TWI549422B - Mixed circuit - Google Patents

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TWI549422B
TWI549422B TW103131614A TW103131614A TWI549422B TW I549422 B TWI549422 B TW I549422B TW 103131614 A TW103131614 A TW 103131614A TW 103131614 A TW103131614 A TW 103131614A TW I549422 B TWI549422 B TW I549422B
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Yo Sheng Lin
Guo-Hao Li
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Univ Nat Chi Nan
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    • H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
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    • H03D7/1425—Balanced arrangements with transistors
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Description

混波電路
本發明是有關於一種混波電路，特別是指一種可提高增益的混波器。
現今的降頻混波器大多以吉伯特混波器或次諧波混波器為主體架構，其中，2009年的N.Zhang所提出的技術「〝W-band Active Down-Conversion Mixer in Bulk CMOS,〞IEEE Microwave and Wireless Components Letters」能應用於76-77GHz，且能達到低功率損耗之需求，但轉換增益卻僅有-8dB，且LO-RF的隔離度和LO-IF的隔離度也低。而如J.Kim所提出的「〝W-band double-balanced down-conversion mixer with Marchand baluns in silicon-germanium technology,〞Electronics Letters〞」則可應用於75-110GHz，雖然該技術能使該轉換增益為14.4dB，但其功率損耗亦大，且LO-RF的隔離度也低，上述二習知論文的各特性參數值如下表1所示，其中，LO為本地振盪訊號端、RF為射頻訊號端，而IF為中頻訊號端。由此可見，習知的混波器無法同時兼顧低功率損耗和高轉換增益。
表1：
因此，本發明之目的，即在提供一種既能兼顧低功率損耗又能提高轉換增益，並增加隔離度的混波電路。
於是本發明混波電路，包含一第一單端轉差動器、一第一電晶體、一第二電晶體、一第一電感傳輸線、一第二電感傳輸線、一第三電感傳輸線、一第四電感傳輸線，及一混頻器。
該第一單端轉差動器接收一單端輸入電壓，並將該單端輸入電壓轉換成一差動輸入電壓，該差動輸入電壓包括一第一電壓及一第二電壓，且該差動輸入電壓的該第一電壓和該第二電壓的相位互補。
該第一電晶體具有一第一端、一第二端，及一控制端，該第一電晶體的該第一端提供一第一電流，而該第一電晶體的控制端則接收該第一電壓。
該第二電晶體具有一第一端、一第二端，及一 控制端，該第二電晶體的第一端提供一第二電流，而該第二電晶體的控制端則接收該第二電壓。
該第一電感傳輸線具有一第一端，及一第二端，該第一電感傳輸線的第一端電連接於該第一電晶體的第二端。
該第二電感傳輸線具有一第一端，及一第二端，該第二電感傳輸線的第一端電連接於該第一電感傳輸線的第二端，且該第二電感傳輸線的第二端電連接該第二電晶體的第二端。
該第三電感傳輸線具有一第一端，及一第二端，該第三電感傳輸線的第二端電連接於該第一電晶體的第一端。
該第四電感傳輸線具有一第一端，及一第二端，該第四電感傳輸線的第二端電連接於該第二電晶體的第一端。
該混頻器接收一差動振盪電壓，且電連接該第三電感傳輸線的第一端及該第四電感傳輸線的第一端以分別接收該第一電流及該第二電流，該第一電流及該第二電流組成一差動輸入電流，且該第一及第二電流的相位互補，該混頻器將該差動輸入電流及該差動振盪電壓進行混頻，以產生一差動混頻電壓，該差動混頻電壓包括一第一電壓及一第二電壓，該第一電壓及該第二電壓的相位互補。
其中，該第一電感傳輸線和該第二電感傳輸線使來自該第一電晶體和該第二電晶體的控制端的一等效輸 入阻抗匹配於該第一單端轉差動器的一等效輸出阻抗。
本發明之功效為藉由該第一電感傳輸線和該第二電感傳輸線使由該第一電晶體和該第二電晶體的控制端的該等效輸入阻抗匹配於該第一單端轉差動器的該等效輸出阻抗，使得該混波電路的反射損耗於60GHz時能降低，進而增加該轉換增益。
1‧‧‧單端輸入訊號產生器
11‧‧‧單端振盪訊號產生器
3‧‧‧第一單端轉差動器
31‧‧‧第二單端轉差動器
4‧‧‧混頻器
5‧‧‧電流鏡
6‧‧‧信號放大器
61‧‧‧輸出端
7‧‧‧直流偏壓
CG‧‧‧轉換增益
M1‧‧‧第一電晶體
M2‧‧‧第二電晶體
R1‧‧‧第一電阻
R2‧‧‧第二電阻
Ri1‧‧‧等效輸入阻抗
RO1‧‧‧等效輸出阻抗
Ri2‧‧‧等效輸入阻抗
RO2‧‧‧等效輸出阻抗
Ri3‧‧‧等效輸入阻抗
RO3‧‧‧等效輸出阻抗
TL1‧‧‧第一電感傳輸線
TL2‧‧‧第二電感傳輸線
TL3‧‧‧第三電感傳輸線
TL4‧‧‧第四電感傳輸線
TL5‧‧‧第五電感傳輸線
TL6‧‧‧第六電感傳輸線
V1‧‧‧第一電壓
V11‧‧‧第一放大電壓
V2‧‧‧第二電壓
V21‧‧‧第二放大電壓
I1‧‧‧第一電流
I2‧‧‧第二電流
I3‧‧‧偏壓電流
Zout‧‧‧等效輸出阻抗
本發明之其他的特徵及功效，將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現，其中：圖1是一電路圖，說明本發明混波電路的一實施例；圖2是一曲線圖，說明本發明混波電路的該實施例的一反射係數對一頻率變化的S11關係圖；圖3是一曲線圖，說明本發明混波電路的該實施例的一轉換增益對一頻率變化的關係圖；圖4是一曲線圖，說明本發明混波電路的該實施例的一反射係數隨頻率變化的S22關係圖；及圖5是一曲線圖，說明本發明混波電路的該實施例的一第六電感傳輸線的第一端與一第五電感傳輸線的第一端之間、該第六電感傳輸線的第一端與一信號放大器的輸出端之間，及該第五電感傳輸線的第一端與該信號放大器的輸出端之間的隔離度對一頻率變化的關係圖。
在本發明被詳細描述之前，應當注意在以下的 說明內容中，類似的元件是以相同的編號來表示。
參閱圖1，本發明混波電路之一實施例適用於電連接一單端振盪訊號產生器11和一單端輸入訊號產生器1，而該單端振盪訊號產生器11和該單端輸入訊號產生器1分別可產生一單端振盪電壓和一單端輸入電壓。其中，在本實施例，該單端輸入電壓的操作頻率為射頻，但不限於此，也可以為其他頻率。
且該混波電路包含一第一單端轉差動器3、一第二單端轉差動器31、一第一電晶體M1、一第二電晶體M2、一第一電感傳輸線TL1、一第二電感傳輸線TL2、一第三電感傳輸線TL3、一第四電感傳輸線TL4、一第五電感傳輸線TL5、一第六電感傳輸線TL6、一混頻器4、一電流鏡5，及一信號放大器6。
該第五電感傳輸線TL5電連接該單端輸入訊號產生器1，且具有一接收該單端輸入電壓的第一端，及一第二端，其中，該第五電感傳輸線TL5的該第一端的一等效輸入阻抗Ri1匹配於該單端輸入訊號產生器1的一等效輸出阻抗Ro1。
該第一單端轉差動器3電連接該第五電感傳輸線TL5以接收該單端輸入電壓，並將該單端輸入電壓轉換成一差動輸入電壓，該差動輸入電壓包括一第一電壓V1及一第二電壓V2，且該第一電壓V1及該第二電壓V2的相位互補。
該第六電感傳輸線TL6電連接該單端振盪訊號 產生器11，且具有一接收該單端振盪電壓的第一端，及一第二端，其中，該第六電感傳輸線TL6的該第一端的一等效輸入阻抗Ri2匹配於該單端振盪訊號產生器11的一等效輸出阻抗Ro2。
該第二單端轉差動器31電連接該第六電感傳輸線TL6以接收該單端振盪電壓，並將該單端振盪電壓轉換成一差動振盪電壓，該差動振盪電壓包括一第一電壓V1及一第二電壓V2，且該第一電壓V1及該第二電壓V2的相位互補。
該第一電晶體M1具有一提供一第一電流I1的第一端、一第二端，及一電連接該第一單端轉差動器3以接收該差動輸入電壓的第一電壓V1的控制端。
該第二電晶體M2具有一提供一第二電流I2的第一端、一第二端，及一電連接該第一單端轉差動器3以接收該第二電壓V2的控制端。
該第一電感傳輸線TL1具有一電連接於該第一電晶體M1的第二端的第一端，及一第二端。
該第二電感傳輸線TL2具有一電連接於該第一電感傳輸線TL1的第二端的第一端，及一電連接該第二電晶體M2的第二端的第二端。
該第三電感傳輸線TL3具有一第一端，及一電連接於該第一電晶體M1的第一端的第二端。
該第四電感傳輸線TL4具有一第一端，及一電連接於該第二電晶體M2的第一端的第二端。
其中，該第一單端轉差動器3和該第二單端轉差動器31分別由一平衡-不平衡轉換器(Balun)與複數個電阻和電容所組成。
本實施例的該第一電晶體M1至該第二電晶體M2中的每一者是一N型金氧半場效電晶體，且該第一端是汲極、該第二端是源極，及該控制端是閘極。
該混頻器4電連接該第二單端轉差動器以31接收該差動振盪電壓，且電連接該第三電感傳輸線TL3的第一端及該第四電感傳輸線TL4的第一端以分別接收該第一電流I1及該第二電流I2，該第一電流I1及該第二電流I2組成一差動輸入電流，且該第一電流I1及該第二電流I2的相位互補，該混頻器4將該差動輸入電流及該差動振盪電壓進行混頻，以產生一差動混頻電壓，該差動混頻電壓包括一第一電壓V1及一第二電壓V2，該第一電壓V1及該第二電壓V2的相位互補。舉例說明，但不以此為限，當該差動輸入電流的頻率為79GHz，而該差動振盪電壓的頻率為78.9GHz，則該差動混頻電壓的頻率則為0.1GHz。
其中，該混頻器4包括一第三電晶體M3、一第四電晶體M4、一第五電晶體M5、一第六電晶體M6、一第一電阻R1，及一第二電阻R2。
該第三電晶體M3和該第四電晶體M4分別具有一第一端、一電連接該第三電感傳輸線TL3的第一端以接收該差動輸入電流之該第一電流I1的第二端，及一各自接收該差動振盪電壓之該第一電壓V1和該第二電壓V2的控 制端。
該第五電晶體M5和該第六電晶體M6分別具有一各自電連接該第三電晶體M3的第一端和該第四電晶體M4的第一端的第一端、一電連接該第四傳輸電感TL4的第一端以接收該差動輸入電流之第二電流I2的第二端，及一各自接收該差動振盪電壓之該第二電壓V2和該第一電壓V1的控制端。
該第一電阻R1和該第二電阻R2分別具有一接收一直流偏壓7的第一端，及一各自電連接該第三電晶體M3的第一端和該第六電晶體M6的第一端的第二端，該第一電阻R1的第二端和該第二電阻R2的第二端分別輸出該差動混頻電壓的該第一電壓V1和該第二電壓V2。
其中，本實施例的該第三電晶體至該第六電晶體M3~M6中的每一者是一N型金氧半場效電晶體，且該第一端是汲極、該第二端是源極，及該控制端是閘極。
該電流鏡5電連接該第一電感傳輸線TL1的第二端和該第二電感傳輸線TL2的第一端以提供一偏壓電流I3。
該信號放大器6電連接該混頻器4以接收該差動混頻電壓，並包括一第七電晶體M7、一第八電晶體M8、一第三電阻R3，及一第四電阻R4。
該第七電晶體M7具有一接收該直流偏壓7的第一端、一提供一第二放大電壓V21的第二端，及一電連接該第三電晶體M3的第一端以接收該差動混頻電壓之第一電 壓V1的控制端。
該第三電阻R3具有一電連接該第七電晶體M7的第二端的第一端，及一接地的第二端。
該第八電晶體M8具有一接收該直流偏壓7的第一端、一提供一第一放大電壓V11的第二端，及一電連接該第六電晶體M6的第一端以接收該差動混頻電壓之第二電壓V2的控制端，該第一放大電壓V11及該第二放大電壓V21的相位互補且組成一差動放大電壓，而該第七電晶體M7的第二端和該第八電晶體M8的第二端組成該差動放大電壓的一輸出端61。
該第四電阻R4具有一電連接該第八電晶體M8的第二端的第一端，及一接地的第二端。
且該第七電晶體M7至該第八電晶體中M8的每一者是一N型金氧半場效電晶體，且該第一端是汲極、該第二端是源極，及該控制端是閘極。
本發明混頻電路的該信號放大器6是一源極隨耦放大器，主要功效在於該信號放大器6的一等效輸出阻抗Zout可與後端負載的一等效輸入阻抗達阻抗匹配，以避免本實施例的輸出功率會因阻抗不匹配而降低，而造成負載效應，且該單端輸入電壓和該單端振盪電壓需經過很多級的電路，例如混頻器4等的處理而產生該差動混頻電壓，又經由該信號放大器6，才能輸出該差動放大電壓，故，隔離度自然也比較好。
請參閱圖2為該第五電感傳輸線TL5的第一端 之S11反射係數圖，由該圖2可觀察出當本發明混波電路加入該第一電感傳輸線TL1與該第二電感傳輸線TL2時，該反射係數在60GHz時有明顯的下降趨勢，也就是說，該第一電感傳輸線TL1和該第二電感傳輸線TL2可使從該第一電晶體M1和該第二電晶體M2的控制端看入的一等效輸入阻抗Ri3匹配於該第一單端轉差動器的一等效輸出阻抗RO3，使得該反射損耗在60GHz時降低，進而提升60GHz時的該轉換增益CG，如圖3所示。
繼續參閱圖3，該第三電感傳輸線TL3和該第四電感傳輸線TL4的存在可使在85GHz時的該轉換增益CG提升，主要是因為該第一電晶體~第六電晶體M1~M6的閘極和源極分別具有一第一寄生電容，且該汲極和源極也分別具有一第二寄生電容，且該第一寄生電容和該第二寄生電容會使未加入該第三電感傳輸線TL3和該第四電感傳輸線TL4的本發明混波電路產生極點，而導致該轉換增益CG會隨頻率增加而下降，因此，本發明混波電路的該第三電感傳輸線TL3和該第四電感傳輸線TL4分別與該第一寄生電和該第二寄生電容匹配而共振開路在85GHz附近，導致該轉換增益CG提升。
由於該第三電晶體~第六電晶體M3~M6的源極端與該第六電感傳輸線TL6的第一端之間間隔許多元件，例如第六電感傳輸線TL6、該等電容和電阻，及該平衡-不平衡轉換器等，故，當要計算該第六電感傳輸線TL6的第一端看入的等效輸入阻抗Ri2時，可將該第三電晶體~第六 電晶體M3~M6的源極端視為虛接地，因此，該第一電感傳輸線~該第四電感傳輸線TL1~TL4並不會影響本發明的S22參數，如圖4所示，其中，S22為該第六電感傳輸線TL6的第一端的反射係數。
參閱圖5，是該實施例的該第六電感傳輸線TL6的第一端與該第五電感傳輸線TL5的第一端之間的隔離度、該第六電感傳輸線TL6的第一端與該信號放大器6的輸出端61之間的隔離度，及該第五電感傳輸線TL5的第一端與該信號放大器6的輸出端61之間的隔離度對一頻率變化的關係圖，且此時的該單端振盪電壓和該單端輸入電壓分別為78.9GHz和79GHz。
本發明混波電路的該實施例的各項參數如下表2。
參閱下表3，是該較佳實施例採用表2參數設計時的模擬與實測之其他特性參數。
其中，FOM(a figure of merit)為品質指數被定義如式4，
而BW為3dB頻寬，PDC表示功率耗散，fT即代表截止頻率。表3顯示，該實施例確實可以達到高轉換增益及低功率損耗之功效，且該第六電感傳輸線TL6的第一端與該第五電感傳輸線TL5的第一端之間的隔離度、該第六電感傳輸線TL6的第一端與該信號放大器6的輸出端61之間的隔離度，及該第五電感傳輸線TL5的第一端與該信號放大器6的輸出端61之間的隔離度的隔離度也較好。
綜上所述，上述實施例具有以下優點：
1.參閱圖3，該第三電感傳輸線TL3和該第四電感傳輸線TL4可將該第一寄生電容和該第二寄生電容共振開路在85GHz附近，使得該轉換增益CG提升。
2.參閱圖2、3，而該第一電感傳輸線TL1和該第二電感傳輸線TL2使來自該第一電晶體M1和該第二電晶體M2的控制端的該等效輸入阻抗匹配Ri3於該第一單端轉差動器3的該等效輸出阻抗RO3，使得在60GHz時的該反射損耗降低，進而提升該轉換增益CG。
3.由於該第三電晶體~第六電晶體M3~M6的源極端於本發明可視為虛接地，因此該第一電感傳輸線~該第四電感傳輸線TL1~TL4並不會對本發明S22參數造成影響如圖4。
4.將信號放大器6電連接於該混頻器4之後，主要是可使該信號放大器6的等效輸出阻抗與該信號放大器的等效輸入阻抗匹配，以達到降低負載效應，且該單端輸入電壓和該單端振盪電壓需經過很多級的電路才能產生該差動 混頻電壓，而該差動混頻電壓更需再經過該信號放大器6才能輸出該差動放大電壓，所以該第六電感傳輸線TL6的第一端與該信號放大器6的輸出端之間，和該第五電感傳輸線TL5的第一端與該信號放大器6的輸出端之間的隔離度自然會變好。
上述之優點，確實能達成本發明之目的。
惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
1‧‧‧單端輸入訊號產生器
11‧‧‧單端振盪訊號產生器
3‧‧‧第一單端轉差動器
31‧‧‧第二單端轉差動器
4‧‧‧混頻器
5‧‧‧電流鏡
6‧‧‧信號放大器
61‧‧‧輸出端
7‧‧‧直流偏壓
CG‧‧‧轉換增益
M1‧‧‧第一電晶體
M2‧‧‧第二電晶體
R1‧‧‧第一電阻
R2‧‧‧第二電阻
Ri1‧‧‧等效輸入阻抗
RO1‧‧‧等效輸出阻抗
Ri2‧‧‧等效輸入阻抗
RO2‧‧‧等效輸出阻抗
Ri3‧‧‧等效輸入阻抗
RO3‧‧‧等效輸出阻抗
TL1‧‧‧第一電感傳輸線
TL2‧‧‧第二電感傳輸線
TL3‧‧‧第三電感傳輸線
TL4‧‧‧第四電感傳輸線
TL5‧‧‧第五電感傳輸線
TL6‧‧‧第六電感傳輸線
V1‧‧‧第一電壓
V11‧‧‧第一放大電壓
V2‧‧‧第二電壓
V21‧‧‧第二放大電壓
I1‧‧‧第一電流
I2‧‧‧第二電流
I3‧‧‧偏壓電流
Zout‧‧‧等效輸出阻抗

Claims (10)

  1. 一種混波電路，包含：一第一單端轉差動器，接收一單端輸入電壓，並將該單端輸入電壓轉換成一差動輸入電壓，該差動輸入電壓包括一第一電壓及一第二電壓，且該第一電壓及該第二電壓的相位互補；一第一電晶體，具有一提供一第一電流的第一端、一第二端，及一接收該第一電壓的控制端；一第二電晶體，具有一提供一第二電流的第一端、一第二端，及一接收該第二電壓的控制端；一第一電感傳輸線，具有一電連接於該第一電晶體的第二端的第一端，及一第二端；一第二電感傳輸線，具有一電連接於該第一電感傳輸線的第二端的第一端，及一電連接該第二電晶體的第二端的第二端；一第三電感傳輸線，具有一第一端，及一電連接於該第一電晶體的第一端的第二端；一第四電感傳輸線，具有一第一端，及一電連接於該第二電晶體的第一端的第二端；及一混頻器，接收一差動振盪電壓，且電連接該第三電感傳輸線的第一端及該第四電感傳輸線的第一端以分別接收該第一電流及該第二電流，該第一電流及第二電流組成一差動輸入電流，且該第一電流及該第二電流的相位互補，該混頻器將該差動輸入電流及該差動振盪 電壓進行混頻，以產生一差動混頻電壓，該差動混頻電壓包括一第一電壓及一第二電壓，該第一電壓及該第二電壓的相位互補，其中，該第一電感傳輸線和該第二電感傳輸線使來自該第一電晶體和該第二電晶體的控制端的一等效輸入阻抗匹配於該第一單端轉差動器的一等效輸出阻抗。
  2. 如請求項1所述的混波電路，適用於電連接一產生該單端輸入電壓的單端訊號產生器，且該混波電路還包含一第五電感傳輸線，該第五電感傳輸線具有一電連接該單端輸入訊號產生器以接收該單端輸入電壓的第一端，及一電連接該第一單端轉差動器的第二端，其中，來自該第五電感傳輸線的該第一端的一等效輸入阻抗匹配於該單端輸入訊號產生器的一等效輸出阻抗。
  3. 如請求項1所述的混波電路，還包含一第二單端轉差動器，該第二單端轉差動器接收一單端振盪電壓且電連接該混頻器，並將該單端振盪電壓轉換成該差動振盪電壓，該差動振盪電壓包括一第一電壓及一第二電壓，且該第一電壓及該第二電壓的相位互補。
  4. 如請求項3所述的混波電路，適用於電連接一產生該單端振盪電壓的單端振盪訊號產生器，且該混波電路還包含一第六電感傳輸線，該第六電感傳輸線具有一電連接一單端振盪訊號產生器以接收該單端振盪電壓的第一端，及一電連接該第二單端轉差動器的第二端，其中，來自該第六電感傳輸線的該第一端的一等效輸入阻抗 匹配於該單端振盪訊號產生器的一等效輸出阻抗。
  5. 如請求項1所述的混波電路，其中，該混頻器包括一第三電晶體，具有一第一端、一電連接該第三電感傳輸線的第一端以接收該差動輸入電流之該第一電流的第二端，及一接收該差動振盪電壓之該第一電壓的控制端，一第四電晶體，具有一第一端、一電連接該第三電感傳輸線的第一端以接收該差動輸入電流之該第一電流的第二端，及一接收該差動振盪電壓之該第二電壓的控制端，一第五電晶體，具有一電連接該第三電晶體的第一端的第一端、一電連接該第四傳輸電感的第一端以接收該差動輸入電流之第二電流的第二端，及一接收該差動振盪電壓之該第二電壓的控制端，一第六電晶體，具有一電連接該第四電晶體的第一端的第一端、一電連接該第四傳輸電感的第一端以接收該差動輸入電流之第二電流的第二端，及一接收該差動振盪電壓之該第一電壓的控制端，一第一電阻，具有一接收一直流偏壓的第一端，及一電連接該第三電晶體的第一端的第二端，及一第二電阻，具有一接收一直流偏壓的第一端，及一電連接該第六電晶體的第一端的第二端，該第一電阻的第二端和該第二電阻的第二端分別輸出該差動混頻電壓的該第一電壓和該第二電壓。
  6. 如請求項5所述的混波電路，其中，該第三電晶體至該第六電晶體中的每一者是一N型金氧半場效電晶體，且該第一端是汲極、該第二端是源極，及該控制端是閘極。
  7. 如請求項1所述的混波電路，還包含一信號放大器，該信號放大器電連接該混頻器以接收該差動混頻電壓，並包括一第七電晶體，具有一接收該直流偏壓的第一端、一提供一第二放大電壓的第二端，及一電連接該第三電晶體的第一端以接收該差動混頻電壓之第一電壓的控制端，一第三電阻，具有一電連接該第七電晶體的第二端的第一端，及一接地的第二端，一第八電晶體，具有一接收該直流偏壓的第一端、一提供一第一放大電壓的第二端，及一電連接該第六電晶體的第一端以接收該差動混頻電壓之第二電壓的控制端，該第一放大電壓及該第二放大電壓的相位互補且組成一差動放大電壓，及一第四電阻，具有一電連接該第八電晶體的第二端的第一端，及一接地的第二端。
  8. 如請求項7所述的混波電路，其中，該第七電晶體至該第八電晶體中的每一者是一N型金氧半場效電晶體，且該第一端是汲極、該第二端是源極，及該控制端是閘極。
  9. 如請求項1所述的混波電路，還包含一電流鏡，該電流鏡電連接該第一電感傳輸線的第二端和該第二電感傳輸線的第一端以提供一偏壓電流。
  10. 如請求項1所述的混波電路，其中，該第一電晶體至該第二電晶體中的每一者是一N型金氧半場效電晶體，且該第一端是汲極、該第二端是源極，及該控制端是閘極。
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