TWI554778B

TWI554778B - Touch panel structure

Info

Publication number: TWI554778B
Application number: TW104125480A
Authority: TW
Inventors: Pei-Hung Yeh
Original assignee: Univ Kun Shan
Priority date: 2015-08-05
Filing date: 2015-08-05
Publication date: 2016-10-21
Also published as: TW201706626A

Description

觸控面板結構

本發明是有關於一種觸控面板的技術領域，特別是有關於一種可避免產生眩光，並充分隔絕有害藍光的觸控面板結構。

隨著工業和科技的發展，觸控面板的應用愈來愈廣泛至3C產品上，同時地使用者對3C產品的形狀厚薄、觸控滑順感及眩光、藍光的減少等品質要求，也隨著科技的發展而提高。

就觸控面板而言，為了因應使用者對產品的需求，大多具有抗反射等效果，然而為了不使觸控面板的厚度過厚，通常地觸控面板的膜層的安排較少，故其光譜效果仍有待改善。另外，雖然氧化銦錫(ITO)薄膜或玻璃，其可具有抗反射的設計，但同樣的其膜層的安排較少，故抗反射效果不佳。再者，現有的3C產品上的觸控面板並未能同時考慮對於有害藍光的濾除及抗反射的配置，且就藍光的濾除而言，並非為針對有害藍光區的波段而是整個藍光區段，其會產生顯示顏色的偏移等問題。

有鑑於此，本發明之發明人思索並設計一種觸控面板結構，以針對現有技術之缺失加以改善，進而增進產業上之實施利用。

有鑑於上述習知技藝之問題，本發明之目的就是在提供一種觸控面板結構，以改進上述的問題。

根據本發明之目的，提供一種觸控面板結構，由外部至內部為外部空氣至基板，其包含一前界面層及至少一內界面層。前界面層設置於一保護基板之外；前界面層包含至少六層且為偶數層的子前界面層，且複數層子前界面層包含一全波段半波厚虛設層。至少一內界面層設置於一氧化銦錫(ITO)層之一側且與基板位於同一側；至少一內界面層包含複數個子內界面層，且複數個子內界面層包含一層或二層的全波段半波厚虛設層。其中，子前界面層的全波段半波厚虛設層由高折射材料所製成；其中，當全波段半波厚虛設層為一層時，其由高折射材料所製成，當全波段半波厚虛設層為二層，其分別由低折射材料及高折射材料所製成。

較佳地，全波段半波厚虛設層於一導納軌跡圖之曲線特徵為接近於圓。

較佳地，當複數個子內界面層之層數為偶數層時，全波段半波厚虛設層可為一層，當複數個子內界面層為奇數層時，全波段半波厚虛設層可為二層，且最鄰近基板之全波段半波厚虛設層由低折射材料所製成，而另一全波段半波厚虛設層為高折射材料所製成。

較佳地，子前界面層的全波段半波厚虛設層可為由外往內的第四層的子內界面層。

較佳地，當前界面層的子前界面層的層數為六層時，前界面層於波段320nm至780nm的平均反射率為0.60%至0.650%，全波段反射率低於1.25%。

較佳地，當前界面層的子前界面層的層數為八層時，前界面層於波段320nm至780nm的平均反射率為0.65至0.40%，全波段反射率低於0.7%。

較佳地，當前界面層的該子前界面層的層數為十層時，前界面層於波段320nm至780nm的平均反射率為0.35至0.40%，全波段反射率低於0.4%。

較佳地，當內界面層的該子內界面層的層數為四層時，內界面層於波段415nm至455nm的平均透射率大於69%，於波段520nm至780nm的平均反射率為1.30至1.50%。

較佳地，當內界面層的該子內界面層的層數為五層時，內界面層於波段415nm至455nm的平均透射率大於69%，於波段520nm至780nm的平均反射率為1.20至1.40%。

較佳地，當內界面層的該子內界面層的層數為六層時，內界面層於波段415nm至455nm的平均透射率大於69%，於波段520nm至780nm的平均反射率為1.10至1.30%。

承上所述，依本發明之觸控面板結構，其可具有一或多個下述優點：

(1)本發明之觸控面板結構，可藉由前界面層與內界面層的配置，以利用前界面層避免產生眩光，而利用內界面層有效濾除有害藍光，從而可有效的保護使用者的眼睛。

(2)本發明之觸控面板結構，藉由內界面層的配置，可針對415nm至455nm的有害藍光區進行濾除，從而可避免因不必要濾除的藍光被濾除所產生的顯示顏色偏移的問題。

100‧‧‧觸控面板結構

10‧‧‧前界面層

20‧‧‧第一內界面層

30‧‧‧第二內界面層

40‧‧‧保護基板

50‧‧‧第一氧化銦錫層

60‧‧‧第二氧化銦錫層

70‧‧‧基板

80‧‧‧間隔層

90‧‧‧薄膜層

第1圖係為本發明之觸控面板結構之結構示意圖。

第2圖係為本發明之觸控面板結構之前界面層的第一實施例之反射率圖及導納軌跡圖。

第3圖係為本發明之觸控面板結構之前界面層的第二實施例之反射率圖及導納軌跡圖。

第4圖係為本發明之觸控面板結構之前界面層的第三實施例之反射率圖。

第5圖係為本發明之觸控面板結構之前界面層的第四實施例之反射率圖及導納軌跡圖。

第6圖係為本發明之觸控面板結構之內界面層的第一實施例之反射率圖及導納軌跡圖。

第7圖係為本發明之觸控面板結構之前界面層的第二實施例之反射率圖及導納軌跡圖。

第8圖係為本發明之觸控面板結構之前界面層的第三實施例之反射率圖及導納軌跡圖。

為利貴審查員瞭解本發明之技術特徵、內容與優點及其所能達成之功效，茲將本發明配合附圖，並以實施例之表達形式詳細說明如下，而其中所使用之圖式，其主旨僅為示意及輔助說明書之用，未必為本發明實施後之真實比例與精準配置，故不應就所附之圖式的比例與配置關係解讀、侷限本發明於實際實施上的權利範圍，合先敘明。

以下將參照相關圖式，說明依本發明之觸控面板結構之實施例，為使便於理解，下述實施例中之相同元件係以相同之符號標示來說明。

請參閱第1圖，其係為本發明之觸控面板結構之結構示意圖。如圖所示，本發明之觸控面板結構100包含一前界面層10及至少一內界面層，內界面層較佳可對應於氧化銦錫層之數量而設置，於本實施例中內界面層為二層，其分別為第一內界面層20及第二內界面層30。前界面層10設置於一保護基板40之外；即，前界面層10位於保護基板40與外部空氣之間。前界面層10包含至少六層且為偶數層的子前界面層，且複數層子前界面層包含一全波段半波厚虛設層；子前界面層的全波段半波厚虛設層由高折射材料所製成。第一內界面層20及第二內界面層30分別設置於第一氧化銦錫層50與第二氧化銦錫層60之一側，且此一側為與基板70位於同一側。第一內界面層20及第二內界面層30分別包含複數個子內界面層，且複數個子內界面層包含一層或二層的全波段半波厚虛設層。其中，當全波段半波厚虛設層為一層時，其由高折射材料所製成，當全波段半波厚虛設層為二層，其分別由低折射材料及高折射材料所製成。

低折射材料可為Na₃AlF₆、MgF₂或SiO₂，高折射材料可為TiO₂、Ta₂O₅、Nb₂O₅、HfO₂或ZrO₂，且或全波段半波厚虛設層的低折射材料較佳地可為Na₃AlF₆或MgF₂，而高折射材料較佳地可為TiO₂或Ta₂O₅。其中，保護基板40及基板70可為PET或玻璃材質所製成。

進一步來說，本發明之觸控面板結構100亦包含間隔層80及薄膜層90。本發明之觸控面板結構100由內至外為基板70、第一內界面層20、第一氧化銦錫層50、間隔層80、第二內界面層30、第二氧化銦錫層60、薄膜層90、保護基板40及前界面層10。而其中基板70、第一氧化銦錫層50、間隔層80、第二氧化銦錫層60、薄膜層90及保護基板40係為所屬技術領域具有通常知識者所熟知，於此便不再加以贅述。值得說明的是，前述所指的全波段半波厚虛設層，其係為於一導納軌跡圖之曲線特徵係接近於圓的層狀結構。

其中，前界面層10的複數層子前界面層可為低折射材料所製的層與高折射材料所製的層交互間隔的而製成，同樣地第一內界面層20及第二內界面層30的複數個子內界面層可為低折射材料所製的層與高折射材料所製的層交互間隔的而製成。

本發明的主要目的在於，利用前界面層10與內界面層20、30進行不同的濾光設計，以避免產生眩光以及充分防止有害藍光進入眼睛。故，以下將對前界面層10與內界面層20、30分別進一步說明。

前界面層10之第一實施例：較佳地前界面層10應為六層以上且為偶數層的配置。於本實施例中前界面層10的複數個子前界面層的數量為六層，其由外至內交替地使用低折射材料及高折射材料來形成複數個子前界面層。詳細配置如下表一。

於本實施例中的前界面層10，其在波段320nm至780nm時的平均反射率為0.60%至0.650%，全波段反射率低於1.25%。較佳地，平均反射率為0.625%。

參照表一及第2圖可知，本實例的前界面層10的子前界面層4係為全波段半波厚虛設層，且藉由上述的結構配置可效地使觸控面板結構100達到抗眩光的效果，且整體厚度不致過厚。

前界面層10之第二實施例：於本實施例中前界面層10的複數個子前界面層的數量為八層，其同樣地由外至內交替地使用低折射材料及高折射材料來形成複數個子前界面層。詳細配置如下表二。

於本實施例中的前界面層10，其在波段320nm至780nm時的平均反射率為0.65至0.35%，全波段反射率低於0.5%。較佳地，平均反射率為0.424%。

參照表二及第3圖可知，本實例的前界面層10的子前界面層4係為全波段半波厚虛設層，且藉由上述的結構配置可效地使觸控面板結構100達到抗眩光的效果，且整體厚度不致過厚。

前界面層10之第三實施例：就上述具有八層子界面層的前界面層10，當其低折射率材料以不同的材料配置時，亦可具有上述之優點。如下表三及第4圖所示。

表三

於本實施例中的前界面層10，本實例的前界面層10的子前界面層4係為全波段半波厚虛設層，其在波段320nm至780nm時的平均反射率為0.618%，全波段反射率低於0.75%。

前界面層10之第四實施例：於本實施例中前界面層10的複數個子前界面層的數量為十層，其同樣地由外至內交替地使用低折射材料及高折射材料來形成複數個子前界面層。詳細配置如下表四。

於本實施例中的前界面層10，其在波段320nm至780nm時的平均反射率為0.35%至0.40%，全波段反射率低於0.4%。較佳地，平均反射率為0.625%。

參照表四及第5圖可知，本實例的前界面層10的子前界面層4係為全波段半波厚虛設層，且藉由上述的結構配置可效地使觸控面板結構100達到抗眩光的效果，且整體厚度不致過厚。

由上述各實施例可知，前界面層10的全波段半波厚虛設層較佳地為由外往內的第四層的子內界面層，且通常地，其具有較厚的厚度。

內界面層20、30之第一實施例：較佳地內界面層20、30可為五層以上，但不侷限於偶數層的配置。於本實施例中內界面層20、30的複數個子內界面層的數量為五層，其由外至內交替地使用低折射材料及高折射材料來形成複數個子內界面層。詳細配置如下表五。

於本實施例中的內界面層20、30，其在波段415nm至455nm時的平均透射率大於69%，於波段520nm至780nm的平均反射率為1.30至1.50%。

參照表五及第6圖可知，本實例的內界面層20、30的子內界面層2、5係為全波段半波厚虛設層，且藉由上述的結構配置可效地使觸控面板結構100達到僅濾除有害藍光且具抗反射的效果，且整體厚度不致過厚。

內界面層20、30之第二實施例：於本實施例中內界面層20、30的複數個子內界面層的數量為六層，其由外至內交替地使用低折射材料及高折射材料來形成複數個子內界面層。詳細配置如下表六。

於本實施例中的內界面層20、30，其在波段415nm至455nm時的平均透射率大於69%，於波段520nm至780nm的平均反射率為1.20至1.40%，較佳地為1.27%。

參照表六及第7圖可知，本實例的內界面層20、30的子內界面層2係為全波段半波厚虛設層，且藉由上述的結構配置可效地使觸控面板結構100達到僅濾除有害藍光且具抗反射的效果，且整體厚度不致過厚。

內界面層20、30之第三實施例：於本實施例中內界面層20、30的複數個子內界面層的數量為七層，其由外至內交替地使用低折射材料及高折射材料來形成複數個子內界面層。詳細配置如下表七。

表七

於本實施例中的內界面層20、30，其在波段415nm至455nm時的平均透射率大於69%，於波段520nm至780nm的平均反射率為1.10至1.30%，較佳地為1.19%。

參照表七及第8圖可知，本實例的內界面層20、30的子內界面層2、7係為全波段半波厚虛設層，且藉由上述的結構配置可效地使觸控面板結構100達到僅濾除有害藍光且具抗反射的效果，且整體厚度不致過厚。

由上述各實施例可知，當複數個子內界面層之層數為偶數層時，全波段半波厚虛設層為一層；當複數個子內界面層為奇數層時，全波段半波厚虛設層為二層，且最鄰近基板之全波段半波厚虛設層由低折射材料所製成，而另一全波段半波厚虛設層為高折射材料所製成。也就是說，內界面層20、30在奇數層時，全波段半波厚虛設層較佳地為由外往內的第二層的子內界面層及最靠近基板的子內層界面，且通常地，其具有較厚的厚度。而在內界面層20、30在奇數層時，全波段半波厚虛設層較佳地為由外往內的第二層的子內界面層。

本發明之觸控面板結構，其臨近空氣端之前界面層為寬廣波段抗反射設計，目的在於大幅度降低眩光，波段從320nm至780nm，有六層抗反射膜設計可以達到全波段反射率1.25%以下，平均反射率0.625%，八層抗反射膜設計可以達到全波段反射率0.5%以下，平均反射率0.424%，十層抗反射膜設計可以達到全波段反射率0.4%以下，平均反射率0.374%。而觸控面板結構的內界面層，其可同時具備抗反射與濾藍光功能，其中有害藍光波段415nm~455nm之濾藍光平均反射率約為30%，其餘波段抗反射之平均反射率2%以下，經由上述模擬結果可知，在第二內界面層之濾光設計，六層膜層安排即可達到光譜要求，在第一內界面層之濾光設計，包括氧化銦錫層之六層膜層安排，抗反射波段平均反射率1.5%以下。因此，本發明的觸控面板結構可有效以避免產生眩光，以及充分防止有害藍光進入眼睛。

以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。