TWI570981B

TWI570981B - 光電裝置及其製造方法

Info

Publication number: TWI570981B
Application number: TW102105481A
Authority: TW
Inventors: 丹布蘭德傑羅恩范; 喬安莎拉威爾森; 摩爾安東尼瑪莉亞伯納得斯范; 多洛緹克利斯汀荷姆士; 愛德華威廉愛爾伯特楊
Original assignee: 荷蘭Ｔｎｏ自然科學組織公司
Priority date: 2012-02-17
Filing date: 2013-02-18
Publication date: 2017-02-11
Also published as: US9450205B2; TW201349620A; EP2629347A1; WO2013122463A1; US20150008474A1; JP2015510698A; CN104205402A; KR20140128375A; EP2815444A1

Description

光電裝置及其製造方法

本發明關於光電裝置。

本發明關於光電裝置之製造方法。

WO/2011/108921揭露一種光電裝置，包括保護層、阻擋層結構、光電結構以及複數橫向導電體。其中，保護層包括金屬薄片；以及由金屬薄片支撐且與其電性絕緣之圖案化導電層。光電結構設置於保護層和阻擋層結構之間。光電結構包括至少一光電層與透明導電層。光電結構具有面向保護層之第一主面。複數橫向導電體由金屬薄片或保護層之圖案化導電層，穿過至少一光電層，延伸至透明導電層。保護層延伸超過光電結構之第一主面。在大面積之光電裝置中，橫向導電體會在透明導電層的面上提供正常的電壓分布。藉此實現均勻的照明。對於大面積光伏裝置，這種結構會降低電阻性損耗。

關於OLED的研發，聚二氧乙基噻吩：聚苯乙烯磺酸複合物(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)：poly(4-styrenesulfonate)(PEDOT/PSS))是目前最有前景和廣泛使用的電洞注入材料。

作為水之分散體(dispersion)的PEDOT/PSS有多種市售等級(通常為1-3% wt.之固體)。然而，分散體有幾個缺點。因為PSS的酸性形式其附載(loading)很高，所以分散體是非常酸性的。這可能會在應用過程中導致問題，並且濕的有機基板沒有具有高附載之黏著劑(binder)或化合機制。很不幸地，黏著劑會劣化薄膜的導電性。此外，多數電子裝置無法忍受水的存在。

直接在金屬基板上使用PEDOT/PSS分散體的一個重要缺點是會讓裝置快速劣化，最可能原因是金屬基板和頂電極之間的金屬遷移，其中金屬遷移是由PEDOT催化的。當允許金屬基板具有高導電性以提供正常之電壓分布時，為了防止這種不被希望的交互作用，通常會在OLED中使用例如銦錫氧化物(ITO)之導電金屬氧化層作為OLED層與金屬層之間的中間層。然而，這樣的金屬氧化物是脆性的，昂貴的，且需要在真空沉積。特別是對於可撓性光電產品之卷式製程，這是一個重大的缺點。

本發明提供一種可使用PEDOT之光電裝置，同時避免了上述的問題。

本發明亦提供該光電裝置的製造方法。

本發明第一態樣揭露一種光電裝置，包括一光電層結構，該光電層結構具有一陽極層和陰極層；一光電層，該光電層設置於該陽極層和該陰極層之間；以及一光輸出側，該陽極層和該陰極層之該陰極層最靠近該光輸出側。

該光電裝置更包括一雙導電層結構，該雙導電層結構設置於該光電層結構之對側，該雙導電層結構具有一第一導電層與一第二導電層，該第一導電層與該第二導電層藉由一第一絕緣層彼此電性絕緣，該第一導電層與該第二導電層之該第一導電層最靠近該光電層結構。

一第二絕緣層設置於該光電層結構和該雙導電層結構之間，其中該第一導電層藉由穿過該第二絕緣層之至少一第一橫向導電體而與該陽極層電性連接，且該第二導電層藉由穿過該第一絕緣層、該第一導電層、該第二絕緣層、該陽極層與該光電層之至少一第二橫向導電體而與該陰極層電性連接。

根據本發明揭露之該光電裝置，該第二絕緣層設置於電洞注入與該第一導電層之間。電洞注入層與第一導電層之間的化學交互作用因此被抑制，而且電洞注入層與第一導電層之間能夠維持可靠的電性連接。這使得酸性分散劑可以被使用，例如上述之分散劑PEDOT：PSS。在一較佳實施例中，此電性連接可以藉由選擇穿透第二絕緣層之開口之電洞注入層材料而得到。依此方式電性連接是多餘的。使用例為ITO之金屬氧化層可以避免。

本發明第二態樣揭露一種光電裝置之製造方法，包括：提供一雙導電層結構，該雙導電層結構包括藉由一絕緣層互相絕緣之一對導電層；提供一第二絕緣層，該第二絕緣層設置於該第一絕緣層上且具有至少一第一開口，該至少一第一開口在該第一導電層形成通路；沉積一陽極層，並讓該陽極層之材料穿透該至少一第一開口，以形成至少一第一橫向導體，該至少一橫向導體從該陽極層穿過該第一開口至該第一導電層；形成與該第一開口不重疊之至少一第二開口，該至少一第二開口延伸穿過該陽極層與該第一導電層；提供一發光層，該發光層設置於該陽極層上；形成延伸穿過該第二導電層之至少一第三開口，其中在該第一導電層定義之一平面，該至少一第三開口在該平面之橫截面被該第二開口之橫截面彼此間隔而環繞；提供至少一第二橫向電連接，該至少一第二橫向電連接在待至少一第二開口內延伸至該第二導電層；在該光電層上沉積一陰極層。

10‧‧‧發光裝置

20‧‧‧光電層結構

22‧‧‧陽極層

24‧‧‧陰極層

26‧‧‧發光層

28‧‧‧光輸出側

40‧‧‧雙導電層結構

42‧‧‧第一導電層

42a‧‧‧絕緣部

44‧‧‧第二導電層

46‧‧‧第一絕緣層

47‧‧‧絕緣層

50‧‧‧第二絕緣層

52‧‧‧開口

62‧‧‧第一橫向導體

64‧‧‧第二橫向導體

65‧‧‧電絕緣材料

70‧‧‧阻擋層

80‧‧‧第二開口

84‧‧‧第三開口

421‧‧‧第一子導電層

422‧‧‧第二子導電層

461‧‧‧阻擋層結構

本發明之實施例現在將參照所附示意圖式來更詳細敘述，其中：第1圖和第1A圖顯示本發明第一態樣之光電裝置的實施例；其中第1A圖顯示第1圖之細節；第1B圖和第1C圖顯示第1圖之實施例的其他細節；其中第1C圖顯示第1B圖沿著C-C之橫截面；第1D圖和第1E圖顯示對應於第1B圖和第1C圖之另一實施例；其中第1E圖顯示第1D圖沿著E-E之橫截面；第2A圖至第2T圖顯示本發明第二態樣之製造方法的步驟；第3A圖至第3H圖為本發明第二態樣之另一製造方法的步驟。

為了詳細說明提供本發明，其具體細節將在以下作詳細說明。然而，本領域具有通常知識者應能理解，在現有技術中，沒有這些具體細節也可以實施本發明。在其他情況下，眾所周知的方法，程序和組件沒有被詳細描述，以免混淆本發明的各個實施例。

在所附圖式中，為了清楚起見，層和區域的尺寸和相對尺寸可以被誇大。

可以理解的是，儘管術語第一，第二，第三等可以在本文中用來描述各種元件，部件，區域，層和/或部分，但是這些元件，組件，區域，層和/或部分不應該受這些術語限制。這些術語僅用於區分一個元件，組件，區域，層或部分與另一區域，層或部分。因此，第一元件，組件，區域，層或部分在下面討論可以被稱為第二元件，組件，區域，層或部分，而不脫離本發明的教導。

本發明的實施例是本發明的理想化實施例(和中間結構)之示意圖的橫截面圖。因此，製造技術和/或公差造成形狀的變化，是可以預期的。因此，本發明的實施例不應該被解釋為限於所示區域的特定形狀，因此，而是包括製造偏差產生的形狀。

除非另有定義，本文所用的所有術語(包括技術術語和科學術語)，對於本發明所屬的本領域的普通技術人員之通常理解來說，具有相同的含義。此外，例如在常用字典中定義的那些術語，應解釋為具有與它們的含義相一致的含義，因此在相關領域的上下文中，將不被解釋為理想化的或過於正式的意義，除非明確界定之外。本文所提及的所有出版物，專利申請，專利，和其它參考文獻通過引用的方式全文併入。若有歧異，應以本說明書(包括定義)為準。另外，材料，方法和實施例只是說明性的，並非以此為限。

相同的數字指代相似的元件。

第1圖和第1A圖顯示一種光電裝置。具體來說，該光電裝置是一種發光裝置10，包括作為光電層結構之發光層結構20。發光層結構包括陽極層22和陰極層24，以及發光層26，發光層26設置於陽極層22和陰極層24之間。發光層結構20具有光傳輸側，此處為光輸出側28。陰極24比陽極22更靠近光輸出側28。

發光裝置10更包括雙導電層結構40，雙導電層結構40設置在發光層結構20的一側(光輸出側28的對側)。雙導電層結構40具有第一導電層42和第二導電層44，藉由第一絕緣層46相互電性絕緣。第一導電層42和第二導電層44中較靠近發光層結構20者為第一導電層42。第二導電層44可在遠離發光層結構20之一側設置額外的絕緣層47(虛線表示)。額外的絕緣層47可以作為支撐結構，以利製程和電性絕緣。各種金屬，例如包括鋼，不銹鋼，鋁，銅，鉬，銀，鉑，金，鉻，或其合金，如黃銅，均適合用於作為導電層44。

第二絕緣層50設置於發光層結構20和雙導電層結構40之間。第一導電層42至少藉由第一橫向導電體62，穿過第二絕緣層50，與陽極層22電性連接。第二導電層44至少藉由第二橫向導電體64，穿過第一絕緣層46、第一導電層42、第二絕緣層50、陽極層22和發光層26，與陰極層24電性連接。

在較佳實施例中，第一導電層42的金屬是具有高反射率的金屬如鋁，銀或鉬。在另一實施例中，也可以使用具有不同折射率的材料的堆疊，以形成一個反射器(如氧化矽和氮化矽層交替堆疊)。

通常，裝置設置有一個適當的封裝或圖案在其邊緣處，以防止側漏的氧和水，特別是防止通過第一和第二絕緣層的側漏。

本發明之實施例揭露一種光電裝置，在10至100μm的範圍內的功能層結構中，一個或多個橫向導電體具有一個最小橫截面。如果橫截面基本上大於50μm，如大於100μm時，橫向導電體變得可見。在某些應用中，這可能是不理想的。然而，對於具有更大範圍內的最小橫截面之其他應用，例如也可使用具有1或2mm橫截面的橫向導電體。這樣的優點是具有很好的導電性。10μm以下的最小截面沒有實益。此外，這麼窄的橫向導電體難以實現可靠的電性連接。

在一較佳實施例中，一個或多個橫向導電體占用之相對面積小於發光層所定義之橫截面積的10%。

在本實施例中顯示，第一導電層42包括第一子導電層421和第二子導電層422。第二子導電層422設置於第一導電層42之上。當第一子導電層421用作電導體時，第二子導電層422可以相對較薄。因此，材料成本不會限制對第二子層材料的選擇。例如，第一子導電層421可以是厚度為50μm的不銹鋼層，第二子層422可以是厚度為100nm的銀層。因為第二子導電層422對發光層26發出的光具有高反射率，例如，反射率至少為80%的高反射率。在這種情況下，第二子層422是導電的，但是，並非以此為限。例如，由氧化矽和氮化矽子層彼此交替堆疊可以形成折射率不同的第二子導電層422。

雖然第1圖、第1A圖僅顯示具有單一第一導電體和第二橫向導電體之圖式，但是實際上，也可以根據發光裝置或其它光電裝置的大小，設置多個這樣的橫向導電體。在一個實施例中，發光裝置或其它光電裝置每平方米包括100至500.000個橫向電導體。在一個典型的實施例中，發光裝置每平方米包括約50.000對橫向導電體。

在本實施例中，在P的位置範圍內，不存在第二子導電層422，且至少有一第一橫向導電體62電性連接至第一導電層42。在另一實施例中，第二子導電層422在其位置上具有鈍化層。

至少一第一橫向導電體62是由陽極層22的材料構成。雖然陽極層之材料與金屬層422直接接觸，但是交互作用的區域非常小(相較於完全沒有第二絕緣層，僅在位置P)，所以不良影響可以大幅降低。

如第1B圖和第1C圖所示，該至少一第二橫向導電體64延伸穿過第一導電層42之絕緣部42a。第1C圖是第 1B圖延C-C的截面圖，絕緣部42a藉由電性絕緣材料的圓柱與第一導電層42電性絕緣，電性絕緣材料的圓柱環繞橫向導電體。

在另一實施例中，如第1D圖和第1E圖所示，該至少一第二橫向導電體64延伸穿過電性絕緣材料本體65，電性絕緣材料本體65直接鄰接於第二橫向導電體64。

如本實施例所示，發光裝置包括在光輸出側28之透明的阻擋層70。

阻擋層70通常包括堆疊的子層。在第一實施例中，阻擋層是第一和第二無機子層間之有機子層的堆疊。該堆疊可更包括彼此交替之有機和無機子層。有機子層可包括吸濕層。在另一實施例中，阻擋層可包括彼此交替之不同無機材料之子層堆疊。

接著，藉由第2A圖至第2T圖說明本發明第二樣態的方法實施例。這些圖都是成對圖示，上圖顯示半成品的截面圖，下圖顯示半成品大範圍的截面圖或上視圖。

第2A圖和第2B圖顯示方法的第一步驟S1，提供一雙導電層結構40，其包括一對導電層42、44，導電層42、44藉由絕緣層46互相絕緣。第2B圖是第2A圖由B看下去的上視圖。

多種材料適合於導電層42、44，例如：(不銹)鋼、銅、鋁等。導電層42、44的材料不需要由相同的材料製成。導電層42，44可以被提供作為第一電絕緣層46上的金屬塗層。通常情況下，這樣的塗層的厚度為30nm至1μm的範圍內。舉例來說，金屬塗層可藉由濺鍍(evaporation sputtering)、將材料電鍍在絕緣層上或導電墨水印刷之方式完成。另外，導電層42、44可藉由在絕緣層的兩面上層疊一對金屬薄片而構成。這樣的金屬箔通常的厚度為10~200μm。在一個較佳實施例中，至少一金屬層具有良好的氧和水的阻隔性，如此便不需要額外的阻擋層。上面的金屬層42最好具有高反射率(28%)，或至少90%的反射率(較佳實施例)。根據一實施例，上面的金屬層42包括第一子層421，第一子層421上鍍有由高反射率材料(例如鋁或銀)構成的第二子層422，且具有例為30nm~1μm的厚度。此外，絕緣層46和子層421和422的組合能夠用來調整上方之導電層42的結構。舉例來說，圖案化結構能夠用來控制散射光量與發光裝置的出光角度，及/或產生圖案的局部區域，例如標牌裝置(signage device)。舉例而言，將絕緣層或導體層圖案化的技術包括壓紋(embossing)、壓印(imprint)，或是能使金屬或絕緣層完全不會重新流動並產生平滑表面之印刷(print)。在一個使用粗糙的金屬薄片作為子層421但需要光滑的反射面的情況下，使用沉積技術(例如印刷或鍍膜)製造反射性子層422能實現某種程度的平滑塗層解決方案。

舉例而言，兩金屬層之間的絕緣層可為膠水；塑料薄片(典型厚度範圍為1μm-200μm)，如將PET或PEN薄片；從溶液中沉積塑料材料並固化為固體層(例如光致抗蝕劑)；無機材料的堆疊，如氮化矽，氧化矽或鋁的氧化物，或有機和無機材料的堆疊。在一較佳實施例中，裝置彎曲時，所有的層是機械穩定的。當絕緣層46作為塗層應用時，其可以更薄，例如在10nm-50μm的範圍內。

第2C圖、第2D圖、第2E圖和第2F圖顯示第二步驟S2。第2D圖顯示第2C圖由D看下去的上視圖，且第2F圖顯示第2C圖由E看下去的上視圖。在第二步驟，第二絕緣層50設置於第一導電層42上(第2C圖、第2D圖)。第二絕緣層形成裝置部分之光學微空腔。因此其厚度優選在1nm-1μm的範圍之間。

如第2E圖、第2F圖所示，第二絕緣體50具有至少一第一開口52，第一開口52讓第一導電層42有一個通道，例如使用雷射鑽孔。在其他實施例中，亦可使用微影技術或剝離(lift-off)技術製造第一開口。如本實施例所述，提供第二絕緣層50與其中至少一開口52可透過第一和第二子步驟進行。換句話說，圖案化之第二絕緣層50可通過單一步驟製成，例如通過印刷製程。開口可為任意形狀，且可由任意圖案所構成。依此亦能產生招牌應用(signage application)所需之圖案。在一實施例中，開口具有矩形橫截面且在第二絕緣層50面上之長寬比至少為10。這樣做能讓具有高導電度之橫向導電體能設置於這些開口中，所需之開口可透過刻劃(scratching)簡單地形成。

由第2E圖和第2F圖可以進一步看出，在至少一第一橫向電導體62(參見第2G圖)將被電性連接至第一導電層的位置，第二子層421局部地移除，鈍化層可施加在第二子層421之上述位置。如果這樣的鈍化層僅施加於這些位置，它並不需要具有高的反射率。舉例來說，合適的金屬不銹鋼或鉬。或者可以使用一薄層(例如≦1nm)的絕緣材料。後者減輕金屬遷移，但仍然具有足夠的導電性，提供陽極供電。

第2G圖和第2H圖顯示第三步驟S3。其中第2H圖顯示根據第2G圖沿著H-H的橫截面。在第三步驟，陽極層22被沉積，其厚度為10nm至1μm。陽極層的沉積材料滲入該至少一第一開口52，並在第一開口中形成至少一第一橫向的電氣連接，其從陽極層延伸通過該開口至第一導電層42。依此方式，至少在裝置的光電活性區域中(例如在裝置的發光或光電池區域)，陽極層22和第一導電層42之沉積材料間的化學相互作用所導致之不利影響可被降低，同時避免在不同的步驟中提供陽極層22和第一導電層42之間的橫向導電體62。此外，如果在層42中有任何影響陽極層22之均勻度的不利因素，在電絕緣層50可以提供某種程度的平坦化。

第2I圖和第2J圖顯示第四步驟S4。其中圖。第2J圖顯示第2I圖沿著J-J的橫截面。在第四步驟，至少一第二開口80延伸穿過的陽極層22、第二絕緣層50、第一導電層42和第一絕緣層46。第二開口80可通過以下方式獲得，例如雷射鑽孔、微影或剝離技術。在另一實施例中，延伸通過陽極層22的開口可通過根據已經包括這些開口的的圖案來設置該等層之位置而形成，例如藉由印刷而形成。

該至少一第二開口80與第一開口52不重疊，該至少一第一橫向導電體62已經設置其中。本方法實施例第四步驟之後是子步驟S4A，其中，所述第二開口80填充有一種電絕緣材料65，例如充填後會固化之固化性樹脂。在一較佳實施例中，所述電絕緣材料是氧和水的阻隔材料，避免水從基板中央的絕緣層進入到電洞注入層，以防止電氣短路。用於此目的之合適材料是樹脂，例如紫外線固化型樹脂，或以任意吸氣劑材料填充。另外，第一電絕緣層中可以製造阻擋壁結構461，阻擋壁結構係以電絕緣材料65環繞第二開口80，舉例來說，其中一個填充後之開口以虛線表示。在這種情況下，通過第一絕緣層中並滲透至填充後之開口80和65的水氣被阻止，因此開口80的材料65並不需要是阻擋層材料。

子步驟S4A如第2K圖和第2L圖所示。第2L圖顯示第2K圖沿著L-L的截面圖。

第2M圖和第2N圖顯示第五步驟S5。第2N圖顯示第2M圖沿著N-N的截面圖。第五步驟S5有關於在陽極層22上提供發光層、光伏層或光電層26。光電層或堆疊層之厚度範圍為50nm-500nm。

第2O圖和第2P圖顯示第六步驟S6。第2P圖顯示第2O圖沿著P-P的截面圖。在第六步驟S6，形成至少一第三開口84並向第二導電層44延伸。在第一導電層42所定義的平面，該至少一第三開口84在該平面之橫截面被第二開口80的橫截面彼此間隔而環繞。在所示的實施例中，該第二開口填充有電絕緣材料65。然而，在其它實施例中，該第二開口可能不會填充任何材料。

第2Q圖和第2R圖顯示第七步驟S7。第2R圖顯示第2Q圖沿著R-R的截面圖。在第七步驟S7，藉著在開口84填充導電材料，提供至少一第二橫向電連接64。依此獲得的電連接64在該至少一個第二開口內延伸，第二開口填充有電絕緣材料65至第二導電層44。第二開口填充有電絕緣材料65之處在每一個橫向導電體64周圍之第二導電層42中形成環狀阻隔。橫向導電體64周圍之環狀阻隔內的部分第二導電層在第二導電層中形成島嶼。

因此，在第八步驟S8，如第2S圖和第2T圖所示，陰極層24沉積於發光層26之上。陰極層24或堆疊的陰極子層的厚度通常為15nm-500nm。在中間層42和46足夠薄的情況下，藉著讓陰極透過第三開口84與層44接觸，可以實現陰極層24和第二導電層44的電性連接。在這種情況下，用來施加一個額外的導電性填料之步驟S7是多餘的。實際上，這種情況是如果在陰極24和第二導電層之間的距離H沒有大於橫向電導體64的直徑D的5倍以上。在一些應用中，橫向電導體具有相對小的直徑是較理想的，如小於100μm，所以它們是不可見的。如果距離H小於500μm，可實現之比值H/D最多為5。實際上這是容易達到的，例如用數μm數量級之第二電絕緣層，幾百nm之第二導電層和電洞注入層，以及厚度為100nm範圍之發光聚合物層。

第2T圖顯示第2S圖沿著T-T的橫截面。阻擋層70可任選地包括多個子層澱積在陰極層24上。阻擋層70的厚度通常在1μm-500μm的範圍。

第3A圖至第3H圖顯示替代步驟S4~S7。第3A圖和第3B圖顯示其他實施例的第一替代步驟S14。圖。第3B圖是第3A圖沿著B-B的橫截面。在步驟S4，形成與第1開口 52不重疊的至少一個第二開口80，並延伸通過在陽極層22和第一導電層42至第二導電層44。然而，在這種情況下，該至少一第二開口80為圓柱形孔，其外徑內的所有材料被刪除，而不僅是一個內外徑之間的殼。

第3C圖和第3D圖顯示在該其他實施例中的第二替代步驟S15。第3D圖是第3B圖沿著D-D的橫截面。在步驟S15，開口80填充有電絕緣材料65，例如被應用在開口80，UV可固化的固化樹脂。然而，在這種情況下，電絕緣材料65填充在孔85外半徑之內的整個空間，不僅是內外徑之間的一個殼。

第3E圖和第3F圖顯示一種替代的步驟S16。第3F圖是根據第3E圖沿著F-F的橫截面。在步驟S16，形成至少第三開口84並向第二導電層44延伸。在這種情況下，通過去除材料的電絕緣材料65形成開口。

第3G圖和第3H圖顯示一種替代的步驟S17。第3H圖是第3G圖沿著H-H的橫截面。在步驟S17，第三開口填充有導電材料，形成一個橫向導電體64。此外，在中間層42和46足夠薄的情況下，藉著讓陰極透過第三開口84與層44接觸，可以實現陰極層24和第二導電層44的電性連接。在這種情況下，用來施加一個額外的導電性填料之步驟S17是多餘的。

綜上所述，本發明的光電裝置10包括具有一個陽極和一個陰極層22和24的光電層結構20；設置在所述陽極層和陰極層的一個光電層26；且具有光輸出側28。其中，陰極層最最靠近的光輸出側。雙導電層結構40被設置在所述光電層結構對側之光輸出側之處。雙導電層結構具有第一和第二導電層42和44，彼此藉由第一絕緣層46相互絕緣。第一和第二導電層的第一導電層42最接近光電層結構。第二絕緣層50設置在發光層結構20和雙導電層結構40之間。其中第一導電層42藉由至少一個第一橫向導電體62穿過第二絕緣層與陽極層22電連接。第二導電層44藉由至少一個第二橫向導電體64穿過第一電絕緣層46、第一導電層42、第二絕緣層50、陽極層22和發光層26，與陰極層24電連接。

儘管本發明已如附圖和前面的描述中詳細說明，圖示和描述僅用於說明的和例示，而不是限制性的，本發明並不限於所公開的實施例。

本領域具有通常知識者在閱讀本發明所附圖式、說明書與申請專利範圍後，應能透過實現所請之發明了解揭露之實施例的其他變型。舉例來說，在一實施例中，光電裝置為光伏裝置。在該實施例中，光輸出側28為光輸入側，光伏裝置透過其接收外界的光線照射。其中光電層結構20是具有光伏層之光伏結構，其作為轉換光線照射的光電層26，將光輸入側接收到的光線照射轉換為電能，並分別在電極層22、24收集。

在權利要求書中，詞語“包括”不排除其他元件或步驟，並且不定冠詞“a”或“一個”不排除多個。單個處理器或其他單元能執行權利要求中所載項目之功能。某些在相互不同的權利要求中記載的純粹事實並不表示這些措施的組合不能被有利地使用。在權利要求中的任何附圖標記不應當被解釋為限制範圍。