TWI597741B - 透明導電膜及其製造方法與具有其之觸控面板 - Google Patents
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Description
本發明係主張關於2011年09月06日申請之韓國專利案號No。10-2011-0090382之優先權。藉以引用的方式併入本文用作參考。
本發明係關於一種透明導電膜及其製造方法與具有其之觸控面板。
透明導電膜為一種在可見光區域下具有透明度及導電性的膜,其藉由形成一透明導電薄膜(例如:ITO,氧化銦錫)於玻璃基板或塑膠薄膜的表面上。而透明導電膜已廣泛應用於觸控面板等產品上。
透明導電膜重要特性是導電性及透明度。當導電性降低,將不易平順驅動,而當透明度衰退時,顯示器的顯示效果也會變差。再者,隨著應用了使用透明導電膜之觸控面板的裝置之使用場合及形狀的改變,觸控面板及應用其之裝置本身也需具適用性。
然而,至於主要是應用氧化銦錫(ITO)作為導電薄膜的膜,因為該薄膜是由無機材料所組成,所以其彎曲特性(bending property)較差。因此,不利於實現一成品的適用性。另外,因為銦屬於稀有金屬,未來將有自然資源枯竭的一
天。
因此,近來,許多人以結合高透明度及高導電性銀奈米線塗液(nanowire ink)的相關技術來試圖解決此問題。
至於以使用銀奈米線塗液來形成一塗佈層,塗佈層的厚度可獲得極佳的控制,另外塗佈層更可以以層疊方式而形成多重膜,因此可降低生產成本。因此,研究如何將ITO替換為銀奈米線塗液的研究不斷地在進行。然而,使用銀奈米線塗液的塗佈層的霧度(haze)和無電阻值(non-resistant value)表現上一直不如ITO。因此,當前解決該項缺點的相關研究的需求顯得非常迫切。
本發明著眼於解決上述問題,本發明之主要目的係提供一種方法,其形成的導電膜具有改善的霧度和無電阻特性(non-resistant property)、優良的適用性(flexible)、及低成本,技術手段即於銀奈米線塗佈層上包含一導電聚合物的PEDOT塗佈層。
根據另一考量,本發明提供一導電薄膜的製造方法。
根據本發明的考量,本發明提供一透明導電膜包含:一透明膜;一導電薄膜形成於該透明膜的一表面上,其中該導電薄膜包含一銀奈米線薄膜以及一PEDOT(poly-3,4-ethylene dioxythiophene,聚二氧乙基塞
吩)-PSS(polystyrenesulfonate,聚對苯乙烯磺酸)薄膜。
該銀奈米線薄膜可形成於該透明膜的表面,且PEDOT(聚二氧乙基塞吩)-PSS(聚對苯乙烯磺酸)薄膜形成於該銀奈米線薄膜上。
另外,該銀奈米線薄膜由兩層或更多層所組成。
並且,PEDOT(聚二氧乙基塞吩)-PSS(聚對苯乙烯磺酸)薄膜由兩層或更多層的多重所組成。
並且,該銀奈米線塗液烘乾前的厚度為5到10μm。
並且,PEDOT(聚二氧乙基塞吩)-PSS(聚對苯乙烯磺酸)薄膜烘乾前的厚度為5到10μm。
另外,PEDOT(聚二氧乙基塞吩)-PSS(聚對苯乙烯磺酸)薄膜可包含PEDOT(聚二氧乙基塞吩)及PSS(聚對苯乙烯磺酸),其重量比為1:1。
並且,PEDOT(聚二氧乙基塞吩)-PSS(聚對苯乙烯磺酸)薄膜可進一步包含一表面活化劑。
並且,本配方之銀奈米線薄膜中可進一步包括一增稠劑或一表面活化劑。
根據本發明另一考量,本發明更提供一種觸控面板,該觸控面板包含透明導電膜。
另外,根據本發明再一考量,本發明進一步提供一種顯示器,該顯示器包含觸控面板。
本發明所揭示的顯示器可以是LCD、PDP、LED、OLED或
E-Paper等顯示裝置。
同時,根據本發明又一考量,本發明進一步提供一種透明導電膜之製造方法,該製造方法係包含形成一導電薄膜,其中該導電薄膜形成於一透明膜的表面,並且該導電薄膜包含一銀奈米線薄膜以及一PEDOT(聚二氧乙基塞吩)-PSS(聚對苯乙烯磺酸)薄膜。
該導電薄膜的形成可包含:形成該銀奈米線薄膜於該透明膜的任何一表面上;以及形成PEDOT(聚二氧乙基塞吩)-PSS(聚對苯乙烯磺酸)薄膜於該銀奈米線薄膜上。
再者,該銀奈米線薄膜的形成可藉由塗佈一銀奈米線塗液於該透明膜的任一表面,其中該銀奈米線塗液係包含一銀奈米線、水、一增稠劑以及一表面活化劑,且將其暫時烘乾,而烘乾條件為在溫度100℃到160℃下烘乾5到40秒的時間。
再者,該銀奈米線薄膜形成之步驟可重複多次。
另外,該PEDOT(聚二氧乙基塞吩)-PSS(聚對苯乙烯磺酸)薄膜的形成可藉由於該銀奈米線薄膜上塗佈一PEDOT水性分散液(aqueous dispersion),其中該PEDOT水性分散液包含PEDOT、PSS、水以及一表面活化劑,然後將其烘乾,烘乾條件為100℃到160℃溫度下,烘烤5到40秒的時間。
同樣地,形成PEDOT-PSS薄膜的步驟可重複多次。
該透明導電膜的製造方法可更包含:在形成該導電薄膜後將其烘乾,其中該導電薄膜包含該銀奈米線薄膜以及該
PEDOT-PSS薄膜。另外,該導電薄膜的烘乾條件可為在100℃到160℃的溫度下,烘烤5到40秒的時間。
根據本發明所揭示的透明導電膜,其具有優良的適用性及低成本,同時具有改善的霧度和無電阻特性(non-resistant property),因為其經濟性的製程甚至無需改變透明導電膜的構造;以及觸控面板與使用其之顯示器。
所包含的說明圖式用以提供對本發明之進一步瞭解,該附圖構成為本說明書之一部分。該圖式說明了本發明的具體實施例並加上內容敘述,作為解說本發明之原理。
雖然本發明所揭露之實施方式如下,惟所述之內容並非用以直接限定本發明之專利保護範圍。任何本發明所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明所揭露之精神和範圍的前提下,可以在實施的形式上及細節上作些許之更動。在本發明被詳細描述之前,要注意的是,在以下的說明內容中,類似的元件是以相同的編號來表示。
下文中將參照圖式進一步闡明本發明的特徵。
圖1係本發明較佳實施例之透明導電膜結構示意圖。
如第一圖所示,本發明的透明導電膜可包括一透明膜10以及導電薄膜20、30層疊(laminate)在該透明膜10上。
於本發明中,該導電薄膜可包含一銀奈米線薄膜20以及一聚二氧乙基塞吩(poly-3,4-ethylene
dioxythiophene,PEDOT)-聚對苯乙烯磺酸(polystyrenesulfonate,PSS)薄膜30。
透明膜10可提供導電薄膜的一形成表面及機械強度,且用以支撐該導電薄膜及該透明薄膜。再者,透明膜10可以是各種透明薄膜,諸如玻璃和透明聚合物薄膜,且其材料或其材料的性質並無特別限制。
舉例來說,本發明的透明膜可使用一塑膠膜或玻璃、以及選自由聚丙烯酸酯(polyacrylic)、聚氨酯(polyurethane)、聚酯纖維(polyester)、聚環氧(poly-epoxy)、聚烯烴(polyolefin)、聚碳酸脂(polycarbonate)及纖維素高分子材料(cellulose)所組成之群組的類似物。
該透明膜的厚度可依據機械強度而在約20到1000μm之間的範圍。當該透明膜的厚度小於20μm時,該透明薄膜的機械強度不足,且將導致導電薄膜形成的製程更加困難。當具有厚度大於1000μm的透明膜應用到觸控面板時,將產生很大問題,例如光斑特性(spot characteristic)不佳、以及成品厚度增加因而降低透光率。
同時,根據本發明較佳實施例之導電薄膜可包括一銀奈米線薄膜及一PEDOT-PSS薄膜。其中,該銀奈米線薄膜可形成於該透明薄膜的表面,而該PEDOT-PSS薄膜可形成於該銀奈米線薄膜上。
該銀奈米線薄膜包含一銀奈米線,該銀奈米線具有約為10至50μm的直徑與約為10至40μm的長度。再者,一奈米線(wire)係以因重複結構單元的相鄰銀原子之間的共價健所形成。
本配方中可進一步包括添加劑,例如增稠劑或表面活化劑。
該銀奈米線薄膜可藉由塗佈銀奈米線塗液於該導電薄膜,再加以烘乾。
該銀奈米線塗液可包含以重覆配方1的結構單位,其中可包含0.05到0.5重量百分比(wt%)的一銀奈米線、一0.5到1wt%的增稠劑、0.0001到0.001wt%的一表面活化劑、以及98到99.5wt%的水分。
當銀奈米線含量低於0.05wt%的範圍時,則產生薄膜導電率變差的問題。當銀奈米線含量高於0.5wt%的範圍時,則產生霧度(haze)和乳濁(milkness)。
該銀奈米線塗液係使用形成導電薄膜的方法來形成,該方法乃相關領域之常見技術,例如:真空沉積法、濺鍍法、離子佈植法、噴霧式熱分解法(spray heat decomposition method)、化學塗佈法、電鍍、濕式塗佈法、棒式塗佈法(bar coating method)或以上技術的組合。
以上方法中,依據銀奈米線的形成速度及生產率,可採用棒式塗佈法。
此時,在銀奈米線塗液烘乾前的厚度可形成在5到10μm的範圍內。當塗佈厚度低於5μm的範圍時,銀奈米線的電性接觸效果不佳,因此導電性降低。當塗佈厚度低於10μm的範圍時,則銀奈米線含量則過高,因而產生霧度(haze)的問題。
根據以上方法,將銀奈米線塗液塗佈於該透明薄膜上之後,再將塗佈的銀奈米線塗液烘乾則可形成薄膜。
本例中,烘乾條件可為在100℃到160℃的溫度下,烘烤5到40秒的時間。
本發明較佳實施例的透明導電膜可包含形成為多層的銀奈米線,其乃是將銀奈米線塗液塗佈於透明膜上後,再將塗佈的銀奈米線塗液烘乾,重複塗佈及烘乾動作多次而形成。
同時,在本發明中的PEDOT-PSS薄膜係以上述方法形成於銀奈米線薄膜上。
PEDOT(聚二氧乙基塞吩)-PSS(聚對苯乙烯磺酸)薄膜乃是於銀奈米線薄膜上塗佈水性分散液,最後再將其烘乾,其中水性分散液包括PEDOT(聚二氧乙基塞吩)及PSS(聚對苯乙烯磺酸)具有良好導電率的聚合物。
一般而言,PEDOT不溶解於大多數的溶劑中。但是,當PSS是相反電性(即正電荷,負電荷)的離子時,PEDOT可溶解於水中。此處PSS是功能極佳的氧化劑、電荷補償劑(charge compensator)、以及聚合反應物。因此,PEDOT及PSS可包含於水性分散液中的比例為70:30到30:70之間。特別是,其
包含比例可為50:50,所以薄膜的導電性將更進一步獲得改善。
同時,依據導電性及無電阻(non-resistance),該水性分散液可包含1到5wt%的PEDOT-PSS聚合物,該聚合物的成分比例如上所述,即低於0.1wt%的表面活化劑、以及94到99wt%的水份。
包含PEDOT-PSS聚合物的水性分散液係使用形成導電薄膜的方法來形成,該方法乃相關領域之常見技術,例如:真空沉積法、濺鍍法、離子佈植法、噴霧式熱分解法(spray heat decomposition method)、化學塗佈法、電鍍、濕式塗佈法、棒式塗佈法(bar coating method)或以上技術的組合。
以上方法中,特別是,依據銀奈米線的形成速度及生產率,可採用棒式塗佈法。
另外,包含PEDOT-PSS聚合物的水性分散液之烘乾前的厚度可形成在5到10μm的範圍內。當塗佈厚度低於5μm的範圍時,將發生導電性及結構穩定度的問題。當塗佈厚度低於10μm的範圍時,則產生霧度和帶藍色(bluish)的問題。
另外,將包含PEDOT-PSS聚合物的水性分散液之塗佈層烘乾之後,則可形成薄膜。本例中,烘乾條件可為在100℃到160℃的溫度下烘烤5到40秒的時間。
包含PEDOT-PSS聚合物的水性分散液可藉由將水性分散液塗佈於銀奈米線薄膜上之後,再將其烘乾,重複塗佈及烘乾
多次。因而可進一步改善其光學及電氣特性。
根據本發明較佳實施例的透明導電膜,在加上PEDOT-PSS聚合物的薄膜形成於銀奈米線薄膜上之後,再加以烘乾可改善其機械特性。
本例中,烘乾條件可為在100℃到160℃的溫度下,烘乾5到40秒的時間。更好的條件是,在120℃到140℃的溫度下,烘乾20到30分鐘。
以上述方法形成的透明導電膜具有優良的適用性、色彩感受以及透明度並同時具備與傳統導電薄膜相同程度的導電性、以及霧度和無電阻特性。再者,該透明導電膜不需要額外增加製程或是改變傳統薄膜的構造,因此可以在低成本之下生產。
同時,上述之透明導電膜可應用於觸控面板,特別是,電阻式(resisting film type)觸控面板的上基板及/或下基板。電阻式觸控面板乃是於一對透明導電膜中間設置間隔物(spacer)以進行排列(align)。當上半部面板受到來自手指或筆的壓迫,同時該透明導電膜因而彎曲,上基板及下基板的該些導電薄膜互相接觸而產生電流,從而偵測出接觸點位置。
綜上所述,由於根據本發明的透明導電膜具有優良的導電性與透明性,當根據本發明較佳實施例的透明導電膜作為觸控面板的上基板及下基板時,那麼觸控面板將具有更優良的透明度及適用性。
另外,根據本發明較佳實施例的觸控面板可將其裝設於顯示器中,例如:LCD、PDP、LED、OLED或e-paper等顯示裝置。
下文中將以本發明的樣品於進一步闡明本發明之技術特徵
樣品一
具有厚度為7μm的銀奈米線薄膜係藉由產出一銀奈米線塗液製造而成,其中該銀奈米線塗液包含0.1wt%的銀奈米線、99wt%的水分、0.5wt%的增稠劑、以及0.0005wt%的表面活化劑,之後再以棒式塗佈方法將銀奈米線塗液塗佈於PET膜的任何一表面上,而該PET膜的厚度為188μm由Hangsung工業公司製造(產品編號:HA450-188-0-188A-H),然後再暫時性地將其在130℃的溫度下烘乾30秒。
具有厚度為7μm的PEDOT-PSS薄膜係藉由產出一水性分散液而形成,該水性分散液係由包含PEDOT-PSS(重量比為1:1)的2wt%的聚合物、97wt%的水分、以及0.05wt%的表面活化劑所組成,之後以棒式塗佈法將水性分散液塗佈於銀奈米線薄膜上,然後再以烘乾機暫時地將其在130℃的溫度下烘乾30秒。
之後,將形成有導電膜的膜片放進烤爐中,烘烤條件為在120℃的溫度下烘烤10分鐘的時間。
樣品二
在樣品二中,透明導電膜的製作方法基本上與樣品一相
同,除了烘烤條件為在140℃的溫度下烘烤30分鐘的時間以外。
對照樣品一
在對照樣品一中,透明導電膜的製作方法基本上與樣品一相同,除了以ITO薄膜塗佈在PET膜來取代銀奈米線薄膜以及PEDOT-PSS薄膜以外。
對照樣品二
在對照樣品二中,透明導電膜的的製作方法基本上與樣品一相同,除了未形成PEDOT-PSS薄膜以外。
以下表一中,係為上述樣品之透明導電膜的光學特性及電氣特性進行評估後所得到的結果。
實驗樣品一-霧度評估
霧度、透光率(T)及b*數值皆以一霧度計來量測。
實驗樣品二-透光率(T)評估
以上所有透明導電膜樣品的透光率皆以一US-Vis光譜儀計來量測,其結果顯示於下方之表一。
實驗樣品三-彩色座標(b*)評估
以上所有透明導電膜樣品的彩色座標皆以一CIE彩色座標方法及一D 75光源(D75 source)。其結果顯示於下方之表一。
實驗樣品四-表面電阻值(R)評估
以上所有透明導電膜樣品的表面阻值皆以一4-探針法測
量(例如Loresta EP MCP-T360),其結果顯示於下方之表一。
如以上[表一]所示,本發明較佳實施例的透明導電膜比使用透明ITO的對照樣品一在霧度和透明度上具有更佳的表現。再者,本發明的透明導電膜相較於僅包含銀奈米線薄膜的對照樣品二,在霧度及透光率上有更佳的改善,特別的是,本發明的透明導電膜於表面電阻值上具有大幅地改善。因此,根據本發明較佳實施例的透明導電膜具有優良的電氣特性及光學特性。當然,以透明導電膜取代ITO薄膜更具有適用性及經濟上的效益。
雖然本發明所揭露之實施方式如上,惟所述之內容並非用以直接限定本發明之專利保護範圍。任何本發明所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明所揭露之精神和範圍的前提下,可以在實施的形式上及細節上作些許之更動。本發明之專利保護範圍,仍須以所附之申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧透明膜
20‧‧‧銀奈米線薄膜
30‧‧‧PEDOT-PSS薄膜
圖1係本發明較佳實施例之透明導電膜結構示意圖。
10‧‧‧透明膜
20‧‧‧銀奈米線薄膜
30‧‧‧PEDOT-PSS薄膜
Claims (19)
- 一種透明導電膜,包含:一透明膜;以及一導電薄膜形成於該透明膜的一表面,其中該導電薄膜包含一銀奈米線薄膜和一PEDOT(聚二氧乙基塞吩)-PSS(聚對苯乙烯磺酸)薄膜,其中該PEDOT-PSS薄膜的形成係藉由於該銀奈米線薄膜上以一PEDOT水性分散液塗佈,其中該PEDOT水性分散液包含PEDOT、PSS、水份、以及一表面活化劑,然後暫時地烘乾,烘乾條件為在100℃到160℃的溫度下,烘烤5到40秒。
- 如申請專利範圍第1項所述之透明導電膜,其中該銀奈米線薄膜形成於該透明膜的一表面,而該PEDOT(聚二氧乙基塞吩)-PSS(聚對苯乙烯磺酸)薄膜形成於該銀奈米線薄膜上。
- 如申請專利範圍第1項所述之透明導電膜,其中該銀奈米線薄膜由兩層或更多層所組成。
- 如申請專利範圍第1項所述之透明導電膜,其中該PEDOT(聚二氧乙基塞吩)-PSS(聚對苯乙烯磺酸)薄膜係由兩層或更多層所組成。
- 如申請專利範圍第1項所述之透明導電膜,其中該銀奈米線薄膜烘烤前的厚度為5到10μm。
- 如申請專利範圍第1項所述之透明導電膜,其中該PEDOT(聚二氧乙基塞吩)-PSS(聚對苯乙烯磺酸)薄膜烘烤前的厚度為5到10μm。
- 如申請專利範圍第1項所述之透明導電膜,其中該PEDOT(聚二氧乙基塞吩)-PSS(聚對苯乙烯磺酸)薄膜包含重量比為1:1的PEDOT(聚二氧乙基塞吩)及PSS(聚對苯乙烯磺酸)。
- 如申請專利範圍第7項所述之透明導電膜,其中該PEDOT(聚二氧乙基塞吩)-PSS(聚對苯乙烯磺酸)薄膜進一步包含一表面活化劑。
- 如申請專利範圍第1項所述之透明導電膜,其中該銀奈米線薄膜進一步包含一增稠劑及一表面活化劑。
- 一種觸控面板,包含如申請專利範圍第1項所述之透明導電膜。
- 一種顯示器,包含如申請專利範圍第10項所述之觸控面板。
- 如申請專利範圍第11項所述之顯示器,其中該顯示器為LCD、PDP、LED、OLED或E-paper裝置。
- 一種透明導電膜之製造方法,包含形成一導電薄膜其包含一銀奈米線薄膜和一PEDOT(聚二氧乙基塞吩)-PSS(聚對苯乙烯磺酸)薄膜, 其中該PEDOT-PSS薄膜的形成係藉由於該銀奈米線薄膜上以一PEDOT水性分散液塗佈,其中該PEDOT水性分散液包含PEDOT、PSS、水份、以及一表面活化劑,然後暫時地烘乾,烘乾條件為在100℃到160℃的溫度下,烘烤5到40秒。
- 如申請專利範圍第13項所述之製造方法,其中該導電薄膜的形成包含:形成該銀奈米線薄膜於該透明膜的一表面;以及形成該PEDOT(聚二氧乙基塞吩)-PSS(聚對苯乙烯磺酸)薄膜於該銀奈米線薄膜上。
- 如申請專利範圍第14項所述之製造方法,其中該銀奈米線薄膜的形成係藉由塗佈一銀奈米線塗液於該透明膜的一表面,其中該銀奈米線塗液包含一銀奈米線、水、一增稠劑、以及一表面活化劑,且暫時地烘乾,而烘烤條件可為在100℃到160℃的溫度下烘烤5到40秒的時間
- 如申請專利範圍第15項所述之製造方法,其中該銀奈米線薄膜的形成之步驟可重複多次。
- 如申請專利範圍第13項所述之製造方法,其中該PEDOT-PSS薄膜之形成步驟可重複多次。
- 如申請專利範圍第13項所述之製造方法,進一步包含在形成該導電薄膜後將該膜片烘乾,其中該導電薄膜包含該銀奈米線薄膜及該PEDOT-PSS薄膜。
- 如申請專利範圍第18項所述之製造方法,其中該膜片的烘乾之條件為在100℃到160℃的溫度下烘烤5到40秒。
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