TWI564575B - 檢測裝置及其檢測方法 - Google Patents

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TWI564575B
TWI564575B TW103135124A TW103135124A TWI564575B TW I564575 B TWI564575 B TW I564575B TW 103135124 A TW103135124 A TW 103135124A TW 103135124 A TW103135124 A TW 103135124A TW I564575 B TWI564575 B TW I564575B
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王明煌
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台達電子工業股份有限公司
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    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H3/00—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
    • H02H3/16—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to fault current to earth, frame or mass
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    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
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Description

檢測裝置及其檢測方法
本發明係有關於一種檢測裝置及其檢測方法，特別是一種接地檢測裝置及繼電器動作檢測裝置及其檢測方法。
接地監視斷流裝置(接地檢測裝置)係用以監視電子裝置的接地狀態；如果電子裝置的接地狀態不完善，使用者容易因為漏電而導致觸電之情事發生，電子裝置也容易因為漏電而導致損壞，非常的危險。因此，接地監視斷流裝置(接地檢測裝置)對於使用者的安全或是電子裝置的安全來說非常重要。
目前相關技術之接地監視斷流裝置(接地檢測裝置)係使用光耦合器作隔離；然而，光耦合器的價格不便宜；光耦合器的輸入阻抗低且增加了驅動器高壓電阻的功率損耗；光耦合器的電路板layout困難。
再者，繼電器動作檢測裝置係用以在電子裝置開機時檢測繼電器的功能是否正常；目前相關技術之繼電器動作檢測裝置係使用光耦合器作隔離；然而，光耦合器的價格不便宜；光耦合器的輸入阻抗低且增加了驅動器高壓電阻的功率損耗；光耦合器的電路板layout困難。
為改善上述習知技術之缺點，本發明之目的在於提供一種接地檢測裝置。
為改善上述習知技術之缺點，本發明之再一目的在於提供一種接地檢測裝置。
為改善上述習知技術之缺點，本發明之再一目的在於提供一種繼電器動作檢測裝置。
為改善上述習知技術之缺點，本發明之再一目的在於提供一種繼電器動作檢測裝置。
為改善上述習知技術之缺點，本發明之再一目的在於提供一種接地檢測方法。
為改善上述習知技術之缺點，本發明之再一目的在於提供一種繼電器動作檢測方法。
為達成本發明之上述目的，本發明之接地檢測裝置係電性連接於一交流電源供應裝置，該接地檢測裝置包含：一二極體單元，該二極體單元係電性連接該交流電源供應裝置並產生一直流電壓；一高壓電阻，該高壓電阻包含一第一端及一第二端，該高壓電阻的該第一端電性連接至該二極體單元，該高壓電阻的該第二端連結一第一電阻的一第一端，該第一電阻的一第二端電性連接至一接地端；一金屬氧化物半導體場效應電晶體，包含一汲極、一閘極及一源極，該閘極電性連接至該高壓電阻及該第一電阻，該源極電性連接至該接地端；及一控制器，電性連接該汲極。其中，該直流電壓經由該高壓電阻及該第一電阻分壓產生一判斷電壓至該閘極，該金屬氧化物半導體場效應電晶體根據該判斷電壓決定該金屬氧化物半導體場效應電晶體的開關狀態，並使該汲極之一電壓準位改變，以產生一脈波電壓訊號，該控制器根據該脈波電壓訊號進行檢測。
為達成本發明之上述再一目的，本發明之接地檢測裝置係電性連接於一交流電源供應裝置，該接地檢測裝置包含：一第一高壓電阻，該第一高壓電阻包含一第一端及一第二端，該第一高壓電阻的該第一端耦合至該交流電源供應裝置，該第一高壓電阻的該第二端連結一第一電阻的一第一端，該第一電阻的一第二端電性連接至一接地端；一第二高壓電阻，該第二高 壓電阻電性連接至該交流電源供應裝置、該第一高壓電阻及該第一電阻；一金屬氧化物半導體場效應電晶體，包含一汲極、一閘極及一源極，該閘極電性連接至該第一高壓電阻、該第二高壓電阻及該第一電阻，該源極電性連接至該接地端；一齊納二極體，電性連接至該金屬氧化物半導體場效應電晶體，藉由該齊納二極體箝制一判斷電壓，以保護該金屬氧化物半導體場效應電晶體防止該閘極電壓過高，並於當該接地端電壓高於該電源供應裝置的電壓時導通使該閘極呈現低準位狀態；及一控制器，電性連接該汲極。其中，該第一高壓電阻、該第二高壓電阻及該第一電阻分壓產生該判斷電壓至該閘極，該金屬氧化物半導體場效應電晶體根據該判斷電壓決定該金屬氧化物半導體場效應電晶體的開關狀態，並使該汲極之一電壓準位改變，以產生一脈波電壓訊號，該控制器根據該脈波電壓訊號進行檢測。
為達成本發明之上述再一目的，本發明之繼電器動作檢測裝置係透過一第一繼電器與一第二繼電器分別耦合至一交流電源供應單元之兩電源線，該繼電器動作檢測裝置包含：一第一二極體，包含一第一端及一第二端，該第一二極體之該第一端電性連接該第一繼電器；一第二二極體，包含一第一端及一第二端，該第二二極體之該第一端電性連接該第二繼電器，且該第二二極體之該第二端與該第一二極體之該第二端係電性連接並產生一直流電壓；一高壓電阻，該高壓電阻包含一第一端及一第二端，該高壓電阻的該第一端電性連接至該第一二極體的該第二端及該第二二極體之該第二端，該高壓電阻之第二端連結一第一電阻的一第一端，該第一電阻的一第二端電性連接至一接地端；一金屬氧化物半導體場效應電晶體，包含一汲極、一閘極及一源極，該閘極電性連接至該高壓電阻及該第一電阻，該源極電性連接至該接地端；及一控制器，電性連接該汲極。其中，該直流電壓經由該高壓電阻及該第一電阻分壓產生一判斷電壓至該閘極，該金屬氧化物半導體場效應電晶體根據 該判斷電壓決定該金屬氧化物半導體場效應電晶體的開關狀態，並使該汲極之一電壓準位改變，以產生一脈波電壓訊號，該控制器根據該脈波電壓訊號進行檢測。
為達成本發明之上述再一目的，本發明之繼電器動作檢測裝置係透過一第一繼電器與一第二繼電器分別耦合至一交流電源供應單元之兩電源線，該繼電器動作檢測裝置包含：一第一高壓電阻，該第一高壓電阻包含一第一端及一第二端，該第一高壓電阻的該第一端耦合至該交流電源供應裝置，該第一高壓電阻之第二端連結一第一電阻的一第一端，該第一電阻的一第二端電性連接至一接地端；一第二高壓電阻，該第二高壓電阻電性連接至該交流電源供應裝置、該第一高壓電阻及該第一電阻；一金屬氧化物半導體場效應電晶體，包含一汲極、一閘極及一源極，該閘極電性連接至該第一高壓電阻、該第二高壓電阻及該第一電阻，該源極電性連接至該接地端；一齊納二極體，電性連接至該金屬氧化物半導體場效應電晶體，藉由該齊納二極體箝制一判斷電壓，以保護該金屬氧化物半導體場效應電晶體防止該閘極電壓過高，並於當該接地端電壓高於該電源供應裝置的電壓時導通使該閘極呈現低準位狀態；及一控制器，電性連接該汲極。其中，該第一高壓電阻、該第二高壓電阻及該第一電阻分壓產生該判斷電壓至該閘極，該金屬氧化物半導體場效應電晶體根據該判斷電壓決定該金屬氧化物半導體場效應電晶體的開關狀態，並使該汲極之一電壓準位改變，以產生一脈波電壓訊號，該控制器根據該脈波電壓訊號進行檢測。
為達成本發明之上述再一目的，本發明之接地檢測方法係應用於一交流電源供應裝置，該接地檢測方法包含：設置一二極體單元，該二極體單元係電性連接該交流電源供應裝置並產生一直流電壓；設置一高壓電阻，該高壓電阻包含一第一端及一第二端，該高壓電阻的該第一端電性連接至該二極體單元，該高壓電阻的該第二端連結一第一電阻的一第一端，該第一電阻的一第二端電性連接至一接地端；設置一金屬氧化物半 導體場效應電晶體，包含一汲極、一閘極及一源極，該閘極電性連接至該高壓電阻及該第一電阻，該源極電性連接至該接地端；設置一控制器，電性連接該汲極；該直流電壓經由該高壓電阻及該第一電阻分壓產生一判斷電壓至該閘極；該金屬氧化物半導體場效應電晶體根據該判斷電壓決定該金屬氧化物半導體場效應電晶體的開關狀態，並使該汲極之一電壓準位改變，以產生一脈波電壓訊號；及該控制器根據該脈波電壓訊號進行檢測。
為達成本發明之上述再一目的，本發明之繼電器動作檢測方法係應用於一第一繼電器與一第二繼電器，該第一繼電器與該第二繼電器分別耦合至一交流電源供應單元之兩電源線，該繼電器動作檢測裝置方法包含：設置一第一二極體，包含一第一端及一第二端，該第一二極體之該第一端電性連接該第一繼電器；設置一第二二極體，包含一第一端及一第二端，該第二二極體之該第一端電性連接該第二繼電器，且該第二二極體之該第二端與該第一二極體之該第二端係電性連接並產生一直流電壓；設置一高壓電阻，該高壓電阻包含一第一端及一第二端，該高壓電阻的該第一端電性連接至該第一二極體的該第二端及該第二二極體之該第二端，該高壓電阻之第二端連結一第一電阻的一第一端，該第一電阻的一第二端電性連接至一接地端；設置一金屬氧化物半導體場效應電晶體，包含一汲極、一閘極及一源極，該閘極電性連接至該高壓電阻及該第一電阻，該源極電性連接至該接地端；設置一控制器，電性連接該汲極；該直流電壓經由該高壓電阻及該第一電阻分壓產生一判斷電壓至該閘極；該金屬氧化物半導體場效應電晶體根據該判斷電壓決定該金屬氧化物半導體場效應電晶體的開關狀態，並使該汲極之一電壓準位改變，以產生一脈波電壓訊號；及該控制器根據該脈波電壓訊號進行檢測。
本發明之功效在於降低接地檢測裝置的成本及繼電器動作檢測裝置的成本。
10‧‧‧接地監視斷流裝置
20‧‧‧交流電源供應裝置
22‧‧‧火線
24‧‧‧中性線
30‧‧‧繼電器動作檢測裝置
40‧‧‧第一繼電器
50‧‧‧第二繼電器
60‧‧‧繼電器驅動電壓供應單元
102‧‧‧接地端
104‧‧‧第一二極體
106‧‧‧第二二極體
108‧‧‧高壓電阻
110‧‧‧第一電阻
112‧‧‧金屬氧化物半導體場效應電晶體
114‧‧‧驅動電壓供應單元
116‧‧‧控制器
118‧‧‧齊納二極體
120‧‧‧限流電阻
122‧‧‧第二電阻
124‧‧‧電容
126‧‧‧二極體單元
128‧‧‧第二高壓電阻
130‧‧‧第一高壓電阻
304‧‧‧第三二極體
306‧‧‧第一電容
308‧‧‧第四二極體
310‧‧‧第二電容
402‧‧‧第一接腳
404‧‧‧第二接腳
406‧‧‧第三接腳
408‧‧‧第四接腳
502‧‧‧第一接腳
504‧‧‧第二接腳
506‧‧‧第三接腳
508‧‧‧第四接腳
2602‧‧‧交流電源
2604‧‧‧直流電壓
2606‧‧‧判斷電壓
2608‧‧‧驅動電壓
2610‧‧‧脈波電壓訊號
10402‧‧‧第一端
10404‧‧‧第二端
10602‧‧‧第一端
10604‧‧‧第二端
10802‧‧‧第一端
10804‧‧‧第二端
11002‧‧‧第一端
11004‧‧‧第二端
11202‧‧‧汲極
11204‧‧‧閘極
11206‧‧‧源極
11802‧‧‧陽極
11804‧‧‧陰極
12002‧‧‧第一端
12004‧‧‧第二端
12202‧‧‧第一端
12204‧‧‧第二端
12402‧‧‧第一端
12404‧‧‧第二端
13002‧‧‧第一端
13004‧‧‧第二端
30402‧‧‧陽極
30404‧‧‧陰極
30602‧‧‧第一端
30604‧‧‧第二端
30802‧‧‧陽極
30804‧‧‧陰極
31002‧‧‧第一端
31004‧‧‧第二端
S02~12‧‧‧步驟
T02~20‧‧‧步驟
V02~22‧‧‧步驟
圖1為本發明之接地檢測裝置之一實施例電路圖。
圖2為本發明之接地檢測方法之第一實施例流程圖。
圖3為本發明之繼電器動作檢測裝置之一實施例電路圖。
圖4為本發明之繼電器動作檢測方法之一實施例流程圖。
圖5為本發明之接地檢測方法之第二實施例流程圖。
圖6為本發明之接地檢測裝置之另一實施例電路圖。
圖7為本發明之繼電器動作檢測裝置之另一實施例電路圖。
請參考圖1，其係為本發明之接地檢測裝置之一實施例電路圖。一接地檢測裝置10係電性連接於一交流電源供應裝置20；該接地檢測裝置10包含一接地端102、一高壓電阻108、一第一電阻110、一金屬氧化物半導體場效應電晶體112、一驅動電壓供應單元114、一控制器116、一齊納二極體118、一限流電阻120、一第二電阻122、一電容124及一二極體單元126。
該高壓電阻108包含一第一端10802及一第二端10804；該第一電阻110包含一第一端11002及一第二端11004；該金屬氧化物半導體場效應電晶體112包含一汲極11202、一閘極11204及一源極11206。
該二極體單元126係電性連接該交流電源供應裝置20並產生一直流電壓2604；該高壓電阻108的該第一端10802電性連接至該二極體單元126；該高壓電阻108的該第二端10804連結該第一電阻110的該第一端11002；該第一電阻110的該第二端11004電性連接至該接地端102；該閘極11204電性連接至該高壓電阻108及該第一電阻110；該源極11206電性連接至該接地端102；該控制器116電性連接該汲極11202。
該直流電壓2604經由該高壓電阻108及該第一電阻110分壓產生一判斷電壓2606至該閘極11204，該金屬氧化物半導體場效應電晶體112根據該判斷電壓2606決定該金屬氧化物半導體場效應電晶體112的開關狀態，並使該汲極11202之一電壓準位改變，以產生一脈波電壓訊號2610，該控制器116根據該脈波電壓訊號2610進行檢測。
該高壓電阻108為複數個電阻以串聯形式組合，並根據每一電阻之耐壓值，使該交流電源供應裝置20與該金屬氧化物半導體場效應電晶體112之間符合高壓隔離的安規。該控制器116係根據該脈波電壓訊號2610與一預設值進行比較後，以判斷接地狀態。該預設值可為一時間值或一頻率值。該二極體單元126包含一第一二極體104及一第二二極體106，分別接至該交流電源供應裝置20之火線22(line wire)及中性線24(neutral wire)(即，兩電源線)，以整流產生該直流電壓2604。
該齊納二極體118電性連接至該金屬氧化物半導體場效應電晶體112，藉由該齊納二極體118箝制該判斷電壓2606，以保護該金屬氧化物半導體場效應電晶體112防止該閘極11204電壓過高。該驅動電壓供應單元114及該限流電阻120以串聯形式電性連接至該金屬氧化物半導體場效應電晶體112，並提供該電壓準位。該第二電阻122與該電容124係並聯連接，一端電性連接至該汲極11202，另一端接地(該接地端102)，以減少該控制器116受雜訊干擾。
該第一二極體104包含一第一端(陽極)10402及一第二端(陰極)10404；該第二二極體106包含一第一端(陽極)10602及一第二端(陰極)10604；該齊納二極體118包含一陽極11802及一陰極11804；該限流電阻120包含一第一端12002及一第二端12004；該第二電阻122包含一第一端12202及一第二端12204；該電容124包含一第一端12402及一第二端12404。
該第一二極體104的該第一端10402電性連接至該交流電源供應裝置20的該火線22；該第二二極體106的該第一端 10602電性連接至該交流電源供應裝置20的該中性線24；該第二二極體106的該第二端10604電性連接至該第一二極體104的該第二端10404；該齊納二極體118的該陰極11804電性連接至該高壓電阻108的該第二端10804、該第一電阻110的該第一端11002及該閘極11204；該齊納二極體118的該陽極11802電性連接至該接地端102；該限流電阻120的該第一端12002電性連接至該驅動電壓供應單元114及該控制器116；該限流電阻120的該第二端12004電性連接至該汲極11202及該控制器116；該第二電阻122的該第一端12202電性連接至該汲極11202、該控制器116及該限流電阻120的該第二端12004；該第二電阻122的該第二端12204電性連接至該接地端102；該電容124的該第一端12402電性連接至該汲極11202、該控制器116、該限流電阻120的該第二端12004及該第二電阻122的該第一端12202；該電容124的該第二端12404電性連接至該接地端102。
請參考圖6，其係為本發明之接地檢測裝置之另一實施例電路圖。一接地檢測裝置10係電性連接於一交流電源供應裝置20；該接地檢測裝置10包含一接地端102、一第一高壓電阻130、一第一電阻110、一金屬氧化物半導體場效應電晶體112、一驅動電壓供應單元114、一控制器116、一齊納二極體118、一限流電阻120、一第二電阻122、一電容124及一第二高壓電阻128。
該第一高壓電阻130包含一第一端13002及一第二端13004；該第一電阻110包含一第一端11002及一第二端11004；該金屬氧化物半導體場效應電晶體112包含一汲極11202、一閘極11204及一源極11206。
該第一高壓電阻130的該第一端13002耦合至該交流電源供應裝置20；該第一高壓電阻130的該第二端13004連結該第一電阻110的該第一端11002；該第一電阻110的該第二端11004電性連接至該接地端102；該閘極11204電性連接至該第 一高壓電阻130、該第二高壓電阻128及該第一電阻110；該源極11206電性連接至該接地端102；該控制器116電性連接該汲極11202。
該齊納二極體118電性連接至該金屬氧化物半導體場效應電晶體112；藉由該齊納二極體118箝制一判斷電壓2606，以保護該金屬氧化物半導體場效應電晶體112防止該閘極11204電壓過高，並於當該接地端102電壓高於該電源供應裝置20的電壓時導通使該閘極11204呈現低準位狀態。該第二高壓電阻128電性連接至該交流電源供應裝置20、該第一高壓電阻130及該第一電阻110。
該第一高壓電阻130、該第二高壓電阻128及該第一電阻110分壓產生該判斷電壓2606至該閘極11204，該金屬氧化物半導體場效應電晶體112根據該判斷電壓2606決定該金屬氧化物半導體場效應電晶體112的開關狀態，並使該汲極11202之一電壓準位改變，以產生一脈波電壓訊號2610，該控制器116根據該脈波電壓訊號2610進行檢測。
該第一高壓電阻130可為例如但不限定為複數個電阻以串聯形式組合；該第二高壓電阻128可為例如但不限定為複數個電阻以串聯形式組合。該齊納二極體118可以整流該判斷電壓2606。
該齊納二極體118包含一陽極11802及一陰極11804；該限流電阻120包含一第一端12002及一第二端12004；該第二電阻122包含一第一端12202及一第二端12204；該電容124包含一第一端12402及一第二端12404。該交流電源供應裝置20包含火線22(line wire)及中性線24(neutral wire)(即，兩電源線)。該交流電源供應裝置20傳送一交流電源2602至該接地檢測裝置10。
請參考圖2，其係為本發明之接地檢測方法之第一實施例流程圖；並請同時參考圖1。該流程圖包含下列步驟：
S02：該交流電源供應裝置20傳送一交流電源2602至該 接地檢測裝置10。
S04：該第一二極體104及該第二二極體106對該交流電源2602整流以得到該直流電壓2604。
S06：該高壓電阻108及該第一電阻110對該直流電壓2604進行分壓以得到該判斷電壓2606。
S08：該高壓電阻108及該第一電阻110將該判斷電壓2606傳送至該金屬氧化物半導體場效應電晶體112的該閘極11204。
S10：該驅動電壓供應單元114傳送一驅動電壓2608至該金屬氧化物半導體場效應電晶體112的該汲極11202。
S12：藉此，在該金屬氧化物半導體場效應電晶體112的該汲極11202產生該脈波電壓訊號2610。
該脈波電壓訊號2610被傳送至該控制器116。如果該控制器116所接收到的該脈波電壓訊號2610的脈波寬度大於一預設脈波寬度，則該控制器116即得知接地連續性測試(Ground Continuity Test)正常；如果該控制器116所接收到的該脈波電壓訊號2610的脈波寬度不大於該預設脈波寬度，則該控制器116即得知接地連續性測試不正常，因此該控制器116將會進行進一步的處理(例如提出警告或是停止充電狀態)。
該金屬氧化物半導體場效應電晶體112的價格小於使用於該相關技術之接地監視斷流裝置之光耦合器的價格；該金屬氧化物半導體場效應電晶體112具有高的輸入阻抗且能削減高壓電阻的功率損耗。該接地監視斷流裝置10可削減交流漏电流且對於GMI(Ground Monitor Interrupter)來說是可靠的。
請參考圖5，其係為本發明之接地檢測方法之第二實施例流程圖。本發明之接地檢測方法係應用於一交流電源供應裝置，該接地檢測方法包含下列步驟：
T02：設置一二極體單元，該二極體單元係電性連接該交流電源供應裝置並產生一直流電壓。
T04：設置一高壓電阻，該高壓電阻包含一第一端及一 第二端，該高壓電阻的該第一端電性連接至該二極體單元，該高壓電阻的該第二端連結一第一電阻的一第一端，該第一電阻的一第二端電性連接至一接地端。
T06：設置一金屬氧化物半導體場效應電晶體，包含一汲極、一閘極及一源極，該閘極電性連接至該高壓電阻及該第一電阻，該源極電性連接至該接地端。
T08：設置一控制器，電性連接該汲極。
T10：該直流電壓經由該高壓電阻及該第一電阻分壓產生一判斷電壓至該閘極。
T12：該金屬氧化物半導體場效應電晶體根據該判斷電壓決定該金屬氧化物半導體場效應電晶體的開關狀態，並使該汲極之一電壓準位改變，以產生一脈波電壓訊號。
T14：該控制器根據該脈波電壓訊號進行檢測。
T16：設置一齊納二極體，電性連接至該金屬氧化物半導體場效應電晶體，藉由該齊納二極體箝制該判斷電壓，以保護該金屬氧化物半導體場效應電晶體防止該閘極電壓過高。
T18：設置一驅動電壓供應單元及一限流電阻，該驅動電壓供應單元及該限流電阻以串聯形式電性連接至該金屬氧化物半導體場效應電晶體，並提供該電壓準位。
T20：設置一第二電阻及一電容，該第二電阻與該電容係並聯連接，一端電性連接至該汲極，另一端接地，以減少該控制器受雜訊干擾。
該高壓電阻為複數個電阻以串聯形式組合，並根據每一電阻之耐壓值，使該交流電源供應裝置與該金屬氧化物半導體場效應電晶體之間符合高壓隔離的安規。該控制器係根據該脈波電壓訊號與一預設值進行比較後，以判斷接地狀態。該預設值可為一時間值或一頻率值。該二極體單元包含一第一二極體及一第二二極體，分別接至該交流電源供應裝置火線及中性線(即，兩電源線)，以整流產生該直流電壓。
請參考圖3，其係為本發明之繼電器動作檢測裝置之一 實施例電路圖。一繼電器動作檢測裝置30係透過一第一繼電器40與一第二繼電器50分別耦合至一交流電源供應單元20之火線22與中性線24(即，兩電源線)。
該繼電器動作檢測裝置30包含一接地端102、一第一二極體104、一第二二極體106、一高壓電阻108、一第一電阻110、一金屬氧化物半導體場效應電晶體112、一驅動電壓供應單元114、一控制器116、一齊納二極體118、一限流電阻120、一第二電阻122、一電容124、一第三二極體304、一第一電容306、一第四二極體308及一第二電容310。
該第一二極體104包含一第一端(陽極)10402及一第二端(陰極)10404；該第二二極體106包含一第一端10602(陽極)及一第二端(陰極)10604；該高壓電阻108包含一第一端10802及一第二端10804；該第一電阻110包含一第一端11002及一第二端11004；該金屬氧化物半導體場效應電晶體112包含一汲極11202、一閘極11204及一源極11206。
該第一二極體104之該第一端10402電性連接該第一繼電器40；該第二二極體106之該第一端10602電性連接該第二繼電器50；該第二二極體106之該第二端10604與該第一二極體104之該第二端10404係電性連接並產生一直流電壓2604；該高壓電阻108的該第一端10802電性連接至該第一二極體104的該第二端10404及該第二二極體106之該第二端10604；該高壓電阻108之第二端10804連結該第一電阻110的該第一端11002；該第一電阻110的該第二端11004電性連接至該接地端102；該閘極11204電性連接至該高壓電阻108及該第一電阻110；該源極11206電性連接至該接地端102；該控制器116電性連接該汲極11202。
該直流電壓2604經由該高壓電阻108及該第一電阻110分壓產生一判斷電壓2606至該閘極11204，該金屬氧化物半導體場效應電晶體112根據該判斷電壓2606決定該金屬氧化物半導體場效應電晶體112的開關狀態，並使該汲極11202之一電 壓準位改變，以產生一脈波電壓訊號2610，該控制器116根據該脈波電壓訊號2610進行檢測。
該高壓電阻108為複數個電阻以串聯形式組合，並根據每一電阻之耐壓值，使該交流電源供應裝置20與該金屬氧化物半導體場效應電晶體112之間符合高壓隔離的安規。該控制器116係根據該脈波電壓訊號2610與一預設值進行比較後，以判斷該第一繼電器40及該第二繼電器50動作狀態。
該齊納二極體118電性連接至該金屬氧化物半導體場效應電晶體112，藉由該齊納二極體118箝制該判斷電壓2606，以保護該金屬氧化物半導體場效應電晶體112防止該閘極11204電壓過高。該驅動電壓供應單元114及該限流電阻120以串聯形式電性連接至該金屬氧化物半導體場效應電晶體112，並提供該電壓準位。該第二電阻122與該電容124係並聯連接，一端電性連接至該汲極11202，另一端接地(該接地端102)，以減少該控制器116受雜訊干擾。
該第一繼電器40包含一第一接腳402、一第二接腳404、一第三接腳406及一第四接腳408；該第二繼電器50包含一第一接腳502、一第二接腳504、一第三接腳506及一第四接腳508；該齊納二極體118包含一陽極11802及一陰極11804；該限流電阻120包含一第一端12002及一第二端12004；該第二電阻122包含一第一端12202及一第二端12204；該電容124包含一第一端12402及一第二端12404；該第三二極體304包含一陽極30402及一陰極30404；該第一電容306包含一第一端30602及一第二端30604；該第四二極體308包含一陽極30802及一陰極30804；該第二電容310包含一第一端31002及一第二端31004。
該第一繼電器40的該第一接腳402電性連接至一繼電器驅動電壓供應單元60；該第一繼電器40的該第四接腳408電性連接至該交流電源供應裝置20的該火線22；該第二繼電器50的該第一接腳502電性連接至該繼電器驅動電壓供應單元 60；該第二繼電器50的該第二接腳504電性連接至該控制器116；該第二繼電器50的該第三接腳506電性連接至該第二二極體106的該第一端10602；該第二繼電器50的該第四接腳508電性連接至該交流電源供應裝置20的該中性線24。
該控制器116電性連接至該汲極11202、該驅動電壓供應單元114及該第一繼電器40的該第二接腳404；該齊納二極體118的該陰極11804電性連接至該高壓電阻108的該第二端10804、該第一電阻110的該第一端11002及該閘極11204；該齊納二極體118的該陽極11802電性連接至該接地端102；該限流電阻120的該第一端12002電性連接至該驅動電壓供應單元114；該限流電阻120的該第二端12004電性連接至該汲極11202及該控制器116。
該第二電阻122的該第一端12202電性連接至該汲極11202、該控制器116及該限流電阻120的該第二端12004；該第二電阻122的該第二端12204電性連接至該接地端102；該電容124的該第一端12402電性連接至該汲極11202、該控制器116、該限流電阻120的該第二端12004及該第二電阻122的該第一端12202；該電容124的該第二端12404電性連接至該接地端102。
該第三二極體304的該陽極30402電性連接至該第一繼電器40的該第二接腳404及該控制器116；該第三二極體304的該陰極30404電性連接至該繼電器驅動電壓供應單元60及該第一繼電器40的該第一接腳402；該第一電容306的該第一端30602電性連接至該繼電器驅動電壓供應單元60、該第一繼電器40的該第一接腳402及該第三二極體304的該陰極30404；該第一電容306的該第二端30604電性連接至該接地端102。
該第四二極體308的該陽極30802電性連接至該第二繼電器40的該第二接腳504及該控制器116；該第四二極體308的該陰極30804電性連接至該繼電器驅動電壓供應單元60及該第二繼電器50的該第一接腳502；該第二電容310的該第一端 31002電性連接至該繼電器驅動電壓供應單元60、該第二繼電器50的該第一接腳502及該第四二極體308的該陰極30804；該第二電容310的該第二端31004電性連接至該接地端102。
該金屬氧化物半導體場效應電晶體112的價格小於使用於該相關技術之繼電器動作檢測裝置之光耦合器的價格；該金屬氧化物半導體場效應電晶體112具有高的輸入阻抗且能削減高壓電阻的功率損耗。
請參考圖7，其係為本發明之繼電器動作檢測裝置之另一實施例電路圖。一繼電器動作檢測裝置30係透過一第一繼電器40與一第二繼電器50分別耦合至一交流電源供應單元20之兩電源線(火線22及中性線24)。
該繼電器動作檢測裝置30包含一接地端102、一第一高壓電阻130、一第一電阻110、一金屬氧化物半導體場效應電晶體112、一驅動電壓供應單元114、一控制器116、一齊納二極體118、一限流電阻120、一第二電阻122、一電容124、一第二高壓電阻128、一第三二極體304、一第一電容306、一第四二極體308及一第二電容310。
該第一高壓電阻130包含一第一端13002及一第二端13004；該第一電阻110包含一第一端11002及一第二端11004；該金屬氧化物半導體場效應電晶體112包含一汲極11202、一閘極11204及一源極11206。
該第一高壓電阻130的該第一端13002耦合至該交流電源供應裝置20；該第一高壓電阻130的該第二端13004連結該第一電阻110的該第一端11002；該第一電阻110的該第二端11004電性連接至該接地端102；該閘極11204電性連接至該第一高壓電阻130、該第二高壓電阻128及該第一電阻110；該源極11206電性連接至該接地端102；該控制器116電性連接該汲極11202。
該齊納二極體118電性連接至該金屬氧化物半導體場效應電晶體112，藉由該齊納二極體118箝制一判斷電壓2606， 以保護該金屬氧化物半導體場效應電晶體112防止該閘極11204電壓過高，並於當該接地端102電壓高於該電源供應裝置20的電壓時導通使該閘極11204呈現低準位狀態。該第二高壓電阻128電性連接至該交流電源供應裝置20、該第一高壓電阻130及該第一電阻110。
該第一高壓電阻130、該第二高壓電阻128及該第一電阻110分壓產生該判斷電壓2606至該閘極11204，該金屬氧化物半導體場效應電晶體112根據該判斷電壓2606決定該金屬氧化物半導體場效應電晶體112的開關狀態，並使該汲極11202之一電壓準位改變，以產生一脈波電壓訊號2610，該控制器116根據該脈波電壓訊號2610進行檢測。
該第一高壓電阻130可為例如但不限定為複數個電阻以串聯形式組合；該第二高壓電阻128可為例如但不限定為複數個電阻以串聯形式組合。該齊納二極體118可以整流該判斷電壓2606。
該第一繼電器40包含一第一接腳402、一第二接腳404、一第三接腳406及一第四接腳408；該第二繼電器50包含一第一接腳502、一第二接腳504、一第三接腳506及一第四接腳508；該齊納二極體118包含一陽極11802及一陰極11804；該限流電阻120包含一第一端12002及一第二端12004；該第二電阻122包含一第一端12202及一第二端12204；該電容124包含一第一端12402及一第二端12404；該第三二極體304包含一陽極30402及一陰極30404；該第一電容306包含一第一端30602及一第二端30604；該第四二極體308包含一陽極30802及一陰極30804；該第二電容310包含一第一端31002及一第二端31004。該交流電源供應裝置20傳送一交流電源2602至該繼電器動作檢測裝置30。該第一繼電器40的該第一接腳402電性連接至一繼電器驅動電壓供應單元60。
請參考圖4，其為本發明之繼電器動作檢測方法之一實施例流程圖。本發明之繼電器動作檢測方法係應用於一第一繼 電器與一第二繼電器，該第一繼電器與該第二繼電器分別耦合至一交流電源供應單元之火線與中性線(即，兩電源線)，該繼電器動作檢測裝置方法包含下列步驟：
V02：設置一第一二極體，包含一第一端及一第二端，該第一二極體之該第一端電性連接該第一繼電器。
V04：設置一第二二極體，包含一第一端及一第二端，該第二二極體之該第一端電性連接該第二繼電器，且該第二二極體之該第二端與該第一二極體之該第二端係電性連接並產生一直流電壓。
V06：設置一高壓電阻，該高壓電阻包含一第一端及一第二端，該高壓電阻的該第一端電性連接至該第一二極體的該第二端及該第二二極體之該第二端，該高壓電阻之第二端連結一第一電阻的一第一端，該第一電阻的一第二端電性連接至一接地端。
V08：設置一金屬氧化物半導體場效應電晶體，包含一汲極、一閘極及一源極，該閘極電性連接至該高壓電阻及該第一電阻，該源極電性連接至該接地端。
V10：設置一控制器，電性連接該汲極。
V12：該直流電壓經由該高壓電阻及該第一電阻分壓產生一判斷電壓至該閘極。
V14：該金屬氧化物半導體場效應電晶體根據該判斷電壓決定該金屬氧化物半導體場效應電晶體的開關狀態，並使該汲極之一電壓準位改變，以產生一脈波電壓訊號。
V16：該控制器根據該脈波電壓訊號進行檢測。
V18：設置一齊納二極體，電性連接至該金屬氧化物半導體場效應電晶體，藉由該齊納二極體箝制該判斷電壓，以保護該金屬氧化物半導體場效應電晶體防止該閘極電壓過高。
V20：設置一驅動電壓供應單元及一限流電阻，該驅動電壓供應單元及該限流電阻以串聯形式電性連接至該金屬氧化物半導體場效應電晶體，並提供該電壓準位。
V22：設置一第二電阻及一電容，該第二電阻與該電容係並聯連接，一端電性連接至該汲極，另一端接地，以減少該控制器受雜訊干擾。
該高壓電阻為複數個電阻以串聯形式組合，並根據每一電阻之耐壓值，使該交流電源供應裝置與該金屬氧化物半導體場效應電晶體之間符合高壓隔離的安規。該控制器係根據該脈波電壓訊號與一預設值進行比較後，以判斷該第一繼電器及該第二繼電器動作狀態。
本發明之功效在於降低接地檢測裝置的成本及繼電器動作檢測裝置的成本。
然以上所述者，僅為本發明之較佳實施例，當不能限定本發明實施之範圍，即凡依本發明申請專利範圍所作之均等變化與修飾等，皆應仍屬本發明之專利涵蓋範圍意圖保護之範疇。綜上所述，當知本發明已具有產業利用性、新穎性與進步性，又本發明之構造亦未曾見於同類產品及公開使用，完全符合發明專利申請要件，爰依專利法提出申請。
10‧‧‧接地檢測裝置
20‧‧‧交流電源供應裝置
22‧‧‧火線
24‧‧‧中性線
102‧‧‧接地端
104‧‧‧第一二極體
106‧‧‧第二二極體
108‧‧‧高壓電阻
110‧‧‧第一電阻
112‧‧‧金屬氧化物半導體場效應電晶體
114‧‧‧驅動電壓供應單元
116‧‧‧控制器
118‧‧‧齊納二極體
120‧‧‧限流電阻
122‧‧‧第二電阻
124‧‧‧電容
126‧‧‧二極體單元
2602‧‧‧交流電源
2604‧‧‧直流電壓
2606‧‧‧判斷電壓
2608‧‧‧驅動電壓
2610‧‧‧脈波電壓訊號
10402‧‧‧第一端
10404‧‧‧第二端
10602‧‧‧第一端
10604‧‧‧第二端
10802‧‧‧第一端
10804‧‧‧第二端
11002‧‧‧第一端
11004‧‧‧第二端
11202‧‧‧汲極
11204‧‧‧閘極
11206‧‧‧源極
11802‧‧‧陽極
11804‧‧‧陰極
12002‧‧‧第一端
12004‧‧‧第二端
12202‧‧‧第一端
12204‧‧‧第二端
12402‧‧‧第一端
12404‧‧‧第二端

Claims (23)

  1. 一種接地檢測裝置，係電性連接於一交流電源供應裝置，該接地檢測裝置包含：一二極體單元，該二極體單元係電性連接該交流電源供應裝置並產生一直流電壓；一高壓電阻，該高壓電阻包含一第一端及一第二端，該高壓電阻的該第一端電性連接至該二極體單元，該高壓電阻的該第二端連結一第一電阻的一第一端，該第一電阻的一第二端電性連接至一接地端；一金屬氧化物半導體場效應電晶體，包含一汲極、一閘極及一源極，該閘極電性連接至該高壓電阻及該第一電阻，該源極電性連接至該接地端；及一控制器，電性連接該汲極，其中，該直流電壓經由該高壓電阻及該第一電阻分壓產生一判斷電壓至該閘極，該金屬氧化物半導體場效應電晶體根據該判斷電壓決定該金屬氧化物半導體場效應電晶體的開關狀態，並使該汲極之一電壓準位改變，以產生一脈波電壓訊號，該控制器根據該脈波電壓訊號進行接地檢測；其中，該控制器係根據該脈波電壓訊號與一預設值進行比較後，以判斷接地狀態；該預設值係為一時間值或一頻率值。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之接地檢測裝置，其中該高壓電阻為複數個電阻以串聯形式組合，並根據每一電阻之耐壓值，使該交流電源供應裝置與該金屬氧化物半導體場效應電晶體之間符合高壓隔離的安規。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之接地檢測裝置，其中該二極體單元包含一第一二極體及一第二二極體，分別接至該交流電源供應裝置兩電源線，以整流產生該直流電壓。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之接地檢測裝置，更包含一齊納二極體，電性連接至該金屬氧化物半導體場效應電晶體，藉由該齊納二極體箝制該判斷電壓，以保護該金屬氧化物半導體場效應電晶體防止 該閘極電壓過高。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之接地檢測裝置，更包含一驅動電壓供應單元及一限流電阻，該驅動電壓供應單元及該限流電阻以串聯形式電性連接至該金屬氧化物半導體場效應電晶體，並提供該電壓準位。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之接地檢測裝置，更包含二第二電阻及一電容，該第二電阻與該電容係並聯連接，一端電性連接至該汲極，另一端接地，以減少該控制器受雜訊干擾。
  7. 一種接地檢測裝置，係電性連接於一交流電源供應裝置，該接地檢測裝置包含：一第一高壓電阻，該第一高壓電阻包含一第一端及一第二端，該第一高壓電阻的該第一端耦合至該交流電源供應裝置，該第一高壓電阻的該第二端連結一第一電阻的一第一端，該第一電阻的一第二端電性連接至一接地端；一第二高壓電阻，該第二高壓電阻電性連接至該交流電源供應裝置、該第一高壓電阻及該第一電阻；一金屬氧化物半導體場效應電晶體，包含一汲極、一閘極及一源極，該閘極電性連接至該第一高壓電阻、該第二高壓電阻及該第一電阻，該源極電性連接至該接地端；一齊納二極體，電性連接至該金屬氧化物半導體場效應電晶體，藉由該齊納二極體箝制一判斷電壓，以保護該金屬氧化物半導體場效應電晶體防止該閘極電壓過高，並於當該接地端電壓高於該電源供應裝置的電壓時導通使該閘極呈現低準位狀態；及一控制器，電性連接該汲極，其中，該第一高壓電阻、該第二高壓電阻及該第一電阻分壓產生該判斷電壓至該閘極，該金屬氧化物半導體場效應電晶體根據該判斷電壓決定該金屬氧化物半導體場效應電晶體的開關狀態，並使該汲極之一電壓準位改變，以產生一脈波電壓訊號，該控制器根據該脈波電壓訊號進行接地檢測；其中，該控制器係根據該脈波電壓訊號與一預設值進行比較後，以判 斷接地狀態；該預設值係為一時間值或一頻率值。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之接地檢測裝置，其中該第一高壓電阻為複數個電阻以串聯形式組合；該第二高壓電阻為複數個電阻以串聯形式組合。
  9. 一種繼電器動作檢測裝置，係透過一第一繼電器與一第二繼電器分別耦合至一交流電源供應單元之兩電源線，該繼電器動作檢測裝置包含：一第一二極體，包含一第一端及一第二端，該第一二極體之該第一端電性連接該第一繼電器；一第二二極體，包含一第一端及一第二端，該第二二極體之該第一端電性連接該第二繼電器，且該第二二極體之該第二端與該第一二極體之該第二端係電性連接並產生一直流電壓；一高壓電阻，該高壓電阻包含一第一端及一第二端，該高壓電阻的該第一端電性連接至該第一二極體的該第二端及該第二二極體之該第二端，該高壓電阻之第二端連結一第一電阻的一第一端，該第一電阻的一第二端電性連接至一接地端；一金屬氧化物半導體場效應電晶體，包含一汲極、一閘極及一源極，該閘極電性連接至該高壓電阻及該第一電阻，該源極電性連接至該接地端；及一控制器，電性連接該汲極，其中，該直流電壓經由該高壓電阻及該第一電阻分壓產生一判斷電壓至該閘極，該金屬氧化物半導體場效應電晶體根據該判斷電壓決定該金屬氧化物半導體場效應電晶體的開關狀態，並使該汲極之一電壓準位改變，以產生一脈波電壓訊號，該控制器根據該脈波電壓訊號進行繼電器動作檢測；其中，該控制器係根據該脈波電壓訊號與一預設值進行比較後，以判斷該第一繼電器及該第二繼電器動作狀態；該預設值係為一時間值或一頻率值。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之繼電器動作檢測裝置，其中該高壓電阻為複數個電阻以串聯形式組合，並根據每一電阻之耐壓值， 使該交流電源供應裝置與該金屬氧化物半導體場效應電晶體之間符合高壓隔離的安規。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之繼電器動作檢測裝置，更包含一齊納二極體，電性連接至該金屬氧化物半導體場效應電晶體，藉由該齊納二極體箝制該判斷電壓，以保護該金屬氧化物半導體場效應電晶體防止該閘極電壓過高。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之繼電器動作檢測裝置，更包含一驅動電壓供應單元及一限流電阻，該驅動電壓供應單元及該限流電阻以串聯形式電性連接至該金屬氧化物半導體場效應電晶體，並提供該電壓準位。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之繼電器動作檢測裝置，更包含一第二電阻及一電容，該第二電阻與該電容係並聯連接，一端電性連接至該汲極，另一端接地，以減少該控制器受雜訊干擾。
  14. 一種繼電器動作檢測裝置，係透過一第一繼電器與一第二繼電器分別耦合至一交流電源供應單元之兩電源線，該繼電器動作檢測裝置包含：一第一高壓電阻，該第一高壓電阻包含一第一端及一第二端，該第一高壓電阻的該第一端耦合至該交流電源供應裝置，該第一高壓電阻之第二端連結一第一電阻的一第一端，該第一電阻的一第二端電性連接至一接地端；一第二高壓電阻，該第二高壓電阻電性連接至該交流電源供應裝置、該第一高壓電阻及該第一電阻；一金屬氧化物半導體場效應電晶體，包含一汲極、一閘極及一源極，該閘極電性連接至該第一高壓電阻、該第二高壓電阻及該第一電阻，該源極電性連接至該接地端；一齊納二極體，電性連接至該金屬氧化物半導體場效應電晶體，藉由該齊納二極體箝制一判斷電壓，以保護該金屬氧化物半導體場效應電晶體防止該閘極電壓過高，並於當該接地端電壓高於該電源供應裝置的電壓時導通使該閘極呈現低準位狀態；及一控制器，電性連接該汲極， 其中，該第一高壓電阻、該第二高壓電阻及該第一電阻分壓產生該判斷電壓至該閘極，該金屬氧化物半導體場效應電晶體根據該判斷電壓決定該金屬氧化物半導體場效應電晶體的開關狀態，並使該汲極之一電壓準位改變，以產生一脈波電壓訊號，該控制器根據該脈波電壓訊號進行繼電器動作檢測；其中，該控制器係根據該脈波電壓訊號與一預設值進行比較後，以判斷該第一繼電器及該第二繼電器動作狀態；該預設值係為一時間值或一頻率值。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之繼電器動作檢測裝置，其中該第一高壓電阻為複數個電阻以串聯形式組合；該第二高壓電阻為複數個電阻以串聯形式組合。
  16. 一種接地檢測方法，係應用於一交流電源供應裝置，該接地檢測方法包含：a.設置一二極體單元，該二極體單元係電性連接該交流電源供應裝置並產生一直流電壓；b.設置一高壓電阻，該高壓電阻包含一第一端及一第二端，該高壓電阻的該第一端電性連接至該二極體單元，該高壓電阻的該第二端連結一第一電阻的一第一端，該第一電阻的一第二端電性連接至一接地端；c.設置一金屬氧化物半導體場效應電晶體，包含一汲極、一閘極及一源極，該閘極電性連接至該高壓電阻及該第一電阻，該源極電性連接至該接地端；d.設置一控制器，電性連接該汲極；e.該直流電壓經由該高壓電阻及該第一電阻分壓產生一判斷電壓至該閘極；f.該金屬氧化物半導體場效應電晶體根據該判斷電壓決定該金屬氧化物半導體場效應電晶體的開關狀態，並使該汲極之一電壓準位改變，以產生一脈波電壓訊號；及g.該控制器根據該脈波電壓訊號進行接地檢測；其中，該控制器係根據該脈波電壓訊號與一預設值進行比較後，以判斷接地狀態；該預設值係為一時間值或一頻率值。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之接地檢測方法，其中該高壓電阻為複數個電阻以串聯形式組合，並根據每一電阻之耐壓值，使該交流電源供應裝置與該金屬氧化物半導體場效應電晶體之間符合高壓隔離的安規。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之接地檢測方法，其中該二極體單元包含一第一二極體及一第二二極體，分別接至該交流電源供應裝置兩電源線，以整流產生該直流電壓。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之接地檢測方法，更包含：h.設置一齊納二極體，電性連接至該金屬氧化物半導體場效應電晶體，藉由該齊納二極體箝制該判斷電壓，以保護該金屬氧化物半導體場效應電晶體防止該閘極電壓過高。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之接地檢測方法，更包含：i.設置一驅動電壓供應單元及一限流電阻，該驅動電壓供應單元及該限流電阻以串聯形式電性連接至該金屬氧化物半導體場效應電晶體，並提供該電壓準位。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之接地檢測方法，更包含：j.設置一第二電阻及一電容，該第二電阻與該電容係並聯連接，一端電性連接至該汲極，另一端接地，以減少該控制器受雜訊干擾。
  22. 一種繼電器動作檢測方法，係應用於一第一繼電器與一第二繼電器，該第一繼電器與該第二繼電器分別耦合至一交流電源供應單元之兩電源線，該繼電器動作檢測裝置方法包含：a.設置一第一二極體，包含一第一端及一第二端，該第一二極體之該第一端電性連接該第一繼電器；b.設置一第二二極體，包含一第一端及一第二端，該第二二極體之該第一端電性連接該第二繼電器，且該第二二極體之該第二端與該第一二極體之該第二端係電性連接並產生一直流電壓；c.設置一高壓電阻，該高壓電阻包含一第一端及一第二端，該高壓電阻的該第一端電性連接至該第一二極體的該第二端及該第二二極體之該第二端，該高壓電阻之第二端連結一第一電阻的一第一端，該第一電阻的一第二端電性連接至一接地端； d.設置一金屬氧化物半導體場效應電晶體，包含一汲極、一閘極及一源極，該閘極電性連接至該高壓電阻及該第一電阻，該源極電性連接至該接地端；e.設置一控制器，電性連接該汲極；f.該直流電壓經由該高壓電阻及該第一電阻分壓產生一判斷電壓至該閘極；g.該金屬氧化物半導體場效應電晶體根據該判斷電壓決定該金屬氧化物半導體場效應電晶體的開關狀態，並使該汲極之一電壓準位改變，以產生一脈波電壓訊號；及h.該控制器根據該脈波電壓訊號進行繼電器動作檢測；其中，該控制器係根據該脈波電壓訊號與一預設值進行比較後，以判斷該第一繼電器及該第二繼電器動作狀態；該預設值係為一時間值或一頻率值。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之繼電器動作檢測方法，其中該高壓電阻為複數個電阻以串聯形式組合，並根據每一電阻之耐壓值，使該交流電源供應裝置與該金屬氧化物半導體場效應電晶體之間符合高壓隔離的安規。
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