TWI564887B - 用於精確記錄之系統及方法 - Google Patents

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TWI564887B
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石小蕾
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奇異電器公司
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Description

用於精確記錄之系統及方法
本發明大體係關於逐位元全像資料儲存技術。更具體言之,該等技術係關於用於全像光碟中之平行複製之方法及系統。
由於計算能力已超前發展,計算技術已進入新的應用領域,諸如(尤其係)消費者視訊、資料存檔,文件儲存、成像及電影製作。此等應用已為增強儲存容量且提高資料傳輸率之資料儲存技術之發展提供了一持續的推動力。
資料儲存技術之發展之一實例可能係光學儲存系統之逐漸增強之儲存容量。例如,於1980年代早期開發之光碟具有約650至700 MB資料或約74至80分鐘之一雙頻道音訊節目的一容量。相比而言,1990年代早期開發之數位多功能光碟(DVD)格式具有約4.7 GB(單層)或8.5 GB(雙層)之一容量。此外,甚至已開發出具有更高容量之儲存技術以迎合增加之需求,諸如,用於更高解析度之視訊格式之需求。例如,諸如藍光光碟格式之高容量記錄格式能將約25 GB固持於一單層光碟中或將50 GB固持於一雙層光碟中。由於計算技術之持續發展,可能需要具有甚至更高容量之儲存媒體。例如,全像儲存系統及微型全像儲存系統係在儲存業界中可達成增加容量之要求之其他發展之儲存技術之實例。
全像儲存是呈全像圖形式之資料儲存,全像圖是藉由在一光敏儲存媒體中兩光束之相交而創造之三維干涉圖案之一圖像。已致力於發展頁基全像技術及逐位元全像技術。在頁基全像資料儲存中,含有數位編碼資料(例如,複數個位元)之一信號光束於該儲存媒體之容積內重疊於一參考光束上導致調變該容積內之媒體之折射率之一化學反應。因此,各位元經儲存作為該干涉圖案之一部分。在逐位元全像或微全像資料儲存中,每個位元被寫為通常由兩個反向傳播之聚焦記錄光束產生之一微型全像圖或Bragg反射光柵。然後,藉由使用一讀取光束以反射該微型全像圖以重新構造該記錄光束而擷取該資料。
逐位元全像系統可實現更近間隔且聚焦層之微型全像圖之記錄,由此相比先前光學系統提供更強的儲存容量。然而,當前並不存在一種精確的技術以於全像光碟之一精確需要深度/層處記錄全像圖。因此,需要此一記錄技術。
根據本發明之一實施例,提供一種用於計算一全像光碟中之記錄深度之方法。該方法包含將一第一外部電壓施加至耦合於一物鏡之一個或多個致動器以將具有一第一波長之一追蹤輻射光束聚焦於該光碟之一參考層上,其中該參考層包括一部分二色性塗層或一部分金屬化塗層之至少一者。該方法亦包含將一第二外部電壓施加至耦合於該物鏡之一個或多個致動器以將一記錄輻射光束聚焦於該光碟之參考層上,其中該參考光束包括不同於該追蹤光束之第一波長之一第二波長。該方法進一步包含計算該第一外部電壓與該第二外部電壓之間之一差。該方法亦包含利用一電壓距離校正曲線基於該差計算一透鏡移動距離,其中該透鏡移動距離指為將該追蹤輻射光束及該記錄輻射光束分別聚焦於該參考層上而移動該物鏡之距離。該方法進一步包含基於該透鏡移動距離計算當前記錄深度。
根據本發明之另一實施例,提供一種用於計算一全像光碟中之記錄深度之系統。該系統包含經組態以發射一追蹤輻射光束之一追蹤雷射源。該系統亦包含耦合至一物鏡之一個或多個致動器,該物鏡經組態以當將第一外部電壓施加至該等致動器時將具有一第一波長之該追蹤輻射光束聚焦於該光碟之一參考層上,其中該參考層包括一部分二色性塗層或一部分金屬化塗層之至少一者。該系統亦包含一記錄雷射源,其經組態以經由將一第二外部電壓施加至該等致動器而發射聚焦於該光碟之參考層上之一記錄輻射光束,該記錄輻射光束包括不同於該追蹤輻射光束之第一波長之一第二波長。該系統進一步包含一處理子系統,其經組態以計算該第一外部電壓與該第二外部電壓之間之一差。該處理子系統亦利用一電壓距離校正曲線基於該差計算一透鏡移動距離,其中該透鏡移動距離包括為將該追蹤輻射光束及該記錄輻射光束分別聚焦於該參考層上而移動該物鏡之距離。該處理子系統基於該透鏡移動距離計算當前記錄深度。
根據本發明之另一實施例,提供一種用於在一全像光碟中精確記錄資料之控制系統。該控制系統包含發射一追蹤輻射光束之一追蹤雷射源。該控制系統亦包含耦合至一物鏡之一個或多個致動器,其中當將一第一外部電壓施加至該等致動器時該物鏡將該追蹤輻射光束聚焦於該光碟之一參考層上,其中該參考層包括一部分二色性塗層或一部分金屬化塗層之至少一者。該控制系統亦包含一記錄雷射源,其經組態以經由將一第二外部電壓施加至該等致動器而發射聚焦於該光碟之反射層上之一記錄輻射光束,其中該記錄輻射光束包括不同於該追蹤輻射光束之第一波長之一第二波長。該控制系統進一步包含計算該第一外部電壓與該第二外部電壓之間之一差之一處理子系統。該處理子系統亦利用一電壓距離校正曲線基於該差計算一透鏡移動距離,其中該透鏡移動距離包括為將該追蹤輻射光束及該記錄輻射光束分別聚焦於該參考層上而移動該物鏡之距離。該處理子系統亦基於該透鏡移動距離計算當前記錄深度。該處理子系統亦將當前之記錄深度與一預定記錄深度進行比較。該處理子系統亦調整被光學耦合至該追縱光束或該記錄光束之該記錄調整光學子系統中之複數個光學元件以使當前之記錄深度等於該預定深度。
根據本發明之另一實施例,提供一種用於控制一全像光碟中之記錄深度的方法。該方法包含將一第一外部電壓施加至耦合於一物鏡之一個或多個致動器以將具有一第一波長之一追蹤輻射光束聚焦於該光碟之一參考層上,其中該參考層包括一部分二色性塗層或一部分金屬化塗層之至少一者。該方法亦包含將一第二外部電壓施加至耦合於該物鏡之一個或多個致動器以將一記錄輻射光束聚焦於該光碟之參考層上,其中該參考光束包括不同於該追蹤光束之第一波長之一第二波長。該方法進一步包含計算該第一外部電壓與該第二外部電壓之間之一差。該方法亦包含利用一電壓距離校正曲線基於該差計算一透鏡移動距離,其中該透鏡移動距離包括為將該追蹤輻射光束及該記錄輻射光束分別聚焦於該參考層上而移動該物鏡之距離。該方法亦基於該透鏡移動距離計算當前記錄深度。該方法進一步包含將當前之記錄深度與一預定記錄深度進行比較。該方法亦包含調整光學地耦合至該追蹤光束或該記錄光束之一記錄調整光學子系統中之多個光學元件以使當前之記錄深度等於該預定深度。
當參考附圖(其中在整個圖式中,相同字符表示相同部分)閱讀以下詳細之描述時將更好地理解本發明之此等及其他特徵、態樣及優點。
如下文中詳細討論,本發明之諸實施例包含一種用於精確記錄之系統及方法。該系統及方法包含一量測系統技術,其中可精確地判定該光碟內一全像圖之一記錄深度。該系統利用處於兩個不同波長之一追蹤輻射光束及一記錄輻射光束以及多個光學元件以達成精確記錄。
下文將描述本發明之一個或多個實施例。在說明書中努力提供此等實施例之一簡潔描述而並非描述一實際實施之所有特徵。應明白在任何此實際實施之新產品中,由於在任何工程或設計計劃中,必須決定諸多特定實施以達成開發者之特定目標,諸如依照相關系統及相關事務之限制,其等可從一實施變化至另一實施例。再者,應明白此開發可能較複雜且耗時,但即便如此對於具有本發明之益處之一般技術者而言此發開係設計、製造及生產之一日常任務。
逐位元全像資料之儲存系統典型地涉及藉由發射兩重疊及干涉光束於一記錄媒體(例如,一全像光碟)內部而記錄。資料位元由存在或不存在顯微鏡下之大小局部化之全像圖案而表示(被稱為微型全像圖),當被一聚焦光束照明時其等作為量測體積之光反射器。例如,圖1中繪示之全像光碟10表示該光碟10之一層中之資料位元是如何組織的。通常而言,該全像光碟10為具有嵌於一透明塑膠薄膜中之一個或多個儲存層11之圓形、實質上平坦的光碟。該等資料層可包含於可反射光之深度處實質上局部化之任意數量之經修改之材料區域,諸如用於一逐位元全像資料儲存之微型全像圖。在一些實施例中,可將該等資料層嵌於該全像可記錄材料中,該全像記錄材料可回應照射於該光碟10上之光束之照明強度。例如,在不同之實施例中,該光碟10之材料可係臨限值回應或線性回應的。該等資料層之厚度可介於約0.05微米與5微米之間並可具有介於約0.5微米與250微米之間之一分離。該參考層13包含一部分二色性塗層或一部分金屬化塗層或兩者並參考圖4至圖6。
可將呈微型全像圖15之形式之資料大致儲存於從該光碟10之外邊緣至一內限制之資訊區域中之一循序螺旋磁軌12或多個循序螺旋磁軌12中,然而,可使用同軸圓形或螺旋形磁軌或其他組態。一轉軸孔14可經設定大小以接合一全像系統中之一轉軸孔周圍使得可轉動該光碟10用於資料之記錄及/或讀取。該轉軸之轉動可由一反饋系統控制以在記錄及/或讀取處理期間保持一恒定線性速度或一恒定角速度。再者,可藉由一平移臺或撬滑台於該光碟之一徑向方向移動該光碟轉軸、該等記錄光學器件及/或該等讀取光學器件以允許該光學系統遍及光碟之整個半徑進行記錄或讀取。
圖2之方塊圖中設置有將微型全像圖記錄於一全像光碟10之一通用系統。該全像系統16包含可分離成一信號光束20及一參考光束22之一光源18。在一些實施例中,該光源18(其可為一單一光源或多個單一模式之偏正光源)可發射多個幾乎平行的光束以記錄於一光碟10中之平行磁軌12上。該等多個源光束亦可分離成多個信號光束20及多個參考光束22。可根據待記錄於該光碟10上之資料調變(方塊24)該等信號光束20。在一些實施例中,一處理器40可控制該信號光束20之調變(方塊24)。該等經調變之信號光束26可穿過一光學器件及伺服機械系統28,該光學器件及伺服機械系統28可包含經組態以將該等聚焦信號光束30聚焦於該光碟10之一特定位置上之各種光學器件及伺服機械器件。例如,該光學器件及伺服機械系統28可將該聚焦信號光束30聚焦於該光碟10中之一特定資料層或資料磁軌12。
該等參考光束22亦可穿過包含各種光學器件及伺服機械器件之一光學器件及伺服機械系統32,該等各種光學器件及伺服機械器件經設計以將該聚焦參考光束34聚焦於該光碟10中之一特定資料層或資料磁軌12,使得該等聚焦參考光束34與該等聚焦信號光束30重疊。可將微型全像圖記錄於該全像光碟10中之由該兩重疊反向傳播聚焦雷射光束30及34形成之一干涉圖案之照明點中。在一些實施例中,使用該聚焦參考光束34可從該光碟10中擷取已記錄之微型全像圖。可於用於信號偵測38之一偵測器處接收該聚焦參考光束34之反射(被稱為該資料反射36)。
藉由保持該重疊反向傳播聚焦光束重疊於所需之磁軌同時繞通過該轉軸孔14定位之一轉軸轉動該光碟10,可將一連串之多個微型全像圖記錄於該光碟之一磁軌12上。通常而言,保持該反向傳播光束之重疊之一特定程度以確保該等微型全像圖精確地記錄於該全像光碟10之適當磁軌12及/或層中。可利用該等光學及伺服機械系統28及32保持在一微型全像圖記錄處理期間與光碟轉動之一所需動態重疊。
此等光學及伺服機械組件28、32可增加用於記錄一全像光碟10之一終端用戶器件之複雜性。本發明技術提供用於利用微型全像圖預格式化及/或預填寫一全像光碟10使得可藉由一終端用戶器件利用一單一光束曝光修改及/或擦除該光碟10之方法及系統。預填寫一全像光碟可指在該全像光碟10之一製程期間微型全像圖之預記錄。在預填寫處理期間記錄之該等微型全像圖可表示程式碼、位址、追蹤資料及/或其他輔助資訊。隨後可使用一單一光束而非重疊反向傳播光束修改及/或擦除該等經記錄之微型全像圖。由此,一終端用戶系統無需保持反向傳播雷射光束重疊以將資料記錄至一預填寫全像光碟。替代地,可使用利用一單一側邊光束或多個單一側邊光束之終端使用者系統以藉由修改及/或擦除該預填寫全像光碟上之微型全像圖記錄資料。
雖然利用反向傳播光束記錄微型全像圖以預填寫一全像光碟可降低一終端用戶器件之微型全像圖修改之複雜性,但是根據本發明之技術亦可改良預填寫該光碟之過程。如已討論,當預填寫該全像光碟10時,該光碟10於該全像系統中轉動使得指向該光碟10之該重疊反向傳播光束可將微型全像圖記錄於該光碟10之一選定磁軌12及/或層上。該光碟10之轉動速度(由該光碟材料之機械強度部分限制)限制微型全像圖可記錄之速度(被稱為轉移速率)。例如,一藍光光碟之一典型光碟轉動速度可導致處於12×BD速率之每秒約430 Mbits之一單一通道系統之一轉移速率。在此轉移速率下,該光碟之每資料層之記錄時間約為500秒。
在一個或多個實施例中,可使用平行微型全像圖記錄技術以提高該轉移速率並減少一全像光碟10之記錄時間。例如,平行微型全像圖記錄可涉及將對個光束引導至一全像光碟以照明該光碟10中一個以上的磁軌12。一光束可指於實質相同之方向上傳播通過相同組之光學元件之光至一聚集並可包含源自不同光源之光。亦可從一相反方向上(亦即,反向傳播光束)將多個光束引導至該光碟10之一個以上的磁軌12使得該等多個重疊反向傳播可產生多個照明點之一干涉圖案從而導致該光碟10之平行磁軌12中之多個記錄微型全像圖。此外,在一些實施例中,該等重疊光束可於具有相對於該資料層平面一相對小區域之一聚焦點處形成干涉。該干涉圖案之聚焦照明點可藉由非照明區域分離。藉由限制一資料層上之照明區域,可將記錄微型全像圖之深度範圍限制於一所需大小及/或限制於一所需資料層上(例如,介於約0.05微米至5微米之間)。
此外,如圖3中設置,複製系統之一個或多個實施例涉及該平行通道光源18之直接調變。例如,可將該平行通道光源18耦合至適用於直接調變該平行通道光源18之一調變器24。該調變器24可由一處理器40控制並可調變該平行通道光源18使得由該平行通道光源18發射之經調變信號光束26包含待記錄於該複製光碟10上之資訊。
圖4係根據本發明之一實施例之一全像光碟10(圖1)中之一二波長記錄系統70之一示意性繪圖。一追蹤雷射源74發射具有一第一波長之一追蹤輻射光束76。在一特定實施例中,該第一波長包含介於約400奈米與約800奈米之間之一範圍。該追蹤光束76入射於一光學子系統78(被稱為一記錄深度調整光學子系統)上。在一實施例中,該記錄深度調整光學子系統包含多個透鏡。該經調整之追蹤光束80入射於一物鏡82上,該物鏡82沿著一光束傳播方向83平移以將該光束80聚焦於該光碟10之一參考層86上。在一實施例中,該參考層包含一部分二色性塗層或一部分金屬化塗層之至少一者。二色性塗層之非限制實施包含氧化物及氮化物之多個介電層。在另一實施例中,該金屬化塗層包含鋁或金或銀或其等之混合合金之一者。在另一實施例中,該參考層反射多達約100%之追蹤輻射光束及反射多達約1%之記錄輻射光束。類似地,具有不同於一第一波長之一第二波長之一記錄雷射源92發射進一步發射於一光學元件(諸如(但非限於)相對於光學軸102以特定角度佈置之一二色性鏡98)之一記錄輻射光束96。在一特定實施例中,該第二波長包含介於約375奈米與約650奈米之間之一範圍。該二色性鏡98反射導致一反射記錄光束104之入射記錄光束96。該物鏡82聚焦該經反射之記錄光束104以確保該光束104入射於該光碟10中之一所需記錄深度72處。
圖5係基於圖4之記錄系統70之一記錄深度量測系統110之一示意性繪圖。將一個或多個致動器112耦合至該物鏡82(圖4)。將一第一外部電壓施加至觸發該物鏡82沿著一光束傳播方向83平移運動之該等致動器112以允許將該追蹤光束80(圖4)聚焦於該光碟10之參考層86上。使該追蹤光束能聚焦之此第一外部電壓121由一處理子系統122記錄。類似地,將一第二外部電壓施加至觸發該物鏡82移動之該等致動器112以允許將該記錄光束96(圖4)聚焦於該光碟10之參考層86上。使該記錄光束96能聚焦之此第二外部電壓再次由一處理子系統122記錄。該處理子系統122進一步計算該第一外部電壓與該第二外部電壓之間之一差並利用一電壓距離校正曲線基於該差計算一透鏡移動距離。如文中所使用,「透鏡移動距離」指為將該追蹤輻射光束80及該記錄輻射光束96分別聚焦於該光碟10之參考層86上而移動該物鏡82之距離。然後,該處理子系統基於該透鏡移動距離計算記錄深度128。
圖6係用於將資料精確地記錄於一全像光碟10(圖1)中之一特定深度144處之一控制系統140之一示意性繪圖。該控制系統140包含用作對於圖4及圖5之記錄系統之一反饋控制系統之處理子系統122(圖5)。當計算該記錄深度時(如上文圖5中所述),該處理子系統將比較當前記錄深度144與一預定記錄深度146。在並未達成所需之記錄深度之情況下,沿著該光束傳播方向83調整該記錄深度調整光學子系統78中之多個光學元件以使當前之記錄深度等於預定深度。
圖7係表示一種用於計算一全像光碟中之記錄深度之方法之步驟之一流程圖。該方法包含將一第一外部電壓施加至耦合至一物鏡之一個或多個致動器以將具有一第一波長之一追蹤輻射光束聚焦於該光碟之一參考層上之步驟152,其中該參考層包含一部分二色性塗層或一部分金屬化塗層之至少一者。在步驟154中將一第二外部電壓施加至耦合至該物鏡之一個或多個致動器以將一記錄輻射光束聚焦於該光碟之參考層上,其中該記錄光束具有不同於該追蹤光束之第一波長之一第二波長。此外,在步驟156中計算該第一外部電壓與該第二外部電壓之間之一差。在步驟158中利用一電壓距離校正曲線基於該差計算一透鏡移動距離,其中將該透鏡移動距離定義為將該追蹤輻射光束及該記錄輻射光束分別聚焦於該參考層上而移動該物鏡之距離。在一特定實施例中,該電壓距離校正曲線經由一台式測微計獲得。此外,在步驟162中基於該透鏡移動距離計算該記錄深度。在一特定實施例中,藉由把該全像光碟中使用之材料之一折射率計算在內計算該記錄深度。
圖8係表示一種用於控制一全像光碟中之記錄深度之方法之步驟之一流程圖。該方法包含在步驟172中將一第一外部電壓施加至耦合至一物鏡之一個或多個致動器以將具有一第一波長之一追蹤輻射光束聚焦於該光碟之一參考層上,其中該參考層包括一部分二色性塗層或一部分金屬化塗層之至少一者。在步驟174中將一第二外部電壓施加至耦合至該物鏡之一個或多個致動器以將一記錄輻射光束聚焦於該光碟之參考層上,其中該記錄光束包括不同於該追蹤光束之第一波長之一第二波長。在步驟176中計算該第一外部電壓與該第二外部電壓之間之一差。在步驟178中利用一電壓距離校正曲線基於該差計算一透鏡移動距離,其中該透鏡移動距離指為將該追蹤輻射光束及該記錄輻射光束分別聚焦於該參考層上而移動該物鏡之距離。在步驟179中基於該透鏡移動距離計算一當前記錄深度。在步驟180中將該當前記錄深度與一預定記錄深度進行對比。在步驟182中調整光學地耦合至該追蹤光束或該記錄光束之一記錄調整光學子系統中之多個光學元件以使當前之記錄深度等於該預定深度。
一種用於上文所述之一全像光碟中之精確記錄之系統及方法之各種實施例由此提供一方式以達成識別待將資料記錄於其中之該光碟之深度/層之一方便有效的途徑。此技術亦提供當該光碟並未轉動時於所需深度/層處精確記錄資料。該技術亦利用產生具成本效益之一精確記錄方式之現有之全像記錄系統。
應瞭解根據任何特定之實施例不一定可達成以上所述之所有此等目的或優點。由此,例如,熟習此項技術者應明白可以在無需達成如文中可教示或建議之其他目的或優點之下達成或最優化如文中教示之一優點或許多優點之一方式實施或實行文中所述之系統及技術。
此外,熟習之技工應明白來自不同實施例之各種特徵之可交換性。類似地,一般技術者可混合及配合所述之各種特徵以及各特徵之其他已知等效物以根據此揭示之原則構造額外之系統及技術。
雖然本發明已關聯僅僅一限定數量的實施例而進行詳細描述,但應很容易地瞭解本發明並非限於此等揭示之實施例。相反地,本發明可經修改以併入任意數量之變動、變換、替代或至此並未描述但與本發明之精神及範圍相稱之等效配置。額外地,雖然已描述本發明之各種實施例,但應瞭解本發明之態樣可僅僅包含所述之實施例之若干。相应地,不應將本發明視為由前述之描述限制而僅僅由隨附請求項之範疇限制。
10...全像光碟
11...資料儲存層
12...磁軌
13...參考層
14...轉軸孔
15...微型全像圖
16...全像系統
18...光源
20...信號光束
22...參考光束
24...直接模組/調變器
26...經調變之信號光束
28...光學器件及伺服系統
30...聚焦信號光束
32...光學器件及伺服系統
34...聚焦參考光束
36...資料反射
38...信號偵測
40...處理器
70...波長記錄系統
72...所需之記錄深度
74...追蹤雷射源
76...追蹤光束
78...記錄深度調整光學器件
80...經調整之追蹤光束
82...物鏡
83...光束傳播方向
86...參考層
92...記錄雷射源
96...記錄光束
98...二色性鏡面
104...反射記錄光束
110...記錄深度量測系統
112...致動器
121...第一外部電壓
122...處理子系統
123...第二外部電壓
128...記錄深度
140...控制系統
144...當前記錄深度
146...預定記錄深度
圖1係根據本發明之一實施例之一例示性全像資料儲存光碟之一例示性繪圖。
圖2係根據本發明之一實施例之一例示性微全像記錄系統之一方塊圖示。
圖3係根據本發明之一實施例之另一例示性微全像記錄系統之一方塊圖示。
圖4係根據本發明之一實施例之一全像光碟中之一兩波長記錄系統之一說明性繪圖。
圖5係根據本發明之一實施例之基於圖4中之記錄系統之一記錄深度量測技術之一說明性繪圖。
圖6係利用圖5中之量測技術以精確地將資料記錄於本發明之一實施例中之一全像光碟中之一控制系統之一說明性繪圖。
圖7係表示一種用於計算根據本發明之一實施例之一全像光碟中之記錄深度之方法之步驟的一流程圖。
圖8係表示一種用於控制根據本發明之一實施例之一全像光碟中之記錄深度之方法之步驟的一流程圖。
80...經調整之追蹤光束
82...物鏡
83...光束傳播方向
86...參考層
96...記錄光束
110...記錄深度量測系統
112...致動器
121...第一外部電壓
122...處理子系統
123...第二外部電壓
128...記錄深度

Claims (20)

  1. 一種用於計算一全像光碟中之記錄深度之方法,該方法包括:將一第一外部電壓施加至耦合於一物鏡之一個或多個致動器以將具有一第一波長之一追蹤輻射光束聚焦於該光碟之一參考層上,其中該參考層包括一部分二色性塗層或一部分金屬化塗層之至少一者;將一第二外部電壓施加至耦合於該物鏡之一個或多個致動器以將一記錄輻射光束聚焦於該光碟之參考層上,其中該記錄光束包括不同於該追蹤光束之第一波長之一第二波長;計算該第一外部電壓與該第二外部電壓之間之一差;利用一電壓距離校正曲線基於該差計算一透鏡移動距離,其中該透鏡移動距離包括為將該追蹤輻射光束及該記錄輻射光束分別聚焦於該參考層上而移動該物鏡之距離;及基於該透鏡移動距離計算該記錄深度。
  2. 如請求項1之方法,其中該電壓距離校正曲線係經由一台式測微計而獲得。
  3. 如請求項1之方法,其中該計算該記錄深度包括把該全像光碟中使用之材料之一折射率計算在內。
  4. 一種用於計算一全像光碟中之記錄深度之系統,該系統包括:一追蹤雷射源,其經組態以發射具有一第一波長之一 追蹤輻射光束;耦合至一物鏡之一個或多個致動器,該物鏡經組態以當將一第一外部電壓施加至該等致動器時將具有一第一波長之該追蹤輻射光束聚焦於該光碟之一參考層上,其中該參考層包括一部分二色性塗層或一部分金屬化塗層之至少一者;及一記錄雷射源,其經組態以經由將一第二外部電壓施加至該等致動器而發射聚焦於該光碟之參考層上之一記錄輻射光束,該記錄輻射光束包括不同於該追蹤輻射光束之第一波長之一第二波長;一處理子系統,其經組態以:計算該第一外部電壓與該第二外部電壓之間之一差;利用一電壓距離校正曲線基於該差計算一透鏡移動距離,其中該透鏡移動距離包括為將該追蹤輻射光束及該記錄輻射光束分別聚焦於該參考層上而移動該物鏡之距離;及基於該透鏡移動距離計算該記錄深度。
  5. 如請求項4之系統,其進一步包括經組態以調整該光碟中之記錄深度之一記錄深度調整光學子系統。
  6. 如請求項5之系統,其中該記錄深度調整光學子系統包括複數個透鏡。
  7. 如請求項5之系統,其中該記錄調整光學子系統耦合至該追蹤光束之光學路徑或者該記錄光束之光學路徑。
  8. 如請求項4之系統,其中該二色性塗層包括氧化物及氮化物之多個介電層。
  9. 如請求項4之系統,其中該金屬化塗層包括鋁或金或銀或其等之混合合金之一者。
  10. 如請求項4之系統,其中該追蹤雷射源之第一波長包括範圍介於400奈米與800奈米之間之一波長。
  11. 如請求項4之系統,其中該記錄雷射源之波長包括範圍介於375奈米與650奈米之間之一波長。
  12. 如請求項4之系統,其中該參考層反射多達100%之追蹤輻射光束及反射多達1%之記錄輻射光束。
  13. 一種用於精確記錄一全像光碟中之一特定深度處之資料之控制系統,其包括:一追蹤雷射源,其經組態以發射一追蹤輻射光束;耦合至一物鏡之一個或多個致動器,該物鏡經組態以當將一第一外部電壓施加至該等致動器時將該追蹤輻射光束聚焦於該光碟之一參考層上,其中該參考層包括一部分二色性塗層或一部分金屬化塗層之至少一者;一記錄雷射源,其經組態以經由將一第二外部電壓施加至該等致動器而發射聚焦於該光碟之反射層上之一記錄輻射光束,該記錄輻射光束包括不同於該追蹤輻射光束之第一波長之一第二波長;一記錄調整光學子系統,其包括複數個光學元件,該記錄調整光學子系統經組態以改變該記錄輻射光束之記錄深度;及 一處理子系統,其經組態以:計算該第一外部電壓與該第二外部電壓之間之一差;利用一電壓距離校正曲線基於該差計算一透鏡移動距離,其中該透鏡移動距離包括為將該追蹤輻射光束及該記錄輻射光束分別聚焦於該參考層上而移動該物鏡之距離;基於該透鏡移動距離計算該記錄深度;將該記錄深度與一預定記錄深度進行比較;及調整該記錄調整光學子系統中之複數個光學元件以使當前之記錄深度等於該預定深度。
  14. 如請求項13之系統,其中該複數個光學元件於該記錄調整光學子系統中之該調整包括沿著該光束傳播方向平移該複數個透鏡之一者或多個。
  15. 如請求項13之系統,其中該二色性塗層包括氧化物及氮化物之多個介電層。
  16. 如請求項13之系統,其中該金屬化塗層包括鋁或金或銀或其等之混合合金之一者。
  17. 如請求項13之系統,其中該追蹤雷射源之第一波長包括範圍介於400奈米與800奈米之間之一波長。
  18. 如請求項13之系統,其中該記錄雷射源之第二波長包括範圍介於375奈米與650奈米之間之一波長。
  19. 如請求項13之系統,其中該參考層反射多達100%之追蹤輻射光束及反射多達1%之記錄輻射光束。
  20. 一種用於控制一全像光碟中之記錄深度之方法,其包括:將一第一外部電壓施加至耦合於一物鏡之一個或多個致動器以將具有一第一波長之一追蹤輻射光束聚焦於該光碟之一參考層上,其中該參考層包括一部分二色性塗層或一部分金屬化塗層之至少一者;將一第二外部電壓施加至耦合於該物鏡之一個或多個致動器以將一記錄輻射光束聚焦於該光碟之參考層上,其中該參考光束包括不同於該追蹤光束之第一波長之一第二波長;計算該第一外部電壓與該第二外部電壓之間之一差;利用一電壓距離校正曲線基於該差計算一透鏡移動距離,其中該透鏡移動距離包括為將該追蹤輻射光束及該記錄輻射光束分別聚焦於該參考層上而移動該物鏡之距離;基於該透鏡移動距離計算該記錄深度;將該當前之記錄深度與一預定記錄深度進行比較;及調整一記錄調整光學子系統中之複數個光學元件以使該當前之記錄深度等於該預定深度。
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