TWI553617B - Liquid crystal display device and driving method thereof - Google Patents
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Description
本發明係關於液晶顯示裝置及其驅動方法,特別係關於藉由斷開電源而轉換為斷開時序模式之主動矩陣型之液晶顯示裝置及其驅動方法。
主動矩陣型液晶顯示裝置之顯示部中矩陣狀地形成有複數個像素形成部。各像素形成部中設置有作為開關元件而動作之薄膜電晶體(Thin Film Transistor:以下稱作「TFT」)。藉由導通或斷開該等TFT,可將用於顯示圖像之驅動用圖像信號(以下,稱作「圖像信號」)寫入像素形成部。圖像信號被施加至像素形成部之液晶層,以使液晶分子之配向方向變更為與圖像信號之電壓值相應之方向。藉此,液晶顯示裝置藉由控制各像素形成部之液晶層之光穿透率將圖像顯示於顯示部。
如此之液晶顯示裝置中,若於正對顯示部顯示圖像時斷開液晶顯示裝置之電源,則TFT亦成為斷開狀態。因斷開電源時保持於像素形成部之圖像信號係在維持其電位之狀態下而保持,故即使在斷開電源後,仍對像素形成部之液晶層持續施加直流電壓。
然而,具有包含非晶矽(a-Si)或連續粒界結晶硅(CGS硅)之通道層之TFT中,斷開狀態時所流動之斷開時漏電流較大。因此,自斷開電源以後之短時間內,已保持於像素形成部之圖像信號將經由TFT之通道層對信號線放電。藉此,不易產生因持續施加直流電壓致使液晶
烙印而產生之殘像。
近年來,將較非晶矽或連續粒界結晶硅遷移率更大且將包含銦、鎵、鋅及氧之氧化物半導體使用於通道層之TFT(以下,稱作「IGZO-TFT」)受到關注,對其之研發正在不斷推進。較使用非晶矽之TFT(以下,稱作「a-Si TFT」),IGZO-TFT之斷開時漏電流係為其千分之一以下般地極小。因此,將IGZO-TFT用作開關元件之液晶顯示裝置中,藉由將在斷開電源時保持於像素形成部之圖像信號長時間地持續保持於像素形成部,對液晶層持續施加直流電壓。藉此,出現因液晶之烙印而產生之殘像或因最佳共通電壓之偏差而產生之閃爍等問題。
例如,日本特開2011-85680號公報中所揭示之情形為:藉由於斷開液晶顯示裝置之電源時控制分別施加至TFT之閘極端子、源極端子及共通電極之電壓,使保持於像素形成部之圖像信號放電。
[專利文獻1]日本特開2011-85680號公報
然而,因IGZO-TFT之斷開時漏電流極小,故,根據日本特開2011-85680號公報所揭示之斷開時序模式之驅動方法,自斷開液晶顯示裝置之電源後直至使保持於像素形成部之圖像信號完全放電將需要相當長的時間,其間,對液晶層持續施加直流電壓。因此,日本特開2011-85680號公報所揭示之斷開時序模式之驅動方法無法完全防止因液晶之烙印而產生之殘像或因最佳共通電壓之偏差而產生之閃爍。
因此,本發明之目的在於提供一種可於斷開電源時使保存於像
素形成部之圖像信號迅速地放電之液晶顯示裝置及其驅動方法。
本發明之第1態樣之特徵為其係一種液晶顯示裝置,其特徵為:其係於正以導通時序模式顯示圖像時,藉由斷開電源而轉換為斷開時序模式之主動矩陣型之液晶顯示裝置,其包含:顯示部,其具備複數條掃描線;複數條信號線,其與上述複數條掃描線交叉;及像素形成部,其係與上述複數條掃描線及上述複數條信號線之交叉點分別對應而配置為矩陣狀,並包含根據施加至對應之掃描線之掃描信號之位準而成為導通狀態或斷開狀態之薄膜電晶體及保持表示應顯示之圖像之圖像信號之像素電容;掃描線驅動電路,其將用於選擇性地活化上述複數條掃描線之掃描信號施加至上述掃描線;信號線驅動電路,其將上述圖像信號施加至上述信號線;顯示控制電路,其將為生成上述掃描信號及上述圖像信號所需之控制信號分別輸出至上述掃描線驅動電路及上述信號線驅動電路;共通電極驅動電路,其共通地設置於上述複數個像素形成部,對成為上述像素電容之一端之電極之共通電極施加共通電壓;及斷開時序控制電路,其於斷開上述液晶顯示裝置之電源時,將為轉換為上述斷開時序模式所需之信號輸出至上述顯示控制電路;上述斷開時序控制電路
於利用上述掃描線驅動電路在特定期間之內施加為使上述薄膜電晶體成為導通狀態所需之第1位準之掃描信號後,將接地電位即第2位準之掃描信號施加至掃描線;藉由利用上述信號線驅動電路使上述掃描信號之位準自上述第1位準成為上述第2位準,於上述特定期間之內,將相當於由上述第1位準與上述第2位準之位準差、形成於上述薄膜電晶體之閘極端子與汲
極端子之間之寄生電容、與包含上述寄生電容之上述像素形成部之合成電容所決定之上述圖像信號之移位量之電位之資料信號施加至上述信號線;以利用共通電極驅動電路對上述共通電極施加接地電位的方式控制上述顯示控制電路。
本發明之第2態樣係如本發明之第1態樣,其中上述掃描信號之第1位準係在上述導通時序模式下為使上述薄膜電晶體成為導通狀態所需之位準與上述接地電位之間之位準。
本發明之第3態樣係如本發明之第1態樣,其中上述掃描信號之第1位準係在上述導通時序模式下為使上述薄膜電晶體成為導通狀態所需之位準與接地電位之間按照位準順序而設定之複數個位準;斷開時序時之上述資料信號係由上述複數個位準中最接近接地電位之位準與接地電位之位準差、形成於上述薄膜電晶體之閘極端子與汲極端子之間之寄生電容、與包含上述寄生電容之上述像素形成部之合成電容所決定之位準之信號。
本發明之第4態樣係如本發明之第2或第3態樣,其中施加上述第1位準之掃描信號之特定期間係於將上述第1位準之掃描信號施加至上述薄膜電晶體之閘極端子時,上述薄膜電晶體之導通電流越小則越長的期間。
本發明之第5態樣係如本發明之第1態樣,其中上述掃描信號之第1位準係與上述導通時序模式下為使上述薄膜電晶體成為導通狀態所需之位準相同之位準。
本發明之第6態樣係如本發明之第1態樣,其中上述斷開時序控制電路包含記憶體,其儲存為轉換為上述斷開時序模式所需之信號;於轉換為上述斷開時序模式時自上述記憶體讀出為轉換為斷開時序所需之信號,並將其輸出至上述顯示控制電路。
本發明之第7態樣係如本發明之第1態樣,其中上述薄膜電晶體之通道層係藉由氧化物半導體而形成。
本發明之第8態樣係如本發明之第7態樣,其中上述氧化物半導體包含銦、鎵、鋅及氧。
本發明之第9態樣之特徵在於其係一種藉由於正以導通時序模式顯示圖像時斷開電源而轉換為斷開時序模式之主動矩陣型之液晶顯示裝置之驅動方法,該液晶顯示裝置包含:顯示部,其具備複數條掃描線;複數條信號線,其與上述複數條掃描線交叉;及像素形成部,其係與上述複數條掃描線及上述複數條信號線之交叉點分別對應而配置為矩陣狀,並包含根據施加於對應之掃描線之掃描信號之位準而成為導通狀態或斷開狀態之薄膜電晶體及保持表示應顯示之圖像之圖像信號之像素電容;掃描線驅動電路,其將用於選擇性地活化上述複數條掃描線之掃描信號施加至上述掃描線;信號線驅動電路,其將上述圖像信號施加至上述信號線;顯示控制電路,其將為生成上述掃描信號及上述圖像信號所需之控制信號分別輸出至上述掃描線驅動電路及上述信號線驅動電路;共通電極驅動電路,其共通地設置於上述複數個像素形成部,對成為上述像素電容之一端之電極之共通電極施加共通電壓;及斷開時序控制電路,其於斷開上述液晶顯示裝置之電源時,將為轉換為上述斷開時序模式所需之信號輸出至上述顯示控制電路;該液晶顯示裝置之驅動方法包含以下步驟:於利用上述掃描線驅動電路在特定期間之內施加為使上述薄膜電晶體成為導通狀態所需之第1位準之掃描信號後,將接地電位即第2位準之掃描信號施加至掃描線;藉由利用上述信號線驅動電路使上述掃描信號之位準自上述第1
位準成為上述第2位準,於上述特定期間之內,將相當於由上述第1位準與上述第2位準之位準差、形成於上述薄膜電晶體之閘極端子與汲極端子之間之寄生電容、與包含上述寄生電容之上述像素形成部之合成電容所決定之上述圖像信號之移位量之電位之資料信號施加至上述信號線;
以利用共通電極驅動電路對上述共通電極施加接地電位。
根據上述第1態樣,在藉由轉換往斷開時序模式,將第1位準之掃描信號施加至掃描線時,將相當於由第1位準與第2位準即接地電位之位準差、形成於薄膜電晶體之閘極端子與汲極端子之間之寄生電容、與包含寄生電容之像素形成部之合成電容決定之圖像信號之移位量之電位之資料信號供給至信號線。藉此,供給至信號線之資料信號被寫入像素形成部。接著,藉由使掃描信號成為接地電位,因寄生電容之耦合效應,已寫入之資料信號之電位移位而消除。其結果,因施加至像素形成部之液晶層之電壓成為0V,故可防止因液晶之烙印而產生之殘像或因最佳共通電壓之偏差而產生之閃爍之發生。
根據上述第2態樣,設掃描信號之第1位準在導通時序模式下為使薄膜電晶體成為導通狀態所需之位準與接地電位之間之位準。藉此,即使像素電容之電容值因製造液晶面板時之加工不均而變動之情形時,藉由縮小掃描信號之第1位準,仍可使斷開時序時之資料信號之電位成為更接近接地電位之值。因此,因無需依每個液晶面板設定不同之值作為資料信號之電位,故可容易地進行資料信號之電位設定。且,因蓄積於像素電容之電荷量變得較少,故藉由介在於液晶層或薄膜電晶體之洩漏,可使施加至液晶層之直流電壓於短時間內成為0V。
根據上述第3態樣,設掃描信號之第1位準為按照位準順序而設
定之複數個位準,斷開時序時按照位準順序將位準相異之掃描信號施加至掃描線。藉此,可將供給至信號線之斷開時序時之資料信號確實地寫入像素形成部。因此,施加接地電位之掃描信號時,可確保施加至液晶層之直流電壓成為0V。
根據上述第4態樣,將斷開時序模式之掃描信號之第1位準之掃描信號施加至薄膜電晶體之閘極端子時,導通電流越小則用於將第1位準之掃描信號施加至掃描線之特定時間越長。藉此,可確實地將供給至信號線之斷開時序時之資料信號寫入像素形成部。
根據上述第5態樣,斷開時序時之掃描信號之第1位準係與在導通時序模式下為使薄膜電晶體成為導通狀態所需之位準相同之位準。藉此,施加至薄膜電晶體之閘極端子之電壓值亦變大,導通電流變大。因此,因可在短時間內將斷開時序模式時供給至信號線之資料信號寫入像素形成部,故可縮短使施加至液晶層之直流電壓成為0V所需之時間。
根據上述第6態樣,藉由事先將轉換為斷開時序所需之信號儲存於斷開時序控制電路之記憶體,可迅速地進行往斷開時序模式之轉換。
根據上述第7態樣,雖具有包含氧化物半導體之通道層之薄膜電晶體之斷開時漏電流極小,但即使將如此之薄膜電晶體用作像素形成部之開關元件之情形,仍可在斷開時序模式下使施加至液晶層之直流電壓成為0V。
根據上述第8態樣,因係包含銦、鎵、鋅及氧之氧化物半導體,故與上述第7態樣同樣地,可在斷開時序模式下使施加至液晶層之直流電壓成為0V。
根據上述第9態樣,可達到與上述第1態樣相同之效果。
10‧‧‧顯示部
11‧‧‧像素形成部
12‧‧‧薄膜電晶體(TFT)
15‧‧‧液晶電容
16‧‧‧像素電極
17‧‧‧共通電極
20‧‧‧顯示控制電路
30‧‧‧掃描線驅動電路
40‧‧‧信號線驅動電路
50‧‧‧共通電極驅動電路
60‧‧‧斷開時序控制電路
65‧‧‧記憶體
GND‧‧‧接地電位
OFS‧‧‧斷開信號
OFT‧‧‧斷開信號
t 1‧‧‧期間
Vcom‧‧‧共通電壓
Vd‧‧‧資料信號
Vdoff1‧‧‧電位
Vg‧‧‧掃描信號
Vgh‧‧‧高位準之電位
Vgl‧‧‧電位
Vgloff‧‧‧低位準之電位
Vncom‧‧‧負極性之電位
Vpix‧‧‧像素信號
Vsig‧‧‧電位
ΔV1‧‧‧移位量
ΔV3‧‧‧移位量
圖1係表示形成於基本探討中所使用之液晶顯示裝置之顯示部之像素形成部之等價電路的電路圖。
圖2係表示圖1所示之像素形成部之動作的時序圖。
圖3係比較a-Si TFT與IGZO-TFT之斷開時漏電流的圖。
圖4係表示本發明之第1實施形態之液晶顯示裝置之構成的方塊圖。
圖5係表示圖4所示之液晶顯示裝置之驅動方法的時序圖。
圖6係表示本發明之第2實施形態之液晶顯示裝置之驅動方法的時序圖。
圖7係表示本發明之第3實施形態之液晶顯示裝置之驅動方法的時序圖。
<1. 基本探討>
圖1係表示形成於基本探討中所使用之液晶顯示裝置之顯示部之像素形成部11之等價電路的電路圖。如圖1所示,像素形成部11包含作為開關元件而發揮作用之TFF12與對圖像信號充電之液晶電容15。液晶電容15藉由像素電極16、與像素電極16對向之共通電極17及配置於其間之液晶層(未圖示)而構成。像素電極16連接於TFF12之汲極端子,共通電極17連接於共通電極驅動電路(未圖示)。來自像素形成部11之背光單元(未圖示)之光之穿透率係根據給予像素形成部11內之液晶電容15之圖像信號而變化。另,為可使像素形成部11確實地保持圖像信號,多在液晶電容15中並聯配置有輔助電容。但,因輔助電容與本發明並無直接關係,故,本說明書對未設置輔助電容之情形進行說明。
TFT12之閘極端子連接於掃描線GL,源極端子連接於信號線SL。TFT12為例如n導通型TFT,於對掃描線GL施加高位準之掃描信
號時成為導通狀態,於對掃描線GL施加低位準之掃描信號時則成為斷開狀態。另,為確保斷開TFT,設相當於掃描信號之低位準之電位為較接地電位GND負極性更低之電位Vgl。且,閘極端子與汲極端子之間形成有寄生電容Cgd。
圖2係表示圖1所示之像素形成部11之動作的時序圖。如圖2所示,於液晶顯示裝置在顯示部顯示圖像之模式(以下,稱作「導通時序模式」)進行動作時,對掃描線GL施加相當於高位準之電位Vgh之掃描信號Vg時,TFT12成為導通狀態,像素形成部11寫入供給至信號線SL之電位Vsig之圖像信號即資料信號Vd。寫入之資料信號Vd由液晶電容15充電,將與資料信號Vd之電位Vsig相應之直流電壓施加至液晶層。另,將構成液晶電容之像素電極16之電位稱作像素形成部11之信號Vpix(以下,稱作「像素信號Vpix」),於TFT12為導通狀態之時係與資料信號Vd之電位Vsig相同之值。
若掃描信號Vg自高位準降為低位準,則TFT12成為斷開狀態。此時,已知因寄生電容Ggd之耦合效應,像素信號Vpix之電位較資料信號Vd之電位Vsig僅縮小移位量ΔV1。該移位量ΔV1由以下算式(1)表示。
ΔV1=Cgd‧(Vgh-Vgl)/Ct...(1)
此處,上述算式(1)中,合成電容Ct表示液晶電容15與寄生電容Cgd之合成電容。另,於亦設置有輔助電容之情形時,合成電容Ct表示液晶電容15與寄生電容Ggd及輔助電容之合成電容。於像素形成部11中進而存在包含像素電極16之寄生電容之情形時,合成電容Ct表示再加上該寄生電容後之電容。
對液晶顯示裝置在導通時序模式下動作時斷開電源之情形進行說明。首先,於掃描信號Vg自高位準降為低位準時,液晶顯示裝置轉換為不對液晶層施加直流電壓之模式(以下,稱作「斷開時序模
式」)。斷開時序模式中,取代電位Vsig之資料信號Vd而將電位為接地電位GND之資料信號Vd供給至信號線SL。該狀態下,若使TFT12成為導通狀態,則資料信號Vd被寫入像素形成部11,像素信號Vpix之電位亦成為接地電位GND。此時,因對共通電極17施加有作為共通電壓Vcom之接地電位GND,故施加至液晶層之直流電壓成為0V。
接著,若使掃描信號Vg自高位準降為低位準,則TFT12成為斷開狀態,相當於掃描信號Vg之低位準之電位Vgloff成為接地電位GND。像素信號Vpix之電位自接地電位GND僅下降由下述算式(2)所表示之移位量ΔV2。
ΔV2=Cgd‧(Vgh-Vgloff)/Ct...(2)
藉此,產生對配置於像素電極16與共通電極17間之液晶層持續施加相當於移位量ΔV2之直流電壓之問題。
圖3係比較a-Si TFT與IGZO-TFT之斷開時漏電流的圖。如圖3所示,可知相較於a-Si TFT之斷開時漏電流,IGZO-TFT之斷開時漏電流係為其千分之一左右地極小。因此,將IGZO-TFT用作像素形成部11之開關元件之情形時,在IGZO-TFT成為斷開狀態時保持於像素形成部11之電荷難以經由IGZO-TFT之通道層對信號線SL放電,電位(Vsig-ΔV2)之像素信號Vpix被長時間地持續保持於像素形成部11。藉此,產生對液晶層長時間地持續施加像素信號Vpix之直流電壓之問題。
因此,以下所說明之一種方法為,於使TFT成為斷開狀態時,藉由像素信號Vpix之電位Vsig因寄生電容Cgd之耦合效應而僅降低由上述算式(2)決定之移位量ΔV2,即使將斷開時漏電流較小之IGZO-TFT用作開關元件之情形,仍在斷開時序模式下使像素信號Vpix之電位(Vsig-ΔV2)迅速地降至接地電位GND。
<2. 第1實施形態>
<2.1 液晶裝置之構成>
圖4係表示本發明之第1實施形態之液晶顯示裝置之構成的方塊圖。如圖4所示,液晶顯示裝置具備顯示部10.、顯示控制電路20、掃描線驅動電路30、信號線驅動電路40、共通電極驅動電路50及斷開時序控制電路60。該等皆形成於包含玻璃基板等之絕緣基板之液晶面板(未圖示)上。
顯示部10上形成有複數條(m條)信號線SL1~SLm、複數條(n條)掃描線GL1~GLn及與該m條信號線SL1~SLm與n條掃描線GL1~GLn之交叉點對應而設之複數個(m×n個)像素形成部11。以下,於未區分m條信號線SL1~SLm之情形時僅將該等稱作「信號線SL」;於未區分n條掃描線GL1~GLn之情形時僅將該等稱作「掃描線GL」。m×n個像素形成部11形成矩陣狀。
像素形成部11之構成係與圖1所示之像素形成部11之構成相同。各像素形成部11藉由以下元件構成:TFT12,其係對通過對應之交叉點之掃描線GL連接有閘極端子,且對通過該交叉點之信號線SL連接有源極端子;像素電極16,其連接於TFT12之汲極端子;共通電極17,其共通地設置於m×n個像素形成部11;及液晶層(未圖示),其配置於像素電極16與共通電極17之間並共通地配置於複數個像素形成部11。該等構成要素中,由像素電極16、共通電極17及液晶層構成液晶電容15。為確實地將資料信號保持於像素形成部11,亦可在液晶電容15中並聯設置輔助電容。但,本說明書係對未設置輔助電容之情形進行說明。另,亦有將形成於像素形成部11之液晶電容15及輔助電容等之電容統稱作像素電容之情形。
本實施形態之TFT12中使用將氧化物半導體用於通道層之TFT。具體而言,TFT12之通道層係藉由包含銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)及氧(O)之氧化物半導體而形成。如圖3所示,相較於a-Si TFT,在IGZO
-TFT斷開時漏電流大幅減少。另,IGZO以外之氧化物半導體亦可為包含例如銦、鎵、鋅、銅(Cu)、矽(Si)、錫(Sn)、鋁(Al)、鈣(Ca)、鍺(Ge)及鉛(Pb)中之至少一種之氧化物半導體。且,TFT12之通道層不限定於氧化物半導體,而係若由斷開時漏電流較小之材料形成即可。
本說明書中,以TFT12係於對閘極端子施加高位準之掃描信號時成為導通狀態而於施加低位準之掃描信號時成為斷開狀態之n通道型TFT進行說明。但,其亦可為施加低位準之掃描信號時成為導通狀態而施加高位準之掃描信號時成為斷開狀態之p通道型TFT。
接著,說明導通時序模式時之各電路之動作。顯示控制電路20自外部接收圖像資料DAT、垂直同步信號Vsync及水平同步信號Hsync等之控制信號CT,基於圖像資料DAT及控制信號CT,對信號線驅動電路40輸出與RGB資料對應之數位圖像信號DV、源極啟動脈衝信號、源極時脈信號及閂鎖選通信號等之信號線用控制信號SCT。信號線驅動電路40基於信號線用控制信號SCT,藉由使用其內部之移位暫存器(未圖示)、採樣閂鎖電路(未圖示)、D/A轉換電路(未圖示)等將數位圖像信號DV轉換為類比信號,生成圖像信號即資料信號(導通時序時之資料信號)。信號線驅動電路40將生成之資料信號供給至信號線SL。
再者,顯示控制電路20對掃描信號線驅動電路30輸出閘極時脈信號及閘極啟動脈衝信號等之掃描線用控制信號GCT。掃描線驅動電路30基於掃描線用控制信號GCT,以特定之週期,將高位準與低位準之掃描信號施加至掃描線GL。顯示控制電路20對共通電極驅動電路50輸出共通電極控制信號CCT,共通電極驅動電路50對共通電極17輸出成為負極性之電位之共通電壓Vcom。如此,於對掃描線GL施加高位準之掃描信號時,自信號線SL寫入像素形成部11之資料信號被保持於像素形成部11之液晶電容15。藉此,對液晶電容15之液晶層施加直
流電壓,將與資料信號之電位相應之圖像顯示於顯示部10。
另,本實施形態中,雖設各幀期間之共通電壓Vcom之極性為固定,但亦可依每幀期間反轉極性。且,本實施形態中,雖共通電壓Vcom之極性為負極性,但亦可為正極性或接地電位GND。
接著,對斷開時序模式時之各電路之動作進行說明。若斷開液晶顯示裝置之電源,則對斷開時序控制電路60給予斷開信號OFS。斷開時序控制電路60於其內部具有記憶體65。若給予斷開信號OFS,則斷開時序控制電路60讀出事先儲存於記憶體65之各種信號,配合轉換為斷開時序模式之時點而將該等信號輸出至顯示控制電路20。具體而言,將用於施加至掃描線GL之高位準(電位Vgh)、接地電位GND即低位準(Vgloff)之掃描信號、用於供給至信號線SL之電位Vdoff1之資料信號及電位為接地電位GND之共通電壓Vcom輸出至顯示控制電路20。
另,亦可不將各種信號事先儲存於記憶體65,而於給予斷開信號OFS時在斷開時序控制電路60內藉由計算而求得,且亦可與斷開信號OFS一起自外部給予斷開時序控制電路60。且,亦可不將記憶體65設置於斷開時序控制電路60內而係設置於顯示控制電路20內。
在斷開時序模式中,顯示控制電路20停止輸出在導通時序模式時施加至掃描線GL之高位準(電位Vgh)及低位準(電位Vgl)之掃描信號,將相當於高位準(第1位準)之電位Vgh及相當於低位準(第2位準)之電位Vgloff之掃描信號輸出至掃描線驅動電路30。如此,相當於斷開時序模式時之高位準之電位Vgh與導通時序模式時之電位為相同之值。但,相當於低位準之電位Vgloff為大於導通時序模式時之電位Vgl之值,具體而言為接地電位GND。
再者,停止輸出導通時序模式時所輸出之用於生成資料信號之數位圖像信號DV,將自斷開時序控制電路60給予之電位Vdoff1之資
料信號輸出至信號線驅動電路40。另,資料信號之電位Vdoff1為固定值,其詳細內容將予以後述。
信號線驅動電路40對信號線SL供給電位Vdoff1之資料信號。掃描線驅動電路30於期間t1之內將相當於高位準之電位Vgh之掃描信號施加至掃描線GL,接著,將相當於低位準之電位Vgloff之掃描信號施加至掃描線GL。共通電極驅動電路50將電位為接地電位GND之共通電壓Vcom施加至共通電極17。
<2.2 液晶顯示裝置之驅動方法。>
圖5係表示本實施形態之液晶顯示裝置之驅動方法的時序圖。圖5表示有藉由於導通時序模式下進行動作時斷開電源而轉換為斷開時序模式之液晶顯示裝置之動作。
首先,說明在導通時序模式下進行動作之期間之液晶顯示裝置之動作。若依每幀期間對掃描線GL施加相當於高位準之電位Vgh之掃描信號Vg,則TFT12成為導通狀態,寫入表示供給至信號線SL之圖像之電位Vsig之資料信號(圖像信號)Vd。寫入之資料信號Vd由液晶電容15充電並保持。
此時,因掃描信號Vg為高位準之期間TFT12為導通狀態,故像素信號Vpix之電位成為與資料信號Vd之電位Vsig相同之電位。但,若將相當於低位準之電位Vgl之掃描信號Vg施加至掃描線GL,則TFT12成為斷開狀態,像素信號Vpix之電位因寄生電容Cgd之耦合效應而成為自資料信號Vd之電位僅降低上述算式(1)所示之移位量ΔV1後之值。且,作為共通電壓Vcom而給予負極性之電位Vncom。藉此,各像素形成部中,對配置於像素電極16與共通電極17之間之液晶層施加由資料信號Vd與共通電壓Vcom決定之直流電壓而顯示圖像。另,資料信號Vd之位準根據應顯示之圖像而變化,無法如掃描信號Vg之位準一般成為固定值。因此,圖5中,表示資料信號Vd之位準為具一定寬度
之位準。
液晶顯示裝置在導通時序模式下進行動作時,若斷開其電源,則於將斷開信號OFS輸入至斷開時序控制電路60後,於掃描信號Vg最初自高位準降為低位準時,斷開時序模式轉換信號OFT上升,轉換為斷開時序模式。
藉由轉換為斷開時序模式,信號線驅動電路40取代電位Vsig之資料信號Vd而讀出電位Vdoff1之資料信號Vd(斷開時序時之資料信號)並供給至信號線SL,該電位Vdoff1之資料信號Vd係基於以下算式(3)事先求出並儲存於斷開時序控制電路60之記憶體65。
Vdoff1=Cgd‧(Vgh-Vgloff)/Ct...(3)
另,上述算式(3)中,設相當於斷開時序時之掃描信號Vg之低位準之電位為Vgloff。電位Vgloff具體而言係接地電位GND。
再者,共通電極驅動電路50取代負極性之電位Vncom而給予接地電位GND作為共通電壓Vcom。
接著,掃描線驅動電路30於期間t1之內對掃描線GL施加與導通時序模式時相同之電位Vgh之高位準之掃描信號Vg。藉此,TFT12成為導通狀態,供給至信號線SL之電位Vdoff1之資料信號Vd被寫入像素形成部11,像素信號Vpix之電位亦成為Vdoff1。
經過期間t1後,使掃描信號Vg自高位準降為低位準。此時,並非使相當於低位準之電位成為導通時序時之Vgl而係設為較其更高之電位即接地電位GND。若使掃描信號Vg自高位準降為低位準,則因寄生電容Cgd之耦合效應,像素信號Vpix之電位Vdoff1僅下降以下算式(4)所示之移位量ΔV3。
ΔV3=Cgd‧(Vgh-Vgloff)/Ct...(4)
該情形時,使TFT12成為斷開狀態時自像素信號Vpix之電位Vdoff1之移位量ΔV3與由上述算式(3)所表示之轉換為斷開時序時經由
TFT12而寫入至像素形成部11之像素信號Vpix之電位Vdoff1相等。其結果,若考慮寄生電容Cgd之耦合效應造成之移位量ΔV3,則使TFT12成為斷開狀態時之像素信號Vpix之電位Vpixoff藉由以下算式(5)成為接地電位GND。
Vpixoff=Vdoff1-ΔV3=0...(5)
如此,因與共通電極17之共通電壓Vcom一起,液晶電容15之像素電極16之電位即像素信號Vpix之電位Vpixoff亦成為接地電位GND,故施加至配置於其間之液晶層之直流電壓成為0V。
<2.3 效果>
根據本實施形態,於將斷開時漏電流較小之IGZO-TFT用作像素形成部11之開關元件之液晶顯示裝置之電源斷開時,液晶電容15之像素電極16之電位即像素信號Vpix之電位迅速地成為接地電位GND,施加至配置於像素電極16與共通電極17之間之液晶層之直流電壓成為0V。藉此,可防止因液晶之烙印而產生之殘像或因最佳共通電壓之偏差而產生之閃爍。
再者,因相當於斷開時序模式時之掃描信號Vg之高位準之電位Vgh較高,故施加至TFT12之閘極端子之電壓值亦變大,TFT12之導通電流變大。藉此,因可在短時間內將在斷開時序模式時供給至信號線SL之電位Vdoff1之資料信號Vd寫入像素形成部11,故可縮短使施加至液晶層之直流電壓成為0V所需之時間。
<3. 第2實施形態>
<3.1 液晶顯示裝置之構成>
因第2實施形態之液晶顯示裝置之構成係與第1實施形態之液晶顯示裝置之構成相同,故省略表示其構成之方塊圖。且,以本實施形態之液晶顯示裝置所包含之構成要素中不同於第1實施形態之液晶顯示裝置所包含之構成要素者為中心進行說明。
因導通時序模式之各電路之動作與第1實施形態之情形相同,故省略其說明,對斷開時序模式之動作進行說明。若給予斷開信號OFS,則斷開時序控制電路60讀出事先儲藏於記憶體65之各種信號,配合轉換為斷開時序模式之時點而將該等信號輸出至顯示控制電路20。具體而言,將用於施加至掃描線GL之高位準與低位準之掃描信號、用於供給至信號線SL之資料信號及電位為接地電位GND之共通電壓Vcom輸出至顯示控制電路20。
在斷開時序模式中,顯示控制電路20停止輸出在導通時序模式時施加至掃描線GL之高位準(電位Vgh)及低位準(電位Vgl)之掃描信號,將相當於不同於導通時序時之高位準之電位Vghoff及相當於低位準之電位Vgloff之掃描信號輸出至掃描線驅動電路30。具體而言,相當於斷開時序模式時之高位準之電位Vghoff係較導通時序模式時之電位Vgh更小之值,相當於低位準之電位Vgloff係較導通時序模式時之電位Vgl更大之值即接地電位GND。
再者,停止輸出在導通時序模式時用於生成資料信號之數位圖像信號DV,將自斷開時序控制電路60給予之電位Vdoff2之資料信號輸出至信號線驅動電路40。另,資料信號之電位Vdoff2為固定值,其詳細內容將予以後述。
信號線驅動電路40對信號線SL供給電位Vdoff2之資料信號。掃描線驅動電路30於較第1實施形態之情形之期間更長之期間內,將相當於高位準之電位Vghoff之掃描信號施加至掃描線GL,接著,將相當於低位準之電位Vgloff之掃描信號施加至掃描線GL。共通電極驅動電路50將電位為接地電位GND之共通電壓Vcom施加至共通電極17。
<3.2 液晶顯示裝置之驅動方法>
圖6係表示本實施形態之液晶顯示裝置所包含之像素形成部11之驅動方法的時序圖。圖6所示之時序圖表示有藉由於液晶顯示裝置在
導通時序模式下進行動作時斷開電源而轉換為斷開時序模式之情形。因導通時序模式之液晶顯示裝置之動作與第1實施形態中所說明之導通時序模式之情形相同,故省略其說明。
液晶顯示裝置在導通時序模式下進行動作時,若斷開其電源,則於將斷開信號OFS輸入至斷開時序控制電路60後,於掃描信號Vg最初自高位準降為低位準時,斷開時序模式轉換信號OFT上升,轉換為斷開時序模式。
藉由轉換為斷開時序模式,信號線驅動電路40取代電位Vsig之資料信號Vd而讀出電位Vdoff2之資料信號Vd(斷開時序時之資料信號)並供給至信號線SL,該電位Vdoff2之資料信號Vd係基於以下算式(6)事先求出並儲存於斷開時序控制電路60之記憶體65。
Vdoff2=Cgd‧(Vghoff-Vgloff)/Ct...(6)
另,上述算式(6)中,設相當於斷開時序時之掃描信號Vg之高位準之電位為Vghoff,相當於低位準之電位為Vgloff。電位Vgloff具體而言為接地電位GND。
再者,共通電極驅動電路50取代負極性之電位Vncom而給予接地電位GND作為共通電壓Vcom。
接著,掃描線驅動電路30於較第1實施形態之期間t1更長之期間即期間t2之內對掃描線GL施加高位準之掃描信號Vg。藉此,TFT12成為導通狀態,供給至信號線SL之電位Vdoff2之資料信號Vd被寫入像素形成部11,像素信號Vpix之電位亦成為Vdoff2。
此處,說明延長對掃描線GL施加高位準之掃描信號Vg之期間之原因。本實施形態中,因將相當於掃描信號Vg之高位準之電位自Vgh縮小為Vghoff,故施加至TFT12之閘極端子之閘極電壓亦降低,TFT12之導通電流變小。因此,藉由使施加高位準之掃描信號Vg之時間t2長於第1實施形態之情形時之時間t1,可將供給至信號線SL之電
位Vdoff2之資料信號Vd確實地寫入像素形成部11。
經過期間t2後,使掃描信號Vg自高位準降為低位準。此時,與第1實施形態之情形同樣地,使相當於低位準之電位設為接地電位GND。如此,若使掃描信號Vg自高位準降為低位準,則因寄生電容Cgd之耦合效應,像素信號Vpix之電位Vdoff2僅下降以下算式(7)所示之移位量ΔV4。
ΔV4=Cgd‧(Vghoff-Vgloff)/Ct...(7)
該情形時,使TFT12成為斷開狀態時自像素信號Vpix之電位Vdoff2之移位量ΔV4與由上述算式(6)所表示之轉換為斷開時序時經由TFT12而寫入至像素形成部11之像素信號Vpix之電位Vdoff2相等。其結果,使TFT12成為斷開狀態時,若考慮寄生電容Cgd之耦合效應造成之移位量ΔV4,則像素信號Vpix之電位Vpixoff藉由以下算式(8)成為接地電位GND。
Vpixoff=Vdoff2-ΔV4=0...(8)
如此,因與共通電極17之共通電壓Vcom一起,液晶電容15之像素電極16之電位即像素信號Vpix之電位Vdoff2亦成為接地電位GND,故施加至配置於其間之液晶層之直流電壓成為0V。
<3.3 效果>
根據本實施形態,可獲得與第1實施形態之情形同樣之效果。且,即使液晶電容15之電容值因製造液晶面板時之加工不均而變動之情形時,藉由縮小相當於掃描信號Vg之高位準之電位Vghoff,仍可使於斷開時序時供給至信號線SL之資料信號Vd之電位Vdoff2成為更接近接地電位GND之值。藉此,因無需依每液晶面板設置不同之值作為資料信號Vd之電位Vdoff2,故可容易地設定資料信號Vd之電位Vdoff2。進而,因蓄積於液晶電容15之電荷量進一步減少,故可藉由經由液晶層或TFT12之洩漏使施加至液晶層之直流電壓在短時間內成
為0V。
<4. 第3實施形態>
<4.1 液晶顯示裝置之構成>
因本發明之第3實施形態之液晶顯示裝置之構成與第1實施形態之液晶顯示裝置之構成相同,故省略表示其構成之方塊圖。且,以本實施形態之液晶顯示裝置所包含之構成要素中與第1實施形態之液晶顯示裝置所包含之構成要素之功能不同者為中心進行說明。
因導通時序模式之各電路之動作與第1實施形態之情形相同,故省略其說明,對斷開時序模式之動作進行說明。若給予斷開信號OFS,則斷開時序控制電路60讀出事先儲存於記憶體65之各種信號,配合轉換為斷開時序模式之時點而將該等信號輸出至顯示控制電路20。具體而言,將用於施加至掃描線GL之高位準、中間位準及低位準之掃描信號、用於供給至信號線SL之資料信號及電位為接地電位GND之共通電壓Vcom輸出至顯示控制電路20。
在斷開時序模式中,顯示控制電路20停止輸出在導通時序模式時施加至掃描線GL之高位準(電位Vgh)及低位準(電位Vgl)之掃描信號,將相當於高位準之電位Vgh、相當於中間位準之電位Vghoff及相當於低位準之電位Vgloff之掃描信號輸出至掃描線驅動電路30。因此,相當於中間位準之電位Vghoff係相當於高位準之電位Vgh與相當於低位準之電位Vgloff之間之電位。
再者,停止輸出在導通時序模式時用於生成資料信號之數位圖像信號DV,將自斷開時序控制電路60給予之電位Vdoff3之資料信號輸出至信號線驅動電路40。另,資料信號之電位Vdoff3為固定值,其詳細內容將予以後述。
信號線驅動電路40對信號線SL供給電位Vdoff3之資料信號。掃描線驅動電路30於特定期間內將相當於高位準之電位Vgh之掃描信號
施加至掃描線GL,接著,同樣地,在特定期間內,將相當於中間位準之電位Vghoff之掃描信號施加至掃描線GL。又,將相當於低位準之電位Vgloff之掃描信號施加至掃描線GL。共通電極驅動電路50將電位為接地電位GND之共通電壓Vcom施加至共通電極17。
<4.2 液晶顯示裝置之驅動方法>
圖7係表示本實施形態之液晶顯示裝置所包含之像素形成部11之驅動方法的時序圖。圖7所示之時序圖表示有液晶顯示裝置在導通時序模式下進行動作時藉由斷開電源而轉換為斷開時序模式之情形。因導通時序模式之液晶顯示裝置之動作與第1實施形態中所說明之導通時序模式之情形相同,故省略其說明。
液晶顯示裝置在導通時序模式下進行動作時,若斷開其電源,則於將斷開信號OFS輸入至斷開時序控制電路60後,於掃描信號Vg最初自高位準降為低位準時,斷開時序模式轉換信號OFT上升,轉換為斷開時序模式。
藉由轉換為斷開時序模式,信號線驅動電路40取代電位Vsig之資料信號Vd而讀出電位Vdoff3之資料信號Vd(斷開時序時之資料信號)並供給至信號線SL,該電位Vdoff3之資料信號Vd係基於以下算式(9)事先求出並儲存於斷開時序控制電路60之記憶體65。
Vdoff3=Cgd‧(Vghoff-Vgloff)/Ct...(9)
另,上述算式(9)中,設斷開時序時之相當於掃描信號Vg之中間位準之電位為Vghoff,相當於低位準之電位為Vgloff。電位Vgloff具體而言為接地電位GND。且,共通電極驅動電路50取代負極性之電位Vncom而給予接地電位GND作為共通電壓Vcom。
接著,掃描線驅動電路30於與第1實施形態之情形相同之期間即期間t1之內,對掃描線GL施加高位準之掃描信號Vg。藉此,TFT12成為導通狀態,供給至信號線SL之電位Vdoff3之資料信號Vd被寫入像
素形成部11,像素信號Vpix之電位亦成為Vdoff3。
經過期間t1後,使被施加至掃描線GL之掃描信號Vg之位準自高位準降為中間位準,並再次於期間t1之內對掃描線GL施加中間位準之掃描信號Vg。藉此,TFT12保持導通狀態,藉由供給至信號線SL之電位Vdoff3之資料信號Vd,像素信號Vpix之電位亦維持Vdoff3不變。
進而,經過期間t1後,使施加至掃描線GL之掃描信號Vg之位準自中間位準降為低位準。此時,與第1實施形態之情形同樣地,使相當於低位準之電位Vgloff成為接地電位GND。如此,若使掃描信號Vg自中間位準降為低位準,則因寄生電容Cgd之耦合效應,像素信號Vpix之電位Vdoff3僅下降以下算式(10)所示之移位量△V5。
△V5=Cgd‧(Vghoff-Vgloff)/Ct...(10)
該情形時,使TFT12成為斷開狀態時自像素信號Vpix之電位Vdoff3之移位量△V5與由上述算式(9)所表示之於轉換為斷開時序時經由TFT12而寫入至像素形成部11之像素信號Vpix之電位Vdoff3相等。其結果,使TFT12成為斷開狀態時,若考慮寄生電容Cgd之耦合效應造成之移位量△V5,則像素信號Vpix之電位Vpixoff藉由以下算式(11)成為接地電位GND。
Vpixoff=Vdoff3-△V5=0...(11)
如此,因與共通電極17之共通電壓Vcom一起,液晶電容15之像素電極16之電位即像素信號Vpix之電位Vdoff3亦成為接地電位GND,故施加至配置於其間之液晶層之直流電壓成為0V。
<4.3 效果>
根據本實施形態,因階段性地縮小掃描信號Vg之電位,故可於轉換為斷開時序模式時將施加至信號線SL之電位Vdoff3之資料信號Vd更確實地寫入至像素形成部11。因其他效果係與第2實施形態之情形相同,故省略其說明。
<4.4 變化例>
本實施形態中,高位準之掃描信號Vg與低位準之掃描信號Vg之間作為中間位準之掃描信號Vg,將電位為Vghoff之位準之掃描信號Vg施加至掃描線GL。但,中間位準之掃描信號Vg之個數不限定於1個,亦可為複數個。複數個之情形時,掃描信號Vg係位準自高位準至低位準階段性地變小之信號,按照位準順序自高位準之掃描信號Vg至低位準之掃描信號Vg施加至掃描線GL。此時,作為上述算式(9)之Vghoff,施加至信號線SL之資料信號Vd之電位Vdoff3係應用相當於電位最接近Vgloff之中間位準之電位而求得。如此,藉由按照位準順序階段性地縮小複數個中間位準之掃描信號Vg,可將電位Vdoff3之資料信號Vd更確實地寫入至像素形成部11。
再者,本實施形態中,與第1實施形態之情形同樣地,將高位準之掃描信號Vg及中間位準之掃描信號Vg施加至掃描線GL之期間設為期間t1。但,不限定於此,亦可為較期間t1更長之期間,或較其更短之期間。尤其於掃描信號Vg之位準低於導通時序時之高位準之情形時,因TFT12之導通電流變小,故以進一步延長期間為佳。且,本實施形態中,雖設施加高位準之掃描信號Vg之期間與施加中間位準之掃描信號Vg之期間相同,但亦可根據位準而設為不同之期間。
<5. 其他>
上述各實施形態中,於斷開時序時,即使掃描信號Vg自高位準降為低位準,仍使資料信號Vd之電位在短期間內分別為Vdoff1~Vdoff3之原因在於,避免於正對像素形成部11寫入資料信號Vd時因RC負荷引起之掃描信號Vg之波形遲緩而降低資料信號Vd之電位Vdoff1~Vdoff3。
再者,於對掃描線GL施加高位準之掃描信號Vg之前,設資料信號Vd之電位為特定之值之原因在於,消除因RC負荷引起之資料信號
Vd之波形遲緩所造成之影響,於掃描信號Vg成為高位準之前,使資料信號Vd之電位成為特定之電位。尤其高精密面板之情形,因資料信號Vd之寫入時間變短,故於同時進行上升高位準之掃描信號Vg並使資料信號Vd之電位設為特定之值時,易產生資料信號Vd之寫入不充分之狀況。但,藉由事先設資料信號Vd之電位為特定之值,可避免如此之狀況。
上述各實施形態中,於進行電位Vsig之資料信號Vd(圖像信號)之寫入時,將斷開信號OFS輸入至斷開時序控制電路60之情形,轉換為斷開時序之時點係設為高位準之掃描信號Vg最初降為低位準之時。但,於水平返馳期間輸入斷開信號OFS之情形中,亦可於將對連接於下一掃描線之像素形成部11寫入電位Vsig之資料信號Vd之前轉換為斷開時序模式。且,亦可自輸入斷開信號OFS後之下一幀進行轉換,或亦可自輸入斷開信號OFS時之掃描線GL後進而對數行之掃描線GL寫入電位Vsig之資料信號Vd後再進行轉換。如此,對於斷開時序模式之轉換並非於輸入斷開信號OFS後立即進行,而係經過特定期間後再進行。
本發明適用於主動矩陣型之液晶顯示裝置等之顯示裝置。尤其適用於將具有包含氧化物半導體之通道層之薄膜電晶體用作像素形成部之開關元件之顯示裝置。
GND‧‧‧接地電位
OFS‧‧‧斷開信號
OFT‧‧‧斷開信號
t 1‧‧‧期間
Vcom‧‧‧共通電壓
Vd‧‧‧資料信號
Vdoff1‧‧‧電位
Vg‧‧‧掃描信號
Vgh‧‧‧高位準之電位
Vgl‧‧‧電位
Vgloff‧‧‧低位準之電位
Vncom‧‧‧負極性之電位
Vpix‧‧‧像素信號
Vsig‧‧‧電位
ΔV1‧‧‧移位量
ΔV3‧‧‧移位量
Claims (8)
- 一種液晶顯示裝置,其特徵為:其係於正以導通時序模式顯示圖像時,藉由斷開電源而轉換為斷開時序模式之主動矩陣型之液晶顯示裝置,其包含:顯示部,其具備:複數條掃描線;複數條信號線,其與上述複數條掃描線交叉;及像素形成部,其係與上述複數條掃描線及上述複數條信號線之交叉點分別對應而配置為矩陣狀,並包含根據施加至對應之掃描線之掃描信號之位準而成為導通狀態或斷開狀態之薄膜電晶體及保持表示應顯示之圖像之圖像信號之像素電容;掃描線驅動電路,其將用於選擇性地活化上述複數條掃描線之掃描信號施加至上述掃描線;信號線驅動電路,其將上述圖像信號施加至上述信號線;顯示控制電路,其將為生成上述掃描信號及上述圖像信號所需之控制信號分別輸出至上述掃描線驅動電路及上述信號線驅動電路;共通電極驅動電路,其共通地設置於上述複數個像素形成部,對成為上述像素電容之一端之電極之共通電極施加共通電壓;及斷開時序控制電路,其於斷開上述液晶顯示裝置之電源時,將為轉換為上述斷開時序模式所需之信號輸出至上述顯示控制電路;上述斷開時序控制電路係於利用上述掃描線驅動電路在特定期間之內施加為使上述薄膜電晶體成為導通狀態所需之第 1位準之掃描信號後,將接地電位即第2位準之掃描信號施加至掃描線;藉由利用上述信號線驅動電路使上述掃描信號之位準自上述第1位準成為上述第2位準,於上述特定期間之內,將相當於由上述第1位準與上述第2位準之位準差、形成於上述薄膜電晶體之閘極端子與汲極端子之間之寄生電容、與包含上述寄生電容之上述像素形成部之合成電容所決定之上述圖像信號之移位量之電位之資料信號施加至上述信號線;且以利用共通電極驅動電路對上述共通電極施加接地電位的方式控制上述顯示控制電路;其中上述掃描信號之第1位準係為低於在上述導通時序模式下使上述薄膜電晶體成為導通狀態所需之位準且高於上述接地電位之實質上為固定值的位準。
- 如請求項1之液晶顯示裝置,其中上述掃描信號之第1位準係在上述導通時序模式下為使上述薄膜電晶體成為導通狀態所需之位準與接地電位之間按照位準順序而設定之複數個位準;斷開時序時之上述資料信號係由上述複數個位準中最接近接地電位之位準與接地電位之位準差、形成於上述薄膜電晶體之閘極端子與汲極端子之間之寄生電容、與包含上述寄生電容之上述像素形成部之合成電容所決定之位準之信號。
- 如請求項1或2之液晶顯示裝置,其中施加上述第1位準之掃描信號之特定期間係於將上述第1位準之掃描信號施加至上述薄膜電晶體之閘極端子時,上述薄膜電晶體之導通電流越小則越長的期間。
- 如請求項1之液晶顯示裝置,其中上述掃描信號之第1位準係 與上述導通時序模式下為使上述薄膜電晶體成為導通狀態所需之位準相同之位準。
- 如請求項1之液晶顯示裝置,其中上述斷開時序控制電路包含記憶體,其儲存為轉換為上述斷開時序模式所需之信號;於轉換為上述斷開時序模式時自上述記憶體讀出為轉換為斷開時序所需之信號,並將其輸出至上述顯示控制電路。
- 如請求項1之液晶顯示裝置,其中上述薄膜電晶體之通道層係藉由氧化物半導體而形成。
- 如請求項6之液晶顯示裝置,其中上述氧化物半導體包含銦、鎵、鋅及氧。
- 一種液晶顯示裝置之驅動方法,其特徵為:其係於正以導通時序模式顯示圖像時,藉由斷開電源而轉換為斷開時序模式之主動矩陣型之液晶顯示裝置之驅動方法,該液晶顯示裝置包含:顯示部,其具備:複數條掃描線;複數條信號線,其與上述複數條掃描線交叉;及像素形成部,其係與上述複數條掃描線及上述複數條信號線之交叉點分別對應而配置為矩陣狀,並包含根據施加至對應之掃描線之掃描信號之位準而成為導通狀態或斷開狀態之薄膜電晶體及保持表示應顯示之圖像之圖像信號之像素電容;掃描線驅動電路,其將用於選擇性地活化上述複數條掃描線之掃描信號施加至上述掃描線;信號線驅動電路,其將上述圖像信號施加至上述信號線;顯示控制電路,其將為生成上述掃描信號及上述圖像信號所需之控制信號分別輸出至上述掃描線驅動電路及上述信號 線驅動電路;共通電極驅動電路,其共通地設置於上述複數個像素形成部,對成為上述像素電容之一端之電極之共通電極施加共通電壓;及斷開時序控制電路,其於斷開上述液晶顯示裝置之電源時,將為轉換為上述斷開時序模式所需之信號輸出至上述顯示控制電路;該液晶顯示裝置之驅動方法包含以下步驟:於利用上述掃描線驅動電路於特定期間之內施加為使上述薄膜電晶體成為導通狀態所需之第1位準之掃描信號後,將接地電位即第2位準之掃描信號施加至掃描線;藉由利用上述信號線驅動電路使上述掃描信號之位準自上述第1位準成為上述第2位準,於上述特定期間之內,將相當於由上述第1位準與上述第2位準之位準差、形成於上述薄膜電晶體之閘極端子與汲極端子之間之寄生電容、與包含上述寄生電容之上述像素形成部之合成電容所決定之上述圖像信號之移位量之電位之資料信號施加至上述信號線;且以利用共通電極驅動電路對上述共通電極施加接地電位;其中上述掃描信號之第1位準係為低於在上述導通時序模式下使上述薄膜電晶體成為導通狀態所需之位準且高於上述接地電位之實質上為固定值的位準。
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