TWI588434B - 熱屏蔽系統 - Google Patents

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TWI588434B
TWI588434B TW102144152A TW102144152A TWI588434B TW I588434 B TWI588434 B TW I588434B TW 102144152 A TW102144152 A TW 102144152A TW 102144152 A TW102144152 A TW 102144152A TW I588434 B TWI588434 B TW I588434B
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阿諾 普蘭肯史丹尼
卡爾 胡伯
伯哈德 法蘭提尼
克里斯提恩 格羅斯
卡爾 拉格爾
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攀時歐洲公司
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Description

熱屏蔽系統
本發明係關於一種用於熱屏蔽高溫爐之批料空間的熱屏蔽系統，該熱屏蔽系統包含至少一個屏蔽元件。
熱屏蔽系統用於高溫爐中以便儘可能將由各別加熱系統產生且為批料空間中之各別製程所需之熱保持在批料空間中。
在迄今已用於高溫爐之一種原理中，熱屏蔽系統由複數個(例如5至15個)由鎢或鉬製造的輻射板形成，該等輻射板經配置而彼此實質上平行並且利用間隔物保持間隔分開。此外，已知使用適當堆疊之陶瓷磚(例如由氧化鋯製造)來熱屏蔽高溫爐中之批料空間。
WO 2011/083898 A1揭示一種用於生長藍寶石單晶之高溫爐之熱屏蔽系統，其中提供複數個經配置而間隔分開之絕緣塊。詳言之，該等絕緣塊本身由石墨形成。此外，可在至少兩個絕緣塊之間設置絕緣層(例如由鋼製造)。根據文獻RU 100770 U1及JP 2002-333279 A，已知用於高溫爐之其他熱屏蔽系統。
隨著對生產率的需求日益增加，在高溫爐中經熱處理(或製造)之部件的產品品質及高溫爐之能量效率使得有必要進一步優化熱屏蔽系統。詳言之，對於產品品質，在許多產品之情況下，需要批料空間中僅出現較小溫度梯度，詳言之，此可藉由提高熱屏蔽系統之屏蔽作用來達成。屏蔽作用提高亦可改良高溫爐之能量效率。
在習知輻射板系統的情況下，可藉由增加輻射板之數目來改良屏蔽作用。從而增加上面發生熱流之表面的數目，且因此可利用複數個輻射板達成相對較大幅度之溫度下降。此結果典型地伴隨板厚度降低。舉例而言，使用在0.25至2.0mm範圍內的板厚度，該等板彼此之間的空隙僅在4至8mm範圍內。然而對輻射板屏蔽之此種優化受到限制，此係因為此舉導致許多部件形成絲狀結構且出現顯著老化現象。替換輻射板則關係到花費精力及成本。
在慣常使用之陶瓷磚的情況下，利用陶瓷材料(尤其是氧化鋯或氧化鋁)之低熱傳導率。然而，在此同樣需要進行優化。
因此，本發明之一個目標在於進一步改良高溫爐之熱屏蔽系統的屏蔽作用以及能量效率，同時意欲確保其服務壽命較長。就此而言，詳言之，熱屏蔽系統將設計用於1500℃、尤其是1700℃之目標溫度。
藉由如申請專利範圍第1項中所主張之熱屏蔽系統來達成該目標。本發明之有利進展則於附屬請求項中指明。
根據本發明，提供一種用於熱屏蔽高溫爐之批料空間的熱屏蔽系統，該熱屏蔽系統包含至少一個屏蔽元件。屏蔽元件具有由難熔金屬片組成之外圍(外罩)及以顆粒及/或纖維結構形式存在且基於氧化鋯(ZrO2)之陶瓷材料，該陶瓷材料容納於該外圍中。陶瓷材料較佳總體上以顆粒結構形式或者以纖維結構形式存在，亦即，較佳不存在顆粒與纖維之混合物。
根據本發明，因為使用以顆粒及/或纖維結構形式存在之陶瓷材料，故熱傳導率進一步降低，此與塊狀材料相比就屏蔽作用而言較為有利。此外，與塊狀材料相比，熱容量降低，此就加熱階段及冷卻階段期間的能量效率而言以及就生產率而言為有利的。由於顆粒及/或纖維結構之故，個別顆粒或纖維之間的熱傳導僅可能經由個別顆粒或纖維之間的相對 較小的接觸點來進行。此外，個別顆粒及纖維之間發生輻射作用。詳言之，在基於氧化鋯(ZrO2)之材料的情況下，有可能達成在十分之幾W/(mK)(瓦/米．開)範圍內的極低熱傳導率，例如在1/10W/(mK)至高達1W/(mK)範圍內(此等數值適用於所述之整個溫度範圍)。因為以顆粒及/或纖維結構形式存在之陶瓷材料容納於由難熔金屬片組成之外圍中，故獲得模組式設計，此就處置而言、就修復工作而言以及就替換陶瓷材料及/或整個屏蔽元件而言為有利的。詳言之，若陶瓷材料上出現老化現象(例如，隨時間增加而分解)，則可將其自外圍中移除並替換，而外圍可重複使用。在本發明中，與慣常使用之輻射板相比，外圍之難熔金屬片可具有顯著更厚且更穩定之形式，此就屏蔽元件之穩定性及服務壽命而言為有利的。詳言之，視屏蔽元件之大小來選擇外圍之難熔金屬片之厚度，厚度較佳隨大小增加而增加。另外，輻射作用亦出現在外圍之難熔金屬片上，此對於熱屏蔽作用而言為有利的。因此，以顆粒及/或纖維結構形式存在之陶瓷材料與由難熔金屬片組成之外圍之組合可實現極佳屏蔽作用、高能量效率、較長服務壽命、便於維護、便於替換陶瓷材料以及便於替換整個屏蔽元件。尤其在高目標溫度之應用中，尤其在1500℃之目標溫度下，較佳在1700℃之目標溫度下，至多在2500℃左右之目標溫度下，根據本發明之熱屏蔽系統優於如上所述之由輻射板或陶瓷磚組成之習知屏蔽系統。
在本發明內容中，術語「高溫爐(high-temperature furnaces)」表示設計用於1500℃之目標溫度、尤其1700℃、至多達2500℃左右之目標溫度的熔爐及反應器。此類型高溫爐用於例如燒結難熔金屬(尤其是基於鉬或基於鎢之材料)，用於生長藍寶石單晶以供用於LED製造等。此處，術語「目標溫度(target temperature)」表示當貫穿溫度分佈(例如，適當時具有複數個坡度之加熱階段；在目標溫度下之保持階段；冷卻階段)時批料空間內部之最大可達溫度。根據本發明之熱屏蔽系統尤其適用於高溫 爐，其中由於批料空間內部發生之熱過程，有必要借助於含碳化合物(尤其是石墨)進行分配。此外，根據本發明之熱屏蔽系統尤其充分適於不是以感應方式而是例如使用電(電阻)加熱元件進行加熱的高溫爐。
術語「外圍(surround)」表示較佳閉合或者可能亦部分開放之容器或可固持並界定呈外部基本形式之陶瓷材料之罐體，其中將存在熱屏蔽元件。此處，該基本形式具有由經配置而間隔分開之難熔金屬片決定之較高厚度，以便在其之間形成腔室以容納陶瓷材料。對於頂側及/或底側(相對於高溫爐之使用位置)上之熱屏蔽，外圍可尤其在各種情況下具有盤狀基本形式(作為頂部部件或作為底部部件)，其內部形成用於容納陶瓷材料之腔室。對於側向熱屏蔽(相對於高溫爐之使用位置)，外圍可具有例如中空圓柱形基本形式、中空圓柱形區段基本形式或更一般地，以預定高度範圍完全或僅部分圍繞各別批料空間之基本形式。就此而言，批料空間之側向熱屏蔽亦可包含複數個呈個別區段形式之屏蔽元件，其隨後在使用時經配置而圍繞批料空間。外圍可具有氣密形式，從而避免水分進入及/或避免外圍內部形成沉積物。然而，此並非必需的。作為替代，外圍較佳亦可能進行氣體循環。詳言之，外圍亦可具有一或多個開口，該一或多個開口配置於陶瓷材料無法在屏蔽元件之各別使用位置逸出之位置。尤其基於高溫爐內部進行之製程來權衡何種變化形式較佳。
在本發明內容中，術語「難熔金屬(refractory metal)」表示熔融溫度2000℃之金屬材料(以元素形式或以合金形式存在，適當時亦具有非金屬添加劑，例如氧化物、碳化物等)。陶瓷材料可以顆粒或粒狀形式存在，尤其是以個別顆粒或粒子之床層形式。個別顆粒又可另外亦具有多孔形式。或者，陶瓷材料亦可以纖維形式，尤其是以纖維墊形式存在。「基於氧化鋯(ZrO2)之材料(material based on zirconium oxide(ZrO2))」為在至少50重量%之程度上，較佳在至少80重量%之程度上，更佳在至少90重量 %之程度上由氧化鋯(精確術語為二氧化鋯，亦即ZrO2)組成之材料，亦有可能的是氧化鋯(ZrO2)包含其他化合物組成(例如Si)，鋯部分以不同的氧化階段(至+IV)存在，鋯以稍微不同於恰好+IV之氧化階段存在，及/或陶瓷材料包含其他添加劑。詳言之，可向氧化鋯(ZrO2)中添加用於保持高溫穩定之添加劑，例如氧化釔、氧化鈣、鉀等(以至多20重量%，尤其以至多10重量%之比例)。詳言之，陶瓷材料中不由氧化鋯(ZrO2)組成之其餘比例與氧化鋯一起形成固溶體。然而，另外或作為替代方案，其亦可作為分散相及/或作為獨立顆粒或纖維存在。氧化鋯就其低熱傳導率及其高溫穩定性(其可進一步改良，尤其藉由上述添加劑)而言尤其較佳。原則上，除陶瓷材料以外，其他組分亦可容納在外圍內部。詳言之，可在外圍內部設置支撐元件、金屬片等。較佳僅以顆粒及/或纖維結構形式存在且基於氧化鋯之陶瓷材料容納於外圍內部。
根據一項進展，陶瓷材料以個別顆粒之床層形式存在。床層因為材料可再使用且適當時材料可再填充至外圍中而為較佳。此外，床層使得可容易地替換陶瓷材料，此係因為其僅必須自外圍(其僅在適當時在適合位置處開放)中排空且隨後可用呈床層形式之新陶瓷材料填充外圍。就達成低填充密度與長期穩定性而言，若個別顆粒之床層具有單峰粒度分佈則尤其較佳。單峰粒度分佈應理解為意謂所有個別顆粒具有實質上相同之粒子大小(在可接受之公差範圍內)。床層之平均粒度k尤其在0.1mmk4mm之範圍內。床層較佳具有球形或實質上呈球形之粒子形狀。
根據一項進展，陶瓷材料在80重量%之程度上由氧化鋯(ZrO2)組成。詳言之，陶瓷材料在90重量%之程度上由氧化鋯(ZrO2)組成。
如上文所說明，此種高比例就低熱傳導率以及高溫穩定性而言為有利的。
原則上，對於難熔金屬片而言，基於Mo(鉬)或W(鎢)之金屬材料(亦即，在至少50重量%之程度上由Mo組成或在至少50重量%之程度上由W組成)尤其較佳。若屏蔽元件曝露於尤其高之溫度，如同例如將其直接配置成與高溫爐之批料空間相鄰的情況，則由於至少在面向批料空間之一側上的相對較高之熔融溫度，故基於W之材料(亦即在至少50重量%之程度上由W組成)尤其較佳。根據一項進展，難熔金屬片在98重量%之程度上由W形成，因此，此(此等)難熔金屬片可耐受尤其高之操作溫度。相比之下，若一或多個輻射板配置在批料空間與屏蔽元件之間，則基於Mo之材料(亦即，在至少50重量%之程度上由Mo組成)亦可用於屏蔽元件之難熔金屬片。基於Mo之材料具有如下優勢：其與基於W之材料相比在製造外圍期間可更容易地進行成形及處理。
根據一項進展，難熔金屬片具有在0.25mmdB 2.5mm範圍內，尤其在0.3mmdB 1.2mm範圍內之壁厚dB。在此等範圍內，以仍可接受之材料成本達成足夠機械穩定性。較佳視屏蔽元件之大小來選擇壁厚。壁厚較佳隨屏蔽元件之大小增加而增加。
根據一項進展，屏蔽元件具有在8mmdE 120mm範圍內，尤其在10mmdE 60mm範圍內之厚度dE。一方面就可能最有效之屏蔽作用而言，且另一方面就形成具有可能最薄之器壁之屏蔽元件而言，此等範圍尤其較佳。就此而言，在各別觀測點垂直於屏蔽元件之主要區域範圍來量測「厚度」，其中該主要區域範圍可具有平坦或彎曲輪廓。「厚度」一般實質上平行於針對所述屏蔽元件所設置之屏蔽方向。
根據一項進展，除屏蔽元件以外，熱屏蔽系統包含複數個間隔分開之由難熔金屬製造之輻射板。適當時，亦可僅設置一個輻射板。由該等輻射板(或適當時僅由一個輻射板)提供之屏蔽作用從而可有利地與根據本發明之屏蔽元件提供之屏蔽作用組合。詳言之，此組合為有利的， 此係因為根據本發明之屏蔽元件由於填充以顆粒及/或纖維結構形式存在之陶瓷材料而提供相對較高之屏蔽作用，此尤其在1500℃之溫度下優於輻射板且在1700℃之溫度下顯著優於輻射板。因此，尤其當屏蔽元件之鄰接區域處於此種高溫下時，在屏蔽元件之厚度上達成顯著溫度下降。然而，若僅由(一個)具有相應較厚形式之屏蔽元件形成熱屏蔽系統，則其將具有相對較高熱容量，此就熱瞬變狀態(例如加熱及冷卻階段)下之能量效率及熱慣性而言為尤其不利的。此係因為當在溫度增加之情況下確定應在短時間內確定之所要目標溫度及/或能量消耗增加時，屏蔽系統之相對較高熱容量可導致延遲。因此，特定言之，由屏蔽元件及輻射板組成之序列尤其有利。輻射板較佳各自具有實質上平行於各別屏蔽元件之至少一個部分之主要區域範圍的主要區域範圍。詳言之，輻射板沿屏蔽方向配置成與屏蔽元件相鄰，原則上輻射板有可能相對於屏蔽元件設置在內側(亦即，面向批料空間)及/或外側(亦即，背向批料空間)上。術語「輻射板(radiant plates)」表示經配置而在使用期間間隔分開的複數個(至少兩個)板。為達成熱屏蔽作用，本文中尤其使用輻射板在每一側上朝向兩個側面放射熱且因而溫度經輻射板序列後有所下降的作用。因此，個別輻射板之主要區域範圍經定向而實質上彼此平行並且亦實質上平行於屏蔽元件之主要區域範圍，其中就達成足夠熱屏蔽作用而言，微小偏離精確平行定向為可接受的。
原則上，輻射板與屏蔽元件可能沿屏蔽方向交替超過一次。舉例而言，可沿屏蔽方向首先設置一或多個輻射板，隨後設置屏蔽元件，且隨後再設置至少一或多個輻射板。
根據一項進展，輻射板係由鉬(包含至多達至多2重量%程度之雜質及/或添加劑之純鉬)、基於鉬之合金(亦即，Mo比例50重量%之合金)、鎢(包含至多達至多2重量%程度之雜質及/或添加劑之純鎢)或基於鎢之合金(亦即，W比例50重量%之合金)製造。此等材料經證明尤 其適用，其中由鉬製造或者由鎢製造之輻射板尤其較佳。在一方面之鎢(或基於鎢之合金)與另一方面之鉬(或基於鉬之合金)之間作出選擇尤其受各別輻射板在使用期間所曝露之溫度影響。因此，例如由於在使用期間直接或僅經由相對較低之熱屏蔽鄰接批料空間而在使用期間曝露於高溫的輻射板較佳由鎢(或者基於鎢之合金)形成。此外，就成本而言且就輻射板之可加工性而言，例如由於在使用期間藉由更廣泛之熱屏蔽與批料空間熱屏蔽而僅曝露於相對較低溫度之輻射板較佳由鉬(或者基於鉬之合金)形成。
本發明進一步係關於一種高溫爐，其包含用於部件的熱處理之批料空間以及根據本發明之熱屏蔽系統，該熱屏蔽系統至少部分圍繞該批料空間且在適當時亦可根據上文所提及之進展及/或變化形式中之一或多者來形成。
根據一項進展，該熱屏蔽系統包含複數個由難熔金屬製造之輻射板，該等輻射板在屏蔽方向上間隔分開(自批料空間之中心向外)且在屏蔽方向上經配置而與屏蔽元件相鄰。原則上，輻射板有可能相對於屏蔽元件設置在內側(亦即，面向批料空間)及/或外側(亦即，背向批料空間)上。輻射板較佳經配置而處於屏蔽元件中背向批料空間之一側上。如下文中詳細說明，可在批料空間內部尤其在高溫下達成顯著優於習知輻射板之屏蔽作用，例如在1500℃之溫度下，尤其在1700℃之溫度下。輻射板尤其具有在0.25至2.0mm範圍內之壁厚。詳言之，兩個相互相鄰之輻射板之間的空隙處於4至8mm範圍內。屏蔽元件之難熔金屬片與鄰接輻射板之間的空隙較佳亦處於此範圍內。
根據一項進展，在屏蔽方向上與屏蔽元件相鄰配置之輻射板之數目a處於1a7範圍內，尤其在2a5範圍內。在此範圍內，有可能無需形成具有過大厚度之屏蔽系統便可達成足夠屏蔽作用。根據一項進展， 高溫爐具有至少一個電加熱元件，尤其是電阻式加熱元件，以用於加熱批料空間。
電加熱元件尤其配置在熱屏蔽系統內部(亦即，在熱屏蔽系統之面向批料空間之一側上)。根據本發明之熱屏蔽系統尤其適用於可電加熱之高溫爐。
根據一項進展，至少一個屏蔽元件呈側向屏蔽形式，其至少部分圍繞批料空間。詳言之，所述屏蔽元件可具有中空圓柱形基本形式、中空圓柱形區段基本形式或更一般地，以預定高度完全或部分圍繞批料空間之基本形式。以此方式，可在側向提供空間節約及有效屏蔽。就此而言，以上術語「側向(lateral)」及「高度(height)」係關於在使用中具有實質上垂直定向之主軸的高溫爐。就此而言，應考慮到除使用時配置為「直立式(upright)」，亦即具有實質上垂直定向之主軸的高溫爐以外，亦存在使用時配置為「平放式(lying)」，亦即具有實質上水平定向之主軸的高溫爐。在後一種平放配置之情況下，亦可在很大程度上相應地相對於各別主軸形成屏蔽。在後一種情況下，詳言之，「側向」係指主軸徑向位置偏移，且作為高度方向之替代，平行或實質上平行於主軸之方向均適用。
根據一項進展，至少一個屏蔽元件係呈組件的形式，該組件可自該高溫爐中以呈模組的形式移出。由於此類型之模組式設計，屏蔽元件可自高溫爐中容易地移出，因此容易替換整個屏蔽元件、替換屏蔽元件內部之陶瓷材料及/或將陶瓷材料填充在屏蔽元件內部。
dB‧‧‧壁厚
dE‧‧‧厚度
dG‧‧‧總厚度
rA‧‧‧屏蔽方向
2；2'‧‧‧屏蔽元件
4；4'‧‧‧外圍
5；5'‧‧‧難熔金屬片/鎢片
6‧‧‧盤狀腔室
6'‧‧‧腔室
8‧‧‧陶瓷材料/陶瓷床層/個別顆粒之床層
10'‧‧‧陶瓷材料/纖維墊
12；12'；12"‧‧‧高溫爐
14；14'；14"‧‧‧批料空間
16；16'；16"‧‧‧主軸或對稱軸
18；18'；18"‧‧‧熱屏蔽系統
20；20'；20"‧‧‧外殼
21；21'；21"‧‧‧組件
22；22'；22"‧‧‧屏蔽元件
24；24'‧‧‧輻射板
基於以下例示性具體實例之描述，參考附圖，本發明之其他優勢及權益將顯而易見。
圖1：展示根據第一具體實例之根據本發明之屏蔽元件的示意性橫截面視圖； 圖2：展示根據第二具體實例之根據本發明之屏蔽元件的示意性橫截面視圖；圖3：展示用於說明根據本發明之屏蔽系統之第三具體實例之示意性高溫爐剖面圖；圖4：展示用於說明根據本發明之屏蔽系統之第四具體實例之示意性高溫爐剖面圖；及圖5：展示用於說明根據本發明之屏蔽系統之第五具體實例之示意性高溫爐剖面圖。
圖1展示根據本發明之第一具體實例之屏蔽元件2。屏蔽元件2具有盤狀基本形式。該基本形式由鎢片5組成之閉合外圍4形成(該外圍4在本發明情況下不具有氣密形式)。盤狀腔室6形成於外圍4內部且填充有高溫穩定氧化鋯(ZrO2)之陶瓷床層8，顆粒相對於外圍之尺寸比無法準確再現。陶瓷床層8具有單峰粒度分佈。床層之平均粒徑為2mm。鎢片具有1mm之壁厚dB。屏蔽元件2具有50mm之厚度dE。所示屏蔽元件2之屏蔽方向rA經設計平行於針對厚度dE所示之量測方向。
盤狀基本形式尤其設計用於實現底側及/或頂側屏蔽。就此而言，屏蔽元件2可單獨或者與其他屏蔽組件，例如與輻射板組合使用。盤狀基本形式亦可具有其他結構及/或開口以便適應高溫爐之組件，例如加熱元件、加熱元件之連接觸點、屏蔽系統之其他組件等。舉例而言，屏蔽元件2可具有圓周階梯或凹槽以接收至少一個其他側向屏蔽元件。
在說明以下其他具體實例時，主要提供關於與第一具體實例相比之差異之細節。在鑑別彼此對應之相同組件的情況下，在一定程度上使用相同參考符號。
在圖2中所示之具體實例中，屏蔽元件2'亦具有由鎢片5' 組成之閉合外圍4'(外圍4'在本發明情況下不具有氣密形式)。與第一具體實例相反，容納於外圍4'之腔室6'中的由高溫穩定氧化鋯(ZrO2)製造之材料係以纖維結構形式存在。詳言之，該材料以纖維墊10'之形式容納於外圍4'中。
在下文中，將參考圖3至5說明根據本發明之熱屏蔽系統之三個具體實例，該熱屏蔽系統在此情況下形成側向屏蔽。圖3展示高溫爐12之剖面圖。該剖面沿主軸或對稱軸16之徑向且亦沿其軸向，該說明對應於對稱軸16垂直定向或定向於高度方向之高溫爐12之使用位置。所示剖面自配置於批料空間14內部中心之對稱軸16經由側向熱屏蔽系統18徑向延伸直至側向外殼20為止。外殼20係由例如鋼形成。待熱處理之組件21示意性地示於批料空間14中。熱屏蔽系統18具有側向屏蔽元件22。此具有對應於根據第一具體實例之屏蔽元件2之設計(參見圖1)的設計。詳言之，側向屏蔽元件22具有由鎢片組成之外圍(未詳細圖示)，其中容納有高溫穩定氧化鋯(ZrO2)之床層(未詳細圖示)。
熱屏蔽系統18另外具有複數個(此處：4個)輻射板24，該等輻射板在屏蔽方向中間隔分開且在屏蔽方向rA中經配置而與側向屏蔽元件22相鄰。輻射板24經配置而處於側向屏蔽元件22之背向批料空間14之一側上。屏蔽元件22係圍繞批料空間14形成且沿高度方向延伸預定高度。相應地形成直徑大小逐漸增加之輻射板24。可在屏蔽元件22及輻射板24中設置適當附加結構或貫通開口，例如以適應高溫爐12之其他組件(例如加熱元件、加熱元件之連接觸點、進料開口等)。因為批料空間14已被屏蔽元件22熱屏蔽，故輻射板24由鉬形成便足夠。個別輻射板24各自具有0.25mm之厚度。側向熱屏蔽系統18之如沿屏蔽方向rA量測之總厚度dG為約43mm，側向屏蔽元件22沿屏蔽方向rA之厚度dE為約19mm。
在說明以下第四及第五具體實例時，主要提供關於與第三具 體實例相比之差異之細節。相同參考符號再次用於相同組件或彼此對應之組件(此等參考符號在各情況下標有一或兩個「'」(prime))。
在圖4中所示之第四具體實例中，輻射板24'(此處：4個)配置在側向屏蔽元件22'之面向批料空間14'之一側上。在輻射板24'中，至少經配置與批料空間14'直接相鄰或僅距批料空間14'較小距離之輻射板(例如前三個)由於此區域中出現之高溫而由鎢形成。在屏蔽方向rA上更靠近外側之輻射板24'(例如其餘一個輻射板)亦可尤其由鉬形成。
側向屏蔽元件22'之外圍適當時亦可由鉬形成(替代鎢)。
在圖5中所示之第五具體實例中，側向熱屏蔽系統18"僅由屏蔽元件22"形成，亦即不再設置輻射板。屏蔽元件22"沿屏蔽方向rA具有43mm之相應較大厚度dE。
關於可實現根據本發明之屏蔽系統的各種變化形式，就屏蔽作用及使用特性而言將考慮以下各點：
以顆粒及/或纖維結構形式存在之基於氧化鋯(ZrO2)之陶瓷材料具有相對較低熱傳導率(例如與難熔金屬相比)。尤其在高溫下，尤其在1500℃之溫度下，更佳在1700℃之溫度下，屏蔽元件之屏蔽作用顯著優於具有相應總厚度之輻射板序列。此意謂在鄰接屏蔽元件之區域(例如批料空間)之相應高溫下以穩定狀態使用時，可在屏蔽元件之厚度上達成相對較大溫度下降，且保持穩定狀態之能量消耗相對較低。因而亦可將批料空間內部出現之溫度梯度減至最小，此尤其對於關鍵製程為有利的。然而，相比而言，屏蔽元件與延伸相應厚度之輻射板序列相比具有較高熱容量。若應在短時間內確定溫度變化，則會由此導致延遲且可能導致加熱階段期間之能量消耗增加。
根據上文所論述之性質，提供一或多個屏蔽元件而不將其與輻射板組合可得到許多優勢，尤其是對於必須保持溫度在較高值(例如 1500℃，尤其1700℃)下穩定或實質上穩定持續相對較長時期的高溫爐而言。舉例而言，此為製造藍寶石單晶時之情況。
在具有相對較短持續時間且相繼進行之熱過程中，及/或當確定多階段溫度分佈時，在熱瞬變狀態下相對頻繁地進行操作。舉例而言，此亦為用於難熔金屬之燒結爐之情況。對於此等應用，就降低熱屏蔽系統之熱容量而言，若將屏蔽元件與輻射板組合，則為有利的。以此方式，有可能降低在相對較短時間內增高溫度所需之能量消耗。然而，此類型組合對於以上說明之必須保持溫度在較高值(例如1500℃，尤其1700℃)下穩定或實質上穩定持續相對較長時期之使用條件亦得到許多優勢，且因此亦非常適於該等使用條件。
應考慮到在相對較低溫度(例如500℃)下且鑒於相同屏蔽厚度，由在輻射板情況下占主導地位之放射所形成之熱流量低於由在屏蔽元件情況下占主導地位之熱傳導所形成之熱流量。因此，在相對較低溫度下(例如在500℃左右之溫度下)，輻射板序列之屏蔽作用優於相應厚度之屏蔽元件之屏蔽作用。為此，特定言之，屏蔽元件與輻射板之組合尤其有利。關於上文所說明之關係，若屏蔽元件經配置與批料空間直接相鄰且輻射板序列配置在屏蔽元件之背向批料空間之一側上，則為有利的。
此外應考慮到在輻射板屏蔽之情況下，與屏蔽元件之情況相比，熱流量在增加之溫度下增加至顯著更大之程度。此引起屏蔽元件之極佳屏蔽作用，尤其在高溫(例如1500℃，尤其1700℃)下。因此，當使用屏蔽元件與輻射板之組合時，若屏蔽元件經配置與高溫(例如1500℃，尤其1700℃)區域相鄰，尤其是與批料空間相鄰，則尤其較佳。
亦可驗證分析與數值計算所呈現之關係。
dB‧‧‧壁厚
dE‧‧‧厚度
rA‧‧‧屏蔽方向
2‧‧‧屏蔽元件
4‧‧‧外圍
5‧‧‧鎢片
6‧‧‧盤狀腔室
8‧‧‧陶瓷床層

Claims (15)

  1. 一種熱屏蔽系統，其係用於熱屏蔽高溫爐(12；12'；12")之批料空間(14；14'；14")，該熱屏蔽系統包含至少一個屏蔽元件(2；2'；22；22'；22")，其特徵在於該屏蔽元件(2；2'；22；22'；22")具有由一或多個難熔金屬片(5；5')組成之外圍(4；4')及以顆粒及/或纖維結構形式存在且基於氧化鋯(ZrO2)之陶瓷材料(8；10')，該陶瓷材料容納於該外圍(4；4')中。
  2. 如申請專利範圍第1項之熱屏蔽系統，其特徵在於該陶瓷材料係以個別顆粒之床層(8)形式存在。
  3. 如申請專利範圍第2項之熱屏蔽系統，其特徵在於該個別顆粒之床層(8)具有單峰粒度分佈。
  4. 如申請專利範圍第1項之熱屏蔽系統，其特徵在於該陶瓷材料(8；10')在80重量%之程度上由氧化鋯(ZrO2)組成。
  5. 如申請專利範圍第1項之熱屏蔽系統，其特徵在於該一或多個難熔金屬片(5；5')在98重量%之程度上由鎢形成。
  6. 如申請專利範圍第1項之熱屏蔽系統，其特徵在於該一或多個難熔金屬片(5；5')具有壁厚dB，其中0.25mmdB 2.5mm。
  7. 如申請專利範圍第1項之熱屏蔽系統，其特徵在於該屏蔽元件(2；2'；22；22'；22")具有厚度dE，該厚度在8mmdE 120mm範圍內。
  8. 如申請專利範圍第1項之熱屏蔽系統，其特徵在於除該屏蔽元件(22；22')以外，其包含複數個間隔分開的輻射板(24；24')，該複數個輻射板係由難熔金屬製造。
  9. 如申請專利範圍第8項之熱屏蔽系統，其特徵在於該等輻射板(24；24')係由鉬、基於鉬之合金、鎢或基於鎢之合金製造。
  10. 一種高溫爐，其包含用於部件的熱處理之批料空間(14；14'；14")， 其係以如申請專利範圍第1項至第9項中任一項之熱屏蔽系統(18；18'；18")為特徵，該熱屏蔽系統至少部分圍繞該批料空間(14；14'；14")。
  11. 如申請專利範圍第10項之高溫爐，其特徵在於該熱屏蔽系統(18；18'；18")包含複數個由難熔金屬製造之輻射板(24；24')，該等輻射板在屏蔽方向(rA)上間隔分開且經配置以在該屏蔽方向(rA)上與該屏蔽元件(22；22')相鄰。
  12. 如申請專利範圍第11項之高溫爐，其特徵在於該等輻射板(24)經配置以處於該屏蔽元件(22)之遠離該批料空間(14)之一側上。
  13. 如申請專利範圍第11項或第12項之高溫爐，其特徵在於經配置以在該屏蔽方向(rA)上與該屏蔽元件(22；22')相鄰之輻射板(24；24")之數目a處於1a7範圍內。
  14. 如申請專利範圍第10項之高溫爐，其係以至少一個用於加熱該批料空間(14；14'；14")之電加熱元件為特徵，該電加熱元件經配置以處於該熱屏蔽系統(18；18'；18")內部。
  15. 如申請專利範圍第10項之高溫爐，其特徵在於至少一個屏蔽元件(2；2'；22；22'；22")呈組件的形式，該組件可自該高溫爐(12；12'；12")中以呈模組的形式移出。
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