TWI603161B - 用於投影曝光設備產生使用輸出光束的ｅｕｖ光源 - Google Patents

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Description

用於投影曝光設備產生使用輸出光束的EUV光源 【交互參照相關申請】
德國專利申請案DE 10 2013 202 590.4之內容併入文中作為參考。
本發明係關於為了投影微影用於投影曝光設備產生EUV(極紫外光)照明光之使用輸出光束的EUV光源。再者，本發明係關於用於此種光源的使用偏振設定裝置、包含此種光源的照明系統、包含此種照明系統的光學系統、包含此種光學系統的投影曝光設備，以及使用此種投影曝光設備製造微米和/或奈米結構化構件的方法。
從WO 2009/121 438 A1內容已知包含一照明系統的投影曝光設備。從DE 103 58 225 B3內容已知EUV光源。在WO 2009/121 438 A1中可找到已知EUV光源的進一步參考。從US 2003/0043359 A1和US 5,896,438更已知EUV照明光學單元。從US 6,999,172 B2和US 2008/0192225 A1已知用於產生偏振EUV光和用於幾何偏振旋轉的變化例。
本發明之目的係開發EUV光源，以提供用於解析度最佳化照明的改良輸出光束。
此目的藉由包含申請專利範圍第1項中所明確說明的該等特徵的EUV光源根據本發明達成。
已認可線性偏振EUV照明光尤其適用於解析度最佳化照明。根據本發明的該使用偏振設定裝置提供形式為使用輸出光束的此種線性偏振EUV照明光。由此提供產生具有初始任意可預定義偏振方位的線性偏振光之可能性。如此產生具有該偏振設定所造成最低可能透射損失的偏振預定義。該光源之EUV產生裝置可體現為一波盪器(undulator)。該波盪器之偏轉磁體以可位移的方式製作。該等偏轉磁鐵之位移可用於產生圓形地或橢圓形地偏振的原始輸出光束。該EUV光源可用於以具有至少局部線性偏振的照明裝置之出射光瞳的該使用輸出光束實現照明場之照明。尤其是，使用照明光學單元之下游構件使得可能以使用輸出光束達成照明場之切向偏振照明(TE偏振)。在該切向偏振照明之情況下，使用輸出光束之線性偏振方向總是偏振垂直於該照明場上的入射平面，而無關於該照明角度。EUV光源還使得可能設定由於偏振設定故排除額外透射損失的線性偏振偶極照明。在此種線性偏振偶極照明之情況下，照明場從兩個主要方向照明，在每種情況下線性偏振照明光皆從該等兩個主要方向入射該照明場。
EUV光源可以基於電子束方式體現，例如基於自由電子雷射(Free electron laser，簡稱FEL)作為X光源。或者，EUV光源亦可體現為一電漿源，其中該EUV輻射借助於驅動電射源(LPP源)或借助於氣體放電源 (GDPP源)之任一者而產生。同步加速器亦可用作EUV光源。在基於電子束EUV光源之情況下，可有效產生圓形地或橢圓形地偏振的EUV原始輸出光束。
EUV光源可具有用於在該EUV原始輸出光束之圓形偏振與橢圓形偏振之間進行轉換的一轉換單元。此轉換單元可藉由波盪器之偏轉磁鐵之對應設置而實現。使用偏振設定裝置和尤其該相位延遲構件可設計為包含複數或多重性(multiplicity)個別層的多層設置，其中不同材料之個別層彼此跟接。使用的材料可包括材料鉬(Mo)、釕(Ru)、碳化硼(B4C)或矽(Si)之至少兩者。該等個別層可製造得非常薄使得該多層設置具有小於1μm數量級之整體厚度，亦即總層厚度。尤其是，該總層厚度可以係數個100nm數量級，且例如，可以在200nm與500nm之間的範圍內。例如，可使用此種類型之10到200層個別層，尤其此種個別層之10到100層，例如，此種個別層之20到50層。
根據申請專利範圍第2項的淨相位移位可以EUV照明光之相對低損失實現。該淨相位移位顧及在重疊以形成原始輸出光束之偏振的該等兩個線性偏振波之相位之間的差異之情況下的2π之整數倍(相當於波長λ)無效的事實。淨相位移位因此總是小於2π。使用偏振設定裝置的偏振設定可藉由雙折射的EUV光學單元透過所需總雙折射之分離而最佳化，例如，在每個皆具有較小相位移位效應(例如，在每種情況下波長λ之1/8的範圍內)的各種相位移位個別構件之中，在EUV照明光之使用輸出光束之半個波長λ的範圍內的淨相位移位。如此可更導致使用輸出光束之強度損失之降低。
EUV原始輸出光束可圓形地偏振。原始輸出光束之圓形偏 振已證實係適合產生預定義照明偏振幾何形狀的輸出偏振。
根據申請專利範圍第3項的至少一個反射相位延遲構件可以對於EUV照明光的低通過量損失實現。
根據申請專利範圍第4項的具有淨相位移位的反射塗佈提供以特別低的透射損失影響偏振之可能性。該淨相位移位可小於λ/5、λ/6、λ/7，例如可以係λ/8且甚至可更小，例如λ/10、λ/12、λ/16或甚至更小。如以上已說明過，該反射塗佈可進而製作成多層設置。
具有根據申請專利範圍第5項以可旋轉方式設置的至少一個相位延遲構件，可能由該相位延遲構件預定義線性偏振設定之方向。對應的可旋轉設置亦可在透射相位延遲構件之情況下實現。
根據申請專利範圍第6項的反射相位延遲構件之並聯設置促成原始輸出光束之部分光束以預定義方式受到不同影響，並因此促成定義不同地偏振的使用部分光束。該等反射相位延遲構件在其預定義相位影響效應的各自光軸之對準方面可不同。在此種配置之情況下，不同地偏振的使用部分光束甚至可在相位延遲構件之靜態設置之情況下產生。例如，使用部分光束之不同線性偏振依入射哪個反射相位延遲構件而定發生。
根據申請專利範圍第7項的光學選擇構件在偏振之預定義上增加彈性。該光學選擇構件可由原始輸出光束之光束路徑中的至少一個可傾斜鏡實現。
在根據申請專利範圍第8項的反射相位延遲構件之串聯設置之情況下，可能將相位移位效應分散到數個相位延遲構件之間，使得個別相位延遲構件可與甚至更小的淨相位移位起作用，例如小於λ/10、可以係 λ/16且甚至可更小的淨相位移位。如此小的淨相位移位可以用於各自相位延遲構件的材料或材料組合之相對顯著多重性實現。
根據申請專利範圍第9項的透射相位延遲構件之優勢與以上參照反射相位延遲構件已說明者一致。用於在每種情況下影響局部光束的複數個透射相位延遲構件，亦即串聯設置，或者用於影響不同部分光束的複數個透射相位延遲構件之並聯設置亦可能。如此複數個透射相位延遲構件可進而個別可旋轉或具有預定義相位影響效應的不同定向光軸。
根據本發明的使用偏振設定裝置之相位延遲構件之淨相位移位亦可由磁光克爾效應(magneto-optical Kerr effect)引起。該照明及成像光之偏振特性尤其可經由該鏡之形成磁場的反射面受到磁光克爾效應、表面磁光克爾效應、繞射磁光克爾效應、非線性磁光克爾效應或磁電效應影響。在此種情況下，可能使用從關於磁光克爾效應的文獻已知的材料及鏡和/或磁場幾何形狀。其範例可在文獻中找到，尤其《科學儀器評論(Review of Scientific Instruments)》2000年第3期第71冊1243到1255頁Qiu等人和《使用超快高次諧波EUV光探討磁光克爾效應(Magneto-Optical Kerr Effect probed using Ultrafast High-Order Harmonic EUV Light)》2009年USA(美國)/CLEO/IQEC La-O-Vorakiat等人的文件CPDA5.pdf。
根據申請專利範圍第10項的使用偏振設定裝置之優勢與以上有關EUV光源已說明者一致。
根據申請專利範圍第11項和第12項的照明系統、根據申請專利範圍第13項的光學系統、根據申請專利範圍第14項的投影曝光設備、根據申請專利範圍第15項的製造方法以及由此製造的微米和/或奈米結構化構 件之優勢與以上參照根據本發明的EUV光源已說明者一致。該微米和/或奈米結構化構件尤其可以係半導體組件，例如微晶片，尤其記憶體晶片。該光學系統之投影光學單元之像側數值孔徑可大於0.4並可大於0.5。
使用偏振設定裝置可以係EUV光源之一部分，但根據申請專利範圍第12項亦可以係照明光學單元之一部分。
作為照明光學單元之一部分的使用偏振設定裝置可以如同以上有關作為EUV光源之一部分的使用偏振設定裝置已說明的相同方式體現。同樣在作為照明光學單元之一部分的使用偏振設定裝置之情況下，可產生小於EUV照明光之使用輸出光束之半個波長的使用偏振設定裝置或其個別構件之淨相位移位。用於從圓形地或橢圓形地偏振的輸入光產生至少局部線性偏振的偏振設定之通則，可在光源側上產生使用輸出光束之情況下或在穿越照明光學單元的原始輸出光束之進一步過程中皆實現。
1‧‧‧投影曝光設備
2‧‧‧光或輻射源
2a‧‧‧電子束供應裝置
2b‧‧‧電子束
2c‧‧‧EUV產生裝置
3‧‧‧使用輻射光束
3i‧‧‧照明光部分光束
4‧‧‧孔徑角
5‧‧‧照明光學單元
6‧‧‧掃描裝置
7‧‧‧中間聚焦平面
8‧‧‧場鏡面反射鏡
9‧‧‧光瞳鏡面反射鏡
10、11、12‧‧‧EUV反射鏡
13‧‧‧下游傳送光學單元
14‧‧‧照明或物場
15‧‧‧標線片或物平面
16‧‧‧投影光學單元
17‧‧‧標線片
18‧‧‧標線片夾
19‧‧‧標線片位移驅動器
20‧‧‧像場
21‧‧‧像平面
22‧‧‧晶圓
23‧‧‧晶圓夾
24‧‧‧晶圓位移驅動器
25‧‧‧線掃描軸
26‧‧‧線推進軸
27‧‧‧反射鏡面
28‧‧‧原始偏振設定裝置
29‧‧‧偏轉磁鐵
30‧‧‧原始輸出光束
30i‧‧‧照明光部分光束
31‧‧‧圓形偏振
32‧‧‧使用偏振設定裝置
33‧‧‧相位延遲構件
34‧‧‧線性偏振方向
34i‧‧‧線性偏振方向
35‧‧‧光軸
36‧‧‧驅動馬達
37、37i‧‧‧反射相位延遲構件
38‧‧‧反射塗佈
39、39i‧‧‧旋轉軸
40‧‧‧光學選擇構件
41‧‧‧偏振符號
42、43‧‧‧鏡陣列
44、45‧‧‧個別層
46‧‧‧個別鏡
46a‧‧‧個別鏡載具
47‧‧‧圓的載具面
48‧‧‧致動器
48a‧‧‧中央控制裝置
49‧‧‧鏡面
50‧‧‧鏡面載具
51‧‧‧照明場點
52‧‧‧環狀照明角度分布
52a‧‧‧偏振向量
53‧‧‧輻射源
54‧‧‧收集器
55‧‧‧中間焦點
56‧‧‧個別鏡陣列
57‧‧‧個別鏡
58‧‧‧致動器
60‧‧‧場鏡面
61‧‧‧場鏡面反射鏡載具
62‧‧‧光瞳鏡面
63‧‧‧中間焦點像
64‧‧‧照明光束路徑
65‧‧‧凹面鏡
66‧‧‧通道開口
D‧‧‧總層厚度
d‧‧‧厚度
以下參照所附圖式更詳細地說明本發明之各示例性具體實施例，其中：圖1以經向剖面對於照明光學單元示意性顯示用於EUV投影微影的投影曝光設備；圖2示意性顯示具有附帶透射相位延遲構件的使用偏振設定裝置的投影曝光設備之光源；圖3示意性顯示具有附帶反射相位延遲構件的使用偏振設定裝置的投影曝光設備之光源； 圖4顯示附帶每個皆反射EUV光源之EUV原始輸出光束之不同部分光束的複數個反射相位延遲構件的使用偏振設定裝置之具體實施例；圖5顯示根據圖4的具體實施例之變化例，其中光學選擇構件設置於該等複數個反射相位延遲構件上游之原始輸出光束之光束路徑中；圖6在類似於圖3的例示圖中顯示包含產生橢圓形地偏振的EUV原始輸出光束的一EUV產生裝置的EUV光源；圖7在類似於圖4的例示圖中顯示使用偏振設定裝置，其中複數個反射相位延遲構件(亦即兩個反射相位延遲構件)之每個皆反射原始輸出光束之相同部分光束；圖8和圖9以顯著放大的方式顯示穿越根據圖2(透射)及根據圖3(反射)的該等相位延遲構件的剖面圖；以及圖10和11顯示使用偏振設定裝置之進一步變化例，其中例如場鏡面反射鏡和/或光瞳鏡面反射鏡之鏡面設計成在反射原始輸出光束之相同部分光束的每種情況下皆順序地成對的反射相位延遲構件。
用於微影技術的投影曝光設備1用來製造微米和/或奈米結構化電子半導體組件。光或輻射源2發出例如在3nm與30nm之間、尤其在3nm與15nm之間的波長範圍內的EUV輻射。光源2體現為自由電子雷射(FEL)。這是產生具有非常高輝度的同調輻射的同步加速器輻射源。在WO 2009/121 438 A1中指出描述此種類型之FEL的先前出版品。例如，在 Helmholtz協會(Association)中的研究中心(Research Center)Karlsruhe的科學報告(Scientific Reports)2004年8月FZKA 6997中Uwe Schindler的「Ein supraleitender Undulator mit elektrisch umschaltbarer Helizität」〔「具有電性上可切換螺旋性的超導波盪器(A Superconducting Undulator having Electrically Switchable Helicity)」〕中以及在DE 103 58 225 B3中描述可使用的光源2。
EUV光源2具有用於產生電子束2b和EUV產生裝置2c的電子束供應裝置2a。藉由電子束供應裝置2a供應電子束2b給後者。EUV產生裝置2c體現為波盪器。該波盪器可視需要具有可位移調整的波盪器磁鐵。
以下總結用於光源2的一些示例性操作參數：光源2具有2.5kW(千瓦)之平均功率。光源2之脈衝頻率係30MHz(兆赫)。每個之個別輻射脈衝則承載83μJ(微焦耳)之能量。給定100fs(飛秒)之輻射脈衝長度，如此對應於833MW(兆瓦)之輻射脈衝功率。
亦標定為使用輸出光束的使用輻射光束3，用作在投影曝光設備1內照明及成像的照明光。使用輻射光束3借助於掃描裝置6而在適合投影曝光設備1之照明光學單元5的孔徑角4內照明。出自光源2的使用輻射光束3具有小於5mrad(毫弧度)的散度。掃描裝置6設置於照明光學單元5之中間聚焦平面7上。掃描裝置6之下游，使用輻射光束3首先入射場鏡面反射鏡8。
使用輻射光束3尤其具有小於2mrad且較佳小於1mrad的散度。在場鏡面反射鏡8上的使用輻射光束之光點大小約4mm(毫米)。
作為掃描裝置6的替代例，亦可能使用增加使用輻射光束3之光展量的其他裝置。
在場鏡面反射鏡8反射後，分離成分配給場鏡面反射鏡8之個別場鏡面(未例示)的部分光束或子光束的使用輻射光束3入射光瞳鏡面反射鏡9。光瞳鏡面反射鏡9之光瞳鏡面(圖1中未例示)係圓的。由該等場面鏡之一反射的使用輻射光束3之每個子光束皆分配前述光瞳鏡面之一，使得入射且包含場鏡面之一和光瞳鏡面之一的各自鏡面成對，為使用輻射光束3之相關聯子光束預定義照明通道或光束導引通道。光瞳鏡面到場鏡面之通道逐一設置依投影曝光設備1所需照明而定進行。因此導引輸出光束3用於經由包含在每種情況下的場鏡面之一和在每種情況下的光瞳鏡面之一的成對而順序地沿著照明通道預定義個別照明角度。為了各自朝向預定義的光瞳鏡面，每個該等場鏡面反射鏡皆個別傾斜。
經由光瞳鏡面反射鏡9和三個EUV鏡10、11、12所構成的下游傳送光學單元13，場鏡面成像於在投影曝光設備1之投影光學單元16之標線片(reticle)或物平面15上的照明或物場14中。EUV鏡12體現為用於掠過入射的鏡(掠過入射鏡)。
從藉由個別鏡面成對而預定義的個別照明角度之順序，由照明光學單元5所引起的物場14之照明的照明角度分布，藉由借助於掃描裝置6由場鏡面反射鏡8之場鏡面之照明所引起的所有照明通道之掃描積分而發生。
在未例示的照明光學單元5之具體實施例中，特別給定投影光學單元16之入射光瞳之適合的位置，可免除鏡10、11和12，如此導致對於使用輻射光束3在投影曝光設備1之傳輸上的對應增加。
反射使用輻射光束3的標線片17設置於在物場14之區域中的 物平面15上。標線片17由標線片夾18所承載，其由標線片位移驅動器19帶動的方式可位移。
投影光學單元16將物場14成像於在像平面21上的像場20中。晶圓22在投影曝光期間設置於前述像平面21上，前述晶圓載有在投影曝光期間藉由投影曝光設備1而暴露的光敏層。晶圓22由晶圓夾23承載，其以由晶圓位移驅動器24控制的方式進而可位移。
為了便於表示位置關係，以下使用xyz座標系統。x軸垂直於圖1中的圖式之平面，並指向其中。y軸在圖1中朝向右邊延伸。z軸在圖1中向下延伸。在投影曝光設備1之整體例示圖中，z方向延伸垂直於像平面21。在與光源2和/或照明光學構件相關的例示圖中，z方向在EUV光之主要傳遞方向上延伸。
在根據圖1的投影曝光設備1之情況下，在照明光3之光束路徑中，場鏡面反射鏡8係第一鏡面反射鏡且光瞳鏡面反射鏡9係第二鏡面反射鏡。鏡面反射鏡8、9亦可交換其作用。就此點而言，第一鏡面反射鏡8可以係光瞳鏡面反射鏡，其隨後設置於投影光學單元16之光瞳平面或相對於此的共軛平面上，且第二鏡面反射鏡9可以係場鏡面反射鏡，其隨後設置於相對於物平面15光學共軛的場平面上。
在投影曝光期間，由標線片位移驅動器19和晶圓位移驅動器24之對應的帶動在圖1中的y方向上以同步化方式掃描標線片和晶圓兩者。在投影曝光期間，在y方向上以通常600mm/s(秒)之掃描速度掃描晶圓。可進行兩個位移驅動器19、24之同步化掃描而無關於掃描裝置6之掃描操作。
該等場鏡面之長邊垂直於掃描方向y。場鏡面之x/y深寬比相 當於同樣可以矩形或彎曲方式體現的槽孔狀物場14之x/y深寬比。
掃描裝置6係掃描鏡，其以掠過方式反射使用輻射光束3，且可繞著在圖1中延伸平行於x軸的線掃描軸25和在圖1中垂直於x軸並位於yz平面的線推進軸26傾斜。軸25、26兩者皆位於掃描裝置6之反射鏡面27上。
EUV光源2具有原始偏振設定裝置28，其為了設定原始輸出光束30(參見例如圖2)之偏振之用途，將偏轉效應施加於在EUV產生裝置2c中的電子束2b上。原始偏振設定裝置28由波盪器2c之偏轉磁鐵29之對應設置實現。在圖1中示意性指出作為波盪器2c之一部分的一些偏轉磁鐵29。偏轉磁鐵29之如此設置使得EUV原始輸出光束30(參見圖2)圓形地偏振，其在圖2中由對應的偏振符號31(圓形箭頭)指出。在以上所引述的Schindler參考文獻中描述用於實現圓形地偏振的EUV輸出光束的偏轉磁鐵29之對應設置。波盪器之波盪器磁鐵之視需要的可調性可為了從線性轉換到圓形地偏振的EUV光和/或從圓形地到橢圓形地偏振的EUV光而以對準方式使用。在此種情況下，原始偏振設定裝置28同時用作在EUV原始輸出光束30之不同偏振狀態之間進行轉換的轉換單元。
圓形且亦橢圓形偏振可由兩個線性偏振橫向波之重疊描述，其偏振之該等方向彼此垂直。在圓形偏振之情況下，這兩個線性偏振波具有π/2之相位差和相同的振幅。在橢圓形偏振之情況下，不存在圓形或線性偏振。橢圓形偏振由於相對於彼此具有既未消失亦非π之整數倍的相位差的兩個線性偏振波之重疊所造成結果而發生，其中亦不存在兩個線性偏振波之π/2之相位差之圓形偏振和相同振幅之特例。
EUV光源2更具有使用偏振設定裝置32，其為了設定使用輸 出光束3之偏振之用途，將偏振效應施加於原始輸出光束30上。以下更詳細說明使用偏振設定裝置32之變化例。
在根據圖2的具體實施例之情況下，使用偏振設定裝置32具有形式為λ/4板的透射相位延遲構件33。可在技術文章《應用物理通訊(Applied Phys.Letters)》第90期081910(2007年)Wang等人的「使用寬頻相位延遲器和分析器的極紫外線輻射之完整偏振分析(Complete polarization analysis of extreme ultraviolet radiation with a broadband phase retarder and analyzer)」和《應用光學(Applied Optics)》1999年7月第19期第38冊4074到4088頁Schäfers等人的「具有多層光學器件的軟X光偏振計：光偏振狀態之完整分析(Soft-X-Ray polarimeter with multilayer optics：Complete analysis of the polarizations state of light)」文獻中找到此種相位延遲構件之範例。相位延遲構件33可體現為多層結構，以下亦將會說明。
相位延遲構件33隨著使用輸出光束3之四分之一波長(λ/4)之淨相位移位，在重疊以形成圓形地偏振的原始輸出光束30之偏振的兩個線性偏振波上具有相位移位效應。透射相位延遲構件33之不同的具體實施例亦可能，其中該淨相位移位小於使用輸出光束3之半個波長，例如，在λ/3與λ/8之間的範圍內。在淨相位移位之計算中，在兩個線性偏振波之相位之間的差異之情況下具有2π之整數倍大小的相位移位仍然無效，故因此不列入考慮。
根據圖2具有λ/4之淨相位移位的透射相位延遲構件33將具有圓形偏振31的原始輸出光束30之偏振狀態改變成具有線性偏振(參見圖2中的偏振符號34)的使用輻射光束3。使用輻射光束3在根據圖2的具體實施例 之情況下在x方向上偏振。使用輻射光束3之線性偏振之偏振方向對其傳遞方向垂直延伸。使用輻射光束3之線性偏振之方向依預定義相位延遲構件33之偏振影響效應的光軸35之對準而定，在圖2中例如描繪出前述光軸。
為了預定義使用輻射光束3之線性偏振34之方向，相位延遲構件33可藉由驅動馬達36繞著與原始輸出光束30之傳遞方向一致的樞軸轉動，其在圖2中示意性指出。在純x偏振與純y偏振之間的使用輻射光束3之線性偏振34之持續可變的預定義由此可能。為了驅動相位延遲構件33，後者可固定於其外圍區域中，其中驅動馬達36隨後例如經由齒輪機構作用於此外圍固定架上。
圖3顯示相位延遲構件37之進一步具體實施例。該後者體現為反射構件。反射相位延遲構件37載有反射塗佈38，其在原始輸出光束30一旦通過時即導致在根據圖3的具體實施例之情況下係使用輸出光束3之八分之一波長(λ/8)的淨相位移位。給定相位延遲構件37之光軸35之對應方位，如此進而導致線性x偏振的使用輻射光束3，如在圖3中由偏振符號34指出。反射塗佈38可體現為多層塗佈，以下亦將會說明。
在反射相位延遲構件37的其他具體實施例中，反射塗佈可引起在λ/4與λ/16之間的範圍內的淨相位移位或甚至更小的淨相位移位。
再者在以上所引述的Wang等人和Schäfers等人的兩篇技術文章中提及用於EUV輻射的反射相位延遲構件之範例。
為了旋轉或傾斜反射相位延遲構件37，又再次可能使用驅動馬達36，其設置於相位延遲構件37背對原始輸出光束30之該側上，亦即在鏡後側上。為了設定使用輻射光束3之線性偏振方向34，相位延遲構件37可 藉由驅動馬達36繞著旋轉軸39轉動，前述旋轉軸在「旋轉(rotating)」變化例之情況下垂直於相位延遲構件37之反射面，而在「傾斜(tilting)」變化例之情況下設置為平行於相位延遲構件37之反射面的傾斜軸(未例示)。
圖4顯示使用偏振設定裝置32之進一步具體實施例。與以上參照圖1至圖3已說明者一致的各構件載有相同的參考號碼，且將不會再次詳細討論。
根據圖4的使用偏振設定裝置32具有每個皆反射原始輸出光束30之不同部分光束30i的複數個反射相位延遲構件37i。相位延遲構件37i之每個皆以根據圖3的相位延遲構件37之方式體現。
相位延遲構件37i之每個皆可藉由個別設置的驅動馬達36而獨立繞著旋轉軸39i轉動，前述旋轉軸垂直於相位延遲構件37i之各自反射面。或者，相位延遲構件37i之每個皆可藉由個別設置的驅動馬達36而獨立繞著傾斜軸(未例示)傾斜，前述傾斜軸設置平行於相位延遲構件37i之各自反射面。所以，可個別預定義由於原始輸出光束30之對應部分光束30i之反射所造成結果而發生的使用輻射光束3之每個部分光束之線性偏振34i之方向。此在圖4中基於設置於圖4中最右邊的相位延遲構件37i所反射的反射使用部分光束3i示意性例示。
相位延遲構件37i可以線之形式或以陣列之形式設置。相位延遲構件37i之數量可在2個與100個以上之間的範圍內。相位延遲構件37i之數量可例如正好等於在照明光學單元5內的偏振曝光期間所使用的場鏡面或光瞳鏡面之數量。
圖5顯示使用偏振設定裝置32之進一步具體實施例。與以上 參照圖1至圖4已說明者一致的各構件載有相同的參考號碼，且將不會再次詳細討論。
在根據圖5的具體實施例中的相位延遲構件37i在每種情況下在預定義相位影響效應的其光軸35之對準上皆不同，此在圖5中示意性例示。據此，不同使用部分光束3i之各自不同的線性偏振方向34i依原始輸出光束30或其部分光束30i入射在根據圖5的具體實施例中的哪個反射相位延遲構件37i而定發生。
在根據圖5的使用偏振設定裝置32之變化例中，在反射相位延遲構件37i上游之原始輸出光束30之光束路徑中具有光學選擇構件40。藉由在圖5中非常示意性所例示並可以係具有個別可傾斜個別鏡的微鏡陣列的光學選擇構件40，可能預定義原始輸出光束30之給定部分光束30i入射哪個反射相位延遲構件37i。同樣藉由如此方法，可能產生具有部分光束3i之預定義偏振分布的使用輻射光束3。
圖6顯示於其中EUV產生裝置2c產生橢圓形地偏振的原始輸出光束30的EUV光源之變化例，其在圖6中由對應的偏振符號41指出。為了將此橢圓形地偏振的原始輸出光束30轉換為線性偏振的使用輻射光束3，反射相位延遲構件37可具有偏離例如λ/8且可更小且尤其可小於λ/10的淨相位移位。
圖7顯示使用偏振設定裝置32之具體實施例，其具有以一個在另一個後設置於原始輸出光束30之光束路徑中的兩個鏡陣列42、43之形式體現的反射相位延遲構件37i和37j。原始輸出光束30之部分光束30i在每種情況下皆由鏡陣列42之相位延遲構件37i之一及鏡陣列43之一相位延遲構件 37j連續反射。個別的相位延遲構件37i、37j可以非常小的淨相位移位體現，例如小於λ/10且尤其可以係λ/16的淨相位移位。在圖7中，例示說明此種情況。由於以λ/16之淨相位移位在相位延遲構件37i反射所造成的結果，圓形地偏振的原始輸出部分光束30i變成橢圓形地偏振的原始輸出部分光束。該後者由在相位延遲構件37j的進一步反射而轉換為線性偏振的使用部分光束3i。
在該後者情況下，相位延遲構件37i、37j可同時構成照明光學單元5之各自鏡面反射鏡之鏡面。例如，場鏡面反射鏡8隨後可具有相位延遲構件37i，而光瞳鏡面反射鏡9可具有相位延遲構件37j。
所有EUV鏡面皆可載有對於在5nm與30nm之間的範圍內的使用EUV波長的高反射塗佈。該等塗佈可以係多層塗佈。該等多層塗佈可製作成兩種不同層材料之穿插多層，例如鉬/矽雙層之順序。
以上有關至少一個反射相位延遲構件所描述的各發展亦可在透射相位延遲構件之情況下實現。此尤其亦適用於影響原始輸出光束之部分光束的使用偏振設定裝置之各種配置。
圖8和圖9以誇大的放大比例顯示根據圖2和圖3的相位延遲構件33和37之多層結構。與以上參照圖1至圖7已說明者一致的各構件載有相同的參考號碼，且將不會再次詳細討論。各自的多層設置包含不同材料所組成的個別層44、45之多重性。個別層44、45之不同材料以彼此穿插的方式設置，亦即在正好兩種材料之情況下穿插。個別層44在根據圖8和圖9的各具體實施例中由鉬組成。個別層45在根據圖8和圖9的各具體實施例中由矽組成。其他材料，例如釕及/或碳化硼，亦可用於個別層44和/或45。總 層厚度D在100nm與1μm之間的範圍內。個別層44、45之數量在圖8和圖9中所例示的各具體實施例中係17層。亦可依使用情況而定在10與200層之間的範圍內選擇個別層44、45之不同數量，例如，在10與100層之間或在20與50層之間的範圍內。個別層44或45之厚度d依使用輻射3之波長而定，並亦依在相位延遲構件33或37上的原始輸出光束30之入射角而定。
以下參照圖10和圖11更詳細說明使用偏振設定裝置32之兩個進一步變化例。與以上參照圖1至圖9特別已討論者一致的各構件又再次載有相同的參考號碼，且將不會再次詳細討論。
在根據圖10的具體實施例中的照明光學單元5中的第一鏡面反射鏡8具有複數個之個別鏡46，其提供用於導引原始輸出光束之部分光束30i朝向物場或照明場14的照明通道。在根據圖10的照明光學單元5中省略第二鏡面反射鏡9之EUV鏡下游。個別鏡46設置於個別鏡載具46a上。個別鏡載具46a設計成相對於圓形地偏振的原始照明光30之入射軸k旋轉對稱，前述軸平行於z軸。個別鏡載具46a以設置平行於xy平面的圓的載具面47體現。個別鏡載具46a在空間上位於入射原始輸出光束30與物場14之間。
個別鏡46可具有以緊密堆積方式設置於個別鏡載具46a上的正方形或矩形反射面。亦可使用促成無間隙盡可能遠地使用第一鏡面反射鏡8之反射面的其他形式之個別鏡。從傾斜之數學理論已知此種替代性個別鏡形式。關於此點，應參照在US 2011/0001947 A1中所指出的參考文獻。
依第一鏡面反射鏡8之具體實施例而定，個別鏡46具有在從例如100μm×100μm到例如5mm×5mm的範圍內的x/y範圍。個別鏡46可塑形使得其對於原始輸出光束30具有聚焦效應。
個別鏡46可在相對於原始輸出光束30之入射軸k旋轉對稱的個別鏡載具46a上具有一種設置。此種設置在個別鏡載具46a上，例如以個別鏡46之複數個同心環體現，其中此種個別鏡設置之中心穿越載具面47與原始輸出光束30之入射軸k之交叉點重合。
在根據圖10的經向剖面中，例如，例示個別鏡46之其中四個。在第一鏡面反射鏡8之真實具體實施例中，個別鏡46之數量多更多。總計，第一鏡面反射鏡8具有數百到數千個之個別鏡46。
由個別鏡46之反射面組成的第一鏡面反射鏡8之總反射面積依第一鏡面反射鏡8之具體實施例而定，具有例如300mm×300mm或600mm×600mm之範圍。
個別鏡46之每個為了個別偏轉入射的原始輸出光束30之部分光束30i之用途，在各種情況下皆連接到致動器48，如基於圖10中所例示最上方的個別鏡46指出。致動器48設置於個別鏡46之每個背對個別鏡46之反射側之該側上。例如，致動器48可體現為壓電致動器。從微鏡陣列之結構已知此種致動器之配置。
致動器48以未例示方式信號連接到中央控制裝置48a，藉由該中央控制裝置可驅動致動器48用於個別傾斜個別鏡46。
個別鏡46之每個皆可個別獨立地繞著兩個相互垂直的傾斜軸傾斜，其中這兩個傾斜軸之第一者延伸平行於x軸，而這兩個傾斜軸之第二者延伸平行於y軸。這兩個傾斜軸位於各自個別鏡46之個別反射面上。
個別鏡46之反射面用以上有關根據圖9的多層結構已說明者之方式載有多層反射塗佈。在個別鏡46上的這些多層設置之雙折射效應使 得，在原始輸出光束30之各自部分光束30i一旦通過時即產生λ/16之淨相位移位，其在個別鏡46反射時導致λ/8之雙折射效應。
根據圖10的具體實施例尤其適合雙折射地影響圓形地偏振的EUV原始輸出光束30。
在該個別鏡46反射原始輸出光束之部分光束30i時，第一鏡面反射鏡8之個別鏡46具有雙折射效應，使得原始輸出光束之各自部分光束30i首先橢圓形地偏振(偏振符號41)。
第二鏡面反射鏡9在照明光3之光束路徑(參見圖10)中配置於第一鏡面反射鏡8之下游。第二鏡面反射鏡9之各自鏡面49連同第一鏡面反射鏡8之個別鏡46中至少一者完成用於導引照明光部分光束3i朝向照明場14的照明通道。一般來說，設置係使得第二鏡面反射鏡9之鏡面49之一連同第一鏡面反射鏡8之一組個別鏡46，為複數個部分光束30i完成第二鏡面反射鏡8之該鏡面49和第一鏡面反射鏡8之一組個別鏡46所屬的一組照明通道。因此，第一鏡面反射鏡8之該組個別鏡46導引照明光部分光束3i全部經由第二鏡面反射鏡9之完全相同的鏡面49朝向照明場14。
第二鏡面反射鏡9之鏡面49進而載有以根據圖9的多層結構之方式構成的多層反射塗佈。鏡面49之這些反射塗佈具有雙折射效應，其特徵在於部分光束一旦通過時即產生λ/16之淨相位移位，其在鏡面49反射部分光束時隨後導致λ/8之總淨相位移位。在鏡面49反射原始部分光束時，橢圓形地偏振的原始部分光束線性地s偏振並因此製造照明光部分光束3i。該s偏振涉及垂直於鏡面49之入射平面(圖10中的圖式之平面)振動的照明光部分光束3i之偏振方向。該s偏振在圖10中由標有十字形的圓圈指出。該s偏振 或者(參見圖11)由在各自照明光部分光束3i之光束路徑上的大點表示。
由於部分光束30i之雙重反射(一次在個別鏡46之一且第二次在第二鏡面反射鏡9之鏡面49之一)所造成的結果，在入射照明場14的照明光部分光束3i之情況下產生幾乎完整或甚至整體完整的s偏振。
第二鏡面反射鏡9之鏡面49設置於鏡面載具50上，其在圖10中以虛線指出。前述鏡面載具50係環狀設計。鏡面載具50設計成相對於照明光3之入射軸k旋轉對稱。在鏡面載具50上的第二鏡面反射鏡9之鏡面49之設置對應地旋轉對稱。
照明光學單元5以相對於入射軸k旋轉對稱的方式整體設置。入射軸k通過照明場14之中心。入射軸k垂直於物平面15。
第一鏡面反射鏡8之個別鏡46和第二鏡面反射鏡9之鏡面49之設置之旋轉對稱，促成相對於入射軸k在任何情況下皆良好接近於旋轉對稱的原始輸出光束部分光束30i和使用照明光部分光束3i之導引。
在xz平面上提供用於反射第一鏡面反射鏡8之個別鏡46所偏轉的部分光束的第二鏡面反射鏡9之鏡面49，在圖10中以在入射軸k之水平線的虛線例示。由於鏡面載具50之環狀配置，這些場鏡面49在圖10中相對於圖式之平面當然對應地在正和負x方向兩者上皆與入射軸k有距離。對應的鏡面49在鏡面載具50上以環繞入射軸k在周圍方向上均勻分布的方式設置，因此為照明光部分光束30i和3i產生基本上旋轉對稱的反射設置。對於在照明場5上的每個點皆產生具有切向偏振的使用照明光3的照明。此在圖10中對於照明場點51更詳細地例示。
使用照明光3從每個照明方向以s偏振入射照明場點51。由於 場鏡面49之環狀設置，照明場點51以環狀照明角度分布52照明(照明場點51「看到(sees)」環狀光源)，因此在以圖10中的透視圓圈指出的此環狀照明角度分布52之每個位置，皆發生補償以形成切向偏振的s偏振。在環狀照明角度分布52之每個位置，偏振向量52a皆相對於照明角度分布52切向振動。
由於此切向偏振，在照明場14中的標線片17可以s偏振的使用照明光3照明而無關於照明角度。此照明在照明光學單元5用作投影曝光設備1之一部分時，促成最佳化結構解析。
鏡面反射鏡8和9同時構成照明光學單元5之使用偏振設定裝置32。
具有照明光學單元5，照明場14可以大於照明角度之下限值的照明角度照明，其由照明光30或3之光束路徑之中心陰影預定義，前述陰影由個別鏡載具46a預定義。
環狀照明設定或多極照明設定，例如偶極照明設定或四極照明設定(例如四C(C-quad)照明設定)，可以照明光學單元5實現。
圖11以類似於圖10的方式顯示來自照明光學單元5的引用。該後者係體現使得其導引體現為基於電子束EUV光源2的替代例的EUV光源53之EUV原始輸出光束30朝向物場14。EUV光源53可以是一電漿源，例如氣體放電引發電漿(Gas discharge produced plasma，GDPP)源或電射引發電漿(Laser produced plasma，LPP)源。與以上參照圖1至圖5已說明者一致的各構件和功能載有相同的參考號碼，且將不會再次詳細討論。
以圓形偏振從輻射源53出射的EUV原始輸出光束30由收集器54聚焦。例如，從EP 1 225 481 A已知對應的收集器。
收集器54之下游，EUV原始輻射光束30在入射個別鏡陣列56之前先傳遞通過中間焦點55。個別鏡陣列56設計成一微機電系統(Micro-electro-mechanical system，MEMS)，其具有以列和行的矩陣狀方式設置於陣列中的個別鏡57之多重性，在圖11中示意性例示個別鏡57之其中兩個。個別鏡57可具有正方形或矩形反射面。個別鏡57各自連接到致動器58，且設計成可繞著在各自個別鏡57之反射面上彼此垂直的兩個軸傾斜。致動器58以未例示方式信號連接到中央控制裝置48a，藉由該中央控制裝置可驅動致動器58用於個別傾斜個別鏡57。
個別鏡陣列56之個別鏡57之數量在圖式中以非常顯著理解的方式例示。總計，個別鏡陣列56具有約100 000個之個別鏡57。依個別鏡57之尺寸而定，個別鏡陣列亦可具有例如是1000、5000、7000或數十萬之個別鏡，例如500 000個之個別鏡57。個別鏡57之數量或者亦可大幅更小，例如數百個之個別鏡，例如是200、250、300或500個之個別鏡。在許多個別鏡57存在的範圍內，該後者可結合成組，其中在每種情況下相同的個別鏡傾斜角皆存在於個別鏡組之一內。個別鏡57可具有為各自入射角和EUV使用光3之波長最佳化的高反射多層。
光譜濾光片可設置於個別鏡陣列56之上游，該光譜濾光片將使用EUV原始輻射光束30與無法用於投影曝光的輻射源53之射出之其他波長分量分開。未例示該光譜濾光片。
個別鏡陣列56之下游，EUV原始輻射光束30入射場鏡面反射鏡8。場鏡面反射鏡8設置於相對於物平面15光學共軛的照明光學單元5之平面上。
場鏡面反射鏡8之下游，EUV輻射光束3由光瞳鏡面反射鏡9反射。光瞳鏡面反射鏡9位於照明光學單元5之入射光瞳平面上或相對於其光學共軛的平面上任一者。場鏡面反射鏡8和光瞳鏡面反射鏡9在每種情況下皆從亦標定為蜂巢超構的鏡面之多重性構成。場鏡面反射鏡8之場鏡面60由傳送光學單元成像於物場14中，其由光瞳鏡面反射鏡9形成或在光瞳鏡面反射鏡9與物場14之間包括進一步構件。若場鏡面60之每個皆以照明光3完整照明，則在此種情況下成像於整個物場14中。場鏡面60設置於環狀鏡面反射鏡載具61上，在圖1中示意性指出。
EUV原始輸出光束30以小於70°的入射角入射個別鏡陣列56，亦即並非掠過入射。原則上，掠過入射亦可能。場鏡面反射鏡8之場鏡面60和光瞳鏡面反射鏡9之光瞳鏡面62載有與使用光3之波長協調的多層反射塗佈。光瞳鏡面62可體現為圓的、六角形或矩形。
在圖11中示意性且以誇大的放大圖例示鏡面反射鏡8、9之僅一些場鏡面60和一些光瞳鏡面62。場鏡面反射鏡8具有數千個場鏡面60，例如3000個場面鏡60。光瞳鏡面反射鏡9具有數千個光瞳鏡面62，例如3000個光瞳鏡面62。場鏡面反射鏡8之場面鏡60之數量可等於光瞳鏡面反射鏡9之光瞳鏡面62之數量。
光瞳鏡面反射鏡9設置於構成投影光學單元16之光瞳平面或相對於投影光學單元16之光瞳平面光學共軛的照明光學單元5之平面上。借助於光瞳鏡面反射鏡9或傳送光學單元，場鏡面反射鏡8之場鏡面60以經歷重疊於彼此的方式成像於物場14中。
場鏡面反射鏡8之場鏡面60具有相當於物場14之x/y深寬比 的x/y深寬比。場鏡面60因此具有大於1的x/y深寬比。場鏡面60之長鏡面側在x方向上延伸。場鏡面60之短鏡面側在y方向(掃描方向)上延伸。
照明光學單元5之設置係使得中間焦點55經由在每種情況下皆由個別鏡57中至少一者和場鏡面60中至少一者形成且導引照明光3之部分光束的照明通道成像於光瞳鏡面62位於其中的空間區域中。中間焦點像63因此在光瞳孔鏡面62之每個上皆發生。依多少個別鏡57促成各自照明通道而定，前述中間焦點像63可在由於導引照明光3在每種情況下皆經由個別鏡57之一而在各自光瞳鏡面62中發生的複數個中間焦點像之重疊時發生。中間焦點像63在此種情況下不需要正好在各自照明通道之光瞳鏡面62上發生。若各自光瞳鏡面62位於中間焦點像63之區域中即足夠，使得中間焦點像63尤其完整位於光瞳鏡面62上。
依光瞳鏡面62是否係將場鏡面60成像於物場14中的傳送光學單元之一部分而定，光瞳鏡面62不是具有成像效應(尤其亦即凸面成形)，就是體現為純偏轉或平面鏡。光瞳鏡面62可載有用於校正照明光學單元5之成像像差的校正非球面。
個別鏡57之數量至少等於場鏡面60之數量。在根據圖11的具體實施例之情況下，個別鏡57之數量實際上比場鏡面60之數量多得多，且尤其可以係10倍多或甚至再更多。照明光學單元5之配置係使得個別鏡陣列56不會成像於場鏡面60上，也不會成像於光瞳鏡面62上。
場鏡面60和光瞳鏡面62以下列方式設置：在每種情況下皆由場鏡面60之正好一者和光瞳鏡面62之正好一者形成的照明通道，其在每種情況下皆對準用於導引照明光3之部分光束3i，在每種情況下皆固定分配給 包括場鏡面60和光瞳鏡面62的鏡面成對60、62。因此在照明光學單元5中從場鏡面反射鏡8開始固定地預定義照明光束路徑64。照明之變化例僅藉由傾斜個別鏡陣列56之個別鏡57而引起，如果在剖面中適當，則其中個別鏡陣列56用於選擇照明光3入射哪個場鏡面60。
在根據圖11的照明光學單元5之情況下，光瞳鏡面反射鏡9之光瞳鏡面62係體現使得其係平面。形式為凹面鏡65的中繼光學單元用作將場鏡面反射鏡8之場鏡面60成像於物場14中的傳送光學單元。
在照明光學單元5之情況下，光瞳鏡面62之反射面可視需要配置為校正非球面，以校正由凹面鏡65成像之成像像差。
在根據圖11的照明光學單元5之照明光束路徑64之情況下，在凹面鏡65與物場14之間導引照明光3穿越場鏡面反射鏡載具61之通道開口66，穿越其亦在光瞳鏡面反射鏡9與凹面鏡65之間的照明光束路徑64中導引照明光3。
此外，在根據圖11的照明光學單元之情況下，在中間焦點55與個別鏡陣列56之間導引原始輸出光束30穿越通道開口66。
照明光學單元5之使用偏振設定裝置32進而根據圖11由場鏡面反射鏡8和光瞳鏡面反射鏡9實現。鏡面反射鏡8、9之鏡面60、62用以上有關根據圖9的多層結構已說明者之方式載有多層反射塗佈。前述鏡面反射鏡8、9之鏡面60、62在又再次的反射中具有λ/8之淨相位移位效應，使得圓形地偏振的原始照明光30(參見偏振符號31)首先轉換為橢圓偏振的照明光(參見圖11中的偏振符號41)，且隨後進而轉換為線性偏振的照明光3。具有根據圖11的如此使用偏振設定裝置32，同樣可能在物場14之照明中實現 切向偏振分布，如以上已說明過。例如，在圖11中的圖式之平面上，在物場14之上游光束路徑中的照明光部分光束3i對應地s偏振。
以上所說明的使用偏振設定裝置32可以係光源2之一部分，或者照明光學單元5之一部分。
在藉由投影曝光設備1製造微米或奈米結構化構件期間，首先提供標線片17和晶圓22。接著，借助於投影曝光設備1將標線片17上的結構投影於晶圓22之光敏層上。由於光敏層之發展所造成的結果，在晶圓22上製造微米或奈米結構並因此製造微米或奈米結構化構件，例如形式為記憶體晶片的半導體組件。
2‧‧‧光或輻射源
2c‧‧‧EUV產生裝置
3‧‧‧使用輻射光束
30‧‧‧原始輸出光束
31‧‧‧偏振符號
32‧‧‧使用偏振設定裝置
34‧‧‧線性偏振方向
35‧‧‧光軸
36‧‧‧驅動馬達
37‧‧‧反射相位延遲構件
38‧‧‧反射塗佈
39‧‧‧旋轉軸

Claims (15)

  1. 一種為了投影微影的EUV光源(2)，該EUV光源用於投影曝光設備(1)產生EUV(極紫外光)照明光之使用輸出光束(3)，包含一EUV產生裝置(2c)，其產生一EUV原始輸出光束(30)，其中該EUV原始輸出光束(30)具有由兩個線性偏振波之一重疊描述的一偏振(31；41)，其偏振之該等方向彼此垂直，並相對於彼此具有既未消失亦非π之一整數倍的一相位差，包含一使用偏振設定裝置(32)，其為了設定該使用輸出光束(3)之該偏振之該用途，將對於偏振之該方向線性偏振的一效應(34)施加於該原始輸出光束(30)上，其中該使用偏振設定裝置(32)具有至少一個相位延遲構件(33；37；37i；37i,37j)，其設置於該原始輸出光束(30)之該光束路徑中，並將一相位移位效應施加於重疊以形成該原始輸出光束(30)之該偏振的該等兩個線性偏振波上。
  2. 如申請專利範圍第1項之EUV光源，其中在重疊以形成該原始輸出光束(30)之該偏振的該等兩個線性偏振波之間的一淨相位移位，小於該EUV照明光之該使用輸出光束(3)之半個波長λ。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之EUV光源，其中該至少一個相位延遲構件(37；37i；37i；37j)體現為一反射構件。
  4. 如申請專利範圍第3項之EUV光源，其中該反射相位延遲構件(37；37i； 37i；37j)載有一反射塗佈(38)，其在該原始輸出光束(30)一旦通過時，導致小於該EUV照明光之該使用輸出光束(3)之四分之一波長λ之一淨相位延遲。
  5. 如申請專利範圍第3項或之EUV光源，其中該反射相位延遲構件(37；37i；37i；37j)以可繞著垂直於該相位延遲構件(37；37i；37i；37j)之一反射面的一軸(39；39i)旋轉的方式設置。
  6. 如申請專利範圍第3項之EUV光源，更包含每個皆反射該原始輸出光束(30)之不同部分光束(30i)的複數個反射相位延遲構件(37i；37i,37j)。
  7. 如申請專利範圍第6項之EUV光源，更包含在該反射相位延遲構件(37i)上游之該原始輸出光束(30)之該光束路徑中的一光學選擇構件(40)，藉由其預定義該原始輸出光束(30)之一給定部分光束(30i)入射哪個反射相位延遲構件(37i)。
  8. 如申請專利範圍第3項之EUV光源，更包含反射該原始輸出光束(30)之相同部分光束(30i)的複數個反射相位延遲構件(37i,37j)。
  9. 如申請專利範圍第1項之EUV光源，其中該至少一個相位延遲構件(33)體現為一透射構件。
  10. 一種影響如申請專利範圍第1項至第9項任一者的EUV光源之原始輸出光束(30)之偏振的使用偏振設定裝置(32)。
  11. 一種用於投影曝光設備(1)的照明系統，包含根據申請專利範圍第1項至第9項任一者的一EUV光源(2)，包含一照明光學單元(5)，其用於以該使用輸出光束(3)照明在一標線片(reticle)平面(15)上的一照明場(14)。
  12. 一種用於投影曝光設備(1)的照明系統，包含一EUV光源(2)，其為了投影微影用於一投影曝光設備(1)產生EUV照明光之一使用輸出光束(3)包含一EUV產生裝置(2c)，其產生一EUV原始輸出光束(30)，其中該原始輸出光束(30)具有由兩個線性偏振波之一重疊描述的一偏振(31；41)，其偏振之該等方向彼此垂直，並相對於彼此具有既未消失亦非π之一整數倍的一相位差，包含一照明光學單元(5)，其用於以該使用輸出光束(3)照明在一標線片平面(15)上的一照明場(14)，其中該照明光學單元(5)具有一使用偏振設定裝置(32)，其為了設定該使用輸出光束(3)之該偏振之該用途，將對於偏振之該方向線性偏振的一效應(34)施加於該原始輸出光束(30)上，其中該使用偏振設定裝置(32)具有至少一個相位延遲構件(33；37i；37i,37j)，其設置於該原始輸出光束(30)之該光束路徑中，並將一相位移位效應施加於重疊以形成該原始輸出光束(30)之該偏振的該等兩個線性偏振波上。
  13. 一種用於投影曝光設備的光學系統，包含根據申請專利範圍第11項或第12項的一照明系統，以及包含一投影光學單元(16)，其用於將該照明場(14)成像於一像場(20)中。
  14. 一種用於EUV微影的投影曝光設備(1)，包含根據申請專利範圍第1項至第9項任一者的一EUV光源，包含根據申請專利範圍第13項的一光學系統，包含一標線片夾(18)，其用於在該標線片平面(15)上固定該光學系統之照明光(3)即將入射的一標線片(17)，包含該投影光學單元(16)，其用於將該照明場(14)成像於在一像平面(21)上的該像場(20)中，包含一晶圓夾(23)，其用於在該像平面(21)上以在一投影曝光期間設置於該照明場(14)中的標線片結構成像於設置於該像場(20)中的一晶圓部分上的方式固定一晶圓(22)。
  15. 一種製造結構化構件的方法，包含以下步驟：提供一標線片(17)和一晶圓(22)，為根據申請專利範圍第14項的一投影曝光設備之一使用輸出光束(3)執行一偏振設定，借助於該投影曝光設備(1)在該標線片(17)上投影一結構於該晶圓(22)之一光敏層上， 在該晶圓(22)上製造一微米和/或奈米結構。
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