KR20040083173A - 이미지 소자의 제조 방법 - Google Patents
이미지 소자의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20040083173A KR20040083173A KR1020030017736A KR20030017736A KR20040083173A KR 20040083173 A KR20040083173 A KR 20040083173A KR 1020030017736 A KR1020030017736 A KR 1020030017736A KR 20030017736 A KR20030017736 A KR 20030017736A KR 20040083173 A KR20040083173 A KR 20040083173A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- color filter
- trench
- insulating film
- film
- forming
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 49
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 36
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/805—Coatings
- H10F39/8053—Colour filters
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/011—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
- H10F39/024—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12 of coatings or optical elements
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
Description
Claims (8)
- (a) 포토다이오드가 형성된 반도체 기판 상에 제 1 절연막과 패시베이션막을 형성하는 단계;(b) 상기 패시베이션막과 상기 제 1 절연막을 패터닝 하여 상기 포토다이오드에 대응하는 트렌치를 형성하는 단계;(c) 상기 트렌치 내부를 이미지 필터 물질막을 이용하여 매립함으로써, 이미지 필터를 형성하는 단계;(d) 상기 이미지 필터을 보호하기 위한 제 2 절연막을 형성하는 단계; 및(e) 상기 제 2 절연막 상에 상기 이미지 필터에 대응하는 마이크로 렌즈는 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 (b) 단계에 있어서,상기 트렌치의 깊이를 조절하여 상기 제 1 절연막이 소정 두께만큼 상기 반도체 기판상에 잔류되도록 하는 것을 특징으로 하는 이미지 소자의 제조 방법.
- (a) 다수의 포토다이오드가 형성되고, 제 1 내지 제 3 칼라 필터 영역이 정의된 반도체 기판 상에 제 1 절연막과 패시베이션막을 형성하는 단계;(b) 상기 패시베이션막과 상기 제 1 절연막을 패터닝 하여 상기 제 1 칼라 필터 영역에 제 1 트렌치, 상기 제 2 칼라 필터 영역에 제 2 트렌치 및 상기 제 3 칼라 필터 영역에 제 3 트렌치를 형성하는 단계;(c) 상기 제 1 트렌치에 제 1 칼라 필터 물질막을 매립하여 제 1 칼라 필터를 형성하는 단계;(d) 상기 제 2 트렌치에 제 2 칼라 필터 물질막을 매립하여 제 2 칼라 필터를 형성하는 단계;(e) 상기 제 3 트렌치에 제 3 칼라 필터 물질막을 매립하여 제 3 칼라 필터를 형성하는 단계;(f) 상기 제 1 내지 제 3 칼라 필터 상에 제 2 절연막을 형성하는 단계; 및(g) 상기 제 2 절연막 상에 상기 제 1 내지 제 3 칼라 필터 각각에 대응하는 마이크로 렌즈들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 소자의 제조 방법.
- 제 3 항에 있어서, 상기 (c) 단계와 상기 (d) 단계 사이에,상기 제 1 칼라 필터를 보호하기 위한 제 3 절연막을 전체 구조상에 단차를 따라 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 소자의 제조 방법.
- 제 3 항에 있어서, 상기 (d) 단계와 상기 (e) 단계 사이에,상기 제 2 칼라 필터를 보호하기 위한 제 4 절연막을 전체 구조상에 단차를 따라 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 소자의 제조 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 1 내지 제 3 트렌치간의 간격은 상기 제 1 내지 제 3 칼라 필터의 크기를 1로 하였을 경우, 1/10 내지 1/3인 것을 특징으로 하는 이미지 소자의 제조 방법.
- 제 3 항에 있어서, 상기 (b) 단계는,상기 제 1 절연막을 완전히 제거하지 않고, 상기 반도체 기판을 보호하고, 상기 트렌치의 폭을 조절하기위해 상기 반도체 기판 상의 상기 제 1 절연막의 일부를 잔류하는 것을 특징으로 하는 이미지 소자의 제조 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 트렌치의 깊이를 조절하여 상기 제 1 절연막이 소정 두께만큼 상기 반도체 기판상에 잔류되도록 하는 것을 특징으로 하는 이미지 소자의 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2003-0017736A KR100520685B1 (ko) | 2003-03-21 | 2003-03-21 | 이미지 소자의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2003-0017736A KR100520685B1 (ko) | 2003-03-21 | 2003-03-21 | 이미지 소자의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20040083173A true KR20040083173A (ko) | 2004-10-01 |
| KR100520685B1 KR100520685B1 (ko) | 2005-10-11 |
Family
ID=37367066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2003-0017736A KR100520685B1 (ko) | 2003-03-21 | 2003-03-21 | 이미지 소자의 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100520685B1 (ko) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100731133B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-06-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Ｃｍｏｓ 이미지 센서의 제조 방법 |
| KR100731067B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2007-06-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR100789576B1 (ko) * | 2006-08-29 | 2007-12-28 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| CN107910339A (zh) * | 2017-10-26 | 2018-04-13 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种背照式图形传感器的制造方法 |
-
2003
- 2003-03-21 KR KR10-2003-0017736A patent/KR100520685B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100731067B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2007-06-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR100731133B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-06-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Ｃｍｏｓ 이미지 센서의 제조 방법 |
| KR100789576B1 (ko) * | 2006-08-29 | 2007-12-28 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| CN107910339A (zh) * | 2017-10-26 | 2018-04-13 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种背照式图形传感器的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100520685B1 (ko) | 2005-10-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100477789B1 (ko) | 이미지센서의 제조 방법 | |
| CN101971339B (zh) | 用于图像传感器的光导阵列 | |
| KR100303774B1 (ko) | 개선된 광감도를 갖는 씨모스이미지센서 제조방법 | |
| JP2008060572A (ja) | イメージセンサ | |
| US9806124B2 (en) | Solid state image pickup apparatus and method for manufacturing the same | |
| KR100937654B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR100520685B1 (ko) | 이미지 소자의 제조 방법 | |
| KR100733706B1 (ko) | 씨모스 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| KR100329782B1 (ko) | 광감도 개선을 위한 이미지센서 제조방법 | |
| US7829371B2 (en) | Image sensor and method for manufacturing the same | |
| KR100906558B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR100449951B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| JP2008227503A (ja) | イメージセンサの製造方法 | |
| KR100840646B1 (ko) | 시모스 이미지 센서의 제조 방법 | |
| KR100606919B1 (ko) | 컬러필터 물질을 채우기 위한 씨모스 이미지 센서 및 그제조방법 | |
| US20140199802A1 (en) | Manufacturing method of solid-state imaging apparatus | |
| KR20030039713A (ko) | 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| KR100947929B1 (ko) | 이미지 센서 제조방법 | |
| KR100851753B1 (ko) | 이미지센서의 제조방법 | |
| KR100866250B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| KR100718771B1 (ko) | 광 감도가 향상된 이미지센서의 제조방법 | |
| KR100730471B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조 방법 | |
| KR100628234B1 (ko) | 포토다이오드 어텍을 제거하기 위한 씨모스 이미지 센서및 그 제조방법 | |
| KR100648800B1 (ko) | 이미지 센서의 칼라필터 및 마이크로 렌즈 형성 방법 | |
| KR20090072317A (ko) | 시모스 이미지 센서의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20030321 |
|
| PA0201 | Request for examination | ||
| PG1501 | Laying open of application | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| PN2301 | Change of applicant |
Patent event date: 20041006 Comment text: Notification of Change of Applicant Patent event code: PN23011R01D |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20050228 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E601 | Decision to refuse application | ||
| PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20050614 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20050228 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |
|
| AMND | Amendment | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| PJ0201 | Trial against decision of rejection |
Patent event date: 20050714 Comment text: Request for Trial against Decision on Refusal Patent event code: PJ02012R01D Patent event date: 20050614 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PJ02011S01I Appeal kind category: Appeal against decision to decline refusal Decision date: 20050928 Appeal identifier: 2005101004543 Request date: 20050714 |
|
| PB0901 | Examination by re-examination before a trial |
Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event date: 20050714 Patent event code: PB09011R02I Comment text: Request for Trial against Decision on Refusal Patent event date: 20050714 Patent event code: PB09011R01I |
|
| B701 | Decision to grant | ||
| PB0701 | Decision of registration after re-examination before a trial |
Patent event date: 20050928 Comment text: Decision to Grant Registration Patent event code: PB07012S01D Patent event date: 20050818 Comment text: Transfer of Trial File for Re-examination before a Trial Patent event code: PB07011S01I |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20051004 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20050930 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20080918 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20090923 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20100930 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20110929 Year of fee payment: 7 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20110929 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
| PC1903 | Unpaid annual fee |
Termination category: Default of registration fee Termination date: 20130909 |