TWI550930B - 有機發光結構、形成有機發光結構之方法、有機發光顯示裝置及製造有機發光顯示裝置之方法 - Google Patents

有機發光結構、形成有機發光結構之方法、有機發光顯示裝置及製造有機發光顯示裝置之方法 Download PDF

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金在福
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Description

有機發光結構、形成有機發光結構之方法、有機發光顯 示裝置及製造有機發光顯示裝置之方法
相關申請案之交互參照
本申請案依35 U.S.C§119之規定參照、併入並主張稍早於2011年6月16日向韓國智慧財產局提出之申請案，該申請案號為10-2011-0058265，以及稍早於2011年9月9日向韓國智慧財產局提出之申請案，該申請案號為10-2011-0091690之所有優先權效益。
範例實施例相關於一種有機發光結構、形成有機發光結構之方法、有機發光顯示裝置及製造有機發光裝置之方法。更特別地，範例實施例相關於一種包含疏水圖樣之有機發光結構、形成包含疏水圖樣之有機發光結構之方法、包含疏水圖樣之有機發光顯示裝置及製造包含疏水圖樣之有機發光裝置之方法。
有機發光顯示(OLED)裝置可使用藉由自陽極所提供之電洞與自陰極所提供之電子在有機層之結合所產生的光來顯示所需之例如影像、字母及/ 或字符之資訊。有機發光顯示裝置可具有幾個優點例如寬的視角、高反應時間、特別的薄及整體緊密度、以及低功率消耗，因此有機發光顯示裝置可被廣泛運用在各種電氣和電子儀器。近年來，有機發光顯示裝置已快速發展為一種最有值得期盼的顯示裝置。
為了形成有機發光顯示裝置之有機發光層，使用墨水、旋轉器、噴嘴之印刷製程、在層的沉積後之圖樣製程、以及使用熱或雷射之轉化製程被使用。然而，有機發光層可能在有機發光顯示裝置中之像素區域不均勻地形成且在由上述製程技術製造時可能無法有顯示高對比影像的能力。此外，當有機發光顯示裝置之尺寸增加時，則無法輕易地使用例如用於暴露製程之遮罩，且可能需要用以形成有機發光層之大量材料，藉此增加了不必要的製造成本。
根據本發明之目的所得之範例實施例可提供改善的有機發光結構及形成該有機發光結構之方法。
範例實施例提供包含疏水圖樣以改善發光特性之有機發光顯示裝置。
範例實施例提供形成包含疏水圖樣以改善發光特性之有機發光顯示裝置之方法。
範例實施例提供包含疏水圖樣以改善發光特性之有機發光顯示裝置。
範例實施例提供製造包含疏水圖樣以改善發光特性之有機發光顯示裝置之方法。
根據範例實施例，提供一種有機發光結構。有機發光結構可包含具有第一區域與第二區域之電洞傳輸層(HTL)、設置在第一區域中之電洞傳輸層上之發光層(EML)、設置在第二區域中之電洞傳輸層上之疏水圖樣、以及設置在疏水圖樣與發光層上之電子傳輸層(ETL)。
在範例實施例中，第一區域可實質上對應至像素區域而第二區域可實質上對應至非像素區域。
在範例實施例中，發光層可實質上藉由疏水圖樣被界定。
在範例實施例中，電洞注入層(HIL)更可設置在電洞傳輸層下。
在範例實施例中，電子注入層(EIL)更可設置在電子傳輸層上。
在範例實施例中，疏水圖樣包含至少一氟系材料，例如包含至少一碳原子與至少一氟原子鍵結或混成之聚合物、寡聚合物、樹枝狀聚合物及單體，或包含至少一有機矽烷系材料，其包含與矽原子鍵結之至少一有機官能基。
在範例實施例中，氟系材料可具有以公式-(CF2-CF2)n-表示之重複單元。
在範例實施例中，有機矽烷系材料可由下列化學式表示。
在上述化學式中，R1至R4可獨立地代表氫、C1至C20之烷基、C1至C20之烷氧基、鹵素、胺基或羥基。至少一R1至R4可代表C1至C20之烷基或C1至C20之烷氧基。
在範例實施例中，C1至C20之烷基或C1至C20之烷氧基可具有至少一氟原子取代基。
在範例實施例中，疏水圖樣可具有約1000埃至約3微米之厚度。
在範例實施例中，電洞傳輸層可包含位第一區域中之第一圖樣以及位於第二區域中之第二圖樣。
在範例實施例中，第一圖樣可包含電洞傳輸材料，而第二圖樣可包含電洞傳輸材料與交聯或聚合之光敏材料。
在範例實施例中，第二圖樣之電導性可實質上低於第一圖樣之電導性。
在範例實施例中，光敏材料可包含丙烯酸酯系材料或甲基丙烯酸酯系材料。
在範例實施例中，電子傳輸層可包含第三圖樣與第四圖樣。第三圖樣與第四圖樣可分別重疊第一區域與第二區域。
在範例實施例中，第三圖樣可包含電子傳輸材料。第四圖樣可包含電子傳輸材料與交聯或聚合之光敏材料。
在範例實施例中，第四圖樣之電導性可實質上低於該第三圖樣之電導性。
根據範例實施例，提供一種有機發光顯示裝置。有機發光裝置可包含具有像素區域與非像素區域之第一基材、設置在第一基材上之第一電極、設置在第一基材上且在像素區域之中部分地暴露第一電極之像素定義層(PDL)、設置在像素定義層與暴露之第一電極上之電洞傳輸層、設置在位於非像素區域中之電洞傳輸層上之疏水圖樣、設置在像素區域中之電洞傳輸層上之發光層、設置在疏水圖樣與發光層上之電子傳輸層、以及設置在電子傳輸層上之第二電極。
在範例實施例中，開關裝置更可設置在第一基材上。開關裝置可電性連接至第一電極。
在範例實施例中，電洞注入層更可設置在像素定義層與暴露之第一電極上，且在電洞傳輸層下。
在範例實施例中，電子注入層更可設置在電子傳輸層與第二電極之間。
在範例實施例中，像素定義層可具有約1000埃(Å)至約4000埃之厚度。
在範例實施例中，電洞傳輸層可包含第一圖樣與第二圖樣。第二圖樣之電導性可實質上低於第一圖樣之電導性。
在範例實施例中，第一圖樣可設置在暴露之第一電極與像素定義層之側壁上，且第二圖樣可設置在像素定義層之表面上。
在範例實施例中，第一圖樣可設置在暴露之第一電極與像素定義層之側壁之一部分上。在此例中，第二圖樣可設置在像素定義層之表面上且在未被第一圖樣所覆蓋之像素定義層之側壁之一部分上。
在範例實施例中，第一圖樣可設置在暴露之第一電極上，且第二圖樣設置在像素定義層之表面與側壁上。
在範例實施例中，第一圖樣可設置在暴露之第一電極之一部分上，且第二圖樣可設置在像素定義層上及且在未被第一圖樣所覆蓋之暴露之第一電極之一部分上。
在範例實施例中，電子傳輸層可包含第三圖樣與第四圖樣。第四圖樣之電導性可實質上低於第三圖樣之電導性。
在範例實施例中，第三圖樣可設置在發光層上且第四圖樣可設置在疏水圖樣上。
在範例實施例中，第三圖樣可設置在發光層之一部分上。在此例中，第四圖樣可設置在疏水圖樣之上及在未被第三圖樣所覆蓋之發光層之一部分上。
根據範例實施例，提供一種形成有機發光結構之方法。在方法中，可提供具有第一區域與第二區域之電洞傳輸層。疏水圖樣可形成在第二區域中之電洞傳輸層上。發光層可形成在第一區域中之電洞傳輸層上。以及電子傳輸層可形成在疏水圖樣與發光層上。
在範例實施例中，在形成疏水圖樣中，疏水層可形成在施體基材上。施體基材可排列在電洞傳輸層上，以使疏水層面對電洞傳輸層。一雷射光可選擇性地照射在第二區域中，以轉移疏水層之一部分至電洞傳輸層上。
在範例實施例中，在形成疏水圖樣中，疏水層可形成在施體基材上。施體基材可排列在電洞傳輸層上，以使疏水層面對電洞傳輸層。壓力與熱力可施加至施體基材，以在第二區域中之電洞傳輸層上形成疏水圖樣。
在範例實施例中，疏水圖樣可藉由包含噴墨印刷製程、噴嘴印刷製程、沖壓製程、平板打印製程或反平板打印製程形成。
在範例實施例中，疏水圖樣可藉由可溶製程形成。在可溶製程中，疏水性組成物可提供在第二區域中之電洞傳輸層上。疏水性組成物包含氟系材料或有機矽烷系材料與溶劑。
在範例實施例中，疏水圖樣可藉由不可溶製程形成。在可溶製程中，氟系材料或有機矽烷系材料可蒸發或昇華。氟系材料或有機矽烷系材料可提供在第二區域中之電洞傳輸層上。
在範例實施例中，在提供電洞傳輸層中，可提供包含光敏組成物之初步電洞傳輸層。第二區域中之初步電洞傳輸層之一部分可選擇性地暴露在一光下。
在範例實施例中，光敏組成物可包含電洞傳輸材料、光敏單體、光聚合引發劑及有機溶劑。
在範例實施例中，第二區域中之初步電洞傳輸層之一部分可藉由交聯反應或聚合反應轉化為第二圖樣。第一區域中之初步電洞傳輸層之一部分可轉化為第一圖樣。
在範例實施例中，第一圖樣可包含電洞傳輸材料，且第二圖樣可包含電洞傳輸材料以及藉由交聯或聚合光敏單體所產生之聚合物。
在範例實施例中，烘烤製程更可在選擇性地在光下暴露第二區域中之初步電洞傳輸層之一部分後執行。
在範例實施例中，在選擇性地在光下暴露疏水圖樣上之初步電子傳輸層之一部分後，可藉由提供顯影溶液移除殘留在第一圖樣中的光敏單體、光聚合引發劑及有機溶劑。
在範例實施例中，在電子傳輸層形成中，初步電子傳輸層可形成在發光層與疏水圖樣上。初步電子傳輸層可包含光敏組成物。在疏水圖樣上之初步電子傳輸層之一部分可選擇性地暴露在光下。
在範例實施例中，光敏組成物可包含電子傳輸材料、光敏單體、光聚合引發劑及有機溶劑。
在範例實施例中，在疏水圖樣上之初步電子傳輸層之一部分可藉由交聯反應或聚合反應轉變為第四圖樣。在發光層上之初步電子傳輸層之一部分可轉變為第三圖樣。
在範例實施例中，第三圖樣可包含電子傳輸材料，第兒四圖樣可包含電子傳輸材料與藉由交聯或聚合光敏單體所產生之聚合物。
在範例實施例中，烘烤製程更可在選擇性地在光下暴露疏水圖樣上之初步電子傳輸層之一部分後執行。
在範例實施例中，在選擇性地在光下暴露疏水圖樣上之初步電子傳輸層之一部分後，可藉由提供顯影溶液移除殘留在第三圖樣中的光敏單體、光聚合引發劑及有機溶劑。
在範例實施例中，電洞注入層更可在提供電洞傳輸層前提供。
在範例實施例中，電子注入層更可形成在電子傳輸層上。
在範例實施例中，疏水圖樣可具有約1000埃至約3微米之厚度。
根據範例實施例，提供製造一有機發光顯示裝置之方法。在方法中，第一電極可形成在第一基材上。第一基材可具有像素區域與非像素區域。 像素定義層可形成在第一基材上。像素定義層可部分地暴露第一電極。電洞傳輸層可形成在像素定義層與暴露之第一電極上。疏水圖樣可形成在非像素區域中之電洞傳輸層上。發光層可形成在像素區域中之電洞傳輸層上。電子傳輸層可形成在疏水圖樣與發光層上。以及第二電極可形成在電子傳輸層上。
在範例實施例中，疏水圖樣可使用至少一氟系材料所形成，例如包含至少一碳原子與至少一氟原子鍵結或混成之聚合物、寡聚合物、樹枝狀聚合物及單體，或使用含有與矽原子鍵結之至少一有機官能基之至少一有機矽烷系材料而形成。
在範例實施例中，在疏水圖樣形成中，疏水層可形成在施體基材上。施體基材可排列在電洞傳輸層上，以使疏水層面對電洞傳輸層。雷射光可選擇性地照射在非像素區域中，以轉移疏水層之一部分至電洞傳輸層。
在範例實施例中，在疏水圖樣形成中，疏水層可形成在施體基材上。施體基材可排列在電洞傳輸層上，以使疏水層面對電洞傳輸層。壓力與熱力可施加至施體基材，以在非像素區域中之電洞傳輸層上形成疏水圖樣。
在範例實施例中，疏水圖樣可藉由噴墨印刷製程、噴嘴印刷製程、沖壓製程、平板打印製程或反平板打印製程形成。
在範例實施例中，疏水圖樣可藉由可溶製程形成。在可溶製程中，疏水性組成物可提供在非像素區域中之電洞傳輸層上。疏水性組成物可包含氟系材料或有機矽烷系材料及溶劑。
在範例實施例中，疏水圖樣可藉由不可溶製程形成。在不可溶製程中，氟系材料或有機矽烷系材料可蒸發或昇華。氟系材料或有機矽烷系材料可提供在非像素區域中之電洞傳輸層上。
在範例實施例中，在電洞傳輸層之形成中，包含光敏組成物之初步電洞傳輸層可在像素定義層與暴露之第一電極上形成。在像素定義層上之初步電洞傳輸層之一部分可選擇性地暴露在一光下。
在範例實施例中，在像素定義層之頂面上之初步電洞傳輸層之一部分可藉由交聯反應或聚合反應轉化為第二圖樣。在此例中，像素定義層之側壁上之初步電洞傳輸層之一部分與暴露之第一電極可轉化為第一圖樣。
在範例實施例中，在像素定義層之側壁之一部分與在表面上之初步電洞傳輸層之一部分可藉由交聯反應或聚合反應轉化為第二圖樣。在此例中，未被第二圖樣覆蓋之像素定義層之側壁上且在暴露之第一電極上之初步電洞傳輸層之一部分可轉化為第一圖樣。
在範例實施例中，在像素定義層之側壁與表面上之初步電洞傳輸層之一部分可藉由交聯反應或聚合反應轉化為第二圖樣。在此例中，在暴露之第一電極上之初步電洞傳輸層之一部分可轉化為第一圖樣。
在範例實施例中，在像素定義層上之初步電洞傳輸層之一部分及暴露之第一電極之一部分可藉由交聯反應或聚合反應轉化為第二圖樣。在此例中，在未被第二圖樣所覆蓋之暴露之第一電極上之初步電洞傳輸層之一部分可藉由第二圖樣轉化為第一圖樣。
在範例實施例中，在電子傳輸層之形成中，初步電子傳輸層可形成在發光層與疏水圖樣上。初步電子傳輸層可包含光敏組成物。非像素區域中之初步電子傳輸層之一部分可選擇性地暴露在一光下。
在範例實施例中，在疏水圖樣上之初步電子傳輸層之一部分可藉由交聯反應或聚合反應轉化為第四圖樣。在此例中，發光層上之初步電子傳輸層之一部分可轉化為第三圖樣。
在範例實施例中，在疏水圖樣上之初步電子傳輸層之一部分以及發光層之一部分可藉由交聯反應或聚合反應轉化為第四圖樣。在此例中，未被第四圖樣覆蓋之發光層上之初步電子傳輸層之一部分可轉化為第三圖樣。
在範例實施例中，電洞注入層更可在形成電洞傳輸層前形成在像素定義層與暴露之第一電極上。
在範例實施例中，電子注入層更可在形成電子傳輸層後形成在電子傳輸層上。
根據範例實施例，有機發光顯示裝置可包含在非像素區域中之電洞傳輸層之一部分上的疏水圖樣。在像素區域中之電洞傳輸層之一部分可具有親水性，以使發光層可選擇性地形成在像素區域中。據此，發光層之發光材料可避免沉積在非像素區域上以及模糊或汙染非像素區域，因此有機發光顯示裝置可具有改善之解析度及對比。此外，在非像素區域中之電洞傳輸層之電導性可被減少，因此有機發光顯示裝置之發光特性可更增強。
10‧‧‧施體基材
12‧‧‧透明區域
14‧‧‧阻隔區域
15‧‧‧遮罩
100‧‧‧第一基材
105‧‧‧緩衝層
110‧‧‧半導體圖樣
112‧‧‧源極區域
114‧‧‧通道區域
116‧‧‧汲極區域
120‧‧‧閘極絕緣層
125‧‧‧閘極電極
130‧‧‧第一絕緣中介層
133‧‧‧源極電極
135‧‧‧汲極電極
140‧‧‧開關裝置
150‧‧‧第二絕緣中介層
160‧‧‧第一電極
165‧‧‧像素定義層
210、212、2121、2122、2123‧‧‧電洞傳輸層
212a、212c、212e、212g‧‧‧第一圖樣
212b、212d、212f、212h‧‧‧第二圖樣
211‧‧‧初步電洞傳輸層
214‧‧‧疏水層
215‧‧‧疏水圖樣
220‧‧‧發光層
230、235‧‧‧電子傳輸層
233‧‧‧初步電子傳輸層
235a‧‧‧第三圖樣
235b‧‧‧第四圖樣
240‧‧‧有機發光結構
250‧‧‧第二電極
I‧‧‧第一區域
II‧‧‧第二區域
本發明更完整的價值、及其隨之而來的優勢，藉由參照考慮附圖結合以下詳細描述而為顯而易見且可更好的理解，其中相似的參考符號表示相同或相似之元件，其中：第1圖 係為包含根據本發明目的之範例實施例所建構之有機發光結構之有機發光顯示裝置之橫截面視圖；第2A圖至第2D圖 係為包含根據本發明目的之某些範例實施例所建構之有機發光結構之有機發光顯示裝置之橫截面視圖；第3圖 係為包含根據本發明目的之範例實施例所建構之有機發光結構之有機發光顯示裝置之橫截面視圖；第4圖至第11圖係為製造包含根據本發明目的之範例實施例之有機發光結構之有機發光顯示裝置之方法之橫截面視圖；第12圖至第17圖係為製造包含根據本發明目的之某些範例實施例之有機發光結構之有機發光顯示裝置之方法之橫截面視圖；以及第18圖至第20圖係為製造包含根據本發明目的之範例實施例之有機發光結構之有機發光顯示裝置之方法之橫截面視圖。
各例示性實施例將參考以下其中展示一些範例實施例的附圖而更充分地敘述。然而，本發明之概念可以不同形式被實體化，且不應解釋侷限於例示性實施例。反之，提供這些範例實施例以使此揭露周密且完整，且充分將本發明之概念傳達予本領域內之技藝者。在圖式中，層及區域之尺寸與相對尺寸可能為了清晰起見而誇大。
其可理解的是，當一元件或層被稱為“在…之上”、“連接”或“耦接”另一元件或層時，其可能呈現直接在另一元件或層之上、連接或耦接另一元件或層，或存在中介元件或層。反之，當一元件被稱為“直接在…之上”、“直接連接”或“直接耦接”另一元件或層時，其並無存在中介元件或層。全文中相似的參考符號是指相似之元件。在此處所使用的，術語“及/或”包括一個或多個相關列舉項目之任一或全部組合。
其可理解的是，雖然本文中術語第一、第二、第三等可使用描述各種元件、組件、區域、層及/或部分，這些元件、組件、區域、層及/或部分不應此而受限制。這些術語只是用來區分一個元件、組件、區域、層或部分與另一個元件、組件、區域、層或部分。因此，下文中所敘述的第一元件、組件、區域、層或部分可在不偏離本範例實施例之教示下，可稱為第二元件、組件、區域、層或部分。
空間相關術語，例如“下方”、“在…之下”、“較低(lower)”、“在…之上”、“較高(upper)”等術語，在此可能使用為便於描述一元件或特性與圖中所描述之另外一(多)個元件或特性之關係。需被理解的是，除了圖式中所描述之方向外，空間相關術語可包括裝置在使用或操作下的不同方向。例如，如果在圖式中裝置被翻轉時，被形容為在其他元件或特性“之下”或“下方”的元件而可稱為在其他元件或特性“之上”。因此，例示性術語“在…之下”可能包含在其之上或在其之下兩種方向。該裝置可有其他面向(旋轉90度或其他方向)，且本文中使用的此些空間相對描述是據此做對應的解釋。
在此所使用的術語之目的係為了描述特定之範例實施例，但不因此限制本發明。在此處所使用的，單數形式“一(a)”、“一(an)”與“該(the)”可同時包括複數形式，除非上下文清楚指出則另當別論。更可被理解的是，措詞“原形動詞的包括(comprisc)”及/或“動名詞的包括(comprising)”在本說明 書中使用時，具體說明了特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件，但不排除存在另外的一個或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件的存在。
此文中範例實施例藉由參照示意本發明之例示理想範例實施例(及其中間結構)而闡述。正因如此，如結果所示之圖式形狀變化，舉例來說，製造技術及/或公差(tolerances)是可以預期的。，舉例來說，以長方形所示之一注入區域通常將會在其邊緣具有圓形或弧形的特性及/或植入物濃度梯度而非自非植入區域所植入之二進制變化。同樣的，由植入所形成的埋沒區域可導致埋沒區域以及表面間之區域的一些植入發生。因此，圖式中所示之區域為自然示意且其形狀非欲說明裝置之區域的真實形狀且非欲限制本發明之範圍。
除非有其他定義，在此使用之所有措詞(包括技術和科學方面術語)可被本發明之所屬技術領域中具有通常知識者理解為具有相同意義。其可更了解的是，如那些通常定義在字典中的術語在相關技術背景下應解釋為一致的含義，且除非在此是明確定義，不然將不被理想化或過於正式之意義而解釋。
第1圖係為包含根據本發明目的之實施例所建構之有機發光結構之有機發光顯示裝置的橫截面視圖。
參照至第1圖，有機發光顯示(OLED)裝置可包含第一基材100、開關裝置140、第一電極160、有機發光結構240、第二電極250等。
第一基材100可包含例如玻璃基材、石英基材、透明塑料基材等之透明基材。舉例來說，透明塑料基材可包含聚亞醯胺(polyimide)、丙烯醯系樹脂(acryl-based resin)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醚(polyether)等。在一範例實施例中，平坦化製程可在第一基材100之上執行因此第一基材100可具有實質上平坦之頂面。舉例來說，平坦化製程可包含化學性機械研磨(chemical mechanical polishing,CMP)製程或回蝕製程。
在範例實施例中，緩衝層105可設置在第一基材100上。緩衝層105可阻斷自第一基材100所產生之雜質擴散且可控制當半導體圖樣110可藉由結晶製程形成時之熱傳。舉例來說，緩衝層105可包含氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiOxNy)等。緩衝層105可具有包含這些材料之單層結構或多層結構。在一範例實施例中，有機發光顯示裝置可不包含緩衝層105。
開關裝置140可設置在緩衝層105上。開關裝置140可包含半導體圖樣110、閘極電極125、閘極絕緣層120、源極電極133及汲極電極135等等。在範例實施例中，開關裝置140可包含具有多晶矽之主動區的薄膜電晶體(TFT)。另外，開關裝置140可包含氧化物半導體裝置。在此例中，開關裝置140可包含在緩衝層105上之閘極電極125、覆蓋閘極電極125之閘極絕緣層120、在閘極絕緣層120之一側之源極電極133、在閘極絕緣層120之另一側之汲極電極135、具有氧化物半導體材料且設置在源極電極133上之主動層、汲極電極135及閘極絕緣層120等。
參照至第1圖，半導體圖樣110可包含連接至源極電極133之源極區域112、連接至汲極電極135之汲極區域116、以及在源極區域112與汲極區域116之間之通道區域114。在範例實施例中，半導體圖樣110可包含多晶矽。
閘極絕緣層120可設置在緩衝層105上以覆蓋半導體圖樣110。閘極絕緣層120可絕緣閘極電極125與半導體圖樣110。在範例實施例中，閘極絕緣層120可包含矽基化合物，例如，氧化矽(silicon oxide)、氮化矽(silicon nitride)、氮氧化矽(silicon oxynitride)等。這些可被單獨或將其混合使用。在一範例實施例中，閘極絕緣層120可包含金屬氧化物。舉例來說，閘極絕緣層120可包含氧化鋁(AlOx)、氧化鉛(ZrOx)、氧化鉿(HfOx)、氧化鉭(TaOx)等。這些可被單獨或將其混合使用。閘極絕緣層120可具有包含上述矽基化合物及/或金屬氧化物之單層結構或多層結構。
受閘極訊號所施加之閘極電極125可設置在閘極絕緣層120上。閘極電極125可包含例如鉻(Cr)、鋁(Al)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、銅(Cu)、銀(Ag)、釹(Nd)等之金屬，或這些金屬之合金。這些可被單獨或將其混合使用。 電性連接至閘極電極125且以一預定方向延伸之閘極線路(圖未示)可設置在閘極絕緣層120上。
覆蓋閘極電極125之第一絕緣中介層130可設置在閘極絕緣層120上。第一絕緣中介層130可包含氧化矽或透明絕緣材料例如丙烯醯系樹脂、聚亞醯胺系樹脂、矽氧烷系樹脂等。第一絕緣中介層130可絕緣閘極電極125與源極電極133及汲極電極135。
源極電極133與汲極電極135可設置在第一絕緣中介層130上。源極電極133與汲極電極135可分別透過形成在第一絕緣中介層130與閘極絕緣層120中之開口電性連接至源極區域112與汲極區域116。源極電極133與汲極電極135可相對於閘極電極125彼此對稱定位。源極電極133與汲極電極135可包含例如鉻、鋁、鉭、鉬、鈦、鎢、銅、銀、釹等金屬，或這些金屬之合金。
覆蓋開關裝置140之第二絕緣中介層150可設置在第一絕緣中介層130上。也就是說，第二絕緣中介層150可覆蓋源極電極133與汲極電極135。 第二絕緣中介層150可保護開關裝置140且可絕緣開關裝置140與上部結構。第二絕緣中介層150可包含具有自平坦化特性(self-planarizing property)之透明絕緣材料。舉例來說，第二絕緣中介層150可包含丙烯醯系樹脂、聚亞醯胺系樹脂、矽氧烷系樹脂、苯並環丁烯(benzocyclobutene,BCB)等。
第一電極160可設置在第二絕緣中介層150上且可透過形成在第二絕緣中介層150中之開口電性連接汲極電極135。這樣的第一電極160與汲極電極135間之電性連接，第二絕緣中介層150可包含至少部分暴露汲極電極135之一開口(圖未示)或一開孔(圖未示)。在範例實施例中，第一電極160可部分填充開口 或開孔且可在第二絕緣中介層150之頂面延伸。在一範例實施例中，第一電極160可部分填充開口或開孔且可在第二絕緣中介層150之頂面延伸。在此例中，第一電極160可均勻地形成在開口或開孔之側壁。
第一電極160可根據有機發光顯示裝置之形態，舉例來說，頂部發光型或背部發光型，作為透明電極或反射電極。當第一電極160作為透明電極時，第一電極160可包含透明導電材料，舉例來說，氧化銦錫(ITO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnOx)、氧化錫(SnOx)等。在第一電極160作為反射電極之情況下，第一電極160可包含例如銀(Ag)、鋁(Al)、鉑(Pt)、金(Au)、鉻(Cr)、鎢(W)、鉭(Mo)、鈦(Ti)、鈀(Pd)等之金屬，或這些金屬之合金。在一範例實施例中，第一電極160可具有包含第一層與第二層之多堆疊結構。第一層可包含例如上述金屬或其合金，而第二層可包含例如上述之透明導電材料。
如第1圖所示，像素定義層(PDL)165可設置在第二絕緣中介層150與第一電極160上。像素定義層165可部分暴露第一電極160以定義有機發光顯示裝置之第一區域I。第一區域I可對應至有機發光顯示裝置之像素區域。在範例實施例中，像素定義層165可包含光敏材料，舉例來說，聚亞醯胺系樹脂或丙烯醯系樹脂。另外，像素定義層165可包含非光敏材料或無機材料。
在範例實施例中，像素定義層165可具有約1000埃至約4000埃之厚度。
有機發光結構240可設置在第一電極160與像素定義層165上。在範例實施例中，有機發光結構240可包含依序堆疊在第一電極160與像素定義層165上的電洞傳輸層(HTL)210、疏水圖樣215、有機發光層(EML)220與電子傳輸層(ETL)230。
電洞傳輸層210可設置在像素定義層165以及由像素定義層165所暴露之第一電極160的一部分上。電洞傳輸層210可包含電洞傳輸材料。電洞傳 輸材料之非限制例子可包含4,4-二[N-(1-萘基)-N-苯胺基]聯苯(4,4-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl,NPB)、N,N-二苯基-N,N-二(3-甲基苯基)-1,1-聯苯-4,4-二胺(N,N-diphenyl-N,N-bis(3-methylphenyl)-1,1-biphenyl-4,4-diamine,TPD)、N,N-二-1-萘基-N,N-二苯基-1,1-聯苯-4,4-二胺(N,N-di-1-naphthyl-N,N-diphenyl-1,1-biphenyl-4,4-diamine,α-NPD)、N-苯基咔唑(N-phenylcarbazole)、聚乙烯咔唑(polyvinylcarbazole)或這些材料的混合物。
在一範例實施例中，電洞注入層(HIL)(圖未示)可位在像素定義層165與被暴露之第一電極160上，並在電洞傳輸層210下。電洞注入層可包含，例如，4,4',4"-三(N-咔唑)三苯胺(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine,TCTA)、4,4',4"-三(N-(3-甲基苯基)N-苯胺基)三苯胺(4,4',4"-tris(N-(3-methylphenyl)-N-phenylamino)triphenylamine,m-MTDATA)、1,3,4-三{4-[甲基苯基(苯基)胺基]苯基}苯(l,3,4-tris{4-[methylphenyl(phenyl)amino]phenyl}benzene,m-MTDAPB)、4,4',4"-三(2-萘基苯基胺基)三苯胺(4,4',4"-tris(2-naphthylphenylamino)triphenylamine,2-TNATA)、或這些材料的混合物。
疏水圖樣215可設置在第二區域II中之電洞傳輸層210之一部分上，其中像素定義層165與電洞傳輸層210之一部分可彼此實質地重疊。第二區域II可對應至有機發光顯示裝置之非像素區域。有機發光顯示裝置之第二區域II(非像素區域)可藉由形成疏水圖樣215而具有疏水表面。在範例實施例中，疏水圖樣215可具有約1000埃至約3微米之厚度。
在範例實施例中，位在第二區域II中之疏水圖樣215可包含氟系材料。氟系材料可包括含有至少一碳原子與至少一氟原子鍵結或混成之聚合物、寡聚合物、樹枝狀聚合物或單體。這些可被單獨或將其混合使用。該碳原子可與一個氟原子(CF1)、兩個氟原子(CF2)或三個氟原子(CF3)結合。在一範例實施例 中，疏水圖樣215可包含具有藉由-(CF2-CF2)n-所表示之重複單元的氟系聚合物。在此，n可為2至10,000範圍中之整數。
在某些範例實施例中，疏水圖樣215可包含具有與矽原子結合且之至少一有機官能基的有機矽烷系材料。有機官能基可包含烷基、烷氧基、鹵素、胺基、羥基等。舉例來說，有機矽烷系材料可由下列化學式表示。
在上述化學式中，R1至R4可獨立地表示氫、C1至C20之烷基、C1至C20之烷氧基、鹵素、胺基或羥基。在範例實施例中，至少一個R1至R4可為C1至C20之烷基或C1至C20之烷氧基。此外，C1至C20之烷基或C1至C20之烷氧基可替換為至少一個氟原子。
疏水圖樣215可包含氟系材料或有機矽烷系材料，以使表面能之差異可產生在疏水圖樣215與電洞傳輸層210之間。因此，發光層220可選擇性形成在實質對應像素區域之第一區域I中。
發光層220可設置在位在有機發光顯示裝置之第一區域I中之電洞傳輸層210之一部分上。發光層220可包含用以產生光的不同顏色之至少一發光材料，舉例來說，紅色光、綠色光或藍色光。發光層220可包含混合物或用以產生白色光之發光材料之組合物。發光層220更可包含具有相對大的能帶間隙之主體材料。
根據範例實施例，發光層220可選擇性地設置在由疏水圖樣215所侷限之第一區域I(像素區域)中。因此，發光材料可避免沉積或擴散至第二區域II(非像素區域)上以及避免模糊或污染非像素區域，因此發光層220可以高解析度精準地形成在像素區域中。結果，有機發光顯示裝置可有增強之對比。
現在參照至第1圖，電子傳輸層230可設置在疏水圖樣215與發光層220上。舉例來說，電子傳輸層230可包含三(8-羥基喹啉)鋁(tris(8-quinolinolate)aluminum,Alq3)、2-(4-聯苯基)-5-(4-三級-丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(2-(4-biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole,PBD)、3-(4-三級-丁基苯基)-4-苯基-5-(4-聯苯基)-1,2,4-三唑(3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-biphenylyl)-1,2,4-triazole,TAZ)、5,6,11,12-四苯基稠四苯(5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene)、紅螢烯(rubrene)等，但不因此而受限。
第二電極250可設置在電子傳輸層230上。第二電極250可作為反射電極或透明電極。當第二電極250作為反射電極時，第二電極250可包含金屬或金屬化合物，例如鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、鎂(Mg)、銀(Ag)、鉻(Cr)、鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)等，或這些金屬之合金。 在第二電極250作為透明電極之情況下，第二電極250可包含透明導電材料，例如，氧化銦錫、氧化鋅錫、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化錫等。在一範例實施例中，第二電極250可具有包含第一層與第二層之多堆疊結構。第一層可包含例如上述金屬及/或其合金，而第二層可包含例如上述透明導電材料。
在一範例實施例中，電子注入層(EIL)更可設置在電子傳輸層230與第二電極250之間。電子注入層可包含鹼金屬、鹼土金屬、這些金屬之氟化物、這些金屬之氧化物等。這些可被單獨或將其混合使用。
保護層(圖未示)與第二基材(圖未示)可依序設置在第二電極250上。保護層可包含透明絕緣材料且第二基材可包含透明絕緣基材。
第2A圖至第2D圖係為包含根據本發明目的之一些範例實施例所建構之有機發光結構之有機發光顯示裝置之橫截面視圖。第2A圖至第2D圖之有機發光顯示裝置可具有與第1圖所示之實質上相似之結構。
如第2A圖至第2D圖所示，有機發光顯示裝置可包含在第一基材100上之開關裝置140、第一絕緣中介層130、第二絕緣中介層150、第一電極160、像素定義層165、有機發光結構、第二電極250等。包含第一基材100、開關裝置140、第一絕緣中介層130、第二絕緣中介層150、第一電極160、像素定義層165及第二電極250之元件實質上可具有與參照第1圖所示之相同或相似之結構。因此，其詳細說明被省略。
參照至第2A圖，有機發光結構可包含電洞傳輸層212、疏水圖樣215、發光層220及電子傳輸層230。疏水圖樣215、發光層220及電子傳輸層230實質上可具有與參照第1圖所示之相同或相似之結構。因此，其詳細說明被省略。
電洞傳輸層212可設置在像素定義層165與第一電極160上。電洞傳輸層212可包含大致位於第一區域I(像素區域)之第一圖樣212a及大致位於第二區域II(非像素區域)之第二圖樣212b。也就是說，電洞傳輸層212之第一圖樣212a可位在由像素定義層165所暴露之第一電極160之一部分上並在像素定義層165之側壁。電洞傳輸層212之第二圖樣212b可位在第二區域II中之像素定義層165之頂面上。
第一圖樣212a可包含電洞傳輸材料，例如NPB、TPD、α-NPD、N-苯基咔唑、聚乙烯咔唑等。第二圖樣212b除上述電洞傳輸材料之外，可包含交聯或聚合之光敏材料。第二圖樣212b可藉由交聯或聚合之光敏材料而具有相對低地電導性。
參照至第2B圖，電洞傳輸層2121可包括含有電洞傳輸材料之第一圖樣212c及含有電洞傳輸材料與交聯或聚合光敏材料之第二圖樣212d。第二圖樣212d可自像素定義層165之頂面延伸至像素定義層165之側壁之一部分。在此例中，第一圖樣212c可位在被暴露之第一電極160上並在未被第二圖樣212d覆蓋之像素定義層165之側壁之殘餘部分上。
參照至第2C圖，電洞傳輸層2122之第二圖樣212f可位在像素定義層165之頂面與側壁上。在此例中，第一圖樣212e可位在被暴露之第一電極160上。
參照至第2D圖，電洞傳輸層2123之第二圖樣212h可自像素定義層165之頂面延伸至被暴露之第一電極160之一部分之像素定義層165。在此例中，第一圖樣212g可位在不被第二圖樣212h所覆蓋之被暴露之第一電極160的殘留部分上。
如第2A圖至第2D圖所示，其上形成具有降低的電導性之第二圖樣212b、212d、212f及212h的區域可被調整因此傳輸電洞之區域可被適當地定義。此可與限制發光層220之區域的疏水圖樣215共同導致協同作用，因此有機發光顯示裝置可具有更增強之解析度與對比。
在一範例實施例中，電洞注入層(圖未示)可位在電洞傳輸層210下且在像素定義層165與被暴露之第一電極160上，且電洞傳輸層212可設置在電洞注入層上。電洞注入層可包含例如TCTA、m-MTDATA、m-MTDAPB、2-TNATA或這些材料之混合物。
疏水圖樣215與發光層220可設置在電洞傳輸層212上。疏水圖樣215可設置在非像素區域中且發光層220可設置在像素區域中。發光層220可藉由疏水圖樣215侷限以選擇性位在像素區域中。
電子傳輸層230與第二電極250可依序地設置在發光層220上。在一範例實施例中，電子注入層更可設置在電子傳輸層230與第二電極250之間。在範例實施例中，保護層(圖未示)與第二基材(圖未示)可設置在第二電極250上。
第3圖係為包含根據本發明目的之範例實施例所建構之有機發光結構之有機發光顯示裝置之橫截面視圖。除了有機發光結構之外，第3圖之有機發光顯示裝置實質上可具有與參照第2A圖至第2D圖所示之相同或相似之結構。
參照至第3圖，有機發光結構之電子傳輸層235可包含位在第一區域I內之第三圖樣235a以及位在第二區域II內之第四圖樣235b。第一區域I與第二區域II實質上可分別對應至像素區域與非像素區域。也就是說，第三圖樣235a與第四圖樣235b可分別設置在發光層220與疏水圖樣215上。除了電子傳輸層235之結構外，第3圖之有機發光結構實質上可具有與參照第2A圖至第2D圖所示之相同或相似之結構。
電子傳輸層235之第三圖樣235a可包含電子傳輸材料，例如Alq3、PBD、TAZ、紅螢烯等。第四圖樣235b除上述電子傳輸材料以外可包含之交聯或聚合光敏材料。第四圖樣235b可藉由交聯或聚合光敏材料而具有相對低的電導性。
在某些範例實施例中，第四圖樣235b可自疏水圖樣215延伸至發光層220之一部分。在此例中，第三圖樣235a可位在未被第四圖樣235b所覆蓋之發光層220的殘餘部分。也就是說，第四圖樣235b形成之區域可被調整因此電子傳輸之區域可被適當地定義。
第4圖至第11圖為製造包含根據本發明目的之範例實施例之有機發光結構之有機發顯示裝置之方法的橫截面視圖。
參照至第4圖，半導體圖樣110與閘極絕緣層120可形成在第一基材100上。第一基材100可包含玻璃基材、石英基材、透明塑料基材等。
在範例實施例中，緩衝層105可形成在第一基材100上，且半導體圖樣110可形成在緩衝層105上。緩衝層105可使用氮化矽、氧化矽、氮氧化矽等形成。緩衝層105可藉由化學氣相沈積(CVD)製程、電漿輔助化學氣相沈積(PECVD)製程、高密度等離子體化學氣相沉積法(HDP-CVD)製程等獲得。緩衝層105可具有包含氮化矽、氧化矽及/或氮氧化矽之單層結構或多層結構。
在範例實施例中，初步半導體圖樣(圖未示)可形成在緩衝層105上，且初步半導體圖樣可被結晶以獲得半導體圖樣110。初步半導體圖樣可使用非晶矽形成。初步半導體圖樣可藉由濺鍍製程、化學氣相沉積製程、低壓化學氣相沉積(LPCVD)製程等獲得。在一範例實施例中，熱處理更可在半導體圖樣110上執行，以移除包含在初步半導體圖樣或半導體圖樣110中之氫。
如上所述，初步半導體圖樣可藉由結晶製程轉變為包含多晶矽之半導體圖樣100。在範例實施例中，結晶製程可包含快速加熱退火(RTA)製程、固相結晶(SPC)製程、金屬誘導結晶(MIC)製程、金屬誘導側向結晶(MILC)製程、超級顆粒矽(SGS)製程、準分子雷射結晶(ELA)製程、順序橫向固化(SLS)製程等。
在一範例實施例中，初步半導體圖樣之結晶可藉由使用例如鎳(Ni)、鈀(Pd)、鐵(Fe)、錫(Sn)、鉑(Pt)而促進。
對於控制有機發光顯示裝置之開關裝置140之閾值電壓，N型或P型雜質可摻入初步半導體圖樣及/或半導體圖樣110中。
覆蓋半導體圖樣110之閘極絕緣層120可形成在緩衝層105上。舉例來說，閘極絕緣層120可使用氧化矽或金屬氧化物形成。閘極絕緣層120可藉由化學氣相沉積製程、電漿輔助化學氣相沈積製程、原子層沈積(ALD)製程、濺鍍製程、真空蒸鍍製程等獲得。閘極絕緣層120可具有包含氧化矽及/或金屬氧化物之單層結構或多層結構。
閘極電極125可形成在閘極絕緣層120上。在範例實施例中，第一傳導層(圖未示)可形成在閘極絕緣層上，接著第一傳導層可藉由使用額外之蝕刻遮罩之微影製程或蝕刻製程圖樣化以形成閘極電極125。第一傳導層可使用例如鉻、鋁、鉭、鉬、鈦、鎢、銅、銀、釹等之金屬，或這些金屬之合金形成。第一傳導層可藉由濺鍍製程、化學氣相沉積製程、真空蒸鍍製程、印刷製程等獲得。如第4圖所示，閘極電極125可形成以重疊半導體圖案110之通道區域114。
雜質可使用作為離子植入遮罩之閘極電極125被摻雜入半導體圖樣110以在半導體圖樣110形成源極區域112與汲極區域116。在源極區域112與汲極區域116之間之半導體圖樣110之一部分可被界定為通道區域114。通道區域114可實質上重疊形成在通道區域114上之閘極電極125。
覆蓋閘極電極125之第一絕緣中介層130可形成在閘極絕緣層120上。第一絕緣中介層130可使用例如氮氧化矽、氧化矽、氮化矽等之矽基材料、或透明絕緣材料所形成。第一絕緣中介層130可藉由化學氣相沉積製程、電漿輔助化學氣相沈積、高密度等離子體化學氣相沉積法、旋轉塗佈製程等獲得。第一絕緣中介層130可具有包含矽基材料及/或透明絕緣材料之單層結構或多層結構。
參照至第5圖，分別電性連接至源極區域112與汲極區域116之源極電極133與汲極電極135可形成在第一絕緣中介層130上。在範例實施例中，第一絕緣中介層130與閘極絕緣層120可被部分移除以形成孔或開口，每一個孔或開口皆可暴露半導體圖樣110之源極區域112與汲極區域116。填充孔或開口之第二傳導層(圖未示)可形成在第一絕緣中介層130、源極區域112與汲極區域116上。第二傳導層可使用光阻圖樣或遮罩圖樣而圖樣化，以形成分別電性連接至源極區域112與汲極區域116之源極電極133與汲極電極135。第二傳導層可使用鉻、鋁、鉭、鉬、鈦、鎢、銅、銀、釹等或這些金屬之合金形成。第二傳導層 可藉由濺鍍製程、化學氣相沉積製程、原子層沉積製程、真空蒸鍍製程、印刷製程等獲得。
藉由執行上述之製程，可獲得包含半導體圖樣110、閘極絕緣層120、閘極電極125、源極電極133與汲極電極135之開關裝置140。在範例實施例中，開關裝置140可為包含半導體圖樣110之薄膜電晶體。另外，氧化物半導體裝置可使用作為開關裝置140。
參照至第6圖，覆蓋開關裝置140之第二絕緣中介層150可形成在第一絕緣中介層130上。第二絕緣中介層150可使用透明絕緣材料，例如丙烯醯系樹脂、聚亞醯胺系樹脂、矽氧烷系樹脂、苯並環丁烯等形成。第二絕緣中介層150可藉由旋轉塗佈製程、狹縫塗佈製程(slit coating process)等獲得。在範例實施例中，第二絕緣中介層150可使用具有自平坦化特性之材料形成。在一範例實施例中，平坦化製程可在第二絕緣中介層150上執行以使第二絕緣中介層150可具有一大致水平表面。
電性連接至汲極電極135之第一電極160可形成在第二絕緣中介層150上。在範例實施例中，第二絕緣中介層150可被部分移除，以形成至少部分暴露汲極電極135之接觸孔(圖未示)。第三傳導層(圖未示)可形成在第二絕緣中介層150之及被暴露汲極電極135上，接著第三傳導層可被圖樣化而形成第一電極160。第三傳導層可使用例如鉻、鋁、鉭、鉬、鈦、鎢、銅、銀、釹等之金屬或這些金屬之合金形成。第三傳導層可藉由濺鍍製程、化學氣相沉積製程、原子層沉積製程、真空蒸鍍製程、印刷製程等獲得。在一範例實施例中，第三傳導層可使用透明導電材料，例如氧化銦錫、氧化鋅錫、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化錫等形成。在一範例實施例中，第一電極160可具有包含第一層與第二層之多堆疊結構。第一層可使用例如上述金屬或合金形成，而第二層可使用例如上述透明導電材料形成。
參照至第7圖，像素定義層165與電洞傳輸層210可形成在第二絕緣中介層150與第一電極160上。在範例實施例中，包含例如丙烯醯系樹脂、聚亞醯胺、苯並環丁烯等之光敏材料層(圖未示)可形成在第二絕緣中介層150與第一電極160上。光敏材料層可選擇性地使用曝光遮罩暴露光，然後光敏材料層之暴露部分可藉由顯影製程移除以形成部分暴露第一電極160之像素定義層165。 在某些範例實施例中，非光敏有機材料層或無機材料層可形成在第二絕緣中介層150與第一電極160上，接著非光敏有機材料層或無機材料層可被部分蝕刻以形成像素定義層165。
藉由形成像素定義層165，對應至有機發光顯示裝置之像素區域的第一區域I、以及對應至有機發光顯示裝置之非像素區域的第二區域II可被定義。第一電極160藉由像素定義層165所暴露之一部分可位在像素區域中。像素定義層165及第一電極160之殘留部分可位在非像素區域中。
在範例實施例中，像素定義層165可具有約1000埃至約4000埃之厚度。當像素定義層165具有小於大約1000埃之厚度時，第一區域I(像素區域)與第二區域II(非像素區域)彼此可能未清楚地分開，因此可增加有機發光顯示裝置之解析度。同時，在像素定義層165可具有大於4000埃之厚度的情形下，電洞傳輸層210或電洞注入層可能無法以均勻外貌連續沉積在像素定義層165與第一電極160上。
電洞傳輸層210可形成在像素定義層165與暴露之第一電極160上。電洞傳輸層210可同時覆蓋像素區域與非像素區域。舉例來說，電洞傳輸層210可藉由使用例如NPB、TPD、α-NPD、N-苯基咔唑、聚乙烯咔唑之電洞傳輸材料形成。電洞傳輸層210可藉由真空蒸鍍製程、熱蒸鍍製程、狹縫塗佈製程、旋轉塗佈製程、全表面印刷製程(whole surface printing process)等獲得。
在一範例實施例中，電洞注入層可在形成電洞傳輸層210之前形成在像素定義層165與暴露之第一電極160上，且電洞傳輸層210可形成在電洞注入層上。電洞注入層可使用例如TCTA、m-MTDATA、m-MTDAPB、2-TNATA等形成。電洞注入層可藉由真空蒸鍍製程、熱蒸鍍製程、狹縫塗佈製程、旋轉塗佈製程、全表面印刷製程等獲得。
參照至第8圖，疏水圖樣215可形成於位在第二區域II內之電洞傳輸層210之一部分上。在範例實施例中，疏水圖樣215可使用氟系材料形成。氟系材料可包括含至少一個碳原子與至少一個氟原子鍵結或混成之聚合物、寡聚合物、樹枝狀聚合物或單分子。這些可被單獨或將其混合使用。
在範例實施例中，碳原子可與一個氟原子(CF1)、兩個氟原子(CF2)或三個氟原子(CF3)結合。在一範例實施例中，疏水圖樣215可使用具有以-(CF2-CF2)n-表示之重複單元的氟系聚合物形成。在此，n可為在約2至10,000範圍間之整數。
在某些範例實施例中，疏水圖樣215可使用具有與矽原子鍵結之至少一個有機官能基之有機矽烷系材料形成。有機官能基可包含烷基、烷氧基、鹵素、胺基、羥基等。舉例來說，有機矽烷系材料可以下列化學式表示。
在上述化學式中，R1至R4可獨立表示氫、C1至C20之烷基、C1至C20之烷氧基、鹵素、胺基或羥基。在範例實施例中，至少一R1至R4中表示C1至C20 之烷基或C1至C20之烷氧基。此外，C1至C20之烷基或C1至C20之烷氧基具有至少一氟原子取代基。
如上所述，疏水圖樣215可包含氟系材料或有機矽烷系材料，以使表面能量之差異可產生在疏水圖樣215與電洞傳輸層210之間。因此，發光層220可選擇性地形成在實質對應至像素區域之第一區域I中。
在範例實施例中，疏水圖樣215可藉由雷射引發熱成像(LITI)製程形成。
第9圖為根據本發明目的之範例實施例之形成疏水圖樣215在電洞傳輸層210上之製程之橫截面視圖。
參照至第9圖，疏水層214可使用上述氟系材料或有機矽烷系材料形成在施體基材10上。
施體基材10可排列或層壓在第一基材100上，以使疏水層214可實質上面對電洞傳輸層210。雷射光可選擇地照射在以遮罩15大致重疊第二區域II之疏水層214的一部分上，如箭頭所示。通過這樣的雷射照射，疏水層214可選擇性地被轉換為位在第二區域II中之電洞傳輸層210的一部分上，以在非像素區域中形成疏水圖樣215。
在一範例實施例中，光熱轉換(LTHC)層(圖未示)可形成在施體基材10與疏水層214之間。光熱轉換層可吸收例如雷射光的光束，以將光轉換為熱能。光熱轉換層可使用例如鋁或銀、這些金屬的氧化物、這些金屬的硫化物等形成。另外，光熱轉換層可使用含有光吸收材料之碳黑、石墨或聚合物形成。
在某些範例實施例中，疏水圖樣215可在沒有上述雷射照射下形成。舉例來說，施體基材10上之疏水層214可層壓在電洞傳輸層210上。熱與壓力可被施加在施體基材10上以在電洞傳輸層210上形成疏水圖樣215。電洞傳輸 層210可在第一區域I與第二區域II之間具有高度差，以使疏水圖樣215可選擇性地形成於位在第二區域II中之電洞傳輸層210的一部分上。
在某些範例實施例中，疏水圖樣215可藉由印刷製程，例如噴墨製程或噴嘴印刷製程(nozzle printing process)所得。
噴墨或噴嘴印刷製程可藉由可溶製程執行。舉例來說，氟系材料及/或有機矽烷材料可混合在溶劑中以準備疏水性組成物。疏水性組成物可透過噴墨打印之噴嘴或噴嘴印刷器材印刷在非像素區域中之電洞傳輸層210之一部分上。印刷之疏水性組成物可被乾燥而形成疏水圖樣215。
另外，噴墨或噴嘴印刷製程可藉由不可溶製程執行。舉例來說，疏水性組成物可導引入噴墨打印之噴嘴或噴嘴印刷器材中。噴嘴之溫度可藉由第一次加熱而增加，以使疏水性組成物之溶劑可被蒸發。無溶劑疏水性組成物可藉由第二次加熱蒸發或昇華。已蒸發或昇華之疏水性組成物可透過噴嘴印刷在非像素區域中之電洞傳輸層210之一部分上以形成疏水圖樣215。無溶劑疏水性組成物可直接印刷在電洞傳輸層210上，因此可不需要額外的乾燥製程。噴嘴中的溫度可根據氟系材料及/或有機矽烷材料之沸點或昇華點作適當地調整。
在某些範例實施例中，疏水圖樣215可藉由沖壓製程、平板打印製程(offset imprinting process)或反向平板打印製程選擇性地形成在非像素區域中之電洞傳輸層210之一部分上。
在範例實施例中，疏水圖樣215可具有約1000埃至約3微米之厚度。當疏水圖樣215之厚度小於約1000埃時，發光層220可能無法輕易地僅形成在第一區域I中。同時，疏水圖樣215之厚度大於約3微米可能在有機發光顯示裝置之經濟層面及在最小化其尺寸下不利。
參照至第10圖，發光層220可形成在第一區域I中之電洞傳輸層210之一部分上。發光層220可使用至少一用以產生光隻不同顏色之發光材料而形 成，舉例來說，紅色光、綠色光或藍色光。發光層220可使用發光材料之混合物或組合物以產生白光。在一範例實施例中，發光材料可作為發光層220之摻雜材料。在此例中，發光層220更可包含主體材料。適當的摻雜與主體材料可根據發光層220之發光機制而被選擇。舉例來說，螢光機制或磷光機制。
在範例實施例中，發光層220可藉由旋轉塗佈製程、滾動塗佈製程、噴嘴印刷製程、噴墨印刷製程、使用施體基材之轉換製程等獲得。在此例中，發光層220可藉由位在第二區域II中之疏水圖樣215被限制。因此，發光層220可選擇性地形成在第一區域I中之電洞傳輸層210之一部分上，其相對親水性。發光層220之底部可接觸電洞傳輸層210之頂面，且發光層220之側壁可接觸電洞傳輸層210與疏水圖樣215之側壁。
參照至第11圖，電子傳輸層230可形成在疏水圖樣215與發光層220上，且第二電極250可形成在電子傳輸層230上。電子傳輸層230與第二電極250可沿發光層220與疏水圖樣215之形貌均勻形成。舉例來說，電子傳輸層230可使用Alq3、PBD、TAZ、紅螢烯等形成。電子傳輸層230可藉由真空蒸鍍製程、熱蒸鍍製程、狹縫塗佈製程、旋轉塗佈製程等獲得。
第二電極250可藉由例如鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、鎂(Mg)、銀(Ag)、鉻(Cr)、鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(TI)等之金屬或金屬化合物、或這些金屬之合金形成。第二電極250可藉由濺鍍製程、化學氣相沉積製程，原子層沉積製程、真空蒸鍍製程、印刷製程等獲得。第二電極250可具有包含第一層與第二層之多堆疊結構。第一層可包含例如上述金屬或合金，而第二層可包含例如上述透明導電材料。
在一範例實施例中，電子注入層更可在形成第二電極250之前形成在電子傳輸層230上。舉例來說，電子注入層可使用鹼金屬、鹼土金屬、這些 金屬的氟化物、這些金屬的氧化物、這些金屬的氯化物等形成。電子注入層可藉由真空蒸鍍製程、熱蒸鍍製程、狹縫塗佈製程、旋轉塗佈製程等獲得。
保護層(圖未示)可形成在第二電極250上，且實質上面對第一基材100之第二基材(圖未示)可形成在保護層上。保護層可使用透明絕緣材料形成，且第二基材實質上可與第一基材100相同或相似。
第12圖至第17圖係為製造包含根據本發明目的之某些範例實施例之有機發光結構之有機發光顯示裝置之方法的橫截面視圖。
參照至第12圖，實質上與參照第4圖至第6圖所示相同或相似之製程可被執行。據此，第一絕緣中介層130、開關裝置140及第二絕緣中介層150可形成在第一基材100上。電性連接至開關裝置140之汲極電極135的第一電極160可形成在第二絕緣中介層150上。
參照至第13圖，部分地暴露第一電極160之像素定義層165可形成在第二絕緣中介層150與第一電極160上。在範例實施例中，包含例如丙烯醯系樹脂、聚亞醯胺或苯環丁烯之光敏材料層可形成在第二絕緣中介層150與第一電極160上。暴露製程與顯影製程可在光敏材料層上執行以形成像素定義層165。 另外，非光敏有機材料層或無機材料層可形成在第二絕緣中介層150與第一電極160上，然後非光敏有機材料層或無機材料層可被蝕刻而形成像素定義層165。
藉由形成像素定義層165，實質上對應至像素區域之第一區域I及實質上對應至第二區域II之非像素區域可被界定。也就是說，第二區域II可藉由像素定義層165被覆蓋而第一電極160則可在第一區域I中部分地暴露。
參照至第14圖，初步電洞傳輸層211可形成在像素定義層165與暴露之第一電極160上。在範例實施例中，初步電洞傳輸層211可藉由使用包含電洞傳輸材料、光敏單體(photosensitive monomer)、光聚合引發劑、有機溶劑等之光敏組成物形成。初步電洞傳輸層211可藉由真空蒸鍍製程、熱蒸鍍製程、狹縫 塗佈製程、旋轉塗佈製程、印刷製程等獲得。舉例來說，電洞傳輸材料可包含TPD、α-NPD、N-苯基咔唑、聚乙烯咔唑等。這些可被單獨使用或將其混合使用。光敏單體可包含藉由暴露製程交聯或聚合之材料。光敏單體可包含丙烯酸酯系單分子或甲基丙烯酸酯系單分子。舉例來說，光敏單體可包含1,4-丁二醇丙烯酸酯(1,4-butanediol acrylate)、1,3-丁二醇二丙烯酸酯(1,3-butylene glycol diacrylate)、1,6-己二醇二丙烯酸酯(1,6-hexanediol diacrylate)、二乙二醇二丙烯酸酯(diethylene glycol diacrylate)、乙二醇二丙烯酸酯(ethylene glycol diacrylate)、三伸乙甘醇二丙烯酸酯(triethylene glycol diacrylate)、聚乙二醇二丙烯酸酯(polyethylene glycol diacrylate)、新戊二醇二丙烯酸酯(neopentyl glycol diacrylate)、丙二醇二丙烯酸酯(propylene glycol diacrylate)、二丙烯甘醇二丙烯酸酯(dipropylene glycol diacrylate)、山黎醇三丙烯酸酯(sorbitol triacrylate)、雙酚A二丙烯酸酯衍生物(bisphenol A diacrylate derivatives)、季戊四醇三丙烯酸酯(pentaerythritol triacrylate)、季戊四醇四丙烯酸酯(pentaerythritol tetraacrylate)、季戊四醇二丙烯酸酯(pentaerythritol diacrylate)、二季戊四醇五丙烯酸(dipentaerythritol pentaacrylate)、二季戊四醇六丙烯酸酯(dipentaerythritol hexaacrylate)、三甲基丙烷乙氧基三丙烯酸酯(trimethyl propane ethoxy triacrylate)或這些材料之甲基丙烯酸酯。這些可被單獨或將其混合使用。
光聚合引發劑可包含苯乙酮(acetophenon)系化合物、二苯甲酮(benzophenon)系化合物、噻噸(thioxanthon)系化合物、安息香(benzoin)系化合物、三嗪(triazine)系化合物等。這些可被單獨或將其混合使用。苯乙酮系化合物之非限制範例包含2,2'-二乙氧基苯乙酮(2,2’-diethoxy acetophenon)、'2,2'-二丁氧基苯乙酮(2,2’-dibutoxy acetophenon)、p-t-丁基三氯苯乙酮(p-t-butyl trichloro acetophenon)、4-氯苯乙酮(4-chloro acetophenon)等。二苯甲酮系化合物之非限制範例可包含4,4'-二甲胺二苯甲酮(4,4’-dimethylamino benzophenon)、4,4'二氯二 苯甲酮(4,4’-dichloro benzophenon)、3,3'-二甲基-2-甲氧基二苯甲酮(3,3’-dimethyl-2-methoxy benzophenon)、羥基二苯甲酮(hydroxy benzophenon)、丙烯酸酯二苯甲酮(acrylated benzophenon)、4-苯基二苯甲酮(4-phenyl benzophenon)等。噻噸系化合物之非限制範例可包含噻噸酮(thioxanthone)、2-甲基噻噸酮(2-methyl thioxanthone)、異丙基噻噸酮(isopropyl thioxanthone)、2,4-二乙基噻噸酮(2,4-diethyl thioxanthone)、2,4-二異丙基噻噸酮(2,4-diisopropyl thioxanthone)、2-氯噻噸酮(2-chloro thioxanthone)等。安息香系化合物之非限制範例可包含安息香、安息香甲基乙醚(benzoin methyl ether)、安息香乙醚(benzoin ethyl ether)、安息香異丙醚(benzoin isopropyl ether)、安息香異丁基醚(benzoin isobutyl ether)等。 三嗪系化合物之非限制範例可包含2,4,6-三氯-s-三嗪(2,4,6-trichloro-s-triazine)、2-苯基-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪(2-phenyl-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine)、2-(3',4'-二甲氧基苯乙烯基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪(2-(3',4'-dimethoxystyryl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine)、2-(4'-甲氧基萘基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪(2-(4'-methoxynaphtyl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine)、2-(p-甲氧基苯基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪(2-(p-methoxyphenyl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine)等。 有機溶劑可包含在電洞傳輸材料中之可溶溶劑，光敏單體與光聚合引發劑可被溶解。在一範例實施例中，光敏組成物更可包含表面活性劑以增強其可塗佈性。
參照至第15A圖，選擇性的暴露製程可在初步電洞傳輸層211上執行，以使第一區域I中之初步電洞傳輸層211的一部分可轉變為第一圖樣212a，而第二區域II中之初步電洞傳輸層211的一部分可轉變為第二圖樣212b。因此，可獲得包含第一圖樣212a與第二圖樣212b之電洞傳輸層212。
在範例實施例中，包含透明區域12及阻隔區域14之遮罩15可排列在初步電洞傳輸層211上。遮罩15之透明區域12可實質上重疊非像素區域中之初 步電洞傳輸層211的一部分，且遮罩15之阻隔區域14可實質上重疊像素區域中之初步電洞傳輸層211的一部分。例如雷射光或紫外光的光可通過遮罩15照射，以使非像素區域中之初步電洞傳輸層211的一部分可選擇性地暴露至光中。據此，在非像素區域(第二區域II)中之初步電洞傳輸層211的一部分上可誘發交聯或聚合反應。也就是說，初步電洞傳輸層211中之光敏單體可交聯或聚合以形成光敏聚合物，以使位在非像素區域中之電洞傳輸層212的一部分可轉變為第二圖樣212b。
交聯反應或聚合反應可未發生在像素區域(第一區域I)中之電洞傳輸層212的一部分，因此光敏聚合物可未在第一區域I中產生。殘留在第一區域I中之初步電洞傳輸層211之一部分中的光敏單體、光聚合引發劑及有機溶劑可蒸發以形成第一區域I中之第一圖樣212a。在某些範例實施例中，烘烤製程可額外執行以乾化第二圖樣212b中之光敏聚合物並移除第一圖樣212a中之光敏單體、光聚合引發劑及有機溶劑。在某些範例實施例中，可使用額外的顯影溶液移除殘留在第一圖樣212a中之光敏單體、光聚合引發劑及有機溶劑。
同時，可調整遮罩15之阻隔區域14的寬度，以改變第二圖樣212b形成之區域。
參照至第15B圖，在根據本發明目的之另外實施例中，第二圖樣212d可形成在像素定義層165之頂面上及在像素定義層165之側壁的一部分。在此例中，第一圖樣212c可形成在暴露之第一電極160上且在未被第二圖樣212d覆蓋之像素定義層165之側壁的一部分上。
參照至第15C圖，在根據本發明目的之另一實施例中，第二圖樣212f可形成在像素定義層165之頂面與側壁上。在此例中，第一圖樣212e可形成在暴露之第一電極160上。
參照至第15D圖，根據本發明目的之再一實施例中，第二圖樣212h可形成在像素定義層165之頂面與側壁上及在該暴露之第一電極160之一部分上。在此例中，第一圖樣212g可形成在未被第二圖樣212h覆蓋之第一電極160之一部分上。
根據範例實施例，電洞傳輸層212可包含位在像素區域中之第一圖樣212a、以及位在非像素區域中之第二圖樣212b。第一圖樣212a可包含電洞傳輸材料，而光敏單體、光聚合引發劑及有機溶劑可被移除。因此，第一圖樣212a可具有相對高的電導性。第二圖樣212b更可包含藉由交聯或聚合光敏單體所製得之光敏聚合物。因此，第二圖樣212b可具有相對低的電導性。也就是說，電導性可在像素區域中選擇性地被允許，以使自像素區域所產生之電荷可避免擴散至非像素區域中。再者，如第15B圖至第15D圖所示，形成第二圖樣212d、212f及212h之區域可被調整以適當地限制電洞可移動或轉移之區域。因此，可改善有機發光顯示裝置之各種特性，例如發光特性、色純度、亮度分布等。
在一範例實施例中，電洞注入層可在形成電洞傳輸層212之前形成在像素定義層165與暴露之第一電極160上，然後電洞傳輸層212可形成在電洞注入層上。電洞注入層可使用電洞注入材質，例如TCTA、m-MTDATA、m-MTDAPB、2-TNATA等。電洞注入層可藉由真空蒸鍍製程、熱蒸鍍製程、旋轉塗佈製程、狹縫塗佈製程、印刷製程等獲得。
以下，描述在如第15A圖所示之第二圖樣212b受限於像素定義層165之頂面之情形下的後續製程。
參照至第16圖，疏水圖樣215可形成在位在非像素區域中之電洞傳輸層212之第二圖樣212b上。疏水圖樣215可藉由參照至第8圖與第9圖所示之實質上相同或相似之製程獲得。第二圖樣212b可包含具有相對低的電導性之聚合物因此疏水圖樣215可選擇性地輕易形成在非像素區域中。
參照至第17圖，如參照至第10圖與第11圖所示之製程大致相同或相似。據此，發光層220可形成在像素區域中之電洞傳輸層212上，亦即，在第一圖樣212a上，然後電子傳輸層230與第二電極250可依序形成在疏水圖樣215與發光層220上。由於疏水圖樣215可形成在非像素區域中，發光層220可選擇性地形成在也許較相對親水之像素區域中。
在一範例實施例中，電子注入層更可形成在電子傳輸層230與第二電極250之間。電子注入層可使用鹼金屬、鹼土金屬、這些金屬的氟化物、這些金屬的氯化物、這些金屬的氧化物等形成。電子注入層可藉由真空蒸鍍製程、熱蒸鍍製程、狹縫塗佈製程、旋轉塗佈製程獲得。
第18圖至第20圖係為製造其包含根據本發明目的之範例實施例之有機發光結構之有機發光顯示裝置之方法的橫截面視圖。
參照至第18圖，製程與參照至第12圖至第16圖中所示之製程實質上相同或相似。據此，開關裝置140可形成在第一基材100上，然後第二絕緣中介層150、第一電極160、像素定義層165、包含第一圖樣212a與第二圖樣212b之電洞傳輸層212、以及與疏水圖樣215可形成在第一基材100上。疏水圖樣215可形成在有機發光顯示裝置之非像素區域中。發光層220可形成在位在有機發光顯示裝置之像素區域之中之電洞傳輸層212之一部分上。在範例實施例中，發光層220可藉由疏水圖樣215被定義。
形成電洞傳輸層212之第一圖樣212a與第二圖樣212b之區域可被調整，如第15B圖至第15D圖所示。以下，描述在如第15A圖所述之第二圖樣212b受限於像素定義層165之頂面上的後續製程。
參照至第19圖，初步電子傳輸層233可形成在疏水圖樣215與發光層220上。初步之電子傳輸層233可使用光敏組成物形成，光敏組成物可包含電子傳輸材料、光敏單體、光聚合引發劑、有機溶劑等。初步之電子傳輸層233可 藉由真空蒸鍍製程、熱蒸鍍製程、狹縫塗佈製程、旋轉塗佈製程、印刷製程等獲得。
在範例實施例中，電子傳送材料可包含，例如Alq3、PBD、TAZ、紅螢烯等。光敏單體與光聚合引發劑可與參照至第14圖所述之初步電洞傳輸層211實質上相同。
參照至第20圖，製程與參照至第15圖所示之製程實質上相同或相似其可執行於初步電子傳輸層233上。據此，位在像素區域中之初步電子傳輸層233之一部分可轉變為第三圖樣235a且位在非像素區域中之初步之電子傳輸層233之一部分可轉變為第四圖樣235b。也就是說，包含第三圖樣235a與第四圖樣235b之電子傳輸層235可形成在發光層220與疏水圖樣215上。
在某些範例實施例中，第四圖樣235b可形成在疏水圖樣215上及在發光層220之一部分上。在此例中，第三圖樣235a可形成在並未由第四圖樣235b所覆蓋之發光層220之一部分上。
在範例實施例中，光敏單體、光聚合引發劑及有機溶劑可由第三圖樣235a被移除以使第三圖樣235a可只包含電子傳輸材料。因此，電子傳輸層235之第三圖樣235a可具有預定之電導性。相對的，電子傳輸層235之第四圖樣235b可包含藉由光敏單體交聯反應或聚合反應所產生之聚合物，藉此具有相對低的電導性。
根據範例實施例，電洞傳輸層212與電子傳輸層235兩者皆可在非像素區域中具有相對低的電導性，以使可避免電荷以橫向方向擴散。此外，第四圖樣235b形成之區域可適當地調整，以使電子可移除或傳輸之區域可被適當地限制。因此，有機發光顯示裝置可具有更增強的發光特性。
與參照至第17圖所述之實質相同或相似之製程可被執行以形成第二電極(圖未示)在電子傳輸層235上。在一範例實施例中，電子注入層可在形 成第二電極之前形成在電子傳輸層235上。保護層(圖未示)與第二基材(圖未示)更可形成在第二電極上。
上述為範例實施例之闡述且並不應解釋為其限制。雖然一些範例實施例已被描述，但本領域技術人士可輕易理解的是在實質上未脫離本發明之新教示與優勢下，範例實施例中的許多修改都是可能的。據此，所有修改應包含於後附申請專利範圍所定義之本發明之範疇及其等效物。於申請專利範圍中，手段功能用語係旨在詳述所達到的功能來涵蓋此文所敘述的結構，且不僅是結構的同等物，等效的結構亦是。因此，可理解的是，前述係為各種範例實施例之說明，而非解釋為對所揭露之具體範例實施例的限制，且對於揭露之範例實施例的修改、以及其它範例實施例係旨在包含於後附申請專利範圍的範疇及其等效物中。
100‧‧‧第一基材
105‧‧‧緩衝層
110‧‧‧半導體圖樣
112‧‧‧源極區域
114‧‧‧通道區域
116‧‧‧汲極區域
120‧‧‧閘極絕緣層
125‧‧‧閘極電極
130‧‧‧第一絕緣中介層
133‧‧‧源極電極
135‧‧‧汲極電極
140‧‧‧開關裝置
150‧‧‧第二絕緣中介層
160‧‧‧第一電極
165‧‧‧像素定義層
210‧‧‧電洞傳輸層
215‧‧‧疏水圖樣
220‧‧‧發光層
230‧‧‧電子傳輸層
240‧‧‧有機發光結構
250‧‧‧第二電極
I‧‧‧第一區域
II‧‧‧第二區域

Claims (68)

  1. 一種有機發光結構，包含：一基材，具有一第一區域與一第二區域；一像素定義層，選擇性地設置在該基材之該第二區域上；一電洞傳輸層(HTL)，連續地設置在該基材之該第一區域及該第二區域上；一發光層(EML)，設置在該第一區域中之該電洞傳輸層上且接觸該第一區域中之該電洞傳輸層；一疏水圖樣，設置在該第二區域中之該電洞傳輸層上且接觸該第二區域中之該電洞傳輸層；以及一電子傳輸層(ETL)，設置在該疏水圖樣與該發光層上；其中該第一區域接觸該第二區域，但不與該第二區域重疊，在該第一區域中之該電洞傳輸層之一表面對於在該第二區域中之該電洞傳輸層之一表面為相對親水，以及該電洞傳輸層接觸該疏水圖樣之一底部表面及該像素定義層之一頂部表面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光結構，其中該第一區域對應至一像素區域且該第二區域對應至一非像素區域。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光結構，其中該發光層藉由該疏水圖樣界定。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光結構，更包含設置在該電洞傳輸層下之一電洞注入層(HIL)。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光結構，更包含設置在該 電子傳輸層上之一電子注入層(EIL)。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光結構，其中該疏水圖樣包含至少一氟系材料，其選自由包含至少一碳原子與至少一氟原子鍵結或混成之聚合物、寡聚合物、樹枝狀聚合物及單體所組成之群組中，或包含至少一有機矽烷系材料，其包含與一矽原子鍵結之至少一有機官能基。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之有機發光結構，其中該氟系材料具有以公式-(CF2-CF2)n-表示之一重複單元。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之有機發光結構，其中該有機矽烷系材料由下列化學式表示； 其中每一R1至R4獨立地表示氫、C1至C20之烷基、C1至C20之烷氧基、鹵素、胺基或羥基，以及至少一R1至R4表示C1至C20之烷基或C1至C20之烷氧基。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之有機發光結構，其中C1至C20之烷基或C1至C20之烷氧基具有至少一氟原子取代基。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光結構，其中該疏水圖樣具有約1000埃至約3微米之厚度。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光結構，其中該電洞傳輸 層包含：一第一圖樣，位於該第一區域中；以及一第二圖樣，位於該第二區域中。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光結構，其中該第一圖樣包含一電洞傳輸材料，且該第二圖樣包含一電洞傳輸材料及一交聯或聚合之光敏材料。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光結構，其中該第二圖樣之電導性低於該第一圖樣之電導性。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光結構，其中該光敏材料包含丙烯酸酯系材料(acrylate-based material)或甲基丙烯酸酯系材料(methacrylate-based material)。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光結構，其中該電子傳輸層包含一第三圖樣與一第四圖樣，該第三圖樣與該第四圖樣分別重疊該第一區域與該第二區域。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之有機發光結構，其中該第三圖樣包含一電子傳輸材料，且該第四圖樣包含一電子傳輸材料與一交聯或聚合之光敏材料。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之有機發光結構，其中該第四圖樣之電導性低於該第三圖樣之電導性。
  18. 一種有機發光顯示裝置，包含：一第一基材，具有一像素區域與一非像素區域；一第一電極，設置在該第一基材上； 一像素定義層(PDL)，設置在該第一基材上，該像素定義層在該像素區域中部分暴露該第一電極；一電洞傳輸層，連續地設置在該像素定義層與暴露之該第一電極上；一疏水圖樣，設置在位於該非像素區域中之該電洞傳輸層上且接觸該非像素區域中之該電洞傳輸層；一發光層，設置在該像素區域中之該電洞傳輸層上且接觸該像素區域中之該電洞傳輸層；一電子傳輸層，設置在該疏水圖樣與該發光層上；以及一第二電極，設置在該電子傳輸層上；其中該像素區域接觸該非像素區域，但不與該非像素區域重疊，在該像素區域中之該電洞傳輸層之一表面對於在該非像素區域中之該電洞傳輸層之一表面為相對親水，以及該電洞傳輸層接觸該疏水圖樣之一底部表面及該像素定義層之一頂部表面。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之有機發光顯示裝置，更包含設置在該第一基材上之一開關裝置，該開關裝置電性連接至該第一電極。
  20. 如申請專利範圍第18項所述之有機發光顯示裝置，更包含一電洞注入層，設置在該像素定義層與暴露之該第一電極上，且在該電洞傳輸層下。
  21. 如申請專利範圍第18項所述之有機發光顯示裝置，更包含一電子注入層，設置在該電子傳輸層與該第二電極之間。
  22. 如申請專利範圍第18項所述之有機發光顯示裝置，其中該像素定義層具有約1000埃至約4000埃之厚度。
  23. 如申請專利範圍第18項所述之有機發光顯示裝置，其中該電洞傳輸層包含一第一圖樣與一第二圖樣，該第二圖樣之電導性低於該第一圖樣之電導性。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一圖樣設置在暴露之該第一電極與該像素定義層之側壁上，且該第二圖樣設置在該像素定義層之表面上。
  25. 如申請專利範圍第23項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一圖樣設置在暴露之該第一電極與該像素定義層之側壁之一部分上，且該第二圖樣設置在該像素定義層之表面上及在未被該第一圖樣所覆蓋之該像素定義層之側壁之一部分上。
  26. 如申請專利範圍第23項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一圖樣設置在暴露之該第一電極上，且該第二圖樣設置在該像素定義層之表面與側壁上。
  27. 如申請專利範圍第23項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一圖樣設置在暴露之該第一電極之一部分上，且該第二圖樣設置在該像素定義層上及在未被該第一圖樣所覆蓋之暴露之該第一電極之一部分上。
  28. 如申請專利範圍第18項所述之有機發光顯示裝置，其中該電子傳輸層包含一第三圖樣與一第四圖樣，該第四圖樣之電導性低於該第三圖樣之電導性。
  29. 如申請專利範圍第28項所述之有機發光顯示裝置，其中該第三圖樣設置在該發光層上且該第四圖樣設置在該疏水圖樣上。
  30. 如申請專利範圍第28項所述之有機發光顯示裝置，其中該第三圖樣設置在該發光層之一部分上，且該第四圖樣設置在該疏水圖樣上及在未被該第三圖樣所覆蓋之該發光層之一部分上。
  31. 一種形成有機發光結構之方法，包含：提供具有一第一區域與一第二區域之一基材；形成選擇性地在該基材之該第二區域上之一像素定義層；連續地形成一電洞傳輸層在該基材之該第一區域及該第二區域上；形成一疏水圖樣在該第二區域中之該電洞傳輸層上且接觸該第二區域中之該電洞傳輸層；形成一發光層在該第一區域中之該電洞傳輸層上且接觸該第一區域中之該電洞傳輸層；以及形成一電子傳輸層在該疏水圖樣與該發光層上；其中該第一區域接觸該第二區域，但不與該第二區域重疊，在該第一區域中之該電洞傳輸層之一表面對於在該第二區域中之該電洞傳輸層之一表面為相對親水，以及該電洞傳輸層接觸該疏水圖樣之一底部表面及該像素定義層之一頂部表面。
  32. 如申請專利範圍第31項所述之方法，其中形成該疏水圖樣之步驟包含：形成一疏水層在一施體基材上；排列該施體基材在該電洞傳輸層上，以使該疏水層面對該電洞傳輸層；以及 選擇地照射一雷射光在該第二區域中，以轉移該疏水層之一部分至該電洞傳輸層上。
  33. 如申請專利範圍第31項所述之方法，其中形成該疏水圖樣之步驟包含：形成一疏水層在一施體基材上；排列該施體基材在該電洞傳輸層上，以使該疏水層面對該電洞傳輸層；以及施加一壓力與一熱力至該施體基材，以形成該疏水圖樣在該第二區域中之該電洞傳輸層上。
  34. 如申請專利範圍第31項所述之方法，其中形成該疏水圖樣之步驟包含一噴墨印刷製程、一噴嘴印刷製程、一沖壓製程、一平板打印製程或一反平板打印製程。
  35. 如申請專利範圍第34項所述之方法，其中形成該疏水圖樣之步驟包含一可溶製程，其包含提供一疏水性組成物在該第二區域中之該電洞傳輸層上，該疏水性組成物包含一氟系材料或一有機矽烷系材料及一溶劑。
  36. 如申請專利範圍第34項所述之方法，其中形成該疏水圖樣之步驟包含一不可溶製程，其包含：氣化或昇華一氟系材料或有一機矽烷系材料；以及提供該氟系材料或該有機矽烷系材料在該第二區域中之該電洞傳輸層上。
  37. 如申請專利範圍第31項所述之方法，其中提供該電洞傳輸層之步驟包含： 提供包含一光敏組成物之一初步電洞傳輸層；以及選擇性地在一光之下暴露在該第二區域中之該初步電洞傳輸層之一部分。
  38. 如申請專利範圍第37項所述之方法，其中該光敏組成物包含一電洞傳輸材料、一光敏單體、一光聚合引發劑及一有機溶劑。
  39. 如申請專利範圍第38項所述之方法，其中該第二區域中之該初步電洞傳輸層之該部分藉由一交聯反應或一聚合反應轉化為一第二圖樣，以及其中該第一區域中之該初步電洞傳輸層之一部分轉化為一第一圖樣。
  40. 如申請專利範圍第39項所述之方法，其中該第一圖樣包含該電洞傳輸材料，且該第二圖樣包含該電洞傳輸材料以及藉由交聯或聚合該光敏單體所產生之一聚合物。
  41. 如申請專利範圍第39項所述之方法，更包含在選擇性地在該光下暴露該第二區域中之該初步電洞傳輸層之該部分後，藉由提供一顯影溶液移除殘留在該第一圖樣中的的該光敏單體、該光聚合引發劑及該有機溶劑。
  42. 如申請專利範圍第37項所述之方法，更包含在選擇性地在該光下暴露該第二區域中之該初步電洞傳輸層之該部分後執行一烘烤製程。
  43. 如申請專利範圍第31項所述之方法，其中形成該電子傳輸層之步驟包含：形成一初步電子傳輸層在該發光層與該疏水圖樣上，該初步電 子傳輸層包含一光敏組成物；以及選擇性地在一光下暴露該疏水圖樣上之該初步電子傳輸層之一部分。
  44. 如申請專利範圍第43項所述之方法，其中該光敏組成物包含一電子傳輸材料、一光敏單體、一光聚合引發劑及一有機溶劑。
  45. 如申請專利範圍第44項所述之方法，其中該疏水圖樣上之該初步電子傳輸層之該部分藉由一交聯反應或一聚合反應轉化為一第四圖樣，以及其中該發光層上之該初步電子傳輸層之一部分轉化為一第三圖樣。
  46. 如申請專利範圍第45項所述之方法，其中該第三圖樣包含該電子傳輸材料，且該第四圖樣包含該電子傳輸材料與藉由交聯或聚合該光敏單體所產生之一聚合物。
  47. 如申請專利範圍第45項所述之方法，更包含在選擇性地在該光下暴露該疏水圖樣上之該初步電子傳輸層之該部分後，藉由提供一顯影溶液移除殘留在該第三圖樣中的該光敏單體、該光聚合引發劑及該有機溶劑。
  48. 如申請專利範圍第43項所述之方法，在選擇性地在該光下暴露該疏水圖樣上之該初步電子傳輸層之該部分後執行一烘烤製程。
  49. 如申請專利範圍第31項所述之方法，更包含在提供該電洞傳輸層前提供一電洞注入層。
  50. 如申請專利範圍第31項所述之方法，更包含形成一電子注入 層在該電子傳輸層上。
  51. 如申請專利範圍第31項所述之方法，其中該疏水圖樣具有約1000埃至約3微米(μm)之厚度。
  52. 一種製造有機發光顯示裝置之方法，包含：形成一第一電極在具有一像素區域與一非像素區域之一第一基材上；形成一像素定義層在該第一基材上，該像素定義層部分地暴露該第一電極；連續地形成一電洞傳輸層在該像素定義層與暴露之該第一電極上；形成一疏水圖樣在該非像素區域中之該電洞傳輸層上且接觸該非像素區域中之該電洞傳輸層；形成一發光層在該像素區域中之該電洞傳輸層上且接觸該像素區域中之該電洞傳輸層；形成一電子傳輸層在該疏水圖樣與該發光層上；以及形成一第二電極在該電子傳輸層上；其中該像素區域接觸該非像素區域，但不與該非像素區域重疊，在該像素區域中之該電洞傳輸層之一表面對於在該非像素區域中之該電洞傳輸層之一表面為相對親水，以及該電洞傳輸層接觸該疏水圖樣之一底部表面及該像素定義層之一頂部表面。
  53. 如申請專利範圍第52項所述之方法，其中該疏水圖樣係由使用選自由包含至少一碳原子與至少一氟原子鍵結或混成之聚合 物、樹枝狀聚合物、分子及單體所組成之群組中之至少一氟系材料，或由使用包含與矽原子鍵結之至少一有機官能基之至少一有機矽烷系材料而形成。
  54. 如申請專利範圍第52項所述之方法，其中形成該疏水圖樣之步驟包含：形成一疏水層在一施體基材上；排列該施體基材在該電洞傳輸層上，以使該疏水層面對該電洞傳輸層；以及選擇性地照射一雷射光在該非像素區域中，以轉移該疏水層之一部分至該電洞傳輸層。
  55. 如申請專利範圍第52項所述之方法，其中形成該疏水圖樣之步驟包含：形成一疏水層在一施體基材上；排列該施體基材在該電洞傳輸層上，以使該疏水層面對該電洞傳輸層；以及施加一壓力與一熱力至該施體基材，以形成該疏水圖樣在該非像素區域中之該電洞傳輸層上。
  56. 如申請專利範圍第52項所述之方法，其中形成該疏水圖樣之步驟包含一噴墨印刷製程、一噴嘴印刷製程、一沖壓製程、一平板打印製程或一反平板打印製程。
  57. 如申請專利範圍第56項所述之方法，其中形成該疏水圖樣之步驟包含一可溶製程，其包含提供一疏水性組成物在該非像素區域中之該電洞傳輸層上，該疏水性組成物包含一氟系材料或 一有機矽烷系材料及一溶劑。
  58. 如申請專利範圍第56項所述之方法，其中形成該疏水圖樣之步驟包含一不可溶製程，其包含：氣化或昇華一氟系材料或一有機矽烷系材料；以及提供該氟系材料或該有機矽烷系材料在該非像素區域中之該電洞傳輸層上。
  59. 如申請專利範圍第52項所述之方法，其中形成該電洞傳輸層之步驟包含：形成包含一光敏組成物之一初步電洞傳輸層在該像素定義層與暴露之該第一電極上；以及選擇性地在一光下暴露該像素定義層上之該初步電洞傳輸層之一部分。
  60. 如申請專利範圍第59項所述之方法，其中在該像素定義層之表面上之該初步電洞傳輸層之一部分藉由一交聯反應或一聚合反應轉化為一第二圖樣，以及其中該像素定義層之側壁上之該初步電洞傳輸層之一部分與暴露之該第一電極轉化為一第一圖樣。
  61. 如申請專利範圍第59項所述之方法，其中在該像素定義層之側壁之一部分與表面上之該初步電洞傳輸層之一部分藉由一交聯反應或一聚合反應轉化為一第二圖樣，以及其中在該像素定義層未被該第二圖樣覆蓋之側壁上且在暴露之該第一電極上之該初步電洞傳輸層的一部分轉化為一第一圖樣。
  62. 如申請專利範圍第59項所述之方法，其中在該像素定義層之側壁與表面上之該初步電洞傳輸層之一部分藉由一交聯反應或一聚合反應轉化為一第二圖樣，以及其中在暴露之該第一電極上之該初步電洞傳輸層之一部分轉化為一第一圖樣。
  63. 如申請專利範圍第59項所述之方法，其中在該像素定義層上之該初步電洞傳輸層之一部分及暴露之該第一電極之一部分藉由一交聯反應或一聚合反應轉化為一第二圖樣，以及其中在未被該第二圖樣覆蓋之暴露之該第一電極上之該初步電洞傳輸層之一部分轉化為一第一圖樣。
  64. 如申請專利範圍第52項所述之方法，其中形成該電子傳輸層之步驟包含：形成一初步電子傳輸層在該發光層與該疏水圖樣上，該初步電子傳輸層包含一光敏組成物；以及選擇性地在一光下暴露該非像素區域中之該初步電子傳輸層之一部分。
  65. 如申請專利範圍第64項中之方法，其中在該疏水圖案上之該初步電子傳輸層之一部分藉由一交聯反應或一聚合反應轉化為一第四圖案，以及其中在該發光層上之該初步電子傳輸層之一部分轉化為一第三圖樣。
  66. 如申請專利範圍第64項所述之方法，其中在該疏水圖樣上之該初步電子傳輸層之一部分及該發光層之一部分藉由一交聯反 應或一聚合反應轉化為一第四圖樣，以及其中在未被該第四圖樣覆蓋之該發光層上之該初步電子傳輸層之一部分轉化為一第三圖樣。
  67. 如申請專利範圍第52項所述之方法，更包含在形成該電洞傳輸層前形成一電洞注入層在該像素定義層與暴露之該第一電極上。
  68. 如申請專利範圍第52項所述之方法，更包含在形成該電子傳輸層後形成一電子注入層在該電子傳輸層上。
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