TWI549272B - 影像感測器裝置及其形成方法 - Google Patents
影像感測器裝置及其形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI549272B TWI549272B TW102116633A TW102116633A TWI549272B TW I549272 B TWI549272 B TW I549272B TW 102116633 A TW102116633 A TW 102116633A TW 102116633 A TW102116633 A TW 102116633A TW I549272 B TWI549272 B TW I549272B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- grid film
- grid
- forming
- image sensor
- device wafer
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 54
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 53
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 6
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 42
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 42
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 but not limited to Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920002454 poly(glycidyl methacrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
本發明主要是關於一種半導體裝置及其形成方法，特別是關於一種影像感測器裝置及其形成方法。
本案主張依據美國專利法在2012年5月31日當日於該國申請之臨時申請案案號61/653,846的優先權，該先申請案的發明名稱為「Image Sensor with Low Step Height Between Backside Metal and Pixel Array」(在背側金屬與畫素陣列之間具有低階差的影像感測器)，其內容以參照的方式併入本案。
背面受光式(back side illumination；BSI)互補式金屬-氧化物-半導體(complimentary metal-oxide-semiconductor；CMOS)影像感測器(CMOS image sensor；CIS)由於其性能優於傳統的前面受光式(front-side illuminated；FSI)互補式金屬-氧化物-半導體影像感測器，在使用上日趨普及。即使背面受光式影像感測器裝置可避免在互補式金屬-氧化物-半導體影像感測器的透鏡與光學二極體區域之間的光徑(light path)範圍內的多層金屬內連線所造成的問題，背面受光式影像感測器裝置其本身仍具有會造成其性能下降的構造。其中一項構造是在畫素陣列交界處的外觀輪廓
引發的彩色濾光器均勻度的問題。此外觀輪廓包含背側金屬構件與畫素區之問所謂的階差。
有鑑於此，本發明的一實施例是提供一種影像感測器裝置的形成方法，包含：提供一基底，上述基底具有一光學二極體並在上述基底的一第一側具有一導體構件；在上述基底的上述第一側的上方與上述導體構件的上方，形成一鈍化層；在上述鈍化層的上方形成一柵格(grid)膜；裁減上述導體構件上方的上述柵格膜；以及圖形化上述柵格膜以形成一柵格圖形。
在上述之影像感測器裝置的形成方法中，較好為更包含：在上述柵格圖形中形成一彩色濾光器，其中上述柵格圖形使上述彩色濾光器對準於上述光學二極體。
在上述之影像感測器裝置的形成方法中，形成上述柵格膜的步驟較好為包含將上述柵格膜的厚度形成為1000 Å-8000 Å。
在上述之影像感測器裝置的形成方法中，較好為：裁減上述柵格膜而使上述柵格膜與上述導體構件上方的上述鈍化層的一第一鈍化層表面的高度差小於2000 Å。
在上述之影像感測器裝置的形成方法中，較好為：裁減上述柵格膜而使上述柵格膜與上述導體構件的一第一導體構件表面的高度差小於2000 Å。
在上述之影像感測器裝置的形成方法中，用以製造上述柵格膜的材料較好是選自一介電質、一金屬、一絕緣體
與上述之組合所組成之族群。
在上述之影像感測器裝置的形成方法中，較好為更包含：圖形化上述柵格膜上方的一光阻；以及使用一回蝕製程移除上述柵格膜。
在上述之影像感測器裝置的形成方法中，裁減上述柵格膜的步驟較好為更包含：使用一化學機械研磨(chemical mechanical polish；CMP)步驟薄化上述導體構件上方的上述柵格膜。
在上述之影像感測器裝置的形成方法中，裁減上述柵格膜的步驟較好為更包含：使用一蝕刻步驟薄化上述導體構件上方的上述柵格膜。
本發明的另一實施例是提供一種影像感測器裝置的形成方法，包含：提供一基底，上述基底具有形成於上述基底的一第一側的複數個導體構件，且上述基底具有複數個畫素裝置；在上述基底的上述第一側的上方與上述導體構件的上方，形成一柵格膜；裁減上述導體構件上方的上述柵格膜；以及圖形化上述柵格膜以形成一柵格圖形。
在上述之影像感測器裝置的形成方法中，較好為更包含：在上述柵格圖形中形成一彩色濾光器陣列，其中上述彩色濾光器陣列的每個單一彩色濾光器是對準於上述畫素裝置的每個對應的單一畫素裝置。
在上述之影像感測器裝置的形成方法中，形成上述柵格膜的步驟較好包含將上述柵格膜的厚度形成為1000 Å-8000 Å。
在上述之影像感測器裝置的形成方法中，較好為：裁減上述柵格膜而使上述柵格膜與上述導體構件的一第一導體構件表面的高度差小於2000 Å。
在上述之影像感測器裝置的形成方法中，用以製造上述柵格膜的材料較好是選自一介電質、一金屬、一絕緣體與上述之組合所組成之族群。
在上述之影像感測器裝置的形成方法中，較好為更包含：圖形化上述柵格膜上方的一光阻；以及使用一回蝕製程移除上述柵格膜。
在上述之影像感測器裝置的形成方法中，裁減上述柵格膜的步驟較好為更包含：使用一化學機械研磨步驟薄化上述導體構件上方的上述柵格膜。
在上述之影像感測器裝置的形成方法中，裁減上述柵格膜的步驟較好為更包含：使用一蝕刻步驟薄化上述導體構件上方的上述柵格膜。
本發明的又另一實施例是提供一種影像感測器裝置，包含一基底、一光學二極體、一導體構件、一鈍化層以及一圖形化的柵格膜。上述光學二極體是形成於上述基底中，上述導體構件是形成於上述基底的一第一基底表面上，上述鈍化層，形成於上述基底的上述第一基底表面上。上述圖形化的柵格膜是形成於上述鈍化層上，上述圖形化的柵格膜具有一第一柵格膜表面，上述導體構件具有一第一導體構件表面，上述第一柵格膜表面與上述第一導體構件表面是實質上平坦。
在上述之影像感測器裝置中，上述柵格膜與上述
導體構件的上述第一導體構件表面的高度差較好為小於2000 Å。
在上述之影像感測器裝置中，用以製造上述柵格膜的材料較好是選自一介電質、一金屬、一絕緣體與上述之組合所組成之族群。
本發明各實施例可使用一背側柵格膜來對一背側金屬構件與相鄰的至少一畫素區之間的階級高度差作補償。本發明各實施例提供的發明功效之一是藉由減少圍繞畫素陣列的外觀輪廓的起伏，而使潛在的彩色濾光器均勻度降低的問題最小化。
100‧‧‧裝置晶圓
110‧‧‧介電層
120‧‧‧載體晶圓
130‧‧‧背側金屬構件
140‧‧‧鈍化層
150.1-150.N‧‧‧畫素
210‧‧‧柵格層
310‧‧‧光阻層
312‧‧‧虛線
510.1-510.N‧‧‧畫素
HMINSTEP‧‧‧已裁減的階差高度
R‧‧‧凹下處
第1圖是一剖面圖，顯示本發明各種實施例之影像感測器裝置的形成方法的某個中間步驟中的影像感測器裝置之一例。
第2圖是一剖面圖，顯示本發明各種實施例之影像感測器裝置的形成方法的某個中間步驟中的影像感測器裝置之一例。
第3圖是一剖面圖，顯示本發明各種實施例之影像感測器裝置的形成方法的某個中間步驟中的影像感測器裝置之一例。
第4圖是一剖面圖，顯示本發明各種實施例之影像感測器裝置的形成方法的某個中間步驟中的影像感測器裝置之一例。
第5圖是一剖面圖，顯示本發明各種實施例之影像感測器裝置的形成方法的某個中間步驟中的影像感測器裝置之一例。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能
更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：現在請參考第1圖，顯示一裝置晶圓100的剖面圖。裝置晶圓100可具有一第一側與一第二側，分別稱之為一「背側」與一「前側」。裝置晶圓100可具有形成於其內的複數個畫素150.1-150.N、一或多個介電層(以一介電層110作代表)、一載體晶圓120、一或多個背側金屬構件(以一背側金屬構件130作代表)以及一鈍化層(passivation layer)140。
裝置晶圓100可以是一基底，其材質例如為矽、鍺、鑽石或其他同類物質。在多種實施例中，裝置晶圓100可以是已被摻雜一P型摻雜物或一N型摻雜物者，上述摻雜物例如在本發明所屬技術領域中已知的硼、鋁、鎵或其他同類物質。在多種實施例中，可使裝置晶圓100歷經一蝕刻或薄化製程而從其背側薄化，而使經由裝置晶圓100的背側傳播的光線而有效率地到達形成於基底(裝置晶圓100)中的一或多個畫素150.1-150.N。載體晶圓120可包含例如通常被稱作一「操作晶圓」(handle wafer)的一種晶圓的形態。
每個畫素150.1-150.N可包含例如電晶體(例如開關電晶體(switching transistor)、重設電晶體(reset transistor)等等)、電容器與一光敏元件(例如一光學二極體)。上述光學二極體可將光線轉換成電流，其中將一畫素的光學二極體曝露於光線，誘發此光學二極體內產生電荷。當光線層某個物件現場(subject scene)入射至畫素150.1-150.N時，每個畫素150.1-150.N生成的電荷是正比於撞擊到對應畫素的光量。然
後，電荷會在畫素中被換成一電壓訊號，並藉由一類比/數位轉換器(未繪示)而轉換成一數位訊號。複數個周邊電路(未繪示)可接收上述數位訊號而顯示上述物件現場的影像。
介電層110可形成於裝置晶圓100的上方，並可具有一或多個金屬化層，以電性連接電子裝置而形成電路。一鈍化層140可在介電層110上，以保護構件避免受到來自周遭環境的傷害。
載體晶圓120可對裝置晶圓100提供額外的保護，可由包含但不限於玻璃、矽、陶瓷、上述之組合或其他同類物質之各種材料來形成載體晶圓120。在一實施例中，可使用例如紫外線膠(UV glue)，將裝置晶圓100貼附於載體晶圓120。
背側金屬構件130可形成在裝置晶圓100的背側表面上。可使用例如一或多道裁減蝕刻製程(subtractive etch process)、電化學沉積、電化學鍍膜或其他同類製程，以銅、鋁、金、鎢、上述之組合或其他同類物質來形成背側金屬構件130。在一實施例中，對於與裝置晶圓100的電性連接，背側金屬構件130可提供一互連點。在另一實施例中，可將背側金屬構件130作為一間隔裝置使用。
鈍化層140可形成於裝置晶圓100及背側金屬構件130的上方，可以以一聚醯亞胺(polyimide)層、一聚苯噁唑(polybenzoxazole；PBO)層、一苯並環丁烯(Benzocyclobutene；BCB)層、一非光敏聚合物層及/或其他同類物質來形成鈍化層140。在另一實施例中，可以以氮化物、碳化物、氧化矽、氮化矽、摻碳的氧化物(carbon doped oxides)等的低介電常數介
電質、多孔質的摻碳二氧化矽(porous carbon doped silicon dioxide)等的極低介電常數介電質及/或其他同類物質來形成鈍化層140。前述的裝置晶圓100的薄化製程，可在將鈍化層140形成於裝置晶圓100的背側表面的上方及背側金屬構件130的上方之前進行。
如第1圖所示，由於背側金屬構件130及形成於其上的鈍化層140，構成了具有標示為HSTEP的高度之一階差。如後文關於第5圖的說明，會在鈍化層140的上方形成一彩色濾光器陣列(color filter array；CFA)。為了使彩色濾光器陣列的彩色濾光器均勻度得到改善，較好是將位於背側金屬構件130的上方的鈍化層140的一上表面與其鄰近區域之間的階差高度減少至一高度HMINSTEP。將階差高度減少至高度HMINSTEP不但可改善上述彩色濾光器陣列的彩色濾光器均勻度，還可對畫素150.1-150.N改善訊噪比(signal-to-nois)效能與量子效應(quantum effect；QE)。
第2圖顯示在第1圖的裝置加上一柵格層210，可將柵格層20形成為其厚度足以覆蓋背側金屬構件130。如第2圖所示，可以沉積或是其他方法順應性地形成柵格層210，因此柵格層210可覆蓋裝置晶圓100的背側表面、背側金屬構件130與鈍化層140。
在某些實施例中，可以以例如氧化矽、氮化矽、聚醯亞胺、其他同類物質等的一介電層來形成柵格層210。在其他實施例中且在使用適當的絕緣層(未繪示)之下，柵格層210可以是或可包含一金屬膜例如鋁、銅、鎢、上述之組合及/或
其他同類物質。在某些實施例中，柵格層210可以是具有一介電層與一金屬層二者的一多層膜。可使用的介電材料的沉積方法例如電漿增益化學氣相沉積法(plasma enhanced chemical vapor deposition；PECVD)、熱化學氣相沉積法(thermal chemical vapor deposition；TCVD)、常壓化學氣相沉積法(atmospheric pressure chemical vapor deposition；APCVD)、物理氣相沉積法(physical vapor deposition；PVD)及其他同類方法。可使用的金屬材料的沉積方法例如物理氣相沉積法；濺鍍、一電漿製程及其他其他同類方法。
請參考第2圖，在一圖示的例子中，將柵格層210形成於背側金屬構件130及鈍化層140的上方時，可將柵格層210的厚度形成為1000 Å-8000 Å(以「X1」代表)，可將鈍化層140的厚度形成為100 Å-4000 Å(以「X2」代表)，且可將背側金屬構件130的厚度形成為1000 Å-8000 Å(以「X3」代表)。
在將柵格層210形成於鈍化層140的上方之後，可對柵格層210進行加工，而得以將上述彩色濾光器陣列置於柵格層210中。柵格層210之形成於背側金屬構件130上的鈍化層140的上方的部分，亦可予以移除，以減少背側金屬構件130的一上表面/鈍化層140與具有形成於其上的柵格層210的裝置晶圓100的相鄰區域之間的階差高度(例如HMINSTEP，在後文對第5圖所作敘述會更詳細地說明)。在一實施例中，如下式，上述縮小的階差高度較好可保持在2000 Å或更低。
有各種技術可用來對柵格層210柵格層210作加
工，而得以將上述彩色濾光器陣列置於柵格層210中，並減少背側金屬構件130的一上表面/鈍化層140與具有形成於其上的柵格層210的裝置晶圓100的相鄰區域之間的階差高度。
例如，第3圖是繪示在第2圖的裝置的柵格層210上，形成一光阻層310並將其圖形化，以圖形化柵格層210而成為用以在柵格層210內形成上述彩色濾光器陣列的預設的對準排列，同時裁減位於背側金屬構件130上方的柵格層210。上述對準排列可使上述彩色濾光器陣列對準於形成於裝置晶圓100中的一或多個畫素150.1-150.N。在一具體的例子中(例如第3圖所示)，關於光阻層310的對準排列是以虛線312顯示，其標示對準於畫素150.1-150.N的對準排列。如第3圖所示，亦可將光阻層310圖形化而移除柵格層210之形成於背側金屬構件130上的鈍化層140上方的部分。
在圖形化的步驟之後，如第4圖所示，可使用一適當的製程，對柵格層210作蝕刻。上述蝕刻製程會在柵格層210中形成凹下處R，用以將上述彩色濾光器陣列置於其內。藉由上述蝕刻步驟，亦可移除形成於背側金屬構件130的上方之柵格層210。在各種實施例中，上述蝕刻製程可包含乾蝕刻、溼蝕刻或上述之組合。
在一實施例中，可使用一化學機械研磨(chemical mechanical polish；CMP)製程將柵格層210從背側金屬構件130/鈍化層140的上方的區域移除。在這樣的實施例中，如前所述，柵格層210會形成於裝置晶圓100的背側表面的上方、鈍化層140的上方以及背側金屬構件130的上方。然後，可使用上述化
學機械研磨製程來將柵格層210薄化至相對於背側金屬構件130的上方的鈍化層140的一上表面呈現相對平坦的高度。藉由將柵格層210薄化至這樣的高度，可減少背側金屬構件130與相鄰的裝置晶圓100之其上形成有柵格層210背側區域之間的階差高度。在上述薄化步驟之後，可使用如前文討論的蝕刻製程來圖形化並蝕刻柵格層210，以在畫素150.1-150.N上方的柵格層210容納並放置上述彩色濾光器陣列。
藉由移除或薄化背側金屬構件130的上方的柵格層210，可將背側金屬構件130與相鄰的柵格層210的區域之間的階差高度減少至一高度HMINSTEP，如第4圖所示。請注意第4圖所示的已裁減的階差高度HMINSTEP是僅為了明確圖示為目的而誇大地顯示。理想的情況下，已不存在此已裁減的階差高度HMINSTEP，或是相對於傳統的技術或裝置已實質上得到階差高度的縮減(例如縮減至小於2000 Å)。在一實施例中，可進一步移除形成於背側金屬構件130的上方的鈍化層140，或將其薄化至相對於與背側金屬構件130相鄰的柵格層210呈現相對平坦的程度。
第5圖是顯示彩色濾光器510.1-510.N的一個陣列(例如前文所述的彩色濾光器陣列)，可將此彩色濾光器510.1-510.N的陣列置於形成在第4圖所示的柵格層210中的凹下處R內。如第5圖所示，藉由形成於柵格層210中的凹下處R的功效，可在柵格層210中使彩色濾光器510.1-510.N自對準(self-align)，因此可以改善對於彩色濾光器510.1-510.N的對準度。
藉由使用每個彩色濾光器510.1-510.N，可讓光線的既定波長穿透此彩色濾光器，同時將其他波長反射，藉此使一影像感測器(未繪示)得以辨識由每個對應畫素接收的光線的顏色。彩色濾光器510.1-510.N內可包含例如紅色濾光器、綠色濾光器、藍色濾光器的組合，亦可以是與上述組合不同的濾光器配置。其他的濾光器組合，亦可使用例如青綠色(cyan)濾光器、黃色濾光器、洋紅色(magenta)濾光器的組合。用於彩色濾光器510.1-510.N的不同顏色或色組合方式，可依需求作改變。彩色濾光器510.1-510.N可包含可被例如一顏料或一染料上色或染色的物質，例如一丙烯酸系物質。例如，聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate；PMMA)或聚縮水甘油甲基丙烯酸酯(polyglycidylmethacrylate；PGMS)是適用的材料而可在其內加入一顏料或一染料以形成彩色濾光器510.1-510.N。但是亦可使用其他材料來形成彩色濾光器510.1-510.N，而且可以使用任何適用的方法來形成彩色濾光器510.1-510.N。
第5圖亦繪示背側金屬構件130/鈍化層140的一上表面與柵格層210之鄰近背側金屬構件130的部分之間的已裁減的階差高度HMINSTEP。請再一次注意第5圖所示的已裁減的階差高度HMINSTEP是僅為了明確圖示為目的而誇大地顯示。理想的情況下，已不存在此已裁減的階差高度HMINSTEP，或是已得到實質上的階差高度的縮減(例如縮減至小於2000 Å)。如前文討論，藉由前述已裁減的階差高度及已改善的對準程度，可為彩色濾光器510.1-510.N提升其彩色濾光器均勻度，還可對畫素150.1-150.N改善訊噪比效能與量子效應。
本發明的一實施例是提供一種影像感測器裝置的形成方法，包含：提供一基底，上述基底具有一光學二極體並在上述基底的一第一側具有一導體構件；在上述基底的上述第一側的上方與上述導體構件的上方，形成一鈍化層；在上述鈍化層的上方形成一柵格(grid)膜；裁減上述導體構件上方的上述柵格膜；以及圖形化上述柵格膜以形成一柵格圖形。
本發明的另一實施例是提供一種影像感測器裝置的形成方法，包含：提供一基底，上述基底具有形成於上述基底的一第一側的複數個導體構件，且上述基底具有複數個畫素裝置；在上述基底的上述第一側的上方與上述導體構件的上方，形成一柵格膜；裁減上述導體構件上方的上述柵格膜；以及圖形化上述柵格膜以形成一柵格圖形。
本發明的又另一實施例是提供一種影像感測器裝置，包含一基底、一光學二極體、一導體構件、一鈍化層以及一圖形化的柵格膜。上述光學二極體是形成於上述基底中，上述導體構件是形成於上述基底的一第一基底表面上，上述鈍化層，形成於上述基底的上述第一基底表面上。上述圖形化的柵格膜是形成於上述鈍化層上，上述圖形化的柵格膜具有一第一柵格膜表面，上述導體構件具有一第一導體構件表面，上述第一柵格膜表面與上述第一導體構件表面是實質上平坦。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者
為準。
100‧‧‧裝置晶圓
110‧‧‧介電層
120‧‧‧載體晶圓
130‧‧‧背側金屬構件
140‧‧‧鈍化層
150.1-150.N‧‧‧畫素
210‧‧‧柵格層
510.1-510.N‧‧‧畫素
HMINSTEP‧‧‧已裁減的階差高度
Claims (10)
- 一種影像感測器裝置的形成方法，包含：提供一裝置晶圓，該裝置晶圓具有一光學二極體與一導體構件，該光學二極體形成於該裝置晶圓的一前側，該導體構件形成於該裝置晶圓的一背側；在該裝置晶圓的該前側形成一介電層，其中該介電層具有形成於其內的一或多個金屬化層，且在該裝置晶圓的厚度方向，該光學二極體是位於該介電層與該裝置晶圓的該背側之間；在該裝置晶圓的該背側的上方與該導體構件的上方，順應性地形成一鈍化層，該鈍化層是物理性地接觸該裝置晶圓的該背側；在該鈍化層的上方形成一柵格(grid)膜，其中該柵格膜是具在該導體構件的上方的一第一部分與在該光學二極體的上方的一第二部分，且該柵格膜的該第一部分的上表面與該柵格膜的該第二部分的上表面具有高度差；裁減該柵格膜的該第一部分；圖形化該柵格膜的該第二部分以在該光學二極體的上方形成一柵格圖形，該柵格圖形曝露部分的該鈍化層；以及在該柵格圖形內及該光學二極體的上方形成一彩色濾光器，其中該彩色濾光器並無位於該導體構件的上方的部分，且該彩色濾光器是物理性地接觸在該裝置晶圓的該背側上方的該鈍化層。
- 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器裝置的形成方法， 其中該柵格圖形使該彩色濾光器對準於該光學二極體。
- 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器裝置的形成方法，其中形成該柵格膜的步驟包含將該柵格膜的厚度形成為1000Å-8000Å。
- 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器裝置的形成方法，其中：裁減該柵格膜的該第一部分而使該柵格膜的該第一部分與該導體構件上方的該鈍化層的一第一鈍化層表面的高度差小於2000Å；或裁減該柵格膜的該第一部分而使該柵格膜的該第一部分與該導體構件的一第一導體構件表面的高度差小於2000Å。
- 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器裝置的形成方法，其中圖形化該柵格膜的該第二部分的步驟更包含：圖形化該柵格膜的該第二部分上方的一光阻；以及使用一回蝕製程移除該柵格膜的該第二部分的一部分。
- 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器裝置的形成方法，其中裁減該柵格膜的該第一部分的步驟更包含：使用一化學機械研磨(chemical mechanical polish；CMP)步驟或一蝕刻步驟薄化該柵格膜的該第一部分。
- 一種影像感測器裝置的形成方法，包含：提供一裝置晶圓，該裝置晶圓具有複數個導體構件與複數個畫素裝置，該些導體構件形成於該裝置晶圓的一第一主表面上，該些畫素裝置形成於該裝置晶圓的一第二主表面上，該第二主表面對向於該第一主表面，該裝置晶圓更包 含一介電層，該介電層形成於該裝置晶圓的該第二主表面，該介電層具有形成於其內的一或多個金屬化層，且在該裝置晶圓的厚度方向，該裝置晶圓的該第二主表面是位於該介電層與該裝置晶圓的該第一主表面之間；在該裝置晶圓的該第一主表面的上方與該些導體構件的上方，形成一柵格膜，其中該柵格膜是具有在該些導體構件的上方的一第一部分與在該些畫素裝置的上方的一第二部分，且該柵格膜的該第一部分的上表面與該柵格膜的該第二部分的上表面具有高度差；裁減該柵格膜的該第一部分；圖形化該柵格膜的該第二部分之直接對向於該些畫素裝置的區域，以形成一柵格圖形，該柵格圖形具有複數個凹下處，該些凹下處藉由該柵格膜的材料而彼此水平隔離，該些凹下處是完全置於該柵格膜的該第二部分的該區域的範圍內；以及在該些凹下處內形成一彩色濾光器陣列，其中該彩色濾光器陣列並無位於該些導體構件的上方的部分，且該彩色濾光器陣列是物理性地接觸形成於該裝置晶圓的該第一主表面上的一鈍化層。
- 如申請專利範圍第7項所述之影像感測器裝置的形成方法，其中該彩色濾光器陣列的每個單一彩色濾光器是對準於該些畫素裝置的每個對應的單一畫素裝置。
- 一種影像感測器裝置，包含：一基底，具有一裝置晶圓； 一光學二極體，形成於該基底的一前側上；一導體構件，形成於該基底的一背側上，該前側對向於該背側；一介電層，形成在該基底的該前側，其中該介電層具有形成於其內的一或多個金屬化層，且在該基底的厚度方向，該光學二極體是位於該介電層與該基底的該背側之間；一鈍化層，順應性地形成於該基底的該背側上與該導體構件上，其中該鈍化層是具在該導體構件的上方的一第一部分與在該光學二極體的上方的一第二部分，且該鈍化層的該第一部分的上表面與該鈍化層的該第二部分的上表面具有高度差；一圖形化的柵格膜，形成於該鈍化層的該第二部分上，該圖形化的柵格膜具有一第一柵格膜表面，該導體構件具有一第一導體構件表面，該第一柵格膜表面與該第一導體構件表面是實質上平坦；以及一彩色濾光器，在該圖形化的柵格膜內及該光學二極體的上方，其中該彩色濾光器並無位於該導體構件的上方的部分，且該彩色濾光器是物理性地接觸在該基底的該背側上方的該鈍化層。
- 如申請專利範圍第9項所述之影像感測器裝置，其中該柵格膜與該導體構件的該第一導體構件表面的高度差小於2000Å。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201261653846P | 2012-05-31 | 2012-05-31 | |
| US13/650,339 US9299740B2 (en) | 2012-05-31 | 2012-10-12 | Image sensor with low step height between back-side metal and pixel array |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201351628A TW201351628A (zh) | 2013-12-16 |
| TWI549272B true TWI549272B (zh) | 2016-09-11 |
Family
ID=49669197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW102116633A TWI549272B (zh) | 2012-05-31 | 2013-05-10 | 影像感測器裝置及其形成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9299740B2 (zh) |
| KR (1) | KR101459208B1 (zh) |
| CN (1) | CN103456751B (zh) |
| TW (1) | TWI549272B (zh) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10367019B2 (en) * | 2015-01-29 | 2019-07-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | CMOS image sensor structure with crosstalk improvement |
| US9761622B2 (en) * | 2015-09-09 | 2017-09-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | CMOS image sensor structure with crosstalk improvement |
| CN110828490B (zh) * | 2018-08-07 | 2023-05-23 | 联华电子股份有限公司 | 背照式影像传感器 |
| KR102651605B1 (ko) | 2019-01-11 | 2024-03-27 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
| CN109860215B (zh) * | 2019-02-27 | 2021-01-22 | 德淮半导体有限公司 | 图像传感器及其形成方法 |
| KR102658571B1 (ko) * | 2019-06-11 | 2024-04-19 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20210026845A (ko) * | 2019-09-02 | 2021-03-10 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 |
| KR20210035658A (ko) * | 2019-09-24 | 2021-04-01 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 |
| KR20210099349A (ko) * | 2020-02-04 | 2021-08-12 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060076689A1 (en) * | 2003-03-04 | 2006-04-13 | Rhodes Howard E | Damascene processes for forming conductive structures |
| US20090189233A1 (en) * | 2008-01-25 | 2009-07-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Cmos image sensor and method for manufacturing same |
| US20110298074A1 (en) * | 2010-06-08 | 2011-12-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging element and electronic information device |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6576514B2 (en) * | 2000-11-08 | 2003-06-10 | Macronix International Co. Ltd. | Method of forming a three-dimensional polysilicon layer on a semiconductor wafer |
| KR100526466B1 (ko) | 2003-11-12 | 2005-11-08 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 시모스 이미지센서 제조 방법 |
| KR20050051853A (ko) | 2003-11-28 | 2005-06-02 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 시모스 이미지센서 평탄화층을 이용한 칼라 필터 어레이와마이크로 렌즈 형성 방법 |
| KR100672676B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2007-01-24 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 광결정을 갖는 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| US7264976B2 (en) * | 2005-02-23 | 2007-09-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Advance ridge structure for microlens gapless approach |
| US7709872B2 (en) * | 2006-09-13 | 2010-05-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Methods for fabricating image sensor devices |
| US7781781B2 (en) * | 2006-11-17 | 2010-08-24 | International Business Machines Corporation | CMOS imager array with recessed dielectric |
| US7750470B2 (en) * | 2007-02-08 | 2010-07-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Methods for planarization of dielectric layer around metal patterns for optical efficiency enhancement |
| KR100918691B1 (ko) | 2007-12-07 | 2009-09-22 | 제일모직주식회사 | 패드 보호막 형성용 감광성 수지 조성물, 및 이를 이용하는이미지 센서의 제조 방법 |
| US8319301B2 (en) * | 2008-02-11 | 2012-11-27 | Omnivision Technologies, Inc. | Self-aligned filter for an image sensor |
| KR101038889B1 (ko) * | 2008-11-05 | 2011-06-02 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| JP4741015B2 (ja) * | 2009-03-27 | 2011-08-03 | 富士フイルム株式会社 | 撮像素子 |
| FR2965976A1 (fr) | 2010-10-08 | 2012-04-13 | St Microelectronics Sa | Capteur d'images eclaire par la face arriere |
-
2012
- 2012-10-12 US US13/650,339 patent/US9299740B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-01-23 KR KR1020130007439A patent/KR101459208B1/ko active IP Right Grant
- 2013-04-27 CN CN201310153835.6A patent/CN103456751B/zh active Active
- 2013-05-10 TW TW102116633A patent/TWI549272B/zh active
-
2016
- 2016-03-04 US US15/061,799 patent/US10074680B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060076689A1 (en) * | 2003-03-04 | 2006-04-13 | Rhodes Howard E | Damascene processes for forming conductive structures |
| US20090189233A1 (en) * | 2008-01-25 | 2009-07-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Cmos image sensor and method for manufacturing same |
| US20110298074A1 (en) * | 2010-06-08 | 2011-12-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging element and electronic information device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US10074680B2 (en) | 2018-09-11 |
| CN103456751A (zh) | 2013-12-18 |
| TW201351628A (zh) | 2013-12-16 |
| US9299740B2 (en) | 2016-03-29 |
| CN103456751B (zh) | 2016-06-29 |
| KR101459208B1 (ko) | 2014-11-07 |
| US20160190190A1 (en) | 2016-06-30 |
| US20130320469A1 (en) | 2013-12-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI549272B (zh) | 影像感測器裝置及其形成方法 | |
| US9564463B2 (en) | Methods of fabricating image sensors having deep trenches including negative charge material | |
| KR101671640B1 (ko) | 이미지 센서 소자 및 그 제조 방법 | |
| TWI525804B (zh) | 影像感測器裝置及其製造方法 | |
| TW201322434A (zh) | 裝置及半導體影像感測元件與其形成方法 | |
| KR101489038B1 (ko) | 개선된 반사성의 이미지 센서용 광학 그리드를 위한 방법 및 장치 | |
| US9054106B2 (en) | Semiconductor structure and method for manufacturing the same | |
| US9991303B2 (en) | Image sensor device structure | |
| MXPA06014220A (es) | Metodo para manufacturar un sensor de imagen, y un sensor de imagen. | |
| US20160111458A1 (en) | Grids in Backside Illumination Image Sensor Chips and Methods for Forming the Same | |
| TWI390721B (zh) | 具有延伸穿過基板之接觸栓的成像器以及成像器製造方法 | |
| US10134790B1 (en) | Image sensor and fabrication method therefor | |
| US20220020797A1 (en) | Image sensor | |
| TW201727269A (zh) | 影像感測器裝置及方法 | |
| KR20110079323A (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR20200084719A (ko) | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 | |
| KR101420503B1 (ko) | 이미지 센서에서 암전류를 줄이기 위한 장치 및 방법 | |
| US20220293647A1 (en) | Dielectric structure overlying image sensor element to increase quantum efficiency | |
| KR100790288B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| US20200279887A1 (en) | Image sensor grid and method of manufacturing same | |
| US9721983B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| TW202327062A (zh) | 半導體裝置 | |
| CN104282697B (zh) | 图像传感器的形成方法 |