KR102426951B1 - 더미 패턴이 형성된 감지 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 커버 기판, 커버 기판 상에 형성되는 투명 전극, 투명 전극 상에 형성되는 흡수층, 흡수층 또는 투명 전극 상에 형성되는 금속 전극, 금속 전극이 형성되지 않은 부분에 패턴으로 형성되는 다수의 더미를 포함하는, 더미 패턴이 형성된 감지 장치에 관한 것이다.
Description
본 발명은 커버 기판, 커버 기판 상에 형성되는 투명 전극, 투명 전극 상에 형성되는 흡수층, 흡수층 또는 투명 전극 상에 형성되는 금속 전극, 금속 전극이 형성되지 않은 부분에 패턴으로 형성되는 다수의 더미를 포함하는, 더미 패턴이 형성된 감지 장치에 관한 것이다.
스마트 단말기, 휴대폰, 모니터, TV 등 여러 전자 장치의 터치 패널에 사용하는 센서에는 여러 가지 종류가 있으며, 최근에는 빛을 발생하는 발광부와 빛을 감지하는 수광부를 포함하는 광센서를 이용하여 여러 기능을 구현하고 있다.
특히 포토다이오드의 경우, 빛에너지를 수신하면 이를 전기에너지로 변환하게 되어, 전기에너지를 빛에너지로 전환하는 발광다이오드와 반대의 기능을 수행한다. 포토다이오드는 응답속도가 빠르고, 감도 파장이 넓으며, 광전류의 직진성이 양호하다는 특징이 있어, 전자제품 소자에 폭넓게 사용하려는 연구가 꾸준하게 진행되고 있다.
또한, 종래의 벌크 타입의 포토다이오드 소자의 감도 향상을 위하여, 커버 기판 상에 박막 공정을 이용하여 커버 기판 일체형 포토다이오드 소자를 제작하는 기술이 연구되고 있다. 도 1을 참조하면, 종래의 포토다이오드를 포함하는 감지 장치(100)의 경우, 커버 기판(140)상에 전극 배선부(110), 수광부(120), 발광부(130)의 구성이 형성되며, 특히 수광부(120)의 경우 투명 전극(150), 흡수층(160), 금속 전극(170)으로 이루어진다.
그런데, 도 2를 참조하면, 금속 전극(171, 172), 투명 전극(150) 등의 구성이 커버 기판(140) 쪽에서 바라보았을 때 최외각부에 보이는 커버이므로, 포토다이오드 소자 및 전극의 회로 패턴이 그대로 보이게 되어, 디자인적인 측면에서 심미성을 해치고 상품성을 떨어뜨리게 되는 문제점이 발생하고 있다.
본 발명은 상술한 바와 같이 기존의 포토다이오드 또는 발광다이오드 및 전극의 회로 패턴이 보이게 되는 문제점을 해결하기 위한 것으로, 다수의 더미를 패턴으로 형성하여 디자인적인 측면의 문제를 해결한, 더미 패턴이 형성된 감지 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 이하에서 설명할 내용으로부터 통상의 기술자에게 자명한 범위 내에서 다양한 기술적 과제가 포함될 수 있다.
상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 더미 패턴이 형성된 감지 장치는, 커버 기판, 상기 커버 기판 상에 형성되는 투명 전극, 상기 투명 전극 상에 형성되는 흡수층, 상기 흡수층 또는 상기 투명 전극 상에 형성되는 금속 전극, 상기 금속 전극이 형성되지 않은 부분에 패턴으로 형성되는 다수의 더미를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 더미 패턴이 형성된 감지 장치는, 상기 금속 전극 및 상기 다수의 더미가 동일한 금속으로 동시에 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 더미 패턴이 형성된 감지 장치는, 상기 다수의 더미가 패턴 형상이 랜덤 또는 의사-랜덤인 것을 특징으로 하며, 상기 다수의 더미는 패턴 형상이 메쉬 형상인 것을 특징으로 한다. 이 때, 본 발명의 일 실시예에 따른 더미 패턴이 형성된 감지 장치는, 상기 더미 형상이 삼각형, 정사각형, 직사각형, 평행사변형, 육각형 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
아울러, 본 발명의 일 실시예에 따른 더미 패턴이 형성된 감지 장치는, 상기 다수의 더미가 각각의 더미들이 서로 전기적으로 단절된 것을 특징으로 하며, 상기 다수의 더미는 일정 수의 더미들이 서로 전기적으로 연결되어 더미 묶음을 형성하는 것을 특징으로 한다. 이 때, 본 발명의 일 실시예에 따른 더미 패턴이 형성된 감지 장치는, 상기 각각의 더미 묶음들이 서로 전기적으로 단절된 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 더미 패턴이 형성된 감지 장치는, 상기 다수의 더미가 각각의 더미들의 크기가 1 μm 내지 10 mm인 것을 특징으로 하며, 상기 다수의 더미는 각각의 더미들 간의 간격이 1 μm 내지 100 μm인 것을 특징으로 한다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 더미 패턴이 형성된 감지 장치는, 상기 커버 기판이 전극 배선부, 수광부, 발광부 중 적어도 어느 하나가 형성되는 것을 특징으로 한다. 이 때, 상기 수광부 또는 발광부는, 박막 형태로 상기 커버 기판 상에 밀착하여 형성되는 것을 특징으로 하며, 상기 수광부 또는 발광부는 진공증착법, 스퍼터링, CVD, 인쇄공법 중 적어도 어느 하나의 방법을 이용하여 상기 커버 기판 상에 밀착하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 더미 패턴이 형성된 감지 장치는, 상기 수광부가 상기 커버 기판 상에 상기 투명 전극, 상기 흡수층, 상기 금속 전극이 차례로 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 더미 패턴이 형성된 감지 장치는, 상기 다수의 더미가 상기 발광부 상에는 형성되지 않는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 더미 패턴이 형성된 감지 장치는, 커버 기판 일체형 포토다이오드 소자를 제작하는 경우 회로전극 외의 더미 패턴을 형성하므로, 외관상 회로 패턴 및 PCB 기판을 보이지 않도록 하여, 감지 장치의 외관상 심미성을 향상시키고 상품성을 높일 수 있다.
또한, 본 발명의 더미 패턴이 형성된 감지 장치는, 더미 패턴을 형성하는 경우 금속 전극과 같은 재료를 이용하여 동시에 형성하므로, 더미 패턴을 별도로 형성하는 추가 공정이 불필요하여 제조 시간을 줄일 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명의 더미 패턴이 형성된 감지 장치는, 다양한 회로 디자인에도 적용이 가능할 수 있다.
또한, 본 발명의 더미 패턴이 형성된 감지 장치는, 발광부와 수광부를 커버 글래스커버 기판 상에 직접 형성하여, 센싱 거리를 짧게 하여 발광부의 강도 및 수광부의 감도를 증진시킬 수 있다.
한편, 본 발명의 더미 패턴이 형성된 감지 장치는, 심박 센서 및 거리 측정 센서에 적용될 수 있다.
또한, 본 발명의 더미 패턴이 형성된 감지 장치는, 더미 패턴이 커버 기판 상에 형성됨으로써 내부에서 발생할 수 있는 크로스토크(Crosstalk)를 차단할 수 있다.
도 1은 종래의 감지 장치를 나타내는 구성도이다.
도 2는 종래의 감지 장치를 나타내는 단면도이다.
도 3은 종래의 감지 장치와, 본 발명의 더미 패턴이 형성된 감지 장치를 비교한 예시도이다.
도 4는 본 발명의 더미 패턴이 형성된 감지 장치를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 더미 패턴이 형성된 감지 장치의 형성 방법을 나타내는 예시도이다.
도 6은 본 발명의 더미 패턴이 형성된 감지 장치가 종래 발명에 비하여 개선된 점을 나타내는 예시도이다.
도 2는 종래의 감지 장치를 나타내는 단면도이다.
도 3은 종래의 감지 장치와, 본 발명의 더미 패턴이 형성된 감지 장치를 비교한 예시도이다.
도 4는 본 발명의 더미 패턴이 형성된 감지 장치를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 더미 패턴이 형성된 감지 장치의 형성 방법을 나타내는 예시도이다.
도 6은 본 발명의 더미 패턴이 형성된 감지 장치가 종래 발명에 비하여 개선된 점을 나타내는 예시도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 '더미 패턴이 형성된 감지 장치'를 상세하게 설명한다. 설명하는 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 통상의 기술자가 용이하게 이해할 수 있도록 제공되는 것으로 이에 의해 본 발명이 한정되지 않는다. 또한, 첨부된 도면에 표현된 사항들은 본 발명의 실시 예들을 쉽게 설명하기 위해 도식화된 도면으로 실제로 구현되는 형태와 상이할 수 있다.
한편, 이하에서 표현되는 각 구성부는 본 발명을 구현하기 위한 예일 뿐이다. 따라서, 본 발명의 다른 구현에서는 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않는 범위에서 다른 구성부가 사용될 수 있다.
또한, 어떤 구성요소들을 '포함'한다는 표현은, '개방형'의 표현으로서 해당 구성요소들이 존재하는 것을 단순히 지칭할 뿐이며, 추가적인 구성요소들을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다.
또한, '제1, 제2' 등과 같은 표현은, 복수의 구성들을 구분하기 위한 용도로만 사용된 표현으로써, 구성들 사이의 순서나 기타 특징들을 한정하지 않는다.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.
도 1, 도 2는 종래의 감지 장치를 나타내는 구성도 및 단면도이다.
도 1, 도 2를 참조하면, 종래의 감지 장치(100)는 커버 기판(140) 상에 전극 배선부(110), 수광부(120), 발광부(130)의 구성이 포함될 수 있다. 특히, 수광부(120)의 경우 포토다이오드의 구성을 위하여 커버 기판(140) 상에 투명 전극(TCO; 150)을 형성하고, 투명 전극 상에 흡수층(160)과 금속 전극(170)을 형성하여 빛을 감지한 후 전기적인 신호를 생성하여 전송한다.
그런데, 도 2를 참조하면, 금속 전극(171, 172), 투명 전극(150) 등의 구성이 커버 기판(140) 쪽에서 바라보았을 때 최외각부에 보이는 커버이므로, 포토다이오드 소자 및 전극의 회로 패턴이 그대로 보이게 되어, 디자인적인 측면에서 심미성을 해치고 상품성을 떨어뜨리게 되는 문제점이 존재한다.
도 3은 종래의 감지 장치와, 본 발명의 더미 패턴이 형성된 감지 장치를 비교한 예시도이며, 도 4는 본 발명의 더미 패턴이 형성된 감지 장치를 나타내는 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 더미 패턴이 형성된 감지 장치는, 커버 기판(240), 투명 전극(250), 흡수층(260), 금속 전극(270, 271, 272)의 구성을 포함할 수 있으며, 다수의 더미(280)의 구성을 더 포함할 수 있다.
커버 기판(240)은 사용자의 터치 신호 또는 심박 신호 등 여러 신호들을 입력받을 수 있다. 이러한 커버 기판(240)은 기판 상에 바로 형성될 수도 있으며, 기판 상에 형성되는 별도의 격벽에 의해 지지되어 고정될 수도 있다.
이 때, 상기 커버 기판은 리지드(rigid)하거나 또는 플렉서블(flexible)할 수 있다. 예를 들어, 상기 커버 기판은 유리 또는 플라스틱을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 커버 기판은 소다라임유리(soda lime glass) 또는 알루미노실리케이트유리 등의 화학 강화/반강화유리를 포함하거나, 폴리이미드(Polyimide, PI), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 프로필렌 글리콜(propylene glycol, PPG) 폴리 카보네이트(PC) 등의 강화 혹은 연성 플라스틱을 포함하거나 사파이어를 포함할 수 있다.
또한, 상기 커버 기판은 광등방성 필름을 포함할 수 있다. 일례로, 상기 커버 기판은 COC(Cyclic Olefin Copolymer), COP(Cyclic Olefin Polymer), 광등방 폴리카보네이트(polycarbonate, PC) 또는 광등방 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등을 포함할 수 있다.
사파이어는 유전율 등 전기 특성이 매우 뛰어나 터치 반응 속도를 획기적으로 올릴수 있을 뿐 아니라 호버링(Hovering) 등 공간 터치를 쉽게 구현 할 수 있고 표면 강도가 높아 커버 기판으로도 적용 가능한 물질이다. 여기서, 호버링이란 디스플레이에서 약간 떨어진 거리에서도 좌표를 인식하는 기술을 의미한다.
또한, 상기 커버 기판은 부분적으로 곡면을 가지면서 휘어질 수 있다. 즉, 커버 기판은 부분적으로는 평면을 가지고, 부분적으로는 곡면을 가지면서 휘어질 수 있다. 자세하게, 상기 커버 기판의 끝단이 곡면을 가지면서 휘어지거나 Random한 곡률을 포함한 표면을 가지며 휘어지거나 구부러질 수 있다.
또한, 상기 커버 기판은 유연한 특성을 가지는 플렉서블(flexible) 기판일 수 있다. 또한, 상기 커버 기판은 커브드(curved) 또는 벤디드(bended) 기판일 수 있다. 즉, 상기 커버 기판을 포함하는 터치 윈도우도 플렉서블, 커브드 또는 벤디드 특성을 가지도록 형성될 수 있다. 이로 인해, 실시예에 따른 터치 윈도우는 휴대가 용이하며, 다양한 디자인으로 변경이 가능할 수 있다.
한편, 커버 기판(240)은 전극 배선부, 수광부, 발광부 중 적어도 어느 하나가 형성될 수 있다. 특히, 수광부를 형성하는 경우, 커버 기판(240) 상에 투명 전극(250), 흡수층(260), 금속 전극(270)의 순서로 차례로 형성할 수 있다.
이 때, 수광부 또는 발광부는 박막 형태로 커버 기판 상에 밀착하여 형성된다. 또한, 수광부 또는 발광부는, 진공증착법, 스퍼터링, CVD, 인쇄공법 중 적어도 어느 하나의 방법을 이용하여 상기 커버 기판 상에 밀착하여 형성될 수 있다.
진공 증착이나 패터닝 등을 이용하여 커버 기판 상에 매우 얇은 피박인 박막을 형성함으로써 커버 기판과 기판 사이의 간격을 최소화하며, 센서를 포함하는 전자 장치 자체의 두께를 얇게 하며 무게를 가볍게 만들 수 있는 장점이 있다. 또한, 커버 기판 위의 대상물과의 센싱 거리가 가까워지므로, 발광다이오드의 강도(intensity) 및 포토다이오드의 감도(sensitivity)가 증가할 수 있다. 또한, 종래의 센서와 동일한 구동전압으로 센싱 신호를 증가할 수 있으므로, 낮은 구동전압으로 기존과 동일한 성능을 구현할 수 있게 된다.
투명 전극(250)은 커버 기판 상에 형성된다. 이 때, 투명 전극은 투명 전도성 산화물(Transparent conducting oxide; TCO), 은나노와이어(sliver nanowire), 탄소나노튜브(carbon nanotube, CNT), 그래핀(graphene), 전도성 고분자(conducting polymer), 인듐 주석 산화물(indium tin oxide, ITO) 등 일반적으로 사용될 수 있는 높은 전도도와 우수한 투과도를 가지는 소재가 모두 사용될 수 있다.
흡수층(260)은 투명 전극 상에 형성되며, 광 신호 등을 수신하여 광전류 신호를 생성할 수 있도록 한다.
금속 전극(270, 271, 272)은 흡수층 또는 투명 전극 상에 형성된다. 이 때, 상기 금속 전극은 광의 투과를 방해하지 않으면서 전기가 흐를 수 있도록 투명 전도성 물질을 포함할 수 있다, 일례로, 상기 금속 전극은 인듐 주석 산화물(indium tin oxide), 인듐 아연 산화물(indium zinc oxide), 구리 산화물(copper oxide), 주석 산화물(tin oxide), 아연 산화물(zinc oxide), 티타늄 산화물(titanium oxide) 등의 금속 산화물을 포함할 수 있다.
또는, 상기 금속 전극은 나노와이어, 감광성 나노와이어 필름, 탄소나노튜브(CNT), 그래핀(graphene) 또는 전도성 폴리머를 포함할 수 있다.
또는, 상기 금속 전극은 다양한 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속 전극은 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 몰리브덴(Mo). 금(Au), 티타튬(Ti) 및 이들의 합금 중 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다. 또한, 상기 금속 전극 물질들을 혼합하여 사용할 수 있다.
한편, 금속 전극(270)이 형성되지 않은 부분에 패턴으로 다수의 더미(280)가 형성될 수 있다.
도 3a를 참조하면, 종래의 감지 장치의 경우 커버 기판(140) 상에 금속 전극(170)의 구성이 가장 위에 형성되어 있지만, 본 발명의 감지 장치는 도 3b와 같이 커버 기판(240) 위에 금속 전극(270)이 형성되며, 금속 전극(270)과 함께 패턴으로 형성되는 다수의 더미(280)가 형성될 수 있다.
다수의 더미를 형성하는 경우, 금속 전극과 동일한 금속으로 형성할 수 있으며, 금속 전극을 형성함과 동시에 다수의 더미를 함께 형성할 수 있다. 또한, 다수의 더미는 발광부 상에 형성되지 않고, 발광부의 광신호 조사를 방해하지 않을 수 있다.
이 때, 다수의 더미(280)는 여러 가지 형상의 패턴으로 형성될 수 있으며, 감지 장치의 설계자가 원하는 자유로운 형상의 패턴을 만들 수 있다. 또한, 다수의 더미는, 이격된 다수의 더미를 포함하여 일정한 간격과 형상을 가지고 배열될 수도 있으며, 다수의 더미 패턴 형상이 랜덤 또는 의사-랜덤으로 이루어져 불규칙적인 간격과 형상을 가지고 배열될 수도 있다.
또한, 본 발명의 더미 패턴이 형성된 감지 장치는, 메쉬 형상의 패턴을 형성할 수도 있다. 또한, 메쉬 형태로 나열된 더미들은 각각 삼각형, 정사각형, 직사각형, 평행사변형, 육각형 중 적어도 어느 하나로 이루어질 수 있다.
이러한 다수의 더미(280)들은, 각각의 더미들이 서로 전기적으로 단절된다. 더미는 도전성 재료로 형성되며, 더미와 전극이 맞닿게 되는 경우 수광부 또는 발광부의 단락(short)이 발생할 수 있기 때문에, 더미와 더미 사이는 전기적으로 단절시켜 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 다수의 더미(280)들은, 일정 수의 더미들을 서로 전기적으로 연결한 더미 묶음을 형성할 수 있다. 이러한 더미 묶음 또는 더미 다발이 커버 기판 상에 다수 형성될 수 있으며, 각각의 더미 묶음 또는 더미 다발이 서로 전기적으로 단절되어, 수광부 또는 발광부의 단락을 방지하도록 한다.
아울러, 다수의 더미들은 그 크기가 1 μm 내지 10 mm 인 것을 특징으로 한다. 더미 자체의 크기가 1 μm 이하인 경우, 커버 기판상에 제대로 형성할 수 없고, 더미와 더미 사이의 간격이 지나치게 좁아 단락될 수 있는 문제점이 발생한다. 또한, 더미 자체의 크기가 10 mm 이상인 경우, 투명 기판을 통과하여 광 신호를 수광하거나 발광할 때 더미에 가로막혀 송수신이 원활하지 않게 되는 문제점이 발생할 수 있다.
또한, 다수의 더미들은 각각의 더미들 간의 간격이 1 μm 내지 100 μm 인 것을 특징으로 한다. 더미 사이의 간격이 1 μm 이하인 경우, 더미와 더미 사이의 간격이 지나치게 좁아 단락될 수 있는 문제점이 발생한다. 또한, 더미 사이의 간격이 100 μm 이상인 경우, 본래 회로 디자인 및 배선을 가린다는 본 발명의 목적을 달성할 수 없는 문제점이 생긴다.
도 5는 본 발명의 더미 패턴이 형성된 감지 장치의 형성 방법을 나타내는 예시도이다.
도 5를 참조하면, 도 5a의 경우 본 발명의 더미 패턴이 형성된 감지 장치를 위에서 내려다본 모습이며, 도 5b의 경우 본 발명의 더미 패턴이 형성된 감지 장치를 측면에서 바라본 단면도이다.
먼저, 커버 기판(240)상에 투명 기판(250)을 형성하고, 투명 기판(250)상에 흡수층(260)을 형성한다. 이어, 흡수층(260) 또는 투명 기판(250) 위의 정해진 부분에 금속 전극(270)을 형성하며, 그와 동시에 금속 전극과 동일한 재료로 이루어지는 다수의 더미(280)를 패턴화하여 형성한다.
도 6은 본 발명의 더미 패턴이 형성된 감지 장치가 종래 발명에 비하여 개선된 점을 나타내는 예시도이다.
도 6을 참조하면, 종래 감지 장치의 경우 기판(191) 상의 발광부(190)와 커버 기판(140)상의 수광부를 포함한다. 이 때, 발광부로부터 조사된 빛은 여러 경로를 통해 수광부에 도달할 수 있는데, 위와 같이 커버기판(140)에 반사된 빛이 수광부에 도달할 수도 있게 된다. 그러나 이러한 경로를 따라 수광부에 도달한 빛은 소위 크로스토크라 일컬어지는 잡음신호(194)에 해당하는 것으로, 대상물에 반사된 뒤 수광부에 도달한 빛(193)과 달리 감지시 배제되어야 할 신호에 해당한다.
따라서, 본 발명의 더미 패턴이 형성된 감지 장치는 다수의 더미를 형성하여, 발광부로부터 조사되는 광 신호가 직접 수광부에 닿거나 커버 기판을 통해 반사되는 것을 방지하도록 한다.
위에서 설명된 본 발명의 실시 예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 이들에 의하여 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명에 대한 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정 및 변경을 가할 수 있을 것이며, 이러한 수정 및 변경은 본 발명의 범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
100: 종래의 감지 장치
110: 종래의 전극 배선부
120: 종래의 수광부
130: 종래의 발광부
140: 종래의 커버 기판
150: 종래의 투명 전극
160: 종래의 흡수층
170: 종래의 금속 전극
171: 종래의 금속 상부전극
172: 종래의 금속 하부전극
190: 종래의 발광부
191: 종래의 기판
192: 종래의 대상물
193: 종래의 발광부 정상 신호
194: 종래의 발광부 크로스토크
240: 커버 기판
250: 투명 전극
260: 흡수층
270: 금속 전극
271: 금속 상부전극
272: 금속 하부전극
280: 다수의 더미
290: 발광부
291: 기판
292: 대상물
293: 정상 신호
294: 크로스토크
110: 종래의 전극 배선부
120: 종래의 수광부
130: 종래의 발광부
140: 종래의 커버 기판
150: 종래의 투명 전극
160: 종래의 흡수층
170: 종래의 금속 전극
171: 종래의 금속 상부전극
172: 종래의 금속 하부전극
190: 종래의 발광부
191: 종래의 기판
192: 종래의 대상물
193: 종래의 발광부 정상 신호
194: 종래의 발광부 크로스토크
240: 커버 기판
250: 투명 전극
260: 흡수층
270: 금속 전극
271: 금속 상부전극
272: 금속 하부전극
280: 다수의 더미
290: 발광부
291: 기판
292: 대상물
293: 정상 신호
294: 크로스토크
Claims (15)
- 발광부가 형성된 기판;
상기 발광부로부터 방출되어 대상물에서 반사되는 광을 검출하는 수광부가 형성된 커버 기판;
을 포함하고,
상기 커버 기판은,
투명 전극과,
상기 투명 전극 상에 형성되는 흡수층과,
상기 흡수층 또는 상기 투명 전극 상에 형성되는 금속 전극과,
상기 금속 전극이 형성되지 않은 부분에 패턴으로 형성되는 다수의 더미를 포함하며,
상기 금속 전극 및 상기 다수의 더미는,
동일한 금속으로 동시에 형성되는, 더미 패턴이 형성된 감지 장치.
- 삭제
- 삭제
- 제 1항에 있어서,
상기 다수의 더미는,
패턴 형상이 메쉬 형상인, 더미 패턴이 형성된 감지 장치.
- 삭제
- 제 1항에 있어서,
상기 다수의 더미는,
각각의 더미들이 서로 전기적으로 단절된, 더미 패턴이 형성된 감지 장치.
- 제 1항에 있어서,
상기 다수의 더미는,
일정 수의 더미들이 서로 전기적으로 연결되어 더미 묶음을 형성하는, 더미 패턴이 형성된 감지 장치.
- 제 7항에 있어서,
상기 각각의 더미 묶음들이 서로 전기적으로 단절된, 더미 패턴이 형성된 감지 장치.
- 제 1항에 있어서,
상기 다수의 더미는,
각각의 더미들의 크기가 1 μm 내지 10 mm인, 더미 패턴이 형성된 감지 장치.
- 제 1항에 있어서,
상기 다수의 더미는,
각각의 더미들 간의 간격이 1 μm 내지 100 μm인, 더미 패턴이 형성된 감지 장치.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 1항에 있어서,
상기 수광부는,
상기 커버 기판 상에 상기 투명 전극, 상기 흡수층, 상기 금속 전극이 차례로 형성되는, 더미 패턴이 형성된 감지 장치.
- 제 1항에 있어서,
상기 다수의 더미는,
상기 발광부 상에는 형성되지 않는, 더미 패턴이 형성된 감지 장치.
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Citations (2)
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KR101976637B1 (ko) * | 2012-10-11 | 2019-05-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 터치 패널 및 이의 제조방법 |
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KR102187705B1 (ko) * | 2014-03-13 | 2020-12-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 터치 윈도우 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
-
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005110896A (ja) | 2003-10-07 | 2005-04-28 | Canon Inc | 指センサ |
KR101449493B1 (ko) * | 2014-04-14 | 2014-10-14 | 미래나노텍(주) | 더미 패턴이 구비된 터치스크린 패널 |
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