TWI566284B - Ｌａｖａｃｏａｔ型之預清潔與預熱 - Google Patents

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Description

LAVACOAT型之預清潔與預熱
本發明之實施例一般而言係關於使用電磁輻射束以改變材料之表面之方法。更特定言之，本發明之實施例係關於在製程腔室中所用之部件之表面改變前使用電磁束之表面製備的方法。
隨著持續以減小之尺寸來生產積體電路裝置，此等裝置之製造歸因於污染而變得更易受降低良率之影響。因此，生產積體電路裝置，尤其具有較小實體尺寸之彼等積體電路裝置，需要比先前認為所必需更大程度地控制污染。
積體電路裝置之污染可在薄膜沈積、蝕刻或其他半導體生產製程期間，由諸如碰撞於基板上之不需要之雜散粒子的來源引起。通常，積體電路裝置之製造包括諸如物理氣相沈積(PVD)濺射腔室、化學氣相沈積(CVD)腔室、電漿蝕刻腔室等之腔室之使用。在沈積及蝕刻製程之過程期間，材料通常自氣相冷凝至腔室中之各種內部表面上及腔室部件上以形成駐留於腔室及部件表面上之固體塊狀物。此經冷凝之外來物質積聚於表面上且傾向於在晶圓製程序列中或晶圓製程序列期間自表面分離或剝落。此經分離之外來物質隨後可碰撞於晶圓基板及其上之裝置上並將該晶圓基板及其上之裝置污染。時常必須丟棄經污染之裝置，從而降低製程之製造良率。
為了防止已冷凝於製程腔室部件之表面上的外來物質之分離，可紋理化此等表面以使得形成於此等表面上之冷凝外來物質對表面之黏著力增強且較不可能分離及污染晶圓基板。
一種此紋理化製程將部件曝露於定向能量，其足以熔融及再成形部件表面上之材料以形成紋理化表面。
然而，在紋理化部件之前，存在於部件表面上之沈積物以及作為紋理化製程之副產物而冷凝於部件表面上之有時可觀數量之再沈積金屬及金屬氧化物可影響紋理形成及在紋理化製程期間自所形成之空穴噴射出之回焊材料與部件表面之黏著力。此外，來自紋理化製程之濺潑可留下鬆散黏著至所塗佈之金屬氧化物及仍未紋理化之表面的小片金屬，因而降級彼等位置中最終紋理之品質。
此外，現存紋理化製程可能不能由單程紋理化能量束而產生足夠紋理形狀及尺寸。又，在一些狀況下，若部件表面太冷，則自部件噴射出之材料可能無法充分熔合至該表面。
因此，需要一種改良之紋理化製程。
本發明之實施例提供一種在由電磁束改變部件表面之前使用電磁束之表面製備的方法。本文所述之實施例提供待紋理化之表面之優良預清潔而作為紋理化製程之整合部分，因而消除後清潔來自部件之操縱或所蒸發之材料、或所噴射之材料再沈積至部件表面之污染的機會。本文所述之實施例進一步強化現存紋理化方法以包括在能量束越過待紋理化之表面上後，立即使該通過紋理化，因而預熱表面以改良紋理形成及所噴射材料與部件表面之熔合。
在一實施例中，提供一種對用於半導體處理腔室中之部件之表面而提供紋理之方法。該方法包含在該部件之表面上界定複數個區域、將電磁束移動至複數個區域中之第一區域、橫跨該第一區域之表面掃描該電磁束以加熱該第一區域之表面，及橫跨該第一區域之經加熱表面掃描該電磁束以形成特徵結構。
在另一實施例中，提供一種對用於半導體處理腔室中之部件之表面提供紋理之方法。該方法包含以電磁束掃描橫跨部件表面之複數個區域中之第一區域歷時第一時間週期以預清潔該部件之該第一區域之該表面而不熔融該部件，及以該電磁束掃描橫跨該部件表面之該第一區域歷時第二時間週期以在該部件表面之該第一區域上形成特徵結構，其中該第二時間週期在該第一時間週期完成之後立即發生。
在又一實施例中，提供一種對用於半導體處理腔室中之部件之表面提供紋理之方法。該方法包含以電磁束掃描橫跨該部件表面之複數個區域中之第一區域歷時第一時間週期以熔融該部件表面，及以該電磁束掃描橫跨該部件表面之該第一區域歷時第二時間週期以在該部件表面之該第一區域上形成特徵結構，其中該第二時間週期在該第一時間週期之後立即發生。
在又一實施例中，提供一種金屬部件。該金屬部件包含具有複數個特徵結構之環形主體，該等特徵結構包含形成於該環形主體中之突出及凹陷，其中該等突出以極軟狀態產生以降低金屬之回火度且確保在部件周圍之其他部分之夾持期間部件得以軟化(yield)並保形(conform)之能力。
本文所述之實施例利用紋理化製程之能量束類型所可能具有之極高能量密度及快速橫動速度，以自材料表面移除表面污染而作為紋理化製程之整合部分。在利用能量束之紋理化製程之前在原位完成清潔表面係藉由在射束之紋理化通過之前以射束掃描橫跨待紋理化區中之部件表面。可減小射束之強度、散焦該射束及/或以一速度掃描該射束，該速度足夠快而不會損壞材料表面但射束在此速度下磨耗來自表面之有機物及再沈積之金屬同時將表面加熱至足以驅除原生氧化物之溫度。
本文所述之實施例在紋理化腔室中，隨紋理之施加而產生清潔且經製備之表面，進而消除在紋理化製程之前污染積累之機會。在能量束包含電子束之一實施例中，可在真空腔室中執行該製程，因此經磨耗之沈積物再沈積至其他表面上或藉由真空系統自該腔室移除。在周圍環境中執行之另一實施例中，可使用吸取噴嘴或吹出惰性氣體以確保經清潔之區在紋理化製程之前保持清潔。此預紋理化表面改變可如適於所紋理化之部件及材料一樣，逐孔、逐列或逐區來完成。
本文所述之實施例在紋理化製程之前對部件表面賦予額外的熱，從而使得大特徵結構成為可能並改良所噴射材料與部件表面之熔合。本文所述之實施例利用射束之能力，其以足夠快以限制能量穿透至部件表面中而使得僅部件頂表面得以加熱及熔合的速度來掃描。使射束越過將建立一特徵結構之表面(該表面圍繞該特徵結構)，或者射束處於足以將表面熔融至所要深度之能量密度或速度下。預熱熔融之深度可經特製以適合待施加之紋理。一旦完成預熱過程，則射束立即越過相同區以形成最終紋理。此舉可如適於所紋理化之部件一樣，逐孔、逐列或逐區進行。
應理解，在某些實施例中，在討論射束相對於部件移動之「行進速度」時，可使用相同「行進速度」描述部件相對於射束之移動。在特定實施例中，可使射束及部件相對於彼此移動。
第1圖描繪可用以改變部件104之表面之表面紋理化設備100的截面示意性圖。表面紋理化設備100包含柱120。圍繞陰極106之偏壓杯116位於柱內。舉例而言，陰極106可為包含諸如鎢之材料的細絲。高壓電纜122耦接至陰極106，該高壓電纜將高壓電源供應至陰極106及陽極108。
陽極108及兩對高速偏轉線圈112與陰極106間隔分離且在陰極106之下。在陽極108內形成通孔118。通常為圓形設計且與柱120同心之快速聚焦線圈110位於陽極108之下。兩對高速偏轉線圈112駐留於快速聚焦線圈110之下。具有頂表面114T之工作腔室114耦接至柱120且位於柱120下。工作腔室114通常包含基板支撐件140。基板支撐件140可耦接至用於移動基板支撐件140的致動構件142，諸如致動器或旋轉軸，其可平移部件104或沿一或多個旋轉軸旋轉部件104。致動構件142相對於電磁束102移動基板。電磁束102可為(例如)電子束。基板支撐件140可進一步包含加熱元件150(諸如，電阻加熱器或熱電裝置)。定位於陽極108與快速聚焦線圈110之間的隔離閥128通常將柱120分隔，從而使得可將腔室114維持在與隔離閥128上之柱120之部分不同的壓力。在一實施例中，射束102行進穿過聚焦線圈110以及高速偏轉線圈112。
泵124(諸如，擴散泵或渦輪分子泵)經由閥126耦接至柱120。泵124用以抽空柱120。通常，真空泵130經由隔離閥132耦接至腔室114以抽空腔室114。可在本文所述之製程中使用或修正且使用之e射束裝置的實例包括來自Enfield,Conn之Precision Technologies或來自Cabs,United Kingdom之Cambridge Vacuum Engineering of Waterbeach的電子束焊接系統。
在一實施例中，表面紋理化設備100包含安裝於部件104附近可用於在執行紋理化製程之前預熱部件104的能量源181。典型能量源之實例包括(但不限於)輻射熱燈、電感加熱器或IR型電阻加熱器。在此組態中，可打「開」能量源181且維持指定時間週期或直至在開始紋理化製程之前部件104達到所要溫度。
雖然第1圖明確描繪包含電子束之表面紋理化設備，但是本文所述之實施例可使用電磁波或粒子之任何射束，諸如一束質子、中子、X射線、雷射、電弧等。又，術語電磁束之使用並非意欲限於帶電粒子束，而意欲涵蓋傳送傳遞至部件之任何形式之聚焦能量，例如，電子束，一束質子或中子、X射線、高密度光學輻射(例如，雷射)或電弧型製程(例如，放電加工(EDM)等)。表面紋理化設備通常包含用於控制特定能量束並將其聚焦至部件之表面上的構件。用以控制及聚焦射束之特定構件通常視所使用之電磁輻射之特定類型而定。
第2圖描繪可耦接至表面紋理化設備以實施本文所述之實施例之控制系統的示意性截面圖。微處理器控制器200較佳耦接至聚焦線圈110及高速偏轉線圈112。微處理器控制器200可為可用於工業環境(其用於控制各種腔室及子處理器)中之通用電腦處理器(CPU)之任何形式中之一者。電腦可使用任何適合之記憶體，諸如隨機存取記憶體、唯讀記憶體、軟碟驅動機、硬碟或任何其他形式之本端或遠端數位儲存器。各種支援電路可耦接至CPU以用於以習知方式支援處理器。所需要之軟體常用程式可儲存於記憶體中或藉由位於遠端之第二CPU執行。
在將部件104定位於腔室114後執行軟體常用程式。在軟體常用程式經執行時將通用電腦轉換成控制腔室操作以使得腔室製程得以執行之特殊製程電腦。或者，可以硬體(如特殊應用積體電路或其他類型之硬體實施)或軟體或硬體之組合來執行本文所述之實施例。
參閱第2圖，通常將一組指令編碼至提供予控制器200之電腦可讀媒體上。藉由執行指令產生之控制訊號經由一或多個功能產生器204自控制器200傳達至快速聚焦線圈110及高速偏轉線圈112。在一實施例中，指令經由五個功能產生器204傳達。五個功能產生器中之一者用於快速聚焦。兩個功能產生器用於第一射束偏轉且兩個功能產生器用於第二射束偏轉。功能產生器伴隨有相應之功率放大器(未圖示)。指令通常使快速聚焦線圈110及高速偏轉線圈112能夠藉由將射束102移動至部件表面上之特定位置來操控電磁束102以將特徵結構之特殊圖案、間隔及特徵建立至部件104之表面上。
功能產生器204能夠在各種頻率上產生訊號波形。此使得電磁束102之位置及焦直徑能夠迅速調整至自控制器200發起之訊號且使得能夠在部件表面上迅速形成特徵結構。功能產生器204較佳耦合至一或多個功率放大器、電源等(未圖示)以促進控制器200與聚焦線圈110以及高速偏轉線圈112之間的訊號交流。
預清潔製程
在一實施例中，利用紋理化製程之能量束類型可能具有之極高能量密度及快速橫動速度以磨耗來自材料表面之表面污染而無需熔融表面作為紋理化製程之整合部分。在利用電磁束102紋理化製程之前在原位進行清潔表面，其係藉由射束102之紋理化通行之前以射束102掃描橫跨待紋理化區中之部件104之表面。為了在紋理化之前清潔表面，可減小射束102之強度、散焦該射束及/或以足夠快而不會損壞材料表面(但在此速度下，該射束磨耗來自部件104之表面之有機物及再沈積之金屬同時將部件104之表面加熱至足以驅除原生氧化物之溫度)之速度掃描。此預清潔製程在紋理化腔室100中，隨紋理之施加而產生清潔及經製備之表面，進而消除在紋理化之前污染積累之機會。
第3A圖描繪根據本文所述之實施例之可用以在部件104之表面之改變前預清潔部件104之表面的製程序列300，該製程序列在框301開始且在框380結束。在框310，部件104定位於紋理化腔室100中。在框320，紋理化腔室100經抽空。在框330，在部件104之表面上界定複數個區域(n+1，其中n=0、1、2、3、4....)。在框340，將電磁束102移動至一區域。在框350，橫跨區域(n+1)之表面掃描電磁束102以加熱區域之表面而不熔融區域之表面。在框360，橫跨區域之表面掃描電磁束102以形成一特徵結構。在框370，確定是否已經紋理化所要量之部件104。若所要量之部件104已得以紋理化，則製程在框380結束。若所要量之部件104尚未紋理化，則電磁束102移動至另一區域(n+1)且重複框340至370所代表之製程序列。
參考框310，部件104定位於諸如第1圖中所述之紋理化腔室114之紋理化腔室中。在其中使用電子束之實施例中，可在真空腔室中執行製程，因此經磨耗之沈積物經再沈積於其他表面上或藉由真空泵130自腔室114移除。在周圍環境中執行之實施例中，可使用吸取噴嘴或吹出惰性氣體以確保經清潔之區在紋理化之前保持清潔。
部件104可包含諸如金屬或金屬合金之材料、陶瓷材料、聚合物材料、複合材料或其組合。在一實施例中，部件104包含選自包含鋼、不銹鋼、鉭、鎢、鈦、銅、鋁、鎳、金、銀、氧化鋁、氮化鋁、矽、氮化矽、氧化矽、碳化矽、藍寶石(Al2O3)、氮化矽、氧化釔、三氧化二釔及其組合之群組的材料。在一實施例中，部件104包含金屬合金，諸如沃斯田(austenitic)型不銹鋼、鐵-鎳-鉻合金(例如，InconelTM合金)、鎳-鉻-鉬-鎢合金(例如，HastelloyTM)、銅鋅合金、鉻銅合金(例如，5%或10% Cr，剩餘為Cu)或類似物。在另一實施例中，部件包含石英。部件104亦可包含諸如聚醯亞胺(VespelTM)、聚醚醚酮(PEEK)、聚芳香酯(ArdelTM)、及類似物。
在又一實施例中，部件104可包含諸如金、銀、鋁矽、鍺、鍺矽、氮化硼、氧化鋁、氮化鋁、矽、氮化矽、氧化矽、碳化矽、氧化釔、三氧化二釔、非聚合物及其組合的材料。
參考框320，腔室114及柱120經抽空至範圍在約1×10-5 torr至約3×10-2 torr中之壓力。在一實施例中，電磁束102藉由使用電阻加熱器(未圖示)及使用電源(未圖示)向陰極106施加電流來形成。電子自陰極106逃離且收集於偏壓杯116中。負高電壓電位(其稱為加速電壓)經由電壓電纜122施加至相對於陽極108之陰極106，且量值通常小於加速電壓之第二負電位係施加至偏壓杯116。加速電壓可在約50至約175 kV之範圍中。第二電位用以控制傳送至部件104之電磁束能量之量值。
電子移動通過陽極108中之通孔118並開始發散。位於陽極108下方之快速聚焦線圈110將電磁束102聚焦至部件104上之窄直徑，而高速偏轉線圈112使射束磁性偏轉至部件104之表面之特定位置。電流經施加至快速聚焦線圈110並施加至高速偏轉線圈112以產生足以操縱電磁束102之磁通量。在通過快速聚焦線圈110及高速偏轉線圈112之後，電磁束立即提供予部件104之表面。腔室114之頂表面114T與部件104之間的距離為射束102之工作距離。在一實施例中，工作距離為約50毫米至約1000毫米。在一實施例中，工作距離在約200毫米與約350毫米之間。
參考框330及第4圖，在部件104之表面上界定複數個區域(n+1，其中n=0、1、2、3、4...)。在預清潔及隨後處理期間可將界定在部件104之表面上的區域之每一者相繼曝露於電磁束102。每一區域可包含單一單元402或複數個單元。每一單元可包含在隨後處理期間形成一特徵結構408之一外部區404及一內部區406。在一實施例中，該區域可包含一列單元或單元之叢集。在一實施例中，每一單元可覆蓋約0.025mm2與16mm2之間(諸如約0.0625mm2(例如，0.25 mm×0.25 mm)與約2.25mm2(1.5 mm×1.5 mm)之間)的面積。應注意，在不脫離本文所述之實施例之範疇之情況下，每一區域之邊緣之形狀可為任何形狀。
應理解，可在預清潔製程之前或預清潔製程期間之任何時間界定複數個區域。舉例而言，可在將部件104置放於腔室100中之前界定複數個區域。在處理類似部件之實施例中，複數個區域可經界定用於經處理、儲存於控制器200中之第一部件且在反饋型製程中之相繼處理部件。
參考框340，電磁束102經相對於該區域定位。部件104之表面上之區域可藉由相對於部件104平移電磁束之輸出及/或相對於電磁束輻射源(例如，習知X/Y級、精確級)之輸出平移定位於基板支撐件140上之部件104來連續曝露。電子束102及/或部件104可沿任何方向平移。
參考框350，橫跨區域之表面掃描電磁束102以加熱區域之表面而無需熔融區域之表面。可減小電磁束102之強度、散焦該射束及/或以一速度掃描該束，該速度足夠快以將部件104之區域之表面加熱至一溫度以自表面移除有機物及再沈積之金屬同時將該表面加熱至足以驅除原生氧化物之溫度而無需將部件之材料表面加熱至部件104熔融、流動或經歷實質分解之溫度。部件104之預清潔溫度通常視構成部件104之材料而定。
預清潔掃描步驟可藉由以一圖案在區域之表面上快速傳送電磁束102來進行，此加熱其中將要進行紋理化製程之區域。在一實施例中，將單元之外部區404預清潔。在另一實施例中，將包括外部區404及內部區406之整個單元402預清潔。在一實施例中，電磁束102之製程參數(諸如焦距及製程、功率)在預熱部件104之製程期間變化。在預清潔製程期間所使用之製程參數可視所要之預清潔溫度、橫跨部件104之表面傳送射束102之速度及/或在經紋理化之前得以預清潔之部件材料而定。
在預清潔掃描步驟期間，可以約每秒1公尺與每秒1000公尺之間(諸如約每秒1公尺與每秒400公尺之間，例如，約每秒1公尺與約每秒100公尺之間)的行進速度來移動電磁束102。在一實施例中，可以相對於電磁束102之介於約每秒10公尺與每秒100公尺之間的行進速度移動部件104。通常，在電磁束102由電子束、離子束或電弧產生之情況下，電流將流至部件104。在一實施例中，在電磁束102為電子束之情況下，電流可在約4至約150毫安培(mA)之範圍中。在一實施例中，在電磁束102為電子束之情況下，電流可在8至45毫安培(mA)之範圍中。可根據功率密度(其為橫跨部件104之表面上之特定界面區傳送之平均功率)界定由電磁束102傳送之能量。在一實施例中，在部件104之表面上之引導射束的點上，電磁束102之平均功率密度可(例如)介於約10 KW/mm2至約500 KW/mm2之範圍中(諸如50 KW/mm2及250 KW/mm2)。在部件104之表面上之一點上，電磁束102之峰值功率密度可(例如)在約300 KW/mm2至約350 KW/mm2之範圍中(諸如330 KW/mm2)。峰值功率密度可經界定為製程設定，其中射束在給定功率設定處於其最大焦點(即，最小可能光斑尺寸)。一旦完成預清潔，則射束102立即越過相同區以形成最終紋理。
在一實施例中，預清潔掃描步驟可藉由以一圖案在區域之表面上散焦及傳送電磁束102來進行，此加熱並清潔其中將要進行紋理化製程之區域。紋理化製程隨後可藉由以該圖案在區域之表面上重新聚焦及傳送電磁束102來執行。在散焦預清潔製程期間所使用之製程參數可視所要之預清潔溫度、橫跨部件104之表面傳送射束102之速度及/或在經紋理化之前得以預清潔之部件材料而定。
參考框360，在預清潔之後，橫跨區域之表面掃描電磁束102以形成一特徵結構408(如第4圖中所示)。特徵結構408可為凹陷、突出或其組合。在特徵結構408包含凹陷之實施例中，凹陷壓縮材料其亦可減少處理期間自沈積於部件上之製程副產物剝落及脫落的粒子。在一實施例中，所形成之特徵結構408之類型亦可視部件之材料而定。舉例而言，在部件之材料為矽之情況下，所形成之特徵結構408將包含歸因於材料之熱膨脹之突出。射束102穿過聚焦線圈110以及高速偏轉線圈112。舉例而言，可以約每秒0.5公尺至每秒4公尺之範圍中的行進速度移動電磁束102。在一實施例中，可以約每秒1公尺至每秒3公尺之範圍中的行進速度移動電磁束102。在又一實施例中，可以約每秒1公尺與約每秒1.7公尺之間之範圍中的行進速度移動電磁束102。視自控制器200經由功能產生器204發出之訊號之性質而定，射束202掃描橫跨部件104之表面之經預清潔區域，從而導致在部件104之表面上形成一特徵結構408或複數個特徵結構。特徵結構408可具有特定幾何圖案。在一實施例中，在紋理化製程期間相對於碰撞電磁束102移動部件104。在一實施例中，可(例如)以約每分鐘0.5公尺至約每分鐘4公尺之範圍中的行進速度移動部件104。在另一實施例中，可(例如)以約每分鐘2公尺至約每分鐘3公尺之範圍中的行進速度移動部件。在又一實施例中，可以相對於電磁束102之約每分鐘1公尺與約每分鐘1.7公尺之間的範圍中之行進速度移動部件。在一實施例中，部件104在曝露於電磁束102期間沿一或多個旋轉軸旋轉。旋轉軸可為(例如)與入射束垂直或平行。歸因於部件104之尺寸或形狀，實體移動或旋轉部件且進而可橫跨部件104移動電磁束102以形成所要紋理可能不能得以實施。
在由電子束、離子束或電弧產生電磁束102之實施例中，電流將流至部件104。在電磁束102為電子束之情況下，電流可在約4至約150毫安培(mA)之範圍中，較佳為8至45毫安培(mA)。在一實施例中，在部件104之表面上之引導射束的點上，電磁束102之平均功率密度可(例如)在約10 KW/mm2至約500 KW/mm2之範圍中(諸如50 KW/mm2及250 KW/mm2)。在部件104之表面上之一點上，電磁束102之峰值功率密度可(例如)在約300 KW/mm2至約350 KW/mm2之範圍中(諸如330 KW/mm2)。應注意，在部件104之表面上形成特徵結構408所需要之能量的量可歸因於吸收或能量傳送至部件104之效率而在一種類型之能量源與另一種(例如，電子束、雷射等)之間不同。射束密度可確定所使用之功率密度。
亦應注意，可基於不同材料之特性而藉由彼等材料使用不同功率密度以達成不同結果。可使用變化之方法來改變部件表面。舉例而言，可使用高功率以濺射及/或耗散一些材料且可多次使用較低功率以熔融並重新形成表面使得材料不會蒸發而是在某些區之外部形成且發展諸如突出之凸起特徵結構。在低功率與高功率密度之間，可使用該製程以製作所要特徵結構。視功率密度及所要特徵結構而定，亦可能返回至相同區以用於進一步改變。舉例而言，在一實施例中，射束102可多次越過相同區域以形成諸如突出及凹陷之特徵結構408。來自凹陷之熔融材料經移位以形成突出。允許熔融材料部分地凝固且重複射束製程以發展突出。視所要特徵結構之尺寸及形狀而定，多次重複射束製程。
藉由電磁束102傳送至部件104之表面的功率或能量並非意欲引起部件104之顯著或嚴重扭曲(例如，熔融、翹曲、破裂等)。部件104之顯著或嚴重扭曲通常可界定為歸因於紋理化製程之應用而使部件104不能用於其意欲之目的之狀態。引起部件104之顯著扭曲所需要之能量的量將視以下而定：製成部件104之材料、正經紋理化之區附近之部件104之厚度及/或質量、部件104之形狀(例如，平坦、圓柱形等)、部件104中殘餘應力之量、傳送至部件104之實際功率、橫跨部件104之射束之傳送速度、部件104之表面上之紋理化特徵結構408之密度及/或在部件104上之任何點上射束之停留時間。在一 實施例中，為了防止薄部件或對由紋理化製程誘發之熱應力敏感之部件中的顯著扭曲，可完成以下步驟：可增加射束傳送速度，可在傳送時間期間散焦射束，或可在傳送時間期間減小射束之功率，以企圖減小傳遞至部件104之未用以在部件104之表面上形成特徵結構的能量。為了減少易受扭曲之部件(例如，具有高熱膨脹之幾何平坦材料等)中之扭曲，在一實施例中，紋理化製程可能需要在部件之兩側上紋理化以補償在部件之一側上之紋理化製程所誘發的應力。在2004年11月2日頒予之標題為METHOD OF SURFACE TEXTURIZING之美國專利申請案第6,812,471號及2005年8月23日頒予之標題為METHOD OF SURFACE TEXTURIZING之美國專利申請案第6,933,508號中描述紋理化製程之額外細節，該等申請案之全部以引用之方式併入本文中。
參考框370，進行確定是否紋理化部件104之所要量。若已紋理化部件104之所要量，則紋理化製程在框380結束。若尚未紋理化部件104之所要量，則重複框340至370之製程序列。
在實施例中，在特徵結構408包含凹陷之情況下，凹陷壓縮材料其亦可減少處理期間自沈積於部件上之製程副產物剝落及脫落的粒子。在一實施例中，特徵結構408之類型亦可視部件之材料而定。舉例而言，在部件之材料為矽之情況下，所形成之特徵結構408將包含歸因於材料之熱膨脹的突出。
預熱製程
第3B圖描繪根據本文所述之實施例之可用以在材料表面的改變前預熱材料之製程序列300。除了以框355(其中橫跨區域之表面掃描電磁束102以熔融區域之表面)替換框350之外，第3B圖描述如第3A圖中之製程300。亦應理解，可將框350及355作為相同製程之部分來執行以在紋理化部件之前提供預清潔及預熱。此製程300在紋理化之前對區域賦予額外熱以使得大特徵結構紋理成為可能並改良所噴射材料與母體材料之熔合。製程300利用以足夠快以限制能量穿透部件104之表面之速度掃描能量束102從而使得部件104之僅頂表面得以加熱及熔融的能力。在表面、將形成諸如孔之特徵結構408之內部區406、外部區404(正好在孔外部之表面)或外部區404及內部區406上以足以將部件104之表面熔融至所要深度之能量密度及/或速度掃描射束102。預熱熔融之深度可經特製以適合將施加之紋理作為程序設計製程之部分。一旦預熱製程完成，射束102就立即越過相同區域以形成最終特徵結構。
參考框355，橫跨區域之表面掃描電磁束102以熔融區域之表面。該製程可如適於所紋理化之部件一樣逐孔、逐列或逐區執行。可減小電磁束102之強度、散焦該射束及/或以一速度掃描該射束，該速度足夠快以將部件之表面加熱至一溫度以將部件104之區域之表面熔融至預定深度。部件104之預熱溫度通常視構成部件104之材料而定。
在區域上形成特徵結構之前經預熱之區域的尺寸可由在其上工作之材料之導熱性確定。對於具有差導熱性之材料而言，包含若干單元402之區域可在紋理化該區域之前經預熱。然而，對於具有良好導熱性之材料而言，可能可在紋理化一單元402之前預熱該單元。舉例而言，與不銹鋼相比，鋁具有較大導熱性及較低熔融溫度。然而，歸因於鋁之較大導熱性，鋁將耗散熱且以比不銹鋼快之速率重新凝固。因此，當預熱鋁時，可較佳預熱較小區域隨後立即形成特徵結構以避免重新凝固之問題。當預熱具有較低傳導性之材料(諸如不銹鋼)時，可能可在紋理化表面之前預熱較大區域。
在一實施例中，框355之預熱掃描可藉由以一圖案在表面上快速傳送電磁束102來進行，此加熱其中將要進行紋理化製程之區域。在一實施例中，可以相對於部件104之介於約每秒0.1公尺至約每秒10公尺之行進速度移動電磁束102。在另一實施例中，可以約每秒0.3公尺至約每秒0.5公尺之行進速度移動電磁束。在一實施例中，電磁束102或其他能量源製程參數(諸如焦距及製程、功率)在預熱部件104之製程期間變化。在預熱製程期間所使用之製程參數可視所要預熱溫度、橫跨部件104之表面傳送射束之速度及/或在經紋理化之前得以預熱之部件材料而定。在預熱掃描步驟期間，可以介於約每秒1公尺與每秒100公尺之間的行進速度移動電磁束102。
在一實施例中，在框355之預熱掃描期間，可以介於約每分鐘0.5公尺與每分鐘4.0公尺之間的行進速度移動部件104。通常，在電磁束102由電子束、離子束或電弧產生之情況下，電流將流至部件104。在電磁束102為電子束之情況下，電流可在約4至約150毫安培(mA)之範圍中。在一實施例中，在電磁束102為電子束之情況下，電流可在8至45毫安培(mA)之範圍中。在一實施例中，在部件104之表面上之引導束之點上，電磁束102之平均功率密度可(例如)在約10KW/mm2至約500KW/mm2之範圍中(諸如50KW/mm2及250KW/mm2)。在部件104之表面上之一點上，電磁束102之峰值功率密度可(例如)在約300KW/mm2至約350KW/mm2之範圍中(諸如330KW/mm2)。
在一實施例中，預熱掃描步驟可藉由以一圖案在區域之表面上散焦及傳送電磁束102來進行，此加熱該區域以熔融其中將要進行紋理化製程之區域之表面。紋理化製程隨後可藉由以該圖案在經預熱區域之表面上散焦及傳送電磁束102來執行。在散焦預熱製程期間所使用之製程參數可視所要之預熱溫度、橫跨部件104之表面傳送射束102之速度及/或在經紋理化之前得以預熱之部件材料而定。
在一實施例中，可使用形成螺旋圖案之電磁束102。電磁束102可以足以將表面熔融至所要深度之能量密度及速度預熱欲建立諸如孔之特徵結構408的外部區404之表面。隨著螺旋變緊，電磁束102之速度經減速以熔融形成特徵結構408之內部區406或中心。
熱墊片
本文所述之實施例進一步提供諸如具有根據本文所述之實施例形成之經改變表面之墊片的部件。部件之實施例可用於位於系統(包括但不限於高真空製程腔室、電子系統、功率產生系統、汽車引擎、冷卻系統、照明系統及需要將熱自一部件傳送至另一部件的任何地方)中之部件之間的熱傳遞。
栓接在一起之部件一般證實緊密圍繞螺栓位置之區中之可接受熱傳送。然而，雖然在緊密圍繞每一螺栓之區帶中存在可接受之熱傳送，但是在螺栓位置之間的空間中存在差的熱傳送。本文所述之實施例提供諸如包含具有高導熱性之金屬且經改變以確保部件之間的保形接觸及良好熱傳送之墊片的韌性部件。
第5A圖描繪根據本文所述之實施例之部件的透視圖，且第5B圖描述第5A圖之部件的部分側視圖。在一實施例中，提供諸如包含金屬之墊片的部件500。部件500具有環形主體502，其具有形成於環形主體502上之大量特徵結構504。在一實施例中，特徵結構包含突出506及凹陷508。在一實施例中，突出506具有介於約200微米與約2000微米之間的寬度。在另一實施例中，突出具有介於約500微米與約1000微米之間的寬度。在另一實施例中，突出以極軟狀態產生以降低金屬之回火度且確保在墊片周圍之部分之夾持期間，墊片得以軟化並保形之能力。
突出506之形成與在圍繞突出之金屬中之凹陷508之形成相關聯，從而使得突出506具有在周圍部分夾持在一起時落入其中之凹陷508。突出506及凹陷508可具有任何形狀。特徵結構504可經特製以得到具有受控壓縮以確保所組合部分之可重複堆疊高度的墊片。突出506及凹陷508可使用具有足以將金屬自部件之一位置移動至另一位置之功率的掃描電子束來形成。
在一實施例中，墊片材料可選自包含鋁、銅、鉛、鋼、錫、其合金及其組合之群組。在一實施例中，墊片材料可包含可與製程化學品相容之任何金屬材料。
本文所述之實施例提供在部件表面之改變前使用電磁束之表面製備之方法，該方法有利地改良彼等位置中之最終紋理之品質且相應地減少粒子污染。
雖然上文針對本發明之實施例，但在不脫離本發明之基本範疇之情況下，可設計本發明之其他及進一步實施例，且本發明之範疇由下文申請專利範圍確定。
100．．．表面紋理化設備/設備
102．．．電磁束/射束
104．．．部件
106．．．陰極
108．．．陽極
110．．．聚焦線圈
112．．．偏轉線圈
114．．．腔室
114T．．．頂表面
116．．．偏壓杯
118．．．通孔
120．．．柱
122．．．電壓電纜
124．．．泵
126．．．閥
128．．．隔離閥
130．．．真空泵
132．．．隔離閥
140．．．基板支撐件
142．．．致動構件
150．．．加熱元件
181．．．能量源
200．．．微處理器控制器
202．．．射束
204．．．功能產生器
300．．．製程序列
301．．．框
320．．．框
330．．．框
340．．．框
350．．．框
355．．．框
360．．．框
370．．．框
380．．．框
402．．．單元
404．．．外部區
406．．．內部區
408．．．特徵結構
500．．．部件
502．．．環形主體
504．．．特徵結構
506．．．突出
508．．．凹陷
第1圖描繪可用以實施本文所述之實施例之表面紋理化設備的示意性截面圖；第2圖描繪可耦接至表面紋理化設備以實施本文所述之實施例之控制系統的示意性截面圖；第3A圖描繪根據本文所述之實施例之可用以在材料表面的改變前預清潔材料之製程；第3B圖描繪根據本文所述之實施例之可用以在材料表面的改變前預熱材料之製程；第4圖描繪根據本文所述之實施例之部件及形成於其上之特徵結構的俯視圖；第5A圖描繪根據本文所述之實施例之部件的透視圖；及第5B圖描繪第5A圖之部件的部分側視圖。為了促進理解，在可能之情況下，已使用相同元件符號指示諸圖共用之相同元件。預期可將一實施例中揭示之有利地用於其他實施例而無需進一步敍述。
104．．．部件
402．．．單元
404．．．外部區
406．．．內部區
408．．．特徵結構

Claims (19)

  1. 一種對用於一半導體處理腔室中之一部件之一表面提供一紋理的方法，包含以下步驟：在該部件之該表面上界定複數個區域；將一電磁束移動至該複數個區域中之一第一區域；橫跨該第一區域之一表面掃描該電磁束以加熱該第一區域之該表面；以及橫跨該第一區域之該經加熱之表面掃描該電磁束以形成一特徵結構，其中該橫跨該第一區域之一表面掃描該電磁束以加熱該第一區域之該表面的步驟包含以下步驟：以相對於該部件之一行進速度移動該電磁束，因此該電磁束不熔融該第一區域之該表面但自該表面移除污染物，以及其中相對於該部件之該行進速度介於約每秒10公尺至每秒100公尺之間。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其進一步包含以下步驟：將該電磁束移動至該複數個區域中之一第二區域；橫跨該第二區域之一表面掃描該電磁束以加熱該第二區域之該表面；以及橫跨該第二區域之該經加熱表面掃描該電磁束以形成一特徵結構。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該橫跨該第一區域之一表面掃描該電磁束以加熱該第一區域之該表面之 步驟包含以下步驟：將該第一區域之該表面加熱至一比該部件開始熔融、流動或經歷實質分解所處之一溫度小的溫度。
  4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中橫跨該第一區域之該經加熱之表面掃描該電磁束以形成一特徵結構之步驟，係在橫跨該第一區域之一表面掃描該電磁束以加熱該第一區域之該表面之後立即發生。
  5. 如申請專利範圍第1項之方法，其進一步包含以下步驟：在橫跨該第一區域之一表面掃描該電磁束以加熱該第一區域之該表面之前散焦該電磁束。
  6. 如申請專利範圍第5項之方法，其進一步包含以下步驟：在橫跨該第一區域之一表面掃描該電磁束以加熱該第一區域之該表面之後且在該橫跨該第一區域之該經加熱之表面掃描該電磁束以形成一特徵結構之前重新聚焦該電磁束。
  7. 如申請專利範圍第1項之方法，其中橫跨該第一區域之該經加熱的表面掃描以形成一特徵結構之該電磁束具有一功率密度，該功率密度大於橫跨該第一區域之一表面掃描以加熱該第一區域之該表面之該電磁束的功率密度。
  8. 如申請專利範圍第1項之方法，進一步包含以下步驟：在形成該特徵結構之前，橫跨該第一區域之該經加熱的表面掃描該電磁束以熔融該第一區域之該表面至一預定深度。
  9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中橫跨該第一區域之該經加熱之表面掃描該電磁束以熔融該第一區域之該表面至一預定深度之步驟進一步包含以下步驟：以介於約每秒0.1公尺至約每秒10公尺之間的一行進速度移動該電磁束。
  10. 如申請專利範圍第1項之方法，其中橫跨該第一區域之該經加熱表面掃描該電磁束以形成一特徵結構之步驟進一步包含以下步驟：以介於約每秒0.5公尺至約每秒4公尺之間的一行進速度移動該電磁束。
  11. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該部件包含選自由以下材料所構成之群組的一材料：鋼、不銹鋼、鉭、鎢、鈦、銅、鋁、鎳、金、銀、氧化鋁、氮化鋁、矽、氮化矽、氧化矽、碳化矽、藍寶石(Al2O3)、氮化矽、氧化釔、三氧化二釔及前述材料之組合。
  12. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該部件包含選自由以下材料所構成之群組的一材料：金、銀、鋁矽、鍺、鍺矽、氮化硼、氧化鋁、氮化鋁、矽、氮化矽、氧化矽、碳化矽、氧化釔、三氧化二釔、非聚合物及前述材料之組合。
  13. 如申請專利範圍第1項之方法，其中所形成之該特徵結構係選自由凹陷、突出及前述組合所構成之群組。
  14. 一種對用於一半導體處理腔室中之一部件之一表面提供一紋理的方法，包含以下步驟：在該部件之該表面上界定複數個區域； 將一電磁束移動至該複數個區域中之一第一區域；橫跨該第一區域之一表面掃描該電磁束以加熱該第一區域之該表面；以及橫跨該第一區域之該經加熱之表面掃描該電磁束以形成一特徵結構，其中橫跨該第一區域之一表面掃描該電磁束以加熱該第一區域之該表面之步驟包含以下步驟：將該第一區域之該表面熔融至一預定深度。
  15. 一種對用於一半導體處理腔室中之一部件之一表面提供一紋理的方法，包含以下步驟：橫跨該部件之該表面之複數個區域中的一第一區域掃描一電磁束歷時一第一時間週期，以加熱該部件之該第一區域之一表面而不熔融該部件；以及橫跨該部件之該第一區域之該表面掃描該電磁束歷時一第二時間週期以在該部件之該第一區域之該表面上形成一特徵結構，其中該第二時間週期在該第一時間週期完成之後立即開始，其中該橫跨該第一區域之一表面掃描該電磁束以加熱該第一區域之該表面之步驟包含以下步驟：以相對於該部件之一行進速度移動該電磁束，因此該電磁束不熔融該第一區域之該表面但自該表面移除污染物以提供一清潔表面，以及其中相對於該部件之該行進速度介於約每秒0.1公 尺至每秒10公尺之間。
  16. 如申請專利範圍第15項之方法，其進一步包含以下步驟：橫跨該部件之該表面之該複數個區域中之一第二區域掃描該電磁束以加熱該部件之該第二區域之一表面而不熔融該部件；以及橫跨該部件之該第二區域之該表面掃描該電磁束歷時一足夠時間週期以在該第二區域上形成一特徵結構。
  17. 如申請專利範圍第15項之方法，其進一步包含以下步驟：在橫跨該部件之該表面之複數個區域中之一第一區域掃描一電磁束歷時一第一時間週期以加熱該第一區域之一表面之前散焦該電磁束。
  18. 如申請專利範圍第17項之方法，其進一步包含以下步驟：在橫跨該部件之該表面之複數個區域中之一第一區域掃描一電磁束歷時一第一時間週期以加熱該部件之該第一區域之一表面而不熔融該部件之後且在橫跨該部件之該第一區域之該表面掃描該電磁束歷時一第二時間週期以形成一特徵結構之前重新聚焦該電磁束。
  19. 一種金屬部件，包含：一環形主體，其具有包含形成於該環形主體中之突出及凹陷的複數個特徵結構，其中該等突出以極軟狀態產生以降低金屬之回火度且確保在該部件周圍之其他部分之夾持期間，該部件得以軟化(yield)並保形(conform)之能力。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019007488A1 (en) 2017-07-04 2019-01-10 Cleanpart Group Gmbh TREATMENT CHAMBER COMPONENT AND METHOD FOR FORMING SURFACE TEXTURE
JP7159103B2 (ja) * 2019-04-26 2022-10-24 三菱重工業株式会社 積層造形装置及びその改造方法
US20210183657A1 (en) * 2019-12-17 2021-06-17 Applied Materials, Inc. Surface profiling and texturing of chamber components
US11555250B2 (en) 2020-04-29 2023-01-17 Applied Materials, Inc. Organic contamination free surface machining

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000091170A (ja) * 1998-09-07 2000-03-31 Nec Corp 半導体ウェハのレーザマーキング方法及び装置
US6090529A (en) * 1999-06-23 2000-07-18 Creo Srl Method for processless flexographic printing
US20030173526A1 (en) * 2002-03-13 2003-09-18 Applied Materials, Inc. Method of surface texturizing
US6670571B2 (en) * 2001-05-18 2003-12-30 The Welding Institute Surface modification
US6812471B2 (en) * 2002-03-13 2004-11-02 Applied Materials, Inc. Method of surface texturizing
US20080011852A1 (en) * 2004-06-30 2008-01-17 Gsi Group Corporation Laser-based method and system for processing targeted surface material and article produced thereby
US20080101034A1 (en) * 2006-10-31 2008-05-01 Lee Kim Loon High-contrast laser mark on substrate surfaces

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2603873B2 (ja) * 1989-01-09 1997-04-23 三菱電機株式会社 レ−ザ加工機及びレ−ザ加工方法
US20060105182A1 (en) * 2004-11-16 2006-05-18 Applied Materials, Inc. Erosion resistant textured chamber surface
US6812417B1 (en) * 2003-05-28 2004-11-02 Walter Carl Lovell Actuator, method of manufacture and application of use
TWI342582B (en) * 2003-07-17 2011-05-21 Applied Materials Inc Method of surface texturizing
FR2875423B1 (fr) * 2004-09-21 2008-02-22 Meillor Sa Sa Procede de fabrication d'une feuille metallique avec au moins une zone de surepaisseur integree pour joint metallique serre, notamment un joint de culasse et feuille obtenue

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000091170A (ja) * 1998-09-07 2000-03-31 Nec Corp 半導体ウェハのレーザマーキング方法及び装置
US6090529A (en) * 1999-06-23 2000-07-18 Creo Srl Method for processless flexographic printing
US6670571B2 (en) * 2001-05-18 2003-12-30 The Welding Institute Surface modification
US20030173526A1 (en) * 2002-03-13 2003-09-18 Applied Materials, Inc. Method of surface texturizing
US6812471B2 (en) * 2002-03-13 2004-11-02 Applied Materials, Inc. Method of surface texturizing
US20080011852A1 (en) * 2004-06-30 2008-01-17 Gsi Group Corporation Laser-based method and system for processing targeted surface material and article produced thereby
US20080101034A1 (en) * 2006-10-31 2008-05-01 Lee Kim Loon High-contrast laser mark on substrate surfaces

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