TWI571343B - Radiation coating device with internal nozzle for nozzle - Google Patents

Description

具噴嘴內部供料之雷射披覆裝置

本發明係有關一種具噴嘴內部供料之雷射披覆裝置，尤指一種兼具有較佳之雷射披覆效果、可彈性搭配偏壓電場與電磁線圈，與可直接於噴嘴內部供應披覆物料之具噴嘴內部供料之雷射披覆裝置。

傳統之雷射披覆(Laser cladding)技術之應用已越來越廣泛，不僅可進行物體表面之表面鍍膜處理(例如手機外殼處理、元件表面之處理等)，近年更可應用於3D成型領域，特別是利用雷射將金屬粉末(例如金屬或陶瓷等材料)電漿化後再一層一層的披覆(或沉積)於被加工物體上，而利用這逐層堆疊方式最後能形成一3D結構，此技術適用於微觀(微米等級)至巨觀尺寸(公尺等級)之複雜結構上。

傳統之雷射披覆(Laser cladding)技術最主要是利用雷射光聚焦於工件之局部區域，使得附近外加的金屬粉末熱融甚至產生電漿，再將此熱融之金屬粉末結合於此工件上。

首先，中華民國專利公開號TW201350242號之「雷射包覆表面處理」(2013年12月16日公開)已揭露一種雷射包覆技術，可以將材料塗佈包覆於一罩殼之一或多個表面的全部或部份。

其次，中華民國發明專利公告第TW-I252789號「多功能同軸式雷射噴嘴」，其係揭露一種具有同軸之中心氣束及外圍雙環氣束，分別 噴出反應氣體、粉末及惰性氣體，藉此經由中心氣束與雙環氣束流量之調整，可控制粉末流束形狀，配合調控雷射光與粉末之交互作用程度，可進行雷射披覆處理。

然而，上述兩習知專利案並未揭露利用額外之第二道雷射、射頻電弧放電、偏壓電場或其組合施加於此電漿區之技術，因此，理論上而言，此電漿區之離子化程度低，使多數金屬粉末或離子無法沉積而被吹離沉積區域，進而使雷射能量利用率低。

有鑑於此，必需研發出可解決上述習用缺點之技術。

本發明之目的，在於提供一種直接於噴嘴內部供應披覆材料之雷射披覆裝置，其兼具有較佳之雷射披覆效果、可彈性搭配偏壓電場與電磁線圈，與可直接於噴嘴內部供應披覆材料等優點。特別是，本發明所欲解決之問題係在於傳統裝置無額外之第二道雷射、射頻電弧放電、偏壓電場或其組合施加於此電漿區之技術，造成電漿區之離子化程度低，使多數金屬粉末或離子無法沉積而被吹離沉積區域，進而使雷射能量利用率低等問題。

解決上述問題之技術手段係提供一種直接於噴嘴內部供應披覆材料之雷射披覆裝置，其包括：一工作機台，係用以固定一具有一工件表面之工件；一噴嘴本體，係具有一入光部、至少一噴氣口、一中央本體部及至少一反應氣體供應孔；該中央本體部具有一中央空間及至少一供應孔，該中央空間係介於該入光部及該噴氣口之間，且朝該噴氣口處漸縮； 該供應孔係連通該中央空間及外界；該噴氣口係用以朝該工件表面噴出氣體；該中央空間內鄰近該噴氣口處之區域被定義為一電漿雲區；一反應氣體供應部，係連接該反應氣體供應孔，用以供應至少一反應氣體至該中央空間中，再由該噴氣口排出；至少一供應部，係連結該噴嘴本體，並包括：一靶材微粒產生件，係用以伸入並堵住該供應孔，且以可活動的狀態，伸入該中央空間內；一供應動力裝置，係設於該中央本體部外面，並連結而用以將該靶材微粒產生件朝該中央空間內傳送；一靶材雷射裝置，係包括一雷射產生結構及一透光結構；該雷射產生結構用以朝該透光結構的方向發出一靶材雷射光；該透光結構係設於該中央本體部上，供該靶材雷射光穿透並聚焦至該中央空間內之該靶材微粒產生件，使其變成靶材微粒並散佈於該中央空間內，再從該噴氣口供應至該工件表面上；一能量強化部，係選自一射頻電弧放電裝置(Radio Frequency Arc Discharging Device)及一電漿雷射裝置其中至少一項；其中，該射頻電弧放電裝置(Radio Frequency Arc Discharging Device)係設於該中央本體部上，用以對該電漿雲區提供能量；該電漿雷射裝置用以產生一能量強化電射光，並聚焦於該電漿雲區，進而使得該靶材微粒被電漿化之程度提高，而被披覆於該工件表面上。

本發明之上述目的與優點，不難從下述所選用實施例之詳細說明與附圖中，獲得深入瞭解。

茲以下列實施例並配合圖式詳細說明本發明於後：

10‧‧‧工作機台

20‧‧‧噴嘴本體

21‧‧‧入光部

22‧‧‧噴氣口

23‧‧‧中央本體部

231‧‧‧中央空間

232‧‧‧供應孔

24‧‧‧反應氣體供應孔

26‧‧‧電漿雲區

40‧‧‧反應氣體供應部

41‧‧‧反應氣體

50‧‧‧供應部

51‧‧‧靶材微粒產生件

51A‧‧‧中心體

51B‧‧‧靶材微粒產生層

511‧‧‧靶材微粒

52‧‧‧供應動力裝置

521‧‧‧供應部

522‧‧‧捲收部

523‧‧‧滾輪結構

524‧‧‧供應座

525‧‧‧轉動推送裝置

52A‧‧‧轉動輪

52B‧‧‧推送輪

53‧‧‧靶材雷射裝置

531‧‧‧雷射產生結構

532‧‧‧透光結構

53A‧‧‧靶材雷射光

60‧‧‧能量強化部

61‧‧‧射頻電弧放電裝置

62‧‧‧電漿雷射裝置

62A‧‧‧調焦結構

621‧‧‧電漿雷射光

70‧‧‧偏壓電場產生部

70A‧‧‧電極部

71‧‧‧第一電連接部

72‧‧‧第二電連接部

80‧‧‧磁場產生部

90‧‧‧工件

91‧‧‧工件表面

θ‧‧‧傾斜推送角

P‧‧‧工作區

L1‧‧‧第一線段

L2‧‧‧第二線段

L3‧‧‧第三線段

L4‧‧‧第四線段

L5‧‧‧第五線段

L6‧‧‧第六線段

L7‧‧‧第七線段

L8‧‧‧第八線段

L9‧‧‧第九線段

L10‧‧‧第十線段

D‧‧‧直徑

d‧‧‧電極直徑

S1、S2、S3‧‧‧距離

第一圖係本發明之示意圖

第二圖係本發明之部分結構之放大之示意圖

第三圖係本發明之供應部之第一種變化例之示意圖

第四圖係本發明之供應部之第二種變化例之示意圖

第五圖係本發明之供應部之第三種變化例之示意圖

第六A圖係第五圖之靶材微粒產生件之第一種應用例之示意圖

第六B圖係第五圖之靶材微粒產生件之第二種應用例之示意圖

第七A圖係本發明之噴嘴本體移動之示意圖

第七B圖係本發明之工作機台移動之示意圖

第八A圖係本發明之當工件接負極時之示意圖

第八B圖係本發明之當工件接正極時之示意圖

第九圖係本發明之第一、第二雷射光束同時使用之示意圖

第十圖係第九圖之第一、第二雷射光束之相對關係之示意圖

第十一圖係本發明之極性偏壓之示意圖

第十二圖係第十一圖之極性偏壓與薄膜厚度之相對關係之示意圖

第十三A、第十三B及第十三C圖係分別為30s、120s與390s下之無輔助雷射(即無第二雷射光束)之沉積表面型態之照片

第十四A、第十四B及第十四C圖係分別為30s、120s與390s下之有輔助雷射(即無第二雷射光束)之沉積表面型態之照片

第十五圖係本發明之無輔助雷射與有輔助雷射時關於薄膜厚度與沉積時間之對應關係之曲線圖

第十六A及第十六B圖係分別為第十五圖之無輔助雷射(即無第二雷射光束)與有輔助雷射之沉積表面型態之照片

第十七A及第十七B圖係分別為第十六A及第十六B圖之放大照片

第十八圖係本發明之沉積間距對薄膜厚度之相對關係之曲線圖

第十九圖係本發明之噴氣種類與壓力及雷射能量對薄膜厚度之相對關係之曲線圖

請參閱第一及第二圖，本發明係一種直接於噴嘴內部供應披覆材料之雷射披覆裝置，其包括：一工作機台10，係用以固定一具有一工件表面91之工件90；一噴嘴本體20，係具有一入光部21、至少一噴氣口22、一中央本體部23及至少一反應氣體供應孔24；該中央本體部23具有一中央空間231及至少一供應孔232，該中央空間231係介於該入光部21及該噴氣口22之間，且朝該噴氣口22處漸縮；該供應孔232係連通該中央空間231及外界；該噴氣口22係用以朝該工件表面91噴出氣體；該中央空間231內鄰近該噴氣口22處之區域被定義為一電漿雲區26；一反應氣體供應部40，係連接該反應氣體供應孔24，用以供應至少一反應氣體41至該中央空間231中，再由該噴氣口22排出；至少一供應部50，係連結該噴嘴本體20，並包括：一靶材微粒(或電漿)產生件51，係用以伸入並堵住該供應 孔232，且以可活動的狀態，伸入該中央空間231內；一供應動力裝置52，係設於該中央本體部23外面，並連結而用以將該靶材微粒產生件51朝該中央空間231內傳送；一靶材雷射裝置53，係包括一雷射產生結構531及一透光結構532；該雷射產生結構531用以朝該透光結構532的方向發出一靶材雷射光53A；該透光結構532係設於該中央本體部23上，供該靶材雷射光53A穿透並聚焦至該中央空間231內之該靶材微粒產生件51，使其變成靶材微粒(或電漿)511並散佈於該中央空間231內，再從該噴氣口22供應至該工件表面91上；一能量強化部60，係選自一射頻電弧放電裝置(Radio Frequency Arc Discharging Device)61及一電漿雷射裝置62其中至少一項；其中，該射頻電弧放電裝置(Radio Frequency Arc Discharging Device)61係設於該中央本體部23上，用以對該電漿雲區26提供能量；該電漿雷射裝置62用以產生一能量強化電射光621，並聚焦於該電漿雲區26，進而使得該靶材微粒511被電漿化之程度提高，而被披覆於該工件表面91上。

實務上，該供應部50至少具有下列三種變化例：

[a]參閱第三圖，該靶材微粒產生件51可為中心體51A外表面披覆一靶材微粒產生層51B；該供應孔232配合該靶材微粒產生件51，而設兩個，並概呈相互面對的穿設於該中央本體部23上；該供應動力裝置52配合該兩個供應孔232，而設一供應部521及一捲收部522； 該噴氣口22與該工件90之間具有一工作區P；藉此，該靶材微粒產生件51係從該供應部521被供出，並從其中之一該供應孔232供入該中央空間231，再從其中之另一供應孔232供出，且被該捲收部522捲收集中，又，於供入與供出該中央空間231的過程中，該靶材微粒產生層51B係受聚焦之該靶材雷射光53A照射，使其變成靶材微粒(或電漿)511並散佈於該中央空間231內，再從該噴氣口22經該工作區P供應至該工件表面91上。

[b]參閱第四圖，該靶材微粒產生件51可為桿體結構；該供應動力部52可為一對滾輪結構523，用以夾持且持續將該靶材微粒產生件51供入該中央空間231內，並受聚焦之該靶材雷射光53A照射，使其變成靶材微粒(或電漿)511並散佈於該中央空間231內，再從該噴氣口22經該工作區P供應至該工件表面91上。

[c]參閱第五圖，該供應動力部52包括：一供應座524，係用以支撐並供該靶材微粒產生件51供入該中央空間231；一轉動推送裝置525，係設一轉動輪52A及一推送輪52B；概呈同方向轉動，用以共同夾持該供應座524上之該靶材微粒產生件51；藉此，該轉動輪52A用以摩擦該靶材微粒產生件51外表面，使其沿軸心轉動；該推送輪52B係與該靶材微粒產生件51之間，保持一傾斜推送角θ，而可在轉動時，將該靶材微粒產生件51經該供應孔232推送供入該中央空間231，並受聚焦之該靶材雷射光53A照射，使其變成靶材微粒(或電漿)511並散佈於該中央空間231內，再從該噴氣口22經該工作區P供應至該 工件表面91上。

重點在於，使用此應用例時，該靶材微粒產生件51可為桿體結構(參閱第六A圖)，亦可為中心體51A外表面覆設該靶材微粒產生層51B(參閱第六B圖)。均可實施。

該能量強化部60係選自該射頻電弧放電裝置(Radio Frequency Arc Discharging Device)61、該電漿雷射裝置62的其中至少之一項，換言之，有三種可能性，亦即單獨之該射頻電弧放電裝置(Radio Frequency Arc Discharging Device)61、單獨之該電漿雷射裝置62、或是兩者之組合。當然，兩種之組合效果係優於單獨一項。

該電漿雷射裝置62又包括一調焦結構62A，該電漿雷射裝置62產生之電漿雷射光621，係經該調焦結構62A聚焦至該電漿雲區26，使得該靶材微粒511被電漿化之程度提高，再從該噴氣口22經一工作區P供應至該工件表面91上。

更進一步來講，可控制該噴嘴本體20移動(參閱第七A圖)，或是控制該工作機台10承載該工件90移動(參閱第七B圖)，而可加快加工速度。

本發明可選擇性的再包括一偏壓電場產生部70，係具有一第一電連接部71及一第二電連接部72，其分別連接一電極部70A及該工件90，該電極部70A係設於該中央本體部23上且鄰近該電漿雲區26。

當設有此偏壓電場產生部70時，也有下列三種偏壓型態：「工件接負極」、「工件接正極」、「工件接正極與負極交替變換」。

當「工件接負極」，如第八A圖所示，此時該電漿雲區(含附 近)26之帶正電之離子或微粒會被吸附至該工件90，大體上可產生帶正電之離子或微粒披覆於該工件90之功效。

當「工件接正極」，如第八B圖所示，此時該電漿雲區(含附近)26之帶負電之電子或微粒會被吸附至該工件90，大體上可產生帶負電之電子束打向該工件90或微粒披覆於該工件90之功效。

當然，也可以控制偏壓之極性不斷切換，例如控制該工件90接正、接負、接正、接負、、、而達到交互披覆不同材料於工件90之功效。此切換之頻率可視實際需要而改變。

其次，本發明可以選擇性的再包括一磁場產生部80(當然，亦可設於該電極部70A上方)，其設於該中央本體部23上且鄰近該電漿雲區26，用以將該電漿雲區26之電子或離子打向該工件90時之能量密度提高。此磁場產生部80為習知技術，常應用於電子顯微鏡之電子束之聚焦，在本案之應用原理相同不再贅述。

關於本案之原理，首先，請參閱第九圖，其係有關本案之靶材雷射裝置53與電漿雷射裝置62同時使用情況下之實施例。此靶材雷射裝置53之波長為1090nm、3.31W，聚焦至該靶材(亦即本案之該靶材微粒產生件51，例如為鈦)之表面，使其形成一局部熱融區及材料噴發區(傳統為電漿區，亦即本案之電漿雲區26)，並產生許多四散濺出之鈦離子。

而電漿雷射光621之波長為532nm、190mW，聚焦至材料噴發區，並照射至一旋轉之電極(即工件90)，其目的主要是增加電漿雲區26的電漿能量密度、預熱電極、雷射退火已沉積之粒子並滲透至加熱電極、雷射退火新沉積之粒子並滲透至加熱電極。

此實驗之雷射退火薄膜約使用3150發之雷射，且此靶材雷射裝置53及電漿雷射裝置62之頻率均為15Hz，雷射脈衝寬度分別為6ns與66ms，兩者之關係如第十圖所示(其中之第一線段L1與第二線段L2分別代表該靶材雷射光53A與該電漿雷射光621)。

關於極性偏壓對本發明之影響，請參閱第十一圖，其中之靶材(該靶材微粒產生件51)之直徑D為8mm，與接正極之偏壓電極板的距離S1為0.5mm，而負極之電極直徑d為0.5mm，其與偏壓電極板之距離S2為5mm，距離該靶材中心之延伸線的距離S3為0.5mm。經實驗得知其結果如第十二圖所示，其整體趨勢顯示出：不論是正偏壓(第三線段L3)或負偏壓(第四線段L4)，當偏壓越高時，則雷射披覆之薄膜厚度也越高。

另外，關於有無電漿雷射光621照射之電極沉積的表面型態比較，請參閱第十三A、第十三B及第十三C圖，係分別顯示30s、120s與390s下之無輔助雷射(即無電漿雷射光621)之沉積表面型態。至於第十四A、第十四B及第十四C圖，係分別顯示30s、120s與390s下之有輔助雷射(即有電漿雷射光621)之沉積表面型態。可以證明有輔助雷射(即有電漿雷射光621)之表面顆粒較粗，顯示在受到電漿雷射光621照射下，沉積的材料具有較高的移動能力而聚集在一起。如第十五圖所示，當沉積時間同樣到達390s時，無輔助雷射(第九線段L9)與有輔助雷射(第十線段L10)之其薄膜厚度分別大約為5.06μm與9.43μm，亦顯示當受到電漿雷射光621照射時沉積速率較快。如第十六A(及第十七A，其氧的比例為38.10%)與第十六B(及第十七B，其氧的比例為42.87%)圖，係分別顯示受到電漿雷射光621照射所沉積的材料，其氧的比例提升，其氧化程度較高。

關於沉積間距對薄膜厚度之影響，如第十八圖所示。沉積間距係指該靶材微粒產生件51至該工件90表面之間距，其中，當沉積間距為0.5mm、0.75mm及1mm時，薄膜厚度係分別為6.22μm、5.76μm及3.53μm。因此，若以沉積間距1mm為基礎，則當間距縮為0.75mm時，其沉積效率提升約64%(由3.53μm提昇至5.76μm)；當間距縮為0.5mm時，其沉積效率提升76%(由3.53μm提昇至6.22μm)。

關於噴氣種類及壓力對薄膜厚度之影響，如第十九圖所示。

第一線段L5代表噴氮氣，3kPa；第二線段L6代表噴氮氣，12kPa；第三線段L7代表噴氧氣，3kPa；第四線段L8代表噴氧氣，12kPa。

由第十九圖中可證，當雷射能量越高時，薄膜厚度也越高。而相同氣體之下，壓力小者薄膜厚度較厚。當壓力為12kPa時，噴氮氣之薄膜厚度優於噴氧氣之薄膜厚度。而當壓力為3kPa時，則兩種氣體造成薄膜厚度之差異則視第一雷射光束311能量而定。這是與氣體造成的冷卻速率有關。

本案之優點及功效可歸納為：

[1]具有較佳之雷射披覆效果。由於本案利用現有之靶材雷射裝置及同軸式噴氣系統進行改良，再增設能量強化部，其係選自一射頻電弧放電裝置(Radio Frequency Arc Discharging Device)、一電漿雷射裝置其中至少一項，因此，可將電漿雲區之能量大幅提高，使游離出之離子具有較高之能量，有利於其移動至工件表面並沉積於其上之效率。若再彈性搭 配偏壓電場與電磁線圈，則效果更優。

[2]可彈性搭配偏壓電場與電磁線圈。由於本案可選擇性的搭配偏壓電場與電磁線圈，而偏壓電場之偏壓方式亦有三種(正偏壓、正偏壓及交替式)，因此可以產生朝該工件移動之離子束或電子束，故，可對工件表面進行特殊處理。若再搭配電磁線圈時，離子束或電子束被聚焦於工件之效果更佳，故，使得本案之雷射披覆之能量大小與處理方式更具有彈性。

[3]可直接於噴嘴內部供應披覆物料。本發明可朝中央空間內供入一靶材微粒(或電漿)產生件，再設一靶材雷射裝置對中央空間內之靶材微粒產生件聚焦照射雷射光，使其直接於中央空間內供應靶材微粒(或電漿)至該工件表面上；可對工件表面集中供應靶材微粒，減少靶材微粒散失。

以上僅是藉由較佳實施例詳細說明本發明，對於該實施例所做的任何簡單修改與變化，皆不脫離本發明之精神與範圍。

10‧‧‧工作機台

20‧‧‧噴嘴本體

21‧‧‧入光部

22‧‧‧噴氣口

23‧‧‧中央本體部

231‧‧‧中央空間

232‧‧‧供應孔

24‧‧‧反應氣體供應孔

26‧‧‧電漿雲區

40‧‧‧反應氣體供應部

41‧‧‧反應氣體

50‧‧‧供應部

51‧‧‧靶材微粒產生件

511‧‧‧靶材微粒

53‧‧‧靶材雷射裝置

531‧‧‧雷射產生結構

532‧‧‧透光結構

53A‧‧‧雷射光

60‧‧‧能量強化部

61‧‧‧射頻電弧放電裝置

62‧‧‧靶材雷射裝置

621‧‧‧電漿雷射光

62A‧‧‧調焦結構

70‧‧‧偏壓電場產生部

70A‧‧‧電極部

71‧‧‧第一電連接部

72‧‧‧第二電連接部

80‧‧‧磁場產生部

90‧‧‧工件

91‧‧‧工件表面

P‧‧‧工作區

Claims (9)

1. 一種具噴嘴內部供料之雷射披覆裝置，係包括：一工作機台，係用以固定一具有一工件表面之工件；一噴嘴本體，係具有一入光部、至少一噴氣口、一中央本體部及至少一反應氣體供應孔；該中央本體部具有一中央空間及至少一供應孔，該中央空間係介於該入光部及該噴氣口之間，且朝該噴氣口處漸縮；該供應孔係連通該中央空間及外界；該噴氣口係用以朝該工件表面噴出氣體；該中央空間內鄰近該噴氣口處之區域被定義為一電漿雲區；一反應氣體供應部，係連接該反應氣體供應孔，用以供應至少一反應氣體至該中央空間中，再由該噴氣口排出；至少一供應部，係連結該噴嘴本體，並包括：一靶材微粒產生件，係用以伸入並堵住該供應孔，且以可活動的狀態，伸入該中央空間內；一供應動力裝置，係設於該中央本體部外面，並連結而用以將該靶材微粒產生件朝該中央空間內傳送；一靶材雷射裝置，係包括一雷射產生結構及一透光結構；該雷射產生結構用以朝該透光結構的方向發出一靶材雷射光；該透光結構係設於該中央本體部上，供該靶材雷射光穿透並聚焦至該中央空間內之該靶材微粒產生件，使其變成靶材微粒並散佈於該中央空間內，再從該噴氣口供應至該工件表面上；一能量強化部，係選自一射頻電弧放電裝置及一電漿雷射裝置其中 至少一項；其中，該射頻電弧放電裝置係設於該中央本體部上，用以對該電漿雲區提供能量；該電漿雷射裝置用以產生一能量強化電射光，並聚焦於該電漿雲區，進而使得該靶材微粒被電漿化之程度提高，而被披覆於該工件表面上。
2. 如申請專利範圍第1項所述之具噴嘴內部供料之雷射披覆裝置，其中：該靶材微粒產生件係為中心體，其外表面披覆一靶材微粒產生層；該供應孔係配合該靶材微粒產生件，而設兩個，並概呈相互面對的穿設於該中央本體部上；該供應動力裝置係配合該兩個供應孔，而設一供應部及一捲收部；該噴氣口與該工件之間具有一工作區；藉此，該靶材微粒產生件係從該供應部被供出，並從其中之一該供應孔供入該中央空間，再從其中之另一供應孔供出，且被該捲收部捲收集中，又，於供入與供出該中央空間的過程中，該靶材微粒產生層係受聚焦之該靶材雷射光照射，使其變成靶材微粒並散佈於該中央空間內，再從該噴氣口經該工作區供應至該工件表面上。
3. 如申請專利範圍第1項所述之具噴嘴內部供料之雷射披覆裝置，其中：該噴氣口與該工件之間具有一工作區；該靶材微粒產生件係為桿體結構；該供應動力部係為一對滾輪結構，用以夾持且持續將該靶材微粒產生件供入該中央空間內，並受聚焦之該雷射光照射，使其變成靶材微 粒並散佈於該中央空間內，再從該噴氣口經該工作區供應至該工件表面上。
4. 如申請專利範圍第1項所述之具噴嘴內部供料之雷射披覆裝置，其中：該噴氣口與該工件之間具有一工作區；該供應動力部係包括：一供應座，係用以支撐並供該靶材微粒產生件供入該中央空間；一轉動推送裝置，係設一轉動輪及一推送輪；概呈同方向轉動，用以共同夾持該供應座上之該靶材微粒產生件；藉此，該轉動輪用以摩擦該靶材微粒產生件外表面，使其沿軸心轉動；該推送輪係與該靶材微粒產生件之間，保持一傾斜推送角，而可在轉動時，將該靶材微粒產生件經該供應孔推送供入該中央空間，並受聚焦之該靶材雷射光照射，使其變成靶材微粒並散佈於該中央空間內，再從該噴氣口經該工作區供應至該工件表面上。
5. 如申請專利範圍第4項所述之具噴嘴內部供料之雷射披覆裝置，其中，該靶材微粒產生件係為一中心體，其外表面覆設一靶材微粒產生層。
6. 如申請專利範圍第4項所述之具噴嘴內部供料之雷射披覆裝置，其中，該靶材微粒產生件係為桿體結構。
7. 如申請專利範圍第1項所述之具噴嘴內部供料之雷射披覆裝置，其中：該噴氣口與該工件之間具有一工作區； 該電漿雷射裝置又包括一調焦結構，該電漿雷射光係經該調焦結構聚焦至該電漿雲區，使得該靶材微粒被電漿化之程度提高，再從該噴氣口經該工作區供應至該工件表面上。
8. 如申請專利範圍第1項所述之具噴嘴內部供料之雷射披覆裝置，其又包括一偏壓電場產生部，係具有一第一電連接部及一第二電連接部，其分別連接一電極部及該工件；該電極部係設於該中央本體部上且鄰近該電漿雲區。
9. 如申請專利範圍第1項所述之具噴嘴內部供料之雷射披覆裝置，其又包括一磁場產生部，係設於該中央本體部上且鄰近該電漿雲區，用以將該電漿雲區之能量密度。