二部分線圈佔所述線圈結構的百分比。
本發明的其中一有益效果在於，本發明技術方案所提供的可攜式電子裝置及其背蓋組件能通過“所述基板結構包括一金屬基板以及與所述金屬基板彼此相連的一第一非金屬基板”以及“所述線圈結構具有一第一部分線圈以及連接於所述第一部分線圈的一第二部分線圈，所述第一部分線圈位於所述金屬基板的上方區域的範圍內，所述第二部分線圈位於所述第一非金屬基板的上方區域的範圍內，且所述第一部分線圈佔所述線圈結構的百分比大於所述第二部分線圈佔所述線圈結構的百分比”的技術特徵，以使得所述線圈結構與一IC晶片相互配合後所產生的天線磁場能直接穿過所述第一非金屬基板而不與所述金屬基板產生耦合或者匹配。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，然而所提供的附圖僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
P‧‧‧可攜式電子裝置
C‧‧‧鏡頭模組
S‧‧‧背蓋組件
1‧‧‧基板結構
100‧‧‧貫穿開口
101‧‧‧第一貫穿狹縫
102‧‧‧第一連接體
103‧‧‧第二貫穿狹縫
104‧‧‧第二連接體
10‧‧‧金屬基板
11‧‧‧第一非金屬基板
12‧‧‧第二非金屬基板
2‧‧‧絕緣結構
21‧‧‧第一絕緣層
22‧‧‧第二絕緣層
3‧‧‧線圈結構
301‧‧‧第一饋入點
302‧‧‧第二饋入點
31‧‧‧第一部分線圈
32‧‧‧第二部分線圈
4‧‧‧IC晶片
401‧‧‧第一導電接點
402‧‧‧與一第二導電接點
圖1為本發明第一實施例的背蓋組件的基板結構的立體示意圖。
圖2為本發明第一實施例的背蓋組件的基板結構的局部剖面示意圖。
圖3為本發明第一實施例的背蓋組件的絕緣結構與線圈結構 設置在基板結構上的立體示意圖。
圖4為本發明第一實施例的可攜式電子裝置的立體分解示意圖。
圖5為本發明第二實施例的背蓋組件的立體示意圖。
圖6為本發明第二實施例的可攜式電子裝置的立體示意圖。
圖7為本發明第三實施例的可攜式電子裝置的立體分解示意圖。
圖8為本發明第三實施例的背蓋組件的基板結構的局部剖面示意圖。
圖9為本發明第四實施例的背蓋組件的立體示意圖。
圖10為本發明第四實施例的可攜式電子裝置的立體示意圖。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“可攜式電子裝置及其背蓋組件”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的精神下進行各種修飾與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。
[第一實施例]
請參閱圖1至圖4所示，本發明第一實施例提供一種背蓋組件S以及一種使用背蓋組件S的可攜式電子裝置P，其中，背蓋組件S包括一基板結構1、一絕緣結構2以及一線圈結構3。
首先，配合圖1與圖2所示，基板結構1包括一金屬基板10以及與金屬基板10彼此相連的一第一非金屬基板11。更進一步來 說，如圖2所示，基板結構1具有連接於金屬基板10與第一非金屬基板11之間的一第一貫穿狹縫101以及填充於第一貫穿狹縫101內且連接於金屬基板10與第一非金屬基板11之間的一第一連接體102。舉例來說，第一非金屬基板11為一由絕緣材料所製成的第一絕緣基板，並且第一連接體102為一由絕緣材料所製成的第一絕緣膠體。
再者，配合圖1至圖3所示，絕緣結構2包括設置在金屬基板10與第一非金屬基板11上的第一絕緣層21，並且線圈結構3圍繞地設置在第一絕緣層21上，以使得線圈結構3與金屬基板10彼此絕緣。更進一步來說，線圈結構3可為一種由導電材料依據一預定線路佈局所形成的天線結構(例如可以是RFID天線)，並且線圈結構3具有一第一部分線圈31以及連接於第一部分線圈31的一第二部分線圈32。另外，第一部分線圈31設置在第一絕緣層21上且位於金屬基板10的上方，並且第二部分線圈32設置在第一絕緣層21上且位於第一非金屬基板11的上方。值得注意的是，第一部分線圈31佔線圈結構3的百分比會大於第二部分線圈32佔線圈結構3的百分比。舉例來說，第一部分線圈31佔線圈結構3的百分比可約為55%~95%(最佳化可為85%~95%)，並且第二部分線圈32佔線圈結構3的百分比可約為5%~45%(最佳化可為5%~15%)。也就是說，第一部分線圈31佔線圈結構3的百分比大於第二部分線圈32佔線圈結構3的百分比約70~90之間。但是，本發明的第一部分線圈31與第二部分線圈32的百分比不以上述所舉的例子為限。
更進一步來說，配合圖3與圖4所示，絕緣結構2還進一步包括設置在第一絕緣層21上以覆蓋線圈結構3的一第二絕緣層22(也就是說，線圈結構3就會被包覆在第一絕緣層21與第二絕緣層22之間)，並且線圈結構3具有從第二絕緣層22裸露而出的一第一饋入點301以及一第二饋入點302。值得注意的是，第一非金 屬基板11與金屬基板10能夠相互配合，以形成組裝在一可攜式電子裝置P的背面的一背蓋結構。當基板結構1(背蓋結構)組裝在可攜式電子裝置P的背面時，線圈結構3的第一饋入點301與第二饋入點302就會分別接觸IC晶片4的一第一導電接點401與一第二導電接點402，以讓線圈結構3能電性連接於IC晶片4。
綜上所述，配合圖1以及圖4所示，本發明第一實施例提供的一種背蓋組件S，其包括：一基板結構1以及一線圈結構3。基板結構1包括一金屬基板10以及與金屬基板10彼此相連的一第一非金屬基板11。第一非金屬基板11與金屬基板10會相互配合，以形成組裝在一可攜式電子裝置P的背面的一背蓋結構。線圈結構3與一IC晶片4相互配合後所產生的天線磁場能直接穿過第一非金屬基板11而不與金屬基板10產生耦合或者匹配。線圈結構3具有一第一部分線圈31以及連接於第一部分線圈31的一第二部分線圈32。第一部分線圈31位於金屬基板10的上方區域的範圍內，第二部分線圈32位於第一非金屬基板11的上方區域的範圍內，並且第一部分線圈31佔線圈結構3的百分比會大於第二部分線圈32佔線圈結構3的百分比。
藉此，線圈結構3與IC晶片4相互配合後所產生的天線磁場能直接穿過第一非金屬基板11，並且天線磁場會受到金屬基板10的屏蔽而不與金屬基板10產生耦合或者匹配。因此，線圈結構3與IC晶片4相互配合後所產生的天線磁場會穿過第一非金屬基板11並集中在金屬基板10的前方區域，而不會受到金屬基板10的屏蔽影響。
[第二實施例]
請參閱圖5以及圖6所示，本發明第二實施例提供一種背蓋組件S以及一種使用背蓋組件S的可攜式電子裝置P，其中，背蓋組件S包括一基板結構1、一絕緣結構2以及一線圈結構3。由 圖5與圖4的比較可知，本發明第二實施例與第一實施例最大的差別在於：配合圖5與圖6所示，在第二實施例中，基板結構1具有至少一貫穿開口100，至少一貫穿開口100會貫穿金屬基板10以用於裸露一可攜式電子裝置P的至少一鏡頭模組C，並且至少一貫穿開口100位於被線圈結構3所圍繞的一無線圈區域的下方。當然，至少一鏡頭模組C也可替換成指紋辨識模組或者其它的電子模組，或者是至少一貫穿開口100可以同時用於裸露一可攜式電子裝置P的多個電子模組，例如鏡頭模組與指紋辨識模組。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
[第三實施例]
請參閱圖7所示，本發明第三實施例提供一種背蓋組件S以及一種使用背蓋組件S的可攜式電子裝置P，其中，背蓋組件S包括一基板結構1、一絕緣結構2以及一線圈結構3。由圖7與圖4的比較可知，本發明第三實施例與第一實施例最大的差別在於：如圖7所示，在第三實施例中，基板結構1包括與金屬基板10彼此相連的一第一非金屬基板11以及與金屬基板10彼此相連的一第二非金屬基板12。另外，基板結構1具有連接於金屬基板10與第一非金屬基板11之間的一第一貫穿狹縫101、填充於第一貫穿狹縫101內且連接於金屬基板10與第一非金屬基板11之間的一第一連接體102、連接於金屬基板10與第二非金屬基板12之間的一第二貫穿狹縫103以及填充於第二貫穿狹縫103內且連接於金屬基板10與第二非金屬基板12之間的一第二連接體104。舉例來說，第一非金屬基板11為一由絕緣材料所製成的第一絕緣基板，並且第二非金屬基板12為一由絕緣材料所製成的第二絕緣基板。另外，第一連接體102為一由絕緣材料所製成的第一絕緣膠體，並且第二連接體104為一由絕緣材料所製成的第二絕緣膠體。
值得注意的是，如圖7所示，第一非金屬基板11、金屬基板10以及第二非金屬基板12能夠相互配合，以形成組裝在一可攜式電子裝置P的背面的一背蓋結構。當基板結構1(背蓋結構)組裝在可攜式電子裝置P的背面時，線圈結構3的第一饋入點301與第二饋入點302就會分別接觸IC晶片4的一第一導電接點401與一第二導電接點402，以讓線圈結構3能電性連接於IC晶片4。
藉此，線圈結構3與IC晶片4相互配合後所產生的天線磁場能直接穿過第一非金屬基板11，並且天線磁場會受到金屬基板10的屏蔽而不與金屬基板10產生耦合或者匹配。因此，線圈結構3與IC晶片4相互配合後所產生的天線磁場會穿過第一非金屬基板11並集中在金屬基板10的前方區域，而不會受到金屬基板10的屏蔽影響。
[第四實施例]
請參閱圖9以及圖10所示，本發明第四實施例提供一種背蓋組件S以及一種使用背蓋組件S的可攜式電子裝置P，其中，背蓋組件S包括一基板結構1、一絕緣結構2以及一線圈結構3。由圖9與圖7的比較可知，本發明第四實施例與第三實施例最大的差別在於：配合圖8與圖9所示，在第四實施例中，基板結構1具有至少一貫穿開口100，至少一貫穿開口100會貫穿金屬基板10以用於裸露一可攜式電子裝置P的至少一鏡頭模組C，並且至少一貫穿開口100位於被線圈結構3所圍繞的一無線圈區域的下方。
[實施例的有益效果]
本發明的其中一有益效果在於，本發明的有益效果在於，本發明技術方案所提供的可攜式電子裝置P及其背蓋組件S能通過“基板結構1包括一金屬基板10以及與金屬基板10彼此相連的 一第一非金屬基板11”以及“線圈結構3具有一第一部分線圈31以及連接於第一部分線圈31的一第二部分線圈32，第一部分線圈31位於金屬基板10的上方區域的範圍內，第二部分線圈32位於第一非金屬基板11的上方區域的範圍內，且第一部分線圈31佔線圈結構3的百分比大於第二部分線圈32佔線圈結構3的百分比”的技術特徵，以使得線圈結構3與一IC晶片4相互配合後所產生的天線磁場能直接穿過第一非金屬基板11而不與金屬基板10產生耦合或者匹配。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及附圖內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。

Claims (10)

  1. 一種背蓋組件，其包括：一基板結構，所述基板結構包括一金屬基板以及與所述金屬基板彼此相連的一第一非金屬基板；一絕緣結構，所述絕緣結構包括設置在所述金屬基板與所述第一非金屬基板上的第一絕緣層；以及一線圈結構，所述線圈結構圍繞地設置在所述第一絕緣層上，以電性連接於一IC晶片；其中，所述線圈結構具有一第一部分線圈以及連接於所述第一部分線圈的一第二部分線圈，所述第一部分線圈設置在所述第一絕緣層上且位於所述金屬基板的上方，所述第二部分線圈設置在所述第一絕緣層上且位於所述第一非金屬基板的上方，且所述第一部分線圈佔所述線圈結構的百分比大於所述第二部分線圈佔所述線圈結構的百分比；其中，所述基板結構具有連接於所述金屬基板與所述第一非金屬基板之間的一第一貫穿狹縫以及填充於所述第一貫穿狹縫內且連接於所述金屬基板與所述第一非金屬基板之間的一第一連接體。
  2. 如請求項1所述的背蓋組件，其中，所述第一非金屬基板與所述金屬基板相互配合，以形成組裝在一可攜式電子裝置的背面的一背蓋結構，其中，所述絕緣結構包括設置在所述第一絕緣層上以覆蓋所述線圈結構的一第二絕緣層，且所述線圈結構具有從所述第二絕緣層裸露而出且電性連接於所述IC晶片的一第一饋入點以及一第二饋入點，其中，所述線圈結構與所述IC晶片相互配合後所產生的天線磁場能直接穿過所述第一非金屬基板而不與所述金屬基板產生耦合或者匹配。
  3. 如請求項1所述的背蓋組件，其中，所述基板結構包括與所述金屬基板彼此相連的一第二非金屬基板，且所述基板結構具有連接於所述金屬基板與所述第二非金屬基板之間的一第二貫穿狹縫以及填充於所述第二貫穿狹縫內且連接於所述金屬基板與所述第二非金屬基板之間的一第二連接體，其中，所述第一非金屬基板、所述金屬基板以及所述第二非金屬基板相互配合，以形成組裝在一可攜式電子裝置的背面的一背蓋結構，其中，所述絕緣結構包括設置在所述第一絕緣層上以覆蓋所述線圈結構的一第二絕緣層，且所述線圈結構具有從所述第二絕緣層裸露而出且電性連接於所述IC晶片的一第一饋入點以及一第二饋入點，其中，所述線圈結構與所述IC晶片相互配合後所產生的天線磁場能直接穿過所述第一非金屬基板而不與所述金屬基板產生耦合或者匹配。
  4. 如請求項1所述的背蓋組件，其中，所述基板結構具有至少一貫穿開口，至少一所述貫穿開口貫穿所述金屬基板以用於裸露一可攜式電子裝置的至少一鏡頭模組，且至少一所述貫穿開口位於被所述線圈結構所圍繞的一無線圈區域的下方，其中，所述第一部分線圈佔所述線圈結構的百分比為55%~95%，且所述第二部分線圈佔所述線圈結構的百分比為5%~45%。
  5. 如請求項4所述的背蓋組件，其中，所述第一非金屬基板與所述金屬基板相互配合，以形成組裝在一可攜式電子裝置的背面的一背蓋結構，其中，所述絕緣結構包括設置在所述第一絕緣層上以覆蓋所述線圈結構的一第二絕緣層，且所述線圈結構具有從所述第二絕緣層裸露而出且電性連接於所述IC晶片的一第一饋入點以及一第二饋入點，其中，所述線圈結構與所述IC晶片相互配合後所產生的天線磁場能直接穿過所述第一非金屬基板而不與所述金屬基板產生耦合或者匹配。
  6. 如請求項4所述的背蓋組件，其中，所述基板結構包括與所述金屬基板彼此相連的一第二非金屬基板，且所述基板結構具有連接於所述金屬基板與所述第二非金屬基板之間的一第二貫穿狹縫以及填充於所述第二貫穿狹縫內且連接於所述金屬基板與所述第二非金屬基板之間的一第二連接體，其中，所述第一非金屬基板、所述金屬基板以及所述第二非金屬基板相互配合，以形成組裝在一可攜式電子裝置的背面的一背蓋結構，其中，所述絕緣結構包括設置在所述第一絕緣層上以覆蓋所述線圈結構的一第二絕緣層，且所述線圈結構具有從所述第二絕緣層裸露而出且電性連接於所述IC晶片的一第一饋入點以及一第二饋入點，其中，所述線圈結構與所述IC晶片相互配合後所產生的天線磁場能直接穿過所述第一非金屬基板而不與所述金屬基板產生耦合或者匹配。
  7. 一種可攜式電子裝置，所述可攜式電子裝置使用一背蓋組件，其特徵在於，所述背蓋組件包括：一基板結構，所述基板結構包括一金屬基板以及與所述金屬基板彼此相連的一第一非金屬基板；一絕緣結構，所述絕緣結構包括設置在所述金屬基板與所述第一非金屬基板上的第一絕緣層；以及一線圈結構，所述線圈結構圍繞地設置在所述第一絕緣層上，以電性連接於一IC晶片；其中，所述線圈結構具有一第一部分線圈以及連接於所述第一部分線圈的一第二部分線圈，所述第一部分線圈設置在所述第一絕緣層上且位於所述金屬基板的上方，所述第二部分線圈設置在所述第一絕緣層上且位於所述第一非金屬基板的上方，且所述第一部分線圈佔所述線圈結構的百分比大於所述第二部分線圈佔所述線圈結構的百分比；其中，所述基板結構具有連接於所述金屬基板與所述第一非金屬基板之間的一第一貫穿狹縫以及填充於所述第一貫穿狹縫內且連接於所述金屬基板與所述第一非金屬基板之間的一第一連接體。
  8. 如請求項7所述的可攜式電子裝置，其中，所述第一非金屬基板與所述金屬基板相互配合，以形成組裝在所述可攜式電子裝置的背面的一背蓋結構，其中，所述絕緣結構包括設置在所述第一絕緣層上以覆蓋所述線圈結構的一第二絕緣層，且所述線圈結構具有從所述第二絕緣層裸露而出且電性連接於所述IC晶片的一第一饋入點以及一第二饋入點，其中，所述線圈結構與所述IC晶片相互配合後所產生的天線磁場能直接穿過所述第一非金屬基板而不與所述金屬基板產生耦合或者匹配。
  9. 如請求項7所述的可攜式電子裝置，其中，所述基板結構包括與所述金屬基板彼此相連的一第二非金屬基板，且所述基板結構具有連接於所述金屬基板與所述第二非金屬基板之間的一第二貫穿狹縫以及填充於所述第二貫穿狹縫內且連接於所述金屬基板與所述第二非金屬基板之間的一第二連接體，其中，所述第一非金屬基板、所述金屬基板以及所述第二非金屬基板相互配合，以形成組裝在所述可攜式電子裝置的背面的一背蓋結構，其中，所述絕緣結構包括設置在所述第一絕緣層上以覆蓋所述線圈結構的一第二絕緣層，且所述線圈結構具有從所述第二絕緣層裸露而出且電性連接於所述IC晶片的一第一饋入點以及一第二饋入點，其中，所述線圈結構與所述IC晶片相互配合後所產生的天線磁場能直接穿過所述第一非金屬基板而不與所述金屬基板產生耦合或者匹配。
  10. 一種背蓋組件，其包括：一基板結構，所述基板結構包括一金屬基板以及與所述金屬基板彼此相連的一第一非金屬基板，其中，所述第一非金屬基板與所述金屬基板相互配合，以形成組裝在一可攜式電子裝置的背面的一背蓋結構；以及一線圈結構，所述線圈結構與一IC晶片相互配合後所產生的天線磁場能直接穿過所述第一非金屬基板而不與所述金屬基板產生耦合或者匹配；其中，所述線圈結構具有一第一部分線圈以及連接於所述第一部分線圈的一第二部分線圈，所述第一部分線圈位於所述金屬基板的上方區域的範圍內，所述第二部分線圈位於所述第一非金屬基板的上方區域的範圍內，且所述第一部分線圈佔所述線圈結構的百分比大於所述第二部分線圈佔所述線圈結構的百分比；其中，所述基板結構具有連接於所述金屬基板與所述第一非金屬基板之間的一第一貫穿狹縫以及填充於所述第一貫穿狹縫內且連接於所述金屬基板與所述第一非金屬基板之間的一第一連接體。
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