KR20050051853A - 시모스 이미지센서 평탄화층을 이용한 칼라 필터 어레이와마이크로 렌즈 형성 방법 - Google Patents
시모스 이미지센서 평탄화층을 이용한 칼라 필터 어레이와마이크로 렌즈 형성 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20050051853A KR20050051853A KR1020030085516A KR20030085516A KR20050051853A KR 20050051853 A KR20050051853 A KR 20050051853A KR 1020030085516 A KR1020030085516 A KR 1020030085516A KR 20030085516 A KR20030085516 A KR 20030085516A KR 20050051853 A KR20050051853 A KR 20050051853A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- ocl
- layer
- photoresist
- forming
- color filter
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 24
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 241001428800 Cell fusing agent virus Species 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 208000036971 interstitial lung disease 2 Diseases 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
본 발명은 마이크로 렌즈가 플로잉되어 형성될 부분의 경계를 명확히 해주는 층이 사전에 형성되고, 마이크로 렌즈간의 경계를 분명하게 하고 아울러 마이크로 렌즈의 구면의 높이도 일정하게 하므로써 광의 초점 길이가 길어지고 광량도 증가시키며, CFA 층도 평탄화를 위해 사용하는 OCL 내부에 일정한 깊이와 크기로 형성하므로 공정의 안정화를 꾀할 수 있는 시모스 이미지센서 평탄화층을 이용한 칼라 필터 어레이와 마이크로 렌즈 형성 방법을 제공하는 것이다. 칼라 필터 어레이와 마이크로 렌즈 형성 방법은 a) 반도체 기판 상에 OCL 포토 레지스트를 형성하는 단계와, b) OCL 마스크를 이용하여 OCL 포토 레지스트를 패터닝하는 단계와, c) 패터닝된 OCL 포토 레지스트 상에 파랑색 OCL 층을 형성하는 단계와, d) 패터닝된 파랑색 OCL 층을 가열하는 단계와, e) 파랑색 노광 마스크를 이용하여 파랑색 노광을 실시하여 파랑색 패턴을 형성하는 단계와, f) 빨강색 픽셀 및 초록색 픽셀에 대하여 단계 c) 내지 단계 e)를 각각 동일하게 반복하여 CFA 층 패터닝을 수행하는 단계와, g) ML 층을 도포한 후, 패터닝을 실시하고 열적 플로잉을 통해 ML 구조를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 을 제공한다.
Description
본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 시모스 이미지 센서(CMOS image sensor)와 같은 이미지 디스플레이 소자에 적용할 수 있는 시모스 이미지센서 평탄화층을 이용한 칼라 필터 어레이와 마이크로 렌즈 형성 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 시모스 이미지 센서의 컬러 필터 어레이(CFA; color filter array)의 효과를 극대화하기 위해 마이크로 렌즈(microlens)를 형성한다. 이러한 마이크로 렌즈는 빛의 투과도가 높은 계열의 실리콘 옥사이드류의 감광성 포토레지스트로 스핀-온 도포기에서 도포하고, 마스크를 이용하여 패터닝한 후 열공정으로 플로잉(flowing)을 시켜 큐어링(curing) 후 렌즈의 형상을 만든다.
도 1은 이러한 종래 기술 중의 하나에 따라 형성된 컬러 필터 어레이 및 마이크로 렌즈를 설명하기 위한 단면도를 도시한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 컬러 필터 및 마이크로 렌즈가 형성된 반도체 디바이스는 얕은 트렌치 아이솔레이션(STI; shallow trench isolation) 및 패시베이션 공정이 완료된 반도체 기판(10), 반도체 기판(10) 상에 형성된 제 1 오버 코팅층(OCL; overcoating layer)(12), OCL(12)상에 형성된 컬러 필터 어레이(CFA; color filter array) 층(14), 제 2 OCL(14) 및 그 위에 형성된 마이크로 렌즈(ML; microlens) 층(18)을 포함한다.
도 1에 도시한 바와 같은 방법으로 마이크로 렌즈를 4 ㎛ 이하의 크기로 형성할 경우, 그 끝 경계 부분의 불명확으로 인해 크기와 높이의 균일도가 저하되는 문제점이 있다.
아울러, 패턴의 불명확으로 발생하는 선폭(CD; critical dimension) 측정의 어려움 발생 및 공정의 불안정으로 인한 포토 다이오드(PD; photo-diode)영역에 도달하는 광량의 저하를 유도하게 된다.
또한, CFA 층(14)의 형성시 서브-토폴로지(sub-topology)의 불균일에 의한 CFA의 두께 및 CFA의 CD 크기의 조절 불량으로 공정 불안정이 유발된다.
일반적인 이미지 센서는 피사체의 이미지가 상기의 PD에 모이는 광전자(Photo-electron)에 저장되었다가 전기적 신호로 변환된다. 따라서, 전술한 문제는 전기적 신호로 전환되는 양이 줄어들거나 불균일해지므로 이미지 센서 소자의 이미지 특성의 저하와 센서 기능의 저하를 유발하게 된다.
또한, 상기 문제와 유사한 상황을 극복하기 위해 식각 공정을 추가하기도 하였으나 이는 오히려 결함을 줄이는 것에 반하는 공정이며 공정 단계를 늘려 원가 절감 차원에서도 불리하다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창작된 것으로서, 본 발명의 주목적은 마이크로 렌즈가 플로잉되어 형성될 부분의 경계를 명확히 해주는 층이 사전에 형성되고, 마이크로 렌즈간의 경계를 분명하게 하고 아울러 마이크로 렌즈의 구면의 높이도 일정하게 하므로써 광의 초점 길이가 길어지고 광량도 증가시키며, CFA 층도 평탄화를 위해 사용하는 OCL 내부에 일정한 깊이와 크기로 형성하므로 공정의 안정화를 꾀할 수 있는 시모스 이미지센서 평탄화층을 이용한 칼라 필터 어레이와 마이크로 렌즈 형성 방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 기본적으로 식각 및 레지스트 제거 공정을 수반하지 않고 간단히 OCL 레지스트 패터닝 공정을 통해 평탄화 공정(OCL 층)을 그대로 유지하여 CFA를 패시베이션으로 부터의 토폴로지 영향에 자유롭고, CFA 크기의 제어가 용이한 시모스 이미지센서 평탄화층을 이용한 칼라 필터 어레이와 마이크로 렌즈 형성 방법을 제공하는 것이다.
상기와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은 a) STI에서 패시베이션까지 형성된 반도체 기판 상에 OCL 포토 레지스트를 형성하는 단계와, b) OCL 마스크를 이용하여 OCL 포토 레지스트를 패터닝하는 단계와, c) 패터닝된 OCL 포토 레지스트 상에 파랑색 OCL 층을 형성하는 단계와, d) 패터닝된 파랑색 OCL 층을 대략 220℃에서 약 3분 동안 가열(curing) 하는 단계와, e) 파랑색 노광 마스크를 이용하여 파랑색 노광을 실시하여 파랑색 패턴을 형성하는 단계와, f) 빨강색 픽셀 및 초록색 픽셀에 대하여 단계 c) 내지 단계 e)를 각각 동일하게 반복하여 CFA 층 패터닝을 수행하는 단계와, g) ML 층을 도포한 후, 패터닝을 실시하고 열적 플로잉을 통해 ML 구조를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서 평탄화층을 이용한 칼라 필터 어레이와 마이크로 렌즈 형성 방법을 제공한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 또한 본 실시예는 본 발명의 권리범위를 한정하는 것은 아니고, 단지 예시로 제시된 것이다.
도 2a 내지 도 2i는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 컬러 필터 어레이 및 마이크로 렌즈를 형성하는 방법을 설명하기 위한 단면도들을 도시한다.
먼저, 도 2a에 도시한 바와 같이, 얕은 트렌치 아이솔레이션(STI; shallow trench isolation)에서 패시베이션까지 형성된 반도체 기판(100) 상에 오버 코팅층 (OCL; overcoating layer) 포토 레지스트(102)를 형성한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 소자 위에 색을 표현하는 파랑, 빨강, 초록의 화소로 이루어진 컬러 필터 어레이(CFA; color filer array) 소자를 형성하고 외부의 광량을 증가시켜 CFA소자의 기능을 극대화하기 위해 투과도가 높은 실리콘 옥사이드 계열의 감광성 포토 레지스트로 마이크로 렌즈를 형성한다.
또한, 반도체 기판(100)의 맨 위층인 패시베이션 층의 토폴로지 차가 CFA가 형성될 영역내에 심하므로 투과도가 높은 감광성 OCL 포토 레지스트(102)인 첫 번째 OCL을 대략 9,000 Å 정도의 두께로 형성하여 평탄화층으로 형성한다.
그리고 나서, 도 2b에 도시한 바와 같이, OCL 마스크(104)를 이용하여 노광 장비로 네거티브 포토 레지스트(102)를 패터닝 한다. 이 공정에서 OCL 포토 레지스트(102)를 네거티브로 사용하여 CFA가 형성될 픽셀과 패드 단자와 일부 영역만을 개방시키고, 그 외의 입출력(input/output) 영역, 페리 영역 등은 OCL 포토 레지스트(102)가 남도록 마스킹을 실시한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, OCL 노광시 패시베이션까지 OCL 포토 레지스트(102)가 제거되도록 하거나 대략 500Å 내지 1,000Å 정도 남겨두면 CFA 두께 및 CD 제어가 용이하게 될 수 있을 것이다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 후속 공정에 형성될 마이크로 렌즈(ML; microlens)과 ML간의 가이드(guide)로써 ML 오버플로잉에 의한 브릿지 발생도 방지 가능하다.
다음 공정으로, 도 2c에 도시한 바와 같이, OCL 포토 레지스트(102)를 패터닝하여 패터닝된 OCL 포토 레지스트(108)를 형성한다. 그리고 나서, 패터닝된 OCL 포토 레지스트(108) 상에 파랑색 OCL 층(109)을 도포한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 파랑색 OCL 층(109)을 대략 220 ??에서 약 3분 동안 가열(curing) 하고, 그 위에 후속하는 공정을 반복적으로 진행하여 CFA를 형성하며 각각의 픽셀층을 형성 후 반드시 대략 220℃에서 약 3분간 가열을 하여 CFA 물질간의 반응 및 화학적 공격(attack)을 방지하는 것이 바람직하다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 파랑색 픽셀, 빨강색 픽셀 및 초록색 픽섹 각각은 대략 7,000 Å 내지 9,000Å의 두께로 형성되는 것이 바람직하다.
다음 단계로, 도 2d에 도시한 바와 같이, 파랑색 노광 마스크(110)를 이용하여 파랑색 노광을 실시한다.
이어서, 도 2e에 도시한 바와 같이 CFA 위에 형성될 ML의 안정적인 구현을 위해 마스크 없이 블랭크로 과노출(over-expoure)하여 형성된 CFA 높이를 OCL 가이드(107)보다 대략 500Å 내지 1,500Å 정도 낮게 유지한다. 이는 CFA 층 위에 형성될 ML들간의 브릿지를 방지하는 OCL 가이드(107) 형성을 위한 것이다.
그리고 나서, 도 2f에 도시한 바와 같이, 파랑색 패턴(114)의 형성을 완료한다.
다음 단계로, 전술한 도 2c 내지 도 2f를 참조로 하여 설명한 단계를 빨강색 픽셀(118) 및 초록색 픽셀(116)에 대하여 동일하게 반복을 하여, 도 2g에 도시한 바와 같이, CFA 층 패터닝을 완료한다.
이어서, 도 2h에 도시한 바와 같이, ML를 형성하기 위하여 대략 6,000Å 내지 7,000 Å 정도의 두께로 도포한 후, 패터닝을 실시하고 열적 플로잉을 통해, 도 2i에 도시한 ML 구조를 형성한다.
일반적으로, ML 크기가 작아지고 ML 레지스트의 두께가 낮아지면 열적 오버플로잉시에는 ML과 ML간의 브릿지를 유발하게 되고, 진행 공정수가 많아져 웨이퍼대 웨이퍼, 로트대 로트 사이의 CD 변동이 발생되어 CFA 패턴의 CD 제어가 일정하지 않으며, 공정중인 웨이퍼 상에서 CFA 두께 변동이 다소 심하므로 각 픽셀들의 색 특성에 문제의 소지가 항상 존재한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 종래의 ML 층을 형성하기전에 사용했던 OCL 평탄화(두번째 OCL) 층이 없어도, 아주 미세한 토폴로지만 존재하므로 그대략 6,000Å 내지 7,000Å 정도의 ML를 도포하는 것이 가능하며, 네거티브 OCL 레지스트를 사용하므로써 쉽게 CFA 영역을 패턴닝할 수 있으며, 각 CFA사이에 OCL 가이드가 형성되므로써 오버플로잉시에도 ML과 ML사이에 브릿지가 발생하지 않게 된다.
따라서, ML 공정진행이 기존보다 안정화되고, CFA 및 ML 공정 전체의 높이가 기존 대비 약 10,000Å 내지 15,000Å 이상 감소하여 ML를 통해 입사되는 광의 손실이 최소화되고 또한 ML에 의한 PD 영역에서의 광 집적도도 향상되게 된다. 또한, 이를 통해 CIS 소자의 특성이 여타의 CIS소자 보다 월등히 우수해 질 것이다.
상기한 바와 같이, 본 발명은 식각 공정 또는 평탄화를 위해 이중 층의 OCL를 사용하는 기존의 발명보다 공정의 단순화 및 안정화, 그리고 결함이 없는 효과로 인해 CFA 특성 뿐아니라 우수한 CMOS 이미지 센서 소자의 특성 향상 및 공정의 단순화를 통한 공정 개선이 이뤄지므로 시간 및 비용의 절약도 겸할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래 기술에 따라 형성된 컬러 필터 어레이 및 마이크로 렌즈를 설명하기 위한 단면도를 도시한다.
도 2a 내지 도 2i는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 컬러 필터 어레이 및 마이크로 렌즈를 형성하는 방법을 설명하기 위한 단면도들을 도시한다.
- 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 -
100 : 반도체 기판 102 : 포토 레지스트층
104 : OCL 마스크 108 : 파랑색 코팅
110 : 파랑색 노광 마스크 114 : 파랑색 패턴
116 : 초록색 패턴 118 : 빨강색 패턴
124 : 마이크로 렌즈
Claims (8)
- a) STI에서 패시베이션까지 형성된 반도체 기판 상에 OCL 포토 레지스트를 형성하는 단계와,b) OCL 마스크를 이용하여 OCL 포토 레지스트를 패터닝하는 단계와,c) 상기 패터닝된 OCL 포토 레지스트 상에 파랑색 OCL 층을 형성하는 단계와,d) 상기 패터닝된 파랑색 OCL 층을 대략 220℃에서 약 3분 동안 가열 하는 단계와,e) 파랑색 노광 마스크를 이용하여 파랑색 노광을 실시하여 파랑색 패턴을 형성하는 단계와,f) 빨강색 픽셀 및 초록색 픽셀에 대하여 단계 c) 내지 단계 e)를 각각 동일하게 반복하여 CFA 층 패터닝을 수행하는 단계와,g) ML 층을 도포한 후, 패터닝을 실시하고 열적 플로잉을 통해 ML 구조를 형성하는 단계를포함하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서 평탄화층을 이용한 칼라 필터 어레이와 마이크로 렌즈 형성 방법.
- 제 1항에 있어서,패터닝된 OCL 포토 레지스트가 OCL 가이드를 형성하며, 이는 상기 CFA 층 위에 형성된 상기 ML들간의 브릿지를 방지하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서 평탄화층을 이용한 칼라 필터 어레이와 마이크로 렌즈 형성 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 각각의 OCL 층이 대략 9,000Å 정도의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서 평탄화층을 이용한 칼라 필터 어레이와 마이크로 렌즈 형성 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 ML 사이에 형성되는 OCL의 폭이 CFA의 크기에 의해 변경되어지는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서 평탄화층을 이용한 칼라 필터 어레이와 마이크로 렌즈 형성 방법.
- 제 1항에 있어서,각각의 픽셀 들의 색도 저하를 방지하기 위하여 각 픽셀의 포토 레지스트를 가열하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서 평탄화층을 이용한 칼라 필터 어레이와 마이크로 렌즈 형성 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 평탄화를 위한 OCL 포토 레지스트에 상기 CFA를 형성하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서 평탄화층을 이용한 칼라 필터 어레이와 마이크로 렌즈 형성 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 OCL 포토 레지스트가 네거티브인 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서 평탄화층을 이용한 칼라 필터 어레이와 마이크로 렌즈 형성 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 OCL층의 패터닝 후, 블랭크 노광을 실시하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서 평탄화층을 이용한 칼라 필터 어레이와 마이크로 렌즈 형성 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030085516A KR20050051853A (ko) | 2003-11-28 | 2003-11-28 | 시모스 이미지센서 평탄화층을 이용한 칼라 필터 어레이와마이크로 렌즈 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030085516A KR20050051853A (ko) | 2003-11-28 | 2003-11-28 | 시모스 이미지센서 평탄화층을 이용한 칼라 필터 어레이와마이크로 렌즈 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050051853A true KR20050051853A (ko) | 2005-06-02 |
Family
ID=37248012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020030085516A KR20050051853A (ko) | 2003-11-28 | 2003-11-28 | 시모스 이미지센서 평탄화층을 이용한 칼라 필터 어레이와마이크로 렌즈 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20050051853A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100698091B1 (ko) * | 2005-06-27 | 2007-03-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR100738257B1 (ko) * | 2006-01-03 | 2007-07-12 | (주)실리콘화일 | 컬러필터가 형성된 이미지센서 및 그 제조 방법 |
| KR101459208B1 (ko) * | 2012-05-31 | 2014-11-07 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 후면 메탈과 픽셀 어레이 사이의 낮은 스텝 높이를 갖는 이미지 센서 |
-
2003
- 2003-11-28 KR KR1020030085516A patent/KR20050051853A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100698091B1 (ko) * | 2005-06-27 | 2007-03-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR100738257B1 (ko) * | 2006-01-03 | 2007-07-12 | (주)실리콘화일 | 컬러필터가 형성된 이미지센서 및 그 제조 방법 |
| WO2007078059A1 (en) * | 2006-01-03 | 2007-07-12 | Siliconfile Technologies Inc. | Image sensor with color filters and method of manufacturing the same |
| KR101459208B1 (ko) * | 2012-05-31 | 2014-11-07 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 후면 메탈과 픽셀 어레이 사이의 낮은 스텝 높이를 갖는 이미지 센서 |
| US9299740B2 (en) | 2012-05-31 | 2016-03-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Image sensor with low step height between back-side metal and pixel array |
| US10074680B2 (en) | 2012-05-31 | 2018-09-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Image sensor with low step height between back-side metal and pixel array |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100462757B1 (ko) | 이미지 센서용 반도체 소자 제조 방법 | |
| US7678604B2 (en) | Method for manufacturing CMOS image sensor | |
| KR100526466B1 (ko) | 시모스 이미지센서 제조 방법 | |
| US7358110B2 (en) | Image sensor having inner lens | |
| KR100303774B1 (ko) | 개선된 광감도를 갖는 씨모스이미지센서 제조방법 | |
| US6582988B1 (en) | Method for forming micro lens structures | |
| KR20000041461A (ko) | 개선된 이미지센서 제조방법 | |
| KR100717281B1 (ko) | 이미지 센서의 형성 방법 및 그에 의해 형성된 이미지 센서 | |
| CN101118379B (zh) | Cmos图像传感器的微透镜及其制造方法 | |
| KR20080058549A (ko) | 이미지 센서 및 이미지 센서의 제조 방법 | |
| US7605016B2 (en) | CMOS image sensor and method of manufacturing the same | |
| KR20050051853A (ko) | 시모스 이미지센서 평탄화층을 이용한 칼라 필터 어레이와마이크로 렌즈 형성 방법 | |
| KR100788596B1 (ko) | 이미지 소자의 제조 방법 | |
| KR100449951B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| KR100733706B1 (ko) | 씨모스 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| KR20000044590A (ko) | 높은광감도를 갖는 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| KR20020052713A (ko) | 칼라필터어레이 형성 방법 | |
| CN101211827A (zh) | 图像传感器的制造方法 | |
| KR100399939B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR100734688B1 (ko) | 이미지 센서의 제조 방법 | |
| KR20050060649A (ko) | 마이크로렌즈를 구비한 이미지센서의 제조방법 | |
| JP2018205685A (ja) | 固体撮像素子の製造方法およびナノインプリントリソグラフィー用原版 | |
| JP2011165791A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| KR20040083173A (ko) | 이미지 소자의 제조 방법 | |
| KR20060136105A (ko) | 이미지 센서의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| A201 | Request for examination | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |