TWI624150B - 用於波封追蹤系統之裝置及方法 - Google Patents

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Abstract

本文揭示用於波封追蹤系統之裝置及方法。在某些實施方案中，提供一種用於產生用於一功率放大器之一功率放大器供應電壓之波封追蹤系統。該波封追蹤系統包含一直流轉直流轉換器，該直流轉直流轉換器由一電池電壓產生一經調節電壓且使用一低頻回饋信號控制該經調節電壓之一電壓量值。該波封追蹤系統進一步包含使用一波封信號及一高頻回饋信號產生一輸出電流之一誤差放大器。該低頻回饋信號係基於該功率放大器供應電壓之一低頻分量且該高頻回饋信號係基於該功率放大器供應電壓之一高頻分量。該誤差放大器藉由使用該輸出電流調整該經調節電壓之量值而產生該功率放大器供應電壓。

Description

用於波封追蹤系統之裝置及方法
本發明之實施例係關於電子系統，且更特定言之係關於用於射頻(RF)電子器件之波封追蹤系統。
功率放大器可包含於行動器件中以放大經由一天線傳輸之一RF信號。例如，在具有諸如全球行動通信系統(GSM)、分碼多重存取(CDMA)及寬頻分碼多重存取(W-CDMA)系統中發現之一分時多重存取(TDMA)架構之行動器件中，可使用一功率放大器以放大具有一相對較低功率之一RF信號。管理RF信號放大可係重要的，這係因為一所要傳輸功率位準可取決於使用者遠離一基地台及/或行動環境之距離。亦可採用功率放大器以輔助隨時間調節RF信號之功率位準，以在一指派接收時槽期間防止傳輸信號干擾。
一功率放大器之電力消耗可為一重要考量。一種用於減小一功率放大器之電力消耗之技術係波封追蹤，其中相對於RF信號之波封或信號波封控制功率放大器之一供應電壓。因此，當信號波封之一電壓位準增加時，功率放大器供應電壓之電壓位準可增加。同樣地，當信號波封之電壓位準降低時，可降低功率放大器供應電壓之電壓位準以減小電力消耗。
需要改良之功率放大器系統。此外，需要改良之波封追蹤器。
在某些實施方案中，本發明係關於一種行動器件。該行動器件包含一功率放大器、一降壓轉換器及一誤差放大器。該功率放大器經組態以接收一功率放大器供應電壓且放大一射頻(RF)輸入信號以產生一RF輸出信號。該降壓轉換器經組態以將一電池電壓轉換為一降壓電壓，且基於一誤差電流控制該降壓電壓之一量值。該誤差放大器經組態以基於該RF輸入信號之一波封而產生一輸出電流且藉由使用該輸出電流調整該降壓電壓之量值而產生該功率放大器供應電壓。該誤差放大器經組態以藉由相對於該輸出電流之一量值改變該誤差電流之一量值而控制該降壓轉換器。
在各種實施例中，行動器件進一步包含一AC耦合電容器，該AC耦合電容器電連接在功率放大器供應電壓與經組態以產生輸出電流之誤差放大器之一輸出之間。
在一些實施例中，降壓轉換器包含一降壓控制器、一降壓電感器及複數個降壓切換器，且該降壓控制器經組態以使用誤差電流以控制該複數個降壓切換器之一狀態以控制通過該降壓電感器之一電流。
在數項實施例中，誤差電流包含一非反相誤差電流分量及一反相誤差電流分量，且降壓轉換器包含一電流比較器，該電流比較器經組態以藉由比較該非反相誤差電流分量與該反相誤差電流分量而控制該複數個降壓切換器之狀態。
根據若干實施例，誤差放大器包含經組態以產生輸出電流之一第一對電晶體及經組態以產生誤差電流之一第二對電晶體，且該第二對電晶體實施為該第一對電晶體之一複本。
在一些實施例中，行動器件進一步包含經組態以接收RF輸出信號之一天線。
在數項實施例中，行動器件進一步包含經組態以產生RF輸入信 號之波封之一收發器。
在某些實施例中，行動器件進一步包含經組態以產生電池電壓之一電池。
在若干實施例中，使用電池電壓對誤差放大器供電。
在一些實施例中，行動器件進一步包含一升壓轉換器，該升壓轉換器經組態以將電池電壓轉換為具有大於電池電壓之一電壓量值之一電壓量值之一升壓電壓。使用升壓電壓對誤差放大器供電。
在某些實施例中，本發明係關於一種用於產生一功率放大器供應電壓之波封追蹤器。該波封追蹤器包含一降壓轉換器及一誤差放大器。該降壓轉換器經組態以將一電池電壓轉換為一降壓電壓，且基於一誤差電流控制該降壓電壓之一量值。該誤差放大器經組態以基於一波封信號產生一輸出電流且藉由使用該輸出電流調整該降壓電壓之量值而產生該功率放大器供應電壓。該誤差放大器經組態以藉由相對於該輸出電流之一量值改變該誤差電流之一量值而控制該降壓轉換器。
根據數項實施例，誤差放大器包含經組態以接收波封信號之一第一輸入、一第二輸入及經組態以產生輸出電流之一輸出。在一些實施例中，波封追蹤器進一步包含電連接在該誤差放大器之第二輸入與該誤差放大器之輸出之間之一回饋電路。在數項實施例中，波封追蹤器進一步包含安置在該誤差放大器之輸出與功率放大器供應電壓之間之一AC耦合電容器。
在某些實施例中，使用電池電壓對誤差放大器供電。
根據若干實施例，波封追蹤器進一步包含一升壓轉換器，該升壓轉換器經組態以將電池電壓轉換為具有大於電池電壓之一電壓量值之一電壓量值之一升壓電壓。使用該升壓電壓對誤差放大器供電。
在各種實施例中，降壓轉換器包含一降壓控制器、一降壓電感器及複數個降壓切換器。該降壓控制器經組態以使用誤差電流以控制 該複數個降壓切換器之一狀態以控制通過該降壓電感器之一電流。
在數項實施例中，誤差電流包含一非反相誤差電流分量及一反相誤差電流分量，且降壓轉換器包含一電流比較器，該電流比較器經組態以藉由比較該非反相誤差電流分量與該反相誤差電流分量而控制該複數個降壓切換器之狀態。
在一些實施例中，誤差放大器包含經組態以產生輸出電流之一第一對電晶體及經組態以產生誤差電流之一第二對電晶體，且該第二對電晶體實施為該第一對電晶體之一複本。在各種實施例中，該第一對電晶體包含一第一p型場效電晶體(PFET)及一第一n型場效電晶體(NFET)，且該第二對電晶體包含一第二PFET及一第二NFET。
在某些實施例中，本發明係關於一種產生一功率放大器供應電壓之方法。該方法包含：使用一降壓轉換器由一電池電壓產生一降壓電壓；基於一誤差電流控制該降壓電壓之一量值；使用一誤差放大器基於一波封信號產生一輸出電流；藉由使用該輸出電流調整該降壓電壓之量值而產生功率放大器供應電壓；及藉由相對於該輸出電流之一量值改變該誤差電流之一量值而控制該降壓轉換器。
在各種實施例中，降壓轉換器包含一降壓電感器及複數個降壓切換器，且該方法進一步包含藉由基於誤差電流控制該複數個降壓切換器之一狀態而控制通過該降壓電感器之一電流。
在一些實施例中，誤差電流包含一非反相誤差電流分量及一反相誤差電流分量，且該方法進一步包含藉由比較該非反相誤差電流分量與該反相誤差電流分量控制該複數個降壓切換器之狀態。
在某些實施例中，該方法進一步包含對一功率放大器提供功率放大器供應電壓。
根據數項實施例，該方法進一步包含使用電池電壓對誤差放大器供電。
在各種實施例中，該方法進一步包含使用一升壓轉換器產生一升壓電壓及使用該升壓電壓對誤差放大器供電。
在某些實施例中，本發明係關於一種多晶片模組(MCM)。該MCM包含一降壓轉換器及一誤差放大器。該降壓轉換器經組態以將一電池電壓轉換為一降壓電壓，且基於一誤差電流控制該降壓電壓之一量值。該誤差放大器經組態以基於一波封信號產生一輸出電流且藉由使用該輸出電流調整該降壓電壓之量值而產生功率放大器供應電壓。該誤差放大器經組態以藉由相對於該輸出電流之一量值改變該誤差電流之一量值而控制該降壓轉換器。
在各種實施例中，誤差放大器包含經組態以接收波封信號之一第一輸入、一第二輸入及經組態以產生功率放大器供應電壓之一輸出。根據一些實施例，該MCM進一步包含電連接在該誤差放大器之第二輸入與該誤差放大器之輸出之間之一回饋電路。在某些實施例中，該MCM進一步包含安置在該誤差放大器之輸出與功率放大器供應電壓之間之一AC耦合電容器。
在一些實施例中，該MCM進一步包含經組態以接收功率放大器供應電壓之一功率放大器。
在某些實施例中，本發明係關於一種用於產生一功率放大器供應電壓之波封追蹤系統。該波封追蹤系統包含一直流轉直流轉換器及一誤差放大器。該直流轉直流轉換器經組態以由一電池電壓產生一經調節電壓且使用基於該功率放大器供應電壓之一低頻分量之一低頻回饋信號控制該經調節電壓之一電壓量值。該誤差放大器經組態以使用一波封信號及基於該功率放大器供應電壓之一高頻分量之一高頻回饋信號產生一輸出電流。視需要，該誤差放大器經組態以藉由使用該輸出電流調整該經調節電壓之量值而產生該功率放大器供應電壓。
在各種實施例中，誤差放大器包含經組態以接收波封信號之一 第一輸入、經組態以接收高頻回饋信號之一第二輸入及經組態以產生輸出電流之一輸出。根據一些實施例，波封追蹤系統進一步包含電連接在該誤差放大器之輸出與該功率放大器供應電壓之間之一AC耦合電容器。根據某些實施例，波封追蹤系統進一步包含經組態以產生該高頻回饋信號之一回饋電路。在各種實施例中，該回饋電路包含電連接在該誤差放大器之輸出與該誤差放大器之第二輸入之間之一第一回饋電阻器及電連接在該誤差放大器之第二輸入與一功率低供應電壓之間之一第二回饋電阻器。
在若干實施例中，使用電池電壓對誤差放大器供電。
根據某些實施例，波封追蹤系統進一步包含電連接在經調節電壓與功率放大器供應電壓之間之一電感器。
在一些實施例中，直流轉直流轉換器包含經組態以產生經調節電壓之一降壓轉換器。
在各種實施例中，波封追蹤系統進一步包含經組態以過濾功率放大器供應電壓以產生一經過濾之功率放大器供應電壓之一低通濾波器，且低頻回饋信號係部分基於該經過濾之功率放大器供應電壓。根據一些實施例，波封追蹤系統進一步包含經組態以藉由比較該經過濾之功率放大器供應電壓與一參考電壓而產生低頻回饋信號之一比較器。在若干實施例中，該波封追蹤系統進一步包含經組態以產生該參考電壓之一參考電壓產生器。
在數項實施例中，波封追蹤系統進一步包含經組態以過濾功率放大器供應電壓以產生一經過濾之功率放大器供應電壓之一高通濾波器。在若干實施例中，該波封追蹤系統進一步包含經組態以比較該經過濾之功率放大器供應電壓與波封信號以產生一高頻波封信號之一比較器，且誤差放大器包含經組態以接收高頻波封信號之一第一輸入、經組態以接收高頻回饋信號之一第二輸入及經組態以產生輸出電流之 一輸出。
在某些實施例中，本發明係關於一種無線器件。該無線器件包含一電力管理積體電路(PMIC)及一功率放大器模組。該PMIC包含一直流轉直流轉換器，該直流轉直流轉換器經組態以由一電池電壓產生一經調節電壓且基於一控制電壓之一電壓位準控制該經調節電壓之一電壓位準。該功率放大器模組包含經組態以放大一射頻(RF)信號之一功率放大器及經組態以基於一波封信號產生一輸出電流之一誤差放大器。該誤差放大器經組態以藉由使用該輸出電流調整該經調節電壓之電壓位準而產生用於功率放大器之一功率放大器供應電壓。該功率放大器模組經組態以至少部分基於該功率放大器供應電壓改變該控制電壓之電壓位準。
根據若干實施例，無線器件進一步包含經組態以產生RF信號及波封信號之一收發器。
在一些實施例中，無線器件進一步包含經組態以產生電池電壓之一電池。
在數項實施例中，功率放大器模組進一步包含電連接在經調節電壓與功率放大器供應電壓之間之一電感器。
根據某些實施例，無線器件進一步包含經組態以產生回應於功率放大器供應電壓之一高頻分量而改變之一回饋信號之一回饋電路，且誤差放大器包含經組態以接收波封信號之一第一輸入、經組態以接收該回饋信號之一第二輸入及經組態以產生輸出電流之一輸出。在若干實施例中，功率放大器模組進一步包含電連接在該誤差放大器之輸出與該功率放大器供應電壓之間之一AC耦合電容器。
在各種實施例中，功率放大器模組進一步包含經組態以過濾功率放大器供應電壓以產生一經過濾之功率放大器供應電壓之一低通濾波器，且控制電壓係至少部分基於該經過濾之功率放大器供應電壓。 在一些實施例中，該功率放大器模組進一步包含經組態以藉由比較該經過濾之功率放大器供應電壓與一參考電壓產生控制電壓之一比較器。
在某些實施例中，本發明係關於一種產生一功率放大器供應電壓之方法。該方法包含：使用一直流轉直流轉換器由一電池電壓產生一經調節電壓；基於一控制電壓控制該經調節電壓之一量值；使用一誤差放大器基於一波封信號產生一輸出電流；藉由使用該輸出電流調整該經調節電壓之量值而產生用於一功率放大器之一功率放大器供應電壓；及藉由至少部分基於該功率放大器供應電壓改變該控制電壓之一電壓位準控制該直流轉直流轉換器。
在數項實施例中，該方法進一步包含透過一AC耦合電容器對功率放大器供應電壓提供輸出電流。
根據各種實施例，該方法進一步包含使用一回饋電路產生用於誤差放大器之一高頻回饋信號，且該高頻回饋信號經組態以回應於功率放大器供應電壓之一高頻分量而改變。
在若干實施例中，該方法進一步包含使用電池電壓對誤差放大器供電。
根據各種實施例，該方法進一步包含使用一低通濾波器過濾功率放大器供應電壓以產生一經過濾之功率放大器供應電壓及比較該經過濾之功率放大器供應電壓與一參考電壓以產生控制電壓。
在某些實施例中，本發明係關於一種射頻系統。該射頻系統包含一電力管理積體電路(PMIC)、一第一功率放大器模組及一第二功率放大器模組。該PMIC包含一直流轉直流轉換器，該直流轉直流轉換器經組態以由一電池電壓產生一經調節電壓且使用複數個控制電壓控制該經調節電壓之一電壓位準。該第一功率放大器模組包含：一第一功率放大器，其經組態以放大一第一射頻(RF)信號；及一第一誤差放 大器，其經組態以藉由基於該第一RF信號之一波封調整該經調節電壓之電壓位準而產生用於該第一功率放大器之一第一功率放大器供應電壓。該第一功率放大器模組經組態以在啟用該第一功率放大器時至少部分基於該第一功率放大器供應電壓之一電壓位準改變該複數個控制電壓之一第一控制電壓之電壓位準。該第二功率放大器模組包含：一第二功率放大器，其經組態以放大一第二RF信號；及一第二誤差放大器，其經組態以藉由基於該第二RF信號之一波封調整該經調節電壓之電壓位準而產生用於該第二功率放大器之一第二功率放大器供應電壓。該第二功率放大器模組經組態以在啟用該第二功率放大器時至少部分基於該第二功率放大器供應電壓之一電壓位準改變該複數個控制電壓之一第二控制電壓之電壓位準。
在各種實施例中，第一功率放大器模組包含電連接在經調節電壓與第一功率放大器供應電壓之間之一第一電感器，且第二功率放大器模組包含電連接在經調節電壓與第二功率放大器供應電壓之間之一第二電感器。
在一些實施例中，射頻系統進一步包含一電話板、一第一電感器及一第二電感器。該第一電感器係安置在該電話板上且電連接在經調節電壓與第一功率放大器供應電壓之間。該第二電感器係安置在該電話板上且電連接在經調節電壓與第二功率放大器供應電壓之間。
根據若干實施例，射頻系統進一步包含一第三功率放大器模組，該第三功率放大器模組包含：一第三功率放大器，其經組態以放大一第三RF信號；及一第三誤差放大器，其經組態以藉由基於該第三RF信號之一波封調整該經調節電壓之電壓位準而產生用於該第三功率放大器之一第三功率放大器供應電壓。該第三功率放大器模組經組態以在啟用該第三功率放大器時至少部分基於該第三功率放大器供應電壓之一電壓位準改變該複數個控制電壓之一第三控制電壓之電壓 位準。
10‧‧‧功率放大器模組(PAM)
11‧‧‧行動器件
12‧‧‧切換器
13‧‧‧收發器
14‧‧‧天線
15‧‧‧傳輸路徑
16‧‧‧接收路徑
17‧‧‧功率放大器
18‧‧‧控制組件
19‧‧‧電腦可讀媒體/電腦可讀記憶體
20‧‧‧處理器
21‧‧‧電池
24‧‧‧定向耦合器
26‧‧‧功率放大器系統
27‧‧‧電感器
29‧‧‧雙極電晶體
30‧‧‧波封追蹤器
31‧‧‧阻抗匹配區塊
32‧‧‧功率放大器
33‧‧‧收發器
34‧‧‧基頻帶處理器
35‧‧‧波封塑形區塊
36‧‧‧數位轉類比轉換器(DAC)
37‧‧‧I/Q調變器
38‧‧‧混合器
39‧‧‧類比轉數位轉換器(ADC)
40‧‧‧功率放大器系統
41‧‧‧射頻(RF)信號
42‧‧‧波封
43‧‧‧功率放大器供應電壓
44‧‧‧功率放大器供應電壓
47‧‧‧曲線圖
48‧‧‧曲線圖
50‧‧‧波封追蹤系統
51‧‧‧誤差放大器
52‧‧‧回饋電路
53‧‧‧降壓轉換器
54‧‧‧升壓轉換器
55‧‧‧電感器
60‧‧‧升壓轉換器
63‧‧‧升壓電路
64‧‧‧升壓控制區塊
65‧‧‧電感器
66a‧‧‧第一切換器
66b‧‧‧第二切換器
67‧‧‧旁路電容器
70‧‧‧降壓轉換器
73‧‧‧降壓電路
74‧‧‧降壓控制區塊
75‧‧‧電感器
76a‧‧‧第一切換器
76b‧‧‧第二切換器
77‧‧‧旁路電容器
78‧‧‧磁滯電流比較器
80‧‧‧磁滯電流比較器
81‧‧‧第一n型場效電晶體(NFET)
82‧‧‧第二n型場效電晶體(NFET)
83‧‧‧第三n型場效電晶體(NFET)
84‧‧‧第四n型場效電晶體(NFET)
85‧‧‧第五n型場效電晶體(NFET)
86‧‧‧第六n型場效電晶體(NFET)
87‧‧‧第七n型場效電晶體(NFET)
88‧‧‧第八n型場效電晶體(NFET)
89‧‧‧第九n型場效電晶體(NFET)
91‧‧‧第一p型場效電晶體(PFET)
92‧‧‧第二p型場效電晶體(PFET)
93‧‧‧第三p型場效電晶體(PFET)
94‧‧‧第四p型場效電晶體(PFET)
100‧‧‧誤差放大器
101‧‧‧第一n型場效電晶體(NFET)
102‧‧‧第二n型場效電晶體(NFET)
103‧‧‧第三n型場效電晶體(NFET)
104‧‧‧第四n型場效電晶體(NFET)
105‧‧‧第五n型場效電晶體(NFET)
106‧‧‧第六n型場效電晶體(NFET)
107‧‧‧第七n型場效電晶體(NFET)
108‧‧‧第八n型場效電晶體(NFET)
111‧‧‧第一p型場效電晶體(PFET)
112‧‧‧第二p型場效電晶體(PFET)
113‧‧‧第三p型場效電晶體(PFET)
114‧‧‧第四p型場效電晶體(PFET)
115‧‧‧第五p型場效電晶體(PFET)
116‧‧‧第六p型場效電晶體(PFET)
117‧‧‧第七p型場效電晶體(PFET)
118‧‧‧第八p型場效電晶體(PFET)
119‧‧‧第九p型場效電晶體(PFET)
120‧‧‧偏壓電路
130‧‧‧波封追蹤系統
150‧‧‧曲線圖
151‧‧‧第一曲線
152‧‧‧第二曲線
153‧‧‧第三曲線
160‧‧‧波封追蹤系統
161‧‧‧交流(AC)耦合電容器
162‧‧‧旁路電容器
170‧‧‧波封追蹤模組/功率放大器模組
171‧‧‧波封追蹤晶粒
172a‧‧‧第一接針/襯墊
172b‧‧‧第二接針/襯墊
172c‧‧‧第三接針/襯墊
172d‧‧‧第四接針/襯墊
172e‧‧‧第五接針/襯墊
172f‧‧‧第六接針/襯墊
172g‧‧‧第七接針/襯墊
174‧‧‧n型場效電晶體(NFET)
175‧‧‧p型場效電晶體(PFET)
180‧‧‧波封追蹤模組
181‧‧‧波封追蹤晶粒
182a‧‧‧第一接針/襯墊
182b‧‧‧第二接針/襯墊
182c‧‧‧第三接針/襯墊
182d‧‧‧第四接針/襯墊
182e‧‧‧第五接針/襯墊
182f‧‧‧第六接針/襯墊
182g‧‧‧第七接針/襯墊
183‧‧‧誤差放大器
184‧‧‧n型場效電晶體(NFET)
185‧‧‧p型場效電晶體(PFET)
186‧‧‧直流轉直流控制器
187‧‧‧參考電壓產生器
188‧‧‧低通濾波器
189a‧‧‧第一回饋電阻器
189b‧‧‧第二回饋電阻器
190‧‧‧電話板
191‧‧‧收發器積體電路(IC)
192‧‧‧電力管理積體電路(PMIC)
193‧‧‧功率放大器(PA)模組
200‧‧‧射頻(RF)系統
201‧‧‧電力管理積體電路(PMIC)
202a‧‧‧第一接針
202b‧‧‧第二接針
202c‧‧‧第三接針
205‧‧‧電力管理積體電路(PMIC)電感器
207‧‧‧電力管理積體電路(PMIC)電容器
211‧‧‧功率放大器(PA)模組
212a‧‧‧第一接針
212b‧‧‧第二接針
212c‧‧‧第三接針
212d‧‧‧第四接針
212e‧‧‧第五接針
212f‧‧‧第六接針
212g‧‧‧第七接針
215‧‧‧電感器
216‧‧‧高通濾波器
220‧‧‧射頻(RF)系統
221‧‧‧功率放大器模組
228‧‧‧比較器
229‧‧‧比較器
230‧‧‧多頻帶功率放大器系統
231‧‧‧第一功率放大器模組
232‧‧‧第二功率放大器模組
233‧‧‧第三功率放大器模組
234‧‧‧電力管理積體電路(IC)
240‧‧‧多頻帶功率放大器系統
241‧‧‧第一電感器
242‧‧‧第二電感器
243‧‧‧第三電感器
250‧‧‧曲線圖
251‧‧‧第一曲線
252‧‧‧第二曲線
260‧‧‧多模式功率放大器(PA)模組
262a‧‧‧第一接針
262b‧‧‧第二接針
262c‧‧‧第三接針
262d‧‧‧第四接針
262e‧‧‧第五接針
262f‧‧‧第六接針
262g‧‧‧第七接針
262h‧‧‧第八接針
262i‧‧‧第九接針
262j‧‧‧第十接針
262k‧‧‧第十一接針
262l‧‧‧第十二接針
262m‧‧‧第十三接針
262n‧‧‧第十四接針
262o‧‧‧第十五接針
262p‧‧‧第十六接針
262q‧‧‧第十七接針
262r‧‧‧第十八接針
262s‧‧‧第十九接針
263‧‧‧高頻帶3G/4G功率放大器電路
264‧‧‧高頻帶2G功率放大器電路
265‧‧‧低頻帶2G功率放大器電路
266‧‧‧低頻帶3G/4G功率放大器電路
267‧‧‧切換器
268‧‧‧切換控制區塊
269‧‧‧數位控制區塊
270‧‧‧功率放大器控制方塊
275‧‧‧定向耦合器
V1‧‧‧功率低供應電壓
V2‧‧‧功率高供應電壓
VBOOST‧‧‧升壓電壓
VBATT‧‧‧電池電壓
VBUCK‧‧‧降壓電壓
VBIAS‧‧‧偏壓電壓
VBIAS1‧‧‧第一偏壓電壓
VBIAS2‧‧‧第二偏壓電壓
VBIAS3‧‧‧第三偏壓電壓
VBIAS4‧‧‧第四偏壓電壓
VCC_PA‧‧‧功率放大器供應電壓
VCC_PA1‧‧‧第一功率放大器供應電壓
VCC_PA2‧‧‧第二功率放大器供應電壓
VCC_PA3‧‧‧第三功率放大器供應電壓
VCONTROL‧‧‧控制電壓
VCONTROL1‧‧‧第一控制電壓
VCONTROL2‧‧‧第二控制電壓
VCONTROL3‧‧‧第三控制電壓
VIN+‧‧‧差動輸入電壓/正或第一輸入電壓
VIN-‧‧‧差動輸入電壓/負或第二輸入電壓
VOUT‧‧‧輸出電壓
VREF‧‧‧參考電壓
VREG‧‧‧經調節電壓
RF_IN‧‧‧射頻(RF)信號
RF_OUT‧‧‧經放大之射頻(RF)信號
IERROR‧‧‧誤差電流
IREF‧‧‧參考電流
IERROR+‧‧‧差動誤差電流
IERROR-‧‧‧差動誤差電流
OUT‧‧‧輸出信號
RF SIGNAL‧‧‧射頻信號
ENVELOPE‧‧‧波封信號
HB ANT‧‧‧高頻帶天線
LB ANT‧‧‧低頻帶天線
圖1係用於放大一射頻(RF)信號之一功率放大器模組之一示意圖。
圖2係可包含圖1之功率放大器模組之一或多者之一例示性無線器件之一示意方塊圖。
圖3A係包含一波封追蹤器之一功率放大器系統之一實例之一示意方塊圖。
圖3B係包含一波封追蹤器之一功率放大器系統之另一實例之一示意方塊圖。
圖4A至圖4B展示功率放大器供應電壓對時間之兩個實例。
圖5係一波封追蹤系統之一實施例之一示意方塊圖。
圖6係一升壓轉換器之一實施例之一電路圖。
圖7係一降壓轉換器之一實施例之一電路圖。
圖8係一磁滯電流比較器之一實施例之一電路圖。
圖9係一誤差放大器之一實施例之一電路圖。
圖10係一波封追蹤系統之另一實施例之一示意方塊圖。
圖11展示圖5之波封追蹤系統之電流對時間之一曲線圖之一實例。
圖12係一波封追蹤系統之另一實施例之一示意方塊圖。
圖13係一波封追蹤模組之一實施例之一示意方塊圖。
圖14係一波封追蹤模組之另一實施例之一示意方塊圖。
圖15係一電話板之一實施例之一示意方塊圖。
圖16A係一RF系統之一實施例之一示意方塊圖。
圖16B係一RF系統之另一實施例之一示意方塊圖。
圖17A係根據一實施例之一多頻帶功率放大器系統之一示意方塊 圖。
圖17B係根據另一實施例之一多頻帶功率放大器系統之一示意方塊圖。
圖18展示圖12之波封追蹤系統之電壓對時間之一曲線圖之一實例。
圖19係根據一實施例之一多模式功率放大器模組之一示意方塊圖。
本文提供之標題(若有)僅係為方便起見且不一定影響本發明之範疇及意義。
包含波封追蹤器之例示性功率放大器系統之概述
圖1係用於放大一射頻(RF)信號之一功率放大器模組(PAM)10之一示意圖。經圖解說明之功率放大器模組10可經組態以放大一RF信號(RF_IN)以產生一經放大之RF信號(RF_OUT)。如本文所述，該功率放大器模組10可包含一或多個功率放大器。
圖2係可包含圖1之功率放大器模組10之一或多者之一例示性無線或行動器件11之一示意方塊圖。該無線器件11亦可包含實施本發明之一或多個特徵之一波封追蹤系統。
圖2中所描繪之例示性無線器件11可表示諸如一多頻帶/多模式行動電話之一多頻帶及/或多模式器件。例如，全球行動通信系統(GSM)標準係用於世界上許多地區之數位蜂巢式通信之一模式。GSM模式行動電話可在四種頻率頻帶之一或多者下操作：850MHz(對於Tx，大約824MHz至849MHz，對於Rx，大約869MHz至894MHz)、900MHz(對於Tx，大約880MHz至915MHz，對於Rx，大約925MHz至960MHz)、1800MHz(對於Tx，大約1710MHz至1785MHz，對於Rx，大約1805MHz至1880MHz)及1900MHz(對於Tx，大約1850MHz 至1910MHz，對於Rx，大約1930MHz至1990MHz)。GSM頻帶之變體及/或區域/國家實施方案亦可用於世界上的不同地區。
分碼多重存取(CDMA)係可實施於行動電話器件中之另一標準。在某些實施方案中，CDMA器件可在800MHz、900MHz、1800MHz及1900MHz頻帶之一或多者下操作，而某些W-CDMA及長期演進(LTE)器件可在例如約22個射頻頻譜頻帶內操作。
可以前述例示性模式及/或頻帶且以其他通信標準實施本發明之一或多個特徵。例如，802.11、2G、3G、4G、LTE及高級LTE係此等標準之非限制性實例。
在某些實施例中，該無線器件11可包含切換器12、一收發器13、一天線14、功率放大器17、一控制組件18、一電腦可讀媒體19、一處理器20、一電池21及一波封追蹤器30。
該收發器13可產生經由該天線14傳輸之RF信號。此外，該收發器13可自該天線14接收傳入RF信號。
應瞭解，可藉由在圖2中共同地表示為收發器13之一或多個組件達成與RF信號之傳輸及接收相關聯之各種功能性。例如，一單個組件可經組態以提供傳輸及接收功能性二者。在另一實例中，可藉由分離組件提供傳輸及接收功能性。
類似地，應瞭解，可藉由在圖2中共同地表示為天線14之一或多個組件達成與RF信號之傳輸及接收相關聯之各種天線功能性。例如，一單個天線可經組態以提供傳輸及接收功能性二者。在另一實例中，可藉由分離天線提供傳輸及接收功能性。在又另一實例中，與該無線器件11相關聯之不同頻帶可具備不同的天線。
在圖2中，來自該收發器13之一或多個輸出信號被描繪為經由一或多個傳輸路徑15提供給該天線14。在所示實例中，不同的傳輸路徑15可表示與不同的頻帶及/或不同的功率輸出相關聯之輸出路徑。例 如，所示之兩個例示性功率放大器17可表示與不同的功率輸出組態(例如，低功率輸出及高功率輸出)相關聯之放大及/或與不同的頻帶相關聯之放大。雖然圖2圖解說明使用兩個傳輸路徑15及兩個功率放大器17之一組態，但是該無線器件11可經調適以包含更多或更少傳輸路徑15及/或更多或更少功率放大器17。
在圖2中，來自該天線14之一或多個偵測信號被描繪為經由一或多個接收路徑16提供給該收發器13。在所示實例中，不同的接收路徑16可表示與不同的頻帶相關聯之路徑。例如，所示之四個例示性路徑16可表示一些無線器件所具備之四頻帶能力。雖然圖2圖解說明使用四個接收路徑16之一組態，但是該無線器件11可經調適以包含更多或更少接收路徑16。
為促進接收路徑與傳輸路徑之間的切換，該等切換器12可經組態以將該天線14電連接至一選定傳輸或接收路徑。因此，該等切換器12可提供與該無線器件11之操作相關聯之數個切換功能性。在某些實施例中，該等切換器12可包含經組態以提供與(例如)不同頻帶之間的切換、不同功率模式之間的切換、傳輸模式與接收模式之間的切換或其等之某種組合相關聯之功能性之數個切換器。該等切換器12亦可經組態以提供包含信號之過濾及/或雙工之額外功能性。
圖2展示在某些實施例中，可提供一控制組件18以控制與該等切換器12、該等功率放大器17、該波封追蹤器30及/或其他操作組件之操作相關聯之各種控制功能性。
在某些實施例中，一處理器20可經組態以促進本文所述之各種程序的實施。該處理器20可實施各種電腦程式指令。該處理器20可為一般用途電腦、特殊用途電腦或其他可程式化資料處理裝置。
在某些實施例中，此等電腦程式指令亦可儲存於可引導該處理器20以一特定方式操作之一電腦可讀記憶體19中，使得該等指令儲存 於該電腦可讀記憶體19中。
該經圖解說明之無線器件11亦包含波封追蹤器30，其可用以對該等功率放大器17之一或多者提供一功率放大器供應電壓。例如，該波封追蹤器30可經組態以基於待放大之RF信號之一波封改變提供給該等功率放大器17之供應電壓。在經圖解說明之實施方案中，該波封信號係自該收發器13提供給該波封追蹤器30。然而，其他實施方案係可行的，包含例如其中該波封信號係自一基頻帶處理器或一電力管理積體電路(PMIC)提供給該波封追蹤器30之組態。此外，在某些實施方案中，該波封信號可藉由使用任何合適的波封偵測器偵測RF信號的波封而由該RF信號產生。
該波封追蹤器30可電連接至電池21，該電池21可為用於該無線器件11中之任何合適的電池，包含例如一鋰離子電池。如下文將進一步詳細描述，藉由控制提供給該等功率放大器17之一或多者之電壓，可減小該電池21消耗之電力，藉此改良該無線器件11之電池壽命。
圖3A係包含一波封追蹤器30之一功率放大器系統26之一實例之一示意方塊圖。經圖解說明之功率放大器系統26包含切換器12、天線14、電池21、一定向耦合器24、波封追蹤器30、一功率放大器32及一收發器33。該經圖解說明之收發器33包含一基頻帶處理器34、一波封塑形區塊35、一數位轉類比轉換器(DAC)36、一I/O調變器37、一混合器38及一類比轉數位轉換器(ADC)39。
該基頻帶處理器34可用以產生一I信號及一Q信號，該等信號對應於一所要振幅、頻率及相位之一正弦波或信號之信號分量。例如，該I信號可用以表示該正弦波之一同相分量，且該Q信號可用以表示該正弦波之一正交分量，此可為該正弦波之一等效表示。在某些實施方案中，該等I及Q信號可以一數位格式提供給該I/O調變器37。該基頻帶處理器34可為經組態以處理一基頻信號之任何合適的處理器。例 如，該基頻帶處理器34可包含一數位信號處理器、一微處理器、一可程式化核心或其等之任何組合。此外，在一些實施方案中，該功率放大器系統26中可包含兩個或更多個基頻帶處理器34。
該I/O調變器37可經組態以自該基頻帶處理器34接收該等I及Q信號且處理該等I及Q信號以產生一RF信號。例如，該I/O調變器37可包含經組態以將該等I及Q信號轉變為一類比格式之DAC、用於將該等I及Q信號升頻轉換為射頻之混合器及用於將該等經升頻轉換之I及Q信號組合為適合於藉由該功率放大器32放大之一RF信號之一信號組合器。在某些實施方案中，該I/O調變器37可包含一或多個濾波器，該一或多個濾波器經組態以過濾於其中處理之信號之頻率成分(frequency content)。
該波封塑形區塊35可用以將與I及Q信號相關聯之波封或振幅資料轉換為經塑形之波封資料。塑形來自該基頻帶處理器34之波封資料可藉由(例如)調整該波封信號以最佳化該功率放大器32之線性度及/或達成該功率放大器32之一所要增益壓縮來輔助增強該功率放大器系統26之效能。在某些實施方案中，該波封塑形區塊35係一數位區塊，且該DAC 36係用以將經塑形之波封資料轉換為適用於由該波封追蹤器30使用之一類比波封信號。然而，在其他實施方案中，可省略該DAC 36以有利於將一數位波封信號提供給該波封追蹤器30以輔助該波封追蹤器30進一步處理該波封信號。
該波封追蹤器30可自該收發器33接收波封信號且自該電池21接收一電池電壓VBATT，且可使用該波封信號以產生用於該功率放大器32且相對於波封而改變之一功率放大器供應電壓VCC_PA。該功率放大器32可自該收發器33之I/O調變器37接收RF信號，且可透過該等切換器12將一經放大之RF信號提供給該天線14。
該定向耦合器24可定位於該功率放大器32之輸出與該等切換器 12之一輸入之間，藉此容許該功率放大器32之一輸出功率量測不包含該等切換器12之插入損失。來自該定向耦合器24之經感測輸出信號可提供給混合器38，該混合器38可以一經控制頻率之一參考信號乘該經感測輸出信號以下頻移該經感測輸出信號之頻譜。該經下頻移之信號可提供給ADC 39，該ADC 39可將該經降頻移位之信號轉換為適用於由該基頻帶處理器34處理之一數位格式。藉由在該功率放大器32之輸出與該基頻帶處理器34之一輸入之間包含一回饋路徑，該基頻帶處理器34可經組態以動態地調整I及Q信號及/或與I及Q信號相關聯之波封資料以最佳化該功率放大器系統26之操作。例如，以此方式組態該功率放大器系統26可輔助控制該功率放大器32之功率附加效率(PAE)及/或線性度。
雖然該功率放大器系統26經圖解說明為包含一單個功率放大器，但是本文的教示可應用於包含多個功率放大器之功率放大器系統，包含例如多頻帶及/或多模式功率放大器系統。
圖3B係包含一波封追蹤器30之一功率放大器系統40之另一實例之一示意方塊圖。該經圖解說明之功率放大器系統40包含波封追蹤器30、功率放大器32、一電感器27、一阻抗匹配區塊31、切換器12及天線14。該經圖解說明之波封追蹤器30經組態以接收RF信號之一波封且使用一電池電壓VBATT產生用於該功率放大器32之一功率放大器供應電壓VCC_PA。
該經圖解說明之功率放大器32包含具有一射極、一基極及一集極之一雙極電晶體29。該雙極電晶體29之射極可電連接至一功率低供應電壓V1，其可為(例如)一接地供應(ground supply)。此外，一射頻(RF)信號可提供給該雙極電晶體29之基極。該雙極電晶體29可放大該RF信號以在該集極處產生經放大之RF信號。該雙極電晶體29可為任何合適器件。在一實施方案中，該雙極電晶體29係一異質接面雙極電 晶體(HBT)。
該功率放大器32可經組態以將經放大之RF信號提供給該等切換器12。該阻抗匹配區塊31可用以終止該功率放大器32與該等切換器12之間之電連接，從而可輔助增加功率轉移及/或減小使用該功率放大器32產生之經放大之RF信號之反射。
可包含該電感器27以在扼制或阻斷高頻RF信號分量的同時使用由該波封追蹤器30產生之功率放大器供應電壓VCC_PA對該功率放大器32供電。該電感器27可包含電連接至該波封追蹤器30之一第一端及電連接至該雙極電晶體29之集極之一第二端。
雖然圖3B圖解說明該功率放大器32之一實施方案，但是熟習此項技術者應明白，本文所述教示可應用於多種功率放大器結構，諸如多級功率放大器及採用其他電晶體結構之功率放大器。例如，在一些實施方案中，可省略該雙極電晶體29以採用一場效電晶體(FET)，諸如矽FET、砷化鎵(GaAs)高電子遷移率電晶體(HEMT)或一橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)電晶體。此外，該功率放大器32可經調適以包含諸如偏壓電路之額外電路。
圖4A至圖4B展示功率放大器供應電壓對時間之兩個實例。
在圖4A中，一曲線圖47圖解說明一RF信號41之電壓及一功率放大器供應電壓43對時間之一實例。該RF信號41具有一波封42。
重要的是，一功率放大器之功率放大器供應電壓43可具有大於該RF信號41之電壓之一電壓。例如，使用具有小於該RF信號之量值之一量值之一功率放大器供應電壓對一功率放大器供電可修剪該RF信號，藉此產生信號失真及/或其他問題。因此，重要的是，該功率放大器供應電壓43可大於該波封42之電壓。然而，可期望減小該功率放大器供應電壓43與該RF信號41之波封42之間的電壓差，這係因為該功率放大器供應電壓43與該波封42之間的面積可表示損耗能量，這 可減小電池壽命且增加一無線器件中產生的熱。
在圖4B中，一曲線圖48圖解說明一RF信號41之電壓及一功率放大器供應電壓44對時間之另一實例。與圖4A之功率放大器供應電壓43相比，圖4B之功率放大器供應電壓44相對於該RF信號41之波封42而改變。圖4B中之功率放大器供應電壓44與波封42之間的面積小於圖4A中之功率放大器供應電壓43與波封42之間的面積，且因此圖4B之曲線圖48可與具有較大能量效率之一功率放大器系統相關聯。
波封追蹤系統之概述
本文揭示用於波封追蹤之裝置及方法。在某些實施例中，提供一種用於產生用於一功率放大器之一功率放大器供應電壓之波封追蹤系統。該波封追蹤系統可包含一降壓轉換器及一誤差放大器，其等經組態以並行操作以基於由功率放大器放大之一RF信號之一波封控制功率放大器供應電壓之電壓位準。該降壓轉換器可經組態以將一電池電壓轉換為一減壓電壓或降壓電壓，且該誤差放大器可藉由使用一快速變化輸出電流調整該減壓電壓之量值而產生功率放大器供應電壓。
在某些實施方案中，誤差放大器可產生基於誤差放大器的輸出電流之一量值而改變之一誤差電流，且降壓轉換器可基於該誤差電流控制降壓電壓之一量值。使用該誤差電流控制該降壓轉換器可輔助改良波封追蹤系統之總體效率。例如，該誤差放大器可具有小於該降壓轉換器之一功率效率之一功率效率，但具有快於該降壓轉換器之一速度之一速度。因此，組態該降壓轉換器以基於該誤差電流控制該降壓電壓及因此該功率放大器供應電壓可有助於藉由減小該誤差放大器提供之電流量而改良波封追蹤系統之總體功率效率。
圖5係一波封追蹤系統50之一實施例之一示意方塊圖。該波封追蹤系統50包含電池21、一誤差放大器51、一回饋電路52、一降壓轉換器53及一升壓轉換器54。
該誤差放大器51包含：一第一輸入，其經組態以接收一波封信號(ENVELOPE)；一第二輸入，其電連接至該回饋電路52之一第一端子；及一輸出，其電連接至功率放大器供應電壓VCC_PA、該降壓轉換器53之一輸出及該回饋電路52之一第二端子。該誤差放大器51經組態以產生一誤差電流IERROR且將該誤差電流IERROR提供給該降壓轉換器53。
該回饋電路52可為任何合適電路，且可包含主動及/或被動電路。在一實施方案中，該回饋電路52包含電連接在該回饋電路的第一端子與第二端子之間之一電阻器。然而，可使用該回饋電路52之任何合適的實施方案。
該升壓轉換器54經組態以自電池21接收一電池電壓VBATT。該升壓轉換器54經組態以產生可具有大於該電池電壓VBATT之一電壓位準之一電壓位準之一升壓電壓VBOOST。如圖5中所示，該升壓電壓VBOOST可用以對該誤差放大器51供電。雖然該升壓轉換器54圖解說明為產生一單個升壓輸出電壓，但是在某些實施方案中，該升壓轉換器54可經組態以產生複數個升壓輸出電壓以將一所要電壓位準之一電源供應器提供給其他組件或電路。
該降壓轉換器53經組態以自電池21接收電池電壓VBATT且自誤差放大器51接收誤差電流IERROR。該降壓轉換器53包含經組態以藉由透過一內部電感器汲入或流出電流至功率放大器供應電壓VCC_PA而控制該功率放大器供應電壓VCC_PA之一電壓位準之一輸出。該降壓轉換器53可用以將該功率放大器供應電壓VCC_PA控制為小於該電池電壓VBATT之一電壓位準之一電壓位準。如下文將進一步詳細描述，該降壓轉換器53可基於該誤差電流IERROR隨時間控制該功率放大器供應電壓VCC_PA之量值。
該經圖解說明之波封追蹤系統50包含降壓轉換器53及誤差放大 器51，其等經組態以並行操作以基於波封信號控制該功率放大器供應電壓VCC_PA之電壓位準。該降壓轉換器53可具有大於該誤差放大器的功率效率之一功率效率，但是具有慢於該誤差放大器的追蹤速度之一追蹤速度。因此，該誤差放大器51可用以提供該波封信號之高頻分量之追蹤，而該降壓轉換器53可用以提供該波封信號之低頻分量之追蹤。在經圖解說明之組態中，使用該升壓電壓VBOOST對該誤差放大器51供電，且因此該誤差放大器51亦可用以控制該功率放大器供應電壓VCC_PA之電壓位準使其高於該電池電壓VBATT。
在圖5中所示之組態中，該誤差放大器51將該誤差電流IERROR提供給該降壓轉換器53以輔助該降壓轉換器53追蹤波封信號。該誤差電流IERROR可指示該功率放大器供應電壓VCC_PA之一電流或當前電壓位準與該功率放大器供應電壓VCC_PA之一所要電壓位準之間之差。因為該誤差放大器51可具有小於該降壓轉換器53之一功率效率之一功率效率，但是具有快於該降壓轉換器53之一速度之一速度，所以組態該降壓轉換器53以基於該誤差電流IERROR控制該功率放大器供應電壓VCC_PA可有助於藉由減小該誤差放大器51提供之電流量改良波封追蹤系統50之總體功率效率。例如，該誤差電流IERROR可在該誤差放大器51汲入或流出電流至功率放大器供應電壓VCC_PA上時改變，且該降壓轉換器53可隨時間控制該功率放大器供應電壓VCC_PA之電壓位準以減小該誤差電流IERROR及該誤差放大器51之輸出電流之量值。
如先前描述，該升壓轉換器54可產生該升壓電壓VBOOST，此可具有大於該電池電壓VBATT之電壓量值之一電壓量值。在該波封追蹤系統50中包含該升壓轉換器54可容許該誤差放大器51將該功率放大器供應電壓VCC_PA控制於高於該電池電壓VBATT之一電壓位準。以此方式組態該波封追蹤系統50可容許使用該波封追蹤系統50供電之一功率放大器驅動一相對較大的負載線阻抗。例如，在該功率放大器放大一相對 較大的RF輸入信號時，驅動一大負載線阻抗之一功率放大器在該功率放大器之輸出處具有相對較大的電壓擺動。因此，組態該波封追蹤系統50以控制該功率放大器供應電壓VCC_PA使其高於該電池電壓VBATT可藉由在不削波或以其他方式失真該功率放大器的輸出信號之情況下允許該功率放大器之輸出信號超過該電池電壓VBATT而增加該功率放大器可驅動之最大負載線阻抗。
該波封追蹤系統50可提供優於其他波封追蹤方案之數個優點。例如，該波封追蹤系統50可提供相對穩健的波封追蹤同時提供高功率效率。此外，該波封追蹤系統50可具有一相對較小的組件計數，包含(例如)相對較少數目個外部組件，諸如離散電感器。在某些實施方案中，該波封追蹤系統50與一功率放大器整合在諸如一多晶片模組(MCM)之一共同模組上。然而，其他組態亦係可行的。
圖6係一升壓轉換器60之一實施例之一電路圖，該升壓轉換器60可用於(例如)圖5之波封追蹤系統50。該升壓轉換器60包含一升壓電路63及一升壓控制區塊64。該升壓電路63經組態以接收一電池電壓VBATT且提升或增加該電池電壓VBATT之一電壓量值以產生一升壓電壓VBOOST。該升壓控制區塊64包含經組態以接收該升壓電壓VBOOST之一回饋輸入及用於控制該升壓電路63之一控制輸出。
該升壓電路63包含一電感器65、第一切換器66a及第二切換器66b以及一旁路電容器67。該電感器65包含電連接至該電池電壓VBATT之一第一端及電連接至該第一切換器66a之一第一端及該第二切換器66b之一第一端之一第二端。該第一切換器66a進一步包含電連接至第一或功率低供應電壓V1(其可為(例如)一接地供應)之一第二端。該第二切換器66b進一步包含電連接至升壓電壓VBOOST及電容器67之一第一端之一第二端。該旁路電容器67進一步包含電連接至功率低供應電壓V1之一第二端。該旁路電容器67可用以過濾升壓電壓VBOOST。在某些 實施方案中，該旁路電容器67可放置或定位成與該升壓轉換器的負載相距一相對較短距離。
該升壓控制區塊64可經組態以控制升壓電路63以產生升壓電壓VBOOST。例如，當該升壓電路63連續操作時，該升壓控制區塊64可藉由在相關聯於該升壓電路63之一第一升壓相位之一組態與相關聯於該升壓電路63之一第二升壓相位之一組態之間有規則地切換該第一切換器66a及該第二切換器66b之狀態而產生該升壓電壓VBOOST。例如，在該升壓電路63之第一升壓相位期間，該升壓控制區塊64可斷開該第二切換器66b且閉合該第一切換器66a以藉由透過該電感器65及該第一切換器66a將一電流自該電池電壓VBATT提供給該功率低供應電壓V1而增加該電感器65之磁場。此外，在該升壓電路63之第二升壓相位期間，該升壓控制區塊64可閉合該第二切換器66b且斷開該第一切換器66a，使得該電感器65之磁場產生透過該電感器65及該第二切換器66b自該電池電壓VBATT至該升壓電壓VBOOST之一電流。
雖然該升壓電路63被描述為當產生該升壓電壓VBOOST時經由兩個相位操作，但是該升壓電路63可經組態以使用額外相位進行操作。例如，該升壓電路63可經組態以藉由在該第一升壓相位、該第二升壓相位及與斷開該第一切換器66a及該第二切換器66b相關聯之一第三升壓相位之間切換該升壓電路63而間斷地使用該升壓控制區塊64進行操作。
雖然圖6圖解說明適用於本文描述之波封追蹤系統中之一升壓轉換器60之一實例，但是亦可使用該升壓轉換器60之其他組態，包含(例如)其中以其他方式連接及/或操作該第一切換器66a及該第二切換器66b之組態。
圖7係一降壓轉換器70之一實施例之一電路圖，該降壓轉換器70可用於(例如)圖5之波封追蹤系統50中。該降壓轉換器70包含一降壓 電路73及一降壓控制區塊74。該降壓電路73經組態以接收一電池電壓VBATT且產生一降壓電壓VBUCK，該降壓電壓VBUCK可具有小於該電池電壓VBATT之電壓量值之一電壓量值。該降壓控制區塊74包含經組態以接收該降壓電壓VBUCK之一回饋輸入、用於接收一誤差電流IERROR之一誤差輸入及用於控制該降壓電路73之一控制輸出。如上文參考圖5描述，該降壓轉換器70可與一誤差放大器並聯電連接以產生一功率放大器供應電壓。因此，在某些實施方案中，經組態以產生降壓電壓VBUCK之降壓轉換器70之輸出係電連接至該功率放大器供應電壓。
該降壓電路73包含一電感器75、第一切換器76a及第二切換器76b以及一旁路電容器77。該第一切換器76a包含電連接至電池電壓VBATT之一第一端及電連接至該第二切換器76b之一第一端及該電感器75之一第一端之一第二端。該第二切換器76b進一步包含電連接至功率低供應電壓V1之一第二端。該電感器75進一步包含電連接至降壓電壓VBUCK及旁路電容器77之一第一端之一第二端。該旁路電容器77進一步包含電連接至該功率低供應電壓V1之一第二端。該旁路電容器77可用以過濾該降壓電壓VBUCK。在某些實施方案中，該旁路電容器77可經放置相對靠近或接近該降壓轉換器的負載。
該降壓控制區塊74可經組態以控制該降壓電路73以產生該降壓電壓VBUCK。例如，當該降壓電路73連續操作時，該降壓控制區塊74可藉由在相關聯於該降壓電路73之一第一降壓相位之一組態與相關聯於該降壓電路73之一第二降壓相位之一組態之間有規則地切換該第一切換器76a及該第二切換器76b之狀態而產生該降壓電壓VBUCK。例如，在該降壓電路73之第一降壓相位期間，該降壓控制區塊74可斷開該第二切換器76b且閉合該第一切換器76a以藉由透過該電感器75及該第一切換器76a將一電流自該電池電壓VBATT提供至該降壓電壓VBUCK而對該電感器75之磁場充電。此外，在該降壓電路73之第二降壓相位 期間，該降壓控制區塊74可經組態以閉合該第二切換器76b且斷開該第一切換器76a，使得該電感器75之磁場產生透過該第二切換器76b及該電感器75自該功率低供應電壓V1至該電池電壓VBATT之一電流。
雖然該降壓電路73被描述為在產生該降壓電壓VBUCK時經由兩個相位操作，但是該降壓電路73可經組態以使用額外相位進行操作。例如，在降壓控制區塊74經組態以在該第一降壓相位、該第二降壓相位及與斷開該第一切換器76a及該第二切換器76b之各者相關聯之一第三升壓相位之間切換該降壓電路73之情況下，該降壓電路73可經組態以間斷地操作。
該降壓控制區塊74包含一磁滯電流比較器78，該磁滯電流比較器78可用以基於誤差電流IERROR控制該降壓電路73。如先前關於圖5描述，該誤差電流IERROR可相對於一誤差放大器之一輸出電流而改變。該磁滯電流比較器78可用以基於該誤差電流IERROR控制該降壓電壓VBUCK之一量值以減小該誤差放大器之一輸出電流且改良波封追蹤系統之總體效率。在某些實施方案中，該誤差電流IERROR係一差動誤差電流，且該磁滯電流比較器78經組態以比較該誤差電流IERROR之一正或非反相電流分量與該誤差電流IERROR之一負或反相電流分量，且基於結果控制該降壓電壓VBUCK。該磁滯電流比較器78之額外細節可如下文進一步描述般。
雖然圖7圖解說明適用於本文描述之波封追蹤系統中之一降壓轉換器70之一實例，但是亦可使用其他降壓轉換器組態。
圖8係一磁滯電流比較器80之一實施例之一電路圖，該磁滯電流比較器80可用於(例如)圖7之降壓轉換器70中。該磁滯電流比較器80包含第一n型場效電晶體(NFET)81至第九n型場效電晶體(NFET)89及第一p型場效電晶體(PFET)91至第四p型場效電晶體(PFET)94。該磁滯電流比較器80經組態以接收一參考電流IREF及一差動誤差電流 IERROR+、IERROR-，且產生可用以控制一降壓轉換器之一輸出信號OUT。該差動誤差電流IERROR+、IERROR-可對應於一正或非反相誤差電流IERROR+與一負或反相誤差電流IERROR-之間之差。
該第一NFET 81包含經組態以接收該參考電流IREF之一汲極。該第一NFET 81之汲極電連接至該第一NFET 81之一閘極及第二NFET 82之一閘極。第二NFET 82進一步包含電連接至該第一PFET 91之一汲極之一汲極。該第一NFET 81及該第二NFET 82各包含電連接至功率低供應電壓V1(其可為(例如)一接地供應)之一源極。第三NFET 83包含經組態以接收負誤差電流IERROR-之一汲極。該第三NFET 83之汲極電連接至該第三NFET 83之一閘極及第四NFET 84之一閘極。該第四NFET 84進一步包含電連接至第一PFET 91之一閘極、第二PFET 92之一閘極及一汲極、第七NFET 87之一汲極、第三PFET 93之一汲極、第九NFET 89之一閘極及第四PFET 94之一閘極之一汲極。該第三NFET 83及該第四NFET 84各進一步包含電連接至該功率低供應電壓V1之一源極。該第一PFET 91及該第二PFET 92各進一步包含電連接至一第二或功率高供應電壓V2之一源極。在某些實施方案中，該功率高供應電壓V2係由一升壓轉換器產生之一升壓電壓。然而，在其他實施方案中，該功率高供應電壓V2可為諸如一電池電壓之其他電壓。
第五NFET 85包含經組態以接收正誤差電流IERROR+之一汲極。該第五NFET 85之汲極電連接至該第五NFET 85之一閘極及第六NFET 86之一閘極。該第六NFET 86進一步包含電連接至第七NFET 87之一源極及第八NFET 88之一源極之一汲極。該第五NFET 85及該第六NFET 86各進一步包含電連接至該功率低供應電壓V1之一源極。該第七NFET 87進一步包含電連接至一偏壓電壓VBIAS之一閘極。在一實施方案中，該偏壓電壓VBIAS經偏壓具有選擇為處於約2.2V至約3.6V之範圍中之一電壓位準。然而，一般技術者應容易確定其他合適的電壓 值，包含(例如)與一特定應用及/或製造程序相關聯之電壓值。
該第八NFET 88進一步包含電連接至該功率高供應電壓V2之一汲極及在經組態以產生該輸出信號OUT之一節點處電連接至該第三PFET 93之一閘極、該第四PFET 94之一汲極及該第九NFET 89之一汲極之一閘極。該第九NFET 89進一步包含電連接至該功率低供應電壓V1之一源極，且該第四PFET 94進一步包含電連接至該功率高供應電壓V2之一源極。
該輸出信號OUT可相對於差動誤差電流IERROR+、IERROR-而改變。例如，當正誤差電流IERROR+相對較大時，該第九NFET 89及該第四PFET 94之閘極之電壓可被拉高且該第九NFET 89及該第四PFET 94可將該輸出信號OUT控制為邏輯低。此外，當負誤差電流IERROR-相對較大時，該第九NFET 89及該第四PFET 94之閘極之電壓可被拉低且該第九NFET 89及該第四PFET 94可將該輸出信號OUT控制為邏輯高。因此，該輸出信號OUT可追蹤該差動誤差電流IERROR+、IERROR-。雖然經圖解說明之組態圖解說明該輸出信號OUT之一組態，但是本文中的教示可適用於其中反轉該輸出信號OUT之極性之組態。
所圖解說明之磁滯電流比較器80採用磁滯以防止該輸出信號OUT回應於該差動誤差電流IERROR+、IERROR-之相對較小波動而改變狀態。例如，第八NFET 88及第三PFET 93可提供磁滯。
雖然圖8圖解說明用於圖7之降壓轉換器70中之一磁滯電流比較器80之一實例，但是亦可使用磁滯電流比較器80之其他實施方案，包含具有以其他方式配置之電晶體之配置。此外，在一些實施方案中，可省略該磁滯電流比較器80而有利於以其他方式(諸如藉由使用一低通濾波器)控制降壓轉換器。
圖9係一誤差放大器100之一實施例之一電路圖，該誤差放大器100可用於(例如)圖5之波封追蹤系統50中。該誤差放大器100包含第 一NFET 101至第八NFET 108、第一PFET 111至第九PFET 119及一偏壓電路120。該誤差放大器100經組態以接收一差動輸入電壓VIN+、VIN-以產生一輸出電壓VOUT，且產生一差動誤差電流IERROR+、IERROR-。該差動輸入電壓VIN+、VIN-可與一正或第一輸入電壓VIN+與一負或第二輸入電壓VIN-之間之差相關聯。
第一PFET 111包含經組態以接收該正輸入電壓VIN+之一閘極及電連接至第二PFET 112之一源極及第三PFET 113之一汲極之一源極。第一PFET 111進一步包含電連接至第一NFET 101之一汲極、第三NFET 103之一汲極及第五NFET 105之一源極之一汲極。第二PFET 112進一步包含經組態以接收負輸入電壓VIN-之一閘極及電連接至第二NFET 102之一汲極、第四NFET 104之一汲極及第六NFET 106之一源極之一汲極。第三PFET 113進一步包含經組態以接收一第一偏壓電壓VBIAS1之一閘極及電連接至功率高供應電壓V2之一源極。第一NFET 101進一步包含在經組態以接收一第二偏壓電壓VBIAS2之一節點處電連接至第二NFET 102之一閘極、第三NFET 103之一閘極及第四NFET 104之一閘極之一閘極。第一NFET 101至第四NFET 104各自進一步包含電連接至功率低供應電壓V1之一源極。
第五NFET 105進一步包含在經組態以接收一第三偏壓電壓VBIAS3之一節點處電連接至第六NFET 106之一閘極之一閘極。第五NFET 105進一步包含電連接至第六PFET 116之一閘極、第七PFET 117之一閘極及第四PFET 114之一汲極之一汲極。第四PFET 114進一步包含在經組態以接收一第四偏壓電壓VBIAS4之一節點處電連接至第五PFET 115之一閘極之一閘極。第四PFET 114進一步包含電連接至第六PFET 116之一汲極之一源極。第六PFET 116及第七PFET 117各自進一步包含電連接至功率高供應電壓V2之一源極。第七PFET 117進一步包含電連接至第五PFET 115之一源極之一汲極。第五PFET 115進一步包含電 連接至第八PFET 118之一閘極、第九PFET 119之一閘極及偏壓電路120之一第一端子之一汲極。
第八PFET 118進一步包含電連接至第七NFET 107之一汲極且經組態以產生輸出電壓VOUT之一汲極。第九PFET 119進一步包含經組態以產生正誤差電流IERROR+之一汲極。第八PFET 118及第九PFET 119各自進一步包含電連接至功率高供應電壓V2之一源極。第八NFET 108進一步包含經組態以產生負誤差電流IERROR-之一汲極及電連接至第七NFET 107之一閘極、第六NFET 106之一汲極及偏壓電路120之一第二端子之一閘極。第七NFET 107及第八NFET 108各自進一步包含電連接至功率低供應電壓V1之一源極。
該偏壓電路120可為任何合適的偏壓電路。例如，在一些實施方案中，該偏壓電路120包含與安置在該偏壓電路120之第一端子與第二端子之間之PFET及NFET之通道並聯電連接之一PFET及一NFET。然而，可使用該偏壓電路120之其他組態。
該誤差放大器100可用以放大差動輸入電壓VIN+、VIN-以產生該輸出電壓VOUT。例如，第一PFET 111及第二PFET 112可操作為一差動電晶體對，且第一NFET 101至第六NFET 106及第四PFET 114至第七PFET 117可操作為一折疊級聯放大結構。此外，第七NFET 107及第八PFET 118可操作為該誤差放大器100之一輸出級。
如圖9中所示，第八NFET 108及第九PFET 119可經組態以分別接收第七NFET 107及第八PFET 118之閘極電壓。由於第七NFET 107及第八PFET 118可操作為該誤差放大器100之一輸出級，故以此方式電連接第八NFET 108及第九PFET 119之閘極可用以產生追蹤該誤差放大器100之輸出電流之一差動誤差電流IERROR+、IERROR-。在某些實施方案中，第八NFET 108係第七NFET 107之一複本電晶體，且第九PFET 119係第八PFET 118之一複本電晶體。例如，在實施例中，第八 NFET 108及第九PFET 119之寬度經選擇分別比第七NFET 107及第八PFET 118之寬度小約100倍至約200倍之間。然而，一般技術者應容易確定其他合適的寬度。
第一偏壓電壓VBIAS1至第四偏壓電壓VBIAS4可為任何合適電壓。在一實施方案中，該第一偏壓電壓VBIAS1具有經選擇在約2V至約3.8V之範圍中之一電壓位準，該第二偏壓電壓VBIAS2具有經選擇在約0.6V至約1V之範圍中之一電壓位準，該第三偏壓電壓VBIAS3具有經選擇在約2.2V至約3.6V之範圍中之一電壓位準，且該第四偏壓電壓VBIAS4具有經選擇在約2.4V至約3.8V之範圍中之一電壓位準。然而，一般技術者應容易確定其他電壓，包含(例如)與一特定應用及/或程序相關聯之電壓位準。
雖然圖9圖解說明適用於與本文描述之波封追蹤系統一起使用之一誤差放大器之一實例，但是亦可使用根據本文描述之波封追蹤方案之其他誤差放大器組態。
圖10係一波封追蹤系統130之另一實施例之一示意方塊圖。該波封追蹤系統130包含電池21、誤差放大器51、回饋電路52及降壓轉換器53。
圖10之波封追蹤系統130類似於圖5之波封追蹤系統50，惟圖10之波封追蹤系統130圖解說明其中已省略圖5之升壓轉換器54以有利於使用電池電壓VBATT對誤差放大器51供電之一組態除外。以此方式組態該波封追蹤系統130可藉由降低諸如電感器之數目之組件計數而減小該波封追蹤系統的複雜性。然而，以此方式組態該波封追蹤系統130亦可減小該波封追蹤系統130可控制功率放大器供應電壓VCC_PA之最大電壓位準。例如，如先前關於圖5描述，當一功率放大器驅動一相對較大負載阻抗時，該功率放大器可使用一相對較大的最大功率放大器供應電壓。因此，該波封追蹤系統130可適用於對驅動一相對較 小負載線阻抗(諸如小於或等於5Ω之一負載線阻抗)之一或多個功率放大器供電。該功率放大器系統130之額外細節可類似於先前關於圖5之功率放大器系統50描述之細節。
圖11展示圖5之波封追蹤系統50之電流對時間之一曲線圖150之一實例。該曲線圖50包含電流對時間之一第一曲線151、電流對時間之一第二曲線152及電流對時間之一第三曲線153。該曲線圖150可對應於本文描述之特定波封追蹤系統(諸如圖5之波封追蹤系統50)之電流波形之一實例。例如，該第一曲線151可對應於該誤差放大器51之一輸出電流對時間，該第二曲線152可對應於該降壓轉換器53之一輸出電流對時間，且該第三曲線153可對應於提供給一功率放大器之一電流，該電流可等於該誤差放大器51之輸出電流與該降壓轉換器53之輸出電流之總和。如曲線圖150中所示，相對於由誤差放大器51提供之電流之部分，藉由將誤差電流信號IERROR提供給降壓轉換器53，該降壓轉換器53可經組態以隨時間產生提供給一功率放大器之電流之一較大部分。由於該降壓轉換器53可具有高於該誤差放大器51之一功率效率，故以此方式組態波封追蹤系統可改良功率效率。
圖12係一波封追蹤系統160之另一實施例之一示意方塊圖。該波封追蹤系統160包含電池21、誤差放大器51、回饋電路52、降壓轉換器53、一AC耦合電容器161及一旁路電容器162。
圖12之波封追蹤系統160類似於圖10之波封追蹤系統130，惟圖12之波封追蹤系統160進一步包含AC耦合電容器161及旁路電容器162除外。該旁路電容器162電連接在功率放大器供應電壓VCC_PA與功率低供應電壓V1之間，且可經包含以減小輸出供應雜訊。此外，該波封追蹤系統160包含AC耦合電容器161，該AC耦合電容器161電連接在誤差放大器51之輸出與功率放大器供應電壓VCC_PA之間。
將AC耦合電容器161插入誤差放大器之輸出與功率放大器供應電 壓VCC_PA之間之一電路徑中容許使用電池電壓VBATT對誤差放大器51供電，同時允許誤差放大器51將功率放大器供應電壓VCC_PA控制為高於電池電壓VBATT之電壓位準。因此，該經圖解說明之波封追蹤系統160可用於與功率放大器供應電壓VCC_PA之一相對較高最大電壓位準相關聯之應用中，諸如其中一功率放大器驅動一相對較大負載阻抗且具有一相對較大輸出電壓擺動之一組態。
在某些實施方案中，該波封追蹤系統160與一功率放大器一起整合在一共同模組上。例如，在一實施例中，一多晶片模組(MCM)包含附接至一共同模組基板之一功率放大器晶粒及一波封追蹤晶粒。然而，其他實施方案亦係可行的，諸如其中對與一功率放大器模組分離之一波封追蹤模組實施波封追蹤系統160之實施方案。
圖13係一波封追蹤模組170之一實施例之一示意方塊圖。該波封追蹤模組170經組態以產生可用以對一或多個功率放大器供電之一功率放大器供應電壓VCC_PA。
該波封追蹤模組170包含一波封追蹤晶粒171，該波封追蹤晶粒171包含第一接針或襯墊172a至第七接針或襯墊172g、降壓控制器74、誤差放大器51、一n型場效電晶體(NFET)174及一p型場效電晶體(PFET)175。該波封追蹤模組170進一步包含一電感器55、回饋電路52、AC耦合電容器161及旁路電容器162。在某些實施方案中，該電感器55、該回饋電路52、該AC耦合電容器161及該旁路電容器162實施為安置在其上附接波封追蹤晶粒171之功率放大器模組170之一模組基板上之組件。例如，可至少部分使用表面安裝組件(SMC)實施該電感器55、該回饋電路52、該AC耦合電容器161及/或該旁路電容器162。然而，其他實施方案亦係可行的。雖然圖13中為清楚起見僅圖解說明特定組件及接針，但是該波封追蹤模組170及/或該波封追蹤晶粒171可經組態以包含額外的組件及/或接針。此外，在某些實施方案 中，該電感器55、該回饋電路52、該AC耦合電容器161及/或該旁路電容器162可全部或部分實施在該波封追蹤晶粒171上。
降壓控制器74電連接至可用以對波封追蹤晶粒171供電之第一或VBATT接針172a。降壓控制器74包含電連接至NFET 174之一閘極之一第一控制輸出及電連接至PFET 175之一閘極之一第二控制輸出。該NFET 174進一步包含電連接至功率低供應電壓V1之一源極及電連接至PFET 175之一汲極及第二或BUCKOUT接針172b之一汲極。PFET 175進一步包含電連接至VBATT接針172a之一源極。
降壓控制器74經組態以自誤差放大器51接收誤差電流IERROR。此外，降壓控制器74電連接至第三或IHI接針172c及第四或ILO接針172d，其等可用以提供臨限電流，降壓控制器74可比較誤差電流IERROR與臨限電流。例如，降壓控制器74可包含磁滯電流比較器77，該磁滯電流比較器77可經組態以控制NFET 174及PFET 175以當誤差電流IERROR大於IHI接針172c上接收之電流時增加功率放大器供應電壓VCC_PA，且當誤差電流IERROR小於ILO接針172d上接收之電流時降低功率放大器供應電壓VCC_PA。比較誤差電流IERROR與臨限電流容許降壓控制器74追蹤功率放大器供應電壓VCC_PA之一低頻分量。雖然圖13中圖解說明降壓控制器74之一組態，但是亦可使用降壓控制器74之其他實施方案，諸如其中以其他方式實施磁滯之組態。
誤差放大器51包含電連接至可接收與使用波封追蹤模組170供電之一功率放大器相關聯之一波封信號之第五或ENVELOPE接針172e之一非反相輸入。在某些實施方案中，藉由使用一收發器IC、一基頻帶處理器或一電力管理IC之至少一者提供波封信號。誤差放大器51進一步包含電連接至第六或FBK接針172f之一反相輸入。誤差放大器51進一步包含電連接至第七或ERROUT接針172g之一輸出。誤差放大器51經組態以產生誤差電流IERROR且將誤差電流IERROR提供給降壓控制器 74。
電感器55包含電連接至BUCKOUT接針172b之一第一端及電連接至功率放大器供應電壓VCC_PA之一第二端。AC耦合電容器161包含電連接至ERROUT接針172g之一第一端及電連接至功率放大器供應電壓VCC_PA之一第二端。旁路電容器162包含電連接至功率放大器供應電壓VCC_PA之一第一端及電連接至功率低供應電壓V1之一第二端。
該經圖解說明之波封追蹤模組170可使用ENVELOPE接針172e上接收之一波封信號控制該功率放大器供應電壓VCC_PA之電壓位準。此外，該波封追蹤模組170採用並行操作以控制該功率放大器供應電壓VCC_PA之電壓位準之一降壓轉換器及一誤差放大器。特定言之，包含磁滯電流比較器77之降壓控制器74可用以追蹤波封信號之一低頻分量，而誤差放大器51可用以藉由基於波封信號與接收自回饋電路52之一高頻回饋信號之間之一差控制傳遞至該功率放大器供應電壓VCC_PA之AC電流而追蹤波封信號之一高頻分量。此外，因為誤差放大器51之輸出透過AC耦合電容器161電連接至功率放大器供應電壓VCC_PA，所以該波封追蹤模組170可用以控制該功率放大器供應電壓VCC_PA之電壓位準使其大於該VBATT接針172a上接收之一電池電壓。
如上文各種組態中描述，一降壓轉換器可經組態以產生具有基於由一誤差放大器產生之一誤差電流之一量值之一降壓電壓。然而，可以其他方式控制降壓轉換器。例如，在某些實施方案中，一功率放大器電壓可經過濾且用以產生用於控制降壓轉換器之一控制電壓。例如，在某些例項中，可比較經過濾之功率放大器供應電壓與一參考電壓以產生控制電壓。
圖14係一波封追蹤模組180之另一實施例之一示意方塊圖。該波封追蹤模組180經組態以產生可用以對一或多個功率放大器供電之一功率放大器供應電壓VCC_PA。
該波封追蹤模組180包含一波封追蹤晶粒181，該波封追蹤晶粒181包含第一接針或襯墊182a至第七接針或襯墊182g、一誤差放大器183、一NFET 184、一PFET 185、一直流轉直流控制器186、一參考電壓產生器187、一低通濾波器188及一比較器228。該波封追蹤模組180進一步包含一電感器55、AC耦合電容器161、旁路電容器162、一第一回饋電阻器189a及一第二回饋電阻器189b。
在某些實施方案中，電感器55、AC耦合電容器161、旁路電容器162、第一回饋電阻器189a及第二回饋電阻器189b實施為安置在與該波封追蹤晶粒181相關聯之一封包基板上之組件。然而，其他實施方案亦係可行的。雖然為清楚起見在圖14中僅圖解說明特定組件及接針，但是該波封追蹤模組180及/或該波封追蹤晶粒181可經組態以包含額外的組件及/或接針。
該直流轉直流控制器186電連接至第一或VBATT接針182a。該直流轉直流控制器186包含電連接至NFET 184之一閘極之一第一控制輸出及電連接至PFET 185之一閘極之一第二控制輸出。該NFET 184進一步包含電連接至功率低供應電壓V1之一源極及電連接至PFET 185之一汲極及第二或VREG接針182b之一汲極。該PFET 185進一步包含電連接至該VBATT接針182a之一源極。該直流轉直流控制器186經組態以自該比較器228接收一控制電壓VCONTROL。該直流轉直流控制器186可經組態以基於可操作為一低頻回饋信號之控制電壓VCONTROL之一電壓位準控制該NFET 184及該PFET 185之閘極電壓以控制該功率放大器供應電壓VCC_PA之電壓位準。雖然該直流轉直流控制器186係以一降壓轉換器組態加以圖解說明，但是本文中的教示亦可適用於升壓轉換器組態。
該誤差放大器183包含電連接至第三或ENVELOPE接針182c之一非反相輸入，該第三或ENVELOPE接針182c可經組態以接收與使用該 波封追蹤模組180供電之一功率放大器之輸入信號相關聯之一波封信號。在某些實施方案中，使用一收發器IC、一基頻帶處理器或一電力管理IC之至少一者提供該波封信號。如下文將詳細描述，該誤差放大器183進一步包含電連接至第四或FBKHIGH接針182d之一反相輸入，該第四或FBKHIGH接針182d已經組態以自第一回饋電阻器189a及第二回饋電阻器189b接收一高頻回饋信號。該誤差放大器183進一步包含電連接至第五或ERROUT接針182e之一輸出。雖然圖14圖解說明其中使用電阻器以產生用於一誤差放大器之一高頻回饋信號之一組態，但是其他組態亦係可行的，包含(例如)省略電阻器及/或包含以其他方式配置之電阻器之組態。
低通濾波器188包含電連接至第六或FBKLOW接針182e之一輸入，該第六或FBKLOW接針182f已經組態以接收功率放大器供應電壓VCC_PA。該低通濾波器188可經組態以過濾或衰減該功率放大器供應電壓VCC_PA之高頻分量以產生一經過濾之功率放大器供應電壓。參考電壓產生器187可產生一參考電壓VREF，比較器228可比較該參考電壓VREF與該經過濾之功率放大器供應電壓以產生用以控制該直流轉直流控制器186之控制電壓VCONTROL。
在經圖解說明之組態中，該參考電壓產生器187電連接至可與一串列周邊介面(SPI)之一資料輸入接針相關聯之第七或SPI接針182g。雖然為清楚起見在圖14中未進行圖解說明，但是該波封追蹤模組180可包含與該串列周邊介面相關聯之額外接針，包含(例如)一串列時脈接針、一資料輸出接針及/或一選擇接針。該SPI接針182g可與用以提供用於控制該參考電壓VREF之一電壓位準之資料之一串列周邊介面或匯流排相關聯。例如，該參考電壓產生器187可包含可將該SPI接針182g上接收之數位資料轉換為用以產生該參考電壓VREF之一類比信號之一數位轉類比(D-to-A)轉換器。在某些實施方案中，該SPI接針182g 可用以動態地改變該參考電壓VREF以最佳化該波封追蹤模組180供電之一功率放大器之能量效率。例如，該參考電壓產生器187可用以在功率放大器之傳輸時槽之間動態地改變該參考電壓VREF以(例如)改變該功率放大器供應電壓VCC_PA跨不同功率模式之特性。
電感器55包含電連接至VREG接針182b之一第一端及電連接至功率放大器供應電壓VCC_PA之一第二端。AC耦合電容器161包含電連接至ERROUT接針182e之一第一端及電連接至功率放大器供應電壓VCC_PA之一第二端。旁路電容器162包含電連接至功率放大器供應電壓VCC_PA之一第一端及電連接至功率低供應電壓V1之一第二端。第一回饋電阻器189a包含電連接至FBKHIGH接針182d之一第一端及電連接至ERROUT接針182e之一第二端。第二回饋電阻器189b包含電連接至功率低供應電壓V1之一第一端及電連接至FBKHIGH接針182d之一第二端。
在經圖解說明之組態中，該誤差放大器183自該第一回饋電阻器189a及該第二回饋電阻器189b接收一高頻回饋信號。例如，在經圖解說明之組態中，該AC耦合電容器161已安置在該功率放大器供應電壓VCC_PA與該第一回饋電阻器189a及該第二回饋電阻器189b之間，藉此操作以阻止該功率放大器供應電壓VCC_PA之低頻分量到達該誤差放大器183之反相輸入。以此方式組態該功率放大器模組180可輔助藉由容許該直流轉直流控制器186追蹤波封信號之低頻變化且容許該誤差放大器183追蹤波封信號之高頻變化來增加該模組之功率效率。
在經圖解說明之組態中，僅使用高頻回饋操作該誤差放大器183且因此由該誤差放大器183產生之一誤差電流不一定包含適用於藉由該直流轉直流控制器186追蹤之低頻資訊。因此，該經圖解說明之波封追蹤模組180使用該低通濾波器188過濾該功率放大器供應電壓VCC_PA且比較經過濾之功率放大器供應電壓與該參考電壓VREF以產生 操作為一低頻回饋信號之控制電壓VCONTROL，而非使用來自該誤差放大器183之一誤差電流IERROR控制該直流轉直流控制器186。
圖15係一電話板190之一實施例之一示意方塊圖。該電話板190包含一收發器IC 191、一電力管理IC(PMIC)192及一功率放大器(PA)模組193。該收發器IC 191經組態以產生一射頻信號(RF SIGNAL)及一波封信號(ENVELOPE)。該PA模組193經組態以自該收發器IC 191接收該波封信號及該射頻信號。此外，該PA模組193經組態以自該PMIC 192接收一經調節電壓VREG且將一控制電壓VCONTROL提供給該PMIC 192。該PMIC 192可經組態以基於該控制電壓VCONTROL之一電壓位準控制該經調節電壓VREG之一電壓位準。
該PA模組193可為(例如)包含安裝在一模組或載體基板之一表面上之一或多個晶粒之一多晶片模組(MCM)。藉由將複數個晶粒及/或其他組件整合在一模組上，可達成多種優點，包含(例如)減小成本、改良製造便捷性及/或減小互連件之長度。
PMIC 192可包含一或多個晶粒及/或經組態以產生用於該PA模組193之一經調節電壓之其他組件。該PMIC 192可包含(例如)一或多個直流轉直流轉換器、低壓降(LDO)調節器及/或經組態以產生用於該電話板190之組件(包含例如該PA模組193)之一或多個經調節供應電壓之其他電路。該PMIC 192可經組態以使用來自一電池之一電池電壓產生該一或多個功率供應電壓。在某些實施方案中，該PMIC 192可包含用於對該電池提供功率路徑管理之一電池充電器。
該PA模組193可產生控制電壓VCONTROL，電壓VCONTROL可由該PMIC 192使用以控制提供給該PA模組193之經調節電壓VREG之一電壓位準。如下文將詳細描述，該PA模組193可包含一誤差放大器，該誤差放大器經組態以基於接收自收發器IC 191之波封信號ENVELOPE調整該經調節電壓VREG之一電壓位準。此外，該PA模組193可包含經組 態以調整控制電壓VCONTROL之一電壓位準之回饋電路。該PA模組193可使用該控制電壓VCONTROL以依類似於先前關於圖14描述之一方式控制該經調節電壓VREG之一電壓位準。因此，該PA模組193及該PMIC 192可共同地操作以對安置在該PA模組193上之功率放大器提供波封追蹤。
圖9之電話板190包含用於在不需要一專用波封追蹤模組或晶粒之情況下提供波封信號追蹤之一波封追蹤系統。因此，該電話板190可使用波封追蹤功能操作，同時相對於其中一電話板包含一專用波封追蹤模組或晶粒之一方案相比具有減小之主板成本及/或面積。雖然圖15圖解說明其中使用收發器IC 191產生波封信號之一組態，但是其他組態亦係可行的。
圖16A係一RF系統200之一實施例之一示意方塊圖。該RF系統200包含一功率放大器(PA)模組211及一電力管理積體電路(PMIC)201。在一實施例中，該RF系統200係一無線器件之一電話板之一部分。
該PMIC 201包含NFET 184、PFET 185、直流轉直流控制器186、第一接針202a至第三接針202c、一PMIC電感器205及一PMIC電容器207。雖然為清楚起見將PMIC 201圖解說明為包含特定組件及接針，但是該PMIC 201可經調適以包含額外組件及/或接針。
該直流轉直流控制器186包含電連接至可經組態以自一電池接收一電池電壓VBATT之第一或VBATT接針202a之一供應輸入。該直流轉直流控制器186進一步包含電連接至第二或VCONTROL接針202b之一控制輸入。該直流轉直流控制器186包含電連接至NFET 184之一閘極之一第一控制輸出及電連接至該、PFET 185之一閘極之一第二控制輸出。該、PFET 185進一步包含電連接至VBATT接針202a之一源極及電連接至NFET 184之一汲極及PMIC電感器205之一第一端之一汲極。該 NFET 184進一步包含電連接至功率低供應電壓V1之一源極，且該PMIC電感器205進一步包含電連接至可用以對功率放大器模組211提供一經調節電壓之第三或VREG接針202c之一第二端。PMIC電容器207係電連接在VREG接針202c與功率低供應電壓V1之間。該直流轉直流控制器186可經組態以控制該NFET 184及該PFET 185之閘極電壓以基於在VCONTROL接針202b上接收之一控制電壓之一電壓位準控制VREG接針202c之電壓位準。雖然PMIC 201係針對一降壓轉換器組態而圖解說明，但是該PMIC 201可經調適以提供一升壓電壓。因此，該經調節電壓VREG可為一降壓電壓、一升壓電壓或隨時間在一降壓電壓與一升壓電壓之間改變之一電壓。
功率放大器模組211包含功率放大器32、AC耦合電容器161、旁路電容器162、誤差放大器183、參考電壓產生器187、低通濾波器188、第一回饋電阻器189a、第二回饋電阻器189b、第一接針212a至第七接針212g、一電感器215及比較器228。雖然為清楚起見將該功率放大器模組211圖解說明為包含特定組件及接針，但是該功率放大器模組211可經調適以包含額外組件及/或接針。
該第二回饋電阻器189b包含電連接至功率低供應電壓V1之一第一端及電連接至誤差放大器183之一反相輸入及第一回饋電阻器189a之一第一端之一第二端。該第一回饋電阻器189a進一步包含電連接至該AC耦合電容器161之一第一端及該誤差放大器183之一輸出之一第二端。該誤差放大器183進一步包含電連接至可經組態以接收電池電壓VBATT之第一或VBATT接針212a之一供應輸入。該誤差放大器183進一步包含電連接至第二或ENVELOPE接針212b之一非反相輸入。該AC耦合電容器161進一步包含電連接至功率放大器供應電壓VCC_PA之一第二端。
該電感器215包含電連接至第三或VREG接針212c之一第一端及電 連接至功率放大器供應電壓VCC_PA之一第二端。該電容器162包含電連接至功率放大器供應電壓VCC_PA之一第一端及電連接至功率低供應電壓V1之一第二端。該低通濾波器188包含電連接至功率放大器供應電壓VCC_PA之一輸入及電連接至比較器228之一第一輸入之一輸出。該比較器228進一步包含電連接至第四或VCONTROL接針212d之一輸出及經組態以自參考電壓產生器187之一輸出接收一參考電壓VREF之一第二輸入。該參考電壓產生器187進一步包含電連接至可與一串列周邊介面之一資料輸入接針相關聯之第五或SPI接針212e之一輸入。功率放大器32包含經組態以接收該功率放大器供應電壓VCC_PA之一供應輸入、電連接至第六或RF_IN接針212f之一信號輸入及電連接至第七或RF_OUT接針212g之一信號輸出。
該低通濾波器188可經組態以過濾或衰減該功率放大器供應電壓VCC_PA之高頻分量以產生用於該比較器228之一經過濾功率放大器供應電壓。該比較器228亦可自該參考電壓產生器187接收該參考電壓VREF，且可比較該參考電壓VREF與該經過濾之功率放大器供應電壓以產生用以控制PMIC 201之直流轉直流控制器186之控制電壓VCONTROL。在經圖解說明之組態中，該參考電壓產生器187係電連接至SPI接針212e，該SPI接針212e可耦合至提供用於控制該參考電壓VREF之一電壓位準之資料之一串列周邊介面或匯流排。例如，該參考電壓產生器187可包含一數位轉類比(D轉A)轉換器，其可將該SPI接針212e上接收之數位資料轉換為用以產生該參考電壓VREF之一類比信號。
在經圖解說明之組態中，該AC耦合電容器161已安置在該功率放大器供應電壓VCC_PA與該第一回饋電阻器189a及該第二回饋電阻器189b之串聯組合之間，藉此操作以阻止與該功率放大器供應電壓VCC_PA相關聯之低頻成分到達該誤差放大器183之反相輸入。因此， 僅使用高頻回饋操作圖16A中所示之誤差放大器183。此外，該比較器228產生控制電壓VCONTROL，該控制電壓VCONTROL操作為基於由該低通濾波器188產生之經過濾功率放大器供應電壓與由該參考電壓產生器187產生之參考電壓VREF之一比較之一低頻回饋信號。
RF系統200圖解說明其中在功率放大器模組211上已包含誤差放大器183之一方案。在功率放大器模組211上包含誤差放大器183及功率放大器32二者可減小用以對功率放大器32提供一供應電壓之一電感器(諸如圖3B之電感器27)之大小。例如，誤差放大器183及功率放大器32皆電連接至電感器215之第二端，且因此由該誤差放大器183產生之一高頻誤差電流無須通過該電感器215且促成電感器的L*dI/dt雜訊。因此，針對給定量的功率供應雜訊，將該誤差放大器183與該功率放大器32整合在一共同模組上可減小用以對該功率放大器32提供一供應電壓之電感器之大小。
圖16B係一RF系統220之另一實施例之一示意方塊圖。該RF系統220包含一功率放大器模組221及PMIC 201。圖16B之RF系統220類似於圖16A之RF系統200，惟圖16B之RF系統220包含一不同功率放大器模組組態除外。特定言之，與圖16A之功率放大器模組211相比，圖16B之功率放大器模組221進一步包含一高通濾波器216及一比較器229。該高通濾波器216包含經組態以接收功率放大器供應電壓VCC_PA之一輸入及經組態以對該比較器229提供一經過濾之功率放大器供應電壓之一輸出。該高通濾波器216可過濾或移除該功率放大器供應電壓VCC_PA之低頻分量以產生一經高通過濾之功率放大器供應電壓。該比較器229進一步經組態以自ENVELOPE接針212b接收一波封信號，且比較該經高通過濾之功率放大器供應電壓與該波封信號以產生用於誤差放大器183之非反相輸入之一高頻波封信號。
雖然圖16A至圖16B圖解說明包含AC耦合電容器161之RF系統之 組態，但是在某些實施方案中，可省略該AC耦合電容器161以減小組件計數。例如，雖然省略該AC耦合電容器161可減小該誤差放大器183可將該功率放大器供應電壓VCC_PA控制至之最大電壓位準，但是可使用此等RF系統以(例如)以對驅動一相對較小負載線阻抗且因此具有一相對較小輸出電壓擺動之一或多個放大器供電。
圖17A係根據一實施例之一多頻帶功率放大器系統230之一示意方塊圖。該經圖解說明之多頻帶功率放大器系統230包含一第一功率放大器模組231、一第二功率放大器模組232、一第三功率放大器模組233及一電力管理IC 234。該第一功率放大器模組231包含一第一電感器241，該第二功率放大器模組232包含一第二電感器242且該第三功率放大器模組233包含一第三電感器243。雖然該多頻帶功率放大器系統230被圖解說明為包含三個功率放大器模組，但是該多頻帶功率放大器系統230可經調適以包含更多或更少功率放大器模組。
該第一功率放大器模組231至該第三功率放大器模組233可各自經組態以經由一不同的RF通信頻帶通信。在一多頻帶功率放大器系統中提供複數個功率放大器可輔助增加該系統之功率效率及/或放鬆對功率放大器的設計限制，這係因為各功率放大器可針對功率放大器所放大之特定頻帶而單獨最佳化。
PMIC 234已經組態以產生一經調節電壓VREG，該經調節電壓VREG已提供至該第一電感器241至該第三電感器243之各者之一第一端。該第一電感器241至該第三電感器243各自包含電連接至各功率放大器模組本端之一功率放大器供應電壓之一第二端。例如，該第一電感器241包含電連接至與該第一功率放大器模組231相關聯之一第一功率放大器供應電壓VCC_PA1之一第二端，該第二電感器242包含電連接至與該第二功率放大器模組232相關聯之一第二功率放大器供應電壓VCC_PA2之一第二端，且該第三電感器243包含電連接至與該第三功率 放大器模組233相關聯之一第三功率放大器供應電壓VCC_PA3之一第二端。該第一功率放大器模組231至該第三功率放大器模組233亦經組態以產生已提供給該PMIC 234之第一控制電壓VCONTROL1至第三控制電壓VCONTROL3。
可使用該PMIC 234以基於接收自一啟用或作用中功率放大器模組之一控制電壓控制經調節電壓VREG之電壓位準。例如，當啟用該第一功率放大器模組231上之一功率放大器時，可使用該PMIC 234以基於該第一控制電壓VCONTROL1之一電壓位準控制該第一功率放大器供應電壓VCC_PA1之一電壓位準。類似地，當啟用該第二功率放大器模組232上之一功率放大器時，可使用該PMIC 234以基於該第二控制電壓VCONTROL2之一電壓位準控制該第二功率放大器供應電壓VCC_PA2之一電壓位準。同樣地，當啟用該第三功率放大器模組233上之一功率放大器時，可使用該PMIC 234以基於該第三控制電壓VCONTROL3之一電壓位準控制該第三功率放大器供應電壓VCC_PA3之一電壓位準。在某些實施方案中，可使用諸如一共用電話板跡線之一共用電連接件將該第一控制電壓VCONTROL1至該第三控制電壓VCONTROL3提供給該PMIC 234，且該多頻帶功率放大器系統230可經組態使得每次最多該第一控制電壓VCONTROL1至該第三控制電壓VCONTROL3之一者處於作用中。
以類似於先前關於圖14A至圖14B描述之一方式，該等功率放大器模組231至233之各者可包含用以調整一各自功率放大器供應電壓以追蹤藉由該功率放大器模組放大之一RF信號之波封之一誤差放大器。因此，圖17A之多頻帶功率放大器系統230圖解說明其中該第一功率放大器供應電壓VCC_PA1至該第三功率放大器供應電壓VCC_PA3可為使用由該PMIC 234產生之一共同經調節電壓VREG之波封追蹤供應器。
圖17B係根據另一實施例之一多頻帶功率放大器系統240之一示 意方塊圖。該經圖解說明之多頻帶功率放大器系統240包含第一功率放大器模組231至第三功率放大器模組233、PMIC 234及第一電感器241至第三電感器234。圖17B之多頻帶功率放大器系統240類似於圖17A之多頻帶功率放大器系統230，惟圖17B之多頻帶功率放大器系統240圖解說明其中該第一電感器241至該第三電感器243已分別安置在該第一功率放大器模組231至該第三功率放大器模組233外部之一組態除外。例如，該第一電感器241至該第三電感器243可安置在與該多頻帶功率放大器系統240相關聯之一電話板上。本文中的教示可適用於其中在一功率放大器模組、一電話板或其等之一組合上實施一電感器之組態。
圖18展示圖12之波封追蹤系統160之電壓對時間之一曲線圖250之一實例。該曲線圖250包含電壓對時間之一第一曲線251及電壓對時間之一第二曲線252。該曲線圖250可對應於圖12之波封追蹤系統160之電壓之一實例。例如，該第一曲線251可對應於圖12之功率放大器供應電壓VCC_PA，且該第二曲線252可對應於圖12之誤差放大器51之輸出電壓。
圖19係根據一實施例之一多模式功率放大器(PA)模組260之一示意方塊圖。
該多模式PA模組260包含經組態以接收一電池電壓之一第一或VBATT接針262a及經組態以接收一接地電壓之一第二或GND接針262b。此外，該多模式PA模組260進一步包含經組態以接收可藉由高頻帶3G/4G功率放大器電路263放大且提供給一第九接針262i之一高頻帶3G/4G信號之一第三或HB_3G/4G接針262c。可使用一外部濾波器及/或雙工器過濾提供給該第九接針262i之經放大高頻帶3G/4G信號。該多模式PA模組260進一步包含可接收可藉由高頻帶2G功率放大器電路264放大之一高頻帶2G信號之一第四或HB-2G接針262d。該多模式 PA模組260進一步包含經組態以接收可藉由低頻帶2G功率放大器電路265放大之一低頻帶2G信號之一第五或LB-2G接針262e。此外，該多模式PA模組260包含經組態以可藉由低頻帶3G/4G功率放大器電路266放大且提供給一第十三接針262m之一低頻帶3G/4G信號之一第六或LB_3G/4G接針262f。可使用一外部濾波器及/或雙工器過濾提供給第十三接針262m之經放大低頻帶3G/4G信號。
可使用一第七接針262g(POWER CTRL)以對一功率放大器控制區塊270提供一功率控制信號，在某些實施方案中，該功率放大器控制區塊270可為一毫米波行動寬頻(MMB)功率放大器控制系統。該多模式PA模組260進一步包含可電連接至一數位控制區塊269之一第八或串列周邊介面(SPI)接針262h。該功率放大器控制區塊270及該數位控制區塊269可用以容許外部電路控制該多模式PA模組260之功能性，諸如選擇一功率模式或作用路徑(active path)。該功率放大器控制區塊270及/或該數位控制區塊269可經組態以控制該多模式PA模組260之其他組件或區塊。例如，在經圖解說明之組態中，該功率放大器控制區塊270經組態以控制一切換控制區塊268。
該切換控制區塊268可用以藉由控制切換器267選擇該多模式PA模組260之作用路徑。在經圖解說明之組態中，該切換器267係經組態以接收第七輸入信號之一雙極七投(DP7T)切換器。特定言之，該切換器267經組態以自一第十二或PCS接針262l接收一第一信號；自一第十一或DCS接針262k接收一第二信號；自一第十或RX1接針262j接收一第三信號；自該高頻帶2G功率放大器電路264接收一第四信號；自該低頻帶2G功率放大器電路265接收一第五信號；自一第十四或RX2接針262n接收一第六信號；及自一第十五或GSM接針262o接收一第七信號。該切換器267包含電連接至可連接至一高頻帶天線(HB ANT)之一第十六接針262p之一第一輸出。該切換器267進一步包含電連接至可 連接至一低頻帶天線(LB ANT)之一第十七接針262q之一第二輸出。一定向耦合器275可用以感測分別提供給該第十六接針262p及該第十七接針262q上之高頻帶天線及低頻帶天線之信號。該定向耦合器275包含電連接至一第十八接針262r之一第一埠及電連接至一第十九接針262s之一第二埠。
雖然圖19圖解說明一多模式PA之一實例，但是多模式PA可實施於其他實施方案中，包含使用一不同電路配置之組態、放大信號頻帶之一不同組合之組態及使用更多或更少組件及/或接針之組態。
應用
上文描述之一些實施例已結合無線器件或行動電話提供實例。然而，該等實施例之原理及優點可用於需要波封追蹤器之任何其他系統或裝置。
可在各種電子器件中實施此等波封追蹤器。該等電子器件之實例可包含(但不限於)消費型電子產品、該等消費型電子產品之部分、電子測試設備等等。該等電子器件之實例亦可包含(但不限於)記憶體晶片、記憶體模組、光學網路或其他通信網路之電路及磁碟機電路。該等消費型電子產品可包含(但不限於)一行動電話、一電話、一電視機、一電腦監視器、一電腦、一掌上型電腦、一個人數位助理(PDA)、一微波爐、一冰箱、一汽車、一立體聲系統、一卡帶錄像機或播放器、一DVD播放器、一CD播放器、一VCR、一MP3播放器、一收音機、一錄攝影機、一相機、一數位相機、一可攜式記憶體晶片、一洗衣器、一乾衣器、一洗衣器/乾衣器、一影印機、一傳真機、一掃描器、一多功能周邊器件、一腕錶、一時鐘等等。此外，該等電子器件可包含未完成產品。
結論
除非上下文明確另有要求，否則貫穿描述及申請專利範圍，字 詞「包括」等等係理解為包含性意義，而非理解為排他性或詳盡性意義；即理解為「包含但不限於」之意義。如本文普遍使用，字詞「耦合」指代可直接連接或藉由一或多個中間元件連接之兩個或更多個元件。同樣地，如本文普遍使用，字詞「連接」指代可直接連接或藉由一或多個中間元件連接之兩個或更多個元件。此外，字詞「本文」、「上文」、「下文」及類似含義之字詞在用於本申請案中時應指代本申請案之整體而非本申請案之任何特定部分。在上下文允許的情況下，在上文詳細描述中使用單數或複數之字詞亦可分別包含複數或單數。字詞「或」涉及兩個或兩個以上項目之一清單，該字詞涵蓋字詞之所有以下解釋：清單中之任意項目、清單中之所有項目或清單中之項目之任意組合。
此外，除非另有明確規定或如所使用之上下文內之其他理解，否則本文中使用之條件用語(尤其是諸如「可」、「可以」、「會」、「可能」、「例如」、「舉例而言」、「諸如」及類似用語)通常旨在傳達某些實施例包含某些特徵、元件及/或狀態而其他實施例不包含某些特徵、元件及/或狀態。因此，此條件用語通常不旨在暗示一或多個實施例始終需要特徵、元件及/或狀態或一或多個實施例必需包含用於在作者輸入或提示或無作者輸入或提示之情況下決定此等特徵、元件及/或狀態是否包含或執行於任何某些實施例中之邏輯。
本發明之實施例之上述詳細描述不旨在詳盡或將本發明限制於上文所揭示之精確形式。雖然上文為闡釋之目的描述本發明之某些實施例及實例，但是如熟習相關技術者所認知，各種等效修改在本發明之範圍內亦係可行的。舉例而言，雖然程序或方塊以給定順序呈現，但是替代實施例可以不同順序執行具有步驟之常式或採用具有方塊之系統，且一些程序或方塊可刪除、移動、添加、細分、組合及/或修改。此等程序或方塊之各者可以多種不同方式實施。又，雖然程序或 方塊有時係展示為串列執行，但是可代替性地並列執行或可在不同時間執行此等程序或方塊。
本文提供之本發明之教示可應用於其他系統，而不一定為上述系統。上述各種實施例之元件及動作可經組合以提供進一步實施例。
雖然已描述本發明之某些實施例，但是此等實施例僅藉由實例而呈現且並不旨在限制本揭示內容之範疇。實際上，本文所述之新穎方法及系統可以各種其他形式體現；此外，在不脫離本揭示內容之精神的情況下，可作出呈本文所述之方法及系統形式之各種省略、替代及變化。隨附申請專利範圍及其等效物旨在涵蓋如將落於本揭示內容之範疇及精神內之此等形式或修改。

Claims (30)

  1. 一種用於產生一功率放大器供應電壓之波封追蹤系統，該波封追蹤系統包括：一直流轉直流轉換器，其經組態以由一電池電壓產生一經調節電壓，該直流轉直流轉換器經組態以使用基於該功率放大器供應電壓之一低頻分量之一低頻回饋信號來控制該經調節電壓之一電壓量值；一高通濾波器，其經組態以基於該功率放大器供應電壓之高通過濾(high pass filtering)而產生一經高通過濾之功率放大器供應電壓；一第一比較器，其經組態以基於比較該經高通過濾之功率放大器供應電壓與一波封信號而產生一高頻波封信號；一誤差放大器，其包含一反相輸入、一非反相輸入及一輸出，該反相輸入經組態以接收基於該功率放大器供應電壓之一高頻分量之一高頻回饋信號，該非反相輸入經組態以接收該高頻波封信號，該輸出經組態以產生一輸出電流，該誤差放大器經組態以藉由使用該輸出電流調整該經調節電壓之該量值而產生該功率放大器供應電壓。
  2. 如請求項1之波封追蹤系統，其進一步包括電連接在該誤差放大器之該輸出與該功率放大器供應電壓之間之一AC耦合電容器。
  3. 如請求項2之波封追蹤系統，其進一步包括經組態以產生該高頻回饋信號之一回饋電路。
  4. 如請求項3之波封追蹤系統，其中該回饋電路包含電連接在該誤差放大器之該輸出與該誤差放大器之該反相輸入之間之一第一回饋電阻器及電連接在該誤差放大器之該反相輸入與一功率低 供應電壓之間之一第二回饋電阻器。
  5. 如請求項2之波封追蹤系統，其中使用該電池電壓對該誤差放大器供電。
  6. 如請求項1之波封追蹤系統，其進一步包括電連接在該經調節電壓與該功率放大器供應電壓之間之一電感器。
  7. 如請求項1之波封追蹤系統，其中該直流轉直流轉換器包含經組態以產生該經調節電壓之一降壓轉換器。
  8. 如請求項1之波封追蹤系統，其進一步包括經組態以過濾該功率放大器供應電壓以產生一經低通過濾之功率放大器供應電壓之一低通濾波器，該低頻回饋信號部分基於該經低通過濾之功率放大器供應電壓。
  9. 如請求項8之波封追蹤系統，其進一步包括一第二比較器，該第二比較器經組態以藉由比較該經低通過濾之功率放大器供應電壓與一參考電壓而產生該低頻回饋信號。
  10. 如請求項9之波封追蹤系統，其進一步包括經組態以產生該參考電壓之一參考電壓產生器。
  11. 如請求項10之波封追蹤系統，其進一步包括經組態以接收用於控制該參考電壓之一電壓位準之資料的一串列周邊介面。
  12. 一種無線器件，其包括：一電力管理積體電路(PMIC)，其包含經組態以由一電池電壓產生一經調節電壓之一直流轉直流轉換器，該直流轉直流轉換器經組態以基於一控制電壓之一電壓位準控制該經調節電壓之一電壓位準；及一功率放大器模組，其包含一功率放大器、一高通濾波器、一第一比較器及一誤差放大器，該功率放大器經組態以放大一射頻(RF)信號，該高通濾波器經組態以基於一功率放大器供應電 壓之高通過濾而產生一經高通過濾之功率放大器供應電壓，該第一比較器經組態以基於比較該經高通過濾之功率放大器供應電壓與一波封信號而產生一高頻波封信號，該誤差放大器包括經組態以接收該高頻波封信號之一非反相輸入及經組態以基於該高頻波封信號而產生一輸出電流之一輸出，該誤差放大器經組態以藉由使用該輸出電流調整該經調節電壓之該電壓位準而產生用於該功率放大器之該功率放大器供應電壓，該功率放大器模組經組態以至少部分基於該功率放大器供應電壓改變該控制電壓之該電壓位準。
  13. 如請求項12之無線器件，其進一步包括經組態以產生該RF信號及該波封信號之一收發器。
  14. 如請求項12之無線器件，其進一步包括經組態以產生該電池電壓之一電池。
  15. 如請求項12之無線器件，其中該功率放大器模組進一步包含電連接在該經調節電壓與該功率放大器供應電壓之間之一電感器。
  16. 如請求項12之無線器件，其進一步包括經組態以產生回應於該功率放大器供應電壓之一高頻分量而改變之一回饋信號之一回饋電路，該誤差放大器進一步包含經組態以接收該回饋信號之一反相輸入。
  17. 如請求項16之無線器件，其中該功率放大器模組進一步包含電連接在該誤差放大器之該輸出與該功率放大器供應電壓之間之一AC耦合電容器。
  18. 如請求項12之無線器件，其中該功率放大器模組進一步包含經組態以過濾該功率放大器供應電壓以產生一經低通過濾之功率放大器供應電壓之一低通濾波器，該控制電壓至少部分基於該 經低通過濾之功率放大器供應電壓。
  19. 如請求項18之無線器件，其中該功率放大器模組進一步包含一第二比較器，該第二比較器經組態以藉由比較該經低通過濾之功率放大器供應電壓與一參考電壓而產生該控制電壓。
  20. 如請求項19之無線器件，其中該功率放大器模組進一步包含經組態以產生該參考電壓之一參考電壓產生器。
  21. 如請求項20之無線器件，其中該功率放大器模組進一步包含經組態以接收用於控制該參考電壓之一電壓位準之資料的一串列周邊介面。
  22. 一種產生一功率放大器供應電壓之方法，該方法包括：使用一直流轉直流轉換器由一電池電壓產生一經調節電壓；基於一控制電壓控制該經調節電壓之一量值；使用一誤差放大器基於一波封信號產生一輸出電流；藉由使用該輸出電流調整該經調節電壓之該量值而產生用於一功率放大器之一功率放大器供應電壓；藉由至少部分基於該等功率放大器供應電壓改變該控制電壓之一電壓位準而控制該直流轉直流轉換器；使用一高通濾波器以基於該功率放大器供應電壓之過濾而產生一經高通過濾之功率放大器供應電壓；使用一第一比較器以藉由比較該經高通過濾之功率放大器供應電壓與該波封信號而產生一高頻波封信號；及提供該高頻波封信號至該誤差放大器之一非反相輸入。
  23. 如請求項22之方法，其進一步包括透過一AC耦合電容器將該輸出電流提供給該功率放大器供應電壓。
  24. 如請求項23之方法，其進一步包括使用一回饋電路產生用於該誤差放大器之一反相輸入之一高頻回饋信號，該高頻回饋信號 經組態以回應於該功率放大器供應電壓之一高頻分量而改變。
  25. 如請求項23之方法，其進一步包括使用該電池電壓對該誤差放大器供電。
  26. 如請求項22之方法，其進一步包括使用一低通濾波器過濾該功率放大器供應電壓以產生一經低通過濾之功率放大器供應電壓及使用一第二比較器以比較該經低通過濾之功率放大器供應電壓與一參考電壓以產生該控制電壓。
  27. 一種射頻系統，其包括：一電力管理積體電路(PMIC)，其包含經組態以由一電池電壓產生一經調節電壓之一直流轉直流轉換器，該直流轉直流轉換器經組態以使用複數個控制電壓控制該經調節電壓之一電壓位準；一第一功率放大器模組，其包含一第一功率放大器、一高通濾波器、一第一比較器及一第一誤差放大器，該第一功率放大器經組態以放大一第一射頻(RF)信號，該高通濾波器經組態以基於一第一功率放大器供應電壓之高通過濾而產生一經高通過濾之功率放大器供應電壓，該第一比較器經組態以基於比較該經高通過濾之功率放大器供應電壓與該第一RF信號之一波封信號而產生一高頻波封信號，該第一誤差放大器包括經組態以接收該高頻波封信號之一非反相輸入及經組態以藉由基於該高頻波封信號以調整該經調節電壓之該電壓位準而產生用於該第一功率放大器之該第一功率放大器供應電壓之一輸出，該第一功率放大器模組經組態以在啟用該第一功率放大器時至少部分基於該第一功率放大器供應電壓之一電壓位準改變該複數個控制電壓之一第一控制電壓之電壓位準；及一第二功率放大器模組，其包含經組態以放大一第二RF信號 之一第二功率放大器及經組態以藉由基於該第二RF信號之一波封調整該經調節電壓之該電壓位準而產生用於該第二功率放大器之一第二功率放大器供應電壓之一第二誤差放大器，該第二功率放大器模組經組態以在啟用該第二功率放大器時至少部分基於該第二功率放大器供應電壓之一電壓位準改變該複數個控制電壓之一第二控制電壓之電壓位準。
  28. 如請求項27之射頻系統，其中該第一功率放大器模組包含電連接在該經調節電壓與該第一功率放大器供應電壓之間之一第一電感器，且該第二功率放大器模組包含電連接在該經調節電壓與該第二功率放大器供應電壓之間之一第二電感器。
  29. 如請求項27之射頻系統，其進一步包括一電話板、一第一電感器及一第二電感器，該第一電感器處於該電話板上且電連接在該經調節電壓與該第一功率放大器供應電壓之間，且該第二電感器處於該電話板上且電連接在該經調節電壓與該第二功率放大器供應電壓之間。
  30. 如請求項27之射頻系統，其進一步包括一第三功率放大器模組，該第三功率放大器模組包含經組態以放大一第三RF信號之一第三功率放大器及經組態以藉由基於該第三RF信號之一波封調整該經調節電壓之該電壓位準而產生用於該第三功率放大器之一第三功率放大器供應電壓之一第三誤差放大器，該第三功率放大器模組經組態以在啟用該第三功率放大器時至少部分基於該第三功率放大器供應電壓之一電壓位準改變該複數個控制電壓之一第三控制電壓之電壓位準。
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Families Citing this family (159)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9112452B1 (en) 2009-07-14 2015-08-18 Rf Micro Devices, Inc. High-efficiency power supply for a modulated load
US9431974B2 (en) 2010-04-19 2016-08-30 Qorvo Us, Inc. Pseudo-envelope following feedback delay compensation
US8493141B2 (en) 2010-04-19 2013-07-23 Rf Micro Devices, Inc. Pseudo-envelope following power management system
US9099961B2 (en) 2010-04-19 2015-08-04 Rf Micro Devices, Inc. Output impedance compensation of a pseudo-envelope follower power management system
US9156103B2 (en) * 2010-06-17 2015-10-13 Illinois Tool Works Inc. Modular direct current power source
WO2012047738A1 (en) 2010-09-29 2012-04-12 Rf Micro Devices, Inc. SINGLE μC-BUCKBOOST CONVERTER WITH MULTIPLE REGULATED SUPPLY OUTPUTS
WO2012068258A2 (en) 2010-11-16 2012-05-24 Rf Micro Devices, Inc. Digital fast cordic for envelope tracking generation
US9247496B2 (en) 2011-05-05 2016-01-26 Rf Micro Devices, Inc. Power loop control based envelope tracking
US9379667B2 (en) 2011-05-05 2016-06-28 Rf Micro Devices, Inc. Multiple power supply input parallel amplifier based envelope tracking
US9246460B2 (en) 2011-05-05 2016-01-26 Rf Micro Devices, Inc. Power management architecture for modulated and constant supply operation
US9178627B2 (en) 2011-05-31 2015-11-03 Rf Micro Devices, Inc. Rugged IQ receiver based RF gain measurements
US9263996B2 (en) 2011-07-20 2016-02-16 Rf Micro Devices, Inc. Quasi iso-gain supply voltage function for envelope tracking systems
US9484797B2 (en) 2011-10-26 2016-11-01 Qorvo Us, Inc. RF switching converter with ripple correction
WO2013063364A1 (en) 2011-10-26 2013-05-02 Rf Micro Devices, Inc. Average frequency control of switcher for envelope tracking
US9250643B2 (en) 2011-11-30 2016-02-02 Rf Micro Devices, Inc. Using a switching signal delay to reduce noise from a switching power supply
US9515621B2 (en) 2011-11-30 2016-12-06 Qorvo Us, Inc. Multimode RF amplifier system
US9041365B2 (en) 2011-12-01 2015-05-26 Rf Micro Devices, Inc. Multiple mode RF power converter
US9256234B2 (en) 2011-12-01 2016-02-09 Rf Micro Devices, Inc. Voltage offset loop for a switching controller
US9280163B2 (en) 2011-12-01 2016-03-08 Rf Micro Devices, Inc. Average power tracking controller
US9494962B2 (en) 2011-12-02 2016-11-15 Rf Micro Devices, Inc. Phase reconfigurable switching power supply
US9813036B2 (en) 2011-12-16 2017-11-07 Qorvo Us, Inc. Dynamic loadline power amplifier with baseband linearization
US9298198B2 (en) 2011-12-28 2016-03-29 Rf Micro Devices, Inc. Noise reduction for envelope tracking
KR101767577B1 (ko) * 2012-02-09 2017-08-23 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드 포락선 추적을 위한 장치 및 방법
US9071200B2 (en) * 2012-04-12 2015-06-30 Mediatek Inc. Power module for envelope tracking
EP2665187B1 (en) * 2012-05-14 2016-07-20 Ampleon Netherlands B.V. Electronic device comprising RF-LDMOS transistor having improved ruggedness
US9225231B2 (en) 2012-09-14 2015-12-29 Rf Micro Devices, Inc. Open loop ripple cancellation circuit in a DC-DC converter
US9197256B2 (en) 2012-10-08 2015-11-24 Rf Micro Devices, Inc. Reducing effects of RF mixer-based artifact using pre-distortion of an envelope power supply signal
US9207692B2 (en) 2012-10-18 2015-12-08 Rf Micro Devices, Inc. Transitioning from envelope tracking to average power tracking
US9627975B2 (en) 2012-11-16 2017-04-18 Qorvo Us, Inc. Modulated power supply system and method with automatic transition between buck and boost modes
WO2014116933A2 (en) * 2013-01-24 2014-07-31 Rf Micro Devices, Inc Communications based adjustments of an envelope tracking power supply
US9306520B2 (en) * 2013-01-28 2016-04-05 Qualcomm Incorporated Reverse current prevention
GB2510397A (en) 2013-02-01 2014-08-06 Nujira Ltd Envelope tracking power supply with feedback
GB2511733B (en) * 2013-02-01 2020-08-19 Snaptrack Inc 2G support for 2G and 3G/4G envelope tracking modulator
US9178472B2 (en) 2013-02-08 2015-11-03 Rf Micro Devices, Inc. Bi-directional power supply signal based linear amplifier
JP2014166024A (ja) * 2013-02-25 2014-09-08 Rohm Co Ltd 電力供給装置およびその起動方法、ａｃアダプタ、電子機器および電力供給システム
KR102287063B1 (ko) * 2013-03-14 2021-08-06 퀀탄스, 인코포레이티드 전원
US9203353B2 (en) 2013-03-14 2015-12-01 Rf Micro Devices, Inc. Noise conversion gain limited RF power amplifier
WO2014152903A2 (en) 2013-03-14 2014-09-25 Rf Micro Devices, Inc Envelope tracking power supply voltage dynamic range reduction
US9219369B2 (en) * 2013-03-15 2015-12-22 Qualcomm Incorporated Multiphase charger
US9479118B2 (en) 2013-04-16 2016-10-25 Rf Micro Devices, Inc. Dual instantaneous envelope tracking
US9250694B1 (en) * 2013-05-10 2016-02-02 Sridhar Kotikalapoodi Method and apparatus for fast, efficient, low noise power supply
US9356512B2 (en) * 2013-07-29 2016-05-31 Broadcom Corporation Envelope tracking power supply with direct connection to power source
US9374005B2 (en) 2013-08-13 2016-06-21 Rf Micro Devices, Inc. Expanded range DC-DC converter
KR102114726B1 (ko) 2013-10-23 2020-06-05 삼성전자주식회사 전력 증폭 장치 및 방법
WO2015119956A2 (en) * 2014-02-04 2015-08-13 Cirrus Logic, Inc. Switched mode amplifier
DE102014104364A1 (de) * 2014-03-28 2015-10-01 Intel IP Corporation Eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Bereitstellen eines Versorgungssteuerungssignals für eine Versorgungseinheit
DE102014104371A1 (de) * 2014-03-28 2015-10-01 Intel IP Corporation Eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Verstärken eines Sendesignals oder zum Bestimmenvon Werten eines Verzögerungssteuerungsparameters
WO2015171931A1 (en) 2014-05-08 2015-11-12 Cirrus Logic, Inc. System with multiple signal loops and switched mode converter
US10333474B2 (en) 2014-05-19 2019-06-25 Skyworks Solutions, Inc. RF transceiver front end module with improved linearity
US9530719B2 (en) 2014-06-13 2016-12-27 Skyworks Solutions, Inc. Direct die solder of gallium arsenide integrated circuit dies and methods of manufacturing gallium arsenide wafers
US9614476B2 (en) 2014-07-01 2017-04-04 Qorvo Us, Inc. Group delay calibration of RF envelope tracking
US9503025B2 (en) * 2014-07-11 2016-11-22 Skyworks Solutions, Inc. Power amplifier with termination circuit and resonant circuit
US9831834B2 (en) * 2014-07-29 2017-11-28 Skyworks Solutions, Inc. Envelope tracking with low frequency loss correction
US9628118B2 (en) * 2014-08-01 2017-04-18 CoolStar Technology, Inc. Adaptive envelope tracking for biasing radio frequency power amplifiers
US9445371B2 (en) * 2014-08-13 2016-09-13 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for wideband envelope tracking systems
KR20160027302A (ko) * 2014-08-28 2016-03-10 한국전자통신연구원 반송파 집성과 포락선 추적을 지원하는 rf 송신기
US9780730B2 (en) * 2014-09-19 2017-10-03 Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. Wideband self-envelope tracking RF power amplifier
US9602056B2 (en) 2014-09-19 2017-03-21 Skyworks Solutions, Inc. Amplifier with base current reuse
US9628033B2 (en) 2014-10-29 2017-04-18 Cirrus Logic, Inc. Power stage with switched mode amplifier and linear amplifier
US9520845B2 (en) 2014-11-14 2016-12-13 Microsoft Technology Licensing, Llc Supply modulation for radio frequency power amplification
CN105743445B (zh) * 2014-12-30 2018-07-31 天工方案公司 具有可变供电电压的功率放大系统
GB2535180A (en) * 2015-02-11 2016-08-17 Snaptrack Inc AC amplifier output impedance reduction
GB2535178A (en) * 2015-02-11 2016-08-17 Snaptrack Inc Switcher noise reduction
US9584012B2 (en) 2015-02-14 2017-02-28 Skyworks Solutions, Inc. Quick-start high-voltage boost
US10483926B2 (en) 2015-02-15 2019-11-19 Skyworks Solutions, Inc. Power amplifier module with power supply control
JP2016149743A (ja) 2015-02-15 2016-08-18 スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. 整合ネットワークの排除によりサイズが低減された電力増幅器
US9838058B2 (en) * 2015-02-15 2017-12-05 Skyworks Solutions, Inc. Power amplification system with variable supply voltage
US9893684B2 (en) 2015-02-15 2018-02-13 Skyworks Solutions, Inc. Radio-frequency power amplifiers driven by boost converter
WO2016131034A2 (en) * 2015-02-15 2016-08-18 Skyworks Solutions, Inc. Use of boost supply for low battery 2g bias support
JP2016201787A (ja) * 2015-04-13 2016-12-01 株式会社村田製作所 電力増幅モジュール
US9899963B2 (en) * 2015-04-13 2018-02-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Power amplification module
CN104779922B (zh) * 2015-05-08 2018-05-22 宜确半导体（苏州）有限公司 用于优化射频功率放大器性能的高电压包络跟踪器
FR3036897B1 (fr) 2015-05-29 2018-06-15 Wupatec Bloc convertisseur continu-continu, convertisseur continu-continu le comprenant et systeme de suivi d'enveloppe associe
US9564860B2 (en) * 2015-06-26 2017-02-07 Acco Multimode operation for differential power amplifiers
US10404225B2 (en) * 2015-06-26 2019-09-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Amplifier circuitry and method for amplifying a signal using said amplifier circuitry
US9941844B2 (en) 2015-07-01 2018-04-10 Qorvo Us, Inc. Dual-mode envelope tracking power converter circuitry
US9912297B2 (en) 2015-07-01 2018-03-06 Qorvo Us, Inc. Envelope tracking power converter circuitry
US9924480B2 (en) 2015-07-24 2018-03-20 Samsung Electronics Co., Ltd Apparatus and method for calibrating delay between signal paths
US9806676B2 (en) * 2015-07-28 2017-10-31 Skyworks Solutions, Inc. Power amplification system with programmable load line
US9817416B2 (en) 2015-08-17 2017-11-14 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for programmable low dropout regulators for radio frequency electronics
US9602057B1 (en) * 2015-09-18 2017-03-21 Samsung Electronics Co., Ltd Apparatus for and method of a supply modulator for a power amplifier
EP3144974B1 (en) * 2015-09-18 2022-01-26 Ampleon Netherlands B.V. Semiconductor device
US10103693B2 (en) 2015-09-30 2018-10-16 Skyworks Solutions, Inc. Power amplifier linearization system and method
US11201595B2 (en) * 2015-11-24 2021-12-14 Skyworks Solutions, Inc. Cascode power amplifier with switchable output matching network
US10080190B2 (en) * 2015-12-09 2018-09-18 Qorvo Us, Inc. Multi-band envelope tracking circuit
US10270394B2 (en) 2015-12-30 2019-04-23 Skyworks Solutions, Inc. Automated envelope tracking system
US9614477B1 (en) * 2016-01-12 2017-04-04 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Envelope tracking supply modulators for multiple power amplifiers
CN105811893B (zh) * 2016-04-20 2019-05-21 广东工业大学 一种包络跟踪射频功率放大器的电路结构
US9973147B2 (en) * 2016-05-10 2018-05-15 Qorvo Us, Inc. Envelope tracking power management circuit
US11075605B2 (en) * 2016-05-25 2021-07-27 Cirrus Logic, Inc. Dual-domain power distribution system in a mobile device
US9793861B1 (en) 2016-07-28 2017-10-17 Qualcomm Incorporated Amplification systems
CN106208974A (zh) * 2016-08-30 2016-12-07 厦门信同信息技术有限公司 一种基于自适应数字包络跟踪技术的数字功率放大器的系统设计方法
US10110169B2 (en) * 2016-09-14 2018-10-23 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for envelope tracking systems with automatic mode selection
CN106549638A (zh) * 2016-10-31 2017-03-29 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司 一种抑制谐波与杂散的射频功率放大器、芯片及通信终端
US10381983B2 (en) * 2016-11-11 2019-08-13 Skyworks Solutions, Inc. Envelope tracking for high power amplifiers
KR102644277B1 (ko) 2016-11-25 2024-03-06 삼성전자주식회사 전원 변조기 및 이를 포함하는 통신 장치
US9755579B1 (en) 2016-12-09 2017-09-05 Nxp Usa, Inc. Amplifier devices with envelope signal shaping for gate bias modulation
CN108206703B (zh) * 2016-12-20 2020-05-08 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 射频发射电路、发射机及用户终端
KR20180075113A (ko) 2016-12-26 2018-07-04 삼성전자주식회사 전력 증폭기의 노이즈를 최소화하기 위한 방법 및 전자 장치
US10056864B2 (en) * 2017-01-12 2018-08-21 Qualcomm Incorporated Efficient wideband envelope tracking power amplifier
US10361659B2 (en) * 2017-03-22 2019-07-23 Intel IP Corporation Power envelope tracker and adjustable strength DC-DC converter
US10439558B2 (en) 2017-04-28 2019-10-08 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for power amplifiers with positive envelope feedback
KR101922880B1 (ko) * 2017-05-10 2018-11-28 삼성전기 주식회사 부스트 기능을 갖는 전력 증폭 장치
US10236831B2 (en) 2017-05-12 2019-03-19 Skyworks Solutions, Inc. Envelope trackers providing compensation for power amplifier output load variation
CN206961615U (zh) * 2017-06-21 2018-02-02 台达电子企业管理（上海）有限公司 安装于pcb板的电感结构及具有其的电压调节模块
US10516368B2 (en) 2017-06-21 2019-12-24 Skyworks Solutions, Inc. Fast envelope tracking systems for power amplifiers
US10615757B2 (en) 2017-06-21 2020-04-07 Skyworks Solutions, Inc. Wide bandwidth envelope trackers
WO2019066865A1 (en) * 2017-09-28 2019-04-04 Intel Corporation RECONFIGURABLE INDUCTOR
US11121684B2 (en) 2017-12-15 2021-09-14 Apple Inc. Method and apparatus for digital envelope tracking with dynamically changing voltage levels for power amplifier
US10476437B2 (en) 2018-03-15 2019-11-12 Qorvo Us, Inc. Multimode voltage tracker circuit
CN112005501B (zh) * 2018-03-30 2022-12-16 株式会社村田制作所 高频模块以及具备该高频模块的通信装置
EP3768003A4 (en) * 2018-04-09 2021-12-22 LG Electronics Inc. MOBILE TERMINAL DEVICE WITH PERFORMANCE CONTROL
US10505499B1 (en) * 2018-04-13 2019-12-10 Harmonic, Inc. Power saving by configurable adjustment of power amplifier
US11581854B2 (en) 2018-04-26 2023-02-14 Mediatek Inc. Envelope tracking supply modulator topology for wipe-bandwidth radio frequency transmitter
US10686407B2 (en) 2018-04-30 2020-06-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Symbol power tracking amplification system and a wireless communication device including the same
JP7393876B2 (ja) * 2018-04-30 2023-12-07 三星電子株式会社 シンボル電力追跡増幅システム及びそれを含む無線通信装置
US10826570B2 (en) 2018-05-31 2020-11-03 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for multi-antenna communications
US10797650B2 (en) 2018-07-24 2020-10-06 Qorvo Us, Inc. Envelope tracking amplifier apparatus
KR20200012199A (ko) * 2018-07-26 2020-02-05 삼성전자주식회사 무선 통신 시스템에서 송신 신호들을 증폭하기 위한 장치 및 방법
US10951170B2 (en) * 2018-08-10 2021-03-16 Qualcomm Incorporated Apparatus and method for assisting envelope tracking with transient response in supply voltage for power amplifier
US11108363B2 (en) 2018-09-04 2021-08-31 Qorvo Us, Inc. Envelope tracking circuit and related power amplifier apparatus
US10903796B2 (en) 2018-10-19 2021-01-26 Qorvo Us, Inc. Voltage generation circuit and related envelope tracking amplifier apparatus
US10630375B1 (en) * 2018-10-19 2020-04-21 Qorvo Us, Inc. Envelope tracking amplifier apparatus
US10819287B2 (en) 2018-10-19 2020-10-27 Qorvo Us, Inc. Multi-voltage generation circuit and related envelope tracking amplifier apparatus
US11088659B2 (en) 2018-10-19 2021-08-10 Qorvo Us, Inc. Multi-amplifier envelope tracking circuit and related apparatus
US11057012B2 (en) 2018-10-19 2021-07-06 Qorvo Us, Inc. Distributed envelope tracking amplifier circuit and related apparatus
US11038471B2 (en) 2018-11-20 2021-06-15 Skyworks Solutions, Inc. Envelope tracking system with modeling of a power amplifier supply voltage filter
US11146213B2 (en) 2019-01-15 2021-10-12 Qorvo Us, Inc. Multi-radio access technology envelope tracking amplifier apparatus
US10972052B2 (en) * 2019-02-15 2021-04-06 Motorola Mobility Llc Method and apparatus for providing selective pre-signal amplifier, supply power conditioning
US11082021B2 (en) 2019-03-06 2021-08-03 Skyworks Solutions, Inc. Advanced gain shaping for envelope tracking power amplifiers
US10938350B2 (en) 2019-03-13 2021-03-02 Qorvo Us, Inc. Multi-mode envelope tracking target voltage circuit and related apparatus
US11088658B2 (en) 2019-03-13 2021-08-10 Qorvo Us, Inc. Envelope tracking amplifier apparatus
US10992264B2 (en) 2019-03-13 2021-04-27 Qorvo Us, Inc. Envelope tracking circuit and related apparatus
US11387797B2 (en) 2019-03-15 2022-07-12 Skyworks Solutions, Inc. Envelope tracking systems for power amplifiers
US10992265B2 (en) 2019-03-29 2021-04-27 Eta Wireless, Inc. Multi-stage pulse shaping network
US10855228B2 (en) 2019-03-29 2020-12-01 Intel Corporation Voltage regulation systems and methods with adjustable boost and step-down regulation
US11374538B2 (en) 2019-04-09 2022-06-28 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for envelope tracking
US11139780B2 (en) 2019-04-24 2021-10-05 Qorvo Us, Inc. Envelope tracking apparatus
US11323075B2 (en) 2019-05-30 2022-05-03 Qorvo Us, Inc. Envelope tracking amplifier apparatus
US11038464B2 (en) 2019-05-30 2021-06-15 Qorvo Us, Inc. Envelope tracking amplifier apparatus
US11431357B2 (en) 2019-07-09 2022-08-30 Skyworks Solutions, Inc. Envelope controlled radio frequency switches
US11165514B2 (en) 2019-07-09 2021-11-02 Skyworks Solutions, Inc. Envelope alignment calibration in radio frequency systems
US11303255B2 (en) 2019-07-22 2022-04-12 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for adaptive power amplifier biasing
KR20210033344A (ko) * 2019-09-18 2021-03-26 삼성전자주식회사 스위칭 회로를 포함하는 전원 변조 회로 및 이를 포함하는 무선 통신 장치
US11444576B2 (en) 2019-09-27 2022-09-13 Skyworks Solutions, Inc. Power amplifier bias modulation for multi-level supply envelope tracking
KR20220064976A (ko) * 2019-09-27 2022-05-19 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드 별개의 dc 및 ac 경로들을 갖는 멀티-레벨 포락선 추적 시스템들
US11223324B2 (en) 2019-09-27 2022-01-11 Skyworks Solutions, Inc. Multi-level envelope tracking with analog interface
US11223325B2 (en) 2019-09-27 2022-01-11 Skyworks Solutions, Inc. Multi-level envelope tracking systems with adjusted voltage steps
WO2021067616A1 (en) 2019-10-03 2021-04-08 Skyworks Solutions, Inc. Jump-start power amplifier boost converter
US11461259B2 (en) 2019-10-22 2022-10-04 Skyworks Solutions, Inc. Systems and methods for load detection on serial communication data lines
KR20210064746A (ko) * 2019-11-26 2021-06-03 삼성전자주식회사 복수의 리니어 레귤레이터를 이용하여 증폭기에 전압을 공급하는 방법 및 장치
US11526187B2 (en) * 2020-01-03 2022-12-13 Skyworks Solutions, Inc. Method and system for boosting output current
US11595005B2 (en) 2020-01-10 2023-02-28 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for envelope tracking
US11855595B2 (en) 2020-06-05 2023-12-26 Skyworks Solutions, Inc. Composite cascode power amplifiers for envelope tracking applications
US11482975B2 (en) 2020-06-05 2022-10-25 Skyworks Solutions, Inc. Power amplifiers with adaptive bias for envelope tracking applications
CN112865726B (zh) * 2021-01-21 2024-05-28 维沃移动通信有限公司 功率放大电路和电子设备
TWI819324B (zh) * 2021-06-25 2023-10-21 瑞昱半導體股份有限公司 具有迴授校正機制的通訊裝置
US11906992B2 (en) 2021-09-16 2024-02-20 Qorvo Us, Inc. Distributed power management circuit
EP4170880A1 (en) * 2021-10-20 2023-04-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050064830A1 (en) * 2003-09-16 2005-03-24 Nokia Corporation Hybrid switched mode/linear power amplifier power supply for use in polar transmitter
US20110279180A1 (en) * 2009-02-05 2011-11-17 Nec Corporation Power amplifier and power amplifying method

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5563791A (en) 1994-10-25 1996-10-08 Automotive Systems Laboratory, Inc. Envelope detector useful in crash discrimination
SE506842C2 (sv) 1996-06-28 1998-02-16 Ericsson Telefon Ab L M Anordning och förfarande vid radiosändare för styrning av effektförstärkare
KR100581268B1 (ko) * 1996-06-28 2006-09-11 텔레폰악티에볼라겟엘엠에릭슨(펍) 무선송신기용장치및방법
US5929776A (en) * 1998-03-23 1999-07-27 Motorola, Inc. Low voltage transceiver
US6191653B1 (en) * 1998-11-18 2001-02-20 Ericsson Inc. Circuit and method for linearizing amplitude modulation in a power amplifier
US7142053B2 (en) * 2004-12-06 2006-11-28 Skyworks Solutions, Inc. Voltage clamp for improved transient performance of a collector voltage controlled power amplifier
JP4488309B2 (ja) * 2005-02-28 2010-06-23 株式会社ルネサステクノロジ 高周波電力増幅用電子部品
DE102005010904B4 (de) * 2005-03-09 2010-06-02 Infineon Technologies Ag Spannungsregelschaltung und Verfahren zum Versorgen eines elektrischen Bauelements mit einer Versorgungsspannung
JP5003134B2 (ja) * 2006-01-10 2012-08-15 日本電気株式会社 増幅装置
US7342445B2 (en) * 2006-05-30 2008-03-11 Motorola, Inc. Radio frequency power amplifier circuit and method
CN101090382B (zh) * 2006-06-04 2012-04-25 三星电机株式会社 用于线性极化发射器的系统、方法和设备
CN101098171A (zh) * 2006-06-28 2008-01-02 张跃平 一种射频前馈技术在功率放大器中的运用方法
US7696826B2 (en) * 2006-12-04 2010-04-13 Skyworks Solutions, Inc. Temperature compensation of collector-voltage control RF amplifiers
KR101079813B1 (ko) * 2007-10-02 2011-11-04 삼성전자주식회사 무선통신 시스템에서 전력증폭 장치 및 방법
JP5136834B2 (ja) * 2007-10-16 2013-02-06 株式会社村田製作所 Ｒｆ電力増幅装置およびｒｆ電力増幅器の電源電圧を制御する電源供給回路
DE602008006401D1 (de) * 2008-09-09 2011-06-01 Alcatel Lucent Stromverstärkerlinearisierung unter Verwendung von Hochfrequenz-Feedback
US8098102B2 (en) * 2009-02-03 2012-01-17 Renesas Electronics Corporation RF power amplifier and RF power module using the same
JP5247629B2 (ja) * 2009-08-26 2013-07-24 株式会社日立国際電気 増幅器電源電圧制御装置
JP2011259083A (ja) 2010-06-07 2011-12-22 Renesas Electronics Corp Ｒｆ電力増幅装置およびその動作方法
CN102013876B (zh) * 2010-11-25 2012-01-25 深圳市广迪克科技有限公司 射频功率放大器混合功率控制系统及方法
US8803605B2 (en) * 2011-02-01 2014-08-12 Mediatek Singapore Pte. Ltd. Integrated circuit, wireless communication unit and method for providing a power supply
GB2488119B (en) * 2011-02-15 2015-06-24 Nujira Ltd Power control
US8718188B2 (en) 2011-04-25 2014-05-06 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for envelope tracking
JP2012244251A (ja) * 2011-05-16 2012-12-10 Fujitsu Ltd 増幅器、送信装置および増幅器制御方法
KR101767577B1 (ko) * 2012-02-09 2017-08-23 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드 포락선 추적을 위한 장치 및 방법
US9859850B2 (en) 2015-02-15 2018-01-02 Skyworks Solutions, Inc. Boost converter having a buck supply voltage input

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050064830A1 (en) * 2003-09-16 2005-03-24 Nokia Corporation Hybrid switched mode/linear power amplifier power supply for use in polar transmitter
US20110279180A1 (en) * 2009-02-05 2011-11-17 Nec Corporation Power amplifier and power amplifying method

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