TWI627302B - 半導體處理方法 - Google Patents

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Abstract

一種半導體處理方法。在一些實施例中，形成矽填料中無孔洞或低孔洞發生的填矽開口，並且保有平滑的暴露矽表面。在一些實施例中，在基板中的開口可以填充有矽，例如是非晶矽。沉積矽可以具有內部孔洞。然後，將沉積的矽暴露於矽遷移抑制劑，例如是含氧物種和/或半導體摻質。沉積的矽填料隨後進行退火。退火後，孔洞的尺寸可以減小，在一些實施例中，這種尺寸的減小可以達到消除孔洞的程度。

Description

半導體處理方法 【相關申請案之交叉參考】
本申請案是於2014年7月18日提申的標題為“減少孔洞發生的填矽開口的形成方法(PROCESS FOR FORMING SILICON-FILLED OPENINGS WITH A REDUCED OCCURRENCE OF VOIDS)”的美國專利申請案第14/335,446號的部分延續案，所述申請案之全部內容以引用之方式併入本文中。
本發明是有關於半導體處理，且特別是有關於在矽填料中形成無孔洞或低孔洞發生的填矽開口。
半導體元件通常包括已填充有多晶矽(polysilicon)的開口，其可形成各種電子元件的組成部分。所述填充可以包括沉積矽層於開口的側邊及底部表面上，前述矽層從開口的側邊及底部開始成長並填滿開口。然而，矽層的成長並非完全均勻的，可能會產生孔洞(void)，例如是縫隙(seam)形成於開口的內部。在 一些實例中，這些孔洞可能肇因於沉積製程，製程中矽可能沉積於開口頂部的速率高於沉積於開口底部的速率，藉此導致開口頂部會先閉合而留下孔洞於開口的內部。
圖1顯示填充有剛沉積的(as-deposited)非晶矽薄膜(amorphous silicon film)的開口的穿透式電子顯微鏡(transmission electron micrograph，TEM)剖面圖。如剖面圖中央圓圈區域內所示，孔洞(縱長形狀的縫隙)在此實例中形成。這些孔洞會對由經填充的開口形成的電子元件產生不良的影響。因此，需要一種形成填矽開口並且完全或幾乎沒有孔洞留下於開口的內部的製程。
在一些實施例中，提供一種半導體處理的方法。此方法包括在沉積溫度下在沉積腔室中沉積非晶矽薄膜於基板(substrate)上。基板具有溝槽(trench)，非晶矽薄膜沉積為足夠厚度以填滿溝槽。在約575℃或更低的溫度下，將沉積的非晶矽薄膜暴露於氧化性氣體、氮化性氣體或N型摻質氣體中。隨後加熱基板到退火溫度(anneal temperature)。然後將基板保持在退火溫度下，使溝槽中的非晶矽薄膜結晶化。此退火可以使非晶矽薄膜轉化為多晶矽薄膜。
在一些實施例中，沉積溫度是約550℃或更低的溫度。退火溫度可以是約580℃或更高的溫度。基板可以保持在退火溫 度下約30分鐘或更長的時間。在一些實施例中，將基板暴露於N型摻質氣體包括將基板暴露於含磷氣體、含砷氣體或含銻氣體。
在一些其他實施例中，提供一種半導體處理的方法。此方法包括沉積矽薄膜於基板上及進入基板中的開口的內部，藉此填滿開口。在開口中的部分矽薄膜包括孔洞。此方法更包括將非晶矽薄膜的表面暴露於矽遷移抑制劑(silicon mobility inhibitor)，隨後將矽薄膜進行退火以降低孔洞的尺寸。
100‧‧‧方法
110、120、130‧‧‧步驟
圖1為填充有剛沉積的非晶矽薄膜的開口的穿透式電子顯微鏡剖面圖。
圖2為填充有剛沉積的非晶矽薄膜的開口經600℃退火後的穿透式電子顯微鏡剖面圖。
圖3為填充有剛沉積的非晶矽薄膜的開口經600℃退火後的掃描式電子顯微鏡圖。
圖4為減少填矽開口中孔洞或縫隙的方法的流程圖。
圖5A、圖5B與圖5C分別為填充有非晶矽薄膜的開口經暴露於氧氣後在大氣壓力下及A)600℃下240分鐘、B)700℃下120分鐘及C)800℃下60分鐘退火後的穿透式電子顯微鏡剖面圖。
圖6為填充有非晶矽薄膜的開口經暴露於氧氣後在500mTorr及600℃下退火240分鐘後的穿透式電子顯微鏡圖剖面。
提出一種填矽開口中消除孔洞的方法，其在將矽沉積進入開口後進行退火。如本文中所使用，位於開口中的矽也可以被稱為是矽填料(silicon fill)。可以預見的是，退火將導致矽的結晶化以及矽原子的重排或是移動，藉此導致孔洞或縫隙消失，或是“癒合(healed)”。
然而，已發現的是這樣的退火會在沉積矽中產生其他不想要的變化。舉例來說，退火被發現會導致沉積矽的極度粗糙化。這樣粗糙化的實例顯示於圖2及圖3。圖2顯示填充有剛沉積的非晶矽薄膜的開口經600℃退火後的穿透式電子顯微鏡剖面圖。圖3顯示填充有剛沉積的非晶矽薄膜的開口經600℃退火後的掃描式電子顯微鏡圖(scanning electron micrograph，SEM)。非晶矽薄膜沉積於在延伸出紙面的方向中延長的溝槽中。雖然在最窄的溝槽中孔洞似乎已經被消除，但原子重排的數量及所產生的表面粗糙度是巨大的。所產生的薄膜不適合使用在積體電路(integrated circuit)結構中。事實上的確是，在一些位置處，薄膜於退火後是完全消失的。
在一些實施例中，填矽開口形成為在矽填料中無孔洞或具有特別小孔洞，並且保有平滑的暴露矽表面。在一些實施例中，在基板中的開口可以填充有矽，其可以是非晶矽。在一些實施例中，矽填料可以包括多個沉積層(例如是包括摻雜矽層)，最末(頂) 層的非晶矽完成開口的填充。在開口中的矽可具有孔隙(例如是縫隙)，其可以是例如鄰近的開口的中心。因此，孔洞於開口的內部中可以是封閉的體積(closed volume)。將矽填料暴露於矽遷移抑制劑及隨後進行退火。有利的是，在退火後，孔洞的尺寸可以減小。在一些實施例中，這種尺寸的減小可以達到消除孔洞的程度。此外，退火可藉由將非晶矽轉化為更具有結晶型式的矽(例如是多晶矽)，以使非晶矽結晶化。在一些實施例中，退火可以將非晶矽填料轉化為多晶矽填料。
不受理論的限制之下，矽遷移抑制劑被認為是與暴露的矽相互作用以限制矽原子的移動。有利的是，在一些沉積製程中，可能會導致形成孔洞的自然夾擠行為(pinching behavior)亦防止或限制遷移抑制劑移動進入孔洞當中。因此，在填料開口內部的矽原子在退火時是相對自由的以移動與重排，而在暴露表面上的矽原子在遷移抑制劑的暴露下移動是受到限制的。有利的是，這種在矽原子移動上的差異使得消除或減少孔洞成為可能的，且不會使暴露表面粗糙化。因此，暴露表面實質上是保持平滑的，如同是剛被沉積一樣。
矽遷移抑制劑的實例包括含氧的化學物種，例如是氧化物種(如氧氣(O2)及含氧化合物)，包括一氧化氮(NO)、一氧化二氮(N2O)、二氧化氮(NO2)、二氧化碳(CO2)、水(H2O)及醇類(alcohol)。在一些實施例中，遷移抑制劑可以是半導體摻質(semiconductor dopant)，例如是磷化氫(PH3)、砷化氫(AsH3) 及銻化氫(SbH3)。在一些實施例中，遷移抑制劑可以是氮化物種，例如是氨(NH3)。在一些實施例中，上述的遷移抑制劑的組合也可以使用。
請參照圖式，圖4為減少填矽開口中孔洞或縫隙的方法的流程圖。方法100包括提供矽填料在基板中的開口中(步驟110)，將矽填料暴露於矽遷移抑制劑(步驟120)以及藉由對基板進行退火而將矽填料進行退火(步驟130)。前述退火可以減少或消除在矽填料中的孔洞。在矽填料是非晶矽的一些實施例中，退火可以減少或消除在矽填料中的孔洞，並且亦可使矽填料結晶化。可理解的是，開口可以是半導體基板(例如是矽晶圓(silicon wafer))的一部分。舉例來說，基板可以包括材料層，例如是介電層，其中配置有開口。在一些實施例中，開口可以是細長的溝槽。在一些實施例中，開口的寬度可以是約100nm或更小(例如是約100nm至約5nm)、約50nm或更小(例如是約50nm至約5nm)或是約20nm或更小(例如是約20nm至約8nm)。
請繼續參照圖4，步驟110可以簡單地包括接受具有以矽填充開口的基板，以接續隨後的處理步驟120及130。在一些其他實施例中，提供以矽填充的開口(步驟110)可以包括沉積矽於開口當中。舉例來說，矽薄膜可以沉積並成長於開口當中。在一些實施例中，沉積的薄膜可以是剛沉積的多晶矽薄膜。較佳的是，多晶矽薄膜未摻雜有表面遷移抑制劑，例如是N型摻雜劑(包括磷、砷或銻)。
在一些其他實施例中，矽薄膜是在形成非晶矽薄膜的條件下進行沉積的。舉例來說，沉積溫度可以是低到足以使矽薄膜是以非晶狀態成長。在一些實施例中，沉積溫度約為550℃或更低(例如是約550℃至約480℃)、約為530℃或更低(例如是約530℃至約485℃)或約為510℃或更低(例如是約510℃至約490℃)。相較於剛沉積的多晶矽薄膜，這些非晶矽薄膜進行沉積時可以具有較高的階梯覆蓋(step coverage)，藉此提供更小的孔洞，以及在進行後續步驟120及步驟130中促使更快速的孔洞消除。非晶矽薄膜的沉積製程的一個實例具有以下的條件：矽來源：甲矽烷(SiH4)
甲矽烷的流量：660sccm
壓力：500mTorr
溫度：520℃從上述可明顯看出的是，非晶矽薄膜不包括表面遷移抑制劑。
除了甲矽烷以外，用於沉積矽薄膜在開口中的矽來源或前驅物(precursor)的其他非限制性實例通常包括矽烷(silane)，例如是乙矽烷(disilane)、丙矽烷(trisilane)或氯矽烷(chlorosilane)。
請繼續參照圖4。在一些實施例中，步驟110可以包括提供結合遷移抑制劑的矽填料，遷移抑制劑例如是電摻質(electrical dopant)，如磷或砷。然而，已發現的是簡單地使用摻雜矽(doped silicon)來填充開口並不容許在矽填料中的孔洞成功地癒合。舉例 來說，已發現的是在經磷摻雜的矽填料中的孔洞在退火(例如是在後續步驟130中的退火，如下所述)後並沒有癒合。不受理論的限制之下，存在於摻雜矽填料中以及孔洞表面上的磷被認為是導致矽原子的表面擴散遭到抑制，以致於未發生足夠的重排以及孔洞的癒合未能成功地達成。
在一些實施例中，步驟110包括以多個材料層填充開口，填充開口的最末層是非晶矽層。舉例來說，開口可以部分地填充矽層，例如是含有遷移抑制劑的非晶矽層。在一些實施例中，此層的厚度不足以完全填滿整個溝槽中的體積，而留下鄰近於溝槽頂部之開放的溝槽上部分。在一些實施例中，遷移抑制劑是電摻質，例如是磷或砷。非晶矽層可以透過各種方法來進行摻雜，例如是包括剛沉積的摻雜。溝槽隨後填充有未摻雜的非晶矽層，使得溝槽是填滿的及溝槽的頂部是封閉的。在一些實施例中，未摻雜的非晶矽薄膜的厚度約為5nm或更大或者是約為10nm或更大，如本文中所述，這樣的薄膜厚度可以在隨後的退火過程時促使在經填充的開口中具有足夠量的材料以進行重組及癒合孔洞。
可理解的是，沉積於開口中的矽薄膜將藉由在開口的側邊及底部上成長以填充開口。此成長可能是非均勻的及可能會形成孔洞，例如在開口相對的兩側上成長的薄膜沿著開口的中心線並匯合。舉例來說，不受理論的限制之下，位於開口的上部(鄰近開口的口部)的薄膜的相對部分會先匯合。這會阻止進一步的沉積於開口的下部，導致形成孔洞在矽填料中。因此，經填充的 開口會經由矽薄膜封閉其口部，但具有孔洞在其內部當中。
請繼續參照圖4，這些孔洞可藉由暴露矽填料於矽遷移抑制劑(步驟120)以及隨後的步驟130而被消除或減小尺寸。可理解的是，矽遷移抑制劑是與矽填料的暴露表面進行相互作用的化學物種，以穩定或限制在暴露表面上矽原子的移動。在一些實施例中，矽遷移抑制劑使前述表面在進行步驟130之前及之後能保有實質上相同的粗糙度。舉例來說，在進行步驟130後的表面粗糙度可以是在步驟130前的約10Å、約5Å或約3Å的表面粗糙度內。矽遷移抑制劑的非限制性實例包括：含氧物種，所述含氧物種包括氧化物種(如氧氣(O2))及含氧化合物(如一氧化氮(NO)、一氧化二氮(N2O)、二氧化氮(NO2)、二氧化碳(CO2)、水(H2O)及醇類(alcohol))；氮化物種，例如是氨(NH3)；以及包括半導體摻質，例如磷化氫(PH3)與砷化氫(AsH3)。在一些實施例中，上述含氧物種、氮化物種及/或半導體摻質的組合也可以使用。
在一些實施例中，暴露矽填料於矽遷移抑制劑(步驟120)可以包括引進矽遷移抑制劑至包括具有矽填料的基板的製程腔室(process chamber)中。舉例來說，矽遷移抑制劑可以氣體方式流入製程腔室中。在一些實施例中，前述製程腔室是與沉積矽填料相同的腔室。在一些其他實施例中，將基板自沉積腔室中移除，以暴露於矽遷移抑制劑。舉例來說，暴露矽填料於矽遷移抑制劑(步驟)可包括在從沉積腔室運送到退火腔室以退火矽填料(步驟130)期間將矽填料暴露於周圍空氣(ambient air)中。在一些 實施例中，沉積和退火步驟是在相同的製程腔室中進行，且暴露於矽遷移抑制劑可以藉由先卸載基板使其暴露於空氣中然後再將基板重載至製程腔室中來達成。在一些實施例中，沉積矽填料、將矽填料暴露於矽遷移抑制劑及進行矽填料的退火都在相同的製程腔室中進行，而不用在上述沉積、暴露及卸載之任合步驟間將基板自製程腔室卸載。
在一些實施例中，暴露於矽遷移抑制劑是在低於矽填料表面處的矽原子開始移動及重排時的溫度下進行。如本文中所述，退火矽填料而不暴露於矽遷移抑制劑會增加沉積矽的粗糙度。在一些實施例中，為了防止粗糙化的發生，直到基板暴露於遷移抑制劑之前，都不加熱超過575℃。在一實施例中，將基板加熱從沉積溫度至退火溫度的期間，至少進行部分的暴露步驟，而前提是暴露開始時的溫度是低於575℃。
可理解的是，暴露的持續時間是足以使矽填料的表面與遷移抑制劑能充分的作用，以防止表面粗糙化的發生。在一些實施例中，暴露的持續時間約為1分鐘或更長。在一些實施例中，遷移抑制劑的薄層(例如是一個單層或更少)藉由暴露而沉積。
請繼續參照圖4，在暴露於矽遷移抑制劑(步驟120)之後，矽填料進行退火(步驟130)。在一些實施例中，基板可以被運送到專用的退火腔室中以進行退火。在一些其他實施例中，可以在與沉積矽填料相同的腔室中來進行退火。
退火溫度通常是高於沉積溫度，且導致矽填料中的矽原 子進行移動，藉此消除或減小在矽填料中孔洞的尺寸。在一些實施例中，退火溫度約為580℃或更高(例如是包括約580℃至約900℃)、約600℃或更高(例如是包括約600℃至約850℃)或者是約700℃或更高(例如是包括約700℃至約800℃)。在一些實施例中，退火的持續時間約為30分鐘或更長或者是約60分鐘或更長。有利的是，在退火之後，矽填料中的孔洞藉由目視檢查是觀察不到的或是幾乎檢測不到的，並且沉積的矽填料的表面實質上保有如同退火之前一樣的平滑程度。此外，退火可以有利地使非晶矽結晶化。
實例。
以下所述敘的各個圖式是用於實驗形成無孔洞或具有非常小孔洞的填矽開口。沉積及退火處理是使用A412TM垂直式爐管(由荷蘭阿爾梅勒(Almere)的ASM International N.V.公司所提供)來進行。前述爐管具有製程腔室，其可容納150個具有直徑為300mm的半導體基板或晶圓且基板置於晶舟(wafer boat)當中。
圖5A、圖5B與圖5C分別為經暴露於氧氣且在大氣壓力下及A)600℃下240分鐘、B)700℃下120分鐘及C)800℃下60分鐘下退火後填充有非晶矽薄膜的開口的穿透式電子顯微鏡剖面圖。在以下的條件下，沉積非晶矽薄膜於具有寬度為約40nm至約80nm的溝槽中：矽來源：甲矽烷(SiH4)
甲矽烷的流量：660sccm
壓力：500mTorr
溫度：520℃
在沉積之後，如上所述，將基板從沉積爐管卸載下來且運送到退火爐管，在退火爐管中基板在氮氣(N2)中、大氣壓力下及下列條件下進行退火步驟：A)600℃下240分鐘、B)的700℃下120分鐘及C)800℃下60分鐘。在從沉積爐管運送到爐退火爐管期間，將基板暴露於大氣中的氧氣當中。理想的是，在圖5A、圖5B及圖5C中任一圖式裡的矽填料中孔洞或是縫隙是看不到的。
圖6為經暴露於氧氣後在500mTorr及600℃下退火240分鐘後填充有非晶矽薄膜的開口的穿透式電子顯微鏡剖面圖。根據圖5A、圖5B及圖5C，矽薄膜如上所述之方式進行沉積。在沉積矽薄膜之後，基板藉由從沉積爐管卸載而暴露於氧氣中。將基板卸載到具有約10ppm氧氣(O2)的氮氣(N2)微環境中，然後將基板重新載入沉積爐管當中以進行退火。退火在600℃及1mTorr下進行240分鐘。沉積薄膜的表面保持平滑以及存在的孔洞或是縫隙進行癒合且不再被觀察到。因此，可以發現到的是，在氮氣微環境中約10ppm或更多的殘餘氧氣濃度是足以使矽填料的表面穩定。在另一實施例中，在所有其他條件相同下，在150Torr下進行退火且可以觀察到相同的結果。
從沉積腔室中將基板卸載可能是耗時的。在一些實施例 中，非晶矽薄膜在與上述相似的條件下進行沉積及退火。然而，基板不會在暴露於遷移抑制劑的期間從沉積腔室移除。取而代之的是，將非晶矽薄膜暴露於磷化氫(1%在氮氣或氫氣中)，前述磷化氫是以66sccm的流速流入沉積腔室中，而沉積壓力為200mTorr及沉積溫度為520℃。將矽薄膜暴露於磷化氫中10分鐘。可以發現到，這種暴露在隨後的退火期間中實質上完全地抑制表面粗糙化是有效的，並且亦消除了矽填料中的孔洞。可以預期的是，將非晶矽薄膜在原位(in-situ)(在沉積腔室中)暴露於氧氣氣流中(例如是1分鐘或更長的時間)可達成類似的結果。
熟悉此技術領域者可以在不脫離本發明的範圍內，對上述的製程與結構做各種的省略、增加與潤飾。對實施例的特定特徵與態樣可以做各種組合與子組合，其仍落在本發明的範圍內。揭露的實施例的各種特徵與態樣可以妥當地與其中之一結合或取代，所有這些潤飾與變更都落在本發明後附的申請專利範圍所界定的範圍內。

Claims (25)

  1. 一種半導體處理方法，包括：在沉積腔室中提供基板，所述基板具有溝槽，所述溝槽具有溝槽開口；在沉積溫度下在所述沉積腔室中沉積非晶矽薄膜於所述基板上，所述非晶矽薄膜具有足夠的厚度以填滿所述溝槽且夾擠封閉所述溝槽開口以形成封閉空間的孔洞；在約575℃或更低的溫度下將所述非晶矽薄膜的暴露表面暴露於氧化性氣體、氮化性氣體、含磷氣體或含砷氣體，同時所述孔洞未暴露於所述氧化性氣體、所述氮化性氣體、所述含磷氣體或所述含砷氣體；加熱所述基板到退火溫度，其中在加熱所述基板的期間暴露所述非晶矽薄膜抑制所述非晶矽薄膜的暴露部分的矽原子的移動，同時允許所述溝槽中界定封閉的所述孔洞的所述非晶矽薄膜的部分的矽原子的相對自由的移動；以及將所述基板保持在所述退火溫度下使所述溝槽中的所述非晶矽薄膜結晶化。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的半導體處理方法，其中將所述基板保持在所述退火溫度下是進行30分鐘或更長的一段時間。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的半導體處理方法，其中所述退火溫度是約580℃或更高的溫度。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的半導體處理方法，其中所述 沉積溫度是約550℃或更低的溫度。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的半導體處理方法，其中所述退火溫度是約580℃或更高的溫度。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的半導體處理方法，其中所述退火溫度是約600℃或更高的溫度。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的半導體處理方法，其中將所述非晶矽薄膜暴露於所述氧化性氣體包括將所述基板從所述沉積腔室卸載，藉此將所述基板暴露於所述沉積腔室外的周圍大氣。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的半導體處理方法，其中將所述非晶矽薄膜暴露於所述氧化性氣體更包括將所述基板從所述沉積腔室運送至退火腔室，以加熱所述基板至所述退火溫度。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的半導體處理方法，更包括將所述基板重載進所述沉積腔室中，其中加熱所述基板至所述退火溫度及將所述基板保持在所述退火溫度下是在所述沉積腔室中進行。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的半導體處理方法，其中將所述非晶矽薄膜暴露於所述氧化性氣體、所述氮化性氣體、含磷氣體或含砷氣體包括將所述氧化性氣體、所述氮化性氣體、含磷氣體或含砷氣體流進所述沉積腔室中。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的半導體處理方法，其中暴露所述非晶矽薄膜、加熱所述基板到所述退火溫度及將所述基板保持在所述退火溫度下是在所述沉積腔室中進行，且在沉積所述 非晶矽薄膜與暴露所述非晶矽薄膜、暴露所述非晶矽薄膜與加熱所述基板以及加熱所述基板與保持所述基板在所述退火溫度中的任一者之間未將所述基板從所述沉積腔室卸載。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的半導體處理方法，其中將所述非晶矽薄膜暴露於所述氧化性氣體是進行1分鐘或更長的時間。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的半導體處理方法，其中所述沉積腔室是批次式爐管的處理腔室。
  14. 如申請專利範圍第1項所述的半導體處理方法，其中將所述基板保持在所述退火溫度下將所述非晶矽薄膜轉化為多晶矽薄膜。
  15. 如申請專利範圍第1項所述的半導體處理方法，其中所述非晶矽薄膜的暴露表面的粗糙度是在所述非晶矽薄膜退火之前的暴露的所述非晶矽薄膜的約10Å的粗糙度內。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的半導體處理方法，其中所述非晶矽薄膜的暴露表面的粗糙度是在所述非晶矽薄膜退火之前的暴露的所述非晶矽薄膜的約5Å的粗糙度內。
  17. 一種半導體處理方法，包括：提供非晶矽薄膜於基板上及使所述非晶矽薄膜延伸進入所述基板中的開口中，藉此填滿所述開口，其中在所述開口中的部分所述非晶矽薄膜包括孔洞，所述孔洞由所述開口的內部中的封閉空間形成，其中所述開口的上部經所述非晶矽薄膜夾擠封閉以封 閉所述開口；將所述非晶矽薄膜的表面暴露於矽遷移抑制劑，以在接續的退火期間抑制所述非晶矽薄膜的暴露部分的矽原子的移動，同時允許所述溝槽中界定所述孔洞的所述非晶矽薄膜的部分的矽原子的相對自由的移動；以及將所述非晶矽薄膜進行退火以降低所述孔洞的尺寸。
  18. 如申請專利範圍第17項所述的半導體處理方法，其中所述矽遷移抑制劑包括含氧化學物種。
  19. 如申請專利範圍第18項所述的半導體處理方法，其中所述含氧化學物種是選自於由氧氣、一氧化氮、一氧化二氮、二氧化氮、二氧化碳、水、醇類及其組合所構成的群組。
  20. 如申請專利範圍第17項所述的半導體處理方法，其中所述矽遷移抑制劑包括半導體摻質。
  21. 如申請專利範圍第20項所述的半導體處理方法，其中所述半導體摻質包括磷化氫或砷化氫。
  22. 如申請專利範圍第17項所述的半導體處理方法，其中所述非晶矽薄膜的暴露表面的粗糙度在所述非晶矽薄膜退火後實質上未改變。
  23. 如申請專利範圍第22項所述的半導體處理方法，其中所述非晶矽薄膜的暴露表面的粗糙度是在所述非晶矽薄膜退火之前的暴露的所述非晶矽薄膜的約10Å的粗糙度內。
  24. 如申請專利範圍第17項所述的半導體處理方法，其中將 所述非晶矽薄膜退火是在約580℃或更高的溫度下進行。
  25. 如申請專利範圍第17項所述的半導體處理方法，其中降低所述孔洞的尺寸實質上消除所述孔洞。
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