TWI559424B - 半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法 - Google Patents

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TWI559424B TW104107012A TW104107012A TWI559424B TW I559424 B TWI559424 B TW I559424B TW 104107012 A TW104107012 A TW 104107012A TW 104107012 A TW104107012 A TW 104107012A TW I559424 B TWI559424 B TW I559424B
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半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法
本發明是有關於一種半導體製程的監控方法，且特別是有關於一種半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法。
在半導體製程中，晶圓的金屬污染會對製品的元件特性造成不良的影響。例如，將製品進行熱處理，則會使得鐵(Fe)或鎳(Ni)等重金屬藉由擴散而進入至矽晶圓中，並且使帶隙中形成深的能階(level)而作為載子捕獲中心或再結合中心，從而成為元件中的pn接面洩漏或壽命減少的原因。因此，為了監控製程中金屬污染的程度，而尋求一種可即時監控及高可靠度的監控方法。
在影像感測器中，對金屬的容忍度是有限度的，若在製造過程中被金屬污染則會影響照相的品質。在互補金屬氧化物半導體影像感測器(CMOS image sensor，CIS)製程中，是利用磊晶區域(Epitaxy area)的PN接面作為感光區。若只偵測晶圓表面的金屬污染狀態是不足夠代表整個晶圓的金屬汙染狀況，必須要能進一步監測到感光區的金屬污染才能夠符合CIS製程的金屬監控機制。
然而，由製程引起的金屬污染大致可分為兩類：一類為熱處理前的製程，另一類則是熱處理製程本身。由熱處理製程本身引起的金屬污染的原因可能為從熱處理環境混入的金屬雜質而引起；或由熱處理製程中因與污染源(例如包含金屬成分的微粒、或熱處理載具、基座、支點、各種金屬製夾具、等)的接觸，而使得污染源的金屬雜質附著於半導體晶圓，並且在熱處理製程中擴散至接觸部分附近而引起金屬污染。
近年來，在作為半導體基板的晶圓中，為了強化本徵吸氣(Intrinsic gettering)的功能，其內部高密度地存在氧析出物(主體微缺陷，Bulk Micro Defect；BMD)或成為其成長核的微小缺陷。然而，半導體晶圓的金屬污染會減少壽命或擴散長度的測定值，而上述BMD或微小的缺陷亦會減少壽命或擴散長度的測定值。所以半導體晶圓內的BMD或微小的缺陷以及晶圓表面的狀態，會影響表面光電壓所測量的擴散長度的測定值大小，而使得測量值錯誤並造成金屬汙染與否的誤判。
本發明提供一種半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法，有效的藉由測量表面光電壓來即時監控製程機台的汙染程度，測量深度更深，可用於CIS製程的金屬監控中，且可藉由重複使用監控用的晶圓而降低生產成本。
本發明的半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法，包括： 對一晶圓進行一快速熱氧化製程；以及對快速熱氧化製程後的所述晶圓進行一表面光電壓的測量。
在本發明的一實施例中，所述晶圓重複使用於金屬汙染即時監控。
在本發明的一實施例中，所述晶圓摻雜有硼原子。
在本發明的一實施例中，所述快速熱氧化製程的製程溫度範圍為600℃至1050℃。
在本發明的一實施例中，所述快速熱氧化製程所生成的氧化層厚度為5Å至15Å。
在本發明的一實施例中，更包含另一晶圓作為參考控片。
本發明的半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法，包括：一晶圓的金屬汙染參考值測試，以及一製程處理機台的金屬汙染即時監控測試；其中，所述晶圓的金屬汙染參考值測試，包括：對一晶圓進行一晶圓清洗處理、對所述晶圓進行一快速熱氧化製程、以及對快速熱氧化製程後的所述晶圓進行一表面光電壓的測量，以得到所述晶圓的金屬原子的擴散長度與金屬原子的濃度以作為參考值；所述製程處理機台的金屬汙染即時監控，包括：對所述晶圓進行一氧化物移除處理與晶圓清洗處理、使用一製程處理機台對所述晶圓進行一製程處理、對製程處理後的所述晶圓進行一快速熱氧化製程、以及對快速熱氧化製程後的所述晶圓進行所述表面光電壓的測量，以得到經過所述製程處理機台製程處理的所述晶圓的金屬原子的擴散長度與金屬原子的濃度。
在本發明的一實施例中，所述晶圓重複使用於金屬汙染即時監控。
在本發明的一實施例中，所述晶圓摻雜有硼原子。
在本發明的一實施例中，所述氧化物移除處理是利用氟化氫(HF)來移除所述晶圓表面的氧化物；所述晶圓清洗處理是分別以硫酸與過氧化氫的溶液(SPM)、氨水與過氧化氫的溶液(APM)、以及鹽酸溶液(HCl)來洗淨所述晶圓。
在本發明的一實施例中，所述製程處理依照製程的溫度分為低溫製程與高溫製程。
在本發明的一實施例中，所述低溫製程包含選自於濕蝕刻製程、離子金屬電漿製程中的一種低溫製程；所述高溫製程包含選自於高溫爐管化學氣相沉積、高溫爐管物理氣相沉積、快速升溫退火原位蒸氣生成法、快速升溫退火中的一種高溫製程。
在本發明的一實施例中，所述高溫製程後進行所述氧化物移除處理與晶圓清洗處理。
在本發明的一實施例中，所述快速熱氧化製程的製程溫度範圍為600℃至1050℃。
在本發明的一實施例中，所述快速熱氧化製程所生成的氧化層厚度為5Å至15Å。
在本發明的一實施例中，更包含另一晶圓作為參考控片。
在本發明的一實施例中，金屬汙染即時監控方法是藉由監控製程處理後的金屬原子的擴散長度差異或金屬原子的濃度差 異來評估。
基於上述，由於本發明所提出的半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法，可以有效的藉由測量表面光電壓即時監控製程機台的汙染程度，且測量深度更深可達100μm以上，且可用於CIS製程的金屬監控中，並且藉由重複使用監控用的晶圓而降低生產成本。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
100、101、102、103、104、105、106、107、108‧‧‧步驟
a‧‧‧晶圓的金屬汙染參考值測試
b‧‧‧製程處理機台的金屬汙染即時監控測試
NG‧‧‧遭受汙染
圖1A與圖1B是依照本發明的一實施例的半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法的流程圖，其用於低溫製程。
圖2A與圖2B是依照本發明的另一實施例的半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法的流程圖，其用於高溫製程。
圖3是依照本發明的一實施例的半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法的金屬原子的擴散長度隨著運作次數的變化圖。
圖4是依照本發明的一實施例的半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法的金屬原子的濃度隨著運作次數的變化圖。
圖5是快速熱氧化製程對表面光電壓測量的影響變化圖。
本發明的半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法可以依照製程處理的溫度分為低溫製程與高溫製程。其中，所述的半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法可用於監控包括如下機台的金屬汙染：1.低溫製程機台：黃光機台、蝕刻機台、濕蝕刻機台、離子植入機台等；2.高溫製程機台：爐管機台、快速退火機台、物理氣相沉積機台、化學氣相沉積機台等。
以下，說明本發明的一實施例的半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法，其用於低溫製程。
圖1A與圖1B是本發明一實施例的半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法的流程圖，其用於低溫製程。請參閱圖1A與圖1B，本實施例的半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法包括晶圓的金屬汙染參考值測試a，以及製程處理機台的金屬汙染即時監控測試b。圖1A中的金屬汙染參考值測試a是為了確認晶圓的汙染程度，而作為參考值；圖1B中的製程處理機台的金屬汙染即時監控測試b則是為了監控製程處理機台的汙染程度。
請參閱圖1A，本發明的晶圓的金屬汙染參考值測試a包括如下步驟100至步驟103。
首先，在步驟100中，提供一晶圓，所述晶圓例如是N型矽晶圓、P型矽晶圓等。在一實施例中，摻雜有硼原子而成為P型矽晶圓。其中，摻雜的硼原子容易與雜質原子結合，而可以提高表面光電壓測試的感度。在一實施例中，除了所述晶圓用作製程處理機台的控片外，更包含另一晶圓作為參考控片，並且以參考 控片所量測的值作為參考值。其中，所述參考控片僅進行金屬汙染參考值測試a，而不進行製程處理機台的金屬汙染即時監控測試b。此外，藉由使用額外的參考控片，可正確判斷所欲監控的製程機台的金屬汙染程度，並且可以監控量測機台(即表面光電壓量測機台)的穩定度。
接著，在步驟101中，進行晶圓清洗處理，所述晶圓清洗處理包含分別以硫酸與過氧化氫的溶液(sulfuric peroxide mixture，SPM)、氨水與過氧化氫的溶液(ammonium peroxide mixture，APM)、以及鹽酸溶液(HCl)來洗淨所述晶圓。藉由上述的晶圓清洗處理，可以有效移除吸附在晶圓表面的有機物和金屬離子。
然後，在步驟102中，對進行晶圓清洗處理後的所述晶圓進行快速熱氧化製程(Rapid Thermal Oxidation，RTO)，以於所述晶圓表面生成氧化物，用以穩定晶圓表面的電荷與鍵結。在一實施例中，快速熱氧化製程的製程溫度範圍較佳為600℃至1050℃，更佳為約700℃；快速熱氧化製程的所生成的氧化層厚度較佳為5Å至15Å。
最後，在步驟103中，對快速熱氧化製程後的所述晶圓進行表面光電壓(surface photo voltage，SPV)的測量，以得到作為參考值的晶圓中的金屬原子的擴散長度(diffusion length)DL_ref與金屬原子的濃度[Metal]_ref，測量值即晶圓本身所含有的金屬原子濃度所造成的訊號。此外，根據表面光電壓量測原理， 所述的金屬原子可泛指所有的金屬雜質原子。在一實施例中，所測量的金屬原子為鐵。
本發明的製程處理機台的金屬汙染即時監控b，包括如下步驟104至步驟108。
首先，在步驟104中，對晶圓的金屬汙染參考值測試a測試後的晶圓進行氧化物移除處理與晶圓清洗處理，其中氧化物移除處理是利用氟化氫(HF)來移除所述晶圓表面的氧化物，晶圓清洗處理則與前述的晶圓清洗處理相同，故不再贅述。
接著，在步驟105中，使用製程處理機台對所述晶圓進行製程處理。在本實施例中，使用製程處理機台所進行的製程處理為低溫製程，例如是含選自於濕蝕刻製程、離子金屬電漿(ionized metal plasma，IMP)製程中的一種低溫製程。在一實施例中，製程處理例如是濕蝕刻製程。
然後，在步驟107中，對低溫製程處理後的所述晶圓進行一快速熱氧化製程，以於晶圓表面生成氧化物，用於穩定晶圓表面的電荷與鍵結。在一實施例中，快速熱氧化製程的製程溫度範圍較佳為600℃至1050℃，更佳為約700℃；快速熱氧化製程107的所生成的氧化層厚度較佳為5Å至15Å。
最後，在步驟108中，對快速熱氧化製程後的所述晶圓進行表面光電壓的測量，以得到經過所述製程處理機台製程處理的所述晶圓中的金屬原子的擴散長度DL_EQ與金屬原子的濃度[Metal]_EQ。其中，所述金屬汙染即時監控方法是藉由比較不同 運作次數的監控製程處理後的金屬原子的擴散長度差異或金屬原子的濃度差異來評估。
舉例來說，作為參考值的晶圓本身的金屬原子的擴散長度為DL_ref，不同運作次數的金屬原子的擴散長度差異(Delta DL_ref)為DL_ref(n)-DL_ref(n+1)，其中n為運作次數；作為參考值的本身的金屬原子的濃度為[Metal]_ref，不同運作次數的金屬原子的濃度差異(Delta[Metal]_ref)為[Metal]_ref(n+1)-[Metal]_ref(n)，其中n為運作次數。
機台所造成的晶圓的金屬汙染的金屬原子的擴散長度為DL_EQ，機台在不同運作次數所造成的晶圓的金屬汙染的金屬原子的擴散長度差異(Delta DL_EQ)為DL_EQ(n)-DL_EQ(n+1)，其中n為運作次數；機台所造成的晶圓的金屬汙染的金屬原子的濃度為[Metal]_EQ，不同運作次數所造成的晶圓的金屬汙染的金屬原子的濃度差異(Delta[Metal]_EQ)為[Metal]_EQ(n+1)-[Metal]_EQ(n)，其中n為運作次數。所述金屬汙染即時監控方法是藉擴散長度的差異或者金屬濃度的差異(即Delta DL_ref以及Delta DL_EQ，或者Delta[Metal]_ref以及Delta[Metal]_EQ)，來判斷製程機台是否遭受金屬汙染。
接著，說明本發明另一半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法，其為用於高溫製程。
圖2A與圖2B是本發明另一實施例的半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法的流程圖，其用於高溫製程。請參閱圖2A與圖 213，本實施例的半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法主要包括晶圓的金屬汙染參考值測試a，以及製程處理機台的金屬汙染即時監控測試b。其中，晶圓的金屬汙染參考值測試a的部分與上述低溫製程時的半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法相同，故省略其詳細說明。
本發明在高溫製程時的製程處理機台的金屬汙染即時監控b，包括如下步驟104至步驟108。
首先，在步驟104中，對晶圓的金屬汙染參考值測試a測試後的晶圓進行氧化物移除處理與晶圓清洗處理，其中氧化物移除處理與晶圓清洗處理與上述低溫製程時的半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法相同，故不再贅述。
接著，在步驟105中，使用製程處理機台對所述晶圓進行製程處理。在本實施例中，使用製程處理機台所進行的製程為高溫製程，例如是包含選自於高溫爐管化學氣相沉積、高溫爐管物理氣相沉積、快速升溫退火原位蒸氣生成法、快速升溫退火中的一種高溫製程。在一實施例中，製程處理例如是高溫爐管化學氣相沉積。
然後，在步驟106中，對高溫製程處理後的所述晶圓進行另一氧化物移除處理與晶圓清洗處理，藉此移除因製程處理機台在高溫時在晶圓表面所生成的氧化物。
然後，在步驟107中，對清除氧化物的高溫製程處理後的所述晶圓進行快速熱氧化製程，以於晶圓表面生成氧化物，用 於穩定晶圓表面的電荷與鍵結。在一實施例中，快速熱氧化製程的製程溫度範圍較佳為600℃至1050℃，更佳為約700℃；快速熱氧化製程的所生成的氧化層厚度較佳為5Å至15Å。
最後，在步驟108中，對快速熱氧化製程後的所述晶圓進行表面光電壓的測量，以得到經過所述製程處理機台製程處理的所述晶圓中的金屬原子的擴散長度DL_EQ與金屬原子的濃度[Metal]_EQ。其中，所述金屬汙染即時監控方法是藉由比較不同運作次數的監控製程處理後的金屬原子的擴散長度差異或金屬原子的濃度差異來評估。
舉例來說，作為參考值的晶圓的本身所造成的金屬原子的擴散長度為DL_ref，不同運作次數的金屬原子的擴散長度差異(Delta DL_ref)為DL_ref(n)-DL_ref(n+1)，其中n為運作次數；作為參考值的晶圓本身的金屬原子的濃度為[Metal]_ref，晶圓在不同運作次數的金屬原子的濃度差異(Delta[Metal]ref)為[Metal]_ref(n)-[Metal]_ref(n+1)，其中n為運作次數。
機台所造成的晶圓的金屬汙染的金屬原子的擴散長度為DL_EQ，機台在不同運作次數所造成的晶圓的金屬汙染的金屬原子的擴散長度差異(Delta DL_EQ)為DL_EQ(n)-DL_EQ(n+1)，其中n為運作次數；機台所造成的晶圓的金屬汙染的金屬原子的濃度為[Metal]_EQ，不同運作次數所造成的晶圓的金屬汙染的金屬原子的濃度差異(Delta[Metal]_EQ)為[Metal]_EQ(n+1)-[Metal]_EQ(n)，其中n為運作次數。所述金屬汙染即時監控方法 是藉擴散長度的差異或者金屬濃度的差異(即Delta DL_ref以及Delta DL_EQ，或者Delta[Metal]_ref以及Delta[Metal]_EQ)，來判斷製程機台是否遭受金屬汙染。
此外，根據表面光電壓量測原理，所述的金屬原子可泛指所有的金屬雜質原子。在本發明的一實例中，金屬汙染的汙染源為鐵的情況下，使用除了所述晶圓用作製程處理機台的控片外，更包含另一晶圓作為參考控片來測量參考值。藉由本發明的半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法來監控晶圓污染，其結果如圖3與圖4所示。其中，圖3為本發明的一實施例的金屬原子的擴散長度隨著運作次數的變化圖，圖4則為本發明的一實施例的半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法的金屬原子的濃度隨著運作次數的變化圖。
圖3的金屬原子的擴散長度隨著運作次數的變化圖中，橫軸為運作次數，右方縱軸代表擴散長度(μm)，左方縱軸代表擴散長度差(即Delta DL_ref=DL_ref(n)-DL_ref(n+1)或Delta DL_EQ=DL_EQ(n)-DL_EQ(n+1))(μm)，其中DL_ref(n)為參考控片在第n次操作下的鐵原子的擴散長度，DL_EQ(n)為製程處理機台的控片在第n次操作下的鐵原子的擴散長度。由圖3可知，當機台遭受金屬汙染時，可透過本發明的半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法，藉由比較不同運作次數的金屬原子的擴散長度差異來評估是否遭受金屬汙染(即比較Delta DL_ref與Delta DL_EQ隨著運作次數的變化曲線)，當Delta DL_EQ比起Delta DL_ref大幅增加 時，即代表該次晶圓的製程處理遭受了金屬汙染，以NG符號表示。
圖4的金屬原子的濃度隨著運作次數的變化圖中，橫軸為運作次數，右方縱軸代表晶圓中的鐵濃度(atm/cm3)，左方縱軸代表擴散長度差(即Delta[Fe]_ref=[Fe]_ref(n+1)-[Fe]_ref(n1)或Delta[Fe]_EQ=[Fe]_EQ(n+1)-[Fe]_EQ(n))(atm/cm3)，其中[Fe]_ref(n1)為參考控片在第n次操作下的鐵濃度，[Fe]_EQ(n)為製程處理機台的控片在第n次操作下的鐵濃度。由圖4可知，當機台遭受金屬汙染時，可透過本發明的半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法，藉由比較不同運作次數前後的金屬原子的濃度差異來評估是否遭受金屬汙染(即比較Delta[Fe]_ref與Delta[Fe]_EQ隨著運作次數的變化曲線)，當Delta[Fe]_EQ比起Delta[Fe]_ref大幅增加時，即代表該次晶圓的製程處理遭受了鐵的汙染，以NG符號表示。
此外，本發明是藉由將晶圓進行快速熱氧化製程而有效地使得表面光電壓測量的數值穩定。在圖5中，橫軸為運作次數，右方縱軸代表擴散長度(μm)，左方縱軸代表擴散長度差(即Delta DL_without RTO=DL_without RTO(n)-DL_without RTO(n+1)或Delta DL_with RTO=DL_with RTO(n)-DL_with RTO(n+1)，其中DL_with RTO(n)為晶圓經過快速熱氧化製程後在第n次操作下的鐵原子的擴散長度，DL_without RTO(n)為晶圓未經過快速熱氧化製程的第n次操作下的鐵原子的擴散長度。
如圖5所示，使用相同條件的未經過製程機台處理的晶圓來進行表面光電壓的測量，並且比較快速熱氧化製程對表面光電壓測量的影響，其中未經過快速熱氧化製程處理的晶圓會因內部高密度地存在氧析出物(主體微缺陷，Bulk Bicro Defect；BMD)或成為其成長核的微小缺陷，而使得晶圓表面的電荷分布異常而造成表面光電壓測量的不穩定。因此，藉由比較圖5中的Delta DL_without RTO與Delta DL_with RTO的數據可知，當晶圓若在表面光電壓測量前未經快速熱氧化製程處理時，會使得表面光電壓的測量波動而不具再現性；若在表面光電壓測量前進行快速熱氧化製程，則可穩定晶圓表面的電荷分布，而使得表面光電壓的測量具有再現性。
另外，特別要說明的是，本發明的半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法中的晶圓可重複使用於金屬汙染即時監控，而降低生產成本以及突顯出製程機台的金屬汙染程度。
綜上所述，本發明提供一種半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法，可藉由執行快速熱氧化製程在晶圓表面生成氧化物，來改善晶圓表面的電荷與鍵結狀態，使晶圓表面的電荷與鍵結狀態一致，且抑制自然生成的氧化物的生成，而使得表面光電壓的測量穩定。藉此，發展出一套有效的方法，可以即時監控製程機台的金屬汙染程度。而且，透過將控片重複使用，利用控片測量的前後值的相減，而可去除半導體晶圓前製程的影響，並且減少製造成本並突顯製程機台的金屬汙染程度。
此外，亦可額外使用參考控片，而使參考控片不需要經過製程機台，而可以正確判斷所欲監控的製程機台的金屬汙染程度以及監控量測機台的穩定度。另外，透過表面光電壓的測量方式可以使測試深度深達100μm以上，而使得本發明的半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法符合CIS製程的金屬監控機制的要求。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100、101、102、103‧‧‧步驟
a‧‧‧晶圓的金屬汙染參考值測試

Claims (15)

  1. 一種半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法，包括：對一晶圓進行一快速熱氧化製程；以及對快速熱氧化製程後的所述晶圓進行一表面光電壓的測量，其中所述晶圓重複使用於金屬汙染即時監控。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法，其中所述晶圓摻雜有硼原子。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法，其中所述快速熱氧化製程的製程溫度範圍為600℃至1050℃。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法，其中所述快速熱氧化製程所生成的氧化層厚度為5Å至15Å。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法，其中更包含另一晶圓作為參考控片。
  6. 一種半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法，包括：一晶圓的金屬汙染參考值測試，以及一製程處理機台的金屬汙染即時監控測試，其中所述晶圓重複使用於金屬汙染即時監控；其中，所述晶圓的金屬汙染參考值測試，包括：對一晶圓進行一晶圓清洗處理、對所述晶圓進行一快速熱氧化製程、以及 對快速熱氧化製程後的所述晶圓進行一表面光電壓的測量，以得到所述晶圓的金屬原子的擴散長度與金屬原子的濃度以作為參考值；所述製程處理機台的金屬汙染即時監控，包括：對所述晶圓進行一氧化物移除處理與晶圓清洗處理、使用一製程處理機台對所述晶圓進行一製程處理、對製程處理後的所述晶圓進行一快速熱氧化製程、以及對快速熱氧化製程後的所述晶圓進行所述表面光電壓的測量，以得到經過所述製程處理機台製程處理的所述晶圓的金屬原子的擴散長度與金屬原子的濃度。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法，其中所述晶圓摻雜有硼原子。
  8. 如申請專利範圍第6項所述的半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法，其中所述氧化物移除處理是利用氟化氫(HF)來移除所述晶圓表面的氧化物；所述晶圓清洗處理是分別以硫酸與過氧化氫的溶液(SPM)、氨水與過氧化氫的溶液(APM)、以及鹽酸溶液(HCl)來洗淨所述晶圓。
  9. 如申請專利範圍第6項所述的半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法，其中所述製程處理依照製程的溫度分為低溫製程與高溫製程。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法，其中所述低溫製程包含選自於濕蝕刻製程、離子金 屬電漿製程中的一種低溫製程；所述高溫製程包含選自於高溫爐管化學氣相沉積、高溫爐管物理氣相沉積、快速升溫退火原位蒸氣生成法、快速升溫退火中的一種高溫製程。
  11. 如申請專利範圍第9項所述的半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法，其中所述高溫製程後進行所述氧化物移除處理與所述晶圓清洗處理。
  12. 如申請專利範圍第6項所述的半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法，其中所述快速熱氧化製程的製程溫度範圍為600℃至1050℃。
  13. 如申請專利範圍第6項所述的半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法，其中所述快速熱氧化製程所生成的氧化層厚度為5Å至15Å。
  14. 如申請專利範圍第6項所述的半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法，其中更包含另一晶圓作為參考控片。
  15. 如申請專利範圍第6項所述的半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法，其中金屬汙染即時監控方法是藉由監控製程處理後的金屬原子的擴散長度差異或金屬原子的濃度差異來評估。
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