TWI608526B - 離子佈植機的維護方法 - Google Patents

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Description

離子佈植機的維護方法
本申請案主張於2012年10月5日提申的美國臨時專利申請案第61/710017號的優先權。該申請案的所有內容在此併入本案以供參考。
本發明是有關於一種離子佈植，且特別是有關於一種在離子佈植機中減少故障。
離子佈植是一種將能夠改變導電性的雜質引入到工件中的標準技術。所需的雜質材料是在離子源中離子化(ionized)，這些離子經加速以形成指定能量的離子束，然後離子束指向工件的表面。在離子束中的高能離子(energetic ion)穿透至工件材料塊體並嵌入至工件材料的晶格(crystalline lattice)中，而形成所需要的導電區域。
太陽能電池製造業關注的兩點為製造產量和電池效率。電池效率測量轉換為電能的能量的量。可能需要更高的電池效率 以在太陽能電池製造業保持競爭力。然而，製造產量不能為了增加電池的效率而犧牲。
離子佈植已證實為摻雜太陽能電池之可行方法。離子佈植的使用省去了現今技術所需製程步驟(例如擴散爐)。舉例來說，因為離子佈植僅摻雜所要的表面，如果使用離子佈植代替爐擴散，可省去雷射邊緣分離步驟。除了省去製程步驟外，已證實使用離子佈植可達到較高的電池效率。離子佈植也能夠對太陽能電池的整個表面進行毯覆式佈植(blanket implant)，或僅對部分的太陽能電池進行選擇性(或圖案化)佈植。使用離子佈植的高產量選擇性佈植避免用於爐擴散之高價且耗時的微影或圖案化步驟。選擇性佈植亦能實現新的太陽能電池設計。對於離子佈植機的製造產量或其可靠度的任何改良將有益於全世界的太陽能製造者。此可加速採用太陽能電池作為替代能源。
在離子佈植製程期間可能發生「故障」(glitches)。故障經定義為在離子佈植操作期間射束品質的突然減低，通常起因於操作電壓的變化。這樣的故障通常由沿著射束路徑之組件間的交互作用所引起，從而組件間的交互作用影響一個或多個的操作電壓且故障可能發生在沿著離子束路徑的多個位置上。舉例來說，離子佈植機一般沿著射束路徑而使用數個電極，電極使射束加速、使射束減速，或者抑制操作期間產生的亂真電子流(spurious streams of electrons)。這些電極中的每一者維持在預定電壓。通常，因不同電壓的電極位於彼此附近因此可能在電極之間發生電 弧(arcing)。雖然電弧亦可能發生於別處，但是一般而言，電弧發生在加速間隙(acceleration gaps)、減速間隙(deceleration gaps)、或者抑制間隙(suppression gaps)上。舉例來說，源萃取電壓(source extraction voltage)、源抑制電壓(source suppression voltage)與源射束電流(source beam current)之間的交互作用可能造成故障，該些故障可從電源供應器中的一者的電流之急劇改變而被偵測。若因故障而中斷或影響佈植，則被佈植的太陽能電池或其他工件可能受到負面影響或甚至可能呈現無法使用。舉例來說，太陽能電池可能因故障所引起的較低佈植而具有較低的效率。
在佈植期間使用含氟氣體可能會因為故障而限制產量。隨著含氟氣體例如三氟化硼(BF3)，上述故障可包括在佈植機中的不同電極之間(例如離子源與萃取電極之間)的電弧。任何在離子佈植機中減少故障的方法將增加產量且改善被佈植工件的品質。
本發明提供一種在離子佈植機中減少故障率(glitch rate)之方法。在一實施例中，進行電漿輔助調節(plasma-assisted conditioning)，其中修正施加至萃取電極的偏壓以抑制離子束的形成。增加供應至離子源中電漿產生器的功率，從而產生高密度電漿，該高密度電漿不被萃取電極所萃取，該電漿從離子源腔室延伸經過萃取孔，接著高能離子調節萃取電極。在另一實施例中，進行電漿輔助清潔(plasma-assisted cleaning)，在此模式下，將萃 取電極移動至離離子源腔室更遠的位置上且使用不同的源氣體來產生電漿。在一些實施例中，將該些模式的結合用來減少離子佈植機中的故障。
在第一實施例中，揭露一種離子佈植機的維護方法。該方法包括以正常操作模式操作離子佈植機持續第一時段；於第一時段後，進行第一電漿輔助調節以減少故障率，其中藉由修正施加至離子佈植機中的萃取電極的電壓來進行電漿輔助調節；第一電漿輔助調節後，以正常操作模式操作離子佈植機持續第二時段；以及於第二時段後，進行電漿輔助清潔，其中藉由修正離子源腔室與萃取電極之間的距離及修正離子源腔室所用的源氣體來進行電漿輔助清潔。
在第二實施例中，揭露一種離子佈植機的維護方法。該方法包括以正常操作模式操作離子佈植機；監測離子佈植機中的故障率，其中故障是由塗布配置於離子佈植機中的萃取電極的材料所造成；當監測到故障率超過預定臨界值時，中斷正常操作模式而進行電漿輔助調節以減少故障率，其中藉由修正施加至離子佈植機的萃取電極的電壓來進行電漿輔助調節；以及當萃取電極上的材料的厚度經測定而超過預定值時，進行電漿輔助清潔，其中藉由修正離子源腔室與萃取電極之間的距離及修正離子源腔室所用的源氣體來進電漿輔助清潔行。
在第三實施例中，揭露一種離子佈植機的維護方法。該方法包括以正常操作模式操作離子佈植機，其中源氣體經供應至 離子源腔室，以第一功率準位操作離子佈植機中的電漿產生器，且對離子佈植機的萃取電極施加第一組偏壓，相較於施加至離子源腔室的壁的電壓，第一組偏壓具有較大的負電壓，以便於形成離子束；監測離子佈植機中的故障率，故障是由塗布配置於離子佈植機中的萃取電極的材料所造成；當監測到故障率超過預定臨界值時，中斷正常操作模式而進行電漿輔助調節以從萃取電極移除材料，其中在電漿輔助調節間，以大於第一功率準位的第二功率準位操作電漿產生器，且對萃取電極施加第二組偏壓的負偏壓，相較於第一組偏壓，第二組偏壓具有較小的負電壓，使不形成離子束；以及當萃取電極上的材料的厚度經測定而超過預定值時，進行電漿輔助清潔，其中在電漿輔助清潔期間，萃取電極從其正常位置移動至離離子源腔室更遠的位置上，且其中將源氣體改變為清潔氣體(cleaning gas)。
100、101、102‧‧‧線
300‧‧‧離子源
301‧‧‧離子源腔室
302‧‧‧腔室壁
305‧‧‧萃取孔
307‧‧‧面板
308‧‧‧萃取區域
310‧‧‧萃取電極
310a‧‧‧抑制電極
310b‧‧‧接地電極
320‧‧‧離子束
330‧‧‧源電漿
350‧‧‧電漿
370‧‧‧清潔電漿
為了更清楚地理解本發明，將參考附圖，這些附圖已併入本文作為參考。
圖1是表示第一實施例中隨著時間推移的故障率、產量及經處理晶圓的數量之圖表。
圖2是表示第二實施例中隨著時間推移的故障率、產量及經處理晶圓的數量之圖表。
圖3A說明代表性離子佈植機所用的一些組件。
圖3B說明在電漿輔助調節循環期間的圖3A的離子佈植機。
圖3C說明在電漿輔助清潔循環期間的圖3A的離子佈植機。
本文所描述之該些方法與離子佈植機有關聯。然而，這些方法可與涉及半導體製造業的其他系統或製程一起使用、或者與使用電漿或離子束的其他系統一起使用。因此，本發明不限定於下述所描述的具體實施例。
當材料積聚在離子佈植機中的萃取電極上時，故障率(或故障頻率(frequency of glitching))增加。材料的積聚可能「粗化」電極的表面。經粗化的表面可能增加局部的靜電場，其可能導致電弧。
圖3A表示代表性離子佈植機的多個組件，包括離子源300與一個或多個萃取電極310，該萃取電極310配置於離子源300的萃取孔305的附近。離子源包括由多數個腔室壁302所定義的離子源腔室301，離子源可包括通過例如經由射頻天線(RF antenna)的能量的介電質窗(dielectric window)(未繪示)，將該能量注入至離子源腔室301。在另一實施例中，在離子源腔室301中的間接加熱電極(indirectly heated cathode，IHC)可被用來產生電漿330。當然，其他機構亦可被用來產生離子源腔室301中的電漿330。不同的機構，包括射頻天線、間接加熱電極、伯納加熱器(Bernas heater)及本領域所習知之其他裝置可被用來做為電漿產生器。離子源腔室 301的一個或多個腔室壁可由導電材料所製成，因此可施加偏壓至該些腔室壁302。稱為面板(faceplate)307的該些導電腔室壁的其中之一，其包括萃取孔305，在離子源腔室301中產生的離子可通過萃取孔305。透過射束光學的使用將該些離子導向工件，射束光學包括面板307及萃取電極310。舉例來說，萃取電極310可包括抑制電極310a及接地電極310b。在正常操作期間，可對離子源腔室301的腔室壁302施加正常操作電壓的偏壓(例如大約+10kV)。當然，亦可使用其他電壓且該揭示內容不限定於此實施例。抑制電極310a可被施以更負的電位(例如大約-36kV)。接地電極310b可被施以較小的負偏壓的偏壓(例如-30kV)。該組的偏壓可稱為正常操作電壓。在正常操作期間，將通常包含一種或多種所需的摻質的源氣體透過噴嘴(未繪示)進料至離子源腔室301。該源氣體的流量可約為5sccm。例如將射頻天線或間接加熱電極的電漿產生器用來激發源氣體以及在離子源腔室301中產生電漿330。施加至萃取電極310的負電壓吸引通過萃取孔305的正離子而形成離子束320。當然，可使用其他電壓及流量且揭露內容並不限定於特定實施例。
有兩種不同的方法可用來減少故障率。第一，可進行電漿輔助調節。電漿輔助調節通常花少於一分鐘，但在其他實施例中可能花更長的時間。
如圖3B所示，在電漿輔助調節期間，電漿350邊界振盪且從離子源腔室301內延伸至萃取孔305與抑制電極310a及接地 電極310b之間的萃取區域308。為了起始調節，可修正施加至萃取電極310的電壓。舉例來說，在一實施例中，相較於正常操作期間所用的電壓，上述偏壓可具有小得多的負電壓。舉例來說，在一實施例中，當接地電極310b的偏壓為0V，則抑制電極310a可被施以-6kV的偏壓。在另一實施例中，施加至抑制電極310a的偏壓亦可為0V。該些經減少的偏壓在產生離子束上是不起作用的。在一些實施例中，電漿產生器可以閉合迴路(closed loop)的方式操作，使得功率準位基於所量測的離子束電流(ion beam current)而調變。因此，在本實施例中，當試圖保持所需的離子束電流時，施加至萃取電極310之偏壓的修正可能造成額外的功率而供應至電漿產生器。該功率的增加可能在離子源腔室301內產生高密度的電漿。在另一實施例中，電漿產生器可以開放迴路(open loop)的組態操作。在此實施例中，可調變施加至電漿產生器的功率而產生本文所描述的效果。在電漿輔助調節期間，對離子源腔室301的腔室壁302及面板307施加其正常操作的偏壓，或者施加不同的偏壓(例如0V)。
隨著電漿產生器試圖保持所需的萃取電流(extraction current)，高密度電漿隨著修正的萃取電壓而造成電漿350振盪。反過來說，此造成電漿電位及電漿邊界振盪。該振盪電漿在萃取區域308(即，面板307與萃取電極310之間的區域)形成振盪偏壓。延伸的電漿與偏壓的結合造成離子撞擊外圍的萃取電極310。該機制稱為電漿輔助調節。在經過所需的時間後，萃取電極310及離 子源腔室301的腔室壁302的偏壓恢復至其正常操作電壓，且再一次形成離子束320。此短暫的中斷不會改變製程氣體、源條件或射束光學。因此，原始的離子束320可於近似兩分鐘或在一些些實例中以更少的時間復原。在一些實施例中，於少於一分鐘內完成調節。該調節可從萃取電極310移除某些材料。然而，在一些實施例中，在調節期間中使用的短期間(short duration)及低電壓可能無法移除顯著的材料量。更確切地說，可僅調節萃取電極310的表面，從而該些表面可變得比開始調節之前更平滑。換句話說，藉由電漿輔助調節可使得在萃取電極310的表面上的小峰(small peak)平滑，電弧通常起源於該小峰。表面的平滑度可減少電弧的傾向，因而減少故障率。可能的是，若材料具有一定厚度時，則電漿輔助調節可能無法移除所有的材料，或者依所期望的影響故障率。在一個實例中，厚度大約為100微米的材料可能太厚而無法完全利用電漿輔助調節移除。當然，電漿輔助調節的參數改變是可能可移除較厚的材料沉積物。
在電漿輔助調節的一特定實施例中，當將間接加熱電極用來作為電漿產生器時，用於離子源300的間接加熱電極的電弧電流在20A至40A之間振盪而其他偏壓維持常數(例如0V)。這表示源電漿密度、電漿電位及電漿邊界隨著時間推移而改變，造成源離子朝向萃取區域308在不同角度被拉出。隨著源/萃取的溫度提高，撞擊萃取電極310的表面的離子的機械振盪可移除沉積於萃取電極310的表面的某些材料。這重置了故障表現，特別在離 子束操作的初始階段期間。這可能是特別使用硼離子束，例如由BF3所產生的離子束。這可能是因氟離子的化學能力而從萃取電極310移除先前沉積的材料。
第二，可進行電漿輔助清潔。這通常是使用氬電漿濺射各種表面的清潔製程，但也可使用其他貴重氣體(noble gas)、其他惰性氣體(inert gas)或其他物種。通常需要15至60分鐘之間，但更長或更短的清潔製程是可能的。與電漿輔助調節相比，可能需要額外的時間來改變源氣體及射束光學裝置。舉例來說，重置成所需要的佈植物種是需要額外的15至60分鐘。在一些實施例中，電漿輔助清潔需要改變源氣體。如上所述，對於電漿輔助清潔，適合的氣體可包括貴重氣體，例如氬氣。該清潔氣體的流量可與正常操作模式下所用的流量相同，例如5sccm。如圖3C所示，這用來產生清潔電漿370。
此外，如圖3C所示，萃取電極310可相對於離子源腔室301實體地移動。在本實施例中，萃取電極310從離子源腔室301進一步遠離，且特別是從面板307。舉例來說，在正常操作模式期間，抑制電極310a距離面板307可約為10mm。在電漿輔助清潔期間，此間隔距離可增加至例如22mm。此外，如上所述，相對於電漿輔助調節，可將施加至腔室壁302、離子源腔室301的面板307及萃取電極310的偏壓修正。舉例來說，在一實施例中，接地電極310b、腔室壁302及面板307的偏壓可全為0V。抑制電極310a相對於該些組件可為負偏壓，例如-3kV。另外，可將供應 至電漿產生器的功率修正。由於萃取電極310從面板307遠離，因此在正常操作下進行時，萃取電極無法吸引正離子。因此，當使用閉合迴路控制時，因為試圖維持所需的離子束電流，將施加至電漿產生器的功率增加。在開放迴路的組態下，額外功率可施加至電漿產生器而產生所需的高密度電漿。雖然相較電漿輔助調節而言期間更長，電漿輔助清潔可從萃取電極310上移除電漿輔助調節可能無法移除或可能無法在合理的時間內移除的沉積物。因電漿輔助清潔可使用濺射機制，其效果可正比於能量、密度及時間。在一特定實施例中，經濺射材料塗布於抑制電極310a的前表面(即，面向萃取孔305的表面)，其覆蓋在已經沉積於萃取電極310a的前表面的粒子上且這些粒子可造成故障率提升。
換句話說，揭露兩種不同在萃取區域308重置故障表現的方法。稱為電漿輔助調節的第一方法經由源電漿330的操控調節萃取電極310，且藉由修正施加至電漿產生器的功率，以及藉由修正施加至離子源腔室301及萃取電極310的偏壓。在此方法期間，不修正源氣體而允許快速轉換回操作模式。作為在調節模式下完成，稱為電漿輔助清潔的第二方法改變施加至各種組件的電壓。然而，除此之外，產生電漿的源氣體經改變而增加從萃取電極移除材料的能力。此外，將萃取電極310的實體位置修正而允許更完整的清潔。
在使用B+離子束的一實驗例中，進行一分鐘的電漿輔助調節使故障率從67/hr減少至30/hr。對於B+離子束，進行一小時 的氬電漿輔助清潔使故障率從80/hr減少至38/hr。在另一測試中，故障率減少約為34/hr至約為8/hr。使用各自方法的好處是可與相對期間各自進行或相對產量各自影響相比。
圖1是表示第一實施例中隨著時間的故障率、產量及晶圓處理的數量之圖表。在本實施例中，在時間TCL進行電漿輔助清潔。TPM表示離子源300及萃取電極310的預防性維護(preventative maintenance)，在一實例中需要3至4小時之間的時間。
在一實施例中，預防性維護涉及離子源腔室通氣、清潔或更換離子源300的零件、將離子源腔室抽真空、以及接著校正離子束320。線100表示使用圖1說明之方法的晶圓處理的數量。T2a至T2c表示清潔之間連續的射束操作時段(即，如圖3A所示的操作模式)。在一些實施例中，T2a至T2c的期間是預定的。舉例來說，連續的射束操作時段的期間可基於操作參數而設定，例如所用的源氣體的類型及所需要的離子束電流。在另一實施例中，每一個連續的射束操作時段的期間比前一個短。這可能是因為清潔可能無法從萃取電極310移除所有的材料，因此每次材料堆積物發生得更快速。在其他實施例中，清潔的初始可基於故障偵測器而決定。如此，當故障率超過預定率(predetermined rate)時，進行清潔。故，預定時間時段與連續的射束操作時段T2a至T2c是沒有關聯的。
作為比較，線101表示若只進行預防性維護而沒有電漿 輔助清潔的晶圓處理的數量。注意的是沒有週期性清潔，則隨著障率不斷的增加，總產量減少。舉例來說，即使在清潔期間沒有工件經過處理，使用電漿輔助清潔(線100)的總產量仍大於只使用預防性維護(線101)的產量。此外，兩個TCL的整體停工時間(down time)短於TPM。
作為另一實例，考慮硼射束電流在60mA下操作。在此種情況下，每60小時應置換源，需花約3小時回到全面運作。使用電漿輔助清潔，源可用少於1小時的總中斷時間持續至少120小時。因此，可以改善工具的正常運行時間的95%至97%。
在一些實施例中，在固定時間的間隔進行預防性維護，例如每96小時。在其他實施例中，在每N次清潔後可進行預防性維護，其中N為可配置的值。在如圖1所示的實例中，指定N的值為2。在又一實施例中，若之前連續的射束操作時段的期間(即，T2c)少於預定臨界值，則可進行預防性維護。當連續的射束操作基於故障率經決定而可使用此實施例。換句話說，若之前清潔端與故障率超過該預定臨界時的時間之間的期間太短，則可假定清潔不再有效果。在此種情況，可進行預防性維護。在另一實施例中，基於離子佈植機的操作狀況可啟動預防性維護。舉例來說，在一實施例中，一旦故障率超過預定臨界值或者產量下降至低於預定臨界值，可排定預防性維護。
此外，亦注意的是儘管未示於圖示，藉由較頻繁的預防性維護所達到的產量可能少於示於線100的產量。舉例來說，與 TCL相比，由於TPM的長持續期間(long duration)，進行預防性維護而非電漿輔助清潔可能減少總產量。亦即，儘管預防性維護從萃取電極310移除材料可能比電漿輔助清潔較有效果，但其長持續期間最後可能減少產量。
圖2是表示第二實施例中隨著時間的故障率、產量及晶圓處理的數量之圖表。本實施例中利用電漿輔助調節及電漿輔助清潔的結合，電漿輔助清潔是由TCL所表示且電漿輔助調節是由TSC所表示。T3a至T3g表示調節或清潔之間的連續的射束操作時段(即，如圖3A所示的操作模式)。電漿輔助調節可移除萃取電極310上的某些材料堆積物且可與電漿輔助清潔結合。此兩方法的結合可經結合而增加產量及晶圓處理的數量。線102表示使用如圖2說明的結合電漿輔助清潔及電漿輔助調節的方法的晶圓處理的數量，線102可與圖1的線101或線100相比。在圖2中看出，線102所示的結合方法提供最高的晶圓處理的數量。電漿輔助調節的使用只需花1至2分鐘，且對產量的影響明顯地小於電漿輔助清潔。
在一些實施例中，電漿輔助調節發生在預定時間間隔。在另外一些實施例中，對於每一後續的連續的射束操作時段，該時間間隔可減少。這可能是因為調節可能無法移除萃取電極310的所有材料，所以每次材料堆積物發生得更快速。在其他實施例中，電漿輔助調節藉由超過預定臨界值的故障率的偵測而被啟動。
在一些實施例中，在電漿輔助調節進行預定數量後，發 生電漿輔助清潔。換句話說，在N次電漿輔助調節後可發生電漿輔助清潔，其中N為可配置的值。在另一實施例中，電漿輔助調節基於故障率而啟動。在此實施例中，當兩連續的電漿輔助調節之間的時間少於預定時間時，電漿輔助清潔可被啟動。這可能意味著以從萃取電極310移除有效的材料以降低的故障率來說，調節變得沒有效果。再者，在此實施例中，當兩電漿輔助清潔之間的時間少於預定時間時，預防性維護可被啟動。另外，基於兩電漿調節輔助之間的時間，預防性維護可被啟動。
在其他實施例中，在特定數量的清潔或特定數量的調節與清潔後，可進行預防性維護。在又一實施例中，在特定時間區間(例如96小時)後可進行預防性維護，且不被清潔及調節的數量或頻率所影響。
在圖2的特定實施例中，在電漿輔助清潔前進行三個電漿輔助調節步驟。三個電漿輔助調節及一個電漿輔助清潔的循環重覆兩次。然而，電漿輔助清潔的第二時間被預防性維護所取代。當然，該些步驟的其他變化或結合是可能的且圖2只是作為實例說明。舉例來說，可以相似數量的電漿輔助清潔或預防性維護步驟進行額外的電漿輔助調節。
本揭露內容並不限於本文中所述特定實施例的範疇。確切而言，由先前描述及所附圖式而來的其他各種實施例及對本揭露內容之修正，除已揭露於此者，對於所屬技術領域中舉通常知識者而言將為顯而易見的。因此，這些其他實施例與修正意欲落 入本揭露內容之範疇。此外，雖然本揭露內容已於上下文中為特定目的、於特定環境下的特定實施而於此說明，所屬技術領域中具有通常知識者將理解其實用性並不限於此，且可在任何數目環境中為任何數目之目的而受益地實施本揭露內容。因此，以下所提出之申請專利範圍應以如描述於此之本揭露內容的完整廣度及精神理解之。
100、101、102‧‧‧線

Claims (15)

  1. 一種離子佈植機的維護方法，包括：以正常操作模式操作所述離子佈植機持續第一時段，其中以第一功率準位激發電漿產生器，以便於在離子源腔室中產生電漿；於所述第一時段後，進行第一電漿輔助調節以減少故障率，其中藉由修正施加至所述離子佈植機中的萃取電極的電壓且藉由以大於所述第一功率準位的功率準位操作所述電漿產生器來進行電漿輔助調節，使所述電漿從所述離子源腔室內延伸至所述離子源腔室與所述萃取電極之間的萃取區域；於所述第一電漿輔助調節後，以正常操作模式操作所述離子佈植機持續第二時段；以及於所述第二時段後，進行電漿輔助清潔，其中藉由修正所述離子源腔室與所述萃取電極之間的距離及修正所述離子源腔室中所用的源氣體來進行電漿輔助清潔。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的離子佈植機的維護方法，其中監測所述離子佈植機的所述故障率，且當所述監測故障率超過第一臨界值時，啟動所述第一電漿輔助調節。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的離子佈植機的維護方法，更包括：於所述第二時段後，進行第二電漿輔助調節；於所述第二電漿輔助調節後，以正常操作模式操作所述離子佈植機持續第三時段，且其中於所述第三時段後，進行所述電漿 輔助清潔。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的離子佈植機的維護方法，監測所述離子佈植機的所述故障率，且當經監測的所述故障率超過第一臨界值時，啟動所述第一電漿輔助調節及所述第二電漿輔助調節。
  5. 如申請專利範圍第3項所述的離子佈植機的維護方法，其中所述第一時段包括第一預定時間區間且所述第二時段包括第二預定時間區間，其中所述第二預定時間區間小於所述第一預定時間區間。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的離子佈植機的維護方法，其中所述進行電漿輔助調節及所述以正常操作模式操作各自進行預定的次數，且其中在所述預定次數後，啟動所述電漿輔助清潔。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的離子佈植機的維護方法，其中修正施加至所述萃取電極的所述電壓包括對所述萃取電極施加偏壓，相較於所述正常操作模式期間所用的電壓，所述偏壓具有較小的負電壓。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的離子佈植機的維護方法，其中修正所述距離包括增加所述離子源腔室與所述萃取電極之間的所述距離。
  9. 一種離子佈植機的維護方法，包括：以正常操作模式操作所述離子佈植機，其中以第一功率準位激發電漿產生器，以便於在離子源腔室中產生電漿； 監測所述離子佈植機中的故障率，故障由塗布配置於所述離子佈植機中的萃取電極的材料所產生；當經監測的所述故障率超過預定臨界值時，為了減少所述故障率，中斷所述正常操作模式而進行電漿輔助調節，其中藉由修正施加至所述離子佈植機中的所述萃取電極的電壓且藉由以大於所述第一功率準位的功率準位操作所述電漿產生器來進行所述電漿輔助調節，使所述電漿從所述離子源腔室內延伸至所述離子源腔室與所述萃取電極之間的萃取區域；以及當於所述萃取電極上的材料的厚度經測定而超過預定值時，進行電漿輔助清潔，其中藉由增加離子源腔室與所述萃取電極之間的距離及修正所述離子源腔室中所用的源氣體來進行所述電漿輔助清潔。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的離子佈植機的維護方法，其中基於進行所述電漿輔助調節的次數來做所述測定。
  11. 如申請專利範圍第9項所述的離子佈植機的維護方法，其中當連續的所述電漿輔助調節之間的時間的區間小於預定值時，做所述測定。
  12. 如申請專利範圍第9項所述的離子佈植機的維護方法，其中修正施加至所述萃取電極的所述電壓包括對所述萃取電極施加偏壓，相較於所述正常操作模式期間所用的電壓，所述偏壓具有較小的負電壓。
  13. 一種離子佈植機的維護方法，包括： 以正常操作模式操作所述離子佈植機，其中源氣體經供應至離子源腔室，以第一功率準位操作所述離子佈植機中的電漿產生器，且對所述離子佈植機的萃取電極施加第一組偏壓，相較於施加於所述離子源腔室的壁的電壓，所述第一組偏壓具有較大的負電壓，以便於形成離子束；監測所述離子佈植機中的故障率，故障是由塗布配置於所述離子佈植機的所述萃取電極的材料所產生；當經監測的所述故障率超過預定臨界值時，中斷所述正常操作模式而進行電漿輔助調節，進而從所述萃取電極移除材料，其中在所述電漿輔助調節間，以大於所述第一功率準位的第二功率準位操作所述電漿產生器，且對所述萃取電極施加第二組偏壓，相較於所述第一組偏壓，所述第二組偏壓具有較小的負電壓，使不形成離子束；以及當於所述萃取電極上的材料的厚度經測定而超過預定值時，進行電漿輔助清潔，其中在所述電漿輔助清潔期間，所述萃取電極從其正常位置移動至離所述離子源腔室更遠的位置上，且其中將所述源氣體改變為清潔氣體。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的離子佈植機的維護方法，其中基於進行所述電漿輔助調節的次數來做所述測定。
  15. 如申請專利範圍第13項所述的離子佈植機的維護方法，其中當連續的所述電漿輔助調節之間的時間的區間小於預定值時，做所述測定。
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