TWI590289B - 用以提供電漿處理系統中之處理氣體的設備 - Google Patents

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Description

用以提供電漿處理系統中之處理氣體的設備
本發明係關於一種用以提供電漿處理系統中之處理氣體的方法。
電漿處理長期以來被用於將基板(例如，晶圓或平板)處理為電子產品(例如，積體電路或顯示面板)。在電漿處理中，一或更多種氣體可被充能並轉換成電漿以處理(例如，沉積、清洗、或蝕刻)基板。
為了使基板處理之產量最大化、節省空間、並使效率最大化，已將群集工具用於平行地處理複數基板。在群集工具作法中，數個電漿處理腔室可耦接在一起成為一個群集電漿處理系統。此等腔室可共用某些共同資源，例如某些資料處理能力、裝載機器人臂、晶圓儲存匣、以及排氣管道等。在同一時間內、在群集工具中可使用相同的配方、或使用不同的配方以處理複數基板。
由於每一腔室根據其採用的配方，可能需要複數氣體之組合，因此通常提供數個氣體進料器至每一腔室。氣體進料器之每一者可供應特定之氣體(如N2、O2、CHF3、C4F8等)。質量流量控制器(MFC,mass flow controller)與每個腔室之每一氣體進料器相連，測量在所需的時間內所需之氣體流量(例如，每分鐘特定立方呎之N2)，以滿足配方之要求。由於每個氣體進料器需要單獨的MFC，一個腔室可具有數個MFC以處理配方可能要求之不同類型的氣體。
過去每個腔室接收並調節自身之氣體進料器供應，以使MFC效能維持在規範內。調節氣體進料器俾使至MFC之輸入壓力維持相對穩定，這對於準確的MFC效能相當重要，即使對於宣稱對壓力不敏感的MFC亦是如此。由於成本和空間的限制，如果數個MFC皆供應同類型的氣體(如 N2)，那麼在此等MFC中共享一個調節器已為趨勢所在。有些人稱此方法為「單線輸送(single line drop)」方法，此方法包含使用共享歧管(實質上為管道的分支網路)以將特定氣體(如N2)從一個調節器供應至數個MFC。圖1呈現此單線輸送方法，其中調節器102用於調節MFC 104，MFC 106，和MFC 108之輸入壓力，此三者之輸入端口透過共享歧管110連接至共享調節器102。雖然在圖1中未示出，但該等MFC之輸出端係耦接至不同處理腔室以供應氣體。
單線輸送方法的一項優點是採購和維護成本較低，及複雜性降低，這是因為只需購買、校準、認證、維護、維修、及/或監控一個調節器供複數MFC使用。單線輸送方法的另一個優點是空間效率，這是因為在每一腔室附近的空間利用往往十分寶貴。藉由減少腔室附近之調節器數目(很多時候還有相連的量錶和其他相連之元件和管路)，可騰出更多的空間給可能需要靠近腔室之其它必要元件(如控制電子產品、加熱器、各種機電元件等)。若調節器可置於多個MFC之遠端，俾使調節器不需要靠近腔室時格外如此。
然而吾人已發現在許多情況下，當數個MFC共享單一調節器時，處理效能會受到影響。例如，已發現在某些情況下，蝕刻輪廓及/或均勻性及/或產率受到影響。本發明之實施例欲採用單線輸送方法改善群集工具之處理效能。
在一實施例中，本發明關於實施群集工具方法的電漿處理系統，此群集工具方法之特徵為具有數個處理腔室。電漿處理系統包括提供處理氣體之氣體進料器，以及耦接至氣體進料器之調節器。電漿處理系統包括與調節器氣體連接的累加器，以及與累加器氣體連接的共享歧管。電漿處理系統亦包括複數質量流量控制器，與共享歧管氣體連接，累加器設置於複數質量流量控制器與共享歧管之間。
在另一實施例中，本發明關於氣體供應裝置，用以將處理氣體供應至群集電漿處理系統之複數電漿處理腔室。氣體供應裝置包括調節器和與調節器氣體連接之累加器。氣體供應裝置亦包括複數質量流量控制器及 與該等質量流量控制器耦接之歧管，以將處理氣體由累加器提供至複數質量流量控制器，其中累加器和歧管之結合體積為不具有累加器之歧管體積的至少3倍。
102‧‧‧調節器
104‧‧‧質量流量控制器(MFC)
106‧‧‧質量流量控制器(MFC)
108‧‧‧質量流量控制器(MFC)
110‧‧‧共享歧管
202‧‧‧配置
204‧‧‧共享累加器
206‧‧‧共享歧管
210‧‧‧質量流量控制器(MFC)
212‧‧‧質量流量控制器(MFC)
214‧‧‧質量流量控制器(MFC)
220‧‧‧共享調節器
302‧‧‧共享累加器
304‧‧‧共享過濾器
310‧‧‧輸入埠
312‧‧‧輸出埠
360‧‧‧箭頭
402‧‧‧共享累加器
404‧‧‧箭頭
406‧‧‧箭頭
410‧‧‧箭頭
502‧‧‧步驟
504‧‧‧步驟
506‧‧‧步驟
602‧‧‧過濾器
604‧‧‧孔洞
606‧‧‧輸出端
608‧‧‧累加器
本發明係藉由例示而非限制之方式顯示於隨附圖式中之圖形，且其中相似的參考數字表示相似的元件，且其中：圖1呈現單線輸送方法之先前技術，其中調節器用於調節數個質量流量控制器之輸入壓力。
圖2呈現根據本發明實施例之配置，其中提供共享累加器，與共享歧管氣體連接，以增加不具有共享累加器之共享歧管的體積，以減少壓力尖波及驟降。
圖3呈現根據本發明之一或更多實施例之實施方式，其中共享累加器與共享過濾器結合。
圖4呈現較佳實施方式，其中實施共享累加器時，其體積之大部分設置於與共享歧管軸正交的方向。
圖5呈現根據本發明之一或更多實施例之翻新方法，用以將現存群集工具翻新為具有MFC串擾(cross-talk)減少能力。
圖6呈現根據本發明之一或更多實施例之可更換式過濾器方法的簡化圖，其中累加器設置可更換式過濾器。
本發明現將參照如隨附圖式中呈現之其若干較佳實施方式加以詳述。在以下敘述中，提出許多具體細節以提供對本發明之深入了解。然而對熟悉本技藝者將顯而易見，本發明可在缺少這些具體細節的部份或所有者的情況下實施。在其它情況下，已為人所熟知之程序步驟以及/或是結構將不再詳述，以不非必要地妨礙本發明。
各種實施例係描述於下，包括方法和技術。應謹記本發明亦可涵蓋包含電腦可讀取媒體之製品，該電腦可讀取媒體儲存了實施本發明技術之實施例的電腦可讀取指令。電腦可讀取媒體可包含例如半導體、磁性、 光磁、光學、或其他形式之用以儲存電腦可讀取碼的電腦可讀取媒體。此外，本發明亦可涵蓋用以實施本發明實施例的設備。此設備可包括專用及/或可程式化之電路，以實施與本發明之實施例相關的任務。此設備之範例包含通用電腦及/或適當程式化之專用計算裝置，且可包括適用於和本發明之實施例相關之各種任務的電腦/計算裝置及專用/可程式化之電路之組合。
本發明之實施例關於改善群集工具之處理效能的方法和設備，此等群集工具使用單線輸送方法。有鑑於單線輸送方法包含透過共享歧管共享一調節器的數個MFC，本發明之實施例在數個MFC耦接至相同之共享歧管以共享同一調節器時，試圖將複數MFC之串擾最小化。如本文採用之用語，MFC之串擾係指當位於相同共享歧管上之一MFC改變其輸出參數之一或更多者(如打開、關閉、增加及/或減少其輸出流量至其相連之腔室)時，其他MFC所經歷之歧管壓力波動。
在一或更多實施例中，揭露用以在處理腔室中實施MFC串擾減少之技術和設備。在一或更多實施例中，揭露用以翻新現存處理腔室之技術和設備，俾使減少前述MFC串擾所需之變化為最少。
在一或更多實施例中，MFC串擾之減少包含將共享累加器腔室結合至多個MFC和共享調節器之間。在一或更多實施例中，MFC串擾之減少包含將共享累加器腔室併入共享歧管和共享調節器之間。在一或更多實施例中，MFC串擾之減少包含將共享累加器腔室併入共享歧管之至少一部份和共享調節器之間。共享累加器耦接至共享歧管，以當耦接至共享調節器之一或更多之MFC改變其輸出參數之一者時，吸收共享歧管所經歷之壓力尖波及驟降。舉例來說，當一或更多MFC減少或切斷輸出時，共享累加器可作為貯氣器以吸收或弱化共享歧管內之突然的壓力尖波(例如，壓力驟增)。作為另一個例子時，當MFC之一或更多者開啟或增加輸出氣體流時，共享累加器可作為貯氣器以減少或弱化共享歧管內之壓力驟降。
本發明之眾發明人理解即使是宣稱對壓力不敏感的MFC，其精準度仍會因輸入壓力的波動而受到負面影響，使得MFC之輸入端的輸入壓力尖波及驟降可改變輸出壓力及/或流速。在一或更多實施例中，MFC串擾之減少包含提供共享累加器在共享調節器和其多個MFC之間，以增加共享 歧管/共享累加器之結合體積，使此結合體積為無共享累加器之共享歧管之體積的至少3倍(亦即假設性地產生之共享歧管體積，假設移除共享累加器且將群集工具元件移動在一起，使耦接至現已移除之累加器的共享歧管端部重新焊接在一起，彷彿共享歧管從未具有累加器)。
在一或更多實施例中，MFC串擾之減少包含提供共享累加器在共享調節器和其多個MFC之間，以增加共享歧管/共享累加器之結合體積，使其體積為無共享累加器之共享歧管的體積之約3-50倍。在一或更多實施例中，MFC之串擾減少包含提供共享累加器在共享調節器和其多個MFC之間，以增加共享歧管/共享累加器之結合體積，使其體積為無共享累加器之共享歧管的體積之約5-20倍。在一或更多實施例中，MFC之串擾減少包含提供共享累加器在共享調節器和其多個MFC之間，以增加共享歧管/共享累加器之結合體積，使其體積為無共享累加器之共享歧管的體積之約7-15倍。在一或更多實施例中，MFC之串擾減少包含提供共享累加器在共享調節器和其多個MFC之間，以增加共享歧管/共享累加器之結合體積，使其體積為無共享累加器之共享歧管的體積之約8-12倍。
在一或更多實施例中，共享累加器與共享過濾器結合，俾使提供共享累加器所需之額外歧管軸的長度(沿共享累加器管軸所測量之長度)最小。在一或更多實施例中，共享累加器與共享過濾器結合，俾使共享累加器可在先前用以放置共享過濾器之相同的歧管軸長度加以實施。在一或更多實施例中，共享累加器與共享過濾器結合，俾使共享累加器可在先前用以放置共享過濾器之相同的殼體加以實施，而幾乎不需或完全不需變更殼體。當共享過濾器與共享累加器結合時，共享過濾器係部分或全部設置於共享累加器內之該歧管軸長度內。在共享累加器和共享過濾器未結合之其它實施例中，若期望時，共享累加器和共享過濾器可能沿著共享歧管之歧管軸維度而佔據兩個不同的位置。
本發明實施例之特色及優點可參照以下的圖式及討論加以深入理解。圖2顯示根據本發明實施例的配置202，其中提供共享累加器204，該共享累加器與共享歧管206氣體連接，以增加不具有共享累加器之共享歧管206的體積。較佳地，共享累加器204在一或更多實施例中，係在數個MFC 210，212和214之間共享。雖然圖2之範例僅顯示3個MFC，但應理 解共享單一共享累加器之複數MFC，可與任何數目大於2之多個MFC共享相同之累加器。
再者，較佳的在一或更多實施例中，共享累加器置於共享調節器220和多個MFC之每一者之間，俾使共享歧管206中的壓力尖波及驟降至少部分地由共享累加器204吸收，而不受到共享調節器220之阻礙。再者，較佳的在一或更多實施例中，共享累加器204置於用以放置共享調節器220之相同殼體內，俾使共享累加器204設置為遠離多個MFC和與其相連之腔室。以此方式，共享累加器204不會佔用每個腔室旁邊的寶貴空間。雖然共享累加器在圖2顯示為以直接插入的方式實施，共享累加器亦可使用例如T型連結器耦接至共享歧管。
圖3呈現根據本發明之一或更多實施例中的一個實施方式，其中共享累加器302結合於共享過濾器304中。共享過濾器304可代表用以過濾供應至腔室之氣體的過濾器類型，例如鎳或不銹鋼(或其它材料，取決於相關的氣體)過濾器。共享累加器302包括輸入埠310(設置朝向調節器)和輸出埠312(設置朝向共享歧管)。過濾器及其使用對於電漿氣體供應而言已為人熟知，並不於此進一步討論。在圖3之結合實施方式中，共享過濾器至少部分地(或全部地)將其歧管軸的長度(其沿著箭頭360方向的長度)與共享累加器302之歧管軸長度共享。
在其最簡單的實施方式中，共享累加器代表封閉的氣體體積，具有輸入端和輸出端。例如，共享累加器可包括殼體，其定義氣密體積並具有輸入埠和輸出埠。在一或更多實施例中，共享累加器代表元件，該元件相較於其所附接之共享歧管的截面尺寸，具有較大之截面尺寸。共享累加器增加之截面用以提供額外的體積以吸收突然的壓力尖波或驟降。累加器的輸入端係耦接朝向共享調節器。輸出端係耦接朝向多個MFC。共享累加器因此設置於共享調節器和多個MFC之間。並未要求共享累加器之輸入端與共享調節器之耦接為直接(雖然此可加以實施)。在一或更多實施例中，量錶經常插入於例如共享調節器和共享累加器之間。可更換地或附加地，過濾器可插入於(或結合至)例如共享累加器之間。同樣地，並未要求共享累加器之輸出端與特定MFC之間的耦接為直接耦接，而僅有共享歧管設置於其中(亦即其他元件可插入在累加器之輸出端和MFC之間，前提是此 插入不會過度干擾累加器之MFC串擾減少功能)。
圖4呈現一較佳實施方式，其中實施共享累加器402時，其大部分之體積置於與共享歧管軸正交的方向。在此實施方式中，共享累加器402之最大尺寸為箭頭404之方向，此為與共享歧管軸(沿箭頭406之方向定向)正交的方向。共享累加器402之最小尺寸係平行於共享累加器402之另一正交軸(箭頭410處)。在另一實施例中，共享累加器402之最小尺寸係平行於共享歧管軸。較佳地，位於箭頭410之方向的共享累加器402之尺寸係調整至可容納結合之過濾器(討論於後)或將共享累加器402耦接至共享歧管之連結器。應理解，此方法試圖將底面積(於箭頭406或410之方向)最小化，其係藉由將體積以箭頭404之正向及/或反向之方向擴大。此為特別有利的實施方式，因為共享累加器可根據多數殼體之小底面積的要求加以實施，因此能夠使結合過濾器之累加器置入先前由過濾器佔用之底面積，並簡化翻新任務。
雖然圖4之範例顯示出共享累加器實質上為矩形及/或立方形狀，但共享累加器可具有任何形狀，包括圓柱形、球形等等。再者，在一或更多實施例中，共享累加器可具有不規則形狀，以放入不規則的空間。再者，在一或更多實施例中，共享累加器之實施，可藉由共享歧管一段中之較大直徑的管件。在一或更多實施例中，共享累加器之實施方式，並非藉由增加在共享調節器與其多個MFC之間的共享歧管總長度(或共享歧管長度之50%以上)的截面尺寸，因為這種方法將牽涉到對於腔室附近或多個MFC附近之有限空間的不利運用。
圖5呈現根據本發明之一或更多實施例中，用於將現存之群集工具翻新為具有MFC串擾減少能力之方法。步驟502提供共享累加器，該共享累加器之體積，可將共享歧管之體積增加至無共享累加器的歧管之體積的至少3倍。若共享累加器與過濾器結合，則在步驟504中，結合過濾器的共享累加器用於取代現存的共享過濾器。在步驟504中，共享累加器係設置於共享調節器和多個MFC之間。若需要間隔管或不同的連結器時，間隔管或不同之連結器係適當配置以確保共享累加器及現存的共享歧管呈現氣密狀態。
若共享累加器未與過濾器結合，則共享累加器係直接插入(在步 驟506中)至共享歧管，或藉由使用在共享調節器和多個MFC之間的T型連結器。若需要間隔管或不同的連結器時，那麼間隔管或不同連結器係適當配置以確保共享累加器及現存之共享歧管呈現氣密狀態。
根據本發明之一或更多實施例，採用不可更換之結合過濾器方法，其中過濾器之目的為以不可移除之方式與共享累加器結合。此方法簡化了翻新及更換，因為共享累加器可直接取代現存之過濾器，並提供結合了共享累加器/過濾器之功能。此種不可移除式的方法可具有例如圖3之形式。
圖6為一簡化圖，呈現根據本發明之一或更多實施例之可更換過濾器的方法，其中累加器608設置有可更換過濾器602。在圖6之實施方式中，過濾器602可插入至共享累加器內之孔洞604，並於其中由，例如，連結器(圖中未顯示)所拴住。連結器可用於，例如，將累加器之輸入端耦接至管段(管段可耦接至例如量錶或調節器)，且過濾器可由靠著累加器主體之連結器所拴住。連結器亦可用於，例如，將累加器之輸入端耦接至量錶或調節器，且過濾器可由靠著累加器主體之連結器所拴住。為了獲得MFC串擾減少之最大效能，較佳為於累加器之輸入端(朝向調節器)而不是於累加器之輸出端606(朝向共享歧管)提供過濾器，俾使過濾後之氣體在透過累加器之輸出埠排出之前，釋放進入累加器之內部體積。以此方式，累加器之內部體積係以不受阻礙之方式與共享歧管氣體連接。可使用任何習知的附接技術，包括螺栓固定、加壓套入、加壓成帶等等，以將連結器(圖6未顯示)附接於共享累加器。
在一或更多實施例中，共享累加器設置於用以放置設施介面盒(FIB,facility interface box)之同一外罩中，設施介面盒放置提供給來自氣體供應槽之氣體供應進料(如N2、O2、CHF3等)之氣動式、常閉的主要閥件。在亦採用此FIB之單線輸送實施方式中，提供給每一氣體供應進料之氣動式、常閉的主要閥件代表用於打開或關閉通往群集工具之每一氣體的主要閥件。此實施方式中的FIB位於多個MFC(通常設置較接近腔室)之遠端。在每一個FIB殼體可提供數個氣體進料器，此等氣體進料器之每一者皆具有各自之氣動式、常閉的主要閥件。在此FIB殼體中之每個共享累加器係藉由共享歧管耦接至其遠端之多個MFC。在此實施方式中，大幅地簡化了 翻新步驟，這是因為只有FIB殼體需要打開並使用共享累加器加以翻新，以為遠端設置的數個MFC/腔室提供MFC之串擾減少。若共享累加器之建構方法使其可與過濾器結合(如上所討論)，則翻新就像直接取代一樣簡單，直接取代將過濾器替換為結合過濾器的共享累加器給每一氣體進料器。對於希望減少單線輸送群集工具中之MFC串擾的現存群集工具使用者而言，這是相當有利的，因為使用本發明之共享累加器方法的翻新技術簡單、快速且費用相對低廉。
本發明雖已透過數個較佳實施例加以說明，但仍有許多落於本發明範疇內之更換、修改及各種置換均等物。雖然在此提供各種範例，但關於本發明之此等範例應為說明性而非限制性。此外，在此提供之標題及摘要係為便利之目的且不應被用以解釋為請求項之範圍。此外，摘要係以高度簡化之形式撰寫且係以便利之目的提供，因此不應用於解釋或限制呈現於請求項之整體發明。若用語「組」係使用於本文中，則該用語欲具有其通常所理解之數學上的意義，以包含零、一、或一個以上之構件。亦應注意有許多實施本發明之方法及裝置的替代性方式。因此欲使以下隨附請求項解釋為包含所有落於本發明之真正精神及範疇內的此等更換、修改及各種置換均等物。
602‧‧‧過濾器
A.604‧‧‧孔洞
B.606‧‧‧輸出端
608‧‧‧累加器

Claims (20)

  1. 一種提供處理氣體至複數電漿腔室之電漿處理系統，該電漿處理系統包含：調節器，用以接收該處理氣體；累加器，與該調節器連接，其中該調節器係用以調節對於該累加器的該處理氣體之供應，以維持供應至該累加器的該處理氣體之穩定壓力；共享歧管，與該累加器連接，其中該累加器用以(i)在供應該處理氣體之第一部分至該共享歧管時，從該調節器接收該處理氣體之第二部分並累加該處理氣體、及(ii)至少部分吸收該共享歧管內之壓力中的尖波及驟降；以及複數質量流量控制器，與該共享歧管連接，其中該累加器係連接於該調節器與該複數質量流量控制器之間，且其中該複數質量流量控制器控制該處理氣體離開該共享歧管之複數分支至該複數電漿腔室的部分之流動。
  2. 如申請專利範圍第1項之提供處理氣體至複數電漿腔室之電漿處理系統，其中該累加器包含氣體密封結構，該氣體密封結構之截面積大於該共享歧管之一部分之截面積，且該累加器與該共享歧管之該部分連接。
  3. 如申請專利範圍第1項之提供處理氣體至複數電漿腔室之電漿處理系統，更包含過濾器，其中該過濾器係與該累加器結合，且在該處理氣體從該累加器被供應至該共享歧管、該複數質量流量控制器及該複數電漿腔室之前，過濾該處理氣體。
  4. 如申請專利範圍第3項之提供處理氣體至複數電漿腔室之電漿處理系統，其中該過濾器係結合於該累加器之輸入端中。
  5. 如申請專利範圍第4項之提供處理氣體至複數電漿腔室之電漿處理系統，其中該過濾器為不可更換式。
  6. 如申請專利範圍第4項之提供處理氣體至複數電漿腔室之電漿處理系統，其中該累加器及該過濾器係配置成容許該過濾器插入該累加器並經由連結器加以拴住，俾使該過濾器為可更換式。
  7. 如申請專利範圍第1項之提供處理氣體至複數電漿腔室之電漿處理系統，其中該累加器之實施係直接插入於該共享歧管。
  8. 如申請專利範圍第6項之提供處理氣體至複數電漿腔室之電漿處理系統，其中該累加器係經由該連結器耦接至該共享歧管，且該連結器為T型連結器。
  9. 如申請專利範圍第1項之提供處理氣體至複數電漿腔室之電漿處理系統，其中該累加器係設置為遠離該複數質量流量控制器，俾使該累加器不設置於該複數電漿腔室之任何一者。
  10. 如申請專利範圍第1項之提供處理氣體至複數電漿腔室之電漿處理系統，其中該累加器及該共享歧管之結合體積為不具有該累加器之該共享歧管之體積的至少3倍。
  11. 如申請專利範圍第1項之提供處理氣體至複數電漿腔室之電漿處理系統，其中該累加器及該共享歧管之結合體積為不具有該累加器之該共享歧管之體積的約3-50倍。
  12. 如申請專利範圍第1項之提供處理氣體至複數電漿腔室之電漿處理系統，其中該累加器及該共享歧管之結合體積為不具有該累加器之該共享歧管之體積的約5-20倍。
  13. 如申請專利範圍第1項之提供處理氣體至複數電漿腔室之電漿處理系統，其中該累加器及該共享歧管之結合體積為不具有該累加器之該共享歧 管之體積的約7-15倍。
  14. 如申請專利範圍第1項之提供處理氣體至複數電漿腔室之電漿處理系統，其中該累加器及該共享歧管之結合體積為不具有該累加器之該共享歧管之體積的約8-12倍。
  15. 如申請專利範圍第1項之提供處理氣體至複數電漿腔室之電漿處理系統，其中該累加器包含：殼體，界定氣密體積；輸入埠；輸出埠；以及過濾器，耦接至該輸入埠，俾使該過濾器之至少一部份設置於該氣密體積中，且由該過濾器過濾後之該處理氣體在透過該輸出埠排出之前，釋放進入該氣密體積中。
  16. 如申請專利範圍第15項之提供處理氣體至複數電漿腔室之電漿處理系統，其中該過濾器係由包含鎳之材料所形成。
  17. 如申請專利範圍第15項之提供處理氣體至複數電漿腔室之電漿處理系統，其中該過濾器係由包含不銹鋼之材料所形成。
  18. 如申請專利範圍第1項之提供處理氣體至複數電漿腔室之電漿處理系統，其中：該調節器係直接耦接至該累加器；且該累加器係直接耦接至該共享歧管。
  19. 如申請專利範圍第1項之提供處理氣體至複數電漿腔室之電漿處理系統，其中該複數質量流量控制器係分別與該複數分支插入連接，並接收由該共享歧管從該累加器接收之該處理氣體的一個別部分。
  20. 如申請專利範圍第4項之提供處理氣體至複數電漿腔室之電漿處理系統，更包含T型連結器，其中：該過濾器係實施於該T型連結器中；該累加器透過該T型連結器接收該處理氣體；該T型連結器包含第一部分及第二部分；該T型連結器的該第一部分係設置在該累加器的外部上；且該T型連結器的該第二部分係設置於該累加器內。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI693638B (zh) 2014-04-07 2020-05-11 美商蘭姆研究公司 獨立於配置的氣體輸送系統
US10557197B2 (en) 2014-10-17 2020-02-11 Lam Research Corporation Monolithic gas distribution manifold and various construction techniques and use cases therefor
JP6354539B2 (ja) * 2014-11-25 2018-07-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、記憶媒体
US10022689B2 (en) 2015-07-24 2018-07-17 Lam Research Corporation Fluid mixing hub for semiconductor processing tool
US10118263B2 (en) 2015-09-02 2018-11-06 Lam Researech Corporation Monolithic manifold mask and substrate concepts
US9879795B2 (en) 2016-01-15 2018-01-30 Lam Research Corporation Additively manufactured gas distribution manifold
US10215317B2 (en) 2016-01-15 2019-02-26 Lam Research Corporation Additively manufactured gas distribution manifold
US11629821B1 (en) 2022-01-19 2023-04-18 Praxair Technology, Inc. Gas dosing apparatus with directional control valve

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6152070A (en) 1996-11-18 2000-11-28 Applied Materials, Inc. Tandem process chamber
US6143080A (en) 1999-02-02 2000-11-07 Silicon Valley Group Thermal Systems Llc Wafer processing reactor having a gas flow control system and method
US6333272B1 (en) 2000-10-06 2001-12-25 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
US6743736B2 (en) * 2002-04-11 2004-06-01 Micron Technology, Inc. Reactive gaseous deposition precursor feed apparatus
US20030234047A1 (en) * 2002-06-24 2003-12-25 Ali Shajii Apparatus and method for dual processor mass flow controller
AR041013A1 (es) * 2002-12-04 2005-04-27 Yt Ingenieria Ltda Aparato dosificador de gas y metodo para dosificar cantidades predeterminadas de gas
US7628860B2 (en) * 2004-04-12 2009-12-08 Mks Instruments, Inc. Pulsed mass flow delivery system and method
US7376520B2 (en) 2005-03-16 2008-05-20 Lam Research Corporation System and method for gas flow verification
EP2198367A1 (en) 2007-08-31 2010-06-23 Applied Materials, Inc. Photovoltaic production line
JP2010098053A (ja) 2008-10-15 2010-04-30 Tokyo Electron Ltd クリーニング方法及び記録媒体
US8931512B2 (en) * 2011-03-07 2015-01-13 Applied Materials, Inc. Gas delivery system and method of use thereof

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