TWI613571B - 觸控面板及其製造方法 - Google Patents

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李東健
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Abstract

本發明揭示一種觸控面板及其製造方法。該觸控面板包含一基板；一感測部於基板上和一連結電極與感測部連接；以及一光吸收層於基板上。光吸收層比連結電極更接近基板。一種觸控面板的製造方法包含提供一基板；形成一感測部和一連結電極於基板上；以及形成一光吸收層於基板上。光吸收層比連結電極更接近基板。

Description

觸控面板及其製造方法
本發明係主張關於2012年10月11日申請之韓國專利案號No.10-2012-0113201之優先權。藉以引用的方式併入本文用作參考。
本揭示內容係有關於一種觸控面板及其製造方法。
近來，以例如觸控筆或手指之輸入裝置經由碰觸顯示於顯示裝置上之影像進行輸入功能之觸控面板，已應用於不同電子裝置。
觸控面板可代表性分類為電阻式觸控面板及電容式觸控面板。於電阻式觸控面板，當壓力施加於一輸入裝置時，依據電極間之連接，藉由偵測電阻的變化來偵測碰觸點位置。於電容式觸控面板，當使用者手指碰觸電極間之電容式觸控面板，藉由偵測電容變化來偵測碰觸點位置。近來，由於製造方式及感測能力的便利，電容式觸控面板被著重於較小型號。
觸控面板的問題在於因為連結電極圖案具有可因外部入射光或入射觸控面板之LCD光線而被看見。
本發明實施例提供一種改善可見性的觸控面板。
根據本發明實施例，係提供一種觸控面板，其包含一基板、一感測部於該基板上和一連結電極與該感測部連接、以及一光吸收層於該基板上。該光吸收層比該連結電極更接近該基板。
根據本發明實施例，係提供一種製造觸控面板的方法。該方 法包含提供一基板、形成一感測部和一連結電極於該基板上、以及形成一光吸收層於該基板上。該光吸收層比該連結電極更接近該基板。
如上所述，根據本發明實施例，光吸收層設置於觸控面板之連結電極之下方。因此，連結電極可防止因光線穿透基板而被看見。換言之，光吸收層可使入射光反射量減至最低。因此，整個連結電極的可見性可被改善。
100‧‧‧基板
101‧‧‧外無效層
102‧‧‧標誌
102‧‧‧相對面
210‧‧‧透明電極
212‧‧‧第一電極
212a‧‧‧第一感測部
212b‧‧‧第一連結電極部
212b1‧‧‧緩衝層
212b2‧‧‧導電層
212b3‧‧‧緩衝層
214‧‧‧第二電極
214a‧‧‧第二感測部
214b‧‧‧第二連結電極部
250‧‧‧絕緣層
271‧‧‧第一光吸收層
272‧‧‧第二光吸收層
300‧‧‧導線
AA‧‧‧作用區
B-B’‧‧‧直線
C-C’‧‧‧直線
UA‧‧‧非作用區
I‧‧‧入射光
R‧‧‧光反射
圖1係根據一實施例示意性繪示一觸控面板的平面圖。
圖2係根據一實施例繪示觸控面板的平面圖。
圖3係圖2之部分A的放大圖。
圖4係沿圖3中直線B-B’的截面圖。
圖5係根據一實施例繪示一觸控面板的截面圖。
圖6係根據另一實施例繪示觸控面板的平面圖。
圖7係沿圖6中直線C-C’的截面圖。
圖8係根據另一實施例繪示一觸控面板的截面圖。
圖9係根據對照範例、第一實施例、及第二實施例顯示作為波長函數之反射率的圖形。
圖10係根據第一實施例繪示作為厚度函數之原子含量的圖形。
圖11係根據第二實施例繪示作為厚度函數之原子含量的圖形。
在下方之實施例的描述中，應理解，當一層(或膜)、一區域、一圖案或一結構在另一層(膜)、區域、圖案或結構“上”或“之下”時，其可以“直接地”或“間接地”在其它層(或膜)、區域、圖案或結構上，或者可出現一或多個中介層於其間。每一層之位置請參照附圖。
為了方便或易於說明之目的，各層(膜)、區域、圖案或結構之厚度與尺寸在附圖中可能被誇大、省略或示意性地繪示。此外，各層(膜)、區域、圖案或結構之尺寸並未反映實際尺寸。
於下文中，實施例將參照以下圖示進行詳細說明。
於下文中，根據一實施例的一觸控面板將參照圖1至圖5進行說明。圖1係根據一實施例示意性繪示一觸控面板的平面圖。圖2係根據一實施例繪示觸控面板的平面圖。圖3係圖2之部分A的放大圖。圖4係沿圖3中直線B-B’的截面圖。圖5係根據一實施例繪示一觸控面板的截面圖。
參照圖1和2，根據本實施例之一觸控面板包含一基板100，在基板100中包含作用區AA及非作用區UA，作用區AA用以偵測一輸入裝置(例如：手指)的位置，而非作用區UA設置於作用區AA的周邊部分。
在本例中，作用區AA中可設置有一透明電極210其可感測輸入裝置。此外，非作用區UA中可設置有一導線300其將透明電極210互相電性連接。再者，非作用區UA中可設置有一外部電路與導線300連接。非作用區UA中可設置有一外無效層(outer dummy layer)101，而外無效層101可具有一標誌(logo)102。
當諸如手指之輸入裝置碰觸該觸控面板時，該碰觸部份因輸入裝置所產生的電容變化，及產生電容變化的該碰觸部份可如碰觸點而被偵測到。
於下文中，將進一步說明該觸控面板。
基板100可包含不同的材料以支撐形成於基板100上的一光吸收層271、透明電極210、導線300、以及一電路板。舉例而言，基板100可包括一玻璃基板或一塑膠基板。
外無效層101形成於基板100之非作用區UA。外無效層101可鍍膜有一預設顏色的材料，因此可避免導線300及連接導線300至外部電路的一印刷電路板可從外部被看見。外無效層101可具有適合於所需要外觀的顏色。例如，外無效層101可包含黑色顏料以呈現黑色色彩。再者，一所欲的標誌102可經由不同方法而形成於外無效層101。外無效層101可經由沉積、印刷、或濕式鍍膜方式所形成。
透明電極210可形成於基板上100。透明電極210可偵測是否被諸如手指之輸入裝置所碰觸。
參照圖2和3，透明電極210可包含一第一電極212以及一 第二電極214。
第一電極212包含複數個第一感測部212a以偵測是否被諸如手指之輸入裝置所碰觸、以及多個第一連結電極部212b使該些第一感測部212a互相連接。該些第一連結電極部212b使該些第一感測部212a互相連接於第一方向(於圖示中之X-軸方向)，因此第一電極212可於第一方向延伸。
相似地，第二電極214包含複數個第二感測部214a以偵測是否被諸如手指之輸入裝置所碰觸、以及多個第二連結電極部214b使該些第二感測部214a互相連接。該些第二連結電極部214b使該些第二感測部214a互相連接於第二方向(於圖示中Y-軸方向)，因此第二電極214可於第二方向延伸。
一絕緣層250可設置於該些第一連結電極部212b和該些第二連結電極部214b之間以防止於其間發生電性短路。絕緣層250可包含一透明絕緣材料以將第一電極212與第二電極214絕緣。
參照圖3，基板100上形成有一第一感測部212a、一第二感測部214a、以及一第二連結電極部214b，而第二連結電極部214b上形成有絕緣層250。絕緣層250上形成有第一連結電極部212b將該些第一感測部212a互相連接。
同時，參照圖4，第一連結電極部212b可包含至少兩層。
詳細而言，第一連結電極部212b可包含緩衝層212b1及緩衝層212b3以及一導電層212b2。緩衝層212b1及212b3可包含第一緩衝層212b1及第二緩衝層212b3。導電層212b2可夾設在第一緩衝層212b1及第二緩衝層212b3之中。在導電層212b2插設的同時，可設置該第一及該第二緩衝層212b1及212b3。然而，本實施例並非限定於此，但是緩衝層可形成為一層結構，因此緩衝層可只設置於導電層212b2之上部或下部。
緩衝層212b1及212b3可改善第一連結電極部212b和基板100之間的結合強度，或第一連結電極部212b和第一感測部212a之間的結合強度。緩衝層212b1及212b3可包含導電金屬。詳細而言，可藉由沉積例如鎳(Ni)、鉻(Cr)、鎳-鉻(Ni-Cr)、鈦(Ti)、錫(Sn)或鉬(Mo)的材料來形成緩衝層212b1及212b3。
導電層212b2可包含具有低於第一感測部212a或第二感測部214a之電阻的導電金屬。導電層212b2可包含例如銀、銅、金、鉬、及鋁之呈現絕佳導電率的金屬。因為導電層212b2直接對觸控螢幕靈敏度產生影響，所以可調整導電層212b2之沉積厚度及沉積金屬，因此可將電阻調整至0.1Ω/□(平方)或更少。
一光吸收層271另外形成於基板100上。光吸收層271設置在比第一連結電極部212b更靠近基板100的位置。換言之，光吸收層271比第一連結電極部212b更接近基板100。據此，光吸收層271插設於第一連結電極部212b和基板100之間。
因此，因光線反射而可被看見的第一連結電極部212b，可因光吸收層271而避免被看見。換言之，光吸收層271反射入射至基板100的入射光I，藉以防止第一連結電極部212b被看見。
特別地，當一使用者使用根據實施例的觸控面板時，基板100上具有感測部212a、第一連結電極部212b、以及光吸收層271之表面的一相對面102可被辨識出。因此，第一連結電極部212b被入射至該相對面102的入射光I大幅地影響。根據實施例，光吸收層271插設在基板100和第一連結電極部212b之間，因此可減少第一連結電極部212b的可見性。
光吸收層271可包含導電金屬的一氧化物、一氮化物、或一碳化物(carbide)或其混合物。在本例中，該導電金屬可對應於構成緩衝層212b1、212b3之導電金屬。因此，該導電金屬可包含例如鎳、鉻、鎳-鉻、鈦、錫或鉬的材料。
光吸收層271可包含導電金屬、氧、氮，或碳。特別地，可選擇性地包含氧、氮、以及碳。換言之，當光吸收層271包含導電金屬氧化物時，光吸收層271可包含導電金屬和氧。此外，當光吸收層271包含導電金屬氮化物時，光吸收層271可包含導電金屬和氮。當光吸收層271包含導電金屬碳化物時，光吸收層271可包含導電金屬和碳。
在光吸收層271中，導電金屬可佔構成光吸收層271材料總重量的35%至50%。在光吸收層271中，氧可佔構成光吸收層271材料總重量的30%至40%。在光吸收層271中，氮可佔構成光吸收層271材料總重量的0%至10%。在光吸收層271中，碳可佔構成光吸收層271材料總重 量的0%至5%。光吸收層271的平均反射量可根據導電金屬、氧、氮、或碳的原子含量和光吸收層271的厚度來被調整。詳細而言，光吸收層271可透過使用導電金屬，以及氬(Ar)、氮(N2)、或二氧化碳(CO2)氣體之一反應式濺鍍製程而形成。在本例中，可藉由調整使用於反應式濺鍍製程之氣體體積(分壓比)將反射量最佳化。因此，在光吸收層271之380nm至780nm的可見光波長帶，平均反射量可被調整在5%至10%。
同時，參照圖5，光吸收層271、272可包含第一光吸收層271和第二光吸收層272。第一和第二光吸收層271、272可將第一連結電極部212b夾設於其中。換言之，提供第一光吸收層271和第二光吸收層272的同時，第一連結電極部212b插設於其中。第一光吸收層271和第二光吸收層272分別設置於第一連結電極部212b之上部及下部，因此可將光反射最大化。
接下來，導線300形成於非作用區UA。該些導線300可提供電氣訊號至透明電極210。雖然未繪示，光吸收層可形成於該些導線300上。詳細而言，光吸收層可比該些導線300更接近基板。光吸收層271可設置於該些導線300之下方。光吸收層271可直接與基板100接觸。此外，光吸收層271可包含第一光吸收層271和第二光吸收層272。第一光吸收層271和第二光吸收層272可將導線300夾設於其中。
該些導線300形成於非作用區UA，因此該些導線300可不被看見。
同時，雖然未繪示於圖式，可進一步設置與導線300連接的一電路板。該電路板可包括不同的印刷電路板。例如，電路板可包括一可撓曲式印刷電路板(FPCB)。
於下文中，根據另一實施例，觸控面板將依據圖6至圖8進行說明。圖6係根據另一實施例繪示觸控面板的平面圖。圖7係沿圖6中直線C-C’的截面圖。圖8係根據另一實施例繪示一觸控面板的截面圖。
參照圖6和圖7，光吸收層271設置於基板100上。換言之，光吸收層271直接與基板100接觸。光吸收層271上設置有第一連結電極部212b。第一連結電極部212b可形成於絕緣層250上，然後第二連結電極部214b可設置於絕緣層250上。光吸收層271直接與基板100接觸，因此 入射至基板100的入射光可被更有效地反射。因此，第一連結電極部212b之可見性可減至最低。
此外，參照圖8，光吸收層271、272可包含第一光吸收層271和第二光吸收層272，而第一光吸收層271和第二光吸收層272可將第一連結電極部212b夾設於其中。
於下文中，將進一步說明實施例。然而，實施例係用以舉例說明，並且所揭示的內容並不限定於此。
實施例1
藉由沉積氧化錫銦(ITO)，一感測部形成於一玻璃基板上。一絕緣層形成於該感測部上。透過反應式濺鍍製程，藉由沉積鉬(Mo)、氬(Ar)、氮(N2)及二氧化碳(CO2)而形成一第一光吸收層於該絕緣層上。因此，第一光吸收層包含氮化物及氧化物。包括一第一緩衝層、一導電層、以及一第二緩衝層的一連結電極藉由形成包含鉬(Mo)的第一緩衝層、包含銀(Ag)的導電層、以及包含鉬(Mo)的第二緩衝層於該第一光吸收層上而形成。
實施例2
根據第二實施例的觸控面板，其以如同第一實施例相同方式製造，除了額外地以如同形成第一光吸收層於連結電極上之相同方式形成第二光吸收層之外。
對照範例
根據對照實例的觸控面板，其以如同第一實施例相同方式製造，除了未形成第一光吸收層之外。
參照圖9，關於對照範例，約52%的平均反射量出現在波長帶為380nm至780nm之可見光波長帶。同時，關於第一及第二實施例，約7.4%及7.9%的平均反射量出現在可見光波長帶，低於對照範例之平均反射量。
同時，圖10係根據第一實施例繪示作為厚度函數之原子含量的圖形。圖11係根據第二實施例繪示作為厚度函數之原子含量的圖形。當第一及第二實施例之原子含量滿足圖10、11之圖形，可獲得上述較低的反射量。
說明於上述實施例之特徵，結構，及功效包含於至少一個 本發明實施例，及並未只限定於一個實施例。再則，說明於本發明實施例之特徵，結構，及功效可由熟悉本發明實施例之業界人士同樣被合併或修飾而於其它實施例中實現。因此，有關於合併及修飾之內容將被視同為包含於本發明之範圍。
雖然參考實施例之許多說明性實施例來描述實施例，但應理解，熟習此項技術者可想出將落入本發明之原理的精神及範疇內的眾多其他修改及實施例。因此，本發明之原理的範疇應由所附之專利範圍之範疇來定義。
100‧‧‧基板
101‧‧‧外無效層
102‧‧‧相對面
212a‧‧‧第一感測部
212b‧‧‧第一連結電極部
212b1‧‧‧緩衝層
212b2‧‧‧導電層
212b3‧‧‧緩衝層
214b‧‧‧第二連結電極部
250‧‧‧絕緣層
271‧‧‧第一光吸收層
I‧‧‧入射光
R‧‧‧光反射

Claims (17)

  1. 一種觸控面板，包含：一基板；一感測部於該基板上和一連結電極與該感測部連接；以及一光吸收層於該基板上，其中該光吸收層比該連結電極更接近該基板，其中該光吸收層包括選自由導電金屬之一氧化物、一氮化物、及一碳化物，以及其混合物所組成之群組的一者，其中該導電金屬佔構成該光吸收層之所有材料總重量的35%至50%，其中在光吸收層之380nm至780nm的可見光波長帶，平均反射量在5%至10%。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，其中該光吸收層形成於該連結電極之下方。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，其中該光吸收層包括一第一光吸收層和一第二光吸收層，該第一光吸收層設置於該連結電極之下方，而該第二光吸收層設置於該連結電極上。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之觸控面板，其中該第一光吸收層和該第二光吸收層將該連結電極夾設於其中。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，其中該氧佔構該光吸收層之所有材料總重量的30%至40%。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，其中該氮佔構成該光吸收層之所有材料總重量的0%至10%。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，其中該碳佔構成該光吸收層之所有材料總重量的0%至5%。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，其中該光吸收層與該基板直接接觸。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，其中該連結電極包含一緩衝層以及一導電層。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之觸控面板，其中該緩衝層包含導電材料。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之觸控面板，其中該緩衝層包含選自由鎳(Ni)、鉻(Cr)、鎳-鉻(Ni-Cr)、鈦(Ti)、錫(Sn)、以及鉬(Mo)所組成之群組的一者。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之觸控面板，其中該緩衝層包含一第一緩衝層和一第二緩衝層。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之觸控面板，其中該第一緩衝層和該第二緩衝層將該導電層夾設於其中。
  14. 如申請專利範圍第9項所述之觸控面板，其中該導電層包含選自由銀、銅、金、鉬、以及鋁所組成之群組的一者。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，更包含一導線與該感測部電性連接，其中該光吸收層設置於該導線之上及比該基板更接近該導線。
  16. 一種用於製造觸控面板的方法，該方法包含：提供一基板；形成一感測部和一連結電極於該基板上；以及形成一光吸收層於該基板上，其中該光吸收層比該連結電極更接近該基板，其中該光吸收層包括選自由導電金屬之一氧化物、一氮化物、及一碳化物，以及其混合物所組成之群組的一者，其中該導電金屬佔構成該光吸收層之所有材料總重量的35%至50%， 其中在光吸收層之380nm至780nm的可見光波長帶，平均反射量在5%至10%。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中，在形成該光吸收層於該基板中，該光吸收層藉由沉積選自由氬(Ar)、氮(N2)、以及二氧化碳(carbon dioxide,CO2)所組成之群組的一材料所形成。
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