TWI586952B - 用於樣本之偵測裝置 - Google Patents

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TWI586952B
TWI586952B TW105105088A TW105105088A TWI586952B TW I586952 B TWI586952 B TW I586952B TW 105105088 A TW105105088 A TW 105105088A TW 105105088 A TW105105088 A TW 105105088A TW I586952 B TWI586952 B TW I586952B
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Description

用於樣本之偵測裝置
本發明主要關於一種偵測裝置，尤指一種用於樣本之偵測裝置。
目前已發展出多種生物晶片，例如微流體晶片(microfluidic chip)、微陣列晶片(micro-array chip)、或是實驗室晶片(lab-on-a-chip)，用以偵測人類基因組(human genome)，因此導致人類基因組定序的研究具有重大的發展。此外，亦可用以分析人體血液以檢查是否血液中包含了特定疾病之生物標記，藉此偵測基因疾病。
第1圖為習知之生物晶片偵測裝置A1的示意圖。生物晶片偵測裝置A1用以偵測承載於生物晶片A3上的樣本A2。生物晶片A3包括多個用以容置樣本A2的容置槽A31，且容置槽A31以陣列的方式排列。生物晶片偵測裝置A1包括一雷射光源A10、一濾波器A20、一分光器A30、一透鏡A40、一濾波器A50、一透鏡A60以及一偵測器A70。
雷射光源A10朝向分光器A30發射一激發光束L1。濾波器A20位於雷射光源A10以及分光器A30之間，且用以針對激發光束L1之一期望的波長範圍加以濾波。舉例而言，激發光束L1之波長約為300nm至500nm的範圍之間。分光器A30反射激發光束L1至樣本A2。透鏡A40將激發光束L1聚焦於樣本A2。
樣本A2被激發光束L1所照射後，樣本發射通過分光器A30之放射光束L2至濾波器A50。一般而言，放射光束L2為一螢光光束。由於激發光束L1之部分可通過分光器A30至偵測器A70，因此濾波器A50亦可用以止擋激發光束L1。
透鏡A60用以將放射光束L2聚焦於偵測器A70。偵測器A70用以分析放射光束L2之波長與強度。然而，由於激發光束L1以及放射光束L2具有相同之光學路徑，被偵測器A70所偵測之放射光束L2會被激發光束L1所擾亂，進而影響了樣本A2之偵測結果。
此外，習知之生物晶片偵測裝置A1以點對點之方式偵測樣本，因此當掃描具有大量樣本A2之生物晶片A3時，會非常地耗時。
再者，如第1圖所示，習知之生物晶片偵測裝置A1包括大量的光學元件，且需要移動生物晶片偵測裝置A1以依序偵測樣本A2之傳送裝置。因此，生物晶片偵測裝置A1具有較大之體積以及重量，且生物晶片偵測裝置A1亦具有昂貴之製作成本。此外，使用者亦難以攜帶或負荷生物晶片偵測裝置A1。
雖然生物晶片偵測裝置A1已滿足一般使用上之目的，然而卻無法滿足所有之方面，因此需要提供一種方案以增進生物晶片偵測裝置。
本發明提供了用於樣本之偵測裝置，其具有較小之體積以及較輕的重量以便於攜帶。此外，亦降低了偵測裝置之製作成本，並能減少偵測樣本之時間。
本發明提供了用於樣本之偵測裝置，包括一影像感測器、一導光結構、以及一承載裝置。影像感測器包括一感測區域以及環繞於該感測區域之一非感測區域。導光結構設置於該影像感測器。導光結構包括一中央引導部、一反射層、以及多個第一引導部。
中央引導部位於該感測區域之上。反射層設置於該影像感測器，包括位於該非感測區域上之多個通道。第一引導部位於該通道之內且連接於該中央引導部以及該導光結構之一側面。承載裝置設置於該導光結構，具有多個容置槽，且排列於該感測區域上之一排列陣列。每一該等容置槽用以容納一樣本。
綜上所述，由於偵測裝置整合影像感測器與導光結構，偵測裝置的體積與重量可大幅減少，且偵測裝置可具有較便宜之製作成本。藉由導光結構，改進了光源的發光效率。此外，承載裝置上之樣本可同時被影像感測器所偵測，因此減少了偵測樣本所需的時間。
100‧‧‧偵測裝置
1‧‧‧影像感測器
11‧‧‧感測層
111‧‧‧基材
112‧‧‧感測單元
12‧‧‧截波層
13‧‧‧濾光單元
13a‧‧‧紅色濾光單元
13b‧‧‧黃色濾光單元
14‧‧‧微透鏡
15‧‧‧遮蔽部
2‧‧‧導光結構
21‧‧‧底層
22‧‧‧中央引導部
221‧‧‧底面
23‧‧‧反射層
231‧‧‧通道
232‧‧‧散射塊
233‧‧‧底面
234‧‧‧傾斜面
235‧‧‧開孔
236‧‧‧中央槽
24‧‧‧第一引導部
241‧‧‧第一端
242‧‧‧第二端
243‧‧‧連接部
25‧‧‧頂層
251‧‧‧柵格部
252‧‧‧第二引導部
253‧‧‧第一閘部
254‧‧‧第二閘部
26‧‧‧傳導層
3‧‧‧光源
B1‧‧‧承載裝置
B11‧‧‧承載本體
B12、B12a‧‧‧容置槽
B2、B2a‧‧‧樣本
G1、G2‧‧‧填充槽
H1、H3‧‧‧高度
L1‧‧‧激發光束
L2‧‧‧放射光束
P1‧‧‧參考平面
S1‧‧‧側面
T1‧‧‧厚度
Z1‧‧‧感測區域
Z2‧‧‧非感測區域
第1圖為習知之生物晶片偵測裝置的示意圖。
第2圖為於本發明之一些實施例中之偵測裝置的示意圖。
第3圖為於為本發明之一些實施例之偵測裝置的俯視圖。
第4圖為於本發明之一些實施例中偵測裝置之製造方法的流程圖。
第5A至5F圖為於本發明之一些實施例中，偵測裝置於製 造方法之中間階段的示意圖。
第6A圖以及第6B圖為於本發明之一些實施例中偵測裝置之製造方法的流程圖。
以下之說明提供了許多不同的實施例、或是例子，用來實施本發明之不同特徵。以下特定例子所描述的元件和排列方式，僅用來精簡的表達本發明，其僅作為例子，而並非用以限制本發明。例如，第一特徵在一第二特徵上或上方的結構之描述包括了第一和第二特徵之間直接接觸，或是以另一特徵設置於第一和第二特徵之間，以致於第一和第二特徵並不是直接接觸。
此外，本說明書於不同的例子中沿用了相同的元件標號及/或文字。前述之沿用僅為了簡化以及明確，並不表示於不同的實施例以及設定之間必定有關聯。再者，圖式中之形狀、尺寸或是厚度可能為了清楚說明之目的而未依照比例繪製或是被簡化，僅提供說明之用。
第2圖為於本發明之一些實施例中之偵測裝置100的示意圖。第3圖為於為本發明之一些實施例之偵測裝置100的俯視圖。偵測裝置100包括一影像感測器1、一導光結構2、以及一光源3。導光結構2設置於影像感測器1上，且光源3鄰近於導光結構2之側面S1。一承載裝置B1設置於導光結構2上，且用以容納一樣本B2。
光源3設用以發射激發光束L1至導光結構2。於一些實施例中，光源3為雷射光源或發光二極體(LED)。激發光束 L1的波長約為21nm至210nm的範圍之間。換句話說，激發光束L1為藍光光束或是紫外光光束。
導光結構2用以傳導以及引導激發光束L1至樣本B2。當樣本B2被激發光束L1照射時，樣本B2放射上述放射光束L2至影像感測器1。於一些實施例中，放射光束L2為螢光光束。影像感測器1用以感測放射光束L2以及根據照射於影像感測器1之放射光束L2產生偵測訊號。
影像感測器1可為一互補式金屬氧化物半導體(CMOS)影像感測器、一感光耦合元件(CCD)影像感測器、或是一單光子崩潰二極體(single-photon avalanche diode,SPAD)影像感測器。影像感測器1經由半導體製程所製造。
影像感測器1為一板狀結構，且包括一感測層11、一截波層12、多個濾光單元13、多個微透鏡14、以及一遮蔽部15。感測層11沿一參考平面P1延伸。感測層11用以感測放射光束L2，且根據照射於感測層11之放射光束L2產生偵測訊號。
感測層11可包括所有下列之元件，但只要能達到感測層11之使用目的，可不需要包括所有下列之元件。感測層11包括一基板111以及多個感測單元112。於一些實施例中，感測層11更包括其他光學層(圖未示)。
感測單元112設置於基材111內。感測單元112以陣列的方式排列於參考平面P1上之一感測陣列。於一些實施例中，感測單元112為光二極體。每一感測單元112用以感測放射光束L2且根據照射於其上之放射光束L2產生一偵測訊號。
於此實施例中，影像感測器1包括一感測區域Z1以 及環繞於感測區域Z1之一非感測區域Z2。換句話說，感測區域Z1為影像感測器1之中央區域，且非感測區域Z2為影像感測器1之邊緣區域。感測單元112位於感測區域Z1內。於一些實施例中，感測單元112並不位於非感測區域Z2內。於一些實施例中，感測區域Z1約為非感測區域Z2的0.2倍至4倍。
截波層12設置於感測層11以及微透鏡14之間。於一些實施例中，截波層12設置於感測層11以及濾光單元13之間。截波層12用以止擋激發光束L1通過至感測層11。
濾光單元13設置於感測層11上，且位於感測區域Z1內。於一些實施例中，濾光單元13並不位於非感測區域Z2內。濾光單元13以陣列的方式排列於平行於參考平面P1之一平面上之一濾光陣列。每一濾光單元13位於感測單元112中之一者之上。
每一濾光單元13允許一特定波長之光通過。於一些實施例中，濾光單元13為彩色濾光單元13。舉例而言，濾光單元13包括多個紅色濾光單元13a以及多個黃色濾光單元13b。紅色濾光單元13a以及黃色濾光單元13b以陣列的方式交錯排列於一陣列。
紅色濾光單元13a允許波長為620nm至750nm(紅光)的光線通過紅色濾光單元13a下之感測單元112。黃色濾光單元13b允許波長為590nm至620nm(黃光)的光線通過黃色濾光單元13b下之感測單元112。
微透鏡14設置於濾光單元13，且以陣列的方式排列於平行於參考平面P1之一平面上之一微透鏡陣列。微透鏡14 位於感測區域Z1內。於一些實施例中，微透鏡14並不位於非感測區域Z2內。每一微透鏡14位於濾光單元13中之一者上。微透鏡14用以將光線(放射光束L2)聚焦於感測單元112。微透鏡14亦用以將激發光束L1經由第二引導部252朝向容置槽B12反射。
遮蔽部15設置於非感測區域Z2內，且環繞截波層12、濾光單元13、以及微透鏡14。遮蔽部15用以防止激發光束L1直接由光源3照射至濾光單元13以及微透鏡14。
於一些實施例中，遮蔽部15厚度T1等於或大於微透鏡14之頂部相對於感測層11之高度。遮蔽部15之顏色可為黑色。遮蔽部15之穿透率小於30%。
承載裝置B1可為一生物晶片，例如一微流體晶片(microfluidic chip)、一微陣列晶片(micro-array chip)、或是一實驗室晶片(lab-on-a-chip)。於此實施例中，承載裝置B1為一微陣列晶片。於一些實施例中，承載裝置B1可拆卸地設置於導光結構2上。於一些實施例中，承載裝置B1固定並整合於導光結構2。
承載裝置B1為一板狀結構，且平行於參考平面P1延伸。承載裝置B1包括一承載本體B11以及形成於承載本體B11之頂面的多個容置槽B12。容置槽B12以陣列的方式排列於平行於參考平面P1之一平面上之一排列陣列。容置槽B12位於感測區域Z1上。於一些實施例中，容置槽B12並不位於非感測區域Z2上。
於一些實施例中，承載裝置B1經由半導體製程所製作。承載裝置B1整合於導光結構2。於一些實施例中，承載 本體B11由透光材質所製成，例如玻璃。每一容置槽B12用以容納一樣本B2。於一些實施例中，樣本B2包括血液、生物組織、或是DNA段片(DNA fragmentations)。
導光結構2用以傳導及引導激發光束L1經由承載本體B11至樣本。導光結構2為一板狀結構，平行於影像感測器1、承載裝置B1以及參考平面P1。於一些實施例中，導光結構2經由半導體製程製造。導光結構2整合於影像感測器1。
導光結構2包括一底層21、一中央引導部22、一反射層23、一第一引導部24、以及一頂層25。每一底層21、中央引導部22、反射層23、第一引導部24、以及頂層25平行於參考平面P1延伸。
底層21設置於影像感測器1之微透鏡14以及遮蔽部15。於一些實施例中，底層21直接連接於微透鏡14以及遮蔽部15。底層21位於感測區域Z1以及非感測區域Z2之上。底層21用以反射中央引導部22以及第一引導部24內之激發光束L1。
中央引導部22設置於底層21，且位於感測區域Z1之上。於一些實施例中，中央引導部22並未位於非感測區域Z2之上。中央引導部22用以傳導及引導激發光束L1由第一引導部24至樣本B2。
反射層23設置於影像感測器1之底層21，且連接並環繞於中央引導部22。反射層23位於非感測區域Z2之上。於一些實施例中，反射層23並不位於感測區域Z1之上。反射層23用以反射激發光束L1至第一引導部24以及中央引導部22。
反射層23包括多個通道231，位於非感測區域Z2之 上。通道231由側面S1延伸至中央引導部22。第一引導部24分別填充以及位於通道231內。第一引導部24連接於中央引導部22以及側面S1。
如第2圖及第3圖所示，第一引導部24為通道狀結構。於一些實施例中，反射層23之折射率約為1.01至1.5的範圍之間。第一引導部24之折射率約為1.5至3的範圍之間。第一引導部24之折射率大於反射層23之折射率。
於一些實施例中，第一引導部24之折射率大於反射層23之折射率。因此，於第一引導部24內傳導之激發光束L1可經由反射層23進行全內反射。
於一些實施例中，反射層23更包括多個開孔235，位於通道231之間以及位於反射層23之角落。藉此，改善了反射層23對於激發光束L1之反射率。
每一第一引導部24包括連接於側面S1之一第一端241、連接於中央引導部22之一第二端242、以及連接且位於第一端241及第二端242之一連接部243。
如第3圖所示，位於側面S1之第一端241相互連接或是彼此靠近。第一端241由側面S1至連接部243逐漸變窄。因此，由光源3所射出至導光結構2之側面S1的大部分激發光束L1可進入第一引導部24。再者，藉由第一端241之形狀，激發光束L1可被聚集至連接部243。
位於影像感測器1之相同側的連接部243相互平行。連接部243用以引導以及聚集激發光束L1傳導至中央引導部22。反射層23用以藉由全內反射來反射第一引導部24內之激 發光束L1。
此外，鄰近於中央引導部22之第二端242相互連接或是彼此靠近。第二端242由中央引導部22至連接部243逐漸變窄。藉由第二端242之形狀，第二端242內之激發光束L1均勻地朝向中央引導部22傳導。
如第2圖所示，中央引導部22之底面221相對於影像感測器1之高度H1大於第一引導部24之底面233相度於影像感測器1的高度H3。此外，第一引導部24更包括連接於底面221以及底面223之傾斜面234。
於一些實施例中，反射層23更包括設置於通道231之底面233的多個散射塊232。如第2圖所示，散射塊232加強激發光束L1之反射率以及增進激發光束L1進入中央引導部22之傳送。
頂層25設置於中央引導部22。頂層25位於感測區域Z1之上。於一些實施例中，頂層25並不位於非感測區域Z2上。頂層25包括一柵格部251以及多個第二引導部252。
柵格部251以及第二引導部252設置於中央引導部22。柵格部251以及第二引導部252排列於平行於參考平面P1之一平面。如第2圖和第3圖所示，柵格部251環繞於第二引導部252，且第二引導部252排列於一引導陣列。每一容置槽B12位於第二引導部252中之一者之上。
柵格部251用以反射中央引導部22內之激發光束L1。中央引導部22內之激發光束L1經由第二引導部252傳導至樣本B2。
中央引導部22、第一引導部24、以及第二引導部252為可透光的。於一些實施例中，底層21之折射率約為1.01至1.5的範圍之間。中央引導部22折射率約為1.5至3的範圍之間。第二引導部252之折射率約為1.5至3的範圍之間。柵格部251之折射率約為1.01至1.5的範圍之間。
於一些實施例中，中央引導部22以及第二引導部252之折射率大於底層21以及柵格部251之折射率。
於一些實施例中，中央引導部22之折射率等於第二引導部252之折射率。中央引導部22以及第二引導部252可為相同之材質且可為一體成型。
於一些實施例中，柵格部251之折射率等於底層21之折射率。柵格部251以及底層21可為相同之材質且可為一體成型。
於一些實施例中，中央引導部22之折射率等於第一引導部24之折射率。中央引導部22以及第一引導部24可為相同之材質且可為一體成型。
於一些實施例中，反射層23之折射率等於柵格部251之折射率。反射層23以及柵格部251可為相同之材質且可為一體成型。
於此實施例中，中央引導部22位於底層21以及頂層25。柵格部251用以經由全內反射反射中央引導部22內之激發光束L1，且底層21用以藉由全內反射反射中央引導部22內之部分激發光束L1。因此，激發光束L1可沿中央引導部22傳導。
再者，微透鏡14包括約為1.4至2.3之折射率。直接 傳導至微透鏡14之激發光束L1或是經由柵格部251反射至微透鏡14之激發光束L1藉由微透鏡14經由第二引導部252反射至容置槽B12。
如第2圖及第3圖所示，光源3鄰近於第一引導部24之側面S1，且用以發射激發光束L1經由第一引導部24進入中央引導部22。藉由反射層23以及第一引導部24之結構，加強了光源3之發光效率，且第一引導部24內之激發光束L1均勻地傳導至中央引導部22。
當激發光束L1於中央引導部22中傳導，部分激發光束L1藉由全內反射沿著中央引導部22傳導。此外，部分激發光束L1傳導至微透鏡14且被微透鏡14反射。因此，被微透鏡14所反射之部分激發光束L1可經由第二引導部252以及承載本體B11傳導至樣本B2。
當樣本B2被激發光束L1照射後，樣本B2發射放射光束L2。部分之放射光束L2被柵格部251所止擋。部分之放射光束L2依序經由第二引導部252與中央引導部22傳導於影像感測器1。當放射光束L2照射於影像感測器1，放射光束L2依序經由微透鏡14以及濾光單元13傳導至感測層11。
放射光束L2經由微透鏡14聚焦。每一濾光單元13允許放射光束L2中之特定範圍內之波長通過。每一感測單元112根據照射於其上之放射光束L2產生一偵測訊號。
舉例而言，如第2圖所示，假使放射光束L2為一紅色光束，放射光束L2可通過紅色濾光單元13a，但被黃色濾光單元13b所止擋。因此，對應於紅色濾光單元13a之感測單元112 產生一偵測訊號，但對應於黃色濾光單元13b之感測單元112並不產生一偵測訊號。由於對應於紅色濾光單元13a之感測單元112以及對應於黃色濾光單元13b之感測單元112對應於樣本B2a以及容置槽B12a，因此可偵測出樣本B2a所產生之放射光束L2的顏色。
由於偵測裝置100由半導體製程所製作，因此偵測裝置100具有較小之體積，且具有較輕之重量。於一些實施例中，偵測裝置100之寬度或長度大約於6.35mm至12.7mm的範圍之間，偵測裝置100的厚度約為3um至4.5um的範圍之間。因此，偵測裝置100可隨身攜帶。此外，偵測裝置100的製作成本亦可較習知具有大量光學元件的生物晶片偵測裝置更為便宜。
此外，影像感測器1整合導光結構2，且影像感測器1同時感測多個樣本B2產生之放射光束L2。因此，減少了偵測裝置100偵測多個樣本B2的時間。
第4圖為於本發明之一些實施例中偵測裝置100之製造方法的流程圖。第5A至5F圖為於本發明之一些實施例中，偵測裝置100於製造方法之中間階段的示意圖。
於步驟S101中，如第5A圖所示，依序於感測區域Z1上之感測層11上形成截波層12、於截波層12上形成濾光單元13、且於濾光單元13上形成微透鏡14。之後，遮蔽部15形成於非感測區域Z2上之感測層11。於一些實施例中，遮蔽部15可為光阻。遮蔽部15之顏色可為黑色。
於步驟S103中，如第5B圖所示，底層21形成於遮 蔽部15以及微透鏡14上。於步驟S105中，如第5C圖所示，反射層23形成於底層21。
於步驟S107中，如第5D圖所示，通道231形成於非感測區域Z2上之反射層23，且中央槽236形成於感測區域Z1上之反射層23。通道231分別連接於中央槽236。於一些實施例中，通道231以及中央槽236經由蝕刻製程形成。
於步驟S109中，如第5D圖所示，一引導材料可填充至通道231以及中央槽236中。於一些實施例中，引導材料可為光阻。如第5E圖所示，位於感測區域Z2上之引導材料形成第一引導部24。位於感測區域Z1上之引導材料形成中央引導部22。
之後，藉由蝕刻第一引導部之頂部形成填充槽G1，且藉由蝕刻中央引導部22之頂部形成填充槽G2。
於步驟S111中，如第5F圖所示，將反射材料填充至填充槽G1、G2中。於一些實施例中，反射材料可為光阻。於填充槽G1之反射材料形成了反射層23之一部分。
填充槽G2內之反射材料形成柵格部251，且中央引導部22之頂部形成第二引導部252。因此，頂層25可經由柵格部251以及第二引導部252形成。於步驟S113中，如第2圖所示，承載裝置B1形成於頂層25上。
藉由偵測裝置100之製作方法，影像感測器1、導光結構2、及/或承載裝置B1可經由半導體製程所製作，因此可簡化偵測裝置100的製作，且縮小偵測裝置100的體積。
第6A圖以及第6B圖為於本發明之一些實施例中偵 測裝置100之製造方法的流程圖。如第5E圖以及第6A圖所示，於步驟S109中，填充槽G2為線性結構，且相互平行。於步驟S111中，反射材料填充至填充槽G2以形成第一閘部253，且中央引導部22之頂部形成為第二閘部254。頂層25由第一閘部253以及第二閘部254所形成。
於一些實施例中，第一閘部253以及第二閘部254交錯排列。第一閘部253以及第二閘部254為線性結構且相互平行。
於第一閘部253以及第二閘部254形成後，一傳導層26形成於反射層23以及頂層25上。於一些實施例中，傳導層26由反射材料所製成。第一閘部253以及傳導層26同時形成。
如第6B圖所示，於步驟S113中，承載裝置B1形成於傳導層26上，且光源3鄰近於傳導層26。光源3發射激發光束進入傳導層26。
綜上所述，由於偵測裝置整合影像感測器與導光結構，偵測裝置的體積與重量可大幅減少，且偵測裝置可具有較便宜之製作成本。藉由導光結構，改進了光源的發光效率。此外，承載裝置上之樣本可同時被影像感測器所偵測，因此減少了偵測樣本所需的時間。
本發明雖以各種實施例揭露如上，然而其僅為範例參考而非用以限定本發明的範圍，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許的更動與潤飾。因此上述實施例並非用以限定本發明之範圍，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧偵測裝置
1‧‧‧影像感測器
11‧‧‧感測層
111‧‧‧基材
112‧‧‧感測單元
12‧‧‧截波層
13‧‧‧濾光單元
13a‧‧‧紅色濾光單元
13b‧‧‧黃色濾光單元
14‧‧‧微透鏡
15‧‧‧遮蔽部
2‧‧‧導光結構
21‧‧‧底層
22‧‧‧中央引導部
221‧‧‧底面
23‧‧‧反射層
231‧‧‧通道
232‧‧‧散射塊
233‧‧‧底面
234‧‧‧傾斜面
24‧‧‧第一引導部
241‧‧‧第一端
242‧‧‧第二端
243‧‧‧連接部
25‧‧‧頂層
251‧‧‧柵格部
252‧‧‧第二引導部
3‧‧‧光源
B1‧‧‧承載裝置
B11‧‧‧承載本體
B12、B12a‧‧‧容置槽
B2、B2a‧‧‧樣本
H1、H3‧‧‧高度
L1‧‧‧激發光束
L2‧‧‧放射光束
P1‧‧‧參考平面
S1‧‧‧側面
T1‧‧‧厚度
Z1‧‧‧感測區域
Z2‧‧‧非感測區域

Claims (10)

  1. 一種用於樣本之偵測裝置，包括：一影像感測器，包括一感測區域以及環繞於該感測區域之一非感測區域；一導光結構，設置於該影像感測器，包括：一中央引導部，位於該感測區域之上；一反射層，設置於該影像感測器，包括位於該非感測區域上之複數個通道；以及複數個第一引導部，位於該等通道之內且連接於該中央引導部以及該導光結構之一側面；以及一承載裝置，設置於該導光結構，具有排列於該感測區域上之一排列陣列之複數個容置槽，其中每一該等容置槽用以容納一樣本。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之用於樣本之偵測裝置，其中該反射層更包括複數個散射塊，設置於該等通道之底面。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之用於樣本之偵測裝置，其中該中央引導部之一第一底面相對於該影像感測器的高度大於每一該等第一引導部之第二底面相對於該影像感測器的高度，且每一該等第一引導部更包括連接於該第一底面與該第二底面之一傾斜面。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之用於樣本之偵測裝置，其中每一該等第一引導部包括連接於該側面之一第一端、連接於該中央引導部之一第二端、以及位於該第一端以及該第二端之一連接部，其中該第一端由該側面至該連接部逐漸 變窄，該第二端由該中央引導部至該連接部逐漸變窄，且該等連接部相互平行。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之用於樣本之偵測裝置，其中該反射層更包括複數個開孔，位於該等通道之間，且位於該反射層之角落。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之用於樣本之偵測裝置，其中更包括一光源，鄰近於該中央引導部之該側面，用以發射一激發光束經由該等第一引導部進入該中央引導部，當該等樣本被該激發光束照射時，該等樣本發射放射光束，且該等放射光束經由該中央引導部傳導至該影像感測器。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之用於樣本之偵測裝置，其中該導光結構更包括複數個第二引導部，設置於該中央引導部，且該激發光束經由該等第二引導部傳導至該等樣本。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之用於樣本之偵測裝置，其中該導光結構更包括一柵格部，環繞於該等引導部，且設置於該中央引導部，其中該柵格部用以反射該中央引導部中之該激發光束。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之用於樣本之偵測裝置，其中該導光結構更包括位於該感測區域上之一底層，其中該底層用以反射該中央引導部中之該激發光束。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之用於樣本之偵測裝置，其中該影像感測器，包括：一感測層；複數個濾光單元，位於該感測區域內； 複數個微透鏡，設置於該等濾光單元；以及一遮蔽部，位於該非感測區域內，環繞於該等濾光單元以及該等微透鏡，其中該導光結構設置於該等微透鏡，且該等微透鏡用以反射該激發光束至該容置槽，其中該等放射光束依序經由該等微透鏡以及該等濾光單元傳導至該感測層。
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